JP2824003B2 - 基板の温度測定装置 - Google Patents
基板の温度測定装置Info
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- JP2824003B2 JP2824003B2 JP5051597A JP5159793A JP2824003B2 JP 2824003 B2 JP2824003 B2 JP 2824003B2 JP 5051597 A JP5051597 A JP 5051597A JP 5159793 A JP5159793 A JP 5159793A JP 2824003 B2 JP2824003 B2 JP 2824003B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/16—Special arrangements for conducting heat from the object to the sensitive element
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、熱処理装置、例えば
光照射加熱装置（ランプアニール装置）、スパッタリン
グ装置、ＣＶＤ装置、エピタキシャル成長装置などによ
り半導体基板等の各種基板（以下、「ウエハ」という）
に対して各種の熱処理を施す場合に、熱処理中のウエハ
の温度を接触式で測定する温度測定装置に関し、特に、
ウエハに測温体を接触させてウエハの温度を測定する装
置において、ウエハに測温体が適正に接触しているか否
かを簡易に検知できるようにするための技術に係るもの
である。
光照射加熱装置（ランプアニール装置）、スパッタリン
グ装置、ＣＶＤ装置、エピタキシャル成長装置などによ
り半導体基板等の各種基板（以下、「ウエハ」という）
に対して各種の熱処理を施す場合に、熱処理中のウエハ
の温度を接触式で測定する温度測定装置に関し、特に、
ウエハに測温体を接触させてウエハの温度を測定する装
置において、ウエハに測温体が適正に接触しているか否
かを簡易に検知できるようにするための技術に係るもの
である。
【０００２】
【従来の技術】各種の熱処理装置によりウエハに対し加
熱炉内等において各種の熱処理を施して半導体装置等を
製造する場合、熱処理中のウエハの温度を正確に測定す
ることが極めて重要である。ウエハの温度を測定する方
法には、温度検知器の測温体をウエハに直接に接触させ
て測温する接触式と、赤外線放射温度計を用いてウエハ
表面から放射されるエネルギーを検知することにより測
温する非接触式とがある。このうち、ウエハの温度を接
触式で測定する温度測定装置として、特開平４−１４８
５４５号公報には、測温体の一部を平坦面に形成し、そ
の測温体の平坦面でウエハの一部を支持して、ウエハに
測温体を面接触させるようにした装置が開示されてい
る。このウエハの温度測定装置の構成を図９ないし図11
に基づいてより詳しく以下に説明する。
熱炉内等において各種の熱処理を施して半導体装置等を
製造する場合、熱処理中のウエハの温度を正確に測定す
ることが極めて重要である。ウエハの温度を測定する方
法には、温度検知器の測温体をウエハに直接に接触させ
て測温する接触式と、赤外線放射温度計を用いてウエハ
表面から放射されるエネルギーを検知することにより測
温する非接触式とがある。このうち、ウエハの温度を接
触式で測定する温度測定装置として、特開平４−１４８
５４５号公報には、測温体の一部を平坦面に形成し、そ
の測温体の平坦面でウエハの一部を支持して、ウエハに
測温体を面接触させるようにした装置が開示されてい
る。このウエハの温度測定装置の構成を図９ないし図11
に基づいてより詳しく以下に説明する。
【０００３】図９は、ウエハの温度測定装置が使用され
る熱処理装置、この例では光照射型熱処理装置の概略構
成の１例を示し、一部を縦断面で表わした要部正面図で
あり、図10は、温度測定装置の測温体を、図９に示した
装置のウエハ支持器（サセプタ）の一部及びウエハと共
に示した平面図であり、図11は、温度測定装置の測温体
でウエハの一部を支持している状態を説明するための斜
視図である。但し、図９では、測温体の図示を省略して
おり、また図11では、サセプタの図示を省略している。
る熱処理装置、この例では光照射型熱処理装置の概略構
成の１例を示し、一部を縦断面で表わした要部正面図で
あり、図10は、温度測定装置の測温体を、図９に示した
装置のウエハ支持器（サセプタ）の一部及びウエハと共
に示した平面図であり、図11は、温度測定装置の測温体
でウエハの一部を支持している状態を説明するための斜
視図である。但し、図９では、測温体の図示を省略して
おり、また図11では、サセプタの図示を省略している。
【０００４】最初に、図９により、光照射型熱処理装置
の概略構成について説明する。図において、40は、ウエ
ハの挿入及び取出し用の開口42を備えた加熱炉であり、
この加熱炉40は、赤外線透過性を有する石英ガラスによ
って形成されている。また、加熱炉40の開口42に連接す
るように、筒状に形成された前室44が設けられている。
この前室44の前端開口面は、蓋体46によって閉塞される
ようになっており、前室44の前端面と蓋体46との当接面
には樹脂製パッキン48が装着されていて、蓋体46による
加熱炉40の密閉時に加熱炉40内を気密に保持できるよう
な構造となっている。また、加熱炉40の上下方向にはそ
れぞれ、加熱炉40の上壁面及び下壁面に対向してハロゲ
ンランプ、キセノンアークランプ等の光照射用光源50が
複数個列設されている。また、各光源50の背後には、反
射板52がそれぞれ配設されている。
の概略構成について説明する。図において、40は、ウエ
ハの挿入及び取出し用の開口42を備えた加熱炉であり、
この加熱炉40は、赤外線透過性を有する石英ガラスによ
って形成されている。また、加熱炉40の開口42に連接す
るように、筒状に形成された前室44が設けられている。
この前室44の前端開口面は、蓋体46によって閉塞される
ようになっており、前室44の前端面と蓋体46との当接面
には樹脂製パッキン48が装着されていて、蓋体46による
加熱炉40の密閉時に加熱炉40内を気密に保持できるよう
な構造となっている。また、加熱炉40の上下方向にはそ
れぞれ、加熱炉40の上壁面及び下壁面に対向してハロゲ
ンランプ、キセノンアークランプ等の光照射用光源50が
複数個列設されている。また、各光源50の背後には、反
射板52がそれぞれ配設されている。
【０００５】蓋体46の内面側には、石英製のサセプタ
（ウエハ支持器）54が固設されており、サセプタ54のウ
エハ支持部56にウエハ10が載置されて支持されている。
また、蓋体46の外面側は支持ブロック58に固着されてお
り、図示しない駆動機構により支持ブロック58を矢印方
向に直線移動させることにより、蓋体46を開閉させると
ともに、開口42を通して加熱炉40内へウエハ10を搬入
し、また加熱炉40内からウエハ10を搬出する構成となっ
ている。そして、多数枚のウエハを１枚ずつ連続して順
次熱処理する場合は、加熱炉40内から熱処理後のウエハ
10が搬出されると、その熱処理後のウエハ10は図示しな
い搬送アームによりサセプタ54上から取り去られ、続い
て、次に熱処理しようとするウエハが搬送アームにより
サセプタ54上へ移載され、その未処理ウエハが再び加熱
炉40内へ搬入されて次の熱処理操作が行なわれる。
（ウエハ支持器）54が固設されており、サセプタ54のウ
エハ支持部56にウエハ10が載置されて支持されている。
また、蓋体46の外面側は支持ブロック58に固着されてお
り、図示しない駆動機構により支持ブロック58を矢印方
向に直線移動させることにより、蓋体46を開閉させると
ともに、開口42を通して加熱炉40内へウエハ10を搬入
し、また加熱炉40内からウエハ10を搬出する構成となっ
ている。そして、多数枚のウエハを１枚ずつ連続して順
次熱処理する場合は、加熱炉40内から熱処理後のウエハ
10が搬出されると、その熱処理後のウエハ10は図示しな
い搬送アームによりサセプタ54上から取り去られ、続い
て、次に熱処理しようとするウエハが搬送アームにより
サセプタ54上へ移載され、その未処理ウエハが再び加熱
炉40内へ搬入されて次の熱処理操作が行なわれる。
【０００６】そして、図10に示すように、ウエハ10は、
石英製のサセプタ54の先端の円環部60に突出形成された
２本の突出支持部62、62と、温度測定装置の測温体64の
先端部分との３点で水平に支持されている。尚、サセプ
タ54及び測温体64は、図示しない部分で固定されて水平
に保持されている。測温体64は、例えばシース熱電対を
細管状の被覆部材に内挿して、シース熱電対の全身を被
覆部材で被覆した構造を有している。被覆部材は、例え
ばＣＶＤ法によって製造された高純度ＳｉＣ（シリコン
カーバイド）から形成されており、高耐熱性、高熱伝導
性を有し、また、薄肉で細管状に形成されているため、
ウエハ10に比べて熱容量が極めて小さく、さらに、ウエ
ハ30の表面に対する汚染源となるような不純物質を含有
していないため、ウエハ10に対して汚染性を有しない。
また、シース熱電対は、例えばシース部の外径が０．３
mm、長さが２００mm程度であり、細管状被覆部材の先端
付近まで深く挿入されている。
石英製のサセプタ54の先端の円環部60に突出形成された
２本の突出支持部62、62と、温度測定装置の測温体64の
先端部分との３点で水平に支持されている。尚、サセプ
タ54及び測温体64は、図示しない部分で固定されて水平
に保持されている。測温体64は、例えばシース熱電対を
細管状の被覆部材に内挿して、シース熱電対の全身を被
覆部材で被覆した構造を有している。被覆部材は、例え
ばＣＶＤ法によって製造された高純度ＳｉＣ（シリコン
カーバイド）から形成されており、高耐熱性、高熱伝導
性を有し、また、薄肉で細管状に形成されているため、
ウエハ10に比べて熱容量が極めて小さく、さらに、ウエ
ハ30の表面に対する汚染源となるような不純物質を含有
していないため、ウエハ10に対して汚染性を有しない。
また、シース熱電対は、例えばシース部の外径が０．３
mm、長さが２００mm程度であり、細管状被覆部材の先端
付近まで深く挿入されている。
【０００７】測温体64の被覆部材は、図11に示すよう
に、先端が閉塞された細長い円管状に形成されており、
例えば外径が０．８mm、内径が０．４mm、長さが２００
mm程度のものである。また、測温体64の被覆部材の先端
部は、例えば幅が０．５mm、長さが１５mm程度の平坦面
66に加工形成されており、測温体64は、その先端部の平
坦面66でウエハ10と面接触するように配置される。
に、先端が閉塞された細長い円管状に形成されており、
例えば外径が０．８mm、内径が０．４mm、長さが２００
mm程度のものである。また、測温体64の被覆部材の先端
部は、例えば幅が０．５mm、長さが１５mm程度の平坦面
66に加工形成されており、測温体64は、その先端部の平
坦面66でウエハ10と面接触するように配置される。
【０００８】上記したような構成を有する測温体64は、
その先端部の平坦面66で先端から１０mm程度にわたって
ウエハ10を支持していて、常にウエハ10と面接触してい
る。そして、図９に示したような光照射型熱処理装置に
よりウエハ10が熱処理される過程で、ウエハ10が加熱さ
れてその表面温度が上昇すると、熱伝導により測温体64
の被覆部材も加熱されて温度が上昇する。このとき、測
温体64の被覆部材は、ウエハ10に比べて熱容量が極めて
小さく、またウエハ10と面接触しているので、熱伝導効
率が極めて高いため、測温体64の被覆部材は、熱伝導に
より加熱されて速やかにウエハ10の温度と同一温度にな
る。そして、被覆部材の先端付近まで内挿されているシ
ース熱電対によって被覆部材の先端部の温度が正確に測
定される。
その先端部の平坦面66で先端から１０mm程度にわたって
ウエハ10を支持していて、常にウエハ10と面接触してい
る。そして、図９に示したような光照射型熱処理装置に
よりウエハ10が熱処理される過程で、ウエハ10が加熱さ
れてその表面温度が上昇すると、熱伝導により測温体64
の被覆部材も加熱されて温度が上昇する。このとき、測
温体64の被覆部材は、ウエハ10に比べて熱容量が極めて
小さく、またウエハ10と面接触しているので、熱伝導効
率が極めて高いため、測温体64の被覆部材は、熱伝導に
より加熱されて速やかにウエハ10の温度と同一温度にな
る。そして、被覆部材の先端付近まで内挿されているシ
ース熱電対によって被覆部材の先端部の温度が正確に測
定される。
【０００９】ところで、上記したように温度測定装置の
測温体をウエハに直接接触させてウエハの温度を測定す
る方法では、その測温精度は、測温体とウエハとの接触
状態に大きく依存する。すなわち、ウエハをサセプタ上
に載せ損なったり、湾曲等のウエハの形状不良があった
り、サセプタや測温体のセッティングが悪かったりする
と、測温体とウエハとの接触状態が悪くなり、ウエハの
正確な温度を測定することができなくなる。そこで、測
温体とウエハとが適正に接触しているか否かを確認する
必要があるが、この接触状態の良否は、従来、目視によ
り測温体とウエハとがほぼ適正に接触していることを確
認した上で、ウエハに対し実際に熱処理を施し、熱処理
後においてウエハを検査し、その検査データに基づいて
ウエハが目的の温度で熱処理されているか否かを判定す
ることにより、その確認を行なうようにしていた。
測温体をウエハに直接接触させてウエハの温度を測定す
る方法では、その測温精度は、測温体とウエハとの接触
状態に大きく依存する。すなわち、ウエハをサセプタ上
に載せ損なったり、湾曲等のウエハの形状不良があった
り、サセプタや測温体のセッティングが悪かったりする
と、測温体とウエハとの接触状態が悪くなり、ウエハの
正確な温度を測定することができなくなる。そこで、測
温体とウエハとが適正に接触しているか否かを確認する
必要があるが、この接触状態の良否は、従来、目視によ
り測温体とウエハとがほぼ適正に接触していることを確
認した上で、ウエハに対し実際に熱処理を施し、熱処理
後においてウエハを検査し、その検査データに基づいて
ウエハが目的の温度で熱処理されているか否かを判定す
ることにより、その確認を行なうようにしていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
半導体装置の製造工程において、ウエハの１枚１枚に対
し上記のような確認を行ないながらウエハの熱処理を行
なっていたのでは、極めて生産性が悪くなる。一方、生
産性の低下を避けるために、何百枚或いは何千枚のウエ
ハを熱処理するごとに１回だけ上記確認を行なうように
したときには、その一連の熱処理の途中において何らか
の原因により測温体とウエハとの接触状態の悪化が生じ
ても、それを確認することができず、そのまま次の確認
操作が行なわれる時点まで不良な熱処理が行なわれる恐
れがあり、歩留まりの低下を招く、といった問題点があ
る。
半導体装置の製造工程において、ウエハの１枚１枚に対
し上記のような確認を行ないながらウエハの熱処理を行
なっていたのでは、極めて生産性が悪くなる。一方、生
産性の低下を避けるために、何百枚或いは何千枚のウエ
ハを熱処理するごとに１回だけ上記確認を行なうように
したときには、その一連の熱処理の途中において何らか
の原因により測温体とウエハとの接触状態の悪化が生じ
ても、それを確認することができず、そのまま次の確認
操作が行なわれる時点まで不良な熱処理が行なわれる恐
れがあり、歩留まりの低下を招く、といった問題点があ
る。
【００１１】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、ウエハの温度を接触式で測定しなが
らウエハに対し熱処理を施す場合に、熱処理前にウエハ
と測温体との接触状態が適正であるか否かを自動的に検
知することができるウエハの温度測定装置を提供するこ
とを技術的課題とし、もって、生産性を損なうことな
く、測温の信頼性を確保するとともに不良な熱処理を未
然に防止してウエハの熱処理における歩留まりの低下を
防ぐことを目的とする。
されたものであり、ウエハの温度を接触式で測定しなが
らウエハに対し熱処理を施す場合に、熱処理前にウエハ
と測温体との接触状態が適正であるか否かを自動的に検
知することができるウエハの温度測定装置を提供するこ
とを技術的課題とし、もって、生産性を損なうことな
く、測温の信頼性を確保するとともに不良な熱処理を未
然に防止してウエハの熱処理における歩留まりの低下を
防ぐことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、加熱手段に
よって加熱されるウエハの温度を、そのウエハに温度検
知手段の測温体を接触させて測定するようにした温度測
定装置において、以下の各手段を備えたことを特徴とす
る。すなわち、この発明に係る温度測定装置は、加熱さ
れ、ウエハに接触していない状態の測温体に、室温下に
あるウエハが適正に接触した時点から測温体が時間の経
過に従って温度降下するときの状態変化を表わす特性値
を入力するための入力手段と、この入力手段によって入
力された前記特性値を記憶する記憶手段と、加熱され、
ウエハに接触していない状態の測温体に、室温下にある
被処理ウエハが接触した時点から測温体が時間の経過に
従って温度降下するときの状態変化を表わす数値を算出
する演算手段と、この演算手段によって算出された前記
数値と前記記憶手段に記憶された前記特性値とを比較
し、その比較結果に基づいて測温体と被処理ウエハとの
接触状態が適正であるか否かを判定し、測温体と被処理
ウエハとの接触状態が適正でないと判定されたときに異
常信号を出力する比較判定手段と、この比較判定手段か
ら出力される異常信号を受けて作動する、画面表示や音
で異常を報知する警報器、加熱手段の駆動を停止させて
ウエハの熱処理を中止する駆動制御器などの出力手段と
を備えている。
よって加熱されるウエハの温度を、そのウエハに温度検
知手段の測温体を接触させて測定するようにした温度測
定装置において、以下の各手段を備えたことを特徴とす
る。すなわち、この発明に係る温度測定装置は、加熱さ
れ、ウエハに接触していない状態の測温体に、室温下に
あるウエハが適正に接触した時点から測温体が時間の経
過に従って温度降下するときの状態変化を表わす特性値
を入力するための入力手段と、この入力手段によって入
力された前記特性値を記憶する記憶手段と、加熱され、
ウエハに接触していない状態の測温体に、室温下にある
被処理ウエハが接触した時点から測温体が時間の経過に
従って温度降下するときの状態変化を表わす数値を算出
する演算手段と、この演算手段によって算出された前記
数値と前記記憶手段に記憶された前記特性値とを比較
し、その比較結果に基づいて測温体と被処理ウエハとの
接触状態が適正であるか否かを判定し、測温体と被処理
ウエハとの接触状態が適正でないと判定されたときに異
常信号を出力する比較判定手段と、この比較判定手段か
ら出力される異常信号を受けて作動する、画面表示や音
で異常を報知する警報器、加熱手段の駆動を停止させて
ウエハの熱処理を中止する駆動制御器などの出力手段と
を備えている。
【００１３】
【作用】上記構成の温度測定装置では、加熱された状態
の測温体に室温状態のウエハが適正に接触した場合にお
ける、その接触時点から時間経過に従って測温体が温度
降下するときの状態変化を表わす特性値を予め求めてお
き、ウエハの熱処理に先立って入力手段によりその特性
値を入力し記憶手段に記憶させておく。そして、実際に
ウエハを熱処理してその熱処理後のウエハを取り去った
後の測温体、熱処理を行なうことなく測温体を加熱炉内
に挿入しておき、その加熱炉内から取り出した直後の測
温体など、加熱された状態にある測温体に、室温下に置
かれていた被処理ウエハを接触させ、測温体の温度変化
を測定し、その測温結果に基づいて演算手段により、測
温体と被処理ウエハとの接触時点から時間経過に従って
測温体が温度降下するときの状態変化を表わす数値が算
出される。次に、比較判定手段において、演算手段によ
って算出された前記数値と記憶手段に記憶された前記特
性値とが比較され、その比較結果に基づいて測温体と被
処理ウエハとの接触状態が適正であるか否かが判定さ
れ、その接触状態が適正でないと判定されたときに、比
較判定手段から異常信号が出力される。そして、この異
常信号が警報器、加熱手段の駆動制御器等の出力手段に
送信されて、当該ウエハの熱処理が中止される。一方、
比較判定手段から異常信号が出力されないときは、当該
ウエハの熱処理工程へ進む。以上のようにして、ウエハ
の熱処理前に測温体とウエハとの接触状態が適正である
か否かが自動的に検知される。
の測温体に室温状態のウエハが適正に接触した場合にお
ける、その接触時点から時間経過に従って測温体が温度
降下するときの状態変化を表わす特性値を予め求めてお
き、ウエハの熱処理に先立って入力手段によりその特性
値を入力し記憶手段に記憶させておく。そして、実際に
ウエハを熱処理してその熱処理後のウエハを取り去った
後の測温体、熱処理を行なうことなく測温体を加熱炉内
に挿入しておき、その加熱炉内から取り出した直後の測
温体など、加熱された状態にある測温体に、室温下に置
かれていた被処理ウエハを接触させ、測温体の温度変化
を測定し、その測温結果に基づいて演算手段により、測
温体と被処理ウエハとの接触時点から時間経過に従って
測温体が温度降下するときの状態変化を表わす数値が算
出される。次に、比較判定手段において、演算手段によ
って算出された前記数値と記憶手段に記憶された前記特
性値とが比較され、その比較結果に基づいて測温体と被
処理ウエハとの接触状態が適正であるか否かが判定さ
れ、その接触状態が適正でないと判定されたときに、比
較判定手段から異常信号が出力される。そして、この異
常信号が警報器、加熱手段の駆動制御器等の出力手段に
送信されて、当該ウエハの熱処理が中止される。一方、
比較判定手段から異常信号が出力されないときは、当該
ウエハの熱処理工程へ進む。以上のようにして、ウエハ
の熱処理前に測温体とウエハとの接触状態が適正である
か否かが自動的に検知される。
【００１４】次に、図２に基づいて、測温体とウエハと
の接触状態が適正であるか否かを判別する方法の１例を
具体的に説明する。
の接触状態が適正であるか否かを判別する方法の１例を
具体的に説明する。
【００１５】例えば、熱処理後のウエハを、約３００〜
５００℃の温度に加熱された状態で加熱炉外へ搬出した
場合、このウエハに接触している測温体も同一温度とな
っている。そして、熱処理後のウエハと未処理のウエハ
とがサセプタ（ウエハ支持器）に載せ換えられる直前に
は、測温体は冷されて大体１００〜２５０℃程度の温度
となっている。一方、次に熱処理しようとするウエハは
室温下にあり、この室温状態のウエハがサセプタに載せ
換えられ、ウエハが測温体に接触すると、測温体は、そ
れより低温のウエハから熱伝導によって急激に冷され
る。このとき、測温体の温度の時間的変化は、ウエハと
の接触状態に大きく依存し、測温体とウエハとの接触状
態が適正である場合に比べて接触状態が不良であるとき
は、降温程度が緩やかになる。そこで、測温体とウエハ
との接触状態が適正である場合における温度変化を予め
求めておき、この温度変化の状態と被処理ウエハを測温
体に接触させたときにおける温度変化の状態との比較か
ら、被処理ウエハと測温体との接触状態の適否を検知し
ようとするものである。その検知方法の１例を具体的に
示すと、次の通りである。
５００℃の温度に加熱された状態で加熱炉外へ搬出した
場合、このウエハに接触している測温体も同一温度とな
っている。そして、熱処理後のウエハと未処理のウエハ
とがサセプタ（ウエハ支持器）に載せ換えられる直前に
は、測温体は冷されて大体１００〜２５０℃程度の温度
となっている。一方、次に熱処理しようとするウエハは
室温下にあり、この室温状態のウエハがサセプタに載せ
換えられ、ウエハが測温体に接触すると、測温体は、そ
れより低温のウエハから熱伝導によって急激に冷され
る。このとき、測温体の温度の時間的変化は、ウエハと
の接触状態に大きく依存し、測温体とウエハとの接触状
態が適正である場合に比べて接触状態が不良であるとき
は、降温程度が緩やかになる。そこで、測温体とウエハ
との接触状態が適正である場合における温度変化を予め
求めておき、この温度変化の状態と被処理ウエハを測温
体に接触させたときにおける温度変化の状態との比較か
ら、被処理ウエハと測温体との接触状態の適否を検知し
ようとするものである。その検知方法の１例を具体的に
示すと、次の通りである。
【００１６】室温状態のウエハがサセプタ上に載置され
て測温体に接触した時点をｔ0、そのｔ0時点における測
温体の温度をθ0として、そのｔ0時点以後における測温
体の温度の時間的変化の例を図２に示す。図中、曲線Ａ
が、測温体とウエハとの接触状態が適正であるときの温
度変化、曲線Ｂが、その接触状態が悪いときの温度変化
をそれぞれ示している。図にも示されている通り、測温
体とウエハとの接触状態が適正であるときは、ウエハか
ら測温体への熱伝導が速やかに行なわれるため、接触状
態が悪い場合に比べて温度降下が早い。
て測温体に接触した時点をｔ0、そのｔ0時点における測
温体の温度をθ0として、そのｔ0時点以後における測温
体の温度の時間的変化の例を図２に示す。図中、曲線Ａ
が、測温体とウエハとの接触状態が適正であるときの温
度変化、曲線Ｂが、その接触状態が悪いときの温度変化
をそれぞれ示している。図にも示されている通り、測温
体とウエハとの接触状態が適正であるときは、ウエハか
ら測温体への熱伝導が速やかに行なわれるため、接触状
態が悪い場合に比べて温度降下が早い。
【００１７】ここで、ｔ0時点から一定時間（例えば５
秒）経過したｔ2時点における曲線Ａ及びＢにおける各
温度をそれぞれθ2a、θ2bとし、その途中のｔ1時点
（例えばｔ0時点から１．５秒経過した時点）における
曲線Ａ及びＢにおける各温度をそれぞれθ1a、θ1bとす
る。そして、ｔ0時点からｔ2時点までの温度降下量（θ
0−θ2a、θ0−θ2b）に対するｔ0時点からｔ1時点まで
の温度降下量（θ0−θ1a、θ0−θ1b）の比率（以下、
「到達率」という）をそれぞれＲa、Ｒbとすると、Ｒa
＝（θ0−θ1a）／（θ0−θ2a）×１００(％)、Ｒb＝
（θ0−θ1b）／（θ0−θ2b）×１００(％)となり、Ｒ
a＞Ｒbとなる。そこで、測温体とウエハとの接触状態の
適否を判別する基準の到達率をＲth（Ｒa≧Ｒth＞Ｒb）
として設定しておき、処理しようとするウエハごとに到
達率Ｒを算出して、Ｒ≧Ｒthであれば接触状態が正常で
あり、Ｒ＜Ｒthであれば接触状態が不良であると判別す
るようにする。
秒）経過したｔ2時点における曲線Ａ及びＢにおける各
温度をそれぞれθ2a、θ2bとし、その途中のｔ1時点
（例えばｔ0時点から１．５秒経過した時点）における
曲線Ａ及びＢにおける各温度をそれぞれθ1a、θ1bとす
る。そして、ｔ0時点からｔ2時点までの温度降下量（θ
0−θ2a、θ0−θ2b）に対するｔ0時点からｔ1時点まで
の温度降下量（θ0−θ1a、θ0−θ1b）の比率（以下、
「到達率」という）をそれぞれＲa、Ｒbとすると、Ｒa
＝（θ0−θ1a）／（θ0−θ2a）×１００(％)、Ｒb＝
（θ0−θ1b）／（θ0−θ2b）×１００(％)となり、Ｒ
a＞Ｒbとなる。そこで、測温体とウエハとの接触状態の
適否を判別する基準の到達率をＲth（Ｒa≧Ｒth＞Ｒb）
として設定しておき、処理しようとするウエハごとに到
達率Ｒを算出して、Ｒ≧Ｒthであれば接触状態が正常で
あり、Ｒ＜Ｒthであれば接触状態が不良であると判別す
るようにする。
【００１８】
【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
【００１９】図１は、この発明に係るウエハの温度測定
装置の概略構成の１例を、熱処理装置の構成の一部と共
に示すブロック図である。このウエハの温度測定装置が
使用される熱処理装置の構成例、並びに、この温度測定
装置の測温体の構成例については、図９ないし図11を参
照しながら上記したので、それらの詳細な説明は省略す
る。
装置の概略構成の１例を、熱処理装置の構成の一部と共
に示すブロック図である。このウエハの温度測定装置が
使用される熱処理装置の構成例、並びに、この温度測定
装置の測温体の構成例については、図９ないし図11を参
照しながら上記したので、それらの詳細な説明は省略す
る。
【００２０】図１において、出力ユニット30は、サイリ
スタＳＣＲを内蔵しており、温度制御器32からの出力に
応じ、加熱炉40に配設された光源50（図９参照）の出力
を制御するものである。ＣＰＵ18の熱処理装置制御回路
26は、メモリ装置16に記憶されている出力プログラムに
基づき、ウエハに熱処理を施す際に光源50の出力を制御
するための制御信号を温度制御器32へ送り、温度制御器
32は、測温体12によって検出され温度変換器34を通して
入力された温度検出信号と、熱処理装置制御回路26から
送られた制御信号とにより、出力ユニット30へ駆動信号
を出力する。
スタＳＣＲを内蔵しており、温度制御器32からの出力に
応じ、加熱炉40に配設された光源50（図９参照）の出力
を制御するものである。ＣＰＵ18の熱処理装置制御回路
26は、メモリ装置16に記憶されている出力プログラムに
基づき、ウエハに熱処理を施す際に光源50の出力を制御
するための制御信号を温度制御器32へ送り、温度制御器
32は、測温体12によって検出され温度変換器34を通して
入力された温度検出信号と、熱処理装置制御回路26から
送られた制御信号とにより、出力ユニット30へ駆動信号
を出力する。
【００２１】そして、このウエハの温度測定装置は、キ
ーボード14、メモリ装置16、演算回路20、比較回路22、
判定回路24及び警報器28などを備えている。キーボード
14は、加熱された状態の測温体12と室温下にあるウエハ
とが適正に接触した場合における測温体12の温度の時間
的変化の状態を表わす特性値、例えば測温体とウエハと
の接触状態の適否を判別する基準となる上記した到達率
Ｒthを入力するためのものであり、また、メモリ装置16
には、キーボード14によって入力された前記基準到達率
Ｒthが記憶され、また、測温体12によって検出された所
定時間後、例えば１．５秒後と５．０秒後の温度が記憶
される。演算回路20では、メモリ装置16に記憶された一
定時間ごとの検出温度に基づき、加熱された状態の測温
体12に次に熱処理されるべき室温状態のウエハが接触し
たときの、測温体12の温度の時間的変化の状態を表わす
数値、例えば上記した到達率Ｒが算出される。また、比
較回路22では、演算回路20によって算出された前記到達
率Ｒとメモリ装置16に記憶された前記基準到達率Ｒthと
が比較され、その比較結果に基づいて判定回路24では、
測温体12と被処理ウエハとの接触状態が適正であるか否
かの判定が行なわれる。そして、判定回路24により、測
温体12と被処理ウエハとの接触状態が適正でないと判定
されたときは、判定回路24から警報器28へ異常信号が送
られ、警報器28により、ディスプレイ画面上にエラーメ
ッセージを表示したり警報音を発したりするなどして、
測温体12と被処理ウエハとの接触状態が不良であること
をオペレータに知らせる。また、同時に、判定回路24か
ら熱処理装置制御回路26へ異常信号が送られ、出力プロ
グラムに基づいて光源50を駆動させるのを停止させて加
熱を止めたり、或いは、光源50を低出力で駆動させて加
熱炉40内部を保温状態に加熱したりする。また、被処理
ウエハを加熱炉40内へ搬入するのを止めて、ウエハの熱
処理工程へ移行するのを止める。一方、判定回路24によ
り、測温体12と被処理ウエハとの接触状態が適正である
と判定されたときは、判定回路24から熱処理装置制御回
路26へ正常信号が送られ、ウエハの熱処理工程へと進
む。
ーボード14、メモリ装置16、演算回路20、比較回路22、
判定回路24及び警報器28などを備えている。キーボード
14は、加熱された状態の測温体12と室温下にあるウエハ
とが適正に接触した場合における測温体12の温度の時間
的変化の状態を表わす特性値、例えば測温体とウエハと
の接触状態の適否を判別する基準となる上記した到達率
Ｒthを入力するためのものであり、また、メモリ装置16
には、キーボード14によって入力された前記基準到達率
Ｒthが記憶され、また、測温体12によって検出された所
定時間後、例えば１．５秒後と５．０秒後の温度が記憶
される。演算回路20では、メモリ装置16に記憶された一
定時間ごとの検出温度に基づき、加熱された状態の測温
体12に次に熱処理されるべき室温状態のウエハが接触し
たときの、測温体12の温度の時間的変化の状態を表わす
数値、例えば上記した到達率Ｒが算出される。また、比
較回路22では、演算回路20によって算出された前記到達
率Ｒとメモリ装置16に記憶された前記基準到達率Ｒthと
が比較され、その比較結果に基づいて判定回路24では、
測温体12と被処理ウエハとの接触状態が適正であるか否
かの判定が行なわれる。そして、判定回路24により、測
温体12と被処理ウエハとの接触状態が適正でないと判定
されたときは、判定回路24から警報器28へ異常信号が送
られ、警報器28により、ディスプレイ画面上にエラーメ
ッセージを表示したり警報音を発したりするなどして、
測温体12と被処理ウエハとの接触状態が不良であること
をオペレータに知らせる。また、同時に、判定回路24か
ら熱処理装置制御回路26へ異常信号が送られ、出力プロ
グラムに基づいて光源50を駆動させるのを停止させて加
熱を止めたり、或いは、光源50を低出力で駆動させて加
熱炉40内部を保温状態に加熱したりする。また、被処理
ウエハを加熱炉40内へ搬入するのを止めて、ウエハの熱
処理工程へ移行するのを止める。一方、判定回路24によ
り、測温体12と被処理ウエハとの接触状態が適正である
と判定されたときは、判定回路24から熱処理装置制御回
路26へ正常信号が送られ、ウエハの熱処理工程へと進
む。
【００２２】図７は、加熱された状態の測温体に室温
（２３℃）下にあるウエハを接触させたときに、時間経
過に従って測温体の温度が降下する様子を示したグラフ
図である。図７において、曲線Ｉは、図８に示したよう
にウエハ10と測温体12との隙間ｄが０μｍであるときの
測温体12の温度変化を示し、曲線IIは、前記隙間ｄが２
０μｍであるときの測温体12の温度変化を示し、また、
曲線IIIは、前記隙間ｄが５０μｍであるときの測温体1
2の温度変化を示す。図７から分かるように、測温体12
とウエハ10との接触状態の如何によって測温体12の温度
変化の状態が相違する。従って、上記したように、測温
体12の温度の時間的変化の状態を表わす数値、例えば到
達率に基づいて測温体12とウエハ10との接触状態の適否
を判別できることが確認された。
（２３℃）下にあるウエハを接触させたときに、時間経
過に従って測温体の温度が降下する様子を示したグラフ
図である。図７において、曲線Ｉは、図８に示したよう
にウエハ10と測温体12との隙間ｄが０μｍであるときの
測温体12の温度変化を示し、曲線IIは、前記隙間ｄが２
０μｍであるときの測温体12の温度変化を示し、また、
曲線IIIは、前記隙間ｄが５０μｍであるときの測温体1
2の温度変化を示す。図７から分かるように、測温体12
とウエハ10との接触状態の如何によって測温体12の温度
変化の状態が相違する。従って、上記したように、測温
体12の温度の時間的変化の状態を表わす数値、例えば到
達率に基づいて測温体12とウエハ10との接触状態の適否
を判別できることが確認された。
【００２３】次に、図３ないし図６に示したフローチャ
ートに基づいて、このウエハの温度測定装置による検知
動作の１例について説明する。
ートに基づいて、このウエハの温度測定装置による検知
動作の１例について説明する。
【００２４】熱処理後のウエハ10を載置支持したサセプ
タ54が加熱炉40内から搬出され、熱処理後のウエハ10が
搬送アームによってサセプタ54上から取り去られ、次に
熱処理しようとするウエハ10が搬送アームによってサセ
プタ54上へ移載されると、まず、測温体12から温度変換
器34を介して入力される温度検出信号が、所定の高温
（θ0）付近の温度を示しているか否かをチェックす
る。これは、入力されている温度検出信号が、メモリ装
置16が予め記憶している所定のしきい値（θc：例えば
１００℃）よりも高い温度を示しているか否かを、比較
回路22にて比較判断してなされる。もし、入力されてい
る温度検出信号が所定のしきい値θc以下の温度を示し
ている場合には、測温関係の機器が故障している旨の測
温機器異常信号を第２の警報器29に出力し、そのディス
プレイ画面上にエラーメッセージを表示するなどの警報
処理を行なう。これにより、万一、測温体12や温度変換
器34が故障しているために、測温体の降温レートの算出
が困難になったり、誤って算出してしまって、基板が載
置されているにもかかわらず載置されていないと誤った
判断をしてしまうような虞がなくなる。
タ54が加熱炉40内から搬出され、熱処理後のウエハ10が
搬送アームによってサセプタ54上から取り去られ、次に
熱処理しようとするウエハ10が搬送アームによってサセ
プタ54上へ移載されると、まず、測温体12から温度変換
器34を介して入力される温度検出信号が、所定の高温
（θ0）付近の温度を示しているか否かをチェックす
る。これは、入力されている温度検出信号が、メモリ装
置16が予め記憶している所定のしきい値（θc：例えば
１００℃）よりも高い温度を示しているか否かを、比較
回路22にて比較判断してなされる。もし、入力されてい
る温度検出信号が所定のしきい値θc以下の温度を示し
ている場合には、測温関係の機器が故障している旨の測
温機器異常信号を第２の警報器29に出力し、そのディス
プレイ画面上にエラーメッセージを表示するなどの警報
処理を行なう。これにより、万一、測温体12や温度変換
器34が故障しているために、測温体の降温レートの算出
が困難になったり、誤って算出してしまって、基板が載
置されているにもかかわらず載置されていないと誤った
判断をしてしまうような虞がなくなる。
【００２５】次に、サセプタ54上に被処理ウエハ10が載
置されたことを検出する。この検出は、例えば図４に示
すように、測温体12の温度変化率をチェックすることに
より行なわれる。すなわち、サセプタ54上に室温状態の
ウエハ10が載置されると、測温体12がウエハ10に接触す
ることによって測温体12の温度が急激に降下することに
なるため、測温体12の降温レートが、予め実験により求
めておいた、ウエハが載置されたと判断するときの基準
レートと等しいかそれ以上の値になったときに、サセプ
タ54上にウエハ10が載置されたと判断する。そして、そ
のｔ0時点における測温体12の温度θ0をメモリ装置16に
記憶する。
置されたことを検出する。この検出は、例えば図４に示
すように、測温体12の温度変化率をチェックすることに
より行なわれる。すなわち、サセプタ54上に室温状態の
ウエハ10が載置されると、測温体12がウエハ10に接触す
ることによって測温体12の温度が急激に降下することに
なるため、測温体12の降温レートが、予め実験により求
めておいた、ウエハが載置されたと判断するときの基準
レートと等しいかそれ以上の値になったときに、サセプ
タ54上にウエハ10が載置されたと判断する。そして、そ
のｔ0時点における測温体12の温度θ0をメモリ装置16に
記憶する。
【００２６】次に、予め設定された時点における測温体
12の温度を順次メモリ装置16に記憶していく。この処理
により、図５に示すように、サセプタ54上にウエハ10が
載置されたｔ0時点からＴ1時間（１．５秒）経過したｔ
1時点における測温体12の温度θ1がメモリ装置16に記憶
され、続いて、ｔ0時点からＴ2時間（５．０秒）経過し
たｔ2時点における測温体12の温度θ2がメモリ装置16に
記憶される。
12の温度を順次メモリ装置16に記憶していく。この処理
により、図５に示すように、サセプタ54上にウエハ10が
載置されたｔ0時点からＴ1時間（１．５秒）経過したｔ
1時点における測温体12の温度θ1がメモリ装置16に記憶
され、続いて、ｔ0時点からＴ2時間（５．０秒）経過し
たｔ2時点における測温体12の温度θ2がメモリ装置16に
記憶される。
【００２７】測温体12の温度の記憶処理が終了すると、
図３に示すように、測温体12とウエハ10との接触状態が
適正であるか否かが判別される。この判別は、演算回路
20、比較回路22及び判定回路24において、到達率Ｒ＝
（θ0−θ1）／（θ0−θ2）×１００(％)を算出し、そ
の算出された到達率Ｒと、予め実験により求めておい
た、測温体12とウエハ10との接触状態が適正であると判
断するときの基準到達率Ｒthとを比較し、Ｒ≧Ｒthであ
れば接触状態が正常であり、Ｒ＜Ｒthであれば接触状態
が不良であると判定することにより行なわれる。そし
て、測温体12とウエハ10との接触状態が正常であると判
定されたときは、そのままウエハ10の熱処理工程へと進
む。一方、測温体12とウエハ10との接触状態が異常であ
ると判定されたときは、警報処理が行なわれる。この警
報処理は、例えば図６に示すように、被処理ウエハ10を
加熱炉40内へ搬入するのを中止し、警報器28のディスプ
レイ画面上にエラーメッセージを表示することにより行
なわれる。
図３に示すように、測温体12とウエハ10との接触状態が
適正であるか否かが判別される。この判別は、演算回路
20、比較回路22及び判定回路24において、到達率Ｒ＝
（θ0−θ1）／（θ0−θ2）×１００(％)を算出し、そ
の算出された到達率Ｒと、予め実験により求めておい
た、測温体12とウエハ10との接触状態が適正であると判
断するときの基準到達率Ｒthとを比較し、Ｒ≧Ｒthであ
れば接触状態が正常であり、Ｒ＜Ｒthであれば接触状態
が不良であると判定することにより行なわれる。そし
て、測温体12とウエハ10との接触状態が正常であると判
定されたときは、そのままウエハ10の熱処理工程へと進
む。一方、測温体12とウエハ10との接触状態が異常であ
ると判定されたときは、警報処理が行なわれる。この警
報処理は、例えば図６に示すように、被処理ウエハ10を
加熱炉40内へ搬入するのを中止し、警報器28のディスプ
レイ画面上にエラーメッセージを表示することにより行
なわれる。
【００２８】この発明に係るウエハの温度測定装置は上
記したような構成を有しているが、この発明の範囲は、
上記説明並びに図面の内容によって限定されず、要旨を
逸脱しない範囲で種々の変形例を包含し得る。例えば、
上記説明では、到達率といったパラメータを使用して測
温体と基板との接触状態の適否を判定するようにした
が、その判定は別の値、例えば測温体と基板との接触時
点から一定時間経過後における測温体の温度降下量、一
定時点における温度勾配などの数値を媒介として行なう
ようにしてもよい。また、測温体は、ウエハに直接に接
触して測温するものであればよく、その構成、形状など
も上記実施例のものに限定されない。さらに、上記説明
では、熱処理装置として光照射型熱処理装置を例示した
が、スパッタリング装置、ＣＶＤ装置、エピタキシャル
成長装置などにおけるウエハの温度測定装置としても、
この発明は適用し得るし、また、上記実施例のようにサ
セプタ及び測温体を加熱炉に出し入れするのではなく、
サセプタ及び測温体を加熱炉内に常時固定しておき、ウ
エハを搬送アームにより加熱炉に出し入れして、ウエハ
を炉内に設置されたサセプタと搬送アームとの間で移載
する構成の熱処理装置のウエハ温度測定装置としても、
この発明は適用し得る。
記したような構成を有しているが、この発明の範囲は、
上記説明並びに図面の内容によって限定されず、要旨を
逸脱しない範囲で種々の変形例を包含し得る。例えば、
上記説明では、到達率といったパラメータを使用して測
温体と基板との接触状態の適否を判定するようにした
が、その判定は別の値、例えば測温体と基板との接触時
点から一定時間経過後における測温体の温度降下量、一
定時点における温度勾配などの数値を媒介として行なう
ようにしてもよい。また、測温体は、ウエハに直接に接
触して測温するものであればよく、その構成、形状など
も上記実施例のものに限定されない。さらに、上記説明
では、熱処理装置として光照射型熱処理装置を例示した
が、スパッタリング装置、ＣＶＤ装置、エピタキシャル
成長装置などにおけるウエハの温度測定装置としても、
この発明は適用し得るし、また、上記実施例のようにサ
セプタ及び測温体を加熱炉に出し入れするのではなく、
サセプタ及び測温体を加熱炉内に常時固定しておき、ウ
エハを搬送アームにより加熱炉に出し入れして、ウエハ
を炉内に設置されたサセプタと搬送アームとの間で移載
する構成の熱処理装置のウエハ温度測定装置としても、
この発明は適用し得る。
【００２９】
【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、種々の熱処理装置により各種基板に
対して熱処理を施す場合に、この発明に係る基板の温度
測定装置を使用して基板の温度測定を行なうようにした
ときは、熱処理前に基板と測温体との接触状態の適否を
自動的に検知することができるため、生産性を損なうこ
となく、測温の信頼性を確保するとともに不良な熱処理
を未然に防止して基板の熱処理における歩留まりの低下
を防ぐことができる。
かつ作用するので、種々の熱処理装置により各種基板に
対して熱処理を施す場合に、この発明に係る基板の温度
測定装置を使用して基板の温度測定を行なうようにした
ときは、熱処理前に基板と測温体との接触状態の適否を
自動的に検知することができるため、生産性を損なうこ
となく、測温の信頼性を確保するとともに不良な熱処理
を未然に防止して基板の熱処理における歩留まりの低下
を防ぐことができる。
【図１】この発明に係る基板の温度測定装置の概略構成
の１例を、熱処理装置の構成の一部と共に示すブロック
図である。
の１例を、熱処理装置の構成の一部と共に示すブロック
図である。
【図２】この発明に係る基板の温度測定装置において測
温体と基板との接触状態が適正であるか否かを判別する
方法の１例を具体的に説明するためのグラフ図である。
温体と基板との接触状態が適正であるか否かを判別する
方法の１例を具体的に説明するためのグラフ図である。
【図３】この発明に係る基板の温度測定装置による検知
動作の１例について説明するためのフローチャートであ
る。
動作の１例について説明するためのフローチャートであ
る。
【図４】図３に示した検知動作中、サセプタ上へのウエ
ハの載置検出処理の１例を説明するためのフローチャー
トである。
ハの載置検出処理の１例を説明するためのフローチャー
トである。
【図５】図３に示した検知動作中、測温体の温度の記憶
処理の１例を説明するためのフローチャートである。
処理の１例を説明するためのフローチャートである。
【図６】図３に示した検知動作中、警報処理の１例を説
明するためのフローチャートである。
明するためのフローチャートである。
【図７】加熱された状態の測温体に室温下にあるウエハ
を接触させたときに、時間経過に従って測温体の温度が
降下する様子を示したグラフ図である。
を接触させたときに、時間経過に従って測温体の温度が
降下する様子を示したグラフ図である。
【図８】ウエハと測温体とが接触した状態を示す一部拡
大図である。
大図である。
【図９】基板の温度測定装置が使用される熱処理装置
（光照射型熱処理装置）の概略構成の１例を示し、一部
を縦断面で表わした要部正面図である。
（光照射型熱処理装置）の概略構成の１例を示し、一部
を縦断面で表わした要部正面図である。
【図10】基板の温度測定装置の測温体を、図９に示した
熱処理装置のウエハ支持器（サセプタ）の一部及びウエ
ハと共に示した平面図である。
熱処理装置のウエハ支持器（サセプタ）の一部及びウエ
ハと共に示した平面図である。
【図11】基板の温度測定装置の測温体でウエハの一部を
支持している状態を説明するための斜視図である。
支持している状態を説明するための斜視図である。
10 ウエハ 12 基板の温度測定装置の測温体 14 キーボード（入力手段） 16 メモリ装置（記憶手段） 18 ＣＰＵ 20 演算回路 22 比較回路 24 判定回路 28 警報器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋吉 克一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西工場 内 (56)参考文献 特開 平４−326540（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−333093（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−8141（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66 G01K 7/00 321 H01L 21/324 H05B 3/00 310
Claims (1)
- 【請求項１】 加熱手段によって加熱される基板の温度
を、その基板に温度検知手段の測温体を接触させて測定
するようにした基板の温度測定装置において、 加熱され、基板に接触していない状態の前記測温体に、
室温下にある基板が適正に接触した時点から測温体が時
間の経過に従って温度降下するときの状態変化を表わす
特性値を入力するための入力手段と、 この入力手段によって入力された前記特性値を記憶する
記憶手段と、 加熱され、基板に接触していない状態の前記測温体に、
室温下にある被処理基板が接触した時点から測温体が時
間の経過に従って温度降下するときの状態変化を表わす
数値を算出する演算手段と、 この演算手段によって算出された前記数値と前記記憶手
段に記憶された前記特性値とを比較し、その比較結果に
基づいて前記測温体と被処理基板との接触状態が適正で
あるか否かを判定し、測温体と被処理基板との接触状態
が適正でないと判定されたときに異常信号を出力する比
較判定手段と、 この比較判定手段から出力される異常信号を受けて作動
する出力手段とを備えたことを特徴とする基板の温度測
定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5051597A JP2824003B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 基板の温度測定装置 |
| US08/197,784 US5539855A (en) | 1993-02-16 | 1994-02-16 | Apparatus for measuring the temperature of a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5051597A JP2824003B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 基板の温度測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244259A JPH06244259A (ja) | 1994-09-02 |
| JP2824003B2 true JP2824003B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=12891321
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