JP2001274230A - 半導体製造装置用ウェハ保持体 - Google Patents
半導体製造装置用ウェハ保持体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱・冷却による歪を抑制でき、かつ製造が
容易な半導体製造装置用ウェハ保持体を提供する。 【解決手段】 ウェハ保持体１０は、１対のセラミック
ス基材４が導体層１、２、３の各々を挟み込んだ構成を
有している。導体層１、２、３は、ウェハ２０に対面す
る本体部分１Ａ、２Ａ、３Ａと、外部との接続のために
本体部分１Ａ、２Ａ、３Ａから引出される引出部分１
Ｂ、２Ｂ、３Ｂとを有し、この本体部分１Ａ、２Ａ、３
Ａと引出部分１Ｂ、２Ｂ、３Ｂとが同一平面上に配置さ
れている。
容易な半導体製造装置用ウェハ保持体を提供する。 【解決手段】 ウェハ保持体１０は、１対のセラミック
ス基材４が導体層１、２、３の各々を挟み込んだ構成を
有している。導体層１、２、３は、ウェハ２０に対面す
る本体部分１Ａ、２Ａ、３Ａと、外部との接続のために
本体部分１Ａ、２Ａ、３Ａから引出される引出部分１
Ｂ、２Ｂ、３Ｂとを有し、この本体部分１Ａ、２Ａ、３
Ａと引出部分１Ｂ、２Ｂ、３Ｂとが同一平面上に配置さ
れている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置用
ウェハ保持体に関し、特に、ウェハを加熱するためのヒ
ータ、ウェハを静電力によって保持するための静電チャ
ック用電極、またはその両方の機能を有する半導体製造
装置用ウェハ保持体に関するものである。
ウェハ保持体に関し、特に、ウェハを加熱するためのヒ
ータ、ウェハを静電力によって保持するための静電チャ
ック用電極、またはその両方の機能を有する半導体製造
装置用ウェハ保持体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハの表面をエッチングしたり
成膜したりする際、ウェハをラックに多数個保持して、
バッチ式でエッチングや成膜用のガスを流し、必要に応
じて外周からヒータで加熱する（ホットウォール式）と
いう手法が用いられていた。
成膜したりする際、ウェハをラックに多数個保持して、
バッチ式でエッチングや成膜用のガスを流し、必要に応
じて外周からヒータで加熱する（ホットウォール式）と
いう手法が用いられていた。
【０００３】しかし近年、半導体に対する高集積化、高
速化の要求が厳しくなるに従い、装置内の場所による温
度やガスの流れの不均一に起因するエッチングや形成さ
れる膜の品質のばらつきが問題になってきた。そこで、
複数のエッチング装置や成膜装置を並べて、それら装置
間をローダを用いてウェハを自動送りで１枚ずつ処理す
る枚葉式に切換わりつつある。その際、ローダでエッチ
ング装置や成膜装置チャンバ内の保持体にウェハを載せ
て、保持体に静電チャックで固定するか、または保持体
のウェハ支持面の面精度を上げて静置密着させた状態で
保持体から熱を直接与えてウェハを均一に加熱する方法
が採られている。したがって、保持体は少なくともウェ
ハに接する部分において、腐食性の高いハロゲンガスな
どのガスに対する耐食性と高い熱伝導率を有する材料で
構成され、かつ保持体自身に静電チャック機能や機械固
定機能、およびヒータ機能を付与する必要がある。
速化の要求が厳しくなるに従い、装置内の場所による温
度やガスの流れの不均一に起因するエッチングや形成さ
れる膜の品質のばらつきが問題になってきた。そこで、
複数のエッチング装置や成膜装置を並べて、それら装置
間をローダを用いてウェハを自動送りで１枚ずつ処理す
る枚葉式に切換わりつつある。その際、ローダでエッチ
ング装置や成膜装置チャンバ内の保持体にウェハを載せ
て、保持体に静電チャックで固定するか、または保持体
のウェハ支持面の面精度を上げて静置密着させた状態で
保持体から熱を直接与えてウェハを均一に加熱する方法
が採られている。したがって、保持体は少なくともウェ
ハに接する部分において、腐食性の高いハロゲンガスな
どのガスに対する耐食性と高い熱伝導率を有する材料で
構成され、かつ保持体自身に静電チャック機能や機械固
定機能、およびヒータ機能を付与する必要がある。
【０００４】そこで、保持体の材料としては、耐食性、
高熱伝導率を有する窒化アルミニウムが注目されてき
た。窒化アルミニウム粉末からなる成形体間にＭｏなど
の高融点金属のコイルやワイヤーを挟み込んで、これら
をホットプレス焼結することによりヒータや静電チャッ
ク用の導電層を埋設するという手法が用いられていた。
たとえば、ヒータを埋込んだものとして、特許公報第２
６０４９４４号には、発熱面で、より均熱化を図るため
の埋設ヒータ構造が開示されている。またたとえば導電
層を形成するには、窒化アルミニウム成形体の表面にＷ
やＭｏを含んだペーストを印刷し、成形体を重ねて窒化
アルミニウムを焼結することにより導電層が埋設積層さ
れた保持体を得るという方法が採られていた。
高熱伝導率を有する窒化アルミニウムが注目されてき
た。窒化アルミニウム粉末からなる成形体間にＭｏなど
の高融点金属のコイルやワイヤーを挟み込んで、これら
をホットプレス焼結することによりヒータや静電チャッ
ク用の導電層を埋設するという手法が用いられていた。
たとえば、ヒータを埋込んだものとして、特許公報第２
６０４９４４号には、発熱面で、より均熱化を図るため
の埋設ヒータ構造が開示されている。またたとえば導電
層を形成するには、窒化アルミニウム成形体の表面にＷ
やＭｏを含んだペーストを印刷し、成形体を重ねて窒化
アルミニウムを焼結することにより導電層が埋設積層さ
れた保持体を得るという方法が採られていた。
【０００５】このような保持体構造の場合、ヒータある
いは静電チャック用の電力は、図１８に示す保持体１１
０のように、セラミックス基材１０４の裏側にパイプ１
０６を接合して、その中に収納された引出線１０７Ａ、
１０７Ｂを通じて系外からヒータあるいは静電チャック
用電極となる導電層１０１、１０２の各々に供給されて
いた。
いは静電チャック用の電力は、図１８に示す保持体１１
０のように、セラミックス基材１０４の裏側にパイプ１
０６を接合して、その中に収納された引出線１０７Ａ、
１０７Ｂを通じて系外からヒータあるいは静電チャック
用電極となる導電層１０１、１０２の各々に供給されて
いた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし図１８に示す構
造では、保持体１１０の裏側にパイプ１０６を接合する
ため、その構造は立体構造にならざるを得なかった。そ
れゆえ、円板状の保持体と引出線収納用のパイプ１０６
とを別々に製造しなければならず、またそれらを接合用
ガラスなどを塗布した後に拡散接合などを用いて接合す
るという手間のかかる手順が必要であった。
造では、保持体１１０の裏側にパイプ１０６を接合する
ため、その構造は立体構造にならざるを得なかった。そ
れゆえ、円板状の保持体と引出線収納用のパイプ１０６
とを別々に製造しなければならず、またそれらを接合用
ガラスなどを塗布した後に拡散接合などを用いて接合す
るという手間のかかる手順が必要であった。
【０００７】また、保持体１１０の裏面にパイプ１０６
を接合すると、表面と裏面とで熱の逃げ量が異なるた
め、表と裏で温度に差が生じ、加熱したり冷却したりす
ると歪みを生じてしまう。ウェハは保持体１１０に密着
させて伝熱効率を上げて加熱しているが、保持体１１０
が歪むとそれらの間に隙間が生じて伝熱が不均一にな
り、ウェハ表面の温度がばらついてエッチングや成膜の
速度むらが面内で生じてしまう。そこで、反り難くする
ため保持体も５ｍｍ以上の厚板にする必要があり、原料
コストを押し上げてしまう。
を接合すると、表面と裏面とで熱の逃げ量が異なるた
め、表と裏で温度に差が生じ、加熱したり冷却したりす
ると歪みを生じてしまう。ウェハは保持体１１０に密着
させて伝熱効率を上げて加熱しているが、保持体１１０
が歪むとそれらの間に隙間が生じて伝熱が不均一にな
り、ウェハ表面の温度がばらついてエッチングや成膜の
速度むらが面内で生じてしまう。そこで、反り難くする
ため保持体も５ｍｍ以上の厚板にする必要があり、原料
コストを押し上げてしまう。
【０００８】さらに、パイプ１０６を接合することで熱
容量が大きくなってしまい、保持体１１０にヒータ機能
を持たせた場合に加熱や冷却に時間がかかってしまう。
またパイプを製造する場合、パイプ成形後にバインダー
を加熱除去する際、バインダーが抜けにくく、脱バイン
ダー時に割れが生じたり、焼結時に焼結むらや変形が生
じやすくなるため時間をかけて除去する必要があった
り、焼結チャージ量が少なくなったりして生産コストが
顕著に高くなっていた。
容量が大きくなってしまい、保持体１１０にヒータ機能
を持たせた場合に加熱や冷却に時間がかかってしまう。
またパイプを製造する場合、パイプ成形後にバインダー
を加熱除去する際、バインダーが抜けにくく、脱バイン
ダー時に割れが生じたり、焼結時に焼結むらや変形が生
じやすくなるため時間をかけて除去する必要があった
り、焼結チャージ量が少なくなったりして生産コストが
顕著に高くなっていた。
【０００９】さらにこの構造の場合、パイプ１０６の端
部で接合するため、耐リーク性を保持するために接合部
の面積を稼ぐ必要があり、パイプ１０６の径は太くなら
ざるを得なかった。また保持体１１０をこのパイプ１０
６で支えることも兼ねさせようとすると、太いパイプ１
０６にせざるを得ず、上記と同じ問題を抱えていた。
部で接合するため、耐リーク性を保持するために接合部
の面積を稼ぐ必要があり、パイプ１０６の径は太くなら
ざるを得なかった。また保持体１１０をこのパイプ１０
６で支えることも兼ねさせようとすると、太いパイプ１
０６にせざるを得ず、上記と同じ問題を抱えていた。
【００１０】そこで、パイプ１０６の端部だけ広げたフ
ランジ構造とすることも考えられるが、この場合には押
出成形で太目のパイプ１０６を押出してフランジ部以外
の部分を削って捨てるという手法をとる必要があった。
ランジ構造とすることも考えられるが、この場合には押
出成形で太目のパイプ１０６を押出してフランジ部以外
の部分を削って捨てるという手法をとる必要があった。
【００１１】さらにこの構造では、パイプ１０６を接合
する形態上、接合工程後の搬送時の損傷や接合時の炉内
チャージ量低下も避けられず、いずれも生産コストアッ
プの要因となっていた。
する形態上、接合工程後の搬送時の損傷や接合時の炉内
チャージ量低下も避けられず、いずれも生産コストアッ
プの要因となっていた。
【００１２】それゆえ、本発明の目的は、加熱・冷却に
よる歪を抑制でき、かつ製造が容易な半導体製造装置用
ウェハ保持体を提供することである。
よる歪を抑制でき、かつ製造が容易な半導体製造装置用
ウェハ保持体を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の一の局面に従う
半導体製造装置用ウェハ保持体は、導電層と、導電層を
挟み込む１対のセラミックス基材とを含むものであり、
導電層は、セラミックス基材のウェハ保持面に対面する
本体部分と、外部との接続のために本体部分から引出さ
れる引出部分とを有し、本体部分と引出部分とは実質的
に同一の平面上に配置されている。
半導体製造装置用ウェハ保持体は、導電層と、導電層を
挟み込む１対のセラミックス基材とを含むものであり、
導電層は、セラミックス基材のウェハ保持面に対面する
本体部分と、外部との接続のために本体部分から引出さ
れる引出部分とを有し、本体部分と引出部分とは実質的
に同一の平面上に配置されている。
【００１４】本発明の一の局面に従う半導体製造装置用
ウェハ保持体では、導電層の本体部分と引出部分とは同
一平面上に形成されているため、双方を平板よりなる１
対のセラミックス基材で挟み込んで保護することが可能
となる。このため、従来例のように引出部分を保護する
ためのパイプは不要となる。よって、パイプを接合する
工程が不要となるため製造は容易となり、パイプ設置に
よる歪の発生もない。
ウェハ保持体では、導電層の本体部分と引出部分とは同
一平面上に形成されているため、双方を平板よりなる１
対のセラミックス基材で挟み込んで保護することが可能
となる。このため、従来例のように引出部分を保護する
ためのパイプは不要となる。よって、パイプを接合する
工程が不要となるため製造は容易となり、パイプ設置に
よる歪の発生もない。
【００１５】本発明の他の局面に従う半導体製造装置用
ウェハ保持体は、セラミックス基材と、そのセラミック
ス基材上に形成された導電層と、導電層を被覆する保護
層とを含むものであり、導電層は、セラミックス基材の
ウェハ保持面に対面する本体部分と、外部との接続のた
めに本体部分から引出される引出部分とを有し、本体部
分と引出部分とは実質的に同一の平面上に配置されてい
る。
ウェハ保持体は、セラミックス基材と、そのセラミック
ス基材上に形成された導電層と、導電層を被覆する保護
層とを含むものであり、導電層は、セラミックス基材の
ウェハ保持面に対面する本体部分と、外部との接続のた
めに本体部分から引出される引出部分とを有し、本体部
分と引出部分とは実質的に同一の平面上に配置されてい
る。
【００１６】本発明の他の局面に従う半導体製造装置用
ウェハ保持体では、導電層の本体部分と引出部分とは同
一平面上に形成されているため、保護層で被覆すること
により導電層を保護することが可能となる。このため、
従来例のように引出部分を保護するためのパイプは不要
となる。よって、パイプを接合する工程が不要となるた
め製造は容易となり、パイプ設置による歪の発生もな
い。
ウェハ保持体では、導電層の本体部分と引出部分とは同
一平面上に形成されているため、保護層で被覆すること
により導電層を保護することが可能となる。このため、
従来例のように引出部分を保護するためのパイプは不要
となる。よって、パイプを接合する工程が不要となるた
め製造は容易となり、パイプ設置による歪の発生もな
い。
【００１７】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、セラミックス基材の材質は、窒化アル
ミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウムおよび酸化ア
ルミニウムよりなる群から選ばれる１種以上よりなる。
いて好ましくは、セラミックス基材の材質は、窒化アル
ミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウムおよび酸化ア
ルミニウムよりなる群から選ばれる１種以上よりなる。
【００１８】これにより、セラミックス基材として、耐
食性および高熱伝導率を有する材質を適切に選択するこ
とができる。
食性および高熱伝導率を有する材質を適切に選択するこ
とができる。
【００１９】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、セラミックス基材の熱伝導率が１００
Ｗ／ｍＫ以上である。
いて好ましくは、セラミックス基材の熱伝導率が１００
Ｗ／ｍＫ以上である。
【００２０】これにより、均熱性を向上できるため、ウ
ェハの処理速度を向上することができる。
ェハの処理速度を向上することができる。
【００２１】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、導電層とセラミックス基材との間には
介在層があり、介在層の材質は、熱膨張係数が３×１０
-6／℃以上８×１０-6／℃以下のガラスおよび熱膨張係
数が３×１０-6／℃以上６×１０-6／℃以下の非酸化物
セラミックスの少なくともいずれかを含む。
いて好ましくは、導電層とセラミックス基材との間には
介在層があり、介在層の材質は、熱膨張係数が３×１０
-6／℃以上８×１０-6／℃以下のガラスおよび熱膨張係
数が３×１０-6／℃以上６×１０-6／℃以下の非酸化物
セラミックスの少なくともいずれかを含む。
【００２２】これにより、介在層とセラミックス基材と
の熱膨張係数差に基づく歪の発生を防止することができ
る。また、室温から６００℃までの昇温時間には３０分
以内が要求されているが、熱膨張係数がこの範囲内であ
れば、この要求を達成することができる。また、非酸化
物セラミックスを含むことにより、高温で、しかも高電
圧を印可して用いるウェハ保持体において、良好な耐熱
性、耐食性、耐電圧を得ることができる。
の熱膨張係数差に基づく歪の発生を防止することができ
る。また、室温から６００℃までの昇温時間には３０分
以内が要求されているが、熱膨張係数がこの範囲内であ
れば、この要求を達成することができる。また、非酸化
物セラミックスを含むことにより、高温で、しかも高電
圧を印可して用いるウェハ保持体において、良好な耐熱
性、耐食性、耐電圧を得ることができる。
【００２３】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、非酸化物セラミックスは、窒化アルミ
ニウムまたは窒化珪素を５０質量％以上含む。
いて好ましくは、非酸化物セラミックスは、窒化アルミ
ニウムまたは窒化珪素を５０質量％以上含む。
【００２４】このように非酸化物セラミックスとして窒
化アルミニウムまたは窒化珪素を選ぶことにより、高温
で、しかも高電圧を印可して用いるウェハ保持体におい
て、耐熱性、耐食性、耐電圧をより一層良好にすること
ができる。
化アルミニウムまたは窒化珪素を選ぶことにより、高温
で、しかも高電圧を印可して用いるウェハ保持体におい
て、耐熱性、耐食性、耐電圧をより一層良好にすること
ができる。
【００２５】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、介在層の材質は、イッテルビウム（Ｙ
ｂ）とネオジウム（Ｎｄ）とカルシウム（Ｃａ）とを含
む酸化物、または加熱によりイッテルビウムとネオジウ
ムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物を含む。
いて好ましくは、介在層の材質は、イッテルビウム（Ｙ
ｂ）とネオジウム（Ｎｄ）とカルシウム（Ｃａ）とを含
む酸化物、または加熱によりイッテルビウムとネオジウ
ムとカルシウムとを含む酸化物を生ずる化合物を含む。
【００２６】これにより、基材が窒化アルミニウムの場
合に、介在層の濡れ性と接着性とを良好にすることがで
きる。
合に、介在層の濡れ性と接着性とを良好にすることがで
きる。
【００２７】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、介在層の材質は、イットリウム（Ｙ）
とアルミニウム（Ａｌ）とを含む酸化物、または加熱に
よりイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ず
る化合物を含む。
いて好ましくは、介在層の材質は、イットリウム（Ｙ）
とアルミニウム（Ａｌ）とを含む酸化物、または加熱に
よりイットリウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ず
る化合物を含む。
【００２８】これにより、基材が窒化珪素の場合に、介
在層の濡れ性と接着性とを良好にすることができる。
在層の濡れ性と接着性とを良好にすることができる。
【００２９】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、保護層の材質は、熱膨張係数が３×１
０-6／℃以上８×１０-6／℃以下のガラスおよび熱膨張
係数が３×１０-6／℃以上６×１０-6／℃以下の非酸化
物セラミックスの少なくともいずれかを含む。
いて好ましくは、保護層の材質は、熱膨張係数が３×１
０-6／℃以上８×１０-6／℃以下のガラスおよび熱膨張
係数が３×１０-6／℃以上６×１０-6／℃以下の非酸化
物セラミックスの少なくともいずれかを含む。
【００３０】これにより、保護層とセラミックス基材と
の熱膨張係数差に基づく歪の発生を防止することができ
る。また、室温から６００℃までの昇温時間には３０分
以内が要求されているが、熱膨張係数がこの範囲内にあ
れば、この要求を達成することができる。また、非酸化
物セラミックスを含むことにより、高温で、しかも高電
圧を印可して用いるウェハ保持体において、良好な耐熱
性、耐食性、耐電圧を得ることができる。
の熱膨張係数差に基づく歪の発生を防止することができ
る。また、室温から６００℃までの昇温時間には３０分
以内が要求されているが、熱膨張係数がこの範囲内にあ
れば、この要求を達成することができる。また、非酸化
物セラミックスを含むことにより、高温で、しかも高電
圧を印可して用いるウェハ保持体において、良好な耐熱
性、耐食性、耐電圧を得ることができる。
【００３１】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、非酸化物セラミックスは、窒化アルミ
ニウムまたは窒化珪素を５０質量％以上含む。
いて好ましくは、非酸化物セラミックスは、窒化アルミ
ニウムまたは窒化珪素を５０質量％以上含む。
【００３２】このように非酸化物セラミックスとして窒
化アルミニウムまたは窒化珪素を選ぶことにより、高温
で、しかも高電圧を印可して用いるウェハ保持体におい
て、耐熱性、耐食性、耐電圧をより一層良好にすること
ができる。
化アルミニウムまたは窒化珪素を選ぶことにより、高温
で、しかも高電圧を印可して用いるウェハ保持体におい
て、耐熱性、耐食性、耐電圧をより一層良好にすること
ができる。
【００３３】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、保護層の材質は、イッテルビウムとネ
オジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加熱によ
りイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸
化物を生ずる化合物を含む。
いて好ましくは、保護層の材質は、イッテルビウムとネ
オジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加熱によ
りイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸
化物を生ずる化合物を含む。
【００３４】これにより、基材が窒化アルミニウムの場
合に、保護層の濡れ性と接着性とを良好にすることがで
きる。
合に、保護層の濡れ性と接着性とを良好にすることがで
きる。
【００３５】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、保護層の材質は、イットリウムとアル
ミニウムとを含む酸化物、または加熱によりイットリウ
ムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物を含
む。
いて好ましくは、保護層の材質は、イットリウムとアル
ミニウムとを含む酸化物、または加熱によりイットリウ
ムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物を含
む。
【００３６】これにより、基材が窒化珪素の場合に、保
護層の濡れ性と接着性とを良好にすることができる。
護層の濡れ性と接着性とを良好にすることができる。
【００３７】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、セラミックス基材中には温度検知部を
配置するための穴部が形成されている。
いて好ましくは、セラミックス基材中には温度検知部を
配置するための穴部が形成されている。
【００３８】これにより、処理すべきウェハの表面温度
を温度検知部により検知することが可能となる。この穴
部は、側板部から本体部分の所定の位置まで温度検知部
を導入するため細長い穴になるが、製造時は片側あるい
は両側の基板に溝を形成して貼り合せることにより容易
に形成できる。
を温度検知部により検知することが可能となる。この穴
部は、側板部から本体部分の所定の位置まで温度検知部
を導入するため細長い穴になるが、製造時は片側あるい
は両側の基板に溝を形成して貼り合せることにより容易
に形成できる。
【００３９】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、１対のセラミックス基材の各々は、本
体部分を挟み込むウェハ保持部と、ウェハ保持部の側面
から延びかつ引出部分を挟み込む側板部とを有し、側板
部の幅はウェハ保持部の幅よりも小さい。
いて好ましくは、１対のセラミックス基材の各々は、本
体部分を挟み込むウェハ保持部と、ウェハ保持部の側面
から延びかつ引出部分を挟み込む側板部とを有し、側板
部の幅はウェハ保持部の幅よりも小さい。
【００４０】これにより、ウェハ保持部の熱が側板部へ
逃げるのを防止できるため、ウェハ保持部の加熱を即座
に行なうことができ、ウェハの処理速度が向上する。
逃げるのを防止できるため、ウェハ保持部の加熱を即座
に行なうことができ、ウェハの処理速度が向上する。
【００４１】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、導電層は、少なくとも本体部分の材質
がＷ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉおよびＣｒよりな
る群から選ばれる１種以上よりなるよう形成されてい
る。
いて好ましくは、導電層は、少なくとも本体部分の材質
がＷ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉおよびＣｒよりな
る群から選ばれる１種以上よりなるよう形成されてい
る。
【００４２】これにより、製造に適した導電層の材質を
適切に選択することができる。上記の半導体製造装置用
ウェハ保持体において好ましくは、導電層は、ヒータ、
プラズマ発生用電極および静電チャック用電極のいずれ
かである。
適切に選択することができる。上記の半導体製造装置用
ウェハ保持体において好ましくは、導電層は、ヒータ、
プラズマ発生用電極および静電チャック用電極のいずれ
かである。
【００４３】これにより、ヒータ、プラズマ発生用電極
および静電チャック用電極のいずれにおいても、パイプ
を用いることなく引出部分を保護することが可能とな
る。
および静電チャック用電極のいずれにおいても、パイプ
を用いることなく引出部分を保護することが可能とな
る。
【００４４】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、全体の厚みが５ｍｍ以下である。
いて好ましくは、全体の厚みが５ｍｍ以下である。
【００４５】これにより、ウェハの加熱・冷却速度が向
上できるため、ウェハの処理速度が向上する。
上できるため、ウェハの処理速度が向上する。
【００４６】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、導電層はワイヤーである。
いて好ましくは、導電層はワイヤーである。
【００４７】このようにワイヤーに関しても本発明の構
成を適用することができる。上記の半導体製造装置用ウ
ェハ保持体において好ましくは、引出部分を挟む１対の
セラミックス基材の側板部にＯリングが配置されてい
る。
成を適用することができる。上記の半導体製造装置用ウ
ェハ保持体において好ましくは、引出部分を挟む１対の
セラミックス基材の側板部にＯリングが配置されてい
る。
【００４８】これにより、保持体を半導体製造装置に取
付けた場合の真空容器内の真空を保つことが可能とな
る。
付けた場合の真空容器内の真空を保つことが可能とな
る。
【００４９】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、１対のセラミックス基材の少なくとも
一方の側板部には、断熱用のくびれ部が設けられてい
る。
いて好ましくは、１対のセラミックス基材の少なくとも
一方の側板部には、断熱用のくびれ部が設けられてい
る。
【００５０】これにより、側板部が断熱効果を持つた
め、ウェハ保持部から側板部への熱の逃げが防止でき
る。このため、均熱性を向上でき、かつ側板部に取付け
たＯリングの熱による劣化を防止でき、かつ側板部の長
さを短くすることもできる。
め、ウェハ保持部から側板部への熱の逃げが防止でき
る。このため、均熱性を向上でき、かつ側板部に取付け
たＯリングの熱による劣化を防止でき、かつ側板部の長
さを短くすることもできる。
【００５１】上記の半導体製造装置用ウェハ保持体にお
いて好ましくは、側板部の１対のセラミックス基材に挟
まれる領域に、ヒータの本体部分が形成されている。
いて好ましくは、側板部の１対のセラミックス基材に挟
まれる領域に、ヒータの本体部分が形成されている。
【００５２】これにより、熱の逃げやすい側板部からも
発熱できるため、側板部付近での温度の低下を防止する
ことができる。
発熱できるため、側板部付近での温度の低下を防止する
ことができる。
【００５３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図に基づいて説明する。
て図に基づいて説明する。
【００５４】図１は本発明の一実施の形態におけるウェ
ハ保持体を備えた半導体製造装置の構成を示す概略断面
図であり、図２は図１の２００−２００線に沿う概略断
面図である。
ハ保持体を備えた半導体製造装置の構成を示す概略断面
図であり、図２は図１の２００−２００線に沿う概略断
面図である。
【００５５】図１および図２を参照して、半導体製造装
置では、たとえば真空容器５０内に、ウェハ保持体１０
と、プラズマ発生用の上部電極３０と、ガスシャワー体
４０とが主に設けられている。ウェハ保持体１０は、ウ
ェハ２０を保持するものであり、ウェハ２０を加熱する
ためのヒータ１と、プラズマ発生用の下部電極２と、ウ
ェハ２０を保持するための静電チャック用電極３とを主
に有している。
置では、たとえば真空容器５０内に、ウェハ保持体１０
と、プラズマ発生用の上部電極３０と、ガスシャワー体
４０とが主に設けられている。ウェハ保持体１０は、ウ
ェハ２０を保持するものであり、ウェハ２０を加熱する
ためのヒータ１と、プラズマ発生用の下部電極２と、ウ
ェハ２０を保持するための静電チャック用電極３とを主
に有している。
【００５６】このウェハ保持体１０は、支持部５１上に
載置保持されている。この支持部５１は、真空容器５０
の内壁面全周にわたって設けられた、たとえばドーナツ
形状を有している。
載置保持されている。この支持部５１は、真空容器５０
の内壁面全周にわたって設けられた、たとえばドーナツ
形状を有している。
【００５７】ウェハ保持体１０は、図３の斜視図に示す
ようにたとえば略円形のウェハ保持部と、ウェハ保持部
側面から延びる側板部とを有している。また側板部の端
部は、図１および図２に示すように真空容器５０の外側
へ突出しており、外部と電気的に接続される部分であ
る。また、真空容器５０内の真空を保つため、側板部と
真空容器５０との間にはＯリング１１が配置されてい
る。
ようにたとえば略円形のウェハ保持部と、ウェハ保持部
側面から延びる側板部とを有している。また側板部の端
部は、図１および図２に示すように真空容器５０の外側
へ突出しており、外部と電気的に接続される部分であ
る。また、真空容器５０内の真空を保つため、側板部と
真空容器５０との間にはＯリング１１が配置されてい
る。
【００５８】次に、ウェハ保持体１０の具体的な構成に
ついて説明する。図４は本発明の一実施の形態における
ウェハ保持体の構成を概略的に示す平面図であり、図５
は図４の５００−５００線に沿う概略断面図である。
ついて説明する。図４は本発明の一実施の形態における
ウェハ保持体の構成を概略的に示す平面図であり、図５
は図４の５００−５００線に沿う概略断面図である。
【００５９】また図６は図５の矢印６００方向から見た
静電チャック用電極の平面図であり、図７は図５の矢印
７００方向から見たプラズマ発生用下部電極の平面図で
あり、図８は図５の矢印８００方向から見たヒータの平
面図であり、図９は図５の矢印９００方向から見た熱電
対挿入用溝の平面図である。
静電チャック用電極の平面図であり、図７は図５の矢印
７００方向から見たプラズマ発生用下部電極の平面図で
あり、図８は図５の矢印８００方向から見たヒータの平
面図であり、図９は図５の矢印９００方向から見た熱電
対挿入用溝の平面図である。
【００６０】図４と図５とを参照して、ウェハ保持体１
０は、ヒータ１とプラズマ発生用下部電極２と静電チャ
ック用電極３との各々をセラミックス基材４で挟んで積
層した構成を有している。また各セラミックス基材４
は、接着層５により接着されている。この接着層５は、
たとえばガラス層等の酸化物層よりなっている。
０は、ヒータ１とプラズマ発生用下部電極２と静電チャ
ック用電極３との各々をセラミックス基材４で挟んで積
層した構成を有している。また各セラミックス基材４
は、接着層５により接着されている。この接着層５は、
たとえばガラス層等の酸化物層よりなっている。
【００６１】また側板部の端部は階段状になっており、
ヒータ１とプラズマ発生用下部電極２と静電チャック用
電極３との各パッド部１Ｂ、２Ｂ、３Ｂが露出するよう
構成されている。この露出したパッド部１Ｂ、２Ｂ、３
Ｂを介して、ヒータ１、プラズマ発生用下部電極２およ
び静電チャック用電極３の各々が外部と電気的に接続さ
れることになる。
ヒータ１とプラズマ発生用下部電極２と静電チャック用
電極３との各パッド部１Ｂ、２Ｂ、３Ｂが露出するよう
構成されている。この露出したパッド部１Ｂ、２Ｂ、３
Ｂを介して、ヒータ１、プラズマ発生用下部電極２およ
び静電チャック用電極３の各々が外部と電気的に接続さ
れることになる。
【００６２】またウェハの表面温度を測定するための熱
電対を外部から挿入するための穴部である溝４Ａがセラ
ミックス基材４に設けられている。
電対を外部から挿入するための穴部である溝４Ａがセラ
ミックス基材４に設けられている。
【００６３】図６を参照して、静電チャック用電極３
は、ウェハ保持部のほぼ全面に形成された本体部分３Ａ
と、パッド部３Ｂと、これらを接続するための引出部３
Ｃとを有しており、各部３Ａ、３Ｂ、３Ｃは実質的に同
一の平面上に形成されている。
は、ウェハ保持部のほぼ全面に形成された本体部分３Ａ
と、パッド部３Ｂと、これらを接続するための引出部３
Ｃとを有しており、各部３Ａ、３Ｂ、３Ｃは実質的に同
一の平面上に形成されている。
【００６４】図７を参照して、プラズマ発生用下部電極
２は、ウェハ保持部のほぼ全体に形成された本体部分２
Ａと、パッド部２Ｂと、これらを接続するための引出部
２Ｃとを有しており、各部２Ａ、２Ｂ、２Ｃは実質的に
同一の平面上に形成されている。
２は、ウェハ保持部のほぼ全体に形成された本体部分２
Ａと、パッド部２Ｂと、これらを接続するための引出部
２Ｃとを有しており、各部２Ａ、２Ｂ、２Ｃは実質的に
同一の平面上に形成されている。
【００６５】図８を参照して、ヒータ１は、ウェハ保持
部において複数の円弧状パターンからなる本体部分１Ａ
と、パッド部１Ｂと、これらを接続するための引出部１
Ｃとを有しており、各部１Ａ、１Ｂ、１Ｃは実質的に同
一平面上に形成されている。このヒータ１は、本体部分
１Ａにおいてウェハを均等に加熱するため、たとえば５
つの領域に電気的に分割された５ゾーン型のものであ
り、各ゾーンごとに２つずつのパッド１Ｂが必要である
ため計１０個のパッド１Ｂを有している。なお、ヒータ
１は５ゾーン型に限られるものではない。
部において複数の円弧状パターンからなる本体部分１Ａ
と、パッド部１Ｂと、これらを接続するための引出部１
Ｃとを有しており、各部１Ａ、１Ｂ、１Ｃは実質的に同
一平面上に形成されている。このヒータ１は、本体部分
１Ａにおいてウェハを均等に加熱するため、たとえば５
つの領域に電気的に分割された５ゾーン型のものであ
り、各ゾーンごとに２つずつのパッド１Ｂが必要である
ため計１０個のパッド１Ｂを有している。なお、ヒータ
１は５ゾーン型に限られるものではない。
【００６６】図９を参照して、熱電対挿入用溝４Ａは、
ウェハの中心部と外周部との温度を検知すべくたとえば
２個設けられている。
ウェハの中心部と外周部との温度を検知すべくたとえば
２個設けられている。
【００６７】このウェハ保持体１０の各セラミックス基
材４の材質は、耐熱性ならびにハロゲンを含むガスプラ
ズマに対する耐食性の観点から、窒化アルミニウム、窒
化珪素、酸窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムよ
りなる群から選ばれる１種以上よりなることが好まし
く、特に窒化アルミニウムであることが好ましい。また
各セラミックス基材４の熱伝導率は１００Ｗ／ｍＫ以上
であることが好ましい。
材４の材質は、耐熱性ならびにハロゲンを含むガスプラ
ズマに対する耐食性の観点から、窒化アルミニウム、窒
化珪素、酸窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムよ
りなる群から選ばれる１種以上よりなることが好まし
く、特に窒化アルミニウムであることが好ましい。また
各セラミックス基材４の熱伝導率は１００Ｗ／ｍＫ以上
であることが好ましい。
【００６８】また接着層となるガラス層５は、その熱膨
張係数が３×１０-6／℃以上８×１０-6／℃以下のガラ
スおよび熱膨張係数が３×１０-6／℃以上６×１０-6／
℃以下の非酸化物セラミックスの少なくともいずれかを
含む材質であることが好ましい。
張係数が３×１０-6／℃以上８×１０-6／℃以下のガラ
スおよび熱膨張係数が３×１０-6／℃以上６×１０-6／
℃以下の非酸化物セラミックスの少なくともいずれかを
含む材質であることが好ましい。
【００６９】また、上記の非酸化物セラミックスは、窒
化アルミニウムあるいは窒化珪素を５０質量％以上含む
ことが好ましい。
化アルミニウムあるいは窒化珪素を５０質量％以上含む
ことが好ましい。
【００７０】セラミック基材４の材質が窒化アルミニウ
ムよりなる場合には、接着層５の材質は、イッテルビウ
ムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加
熱によりイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを
含む酸化物を生ずる化合物を含むことが好ましい。ま
た、セラミック基材４の材質が窒化珪素よりなる場合に
は、接着層５の材質は、イットリウムとアルミニウムと
を含む酸化物、または加熱によりイットリウムとアルミ
ニウムとを含む酸化物を生ずる化合物を含むことが好ま
しい。
ムよりなる場合には、接着層５の材質は、イッテルビウ
ムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加
熱によりイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを
含む酸化物を生ずる化合物を含むことが好ましい。ま
た、セラミック基材４の材質が窒化珪素よりなる場合に
は、接着層５の材質は、イットリウムとアルミニウムと
を含む酸化物、または加熱によりイットリウムとアルミ
ニウムとを含む酸化物を生ずる化合物を含むことが好ま
しい。
【００７１】また図４に示すように側板部の引出方向に
直交する方向の幅Ｗ２は、ウェハ保持部の幅Ｗ１よりも
小さいことが好ましい。
直交する方向の幅Ｗ２は、ウェハ保持部の幅Ｗ１よりも
小さいことが好ましい。
【００７２】またヒータ１、プラズマ発生用下部電極２
および静電チャック用電極３の少なくとも本体部分１
Ａ、２Ａ、３Ａの材質はＷ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、
ＮｉおよびＣｒよりなる群から選ばれる１種以上よりな
ることが好ましい。
および静電チャック用電極３の少なくとも本体部分１
Ａ、２Ａ、３Ａの材質はＷ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、
ＮｉおよびＣｒよりなる群から選ばれる１種以上よりな
ることが好ましい。
【００７３】また図５に示すようにウェハ保持体１０の
全体の厚みＴは５ｍｍ以下であることが好ましい。
全体の厚みＴは５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００７４】またヒータ１、プラズマ発生用下部電極２
および静電チャック用電極３の各々は、ワイヤーであっ
てもよい。またウェハ保持体１０の側板部には、たとえ
ば溝よりなるくびれ部１０Ａが設けられることが好まし
い。またこのくびれ部１０Ａは、溝だけに限られず、側
板部の幅の絞り込みにより形成されていてもよい。
および静電チャック用電極３の各々は、ワイヤーであっ
てもよい。またウェハ保持体１０の側板部には、たとえ
ば溝よりなるくびれ部１０Ａが設けられることが好まし
い。またこのくびれ部１０Ａは、溝だけに限られず、側
板部の幅の絞り込みにより形成されていてもよい。
【００７５】またウェハ保持体１０を保持する支持部５
１は、真空容器５０の内壁全周から突出している必要は
なく、図１０に示すように部分的に突出した構成であっ
てもよい。
１は、真空容器５０の内壁全周から突出している必要は
なく、図１０に示すように部分的に突出した構成であっ
てもよい。
【００７６】また上記においては、ヒータ１とプラズマ
発生用下部電極２と静電チャック用電極３とのすべてを
設けた場合について説明したが、導電層は、図１１に示
すようにヒータ１とプラズマ発生用電極２もしくは静電
チャック用電極３とからなる２層構造であってもよい。
またこの場合、１つの導電層がプラズマ発生用下部電極
２と静電チャック用電極３とを兼用していてもよい。
発生用下部電極２と静電チャック用電極３とのすべてを
設けた場合について説明したが、導電層は、図１１に示
すようにヒータ１とプラズマ発生用電極２もしくは静電
チャック用電極３とからなる２層構造であってもよい。
またこの場合、１つの導電層がプラズマ発生用下部電極
２と静電チャック用電極３とを兼用していてもよい。
【００７７】また導電層は、図１２に示すようにヒータ
１、プラズマ発生用下部電極２および静電チャック用電
極３のいずれか１つよりなる単層構造であってもよい。
１、プラズマ発生用下部電極２および静電チャック用電
極３のいずれか１つよりなる単層構造であってもよい。
【００７８】またウェハ保持体１０の側板部の端部は図
５に示すように階段状になっていてもよいが、図１３に
示すようにつら面を構成してもよい。この場合、側板部
の端面からヒータ１、プラズマ発生用下部電極２および
静電チャック用電極３の各々が露出することになる。
５に示すように階段状になっていてもよいが、図１３に
示すようにつら面を構成してもよい。この場合、側板部
の端面からヒータ１、プラズマ発生用下部電極２および
静電チャック用電極３の各々が露出することになる。
【００７９】また図５では、ヒータ１、プラズマ発生用
下部電極２および静電チャック用電極３の各々とセラミ
ックス基材４との間に接着層５が介在する構成について
説明したが、図１４に示すようにヒータ１などの導電層
のパターン間のみに接着層５が設けられていてもよい。
下部電極２および静電チャック用電極３の各々とセラミ
ックス基材４との間に接着層５が介在する構成について
説明したが、図１４に示すようにヒータ１などの導電層
のパターン間のみに接着層５が設けられていてもよい。
【００８０】また図１５に示すようにヒータ１の発熱領
域である本体部分（ハッチング領域）１Ａは、ウェハ保
持部のみならず側板部にまで形成されていてもよい。
域である本体部分（ハッチング領域）１Ａは、ウェハ保
持部のみならず側板部にまで形成されていてもよい。
【００８１】またウェハ保持部の形状は、平面形状が円
形のものだけでなく、図１６に示すように多角形（たと
えば四角形）の形状を有していてもよい。
形のものだけでなく、図１６に示すように多角形（たと
えば四角形）の形状を有していてもよい。
【００８２】また図１においては、プラズマ発生用電極
を備えた半導体製造装置について説明したが、図１７に
示すようにプラズマ発生用電極のない半導体製造装置に
本実施の形態のウェハ保持体１０が適用されてもよい。
この場合、ウェハ保持体１０には、プラズマ発生用下部
電極を設ける必要はない。
を備えた半導体製造装置について説明したが、図１７に
示すようにプラズマ発生用電極のない半導体製造装置に
本実施の形態のウェハ保持体１０が適用されてもよい。
この場合、ウェハ保持体１０には、プラズマ発生用下部
電極を設ける必要はない。
【００８３】次に、本実施の形態のウェハ保持体の製造
方法について説明する。セラミックス基材４は、従来の
手法で製造することができ、セラミック粉末に必要によ
り焼結用の助剤を添加し、さらには必要に応じてバイン
ダーを添加し、その成形体を焼結することによって製造
することができる。セラミックス基材４の材質として
は、上述したように耐熱性ならびにハロゲンを含むガス
プラズマに対する耐食性に優れた窒化アルミニウムなど
の材質が好ましい。
方法について説明する。セラミックス基材４は、従来の
手法で製造することができ、セラミック粉末に必要によ
り焼結用の助剤を添加し、さらには必要に応じてバイン
ダーを添加し、その成形体を焼結することによって製造
することができる。セラミックス基材４の材質として
は、上述したように耐熱性ならびにハロゲンを含むガス
プラズマに対する耐食性に優れた窒化アルミニウムなど
の材質が好ましい。
【００８４】この焼結体は、ドクターブレード、押出、
プレスなどの公知のシート成形手法を用いて成形され
る。セラミックス基材４には、上記耐食性の観点から上
記主成分以外の従成分の少ないものが望ましいため、そ
の場合での緻密化のためホットプレスが用いられても構
わない。
プレスなどの公知のシート成形手法を用いて成形され
る。セラミックス基材４には、上記耐食性の観点から上
記主成分以外の従成分の少ないものが望ましいため、そ
の場合での緻密化のためホットプレスが用いられても構
わない。
【００８５】成形、乾燥後に焼結時の収縮率を勘案した
形状となるように打抜きあるいは切断が施される。形状
は円板（あるいは角板）の横に角板（側板）を接合した
図３に示すような形状とされる。円板部はウェハを載せ
て加熱する部分になり、側板部はヒータ１やプラズマ発
生用下部電極２や静電チャック用電極３に電力を供給す
る引出線をフッ素系や塩素系のガスから保護する役割を
持つ。
形状となるように打抜きあるいは切断が施される。形状
は円板（あるいは角板）の横に角板（側板）を接合した
図３に示すような形状とされる。円板部はウェハを載せ
て加熱する部分になり、側板部はヒータ１やプラズマ発
生用下部電極２や静電チャック用電極３に電力を供給す
る引出線をフッ素系や塩素系のガスから保護する役割を
持つ。
【００８６】これを脱バインダーした後に焼結が施され
る。焼結は常圧焼結が望ましいが特に制限はない。焼結
体は、必要であれば研磨や切断の加工を施されてもよい
し、寸法や反りが所定範囲内に収まっていればそのまま
でもよい。この焼結体上にヒータ１やプラズマ発生用下
部電極２や静電チャック用電極３に相当する電極を形成
するため、Ｗ、Ｍｏなどの高融点金属またはこれらの混
合物、あるいはＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｃｒなどの発
熱抵抗物質を含むペーストが塗布されて同ペースト中の
揮発成分の脱バインダー後に焼付けが行なわれる。
る。焼結は常圧焼結が望ましいが特に制限はない。焼結
体は、必要であれば研磨や切断の加工を施されてもよい
し、寸法や反りが所定範囲内に収まっていればそのまま
でもよい。この焼結体上にヒータ１やプラズマ発生用下
部電極２や静電チャック用電極３に相当する電極を形成
するため、Ｗ、Ｍｏなどの高融点金属またはこれらの混
合物、あるいはＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｃｒなどの発
熱抵抗物質を含むペーストが塗布されて同ペースト中の
揮発成分の脱バインダー後に焼付けが行なわれる。
【００８７】上記においてはポストメタライズ手法につ
いて説明したが、シートの上にヒータ１やプラズマ発生
用下部電極２や静電チャック用電極３に相当する電極を
形成するために、Ｗ、Ｍｏなどの高融点金属またはこれ
らの混合物を印刷して、脱バインダー後に窒化アルミニ
ウムの焼結と高融点金属の焼付けとを同時に行なうコフ
ァイヤー法が用いられても構わない。
いて説明したが、シートの上にヒータ１やプラズマ発生
用下部電極２や静電チャック用電極３に相当する電極を
形成するために、Ｗ、Ｍｏなどの高融点金属またはこれ
らの混合物を印刷して、脱バインダー後に窒化アルミニ
ウムの焼結と高融点金属の焼付けとを同時に行なうコフ
ァイヤー法が用いられても構わない。
【００８８】上記メタライズ基板同士あるいはメタライ
ズ基板と非メタライズ基板とが、接着成分が塗布された
後に重ね合されて接合される。あるいはヒータ層とする
場合には、これらの発熱物質からなるワイヤーを挟み込
んで接着することもできる。その場合は、ヒータ層の厚
みは、可能な限り薄くすることが望ましい。
ズ基板と非メタライズ基板とが、接着成分が塗布された
後に重ね合されて接合される。あるいはヒータ層とする
場合には、これらの発熱物質からなるワイヤーを挟み込
んで接着することもできる。その場合は、ヒータ層の厚
みは、可能な限り薄くすることが望ましい。
【００８９】接合に用いられる接着成分は、製品の使用
環境（温度、雰囲気ガスなど）に合せて決めればよい。
比較的低温では有機系の接着剤が用いられても構わない
が、高温で使用する場合には使用温度より高い耐熱性を
有する無機系ガラスあるいは非酸化物セラミックスなど
が好ましい。接合後の熱応力を少なくするためには、ガ
ラスの熱膨張係数もセラミックス基材４とほぼ同等であ
ることが好ましい。たとえばセラミックス基材４が窒化
アルミニウムや窒化珪素を主成分とするものであれば、
接合温度にもよるが熱膨張係数は３．０×１０-6／℃以
上６．０×１０ -6／℃以下が望ましく、またたとえば酸
化アルミニウムや酸窒化アルミニウムを主成分とするも
のであれば、６．０×１０-6／℃以上８．０×１０-6／
℃以下であることが好ましい。
環境（温度、雰囲気ガスなど）に合せて決めればよい。
比較的低温では有機系の接着剤が用いられても構わない
が、高温で使用する場合には使用温度より高い耐熱性を
有する無機系ガラスあるいは非酸化物セラミックスなど
が好ましい。接合後の熱応力を少なくするためには、ガ
ラスの熱膨張係数もセラミックス基材４とほぼ同等であ
ることが好ましい。たとえばセラミックス基材４が窒化
アルミニウムや窒化珪素を主成分とするものであれば、
接合温度にもよるが熱膨張係数は３．０×１０-6／℃以
上６．０×１０ -6／℃以下が望ましく、またたとえば酸
化アルミニウムや酸窒化アルミニウムを主成分とするも
のであれば、６．０×１０-6／℃以上８．０×１０-6／
℃以下であることが好ましい。
【００９０】引出線の端部を外部配線と接合するために
露出させるには、積層するセラミックス基材４の片側の
側板部の長さを短くして接合するだけでよい。配線の端
部にパッド部を形成すると配線接合が行ないやすくな
る。
露出させるには、積層するセラミックス基材４の片側の
側板部の長さを短くして接合するだけでよい。配線の端
部にパッド部を形成すると配線接合が行ないやすくな
る。
【００９１】側板部から熱が逃げてウェハ保持部の均熱
がとり難くなることに対しては図１５に示すように側板
部の一部までヒータ１の本体部分（ハッチング領域）１
Ａを作製して、ウェハ保持部の均熱をとり、その本体部
分１Ａより端部側に図４に示すような溝１０Ａを作った
り、幅を絞り込んだりして熱の拡散ができるだけ起こら
ないようにすることが好ましい。
がとり難くなることに対しては図１５に示すように側板
部の一部までヒータ１の本体部分（ハッチング領域）１
Ａを作製して、ウェハ保持部の均熱をとり、その本体部
分１Ａより端部側に図４に示すような溝１０Ａを作った
り、幅を絞り込んだりして熱の拡散ができるだけ起こら
ないようにすることが好ましい。
【００９２】また上記の実施の形態においては、ヒータ
１、下部電極２および静電チャック用電極３などの導電
層が、１対のセラミック基材４に挟み込まれた構成につ
いて説明したが、導電層１、２、３はセラミックス基材
４に挟み込まれていなくとも、セラミックス基材４上に
形成されかつ保護層により被覆されていてもよい。
１、下部電極２および静電チャック用電極３などの導電
層が、１対のセラミック基材４に挟み込まれた構成につ
いて説明したが、導電層１、２、３はセラミックス基材
４に挟み込まれていなくとも、セラミックス基材４上に
形成されかつ保護層により被覆されていてもよい。
【００９３】本実施の形態では、導電層１、２、３の本
体部分と引出部分とは同一平面上に形成されているた
め、保護層で被覆することにより導電層１、２、３を保
護することが可能となる。このため、従来例のように引
出部分を保護するためのパイプは不要となる。よって、
パイプを接合する工程が不要となるため製造は容易とな
り、パイプ設置による歪の発生もない。
体部分と引出部分とは同一平面上に形成されているた
め、保護層で被覆することにより導電層１、２、３を保
護することが可能となる。このため、従来例のように引
出部分を保護するためのパイプは不要となる。よって、
パイプを接合する工程が不要となるため製造は容易とな
り、パイプ設置による歪の発生もない。
【００９４】この保護層の材質は、熱膨張係数が３×１
０-6／℃以上８×１０-6／℃以下のガラスおよび熱膨張
係数が３×１０-6／℃以上６×１０-6／℃以下の非酸化
物セラミックスの少なくともいずれかを含むことが好ま
しい。また、この非酸化物セラミックスは、窒化アルミ
ニウムあるいは窒化珪素を５０質量％以上含む材質であ
ることが好ましい。
０-6／℃以上８×１０-6／℃以下のガラスおよび熱膨張
係数が３×１０-6／℃以上６×１０-6／℃以下の非酸化
物セラミックスの少なくともいずれかを含むことが好ま
しい。また、この非酸化物セラミックスは、窒化アルミ
ニウムあるいは窒化珪素を５０質量％以上含む材質であ
ることが好ましい。
【００９５】また、セラミック基材４の材質が窒化アル
ミニウムよりなる場合には、保護層の材質は、イッテル
ビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、また
は加熱によりイッテルビウムとネオジウムとカルシウム
とを含む酸化物を生ずる化合物を含むことが好ましい。
また、セラミック基材４の材質が窒化珪素よりなる場合
には、保護層の材質は、イットリウムとアルミニウムと
を含む酸化物、または加熱によりイットリウムとアルミ
ニウムとを含む酸化物を生ずる化合物を含むことが好ま
しい。
ミニウムよりなる場合には、保護層の材質は、イッテル
ビウムとネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、また
は加熱によりイッテルビウムとネオジウムとカルシウム
とを含む酸化物を生ずる化合物を含むことが好ましい。
また、セラミック基材４の材質が窒化珪素よりなる場合
には、保護層の材質は、イットリウムとアルミニウムと
を含む酸化物、または加熱によりイットリウムとアルミ
ニウムとを含む酸化物を生ずる化合物を含むことが好ま
しい。
【００９６】
【実施例】（実施例１）窒化アルミニウム粉末に焼結助
剤としてＹ2Ｏ3を５質量％とバインダーとを添加して分
散混合し、焼結上がりで１．０ｍｍの厚みになるように
ドクターブレード成形をした。これを乾燥させた後、焼
結上がりで円板部（ウェハ保持部）φ３００ｍｍ＋側板
部５０ｍｍ幅×１００ｍｍ長さのうちわ状（図３の形
状）になるように金型で２枚打ち抜いた。これらを８０
０℃の窒素気流中で脱脂し、１８００℃で４時間焼結し
た。得られた焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒にて研
磨した。窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率は１７５Ｗ
／ｍＫで、熱膨張係数は４．５×１０-6／℃であった。
剤としてＹ2Ｏ3を５質量％とバインダーとを添加して分
散混合し、焼結上がりで１．０ｍｍの厚みになるように
ドクターブレード成形をした。これを乾燥させた後、焼
結上がりで円板部（ウェハ保持部）φ３００ｍｍ＋側板
部５０ｍｍ幅×１００ｍｍ長さのうちわ状（図３の形
状）になるように金型で２枚打ち抜いた。これらを８０
０℃の窒素気流中で脱脂し、１８００℃で４時間焼結し
た。得られた焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒にて研
磨した。窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率は１７５Ｗ
／ｍＫで、熱膨張係数は４．５×１０-6／℃であった。
【００９７】Ｗ粉末と焼成助剤をバインダーにて混練し
て１枚の基板上に印刷した。印刷パターンは、Ｗライン
幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラインパターン
であり、これを渦巻状に円板部に形成し、側板部を通し
て外部電極と接合するように設計した。これを窒素中８
００℃で脱脂し、窒素中１６００℃にて焼付けた。ま
た、もう１枚の焼結体上に熱膨張係数が５．０×１０-6
／℃のガラス粉末を印刷した。これを５００℃で脱脂し
た後、電極を形成した焼結体と重ねて、Ｍｏ製の治具で
固定し、重しを載せて６５０℃にて窒素中で接合した。
て１枚の基板上に印刷した。印刷パターンは、Ｗライン
幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラインパターン
であり、これを渦巻状に円板部に形成し、側板部を通し
て外部電極と接合するように設計した。これを窒素中８
００℃で脱脂し、窒素中１６００℃にて焼付けた。ま
た、もう１枚の焼結体上に熱膨張係数が５．０×１０-6
／℃のガラス粉末を印刷した。これを５００℃で脱脂し
た後、電極を形成した焼結体と重ねて、Ｍｏ製の治具で
固定し、重しを載せて６５０℃にて窒素中で接合した。
【００９８】このようにして得られたウェハ保持体の構
造と、均熱性、降温速度、耐腐食性およびヒートサイク
ル（Ｈ／Ｃ）の結果とを表１に示す。なお、以下に説明
する実施例２〜１５の結果についても、併せて表１に示
す。
造と、均熱性、降温速度、耐腐食性およびヒートサイク
ル（Ｈ／Ｃ）の結果とを表１に示す。なお、以下に説明
する実施例２〜１５の結果についても、併せて表１に示
す。
【００９９】
【表１】
【０１００】側板の端部に形成した電極端子から２００
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±０．５℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±０．５℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１０１】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は２分であった。また室温（ＲＴ）から８
００℃のヒートサイクルテストを行なったが、３００回
以上でも割れやクラックは見られなかった。
に要した時間は２分であった。また室温（ＲＴ）から８
００℃のヒートサイクルテストを行なったが、３００回
以上でも割れやクラックは見られなかった。
【０１０２】（実施例２）窒化アルミニウム粉末に、焼
結助剤としてＹ2Ｏ3を５質量％とＣａＯを１質量％添加
し、さらにバインダーを添加して分散混合し、焼結上り
の厚みが１．０ｍｍになるようにドクターブレード成形
をした。これを乾燥させた後、焼結上がりで円板部（ウ
ェハ保持部）φ３００ｍｍ＋側板部５０ｍｍ幅×１００
ｍｍ長さのうちわ状になるように金型で２枚打ち抜い
た。
結助剤としてＹ2Ｏ3を５質量％とＣａＯを１質量％添加
し、さらにバインダーを添加して分散混合し、焼結上り
の厚みが１．０ｍｍになるようにドクターブレード成形
をした。これを乾燥させた後、焼結上がりで円板部（ウ
ェハ保持部）φ３００ｍｍ＋側板部５０ｍｍ幅×１００
ｍｍ長さのうちわ状になるように金型で２枚打ち抜い
た。
【０１０３】１枚の成形体上にＷ粉末と焼成助剤とをバ
インダーにて混練して印刷した。印刷パターンは、焼き
上がりでＷライン幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍ
のラインパターンであり、これを渦巻状に円板部に形成
し、側板部を通して外部電極と接合するように設計し
た。この上にもう１枚の成形体を重ねて熱圧着した。こ
れらを８００℃の窒素気流中で脱脂し、１８００℃で４
時間同時焼結した。焼結体の熱伝導率は１７５Ｗ／ｍＫ
であった。
インダーにて混練して印刷した。印刷パターンは、焼き
上がりでＷライン幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍ
のラインパターンであり、これを渦巻状に円板部に形成
し、側板部を通して外部電極と接合するように設計し
た。この上にもう１枚の成形体を重ねて熱圧着した。こ
れらを８００℃の窒素気流中で脱脂し、１８００℃で４
時間同時焼結した。焼結体の熱伝導率は１７５Ｗ／ｍＫ
であった。
【０１０４】側板の端部に形成した電極端子から２００
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±１．０℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±１．０℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１０５】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回以上でも
割れやクラックは見られなかった。
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回以上でも
割れやクラックは見られなかった。
【０１０６】（実施例３）実施例１と同じ方法で焼結体
を作製した。
を作製した。
【０１０７】Ａｇ−Ｐｄ粉末と焼成助剤とをバインダー
にて混練して１枚の基板上に印刷した。印刷パターン
は、Ｗライン幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラ
インパターンであり、これを渦巻状に円板部に形成し、
側板部を通して外部電極と接合するように設計した。こ
れを大気中５００℃で脱脂し、窒素中８００℃にて焼き
付けた。また、もう１枚の焼結体上に熱膨張係数が５．
０×１０-6／℃のガラス粉末を印刷した。これを５００
℃で脱脂した後、電極を形成した焼結体と重ねて、Ｍｏ
製の治具で固定し、重しを載せて６５０℃にて窒素中で
接合した。
にて混練して１枚の基板上に印刷した。印刷パターン
は、Ｗライン幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラ
インパターンであり、これを渦巻状に円板部に形成し、
側板部を通して外部電極と接合するように設計した。こ
れを大気中５００℃で脱脂し、窒素中８００℃にて焼き
付けた。また、もう１枚の焼結体上に熱膨張係数が５．
０×１０-6／℃のガラス粉末を印刷した。これを５００
℃で脱脂した後、電極を形成した焼結体と重ねて、Ｍｏ
製の治具で固定し、重しを載せて６５０℃にて窒素中で
接合した。
【０１０８】側板の端部に形成した電極端子から２００
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±１．５℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±１．５℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１０９】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は４分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回以上でも
割れやクラックは見られなかった。
に要した時間は４分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回以上でも
割れやクラックは見られなかった。
【０１１０】（実施例４）実施例１と同じ方法で接合体
を作製した。接合に用いたガラスの熱膨張係数だけが
２．０×１０-6／℃と異なるものを用いた。
を作製した。接合に用いたガラスの熱膨張係数だけが
２．０×１０-6／℃と異なるものを用いた。
【０１１１】側板の端部に形成した電極端子から２００
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±０．７℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±０．７℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１１２】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は５分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、１００回まで割れ
やクラックは見られなかった。
に要した時間は５分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、１００回まで割れ
やクラックは見られなかった。
【０１１３】（実施例５）実施例１と同じ方法で接合体
を作製した。接合に用いたガラスの熱膨張係数だけが
９．０×１０-6／℃と異なるものを用いた。
を作製した。接合に用いたガラスの熱膨張係数だけが
９．０×１０-6／℃と異なるものを用いた。
【０１１４】側板の端部に形成した電極端子から２００
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±０．５℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±０．５℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１１５】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は４分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、１００回まで割れ
やクラックは見られなかった。
に要した時間は４分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、１００回まで割れ
やクラックは見られなかった。
【０１１６】（実施例６）実施例１と同じ方法でＷメタ
ライズ基板を１枚、非メタライズ基板を５枚作製した。
Ｗメタライズ基板をはさんで非メタライズ基板を上に３
枚と下に２枚とを重ね合せて、実施例１と同じ手法で接
合した。側板の端部に形成した電極端子から２００Ｖの
電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００℃ま
で昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布は±
０．６℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１００
０時間曝したが腐食は見られなかった。
ライズ基板を１枚、非メタライズ基板を５枚作製した。
Ｗメタライズ基板をはさんで非メタライズ基板を上に３
枚と下に２枚とを重ね合せて、実施例１と同じ手法で接
合した。側板の端部に形成した電極端子から２００Ｖの
電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００℃ま
で昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布は±
０．６℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１００
０時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１１７】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は９分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回以上でも
割れやクラックは見られなかった。
に要した時間は９分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回以上でも
割れやクラックは見られなかった。
【０１１８】（実施例７）窒化珪素粉末に焼結助剤とし
てＹ2Ｏ3を５質量％とＡｌ2Ｏ3を２質量％添加し、さら
にバインダーを添加して分散混合し、焼結上りで１．０
ｍｍの厚みになるようにドクターブレード成形をした。
これを乾燥させた後、焼結上がりで円板部（ウェハ保持
部）φ３００ｍｍ＋側板部５０ｍｍ幅×１００ｍｍ長さ
のうちわ状になるように金型で２枚打ち抜いた。これら
を８００℃の窒素気流中で脱脂し、１７５０℃で４時間
焼結した。得られた焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒
にて研磨した。得られた焼結体の熱伝導率は３０Ｗ／ｍ
Ｋ、熱膨張係数は３．０×１０-6／℃であった。
てＹ2Ｏ3を５質量％とＡｌ2Ｏ3を２質量％添加し、さら
にバインダーを添加して分散混合し、焼結上りで１．０
ｍｍの厚みになるようにドクターブレード成形をした。
これを乾燥させた後、焼結上がりで円板部（ウェハ保持
部）φ３００ｍｍ＋側板部５０ｍｍ幅×１００ｍｍ長さ
のうちわ状になるように金型で２枚打ち抜いた。これら
を８００℃の窒素気流中で脱脂し、１７５０℃で４時間
焼結した。得られた焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒
にて研磨した。得られた焼結体の熱伝導率は３０Ｗ／ｍ
Ｋ、熱膨張係数は３．０×１０-6／℃であった。
【０１１９】Ｗ粉末と焼成助剤をバインダーにて混練し
て１枚の基板上に印刷した。印刷パターンは、Ｗライン
幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラインパターン
であり、これを渦巻状に円板部に形成し、側板部を通し
て外部電極と接合するように設計した。これを窒素中８
００℃で脱脂し、窒素中１６００℃にて焼付けた。ま
た、もう１枚の焼結体上に熱膨張係数が５．０×１０-6
／℃のガラス粉末を印刷した。これを５００℃で脱脂し
た後、電極を形成した焼結体と重ねて、Ｍｏ製の治具で
固定し、重しを載せて６５０℃にて窒素中で接合した。
て１枚の基板上に印刷した。印刷パターンは、Ｗライン
幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラインパターン
であり、これを渦巻状に円板部に形成し、側板部を通し
て外部電極と接合するように設計した。これを窒素中８
００℃で脱脂し、窒素中１６００℃にて焼付けた。ま
た、もう１枚の焼結体上に熱膨張係数が５．０×１０-6
／℃のガラス粉末を印刷した。これを５００℃で脱脂し
た後、電極を形成した焼結体と重ねて、Ｍｏ製の治具で
固定し、重しを載せて６５０℃にて窒素中で接合した。
【０１２０】側板の端部に形成した電極端子から２００
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±４．０℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±４．０℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１２１】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は７分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回以上でも
割れやクラックは見られなかった。
に要した時間は７分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回以上でも
割れやクラックは見られなかった。
【０１２２】（実施例８）酸窒化アルミニウム（ＡＬＯ
Ｎ）粉末に焼結助剤としてＭｇＯを２質量％添加し、バ
インダーを添加して分散混合し、１．２ｍｍの厚みにな
るようにドクターブレード成形をした。これを乾燥させ
た後、焼結上がりで円板部（ウェハ保持部）φ３００ｍ
ｍ＋側板部５０ｍｍ幅×１００ｍｍ長さのうちわ状にな
るように金型で２枚打ち抜いた。これらを８００℃の窒
素気流中で脱脂し、１７７０℃で４時間焼結した。得ら
れた焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒にて研磨した。
得られた焼結体の熱伝導率は５０Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数
は５．０×１０-6／℃であった。
Ｎ）粉末に焼結助剤としてＭｇＯを２質量％添加し、バ
インダーを添加して分散混合し、１．２ｍｍの厚みにな
るようにドクターブレード成形をした。これを乾燥させ
た後、焼結上がりで円板部（ウェハ保持部）φ３００ｍ
ｍ＋側板部５０ｍｍ幅×１００ｍｍ長さのうちわ状にな
るように金型で２枚打ち抜いた。これらを８００℃の窒
素気流中で脱脂し、１７７０℃で４時間焼結した。得ら
れた焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒にて研磨した。
得られた焼結体の熱伝導率は５０Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数
は５．０×１０-6／℃であった。
【０１２３】Ｗ粉末と焼成助剤をバインダーにて混練し
て１枚の基板上に印刷した。印刷パターンは、Ｗライン
幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラインパターン
であり、これを渦巻状に円板部に形成し、側板部を通し
て外部電極と接合するように設計した。これを窒素中８
００℃で脱脂し、窒素中１６００℃にて焼付けた。ま
た、もう１枚の焼結体上に熱膨張係数が５．０×１０-6
／℃のガラス粉末を印刷した。これを５００℃で脱脂し
た後、電極を形成した焼結体と重ねて、Ｍｏ製の治具で
固定し、重しを載せて６５０℃にて窒素中で接合した。
て１枚の基板上に印刷した。印刷パターンは、Ｗライン
幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラインパターン
であり、これを渦巻状に円板部に形成し、側板部を通し
て外部電極と接合するように設計した。これを窒素中８
００℃で脱脂し、窒素中１６００℃にて焼付けた。ま
た、もう１枚の焼結体上に熱膨張係数が５．０×１０-6
／℃のガラス粉末を印刷した。これを５００℃で脱脂し
た後、電極を形成した焼結体と重ねて、Ｍｏ製の治具で
固定し、重しを載せて６５０℃にて窒素中で接合した。
【０１２４】側板の端部に形成した電極端子から２００
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±５．０℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±５．０℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１２５】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は８分であった。室温から８００℃のヒー
トサイクルテストを行なったが、３００回以上でも割れ
やクラックは見られなかった。
に要した時間は８分であった。室温から８００℃のヒー
トサイクルテストを行なったが、３００回以上でも割れ
やクラックは見られなかった。
【０１２６】（実施例９）ＺｒＯ2粉末に焼結助剤とし
てＹ2Ｏ3を２質量％とＣａＯを１質量％添加し、さらに
バインダーを添加して分散混合し、焼結上りで１．０ｍ
ｍの厚みになるようにドクターブレード成形をした。こ
れを乾燥させた後、焼結上がりで円板部（ウェハ保持
部）φ３００ｍｍ＋側板部５０ｍｍ幅×１００ｍｍ長さ
のうちわ状になるように金型で２枚打ち抜いた。これら
を８００℃の窒素気流中で脱脂し、１４５０℃で４時間
焼結した。得られた焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒
にて研磨した。焼結体の熱伝導率は１０Ｗ／ｍＫ、熱膨
張係数は８．５×１０-6／℃であった。
てＹ2Ｏ3を２質量％とＣａＯを１質量％添加し、さらに
バインダーを添加して分散混合し、焼結上りで１．０ｍ
ｍの厚みになるようにドクターブレード成形をした。こ
れを乾燥させた後、焼結上がりで円板部（ウェハ保持
部）φ３００ｍｍ＋側板部５０ｍｍ幅×１００ｍｍ長さ
のうちわ状になるように金型で２枚打ち抜いた。これら
を８００℃の窒素気流中で脱脂し、１４５０℃で４時間
焼結した。得られた焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒
にて研磨した。焼結体の熱伝導率は１０Ｗ／ｍＫ、熱膨
張係数は８．５×１０-6／℃であった。
【０１２７】Ｗ粉末と焼成助剤をバインダーにて混練し
て１枚の基板上に印刷した。印刷パターンは、Ｗライン
幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラインパターン
であり、これを渦巻状に円板部に形成し、側板部を通し
て外部電極と接合するように設計した。これを窒素中８
００℃で脱脂し、窒素中１６００℃にて焼付けた。ま
た、もう１枚の焼結体上に、熱膨張係数が５．０×１０
-6／℃のガラス粉末を印刷した。これを５００℃で脱脂
した後、電極を形成した焼結体と重ねて、Ｍｏ製の治具
で固定し、重しを載せて６５０℃にて窒素中で接合し
た。
て１枚の基板上に印刷した。印刷パターンは、Ｗライン
幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラインパターン
であり、これを渦巻状に円板部に形成し、側板部を通し
て外部電極と接合するように設計した。これを窒素中８
００℃で脱脂し、窒素中１６００℃にて焼付けた。ま
た、もう１枚の焼結体上に、熱膨張係数が５．０×１０
-6／℃のガラス粉末を印刷した。これを５００℃で脱脂
した後、電極を形成した焼結体と重ねて、Ｍｏ製の治具
で固定し、重しを載せて６５０℃にて窒素中で接合し
た。
【０１２８】側板の端部に形成した電極端子から２００
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±７．０℃であった。
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±７．０℃であった。
【０１２９】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は１０分であった。また室温から８００℃
のヒートサイクルテストを行なったが、３００回以上で
も割れやクラックは見られなかった。
に要した時間は１０分であった。また室温から８００℃
のヒートサイクルテストを行なったが、３００回以上で
も割れやクラックは見られなかった。
【０１３０】（実施例１０）窒化アルミニウム粉末に焼
結助剤としてＹ2Ｏ3を５質量％添加し、さらにバインダ
ーを添加して分散混合して乾燥させた後、焼結上がりで
円板部（ウェハ保持部）φ３００＋側板部５０ｍｍ幅×
１００ｍｍ長さのうちわ状になるように金型プレスで２
枚成形した。０．５ｍｍ深さで１．５ｍｍ幅の溝を２ｍ
ｍピッチで渦巻状に形成した。２枚の成形体の渦巻は各
々、逆巻で形成し、成形体同士を重ね合せると渦巻パタ
ーンが合うようにした。片方の成形体の溝に０．５ｍｍ
φでコイル巻径１．０ｍｍφのＭｏを渦巻状に這わせ
て、もう片方の成形体を被せ、１８５０℃にてホットプ
レス焼結して厚み４ｍｍの焼結体が出来た。焼結体の熱
伝導率は１７３Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数は４．５×１０-6
／℃であった。
結助剤としてＹ2Ｏ3を５質量％添加し、さらにバインダ
ーを添加して分散混合して乾燥させた後、焼結上がりで
円板部（ウェハ保持部）φ３００＋側板部５０ｍｍ幅×
１００ｍｍ長さのうちわ状になるように金型プレスで２
枚成形した。０．５ｍｍ深さで１．５ｍｍ幅の溝を２ｍ
ｍピッチで渦巻状に形成した。２枚の成形体の渦巻は各
々、逆巻で形成し、成形体同士を重ね合せると渦巻パタ
ーンが合うようにした。片方の成形体の溝に０．５ｍｍ
φでコイル巻径１．０ｍｍφのＭｏを渦巻状に這わせ
て、もう片方の成形体を被せ、１８５０℃にてホットプ
レス焼結して厚み４ｍｍの焼結体が出来た。焼結体の熱
伝導率は１７３Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数は４．５×１０-6
／℃であった。
【０１３１】側板の端部に形成した電極端子から２００
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±９．０℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
Ｖの電圧で電流を流すことによって円板部表面を７００
℃まで昇温した。ウェハ保持部である円板部の温度分布
は±９．０℃であった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１３２】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は１５分であった。また室温から８００℃
のヒートサイクルテストを行なったが、１００回までは
割れやクラックは見られなかった。
に要した時間は１５分であった。また室温から８００℃
のヒートサイクルテストを行なったが、１００回までは
割れやクラックは見られなかった。
【０１３３】（実施例１１）実施例１と同じ方法でＷメ
タライズ基板を１枚、非メタライズ基板を１枚作製し
た。Ｗメタライズ基板をはさんで非メタライズ基板とを
重ね合せて、ＡｌＮにＹ−Ｃａ−Ｏを３％添加した層を
塗布して基板を重ね合わせ、Ｎ2中で１６００℃で焼成
して接合した。メタライズの裏面をウェハ保持面として
加熱したところウェハ保持面は７００℃±２．０℃であ
った。またフッ素ガス中７５０℃で１０００時間曝した
が腐食は見られなかった。
タライズ基板を１枚、非メタライズ基板を１枚作製し
た。Ｗメタライズ基板をはさんで非メタライズ基板とを
重ね合せて、ＡｌＮにＹ−Ｃａ−Ｏを３％添加した層を
塗布して基板を重ね合わせ、Ｎ2中で１６００℃で焼成
して接合した。メタライズの裏面をウェハ保持面として
加熱したところウェハ保持面は７００℃±２．０℃であ
った。またフッ素ガス中７５０℃で１０００時間曝した
が腐食は見られなかった。
【０１３４】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回までは割
れやクラックは見られなかった。
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回までは割
れやクラックは見られなかった。
【０１３５】（実施例１２）実施例１と同じ方法でＷメ
タライズ基板を１枚作製した。ＡｌＮにＹｂ−Ｎｄ−Ｃ
ａ−Ｏを３％添加したペーストを塗布し、Ｎ2中で１６
００℃で焼成して保護層を形成した。メタライズの裏面
をウェハ保持面として加熱したところウェハ保持面は７
００℃±２．５℃であった。またフッ素ガス中７５０℃
で１０００時間曝したが腐食は見られなかった。
タライズ基板を１枚作製した。ＡｌＮにＹｂ−Ｎｄ−Ｃ
ａ−Ｏを３％添加したペーストを塗布し、Ｎ2中で１６
００℃で焼成して保護層を形成した。メタライズの裏面
をウェハ保持面として加熱したところウェハ保持面は７
００℃±２．５℃であった。またフッ素ガス中７５０℃
で１０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１３６】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回までは割
れやクラックは見られなかった。
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回までは割
れやクラックは見られなかった。
【０１３７】（実施例１３）実施例１と同じ方法で焼結
体を２枚作製した。１枚の焼結体にＭｏペーストを線幅
と線間が０．５ｍｍ、０．５ｍｍのパターンとなるよう
に塗布して、窒素（Ｎ2）中で焼き付けて導電層を形成
した以外は、実施例１と同一の条件でウェハ保持体を作
製した。このウェハ保持体において、実施例１と同一の
条件でウェハ表面の温度分布を測定したところ７００℃
±３℃となった。またフッ素ガス中７００℃で１０００
時間曝したが腐食は見られなかった。
体を２枚作製した。１枚の焼結体にＭｏペーストを線幅
と線間が０．５ｍｍ、０．５ｍｍのパターンとなるよう
に塗布して、窒素（Ｎ2）中で焼き付けて導電層を形成
した以外は、実施例１と同一の条件でウェハ保持体を作
製した。このウェハ保持体において、実施例１と同一の
条件でウェハ表面の温度分布を測定したところ７００℃
±３℃となった。またフッ素ガス中７００℃で１０００
時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１３８】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回までは割
れやクラックは見られなかった。
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回までは割
れやクラックは見られなかった。
【０１３９】（実施例１４）実施例１と同じ方法で焼結
体を２枚作製した。１枚の焼結体にＡｇ−Ｐｄペースト
を線幅と線間が０．５ｍｍ、０．５ｍｍのパターンとな
るように塗布して、窒素（Ｎ2）中で焼き付けて導電層
を形成した以外は、実施例１と同一の条件でウェハ保持
体を作製した。このウェハ保持体において、実施例１と
同一の条件でウェハ表面の温度分布を測定したところ７
００℃±５℃となった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
体を２枚作製した。１枚の焼結体にＡｇ−Ｐｄペースト
を線幅と線間が０．５ｍｍ、０．５ｍｍのパターンとな
るように塗布して、窒素（Ｎ2）中で焼き付けて導電層
を形成した以外は、実施例１と同一の条件でウェハ保持
体を作製した。このウェハ保持体において、実施例１と
同一の条件でウェハ表面の温度分布を測定したところ７
００℃±５℃となった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１４０】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回までは割
れやクラックは見られなかった。
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回までは割
れやクラックは見られなかった。
【０１４１】（実施例１５）実施例１と同じ方法で焼結
体を２枚作製した。１枚の焼結体にＮｉ−Ｃｒペースト
を線幅と線間が０．５ｍｍ、０．５ｍｍのパターンとな
るように塗布して、窒素（Ｎ2）中で焼き付けて導電層
を形成した以外は、実施例１と同一の条件でウェハ保持
体を作製した。このウェハ保持体において、実施例１と
同一の条件でウェハ表面の温度分布を測定したところ７
００℃±４℃となった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
体を２枚作製した。１枚の焼結体にＮｉ−Ｃｒペースト
を線幅と線間が０．５ｍｍ、０．５ｍｍのパターンとな
るように塗布して、窒素（Ｎ2）中で焼き付けて導電層
を形成した以外は、実施例１と同一の条件でウェハ保持
体を作製した。このウェハ保持体において、実施例１と
同一の条件でウェハ表面の温度分布を測定したところ７
００℃±４℃となった。またフッ素ガス中７００℃で１
０００時間曝したが腐食は見られなかった。
【０１４２】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回までは割
れやクラックは見られなかった。
に要した時間は２分であった。また室温から８００℃の
ヒートサイクルテストを行なったが、３００回までは割
れやクラックは見られなかった。
【０１４３】（実施例１６）〜（実施例２０） 実施例１と同じ方法で、１枚の焼結体と、線幅と線間が
０．５ｍｍ、０．５ｍｍのＷのパターンを有する１枚の
Ｗメタライズ基板とを作製した。この焼結体とＷメタラ
イズ基板とを、それぞれ熱膨張係数が２．５×１０-6／
℃、３．０×１０ -6／℃、５．０×１０-6／℃、７．９
×１０-6／℃、１０×１０-6／℃のガラスにより、窒素
（Ｎ2）中にて７００℃で接合した。昇温速度目標は３
０分／６００℃以内であったが、表２に示すように、そ
れぞれ３５分で割れ、６分で割れ、６分以下で割れ無
し、８分で割れ、８０分で割れるという結果が得られ
た。
０．５ｍｍ、０．５ｍｍのＷのパターンを有する１枚の
Ｗメタライズ基板とを作製した。この焼結体とＷメタラ
イズ基板とを、それぞれ熱膨張係数が２．５×１０-6／
℃、３．０×１０ -6／℃、５．０×１０-6／℃、７．９
×１０-6／℃、１０×１０-6／℃のガラスにより、窒素
（Ｎ2）中にて７００℃で接合した。昇温速度目標は３
０分／６００℃以内であったが、表２に示すように、そ
れぞれ３５分で割れ、６分で割れ、６分以下で割れ無
し、８分で割れ、８０分で割れるという結果が得られ
た。
【０１４４】
【表２】
【０１４５】（比較例１）窒化アルミニウム粉末に焼結
助剤としてＹ2Ｏ3を５質量％添加し、さらにバインダー
を添加して分散混合して乾燥させた後、焼結上がりでφ
３００×５ｍｍｔの円板になるように金型プレスで２枚
成形した。この上に０．５ｍｍφでコイル巻径５ｍｍφ
のＭｏを１０ｍｍピッチの渦巻状に這わせて１８５０℃
にてホットプレス焼結した。焼結体の熱伝導率は１７３
Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数は４．５×１０-6／℃であった。
助剤としてＹ2Ｏ3を５質量％添加し、さらにバインダー
を添加して分散混合して乾燥させた後、焼結上がりでφ
３００×５ｍｍｔの円板になるように金型プレスで２枚
成形した。この上に０．５ｍｍφでコイル巻径５ｍｍφ
のＭｏを１０ｍｍピッチの渦巻状に這わせて１８５０℃
にてホットプレス焼結した。焼結体の熱伝導率は１７３
Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数は４．５×１０-6／℃であった。
【０１４６】円板裏側に８０ｍｍφで肉厚５ｍｍの窒化
アルミニウムパイプを拡散接合した。Ｍｏ製の配線をパ
イプ内に通しＭｏコイルの電極端子に銀ロウ付けした。
アルミニウムパイプを拡散接合した。Ｍｏ製の配線をパ
イプ内に通しＭｏコイルの電極端子に銀ロウ付けした。
【０１４７】電極端子から２００Ｖの電圧で電流を流す
ことによって円板部表面を７００℃まで昇温した。ウェ
ハ保持部である円板部の温度分布は±１２．０℃であっ
た。またフッ素ガス中７５０℃で１０００時間曝したが
腐食は見られなかった。
ことによって円板部表面を７００℃まで昇温した。ウェ
ハ保持部である円板部の温度分布は±１２．０℃であっ
た。またフッ素ガス中７５０℃で１０００時間曝したが
腐食は見られなかった。
【０１４８】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は４０分であった。また室温から８００℃
のヒートサイクルテストを行なったが、７５回でパイプ
接合部にクラックが入っていた。
に要した時間は４０分であった。また室温から８００℃
のヒートサイクルテストを行なったが、７５回でパイプ
接合部にクラックが入っていた。
【０１４９】このようにして得られたウェハ保持体の構
造と、均熱性、降温速度、耐腐食性およびヒートサイク
ル（Ｈ／Ｃ）の結果とを表３に示す。なお、以下に説明
する比較例２および３の結果についても、併せて表３に
示す。
造と、均熱性、降温速度、耐腐食性およびヒートサイク
ル（Ｈ／Ｃ）の結果とを表３に示す。なお、以下に説明
する比較例２および３の結果についても、併せて表３に
示す。
【０１５０】
【表３】
【０１５１】（比較例２）窒化アルミニウム粉末に焼結
助剤としてＹ2Ｏ3を５質量％添加し、バインダーを添加
して分散混合して焼結上りで１．０ｍｍの厚みになるよ
うにドクターブレード成形をした。これを乾燥させた
後、焼結上がりでφ３００ｍｍの円板になるように金型
で２枚打ち抜いた。これらを８００℃の窒素気流中で脱
脂し、１８００℃で４時間焼結した。得られた焼結体の
上下面をダイヤモンド砥粒にて研磨した。焼結体の熱伝
導率は１７５Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数は４．５×１０-6／
℃であった。
助剤としてＹ2Ｏ3を５質量％添加し、バインダーを添加
して分散混合して焼結上りで１．０ｍｍの厚みになるよ
うにドクターブレード成形をした。これを乾燥させた
後、焼結上がりでφ３００ｍｍの円板になるように金型
で２枚打ち抜いた。これらを８００℃の窒素気流中で脱
脂し、１８００℃で４時間焼結した。得られた焼結体の
上下面をダイヤモンド砥粒にて研磨した。焼結体の熱伝
導率は１７５Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数は４．５×１０-6／
℃であった。
【０１５２】Ｗ粉末と焼成助剤をバインダーにて混練し
て１枚の基板上に印刷した。印刷パターンは、Ｗライン
幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラインパターン
であり、これを渦巻状に円板部に形成し、中央部裏側に
電極端子が来るパターンにした。円板裏側に８０ｍｍφ
で肉厚５ｍｍのパイプを熱膨張係数が５．０×１０-6／
℃のガラスで接合した。Ｍｏ製の配線をパイプ内に通し
Ｗメタライズの電極端子に銀ロウ付けした。
て１枚の基板上に印刷した。印刷パターンは、Ｗライン
幅０．５ｍｍ、ライン間隔０．５ｍｍのラインパターン
であり、これを渦巻状に円板部に形成し、中央部裏側に
電極端子が来るパターンにした。円板裏側に８０ｍｍφ
で肉厚５ｍｍのパイプを熱膨張係数が５．０×１０-6／
℃のガラスで接合した。Ｍｏ製の配線をパイプ内に通し
Ｗメタライズの電極端子に銀ロウ付けした。
【０１５３】電極端子から２００Ｖの電圧で電流を流す
ことによって円板部表面を７００℃まで昇温した。ウェ
ハ保持部である円板部の温度分布は±１０．０℃であっ
た。またフッ素ガス中７００℃で１０００時間曝したが
腐食は見られなかった。
ことによって円板部表面を７００℃まで昇温した。ウェ
ハ保持部である円板部の温度分布は±１０．０℃であっ
た。またフッ素ガス中７００℃で１０００時間曝したが
腐食は見られなかった。
【０１５４】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
度に要した時間は２０分であった。また室温から８００
℃のヒートサイクルテストを行なったが、９０回でパイ
プ接合部にクラックが入っていた。
度に要した時間は２０分であった。また室温から８００
℃のヒートサイクルテストを行なったが、９０回でパイ
プ接合部にクラックが入っていた。
【０１５５】（比較例３）比較例２と同じ方法で円板接
合体を作製した。
合体を作製した。
【０１５６】円板裏側に８０ｍｍφで肉厚５ｍｍのＳＵ
Ｓ３１０製のパイプを銀ロウで接合付けし、同時にＭｏ
製の配線をパイプ内に通しＷメタライズの電極端子に銀
ロウ付けした。
Ｓ３１０製のパイプを銀ロウで接合付けし、同時にＭｏ
製の配線をパイプ内に通しＷメタライズの電極端子に銀
ロウ付けした。
【０１５７】電極端子から２００Ｖの電圧で電流を流す
ことによって円板部表面を７００℃まで昇温した。ウェ
ハ保持部である円板部の温度分布は±１０．０℃であっ
た。またフッ素ガス中７００℃で１０００時間曝したが
腐食は見られなかった。
ことによって円板部表面を７００℃まで昇温した。ウェ
ハ保持部である円板部の温度分布は±１０．０℃であっ
た。またフッ素ガス中７００℃で１０００時間曝したが
腐食は見られなかった。
【０１５８】また電源ＯＦＦ後に３０℃以下までの降温
に要した時間は２５分であった。また上記降温を１回行
なっただけで窒化アルミニウム円板とパイプ接合部にク
ラックが入っていた。
に要した時間は２５分であった。また上記降温を１回行
なっただけで窒化アルミニウム円板とパイプ接合部にク
ラックが入っていた。
【０１５９】今回開示された実施の形態および実施例は
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
【０１６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の一および
他の局面に従う半導体製造装置用ウェハ保持体では、導
電層の本体部分と引出部分とは実質的に同一の平面上に
形成されているため、双方を平板よりなる１対のセラミ
ックス基材で挟み込むことで保護することが可能とな
る、または保護層で被覆することにより導電層を保護す
ることが可能となる。このため、従来例のように引出部
分を保護するためにパイプを用いる必要はなくなる。よ
って、パイプを接合する工程が不要となるため製造が容
易となり、パイプ設置による歪の発生もなくなる。
他の局面に従う半導体製造装置用ウェハ保持体では、導
電層の本体部分と引出部分とは実質的に同一の平面上に
形成されているため、双方を平板よりなる１対のセラミ
ックス基材で挟み込むことで保護することが可能とな
る、または保護層で被覆することにより導電層を保護す
ることが可能となる。このため、従来例のように引出部
分を保護するためにパイプを用いる必要はなくなる。よ
って、パイプを接合する工程が不要となるため製造が容
易となり、パイプ設置による歪の発生もなくなる。
【０１６１】これにより大口径化して均一加熱が必要な
エッチングや成膜用の半導体製造装置のウェハ保持体と
して、ヒータ機能や静電チャック機能を併せ持つととも
に、均熱性が高く、反りが少なく、安価で量産性に優れ
た製品を製造できるようになる。
エッチングや成膜用の半導体製造装置のウェハ保持体と
して、ヒータ機能や静電チャック機能を併せ持つととも
に、均熱性が高く、反りが少なく、安価で量産性に優れ
た製品を製造できるようになる。
【図１】 本発明の一実施の形態におけるウェハ保持体
を備えた半導体製造装置の構成を概略的に示す断面図で
ある。
を備えた半導体製造装置の構成を概略的に示す断面図で
ある。
【図２】 図１の２００−２００線に沿う概略断面図で
ある。
ある。
【図３】 本発明の一実施の形態におけるウェハ保持体
の構成を概略的に示す斜視図である。
の構成を概略的に示す斜視図である。
【図４】 本発明の一実施の形態におけるウェハ保持体
の構成を概略的に示す平面図である。
の構成を概略的に示す平面図である。
【図５】 図４の５００−５００線に沿う概略断面図で
ある。
ある。
【図６】 図５の矢印６００方向から見た静電チャック
用電極の平面図である。
用電極の平面図である。
【図７】 図５の矢印７００方向から見たプラズマ発生
用下部電極の平面図である。
用下部電極の平面図である。
【図８】 図５の矢印８００方向から見たヒータの概略
平面図である。
平面図である。
【図９】 図５の矢印９００方向から見た熱電対挿入用
の溝の平面図である。
の溝の平面図である。
【図１０】 ウェハ保持体の他の支持方法を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【図１１】 導電層が２層の場合のウェハ保持体の構成
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図１２】 導電層が１層である場合のウェハ保持体の
構成を示す概略断面図である。
構成を示す概略断面図である。
【図１３】 側板部の端面がつら面であることを説明す
るための概略断面図である。
るための概略断面図である。
【図１４】 ガラス層がパターン間にのみ形成された構
成を示す概略断面図である。
成を示す概略断面図である。
【図１５】 ヒータの発熱部が側板部にまで形成された
構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
【図１６】 ウェハ保持部が多角形状を有していること
を説明するための斜視図である。
を説明するための斜視図である。
【図１７】 本発明の一実施の形態におけるウェハ保持
体を用いた半導体製造装置の他の例を示す概略断面図で
ある。
体を用いた半導体製造装置の他の例を示す概略断面図で
ある。
【図１８】 従来のウェハ保持体の構成を示す概略断面
図である。
図である。
１ ヒータ、２ プラズマ発生用下部電極、３ 静電チ
ャック用電極、４ セラミックス基材、５ ガラス層、
１０ ウェハ保持体。
ャック用電極、４ セラミックス基材、５ ガラス層、
１０ ウェハ保持体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA16 BA04 BB29 BB32 DA01 5F031 CA02 HA02 HA10 HA17 HA18 5F045 AA08 AC01 BB08 EH14 EK08 EM02 EM05 EM09
Claims (21)
- 【請求項１】 導電層と、前記導電層を挟み込む１対の
セラミックス基材とを含む半導体製造装置用ウェハ保持
体であって、 前記導電層は、前記セラミックス基材のウェハ保持面に
対面する本体部分と、外部との接続のために前記本体部
分から引出される引出部分とを有し、 前記本体部分と前記引出部分とが実質的に同一の平面上
に配置されている、半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項２】 セラミックス基材と、前記セラミックス
基材上に形成された導電層と、前記導電層を被覆する保
護層とを含む半導体製造装置用ウェハ保持体であって、 前記導電層は、前記セラミックス基材のウェハ保持面に
対面する本体部分と、外部との接続のために前記本体部
分から引出される引出部分とを有し、 前記本体部分と前記引出部分とが実質的に同一の平面上
に配置されている、半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項３】 前記セラミックス基材の材質は、窒化ア
ルミニウム、窒化珪素、酸窒化アルミニウムおよび酸化
アルミニウムよりなる群から選ばれる１種以上よりな
る、請求項１または２に記載の半導体製造装置用ウェハ
保持体。 - 【請求項４】 前記セラミックス基材の熱伝導率が１０
０Ｗ／ｍＫ以上である、請求項３に記載の半導体製造装
置用ウェハ保持体。 - 【請求項５】 前記導電層と前記セラミックス基材との
間には介在層があり、前記介在層の材質は、熱膨張係数
が３×１０-6／℃以上８×１０-6／℃以下のガラスおよ
び熱膨張係数が３×１０-6／℃以上６×１０-6／℃以下
の非酸化物セラミックスの少なくともいずれかを含む、
請求項１に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項６】 前記非酸化物セラミックスは、窒化アル
ミニウムまたは窒化珪素を５０質量％以上含む、請求項
５に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項７】 前記介在層の材質は、イッテルビウムと
ネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加熱に
よりイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含む
酸化物を生ずる化合物を含む、請求項５または６に記載
の半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項８】 前記介在層の材質は、イットリウムとア
ルミニウムとを含む酸化物、または加熱によりイットリ
ウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物を含
む、請求項５または６に記載の半導体製造装置用ウェハ
保持体。 - 【請求項９】 前記保護層の材質は、熱膨張係数が３×
１０-6／℃以上８×１０-6／℃以下のガラスおよび熱膨
張係数が３×１０-6／℃以上６×１０-6／℃以下の非酸
化物セラミックスの少なくともいずれかを含む、請求項
２に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項１０】 前記非酸化物セラミックスは、窒化ア
ルミニウムまたは窒化珪素を５０質量％以上含む、請求
項９に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項１１】 前記保護層の材質は、イッテルビウム
とネオジウムとカルシウムとを含む酸化物、または加熱
によりイッテルビウムとネオジウムとカルシウムとを含
む酸化物を生ずる化合物を含む、請求項９または１０に
記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項１２】 前記保護層の材質は、イットリウムと
アルミニウムとを含む酸化物、または加熱によりイット
リウムとアルミニウムとを含む酸化物を生ずる化合物を
含む、請求項９または１０に記載の半導体製造装置用ウ
ェハ保持体。 - 【請求項１３】 前記セラミックス基材中には温度検知
部を配置するための穴部が形成されている、請求項１〜
１２のいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ保持
体。 - 【請求項１４】 前記１対のセラミックス基材の各々
は、前記本体部分を挟み込むウェハ保持部と、前記ウェ
ハ保持部の側面から延びかつ前記引出部分を挟み込む側
板部とを有し、前記側板部の幅は、前記ウェハ保持部の
幅よりも小さい、請求項１に記載の半導体製造装置用ウ
ェハ保持体。 - 【請求項１５】 前記導電層は、少なくとも前記本体部
分の材質がＷ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉおよびＣ
ｒよりなる群から選ばれる１種以上よりなるよう形成さ
れている、請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体製
造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項１６】 前記導電層は、ヒータ、プラズマ発生
用電極および静電チャック用電極のいずれかである、請
求項１に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項１７】 全体の厚みが５ｍｍ以下である、請求
項１〜１６のいずれかに記載の半導体製造装置用ウェハ
保持体。 - 【請求項１８】 前記導電層はワイヤーである、請求項
１７に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項１９】 前記引出部分を挟む前記１対のセラミ
ックス基材の側板部にＯリングが配置されている、請求
項１に記載の半導体製造装置用ウェハ保持体。 - 【請求項２０】 前記引出部分を挟む前記１対のセラミ
ックス基材の少なくとも一方の側板部には、断熱用のく
びれ部が設けられている、請求項１に記載の半導体製造
装置用ウェハ保持体。 - 【請求項２１】 前記側板部の前記１対のセラミックス
基材に挟まれる領域に、前記ヒータの前記本体部分が形
成されている、請求項１６に記載の半導体製造装置用ウ
ェハ保持体。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP2000160366A JP3567855B2 (ja) | 2000-01-20 | 2000-05-30 | 半導体製造装置用ウェハ保持体 |
| US09/707,813 US6554906B1 (en) | 2000-01-20 | 2000-11-07 | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus using the same |
| CA002326575A CA2326575C (en) | 2000-01-20 | 2000-11-16 | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus using the same |
| TW090100935A TW557531B (en) | 2000-01-20 | 2001-01-16 | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus using the same |
| KR10-2001-0003125A KR100438881B1 (ko) | 2000-01-20 | 2001-01-19 | 반도체 제조 장치용 웨이퍼 보유체 및 그것을 이용한반도체 제조 장치 |
| EP01300468A EP1119026A3 (en) | 2000-01-20 | 2001-01-19 | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-12170 | 2000-01-20 | ||
| JP2000012170 | 2000-01-20 | ||
| JP2000160366A JP3567855B2 (ja) | 2000-01-20 | 2000-05-30 | 半導体製造装置用ウェハ保持体 |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2001274230A true JP2001274230A (ja) | 2001-10-05 |
| JP3567855B2 JP3567855B2 (ja) | 2004-09-22 |
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ID=26583878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000160366A Expired - Fee Related JP3567855B2 (ja) | 2000-01-20 | 2000-05-30 | 半導体製造装置用ウェハ保持体 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP1119026A3 (ja) |
| JP (1) | JP3567855B2 (ja) |
| KR (1) | KR100438881B1 (ja) |
| CA (1) | CA2326575C (ja) |
| TW (1) | TW557531B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006046308A1 (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Cxe Japan Co., Ltd. | 半導体基板の支持体 |
| JP2019537546A (ja) * | 2016-11-16 | 2019-12-26 | クアーズテック，インコーポレイティド | 耐食性構成要素およびその製造方法 |
| US11376822B2 (en) | 2015-11-16 | 2022-07-05 | Coorstek, Inc. | Corrosion-resistant components and methods of making |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7465219B2 (en) * | 1994-08-12 | 2008-12-16 | Diamicron, Inc. | Brut polishing of superhard materials |
| NL1012004C2 (nl) * | 1999-05-07 | 2000-11-13 | Asm Int | Werkwijze voor het verplaatsen van wafers alsmede ring. |
| KR20010062209A (ko) * | 1999-12-10 | 2001-07-07 | 히가시 데쓰로 | 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치 |
| JP2002057207A (ja) * | 2000-01-20 | 2002-02-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびその製造方法ならびに半導体製造装置 |
| JP2002313781A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板処理装置 |
| US20040144492A1 (en) * | 2001-06-01 | 2004-07-29 | Taro Ikeda | Plasma processing device |
| US7137353B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system |
| US7147749B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
| US7166200B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
| US7166166B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US6837966B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limeted | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US7204912B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
| US6798519B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-09-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system |
| US7780786B2 (en) * | 2002-11-28 | 2010-08-24 | Tokyo Electron Limited | Internal member of a plasma processing vessel |
| WO2004095532A2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | A barrier layer for a processing element and a method of forming the same |
| US6974764B2 (en) * | 2003-11-06 | 2005-12-13 | Intel Corporation | Method for making a semiconductor device having a metal gate electrode |
| US7097779B2 (en) * | 2004-07-06 | 2006-08-29 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemically treating a TERA layer |
| US7552521B2 (en) * | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
| US7601242B2 (en) * | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
| US20060225654A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Fink Steven T | Disposable plasma reactor materials and methods |
| US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
| KR101342990B1 (ko) * | 2007-03-08 | 2013-12-18 | (주)소슬 | 배치식 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법 |
| KR20100046909A (ko) * | 2008-10-28 | 2010-05-07 | 주성엔지니어링(주) | 정전 흡착 장치와 그의 제조방법 |
| JP5416570B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-02-12 | 住友電気工業株式会社 | 加熱冷却デバイスおよびそれを搭載した装置 |
| US9196516B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-11-24 | Qualitau, Inc. | Wafer temperature measurement tool |
| JP6219229B2 (ja) * | 2014-05-19 | 2017-10-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ヒータ給電機構 |
| US11764101B2 (en) * | 2019-10-24 | 2023-09-19 | ASM IP Holding, B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing |
| CN113066755B (zh) * | 2021-03-23 | 2023-06-13 | 西安微电子技术研究所 | 一种芯片背面金属化夹具及芯片背面金属化方法 |
| CN114776926A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-07-22 | 青海丽豪半导体材料有限公司 | 一种高温氯气加热的方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH06120328A (ja) * | 1992-10-02 | 1994-04-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 静電ウエーハチャック用プレート |
| KR100238627B1 (ko) * | 1993-01-12 | 2000-01-15 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
| US5522937A (en) | 1994-05-03 | 1996-06-04 | Applied Materials, Inc. | Welded susceptor assembly |
| TW444922U (en) * | 1994-09-29 | 2001-07-01 | Tokyo Electron Ltd | Heating device and the processing device using the same |
| TW286414B (en) * | 1995-07-10 | 1996-09-21 | Watkins Johnson Co | Electrostatic chuck assembly |
| JP3477953B2 (ja) * | 1995-10-18 | 2003-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JPH09172057A (ja) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Souzou Kagaku:Kk | 静電チャック |
| JP3665826B2 (ja) * | 1997-05-29 | 2005-06-29 | Ｓｍｃ株式会社 | 基板熱処理装置 |
| JPH113868A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Nec Yamagata Ltd | ランプアニール装置およびランプアニール方法 |
| US6019164A (en) * | 1997-12-31 | 2000-02-01 | Temptronic Corporation | Workpiece chuck |
| JPH11260534A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-09-24 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置およびその製造方法 |
| US6423949B1 (en) * | 1999-05-19 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone resistive heater |
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- 2001-01-19 EP EP01300468A patent/EP1119026A3/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006046308A1 (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Cxe Japan Co., Ltd. | 半導体基板の支持体 |
| US11376822B2 (en) | 2015-11-16 | 2022-07-05 | Coorstek, Inc. | Corrosion-resistant components and methods of making |
| JP2019537546A (ja) * | 2016-11-16 | 2019-12-26 | クアーズテック，インコーポレイティド | 耐食性構成要素およびその製造方法 |
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