JP2021525454A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- セラミックで作製されたチャック本体を有する基板支持体(132)であって、前記チャック本体は、加工物支持面(133)と、チャック本体結合面(131)とを有し、前記加工物支持面(133)及び前記チャック本体結合面(131)は平面度が約10ミクロン未満である、基板支持体(132)と、
金属又は複合材で作製された冷却体(230)を有する冷却基部(130)であって、前記冷却基部の前記冷却体は、前記チャック本体結合面(131)に対向する冷却体上面(272)と、冷却体下面(274)とを有する、冷却基部(130)と、
を備える基板支持アセンブリ(126)。 - 前記基板支持体、前記冷却基部、及び、ベースプレートを取り囲む縁端リング部をさらに備え、前記縁端リング部は、加工物取付面へとパージガスを向けるよう構成される、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- 前記基板支持体と前記冷却基部との間に配置された結合層は、厚さが約0.3mmと約2.0mmとの間であり、熱伝導率が約1.0W/m−Kと約3.0W/m−Kとの間である、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- 前記基板支持体と前記冷却基部との間の前記結合層の前記厚さの変動は、20ミクロン未満である、請求項3に記載の基板支持アセンブリ。
- 第1のヒータが、所望の温度出力を提供するために、前記第1のヒータの隣の部分よりも高い所望の抵抗を実現するようトリミングされる、請求項1に記載の基板支持アセンブリ。
- セラミックで作製されたチャック本体を有する基板支持体であって、前記チャック本体には、高電圧チャック電極が埋め込まれており、前記チャック本体は、加工物支持面と、チャック本体結合面とを有し、前記加工物支持面及び前記チャック本体結合面は平面度が約10ミクロン未満である、基板支持体と、
前記基板支持体に結合された冷却基部と、
ヒータと、前記基板支持体に埋め込まれた前記チャック電極と、に接続されたリード線を有するセラミックシャフトであって、前記冷却基部から熱的に絶縁されたセラミックシャフトと、
を備える、基板支持アセンブリ(126)。 - 前記チャック本体の外側の前記チャック本体結合面に配置された少なくとも1つの第1のヒータであって、所望の温度出力を提供するために、前記第1のヒータの隣の部分よりも高い所望の抵抗を実現するようトリミングされた少なくとも1つの第1のヒータと、
前記第1のヒータの上に配置された絶縁層であって、セラミック層、セラミックテープ、及びガラステープのうちの1つを含む絶縁層と、
を更に備える、請求項6に記載の基板支持アセンブリ。 - 取付面及び上面の前記平面度が約10ミクロン未満である、請求項6に記載の基板支持アセンブリ。
- 結合層は、厚さが約0.3mmと約2.0mmとの間であり、前記厚さは、変動が約20ミクロン未満であり、前記結合層は、熱伝導率が約1.0W/m−Kと約3.0W/m−Kとの間である、請求項6に記載の基板支持アセンブリ。
- 前記ヒータのうちの少なくとも1つのヒータがトリミングされ、トリミングされた前記ヒータの隣の部分よりも高い所望の抵抗が実現され、所望の温度出力が提供される、請求項6に記載の基板支持アセンブリ。
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