JPH113868A - ランプアニール装置およびランプアニール方法 - Google Patents
ランプアニール装置およびランプアニール方法Info
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- JPH113868A JPH113868A JP9155093A JP15509397A JPH113868A JP H113868 A JPH113868 A JP H113868A JP 9155093 A JP9155093 A JP 9155093A JP 15509397 A JP15509397 A JP 15509397A JP H113868 A JPH113868 A JP H113868A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】アニール工程のランプアニール装置において、
ウェーハ面内の温度ばらつきを押える。 【解決手段】アニール時のウェーハ１６の実温をモニタ
ーし、この信号によってウェーハ加熱用のランプヒータ
１４の電力を制御させる際の、ウェーハ実温モニター用
の接触式温度センサーである熱電対１７が、処理室（チ
ャンバー）中でウェーハを保持するサセプター１２もし
くは台座に埋め込み型となっており、かつこれらが、ウ
ェーハ面内の複数位置に設置されることにより、ウェー
ハ面内の実温を詳細にモニターし、この温度により各ラ
ンプ１４を個別に制御する。
ウェーハ面内の温度ばらつきを押える。 【解決手段】アニール時のウェーハ１６の実温をモニタ
ーし、この信号によってウェーハ加熱用のランプヒータ
１４の電力を制御させる際の、ウェーハ実温モニター用
の接触式温度センサーである熱電対１７が、処理室（チ
ャンバー）中でウェーハを保持するサセプター１２もし
くは台座に埋め込み型となっており、かつこれらが、ウ
ェーハ面内の複数位置に設置されることにより、ウェー
ハ面内の実温を詳細にモニターし、この温度により各ラ
ンプ１４を個別に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はランプアニール装置
およびランプアニール方法に係わり、特に半導体装置の
製造段階の半導体基板である半導体ウェーハ（以下、ウ
ェーハ、と称す）の表面に、ＴｉＮ，Ｔｉ等のメタル薄
膜を形成後、これらのメタルと基板とのオーミックコン
タクトを形成する為に行なったり、イオン注入後、注入
原子の電気的な活性化等の為に行なわれる工程における
ランプアニール装置およびランプアニール方法に関す
る。
およびランプアニール方法に係わり、特に半導体装置の
製造段階の半導体基板である半導体ウェーハ（以下、ウ
ェーハ、と称す）の表面に、ＴｉＮ，Ｔｉ等のメタル薄
膜を形成後、これらのメタルと基板とのオーミックコン
タクトを形成する為に行なったり、イオン注入後、注入
原子の電気的な活性化等の為に行なわれる工程における
ランプアニール装置およびランプアニール方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】拡散層の不都合の拡散を防止する等のた
めにウェーハ製造においてランプアニール技術が広く用
いられている。
めにウェーハ製造においてランプアニール技術が広く用
いられている。
【０００３】一方ウェーハの大型化にともない、ウェー
ハの中央部と周辺部の温度差を抑制するために、例えば
特開平６１−１９８７３５号公報にはウェーハの中央
部、中間部、周辺部に温度センサを取り付け、上方に複
数のリング状のランプを同心円状に配置し、これら温度
センサーからの信号により各ランプへ供給される電力を
個別に制御するランプアニール装置が開示されている。
ハの中央部と周辺部の温度差を抑制するために、例えば
特開平６１−１９８７３５号公報にはウェーハの中央
部、中間部、周辺部に温度センサを取り付け、上方に複
数のリング状のランプを同心円状に配置し、これら温度
センサーからの信号により各ランプへ供給される電力を
個別に制御するランプアニール装置が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術では、サセプタまたは処理室内でウェーハを保持す
る台座には何の工夫もされていないから、ウェーハを裁
置するごとに複数の温度センサをランプに対面するウェ
ーハ表面もしくはウェーハ表面側に取り付ける必要があ
る。
技術では、サセプタまたは処理室内でウェーハを保持す
る台座には何の工夫もされていないから、ウェーハを裁
置するごとに複数の温度センサをランプに対面するウェ
ーハ表面もしくはウェーハ表面側に取り付ける必要があ
る。
【０００５】ウェーハ表面に接触式温度センサーを取り
付ける場合は、取り付けに多くの工数を必要とするから
作業性が低下しかつ取り付け位置のバラツキによる不都
合を生じる。また、ウェーハ表面の複数の取り付け箇所
の半導体素子が破損してしまう。さらに、ランプに対面
するウェーハ表面に取り付けるから、温度センサがラン
プからの輻射を直接受けることになり、ウェーハ自体の
温度を正確に検知することが不可能になる。
付ける場合は、取り付けに多くの工数を必要とするから
作業性が低下しかつ取り付け位置のバラツキによる不都
合を生じる。また、ウェーハ表面の複数の取り付け箇所
の半導体素子が破損してしまう。さらに、ランプに対面
するウェーハ表面に取り付けるから、温度センサがラン
プからの輻射を直接受けることになり、ウェーハ自体の
温度を正確に検知することが不可能になる。
【０００６】一方、ウェーハ表面側に複数の放射温度計
を温度センサーとして裁置する場合は、複数の放射温度
計を裁置するための広いスペースが必要であり、ウェー
ハ面内の複数箇所をモニターすることが困難となる。さ
らにこの放射温度計はウェーハの温度を直接測定するも
のではなく、かつウェーハの表面状態により異なる値を
示すから、ウェーハの実際の温度に基づいてランプの電
力制御を正確に行うことが不可能となる。
を温度センサーとして裁置する場合は、複数の放射温度
計を裁置するための広いスペースが必要であり、ウェー
ハ面内の複数箇所をモニターすることが困難となる。さ
らにこの放射温度計はウェーハの温度を直接測定するも
のではなく、かつウェーハの表面状態により異なる値を
示すから、ウェーハの実際の温度に基づいてランプの電
力制御を正確に行うことが不可能となる。
【０００７】さらにサセプタを用いて大型のウェーハ例
えば８インチ径以上のウェーハにおけるオーミックコン
タクトアニールやイオン活性熱処理をする際に、ウェー
ハの中央部と周辺部との関係より、サセプタ出し入れ方
向において異なる電力制御を必要とする場合があるが、
上記従来技術では複数のリング状のランプを同心円状に
配置するものであるから、このよう場合の必要な電力制
御が不可能となる。
えば８インチ径以上のウェーハにおけるオーミックコン
タクトアニールやイオン活性熱処理をする際に、ウェー
ハの中央部と周辺部との関係より、サセプタ出し入れ方
向において異なる電力制御を必要とする場合があるが、
上記従来技術では複数のリング状のランプを同心円状に
配置するものであるから、このよう場合の必要な電力制
御が不可能となる。
【０００８】したがって本発明の目的は、作業性を向上
させてウェーハの個々の箇所の温度を正確に検知し、こ
れによりウェーハの温度分布均一化するランプアニール
装置を提供することである。
させてウェーハの個々の箇所の温度を正確に検知し、こ
れによりウェーハの温度分布均一化するランプアニール
装置を提供することである。
【０００９】本発明の他の目的は、大型化されたウェー
ハにおいてオーミックコンタクトアニールやイオン活性
化アニールをウェーハの各箇所に対応した精密な電力制
御のもとに行うことができるランプアニール方法を提供
することである。
ハにおいてオーミックコンタクトアニールやイオン活性
化アニールをウェーハの各箇所に対応した精密な電力制
御のもとに行うことができるランプアニール方法を提供
することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、ウェー
ハを熱処理するランプアニール装置において、前記ウェ
ーハを処理室に搬入，取り出し，かつ、保持したまま処
理する為のサセプタまたは、処理室内で前記ウェーハを
保持する台座と、前記サセプタまたは台座に埋め込ま
れ、ウェーハ搭載表面にその温度検知部を露出させる複
数の接触式温度センサーと、複数のランプ（ランプヒー
タ）とを有し、これら温度センサーからの信号により各
ランプへ供給される電力を個別に制御可能とするランプ
アニール装置にある。ここで複数の前記ランプはたがい
に平行にかつ前記サセプタの搬入，取り出し方向に配列
された棒状のランプであることができる。または、複数
の前記ランプは、たがいに平行に第１の方向に配列され
た第１段の棒状のランプと、たがいに平行に前記第１の
方向と直角の第２の方向に配列され、前記第１段とは前
記ウェーハからの距離の異なる第２段の棒状のランプと
から構成されていることができる。また、前記ランプア
ニール装置は、半導体基板上にメタル薄膜を形成したウ
ェーハを熱処理することにより前記半導体基板と前記メ
タル薄膜とのオーミックコンタクトをとるために用いる
装置であることができる。あるいは、前記ランプアニー
ル装置は、半導体基板にイオン注入を行ったウェーハの
該イオンを活性化熱処理する装置であることができる。
ハを熱処理するランプアニール装置において、前記ウェ
ーハを処理室に搬入，取り出し，かつ、保持したまま処
理する為のサセプタまたは、処理室内で前記ウェーハを
保持する台座と、前記サセプタまたは台座に埋め込ま
れ、ウェーハ搭載表面にその温度検知部を露出させる複
数の接触式温度センサーと、複数のランプ（ランプヒー
タ）とを有し、これら温度センサーからの信号により各
ランプへ供給される電力を個別に制御可能とするランプ
アニール装置にある。ここで複数の前記ランプはたがい
に平行にかつ前記サセプタの搬入，取り出し方向に配列
された棒状のランプであることができる。または、複数
の前記ランプは、たがいに平行に第１の方向に配列され
た第１段の棒状のランプと、たがいに平行に前記第１の
方向と直角の第２の方向に配列され、前記第１段とは前
記ウェーハからの距離の異なる第２段の棒状のランプと
から構成されていることができる。また、前記ランプア
ニール装置は、半導体基板上にメタル薄膜を形成したウ
ェーハを熱処理することにより前記半導体基板と前記メ
タル薄膜とのオーミックコンタクトをとるために用いる
装置であることができる。あるいは、前記ランプアニー
ル装置は、半導体基板にイオン注入を行ったウェーハの
該イオンを活性化熱処理する装置であることができる。
【００１１】本発明の他の特徴は、ウェーハを処理室に
搬入，取り出し，かつ、保持したまま処理する為のサセ
プタまたは、処理室内でウェーハを保持する台座と、前
記サセプタまたは台座に埋め込まれ、ウェーハ搭載表面
にその温度検知部を露出させる複数の接触式温度センサ
ーと、複数のランプとを有し、これら温度センサーから
の信号により各ランプへ供給される電力を個別に制御可
能とするランプアニール装置を用いて、半導体基板上に
メタル薄膜、好ましくはＴｉＮ膜もしくはＴｉ膜を形成
したウェーハを熱処理することにより半導体基板とメタ
ル薄膜とのオーミックコンタクトをとるランプアニール
方法にある。もしくは本発明の他の特徴は、ウェーハを
処理室に搬入，取り出し，かつ、保持したまま処理する
為のサセプタまたは、処理室内でウェーハを保持する台
座と、前記サセプタまたは台座に埋め込まれ、ウェーハ
搭載表面にその温度検知部を露出させる複数の接触式温
度センサーと、複数のランプとを有し、これら温度セン
サーからの信号により各ランプへ供給される電力を個別
に制御可能とするランプアニール装置を用いて、半導体
基板にイオン注入を行ったウェーハの該イオンの電気的
を活性化熱処理を行うランプアニール方法にある。
搬入，取り出し，かつ、保持したまま処理する為のサセ
プタまたは、処理室内でウェーハを保持する台座と、前
記サセプタまたは台座に埋め込まれ、ウェーハ搭載表面
にその温度検知部を露出させる複数の接触式温度センサ
ーと、複数のランプとを有し、これら温度センサーから
の信号により各ランプへ供給される電力を個別に制御可
能とするランプアニール装置を用いて、半導体基板上に
メタル薄膜、好ましくはＴｉＮ膜もしくはＴｉ膜を形成
したウェーハを熱処理することにより半導体基板とメタ
ル薄膜とのオーミックコンタクトをとるランプアニール
方法にある。もしくは本発明の他の特徴は、ウェーハを
処理室に搬入，取り出し，かつ、保持したまま処理する
為のサセプタまたは、処理室内でウェーハを保持する台
座と、前記サセプタまたは台座に埋め込まれ、ウェーハ
搭載表面にその温度検知部を露出させる複数の接触式温
度センサーと、複数のランプとを有し、これら温度セン
サーからの信号により各ランプへ供給される電力を個別
に制御可能とするランプアニール装置を用いて、半導体
基板にイオン注入を行ったウェーハの該イオンの電気的
を活性化熱処理を行うランプアニール方法にある。
【００１２】このような本発明によれば、複数の接触式
温度センサーがサセプタまたは台座に埋め込まれている
から、ウェーハごとに複数の温度センサを取り付け必要
がなく、したがって作業性が向上に複数のウェーハに対
する取り付け位置のバラツキが生じない。
温度センサーがサセプタまたは台座に埋め込まれている
から、ウェーハごとに複数の温度センサを取り付け必要
がなく、したがって作業性が向上に複数のウェーハに対
する取り付け位置のバラツキが生じない。
【００１３】またこの埋め込まれた接触式温度センサー
（熱電対）は、サセプタまたは台座の半導体ウェーハ搭
載表面にその温度検知部、すなわち熱電対の先端部を露
出させている。したがってウェーハの裏面に熱電対の温
度検出部である先端部を直接接触することになるから、
表面上の温度センサがランプからの輻射を直接受けるこ
とがなく、したがってウェーハ自体の温度を正確に検知
することできる。
（熱電対）は、サセプタまたは台座の半導体ウェーハ搭
載表面にその温度検知部、すなわち熱電対の先端部を露
出させている。したがってウェーハの裏面に熱電対の温
度検出部である先端部を直接接触することになるから、
表面上の温度センサがランプからの輻射を直接受けるこ
とがなく、したがってウェーハ自体の温度を正確に検知
することできる。
【００１４】また、複数のランプをたがいに平行に配置
された棒状のランプとすることにより、同じ周端部でも
左右の周端部に対してたがいに必要な電力制御を個々に
行うことができる。さらにこの場合、平行に配置された
棒状のランプを２段に配列し、一方の段の配列方向と他
方の段の配列方向を直角にし、各ランプに供給する電力
を制御することにより、中央部と中間部と周端部との温
度制御ならびに中間部における個々の箇所の温度制御、
周端部における個々の箇所の温度制御が可能になる。
された棒状のランプとすることにより、同じ周端部でも
左右の周端部に対してたがいに必要な電力制御を個々に
行うことができる。さらにこの場合、平行に配置された
棒状のランプを２段に配列し、一方の段の配列方向と他
方の段の配列方向を直角にし、各ランプに供給する電力
を制御することにより、中央部と中間部と周端部との温
度制御ならびに中間部における個々の箇所の温度制御、
周端部における個々の箇所の温度制御が可能になる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明の第１の実施の形態のランプ
アニール装置を示す図であり、（Ａ）は側断面図、
（Ｂ）はウェーハをその上方からみた平面図である。
アニール装置を示す図であり、（Ａ）は側断面図、
（Ｂ）はウェーハをその上方からみた平面図である。
【００１７】ＳｉＣ等の耐熱性かつ伝熱性の高い材質か
らなるサセプタ１２のウェーハ搭載表面１２Ａから複数
の熱電対（接触式感温センサー）１７の温度検知部（先
端部）１７Ａが突出して露出し、熱電対１７の配線機能
を有する他の部分は埋め込み部１７Ｂとしてサセプタ１
２内に埋め込まれて、温度検知部１７Ａで得られた検知
温度に関する信号を埋め込み部１７Ｂにより外部に伝達
する。
らなるサセプタ１２のウェーハ搭載表面１２Ａから複数
の熱電対（接触式感温センサー）１７の温度検知部（先
端部）１７Ａが突出して露出し、熱電対１７の配線機能
を有する他の部分は埋め込み部１７Ｂとしてサセプタ１
２内に埋め込まれて、温度検知部１７Ａで得られた検知
温度に関する信号を埋め込み部１７Ｂにより外部に伝達
する。
【００１８】サセプタ１２は石英製の処理室（チャンバ
ー）１１の一方の側端部を閉塞する端板部１８に支持さ
れており、ウェーハ搭載表面１２Ａ上で複数の熱電対の
温度感知部１７Ａに裏面の各箇所をそれぞれ接触した状
態でウェーハ１２を搭載する。
ー）１１の一方の側端部を閉塞する端板部１８に支持さ
れており、ウェーハ搭載表面１２Ａ上で複数の熱電対の
温度感知部１７Ａに裏面の各箇所をそれぞれ接触した状
態でウェーハ１２を搭載する。
【００１９】この状態で端板部１８により支持されたサ
セプタ１２が、方向１００に示すように移動し、搭載し
たウェーハ１６を処理室１１内に搬入し、処理中に保持
し、処理後に、処理室１１から搬出させる。
セプタ１２が、方向１００に示すように移動し、搭載し
たウェーハ１６を処理室１１内に搬入し、処理中に保持
し、処理後に、処理室１１から搬出させる。
【００２０】また石英製の処理室（チャンバー）の上側
および下側にはそれぞれ１本１本独立した複数のハロゲ
ンランプ等の棒状のランプ（ランプヒータ）１４が、図
２に示すように、たがいに平行に、かつサセプタの搬
入、取り出し方向１００と同一方向に配列している。
および下側にはそれぞれ１本１本独立した複数のハロゲ
ンランプ等の棒状のランプ（ランプヒータ）１４が、図
２に示すように、たがいに平行に、かつサセプタの搬
入、取り出し方向１００と同一方向に配列している。
【００２１】熱処理において、ウェーハ１６のそれぞれ
の箇所の温度を検知し、その情報により複数のランプ１
４に供給する電力を個別に制御することにより、ウェー
ハ１６のそれぞれの箇所に対応するランプからの輻射熱
量を制御して、ウェーハの各箇所が所定の温度となるよ
うに、例えばウェーハ全体が均一の温度になるように制
御する。すなわちそれぞれの熱電対によりその熱電対に
一番近いランプの電力を制御する。
の箇所の温度を検知し、その情報により複数のランプ１
４に供給する電力を個別に制御することにより、ウェー
ハ１６のそれぞれの箇所に対応するランプからの輻射熱
量を制御して、ウェーハの各箇所が所定の温度となるよ
うに、例えばウェーハ全体が均一の温度になるように制
御する。すなわちそれぞれの熱電対によりその熱電対に
一番近いランプの電力を制御する。
【００２２】図３には、複数の熱電対１７の埋め込み部
１７Ｂから取り出された信号がそれぞれの配線２１によ
りコントローラー２２に送られ、そこからの信号がそれ
ぞれ配線２３により電力制御部２４に送られ、そこから
の制御された電力が配線２５によりそれぞれのランプ１
４に送られる制御系統を示している。尚、図３はそれぞ
れのランプ１４にそれぞれの電力が供給されることを示
すものであるから、実際の装置では、図１に示すように
ウェーハ上に重畳してランプ配列が位置しているが、図
３ではランプ配列をずらして図示してある。
１７Ｂから取り出された信号がそれぞれの配線２１によ
りコントローラー２２に送られ、そこからの信号がそれ
ぞれ配線２３により電力制御部２４に送られ、そこから
の制御された電力が配線２５によりそれぞれのランプ１
４に送られる制御系統を示している。尚、図３はそれぞ
れのランプ１４にそれぞれの電力が供給されることを示
すものであるから、実際の装置では、図１に示すように
ウェーハ上に重畳してランプ配列が位置しているが、図
３ではランプ配列をずらして図示してある。
【００２３】またこの実施の形態では、中央のランプ１
４に対しては、５個の熱電対が対処しているから、この
５個の熱電対からの信号の平均値により中央のランプ１
４の電力制御を行うことができる。
４に対しては、５個の熱電対が対処しているから、この
５個の熱電対からの信号の平均値により中央のランプ１
４の電力制御を行うことができる。
【００２４】また図１、図２ではサセプタ１２の搬入、
取り出し方向にのみ配列されたランプを示した。しかし
これを図４のように変更することも可能である。
取り出し方向にのみ配列されたランプを示した。しかし
これを図４のように変更することも可能である。
【００２５】すなわち図４（Ａ）は変更したランプ配列
を示す上面図であり、図４（Ｂ）はその側断面図であ
る。この変更例では、たがいに平行に第１の方向１００
に配列された第１段の棒状のランプ１４Ａと、たがいに
平行に第１の方向１００と直角の第２の方向に配列さ
れ、第１段とはウェーハ１６からの距離の異なる第２段
の棒状のランプ１４Ｂとから構成されている。
を示す上面図であり、図４（Ｂ）はその側断面図であ
る。この変更例では、たがいに平行に第１の方向１００
に配列された第１段の棒状のランプ１４Ａと、たがいに
平行に第１の方向１００と直角の第２の方向に配列さ
れ、第１段とはウェーハ１６からの距離の異なる第２段
の棒状のランプ１４Ｂとから構成されている。
【００２６】このような構成により、ウェーハ１６の各
箇所の温度は第１段のそれぞれの棒状のランプ１４Ａの
電力と第２段のそれぞれの棒状のランプ１４Ｂの電力と
の組み合わせにより定まるから、２次元的にウェーハの
全箇所についてマトリックス状に温度管理をすることが
できる。
箇所の温度は第１段のそれぞれの棒状のランプ１４Ａの
電力と第２段のそれぞれの棒状のランプ１４Ｂの電力と
の組み合わせにより定まるから、２次元的にウェーハの
全箇所についてマトリックス状に温度管理をすることが
できる。
【００２７】次に、本発明の実施の形態の動作につい
て、より具体的に図１を参照して詳細に説明する。図１
（Ａ）で、処理されるウェーハ１６は、ロボットアーム
等によってサセプタ１２のウェーハ搭載表面１２Ａ上に
搬送される。この時、ウェーハ１６は、あらかじめ、ウ
ェーハ１６のオリエンテーションフラット等の方向を整
えた後に、サセプタ１２上に搬送される。サセプタ１２
上のウェーハ１６は、サセプタ１２とともに、チャンバ
ー１０１内に搬入される。サセプタ１２は、矢印１００
の様に図で左右に移動する。
て、より具体的に図１を参照して詳細に説明する。図１
（Ａ）で、処理されるウェーハ１６は、ロボットアーム
等によってサセプタ１２のウェーハ搭載表面１２Ａ上に
搬送される。この時、ウェーハ１６は、あらかじめ、ウ
ェーハ１６のオリエンテーションフラット等の方向を整
えた後に、サセプタ１２上に搬送される。サセプタ１２
上のウェーハ１６は、サセプタ１２とともに、チャンバ
ー１０１内に搬入される。サセプタ１２は、矢印１００
の様に図で左右に移動する。
【００２８】チャンバー１１内に搬入されたウェーハ１
６は、ランプ１４によって、一定時間，一定温度でアニ
ールされる。通常、このアニールシーケンスは、２００
〜３００℃から昇温させ〜１０００℃で１分程度処理す
る様な、ランピングシーケンスで実施される。所定の時
間処理後、ウェーハ１６はチャンバー１１内から搬出さ
れ、再度ロボットアーム等により、サセプタ１２上から
取り外され、これで１サイクル終了となる。
６は、ランプ１４によって、一定時間，一定温度でアニ
ールされる。通常、このアニールシーケンスは、２００
〜３００℃から昇温させ〜１０００℃で１分程度処理す
る様な、ランピングシーケンスで実施される。所定の時
間処理後、ウェーハ１６はチャンバー１１内から搬出さ
れ、再度ロボットアーム等により、サセプタ１２上から
取り外され、これで１サイクル終了となる。
【００２９】処理を通じて、チャンバー１１の中は、外
気の巻き込み防止の為、Ｎ2 等の不活性ガスによって常
時、置換されている。ガス導入口１３から導入されたＮ
2 ガスは、ガス排気口１５より排気される。
気の巻き込み防止の為、Ｎ2 等の不活性ガスによって常
時、置換されている。ガス導入口１３から導入されたＮ
2 ガスは、ガス排気口１５より排気される。
【００３０】このランプアニール装置を用いたランプア
ニール方法は、図５に示すような半導体基板とメタル薄
膜とのオーミックコンタクトをとるための熱処理や、図
６に示すようなイオンの電気的を活性化熱処理に用いる
ことができる。
ニール方法は、図５に示すような半導体基板とメタル薄
膜とのオーミックコンタクトをとるための熱処理や、図
６に示すようなイオンの電気的を活性化熱処理に用いる
ことができる。
【００３１】すなわち図５において、シリコン基板４１
に拡散層４２が形成され、絶縁膜４３のコンタクトホー
ル内で拡散層４２にＴｉＮ膜、Ｔｉ膜等のメタル薄膜４
４が接続した状態のウェーハ１６を上記ランプアニール
を行うことにより、メタル薄膜４４と拡散層４２の良好
なオーミックコンタクト４５をとることができる。
に拡散層４２が形成され、絶縁膜４３のコンタクトホー
ル内で拡散層４２にＴｉＮ膜、Ｔｉ膜等のメタル薄膜４
４が接続した状態のウェーハ１６を上記ランプアニール
を行うことにより、メタル薄膜４４と拡散層４２の良好
なオーミックコンタクト４５をとることができる。
【００３２】また図６において、Ｐ型シリコン基板４１
上の絶縁膜４２の開口を通してＮ型不純物４６がイオン
注入された状態のウェーハ１６を上記ランプアニールを
行うことにより、この注入イオンの電気的を活性化熱処
理を有効に行うことができる。
上の絶縁膜４２の開口を通してＮ型不純物４６がイオン
注入された状態のウェーハ１６を上記ランプアニールを
行うことにより、この注入イオンの電気的を活性化熱処
理を有効に行うことができる。
【００３３】次に、本発明の第２の実施の形態について
図７を参照して説明する。尚、図７において図１と同一
もしくは類似の箇所は同じ符号を付してあるから、重複
する説明は省略する。
図７を参照して説明する。尚、図７において図１と同一
もしくは類似の箇所は同じ符号を付してあるから、重複
する説明は省略する。
【００３４】先の図１の実施の形態の場合、ウェーハ１
６は、チャンバー１１内で、サセプタ１２に保持された
状態でアニールされるのに対し、この第２の実施の形態
の場合、チャンバー１１内に設置されたＳｉＣ製の台座
３２のウェーハ搭載表面３２Ａに、端板部３８に設けら
れたウェーハ入出口３６を通してロボットアーム等によ
りウェーハ１６を設置し、チャンバーの扉３７を閉じ
て、アニールするという相違点がある。
６は、チャンバー１１内で、サセプタ１２に保持された
状態でアニールされるのに対し、この第２の実施の形態
の場合、チャンバー１１内に設置されたＳｉＣ製の台座
３２のウェーハ搭載表面３２Ａに、端板部３８に設けら
れたウェーハ入出口３６を通してロボットアーム等によ
りウェーハ１６を設置し、チャンバーの扉３７を閉じ
て、アニールするという相違点がある。
【００３５】第２の実施の形態においても、ウェーハ１
６の温度をモニターする複数の熱電対１７はその埋め込
み部１７Ｂが台座３２に埋め込まれており、ウェーハ搭
載表面３２Ａにその温度検知部１７Ａを突出露出させる
ことで、ウェーハ面内の複数位置をウェーハ裏面からモ
ニターする構造となっている。
６の温度をモニターする複数の熱電対１７はその埋め込
み部１７Ｂが台座３２に埋め込まれており、ウェーハ搭
載表面３２Ａにその温度検知部１７Ａを突出露出させる
ことで、ウェーハ面内の複数位置をウェーハ裏面からモ
ニターする構造となっている。
【００３６】また第２の実施の形態でも図３に示すよう
な制御を行い、図５、図６に示すようなアニールを行
う。さらに第２の実施の形態でも図４に示すようなラン
プの配列を採用することができる。
な制御を行い、図５、図６に示すようなアニールを行
う。さらに第２の実施の形態でも図４に示すようなラン
プの配列を採用することができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明の第１の効果は、ウェーハごとに
複数の温度センサを取り付ける必要がなく、したがって
作業性が向上に複数のウェーハに対する取り付け位置の
バラツキがを生じない。
複数の温度センサを取り付ける必要がなく、したがって
作業性が向上に複数のウェーハに対する取り付け位置の
バラツキがを生じない。
【００３８】その理由は、複数の接触式温度センサーが
サセプタまたは台座に埋め込まれているからである。
サセプタまたは台座に埋め込まれているからである。
【００３９】本発明の第２の効果は、ウェーハ自体の温
度を正確に検知することできる。
度を正確に検知することできる。
【００４０】その理由は、埋め込まれた接触式温度セン
サー（熱電対）は、サセプタまたは台座の半導体ウェー
ハ搭載表面にその温度検知部、すなわち熱電対の先端部
を露出させている。したがってウェーハの裏面に熱電対
の温度検出部である先端部を直接接触することになるか
ら、表面上の温度センサがランプからの輻射を直接受け
ることがないからである。
サー（熱電対）は、サセプタまたは台座の半導体ウェー
ハ搭載表面にその温度検知部、すなわち熱電対の先端部
を露出させている。したがってウェーハの裏面に熱電対
の温度検出部である先端部を直接接触することになるか
ら、表面上の温度センサがランプからの輻射を直接受け
ることがないからである。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態のランプ配列を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施の形態の制御を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態のランプ配列を変形したラ
ンプ配列を示す図である。
ンプ配列を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態のランプアニールの一例を
示す図である。
示す図である。
【図６】本発明の実施の形態のランプアニールの他の例
を示す図である。
を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態を示す図である。
１１ 処理室（チャンバー） １２ サセプタ １２Ａ サセプタのウェーハ搭載表面 １３ ガス導入口 １４、１４Ａ、１４Ｂ ランプ（ランプヒーター） １５ ガス排気口 １６ ウェーハ １７ 熱電対 １７Ａ 熱電対の温度検知部（先端部） １７Ｂ 熱電対の埋め込み部 １８ サセプタを支持する端板部 ２１ 配線 ２２ コントローラ ２３ 配線 ２４ 電力制御部 ２５ 配線 ３２ 台座 ３２Ａ 台座のウェーハ搭載表面 ３６ ウェーハ入出口 ３７ 扉 ３８ 端板部 ４１ シリコン基板 ４２ 拡散層 ４３ 絶縁膜 ４４ メタル薄膜 ４５ オーミックコンタクト ４６ イオン注入されたイオン
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体ウェーハを熱処理するランプアニ
ール装置において、前記半導体ウェーハを処理室に搬
入，取り出し，かつ、保持したまま処理する為のサセプ
タまたは、処理室内で前記半導体ウェーハを保持する台
座と、前記サセプタまたは台座に埋め込まれ、半導体ウ
ェーハ搭載表面にその温度検知部を露出させる複数の接
触式温度センサーと、複数のランプとを有し、これら温
度センサーからの信号により各ランプへ供給される電力
を個別に制御可能とすることを特徴とするランプアニー
ル装置。 - 【請求項２】 複数の前記ランプはたがいに平行にかつ
前記サセプタの搬入、取り出し方向に配列された棒状の
ランプであることを特徴とする請求項１記載のランプア
ニール装置。 - 【請求項３】 複数の前記ランプは、たがいに平行に第
１の方向に配列された第１段の棒状のランプと、たがい
に平行に前記第１の方向と直角の第２の方向に配列さ
れ、前記第１段とは前記半導体ウェーハからの距離の異
なる第２段の棒状のランプとから構成されていることを
特徴とする請求項１記載のランプアニール装置。 - 【請求項４】 熱処理前の前記半導体ウェーハは半導体
基板上にメタル薄膜を形成した状態であり、前記熱処理
により前記半導体基板と前記メタル薄膜とのオーミック
コンタクトをとることを特徴とする請求項１記載のラン
プアニール装置。 - 【請求項５】 熱処理前の前記半導体ウェーハは半導体
基板にイオン注入を行った状態であり、前記熱処理によ
り前記イオンを電気的に活性化することを特徴とする請
求項１記載のランプアニール装置。 - 【請求項６】 半導体ウェーハを処理室に搬入，取り出
し，かつ、保持したまま処理する為のサセプタまたは、
処理室内で半導体ウェーハを保持する台座と、前記サセ
プタまたは台座に埋め込まれ、半導体ウェーハ搭載表面
にその温度検知部を露出させる複数の接触式温度センサ
ーと、複数のランプとを有し、これら温度センサーから
の信号により各ランプへ供給される電力を個別に制御可
能とするランプアニール装置を用いて、半導体基板上に
メタル薄膜を形成した半導体ウェーハを熱処理すること
により前記半導体基板と前記メタル薄膜とのオーミック
コンタクトをとることを特徴とするランプアニール方
法。 - 【請求項７】 前記メタル薄膜はＴｉＮ膜もしくはＴｉ
膜であることを特徴とする請求項６記載のランプアニー
ル方法。 - 【請求項８】 半導体ウェーハを処理室に搬入，取り出
し，かつ、保持したまま処理する為のサセプタまたは、
処理室内で半導体ウェーハを保持する台座と、前記サセ
プタまたは台座に埋め込まれ、半導体ウェーハ搭載表面
にその温度検知部を露出させる複数の接触式温度センサ
ーと、複数のランプとを有し、これら温度センサーから
の信号により各ランプへ供給される電力を個別に制御可
能とするランプアニール装置を用いて、半導体基板にイ
オン注入を行った半導体ウェーハの該イオンの電気的を
活性化熱処理を行うことを特徴とするランプアニール方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155093A JPH113868A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | ランプアニール装置およびランプアニール方法 |
| CN98102423A CN1118092C (zh) | 1997-06-12 | 1998-06-12 | 灯退火装置及灯退火方法 |
| KR10-1998-0022016A KR100374369B1 (ko) | 1997-06-12 | 1998-06-12 | 램프어닐링장치및램프어닐링방법 |
| US09/096,497 US6635852B1 (en) | 1997-06-12 | 1998-06-12 | Method and apparatus for lamp anneal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155093A JPH113868A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | ランプアニール装置およびランプアニール方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113868A true JPH113868A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15598492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9155093A Pending JPH113868A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | ランプアニール装置およびランプアニール方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6635852B1 (ja) |
| JP (1) | JPH113868A (ja) |
| KR (1) | KR100374369B1 (ja) |
| CN (1) | CN1118092C (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000072636A1 (de) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum thermischen behandeln von substraten |
| KR100438881B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2004-07-05 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치용 웨이퍼 보유체 및 그것을 이용한반도체 제조 장치 |
| JP2008288480A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010153889A (ja) * | 2010-02-10 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014081350A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-05-08 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定機構及び温度測定方法 |
| JP2015015479A (ja) * | 2009-02-25 | 2015-01-22 | クリスタル・ソーラー・インコーポレーテッド | 複数のウェハを同時に処理するためのリアクタ |
| JP2020061589A (ja) * | 2015-08-26 | 2020-04-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6744346B1 (en) * | 1998-02-27 | 2004-06-01 | Micron Technology, Inc. | Electronic device workpieces, methods of semiconductor processing and methods of sensing temperature of an electronic device workpiece |
| US6967497B1 (en) | 1998-08-21 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Wafer processing apparatuses and electronic device workpiece processing apparatuses |
| US6229322B1 (en) * | 1998-08-21 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | Electronic device workpiece processing apparatus and method of communicating signals within an electronic device workpiece processing apparatus |
| JP4029613B2 (ja) * | 2001-12-25 | 2008-01-09 | ウシオ電機株式会社 | 閃光放射装置および光加熱装置 |
| US6784017B2 (en) * | 2002-08-12 | 2004-08-31 | Precision Dynamics Corporation | Method of creating a high performance organic semiconductor device |
| US20080090309A1 (en) * | 2003-10-27 | 2008-04-17 | Ranish Joseph M | Controlled annealing method |
| US8536492B2 (en) | 2003-10-27 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Processing multilayer semiconductors with multiple heat sources |
| US7910499B2 (en) * | 2004-11-12 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Autofocus for high power laser diode based annealing system |
| KR100809966B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스 제조장치 및 이에 대한 수평 감지 방법 |
| CN103337457B (zh) * | 2013-05-29 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 退火装置和退火工艺 |
| CN106505018B (zh) * | 2016-11-01 | 2019-04-26 | 杭州长川科技股份有限公司 | 吸盘表面温度均匀性检测装置及检测方法 |
| CN111900099B (zh) * | 2020-08-28 | 2023-02-10 | 上海华力微电子有限公司 | 退火设备的温度监控方法 |
| CN113899477B (zh) * | 2021-12-07 | 2022-02-18 | 深圳市诺泰芯装备有限公司 | 一种测试温度校验治具及方法 |
| CN114485170B (zh) * | 2021-12-27 | 2024-04-30 | 江苏邑文微电子科技有限公司 | 快速退火炉加热系统以及温度控制方法 |
| CN116798916A (zh) * | 2023-07-05 | 2023-09-22 | 扬州韩思半导体科技有限公司 | 一种单片式半导体晶圆快速退火装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3836751A (en) * | 1973-07-26 | 1974-09-17 | Applied Materials Inc | Temperature controlled profiling heater |
| JPS61198735A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Fujitsu Ltd | フラツシユランプアニ−ル装置 |
| US4680451A (en) * | 1985-07-29 | 1987-07-14 | A. G. Associates | Apparatus using high intensity CW lamps for improved heat treating of semiconductor wafers |
| JPH03210784A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置 |
| JPH03252127A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-11 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 気相成長装置の温度制御方法 |
| JPH0482215A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ランプアニール装置 |
| JP2780866B2 (ja) * | 1990-10-11 | 1998-07-30 | 大日本スクリーン製造 株式会社 | 光照射加熱基板の温度測定装置 |
| JPH05190559A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | アニール装置 |
| JP2824003B2 (ja) * | 1993-02-16 | 1998-11-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の温度測定装置 |
| JPH0711446A (ja) * | 1993-05-27 | 1995-01-13 | Applied Materials Inc | 気相成長用サセプタ装置 |
| JPH07221154A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | 温度検出装置および半導体製造装置 |
| JPH07316811A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-05 | Hitachi Ltd | 多点温度モニタによる温度制御方法及び半導体製造装置 |
| JPH08302474A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-19 | Anelva Corp | Ｃｖｄ装置の加熱装置 |
| US5837555A (en) * | 1996-04-12 | 1998-11-17 | Ast Electronik | Apparatus and method for rapid thermal processing |
| US5951896A (en) * | 1996-12-04 | 1999-09-14 | Micro C Technologies, Inc. | Rapid thermal processing heater technology and method of use |
| TW325148U (en) * | 1997-01-23 | 1998-01-11 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | Temperature processing device |
-
1997
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000072636A1 (de) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum thermischen behandeln von substraten |
| JP2003500844A (ja) * | 1999-05-21 | 2003-01-07 | シュテアク エルテーペー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板を熱処理する装置及び方法 |
| US6614005B1 (en) | 1999-05-21 | 2003-09-02 | Steag Rtp Systems Gmbh | Device and method for thermally treating substrates |
| KR100438881B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2004-07-05 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 반도체 제조 장치용 웨이퍼 보유체 및 그것을 이용한반도체 제조 장치 |
| JP2008288480A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015015479A (ja) * | 2009-02-25 | 2015-01-22 | クリスタル・ソーラー・インコーポレーテッド | 複数のウェハを同時に処理するためのリアクタ |
| JP2010153889A (ja) * | 2010-02-10 | 2010-07-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014081350A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-05-08 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定機構及び温度測定方法 |
| JP2020061589A (ja) * | 2015-08-26 | 2020-04-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
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