JP5294570B2 - 基板温度制御装置用ステージ - Google Patents
基板温度制御装置用ステージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5294570B2 JP5294570B2 JP2007116606A JP2007116606A JP5294570B2 JP 5294570 B2 JP5294570 B2 JP 5294570B2 JP 2007116606 A JP2007116606 A JP 2007116606A JP 2007116606 A JP2007116606 A JP 2007116606A JP 5294570 B2 JP5294570 B2 JP 5294570B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- thickness
- substrate
- stage
- temperature control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/68—Heating arrangements specially adapted for cooking plates or analogous hot-plates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る基板温度制御装置用ステージを示す平面図であり、図2は、図1に示す一点鎖線II−IIにおける断面図である。基板温度制御装置は、半導体ウエハや液晶パネル等の基板の処理工程において基板の温度を制御する装置であり、基板を載置するために用いられるステージ1を有している。以下においては、直径300mmの半導体ウエハがステージ1上に載置される場合について説明する。
プレート10は、薄いアルミニウム材(A5052)で作製されており、長い直径が340mmで短い直径が330mmの円錐台の形状を有している。熱変形を防止するために、ヒータ20が接着される部分を除いてプレート10に表面処理(本実施形態においては、アルマイト処理)を施すことにより、アルマイト層10aが形成されている。本実施形態においては、6mmの厚さを有するプレート10に対して、15μm〜30μm、望ましくは20μmの厚さを有するアルマイト層10aが形成される。
この例においては、プレート10の全面にアルマイト処理を施すことによりアルマイト層10a及び10bが形成されるが、プレート10の下面に形成されるアルマイト層10bの厚さが、プレート10の上面に形成されるアルマイト層10aの厚さよりも小さくなっている。即ち、プレート10の上面のアルマイト層10aが、プレート10の下面のアルマイト層10bよりも厚く形成される。この例においても、プレート10の厚さは6mmであるが、プレート10の上面のアルマイト層10aの厚さを、プレート10の下面のアルマイト層10bの厚さよりも、15μm〜30μm、望ましくは20μmだけ大きくすることにより、プレート10の上側の膨張が抑えられる。
図5は、プレートの温度変化による変形量の測定結果を示す図である。図5において、横軸(x軸)は、プレートの温度(℃)を表しており、縦軸(y軸)は、プレート中心の相対位置変化(μm)を表している。プレート中心の相対位置変化が正の値となる場合には、図3又は図4に示すプレート10の図中上側が凸となるように変形が生じ、プレート中心の相対位置変化が負の値となる場合には、プレート10の図中上側が凹となるように変形が生じることになる。
Claims (5)
- 基板の温度を制御する基板温度制御装置において基板を載置するために用いられるステージであって、
前記基板と対向する第1の面、及び、該第1の面と反対側の第2の面を有し、少なくとも第1の面に所定の厚さでアルマイト処理が施されたアルミニウム製のプレートと、
電熱線及び該電熱線を挟み込んだ絶縁膜を含み、前記プレートの第2の面に接着によって固定されている面状のヒータと、
を具備し、前記プレートの第2の面にアルマイト処理が施されている場合に、前記プレートの第1の面に施されたアルマイト処理の厚さと前記第2の面に施されたアルマイト処理の厚さとの差が、15μm〜30μmであり、前記プレートの第2の面にアルマイト処理が施されていない場合に、前記プレートの第1の面に施されたアルマイト処理の厚さが、15μm〜30μmである、基板温度制御装置用ステージ。 - 前記ヒータの前記絶縁膜がポリイミドであり、前記ヒータが前記プレートの第2の面に熱融着による接着によって固定されている、請求項1記載の基板温度制御装置用ステージ。
- 基板の温度を制御する基板温度制御装置において基板を載置するために用いられるステージであって、
前記基板と対向する第1の面、及び、該第1の面と反対側の第2の面を有し、少なくとも第1の面に所定の厚さで表面処理が施された金属のプレートと、
電熱線及び該電熱線を挟み込んだ絶縁膜を含み、前記プレートの第2の面に接着によって固定されている面状のヒータと、
を具備し、前記プレートの第2の面に、第1の面に施された表面処理の厚さよりも薄い厚さで表面処理が施されている、基板温度制御装置用ステージ。 - 前記プレートが、アルミニウム製であり、前記表面処理が、アルマイト処理である、請求項3記載の基板温度制御装置用ステージ。
- 基板の温度を制御する基板温度制御装置において基板を載置するために用いられるステージであって、
前記基板と対向する第1の面、及び、該第1の面と反対側の第2の面を有し、少なくとも第1の面に所定の厚さでアルマイト処理が施されたアルミニウム製のプレートと、
電熱線及び該電熱線を挟み込んだ絶縁膜を含み、前記プレートの第2の面に接着によって固定されている面状のヒータと、
を具備し、前記プレートの第2の面にアルマイト処理が施されている場合に、前記プレートの第1の面に施されたアルマイト処理の厚さと前記第2の面に施されたアルマイト処理の厚さとの差が、前記プレートの厚さの0.25%〜0.75%であり、前記プレートの第2の面にアルマイト処理が施されていない場合に、前記プレートの第1の面に施されたアルマイト処理の厚さが、前記プレートの厚さの0.25%〜0.75%である、基板温度制御装置用ステージ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007116606A JP5294570B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 基板温度制御装置用ステージ |
PCT/JP2008/056092 WO2008136228A1 (ja) | 2007-04-26 | 2008-03-28 | 基板温度制御装置用ステージ |
KR1020097021109A KR101450022B1 (ko) | 2007-04-26 | 2008-03-28 | 기판 온도 제어 장치용 스테이지 |
US12/596,755 US8399811B2 (en) | 2007-04-26 | 2008-03-28 | Stage for substrate temperature control apparatus |
CN2008800217938A CN101689481B (zh) | 2007-04-26 | 2008-03-28 | 基板温度控制装置用工作台 |
TW97114858A TWI469246B (zh) | 2007-04-26 | 2008-04-23 | Substrate temperature control device platform |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007116606A JP5294570B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 基板温度制御装置用ステージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277382A JP2008277382A (ja) | 2008-11-13 |
JP5294570B2 true JP5294570B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=39943346
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007116606A Active JP5294570B2 (ja) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | 基板温度制御装置用ステージ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8399811B2 (ja) |
JP (1) | JP5294570B2 (ja) |
KR (1) | KR101450022B1 (ja) |
CN (1) | CN101689481B (ja) |
TW (1) | TWI469246B (ja) |
WO (1) | WO2008136228A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011100065A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクル膜の製造方法および装置 |
JP2011158814A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクル膜の製造方法および装置 |
JP5684023B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-03-11 | 株式会社小松製作所 | 加熱装置 |
JP5694824B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-04-01 | 株式会社小松製作所 | 加熱装置 |
US9465049B2 (en) * | 2012-04-13 | 2016-10-11 | James B. Colvin | Apparatus and method for electronic sample preparation |
US9461355B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-10-04 | Intel Corporation | Method apparatus and material for radio frequency passives and antennas |
JP6390214B2 (ja) * | 2014-07-01 | 2018-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液体吐出装置 |
KR102360248B1 (ko) * | 2016-05-10 | 2022-02-07 | 램 리써치 코포레이션 | 상이한 히터 트레이스 재료를 사용한 적층된 히터 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3049539B2 (ja) | 1995-11-08 | 2000-06-05 | 日本電熱株式会社 | 加熱装置 |
TW439094B (en) | 1998-02-16 | 2001-06-07 | Komatsu Co Ltd | Apparatus for controlling temperature of substrate |
JP2001126851A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Keihin Sokki Kk | 半導体ウエハーにおけるヒータ装置およびその製造方法 |
JP2006093495A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 基板の加熱装置及び方法 |
JP2006140367A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用加熱体およびこれを搭載した加熱装置 |
JP3123354U (ja) * | 2006-04-28 | 2006-07-20 | 京浜測器株式会社 | 半導体ウエハーにおけるヒーター装置 |
-
2007
- 2007-04-26 JP JP2007116606A patent/JP5294570B2/ja active Active
-
2008
- 2008-03-28 CN CN2008800217938A patent/CN101689481B/zh active Active
- 2008-03-28 KR KR1020097021109A patent/KR101450022B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-28 WO PCT/JP2008/056092 patent/WO2008136228A1/ja active Application Filing
- 2008-03-28 US US12/596,755 patent/US8399811B2/en active Active
- 2008-04-23 TW TW97114858A patent/TWI469246B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100015461A (ko) | 2010-02-12 |
US8399811B2 (en) | 2013-03-19 |
JP2008277382A (ja) | 2008-11-13 |
WO2008136228A1 (ja) | 2008-11-13 |
US20100133256A1 (en) | 2010-06-03 |
CN101689481A (zh) | 2010-03-31 |
TWI469246B (zh) | 2015-01-11 |
CN101689481B (zh) | 2012-06-27 |
TW200901361A (en) | 2009-01-01 |
KR101450022B1 (ko) | 2014-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5294570B2 (ja) | 基板温度制御装置用ステージ | |
KR101117534B1 (ko) | 기판 온도 제어 장치용 스테이지 | |
JP5447123B2 (ja) | ヒータユニット及びそれを備えた装置 | |
JP2021525454A5 (ja) | ||
US8050054B2 (en) | Electronic device with a base plate | |
JP2009087703A (ja) | 誘導加熱装置用発熱体および分割発熱体用パッケージ | |
US20120045869A1 (en) | Flip chip bonder head for forming a uniform fillet | |
WO2017081951A1 (ja) | ヒータ | |
JP6231443B2 (ja) | 接合体およびこれを用いたウエハ支持部材 | |
JP6526219B2 (ja) | 試料保持具 | |
US7563343B2 (en) | Film lamination apparatus and method and a manufacturing method of a semiconductor apparatus | |
JP2004163407A (ja) | センサ装置 | |
US20170277013A1 (en) | Optical device and optical switch | |
JP5381879B2 (ja) | ウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置 | |
Iwahashi et al. | Stacked resin structure for reducing warpage of transfer-molded modules | |
WO2023209766A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7472435B2 (ja) | 半導体モジュールの製造方法 | |
JP2006093495A (ja) | 基板の加熱装置及び方法 | |
US11302536B2 (en) | Deflectable platens and associated methods | |
US20230402309A1 (en) | Substrate fixing device | |
CN111276419B (zh) | 一种固相键合装置 | |
TWI622148B (zh) | 半導體封裝限制件 | |
JP2024000905A (ja) | 基板固定装置及び基板固定装置の製造方法 | |
JP2022084366A (ja) | フレキシブル回路基板の成形装置及び成形方法 | |
JP2005056620A (ja) | 半導体ウエハーにおけるヒーター装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5294570 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |