KR101450022B1 - 기판 온도 제어 장치용 스테이지 - Google Patents

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KR101450022B1
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Abstract

본 발명은 플레이트의 재료로서 세라믹 이외의 재료를 이용하면서 플레이트의 열 변형을 방지함으로써 낮은 비용으로 응답성이 좋은 기판 온도 제어 장치용 스테이지를 제공한다. 이 기판 온도 제어 장치용 스테이지는 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 장치에 있어서 기판을 탑재하기 위해서 이용되는 스테이지로서, 기판과 대향하는 제 1 면 및 그 제 1 면과 반대측의 제 2 면을 갖는 플레이트와, 플레이트의 제 2 면에 접착된 면상의 히터를 구비하고, 플레이트의 제 1 면에 제 1 두께로 표면 처리가 실시되며, 플레이트의 제 2 면의 소정 영역에 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 표면 처리가 실시되거나 또는 표면 처리가 실시되어 있지 않은 것을 특징으로 한다.
기판 온도 제어 장치용 스테이지

Description

기판 온도 제어 장치용 스테이지{STAGE FOR SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL UNIT}
본 발명은 반도체 웨이퍼나 액정 패널 등의 기판을 처리할 때에 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 장치에 있어서 기판을 탑재하기 위해서 사용되는 스테이지에 관한 것이다.
최근, 반도체 웨이퍼나 액정 패널 등의 기판의 처리 공정에 있어서 기판의 온도를 정밀하게 제어하는 것이 점점 더 중요하게 되고 있다. 예를 들면, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서는 웨이퍼에 레지스트를 도포한 후에 레지스트 용매를 제거하기 위해서 웨이퍼를 가열하고, 그 후, 웨이퍼를 냉각시킨다는 바와 같이, 웨이퍼의 가열과 냉각이 빈번하게 행해진다. 그 때, 기판의 온도를 적절하게 제어하기 위해서 기판 온도 제어 장치가 사용된다.
기판 온도 제어 장치는 기판을 탑재하기 위해서 평평한 상면을 갖는 스테이지를 포함하고 있고, 이 스테이지의 내부 또는 하부에 기판을 가열 또는 냉각시키기 위한 가열 디바이스 또는 냉각 디바이스가 배치되어 있다. 일반적으로 가열 디바이스로서는 전열선, 적외선 램프 또는 작동 유체가 사용되고, 냉각 디바이스로서는 펠티에 소자나 작동 유체가 사용된다.
관련된 기술로서 국제 공개 WO-A1-99/41778에는 반도체 웨이퍼나 액정 패널 등의 기판의 처리 공정에 있어서 기판을 가열하거나 냉각시켜 기판의 온도를 제어하기 위해서 이용되는 기판 온도 제어 장치가 개시되어 있다. 이 기판 온도 제어 장치에 있어서는 반도체 웨이퍼를 탑재하는 스테이지가 열 전도성이 좋은 금속제의 얇은 평판상의 용기와, 이 용기의 상면과 하면에 부착된 박막 히터로 이루어지는 상하 대칭의 구조를 갖고 있다. 이 대칭 구조에 의하면 스테이지의 열 팽창에 의한 휘어짐을 방지하여 균열성을 높일 수 있다.
또한, 일본국 특허 출원 공개 JP-A-9-134776에는 반도체나 액정 패널의 베이킹 처리 및 성막 공정에 있어서의 웨이퍼 및 기판의 소성에 적용되는 가열 장치가 개시되어 있다. 이 가열 장치는 베이스 플레이트와, 그 베이스 플레이트의 한쪽 면 상에 설치된 플레이트상 발열체와, 그 플레이트상 발열체의 한쪽 면 상에 설치된 페이스 플레이트를 포함하고, 그 페이스 플레이트는 플레이트상 발열체로부터의 열 전도에 의해 페이스 플레이트의 표면에 탑재되는 피가열물을 가열하는 것이며, 페이스 플레이트와 플레이트상 발열체 사이에 페이스 플레이트보다 열 전도율이 큰 열 전도체를 설치한 것을 특징으로 하고 있다. 구체적으로는 페이스 플레이트가 알루미늄재에 의해 만들어져 있고, 페이스 플레이트의 표면에 알루마이트 가공이 실시되어 있다. 열 전도체는 동 또는 동 합금에 의해 만들어진다.
알루미늄재는 세라믹보다 부드럽지만 저렴하고, 열 전도율도 높으므로 얇은 알루미늄재를 이용하여 스테이지의 페이스 플레이트를 만들 수 있으면 낮은 비용으로 응답성이 좋은 기판 온도 제어 장치를 실현할 수 있다. 그러나, 스테이지의 열 변형을 방지하기 위해서 스테이지를 상하 대칭의 구조로 하면 구조가 복잡하게 되어 버린다.
그래서, 상기의 점을 감안하여 본 발명은 플레이트의 재료로서 세라믹 이외의 재료를 사용하면서 플레이트의 열 변형을 방지함으로써 낮은 비용으로 응답성이 좋은 기판 온도 제어 장치용 스테이지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명의 1개의 관점에 따른 기판 온도 제어 장치용 스테이지는 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 장치에 있어서 기판을 탑재하기 위해서 사용되는 스테이지로서, 기판과 대향하는 제 1 면 및 그 제 1 면과 반대측의 제 2 면을 갖는 플레이트와, 플레이트의 제 2 면에 접착된 면상의 히터를 구비하고, 플레이트의 제 1 면에 제 1 두께로 표면 처리가 실시되며, 플레이트의 제 2 면의 소정 영역에 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 표면 처리가 실시되거나 또는 표면 처리가 실시되어 있지 않은 것을 특징으로 한다.
(발명의 효과)
본 발명의 1개의 관점에 의하면 플레이트의 제 1 면에 제 1 두께로 표면 처리가 실시되고, 플레이트의 제 2 면의 소정 영역에 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께로 표면 처리가 실시되거나 또는 표면 처리가 실시되어 있지 않음으로써 플레이트의 열 변형을 방지하여 낮은 비용으로 응답성이 좋은 기판 온도 제어 장치용 스테이지를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 온도 제어 장치용 스테이지를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 일점쇄선 II-II에 있어서의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 온도 제어 장치용 스테이지의 플레이트 및 히터를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시형태의 변형예에 따른 기판 온도 제어 장치용 스테이지의 플레이트 및 히터를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 플레이트의 온도 변화에 따른 변형량의 측정 결과를 나타내는 도면이다.
도 6은 250℃에 있어서의 플레이트의 변형량의 해석 결과를 측정 결과와 비교하여 나타내는 도면이다.
도 7은 플레이트의 변형량의 해석에 있어서 사용된 물성값을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태에 대해서 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 동일한 구성 요소에는 동일한 참조 번호를 붙여 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 온도 제어 장치용 스테이지를 나타내는 평면도이며, 도 2는 도 1에 나타내는 일점쇄선 II-II에 있어서의 단면도이다. 기판 온도 제어 장치는 반도체 웨이퍼나 액정 패널 등의 기판의 처리 공정에 있어서 기판의 온도를 제어하는 장치이며, 기판을 탑재하기 위해서 사용되는 스테이지(1)를 갖고 있다. 이하에 있어서는 직경 300㎜의 반도체 웨이퍼가 스테이지(1) 상에 탑재되는 경우에 대하여 설명한다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판 온도 제어 장치의 스테이지(1)는 원반 형상의 플레이트(10)를 포함하고 있고, 플레이트(10)에는 높이가 100㎛ 정도인 복수의 돌기(11)가 형성되어 있다. 웨이퍼가 스테이지(1) 상에 탑재되는 경우에는 이들 돌기(11)가 웨이퍼를 지지하고, 웨이퍼와 플레이트(10) 사이에 100㎛ 정도의 갭을 형성하여 웨이퍼가 플레이트(10)와 접촉되는 것을 방지하고 있다. 이것에 의해 플레이트(10)에 부착되어 있는 오염물로부터 웨이퍼가 보호된다. 플레이트(10)의 주변부에는 웨이퍼의 위치가 어긋나지 않도록 하기 위한 복수의 웨이퍼 가이드(12)가 설치되어 스테이지(1) 상에 탑재된 웨이퍼의 위치를 규정하고 있다.
도 2를 참조하면 플레이트(10)에는 웨이퍼를 가열하기 위한 원형 시트상(면상)의 히터(20)가 부착되어 있고, 히터(20)의 배선을 위해서 터미널 플레이트(30)가 설치되어 있다. 플레이트(10) 및 히터(20)는 플레이트 고정 나사(41)에 의해 수지 링(42) 및 플레이트 지주(43)를 통해 베이스 플레이트(50)에 고정되어 있다. 수지 링(42)을 사용함으로써 플레이트(10)와 베이스 플레이트(50) 사이에서 단열이 꾀해짐과 아울러, 플레이트(10)가 수지 링(42) 상에서 미끄러짐으로써 베이스 플레이트(50)에 대하여 어느 정도 이동 가능하게 되어 있다. 베이스 플레이트(50)의 주위에는 외주 커버(60)가 부착되어 있다. 스테이지(1)는 기판 온도 제어 장치의 케이스 내에 수납된다.
도 3은 본 발명의 일실시형태에 따른 기판 온도 제어 장치용 스테이지의 플레이트 및 히터를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
플레이트(10)는 얇은 알루미늄재(A5052)에 의해 제작되어 있고, 긴 직경이 340㎜이고, 짧은 직경이 330㎜인 원추대의 형상을 갖고 있다. 열 변형을 방지하기 위해서 히터(20)가 접착되는 부분을 제외하고 플레이트(10)에 표면 처리(본 실시형태에 있어서는 알루마이트 처리)를 실시함으로써 알루마이트층(10a)이 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서는 6㎜의 두께를 갖는 플레이트(10)에 대하여 15㎛~30㎛, 바람직하게는 20㎛의 두께를 갖는 알루마이트층(10a)이 형성된다.
히터(20)는 폴리이미드의 절연막(21)과, 절연막(21) 상에 패턴 형성된 스테인레스 강재(SUS304)의 박막의 전열선(22)과, 전열선(22)을 피복하는 폴리이미드의 절연막(23)에 의해 구성된다. 여기에서, 절연막(21)의 두께는 50㎛이며, 전열선(22)의 두께는 20㎛이고, 절연막(23)의 두께는 얇은 부분에서 25㎛이다. 절연막(21 및 23)의 폴리이미드의 표면은 300℃ 이상으로 가열되면 다른 부재에 접착(열융착)되도록 개질되어 있고, 플레이트(10)와 절연막(21)과 절연막(23)을 핫 프레스함으로써 이들이 서로 접착되어 있다.
알루미늄은 비교적 부드럽고, 스테인레스나 폴리이미드보다 선팽창 계수가 크므로 알루마이트층(10a)이 없는 경우에는 히터(20)에 의해 플레이트(10)가 가열되면 플레이트(10)의 도면 중 상측이 볼록하게 되는 변형이 발생된다. 그 변형량은 250℃에 있어서 200㎛ 정도로 커서 웨이퍼와 플레이트(10) 사이의 갭(100㎛ 정도)을 초과해 버린다. 이 문제에 대하여 플레이트(10)의 상면에 소정 두께를 갖는 알 루마이트층(10a)을 형성함으로써 알루미늄의 열 팽창이 억제되고, 폴리이미드의 절연막(21)이나 스테인레스 박막의 전열선(22)의 열 팽창과 길항되게 되어 가열에 의한 플레이트(10)의 변형이 저감된다. 또한, 플레이트(10)와 절연막(21)과 절연막(23)을 핫 프레스에 의해 열 융착시키는 공정에 있어서 선팽창 계수의 차이에 의해 발생되는 제조시의 열 변형도 상기 구조에 의해 저감시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시형태의 변형예에 따른 기판 온도 제어 장치용 스테이지의 플레이트 및 히터를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
이 예에 있어서는 플레이트(10)의 전면에 알루마이트 처리를 실시함으로써 알루마이트층(10a 및 10b)이 형성되지만 플레이트(10)의 하면에 형성되는 알루마이트층(10b)의 두께가 플레이트(10)의 상면에 형성되는 알루마이트층(10a)의 두께보다 작게 되어 있다. 즉, 플레이트(10)의 상면의 알루마이트층(10a)이 플레이트(10)의 하면의 알루마이트층(10b)보다 두껍게 형성된다. 이 예에 있어서도 플레이트(10)의 두께는 6㎜이지만 플레이트(10)의 상면의 알루마이트층(10a)의 두께를 플레이트(10)의 하면의 알루마이트층(10b)의 두께보다 15㎛~30㎛, 바람직하게는 20㎛만큼 크게 함으로써 플레이트(10)의 상측의 팽창이 억제된다.
이어서, 플레이트의 온도 변화에 따른 변형량을 측정 및 해석에 의해 구한 결과에 대하여 설명한다.
도 5는 플레이트의 온도 변화에 따른 변형량의 측정 결과를 나타내는 도면이다. 도 5에 있어서 횡축(x축)은 플레이트의 온도(℃)를 나타내고 있고, 종축(y축)은 플레이트 중심의 상대 위치 변화(㎛)를 나타내고 있다. 플레이트 중심의 상대 위치 변화가 양의 값이 되는 경우에는 도 3 또는 도 4에 나타내는 플레이트(10)의 도면 중 상측이 볼록하게 되도록 변형이 발생되고, 플레이트 중심의 상대 위치 변화가 음의 값이 되는 경우에는 플레이트(10)의 도면 중 상측이 오목하게 되도록 변형이 발생되게 된다.
도 5에 나타내는 직선(A)은 도 3에 나타내는 플레이트(10)의 상면에 알루마이트층(10a)이 형성되어 있지 않은 경우(알루마이트층의 두께 0㎛)에 있어서의 측정 결과를 선형 근사한 것이다. 또한, 도 4에 나타내는 플레이트(10)의 상면에 형성되는 알루마이트층(10a)의 두께와 하면에 형성되는 알루마이트층(10b)의 두께가 동일한 경우에도 이것에 가까운 결과가 된다.
또한, 직선(B)은 도 3에 나타내는 플레이트(10)의 상면에 두께 15㎛의 알루마이트층(10a)이 형성되어 있는 경우에 있어서의 측정 결과를 선형 근사한 것이다. 또한, 도 4에 나타내는 플레이트(10)의 상면에 형성되는 알루마이트층(10a)이 하면에 형성되는 알루마이트층(10b)보다 15㎛ 두꺼운 경우에도 이것에 가까운 결과가 된다.
또한, 직선(C)은 도 3에 나타내는 플레이트(10)의 상면에 두께 30㎛의 알루마이트층(10a)이 형성되어 있는 경우에 있어서의 측정 결과를 선형 근사한 것이다. 또한, 도 4에 나타내는 플레이트(10)의 상면에 형성되는 알루마이트층(10a)이 하면에 형성되는 알루마이트층(10b)보다 30㎛ 두꺼운 경우에도 이것에 가까운 결과가 된다.
도 6은 250℃에 있어서의 플레이트의 변형량의 해석 결과를 측정 결과와 비 교하여 나타내는 도면이다. 도 6에 있어서 횡축(x축)은 도 3에 나타내는 플레이트(10)의 상면에 형성되는 알루마이트층(10a)의 두께(㎛)를 나타내고 있고, 종축(y축)은 플레이트 중심의 상대 위치 변화(㎛)를 나타내고 있다. 여기에서, 검은 삼각의 포인트는 시뮬레이션에 의한 값을 나타내고 있고, 검은 동그라미의 포인트는 실측에 의한 값을 나타내고 있다.
도 7은 플레이트의 변형량의 해석에 있어서 사용된 물성값을 나타내는 도면이다. 온도 변화에 따른 플레이트의 변형량은 플레이트 및 히터를 구성하는 각 재료의 선팽창 계수, 영률, (포와송비) 및 두께에 기초하여 산출할 수 있다. 해석 조건으로서는 온도 23℃에 있어서 변형이 없는 것으로 하고, 온도 변화에 따른 변형을 2차원축 대상으로 하여 정상 상태에서 구했다. 또한, 전열선이 되는 스테인레스 박막은 두께 20㎛로 동일하게 형성되어 있는 것으로 했다.
도 5 및 도 6으로부터 알 수 있는 바와 같이, 도 3에 나타내는 플레이트(10)의 상면에 형성되는 알루마이트층(10a)의 두께가 15㎛~30㎛인 경우에 플레이트(10)의 변형량이 특히 작아진다. 그 경우에 플레이트(10)의 두께는 6㎜이기 때문에 알루마이트층(10a)의 두께는 플레이트(10)의 두께의 0.25%~0.5%에 상당한다.
또한, 플레이트(10)의 두께를 4㎜로 해서 시뮬레이션을 행한 결과, 마찬가지로 알루마이트층(10a)의 두께가 15㎛~30㎛인 경우에 플레이트(10)의 변형량이 특히 작아지는 것을 알 수 있었다. 그 경우에 알루마이트층(10a)의 두께는 플레이트(10)의 두께의 0.375%~0.75%에 상당한다. 따라서, 이들 점으로부터 알루마이트층(10a)의 두께를 플레이트(10)의 두께의 0.25%~0.75%로 하면 플레이트(10)의 변형량이 작 아진다는 효과가 얻어진다. 특히 알루마이트층(10a)의 두께가 20㎛ 부근인 경우에 플레이트(10)의 변형량이 0에 근접하므로 알루마이트층(10a)의 두께를 플레이트(10)의 두께의 0.33%~0.5%로 하는 것이 바람직하다.
마찬가지로 도 4에 나타내는 플레이트(10)의 상면에 형성되는 알루마이트층(10a)을 플레이트(10)의 하면에 형성되는 알루마이트층(10b)보다 15㎛~30㎛ 두껍게 하는 경우에 플레이트(10)의 변형량이 특히 작아진다. 플레이트(10)의 두께가 6㎜인 경우에는 알루마이트층의 두께의 차가 플레이트(10)의 두께의 0.25%~0.5%에 상당하고, 플레이트(10)의 두께가 4㎜인 경우에는 알루마이트층의 두께의 차가 플레이트(10)의 두께의 0.375%~0.75%에 상당한다. 따라서, 이들 점으로부터 알루마이트층의 두께의 차를 플레이트(10)의 두께의 0.25%~0.75%로 하면 플레이트(10)의 변형량이 작아진다는 효과가 얻어진다. 특히 알루마이트층의 두께의 차가 20㎛ 부근인 경우에 플레이트(10)의 변형량이 0에 근접하므로 알루마이트층의 두께의 차를 플레이트(10)의 두께의 0.33%~0.5%로 하는 것이 바람직하다.
이상의 실시형태에 있어서는 모재가 알루미늄인 플레이트에 표면 처리로서 알루마이트 처리를 실시함으로써 알루마이트층을 형성하는 경우에 대하여 설명했지만 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 모재로서 실리콘(Si)을 이용하여 표면 처리로서 산화 처리를 실시함으로써 실리콘 산화막(SiO2)을 형성해도 좋고, 표면 처리로서 질화 처리를 실시함으로써 실리콘 질화막(SiN)을 형성해도 좋다. 모재의 편면 또는 양면에 이들 막을 형성하는 경우에 막의 두께를 조정함으로써 플레 이트의 열 변형을 저감시킬 수 있다. 또는 모재의 편면을 소정 두께로 숏블라스트해도 좋고, 모재의 양면을 숏블라스트하는 경우에 처리 두께를 면마다 변경해도 좋다. 또한, 모재의 편면에 소정 두께로 금 도금 등의 도금을 실시해도 좋고, 모재의 양면에 도금을 실시하는 경우에 도금 두께를 면마다 변경해도 좋다.
본 발명은 반도체 웨이퍼나 액정 패널 등의 기판을 처리할 때에 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 장치에 있어서 이용하는 것이 가능하다.

Claims (6)

  1. 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 장치에 있어서 기판을 탑재하기 위해서 사용되는 스테이지로서,
    상기 기판과 대향하는 제 1 면 및 상기 제 1 면과 반대측의 제 2 면을 가지고, 적어도 상기 제 1 면에 표면 처리에 의해 소정의 두께를 갖는 표면 처리 층이 형성되어 있는 금속 플레이트와,
    상기 금속 플레이트의 제 2 면에 접착에 의해 고정되고, 전열선 및 이 전열선을 끼워넣은 절연막을 포함하는 면상의 히터를 구비하고,
    상기 면상의 히터의 상기 절연막이 폴리이미드로 작성되고, 상기 면상의 히터가 상기 금속 플레이트의 제 2 면에 열융착에 의한 접착에 의해 고정되어 있으며,
    상기 금속 플레이트가 알루미늄제이고, 상기 표면 처리가 알루마이트 처리이며,
    상기 금속 플레이트의 제 2 면의 소정 영역에 표면 처리에 의해 표면 처리 층이 형성되어 있는 경우에, 상기 제 2 면의 표면 처리 층의 두께가 상기 제 1 면의 표면 처리 층의 두께보다 얇고, 상기 제 1 면의 표면 처리 층의 두께와 상기 제 2 면의 표면 처리 층의 두께의 차가 15㎛~30㎛이며, 상기 금속 플레이트의 제 2 면의 소정 영역에 표면 처리가 실시되어 있지 않은 경우에, 상기 제 1 면의 표면 처리 층의 두께가 15㎛~30㎛인 기판 온도 제어 장치용 스테이지.
  2. 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 장치에 있어서 기판을 탑재하기 위해서 사용되는 스테이지로서,
    상기 기판과 대향하는 제 1 면 및 상기 제 1 면과 반대측의 제 2 면을 가지고, 적어도 상기 제 1 면에 표면 처리에 의해 소정의 두께를 갖는 표면 처리 층이 형성되어 있는 금속 플레이트와,
    상기 금속 플레이트의 제 2 면에 접착에 의해 고정되고, 전열선 및 이 전열선을 끼워넣은 절연막을 포함하는 면상의 히터를 구비하고,
    상기 면상의 히터의 상기 절연막이 폴리이미드로 작성되고, 상기 면상의 히터가 상기 금속 플레이트의 제 2 면에 열융착에 의한 접착에 의해 고정되어 있으며,
    상기 금속 플레이트가 알루미늄제이고, 상기 표면 처리가 알루마이트 처리이며,
    상기 금속 플레이트의 제 2 면의 소정 영역에 표면 처리에 의해 표면 처리 층이 형성되어 있는 경우에, 상기 제 2 면의 표면 처리 층의 두께가 상기 제 1 면의 표면 처리 층의 두께보다 얇고, 상기 제 1 면의 표면 처리 층의 두께와 상기 제 2 면의 표면 처리 층의 두께의 차가 상기 금속 플레이트의 두께의 0.25%~0.75%이며, 상기 금속 플레이트의 제 2 면의 소정 영역에 표면 처리가 실시되어 있지 않은 경우에, 상기 제 1 면의 표면 처리 층의 두께가 상기 금속 플레이트의 두께의 0.25%~0.75%인 기판 온도 제어 장치용 스테이지.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 면상의 히터가, 폴리이미드의 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막 상에 패턴 형성된 스테인레스 박막의 전열선과, 상기 전열선을 피복하는 폴리이미드의 제 2 절연막을 포함하는 기판 온도 제어 장치용 스테이지.
  4. 기판의 온도를 제어하는 기판 온도 제어 장치에 있어서 기판을 탑재하기 위해서 사용되는 스테이지로서,
    상기 기판과 대향하는 제 1 면 및 상기 제 1 면과 반대측의 제 2 면을 가지고, 적어도 상기 제 1 면에 표면 처리에 의해 소정의 두께를 갖는 표면 처리 층이 형성되어 있는 금속 플레이트와,
    상기 금속 플레이트의 제 2 면에 접착에 의해 고정되고, 전열선 및 이 전열선을 끼워넣은 절연막을 포함하는 면상의 히터를 구비하고,
    상기 면상의 히터의 상기 절연막이 폴리이미드로 작성되고, 상기 면상의 히터가 상기 금속 플레이트의 제 2 면에 열융착에 의한 접착에 의해 고정되어 있으며,
    상기 금속 플레이트의 제 2 면의 소정 영역에 표면 처리에 의해 상기 제 1 면의 표면 처리 층의 두께보다 얇은 표면 처리 층이 형성되어 있는 기판 온도 제어 장치용 스테이지.
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