JP2019046843A - 搬送装置及び基板処理装置 - Google Patents

搬送装置及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2019046843A
JP2019046843A JP2017165154A JP2017165154A JP2019046843A JP 2019046843 A JP2019046843 A JP 2019046843A JP 2017165154 A JP2017165154 A JP 2017165154A JP 2017165154 A JP2017165154 A JP 2017165154A JP 2019046843 A JP2019046843 A JP 2019046843A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature sensor
wafer
guide
transfer machine
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017165154A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6632583B2 (ja
Inventor
傲 鄭
ao Zheng
傲 鄭
孝祐 長谷川
Kosuke Hasegawa
孝祐 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2017165154A priority Critical patent/JP6632583B2/ja
Priority to KR1020180097906A priority patent/KR102349064B1/ko
Priority to TW107129858A priority patent/TWI723279B/zh
Priority to CN201811004547.3A priority patent/CN109427639B/zh
Publication of JP2019046843A publication Critical patent/JP2019046843A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6632583B2 publication Critical patent/JP6632583B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Abstract

【課題】搬送精度を向上させることが可能な搬送システムを提供すること。【解決手段】一実施形態の搬送装置は、被搬送物の温度を測定する測定位置と、前記測定位置から隔離された待機位置との間で移動する移載機と、先端が前記移載機から突出するように前記移載機に取り付けられ、前記測定位置において前記被搬送物の温度を測定する温度センサと、前記待機位置から前記測定位置への移動方向側に開口を有し、前記温度センサの前記先端を保護するガイドと、を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、搬送装置及び基板処理装置に関する。
従来から、縦長の熱処理炉を有し、ウエハボートに複数枚のウエハを載置した状態で熱処理炉に収容し、ウエハを加熱する熱処理を行う縦型熱処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
縦型熱処理装置では、ウエハに熱処理を行った後、ウエハボートを熱処理炉から搬出し、所定の冷却時間が経過した後、搬送装置がウエハボートからＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）内へウエハを搬送して回収する。冷却時間は、ウエハが所定温度（例えば、８０℃）に冷却されるまでに要する時間と所定の待ち時間（マージン時間）との合計時間である。ウエハが所定温度に冷却されるまでに要する時間は、予備実験の結果等に基づいて予め設定される。
特開２０１６−１７８２１６号公報
しかしながら、上記の装置では、ウエハ搬送に要する時間に所定の待ち時間を含むため、待ち時間の分だけウエハ回収までの時間が長くなる。
そこで、上記課題に鑑み、回収時間を短縮し、生産性の向上を図ることを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る搬送装置は、被搬送物の温度を測定する測定位置と、前記測定位置から隔離された待機位置との間で移動する移載機と、先端が前記移載機から突出するように前記移載機に取り付けられ、前記測定位置において前記被搬送物の温度を測定する温度センサと、前記待機位置から前記測定位置への移動方向側に開口を有し、前記温度センサの前記先端を保護するガイドと、を有する。
開示の搬送装置によれば、回収時間を短縮し、生産性の向上を図ることができる。
本発明の実施形態に係る搬送装置を備える基板処理装置の概略構成図 本発明の実施形態に係る搬送装置を備える基板処理装置の概略平面図 フォークの一例を示す概略平面図 ウエハの温度を測定するときのフォークとウエハの位置関係を示す概略平面図 温度センサ及びガイドの一例を示す図（１） 温度センサ及びガイドの一例を示す図（２） 温度センサ及びガイドの一例を示す図（３） 本発明の実施形態に係るウエハ搬送装置による効果の説明図 フォークの別の例を示す概略平面図 温度センサの応答性を示す図
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
本発明の実施形態に係るウエハ搬送装置は、種々の基板処理装置に適用できるが、理解の容易のために、基板処理装置の一例として縦型熱処理装置を用いた場合を例に挙げて説明する。
本発明の実施形態に係るウエハ搬送装置を備える基板処理装置の構成例について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る搬送装置を備える基板処理装置の概略構成図である。図２は、本発明の実施形態に係る搬送装置を備える基板処理装置の概略平面図である。なお、図２においては、説明の便宜上、図１のロードポート１４の一方とＦＩＭＳポート２４とにキャリアＣが載置されていない状態を示す。
基板処理装置１は、装置の外装体を構成する筐体２に収容されて構成される。筐体２内には、キャリア搬送領域Ｓ１と、ウエハ搬送領域Ｓ２とが形成されている。キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とは、隔壁４により仕切られている。隔壁４には、キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とを連通させ、ウエハＷを搬送するための搬送口６が設けられている。搬送口６は、ＦＩＭＳ（Front-Opening Interface Mechanical Standard）規格に従ったドア機構８により開閉される。ドア機構８には、蓋体開閉装置７の駆動機構が接続されており、駆動機構によりドア機構８は前後方向及び上下方向に移動自在に構成され、搬送口６が開閉される。
以下、キャリア搬送領域Ｓ１及びウエハ搬送領域Ｓ２の配列方向を前後方向（後述する第２の水平方向に対応）とし、前後方向に垂直な水平方向を左右方向（後述する第１の水平方向に対応）とする。
キャリア搬送領域Ｓ１は、大気雰囲気下にある領域である。キャリア搬送領域Ｓ１は、被搬送物である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）が収納されたキャリアＣを、基板処理装置１内の後述する要素間で搬送する、外部から基板処理装置１内に搬入する、又は基板処理装置１から外部へと搬出する領域である。キャリアＣは、例えばＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）であってよい。ＦＯＵＰ内の清浄度が所定のレベルに保持されることで、ウエハＷの表面への異物の付着や自然酸化膜の形成を防止できる。キャリア搬送領域Ｓ１は、第１の搬送領域１０と、第１の搬送領域１０の後方（ウエハ搬送領域Ｓ２側）に位置する第２の搬送領域１２とから構成される。
第１の搬送領域１０には、一例として上下に２段（図１参照）、且つ各段左右に２つ（図２参照）のロードポート１４が設けられている。ロードポート１４は、キャリアＣが基板処理装置１に搬入されたときに、キャリアＣを受け入れる搬入用の載置台である。ロードポート１４は、筐体２の壁が開放された箇所に設けられ、外部から基板処理装置１へのアクセスが可能となっている。具体的には、基板処理装置１の外部に設けられた搬送装置（図示せず）によって、ロードポート１４上へのキャリアＣの搬入及び載置と、ロードポート１４から外部へのキャリアＣの搬出が可能となっている。また、ロードポート１４は、例えば上下に２段存在するため、両方でのキャリアＣの搬入及び搬出が可能となっている。ロードポート１４の下段には、キャリアＣを保管できるようにするために、ストッカ１６が備えられていてもよい。ロードポート１４のキャリアＣを載置する面には、キャリアＣを位置決めする位置決めピン１８が、例えば３箇所に設けられている。また、ロードポート１４上にキャリアＣを載置した状態において、ロードポート１４が前後方向に移動可能に構成されてもよい。
第２の搬送領域１２の下部には、上下方向に並んで２つ（図１参照）のＦＩＭＳポート２４が配置されている。ＦＩＭＳポート２４は、キャリアＣ内のウエハＷを、ウエハ搬送領域Ｓ２内の後述する熱処理炉８０に対して搬入及び搬出する際に、キャリアＣを保持する保持台である。ＦＩＭＳポート２４は、前後方向に移動自在に構成されている。ＦＩＭＳポート２４のキャリアＣを載置する面にも、ロードポート１４と同様に、キャリアＣを位置決めする位置決めピン１８が、３箇所に設けられている。
第２の搬送領域１２の上部には、キャリアＣを保管するストッカ１６が設けられている。ストッカ１６は、例えば３段の棚により構成されており、各々の棚には、左右方向に２つ以上のキャリアＣを載置できる。また、第２の搬送領域１２の下部であって、キャリア載置台が配置されていない領域にも、ストッカ１６を配置する構成であってもよい。
第１の搬送領域１０と第２の搬送領域１２との間には、ロードポート１４、ストッカ１６、及びＦＩＭＳポート２４の間でキャリアＣを搬送するキャリア搬送機構３０が設けられている。
キャリア搬送機構３０は、第１のガイド３１と、第２のガイド３２と、移動部３３と、アーム部３４と、ハンド部３５と、を備えている。第１のガイド３１は、上下方向に伸びるように構成されている。第２のガイド３２は、第１のガイド３１に接続され、左右方向（第１の水平方向）に伸びるように構成されている。移動部３３は、第２のガイド３２に導かれながら左右方向に移動するように構成されている。アーム部３４は、１つの関節と２つのアーム部とを有し、移動部３３に設けられる。ハンド部３５は、アーム部３４の先端に設けられている。ハンド部３５には、キャリアＣを位置決めするピン１８が、３箇所に設けられている。
ウエハ搬送領域Ｓ２は、キャリアＣからウエハＷを取り出し、各種の処理を施す領域である。ウエハ搬送領域Ｓ２は、ウエハＷに酸化膜が形成されることを防ぐために、不活性ガス雰囲気、例えば窒素（Ｎ２）ガス雰囲気とされている。ウエハ搬送領域Ｓ２には、下端が炉口として開口された縦型の熱処理炉８０が設けられている。
熱処理炉８０は、ウエハＷを収容可能であり、ウエハＷの熱処理を行うための石英製の円筒状の処理容器８２を有する。処理容器８２の周囲には円筒状のヒータ８１が配置され、ヒータ８１の加熱により収容したウエハＷの熱処理が行われる。処理容器８２の下方には、シャッタ（図示せず）が設けられている。シャッタは、ウエハボート５０が熱処理炉８０から搬出され、次のウエハボート５０が搬入されるまでの間、熱処理炉８０の下端に蓋をするための扉である。熱処理炉８０の下方には、基板保持具であるウエハボート５０が保温筒５２を介して蓋体５４の上に載置されている。言い換えると、蓋体５４は、ウエハボート５０の下方に、ウエハボート５０と一体として設けられている。
ウエハボート５０は、例えば石英製であり、大口径（例えば直径が３００ｍｍ又は４５０ｍｍ）のウエハＷを、上下方向に所定間隔を有して略水平に保持するように構成されている。ウエハボート５０に収容されるウエハＷの枚数は、特に限定されないが、例えば５０〜２００枚であってよい。蓋体５４は、昇降機構（図示せず）に支持されており、昇降機構によりウエハボート５０が熱処理炉８０に対して搬入又は搬出される。ウエハボート５０と搬送口６との間には、ウエハ搬送装置６０が設けられている。
ウエハ搬送装置６０は、ＦＩＭＳポート２４上に保持されたキャリアＣとウエハボート５０との間でウエハＷの移載を行う。ウエハ搬送装置６０は、ガイド機構６１と、移動体６２と、フォーク６３と、昇降機構６４と、回転機構６５とを有する。ガイド機構６１は、直方体状である。ガイド機構６１は、鉛直方向に延びる昇降機構６４に取り付けられ、昇降機構６４により鉛直方向への移動が可能であると共に、回転機構６５により回動が可能に構成されている。移動体６２は、ガイド機構６１上に長手方向に沿って進退移動可能に設けられている。フォーク６３は、移動体６２を介して取り付けられる移載機であり、複数枚（例えば５枚）設けられている。複数枚のフォーク６３を有することで、複数枚のウエハＷを同時に移載できるので、ウエハＷの搬送に要する時間を短縮できる。但し、フォーク６３は１枚であってもよい。
５枚のフォーク６３の少なくともいずれかには、位置検出センサ６６及び温度センサ６７が設けられている。位置検出センサ６６及び温度センサ６７については後述する。
ウエハ搬送領域Ｓ２の天井部又は側壁部には、フィルタユニット（図示せず）が設けられていてもよい。フィルタユニットとしては、ＨＥＰＡフィルタ（High Efficiency Particulate Air Filter）、ＵＬＰＡフィルタ（Ultra-Low Penetration Air Filter）等が挙げられる。フィルタユニットを設けることで、ウエハ搬送領域Ｓ２に清浄空気を供給できる。
図１及び図２に示されるように、基板処理装置１の全体の制御を行う制御部１００が設けられる。制御部１００は、レシピに従い、レシピに示された種々の処理条件下で熱処理が行われるように、基板処理装置１内の種々の機器の動作を制御する。また、制御部１００は、基板処理装置１内に設けられた種々のセンサからの信号を受信することにより、ウエハＷの位置等を把握して、プロセスを進めるシーケンス制御を行う。更に、制御部１００は、基板処理装置１内に設けられた種々の検出器で検出される物理的測定値等を受信することにより基板処理の状態を把握し、基板処理を適切に行うために必要なフィードバック制御等を行うようにしてもよい。
制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の演算手段及び記憶手段を備える。制御部１００は、プログラムが記憶された記憶媒体からレシピの処理を行うプログラムをインストールし、レシピの処理を実行するようなマイクロコンピュータとして構成されてもよい。また、制御部１００は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）のような電子回路として構成されてもよい。
次に、フォーク６３に設けられる位置検出センサ６６及び温度センサ６７について、図３から図９を参照して説明する。図３は、フォーク６３の一例を示す概略平面図である。図４は、ウエハの温度を測定するときのフォーク６３とウエハＷの位置関係を示す概略平面図である。図４においては、待機位置Ｐ１におけるフォーク６３を点線で示し、測定位置Ｐ２におけるフォーク６３を実線で示す。図５から図７は、温度センサ６７及びガイド６８の一例を示す図である。図５（ａ）は図３におけるＡ部の拡大図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）における一点鎖線Ｂ−Ｂにおいて切断した断面図であり、図５（ｃ）は図５（ａ）における一点鎖線Ｃ−Ｃにおいて切断した断面図である。
フォーク６３は、二股状の平板部材によって形成されている。フォーク６３は、待機位置Ｐ１と測定位置Ｐ２との間で移動可能に構成されている。待機位置Ｐ１は、測定位置Ｐ２から隔離された位置であり、例えば図４に示されるように、平面視においてフォーク６３とウエハＷとが重ならない位置とすることができる。測定位置Ｐ２は、ウエハＷの温度を測定する位置であり、例えば図４に示されるように、温度センサ６７がフォーク６３の挿入方向におけるウエハＷの略中央となる位置であることが好ましい。これにより、温度が高い部分のウエハＷの温度を測定できる。フォーク６３の材料としては、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素(ＳｉＣ)等のセラミックスを用いることができる。フォーク６３には、位置検出センサ６６、温度センサ６７、ガイド６８、及びウエハ支持部６９が設けられている。
位置検出センサ６６は、フォーク６３の先端の内側の側面に設けられている。位置検出センサ６６は、例えば対向型の一対の光検出器である。位置検出センサ６６は、ウエハＷがウエハボート５０に保持されているときに、ウエハＷがウエハボート５０から飛び出していないか、位置がずれていないか等、ウエハＷの位置が正常であるか否かを検出する。位置検出センサ６６は、発光素子と受光素子との組からなり、発光素子から光を発し、受光素子で光を受光する。発光素子と受光素子との間に、物（検出対象物）が存在しない場合には、受光素子で発光素子からの光を受光し、物が存在する場合には、発光素子からの光が遮蔽され、受光素子は光を受光することができなくなる。よって、ウエハＷがウエハボート５０に載置されている高さで、フォーク６３をウエハＷに接近させ、ウエハＷが飛び出している場合には光が遮光され、飛び出していない場合には光が遮蔽されないので、ウエハＷの飛び出しを検出できる。
温度センサ６７は、フォーク６３の先端の内側に設けられている。温度センサ６７は、先端６７ａがフォーク６３から突出するように取り付けられている。温度センサ６７は、測定位置Ｐ２においてウエハＷの温度を非接触で測定する。例えば、フォーク６３をウエハボート５０に保持された複数枚のウエハＷの隣接する２枚のウエハＷ間である測定位置Ｐ２に挿入することで、ウエハＷの温度を非接触で測定する。また、例えば、フォーク６３の位置を移動させることで、ウエハ搬送領域Ｓ２内の複数の地点における温度を測定する。また、例えば、フォーク６３がウエハＷを保持することで、保持したウエハＷの温度を測定する。温度センサ６７としては、種々の熱電対を用いることができるが、応答性が速く、且つ高精度に温度を測定できるという観点から、極細線熱電対（例えば、先端線径が２５μｍ）を用いることが好ましい。また、温度センサ６７としては、測温抵抗体を用いることもできる。また、フォーク６３の内部には、温度センサ６７の出力を外部に取り出すための配線６７ｂが設けられている。なお、配線６７ｂはフォーク６３の表面又は裏面に設けられていてもよい。
ガイド６８は、フォーク６３の先端の裏面に設けられている。ガイド６８は、フォーク６３から突出して設けられ、待機位置Ｐ１から測定位置Ｐ２への移動方向側（フォーク６３の先端側）に開口６８ａを有し、平面視で略Ｕ字状に形成されている。これにより、温度センサ６７の先端６７ａを、接触等による破損から保護できる。また、フォーク６３が待機位置Ｐ１から測定位置Ｐ２に移動する際、図８（ａ）に示されるように、開口６８ａを介して温度センサ６７の先端６７ａと測定位置Ｐ２における気体とを熱的に十分接触させることができる。そのため、温度センサ６７による温度測定の応答時間を短縮できる。これに対し、図８（ｂ）に示されるように、開口６８ａを有していない場合、測定位置Ｐ２における気体がガイド６８に遮られるため、温度センサ６７の先端６７ａと測定位置Ｐ２における気体とを熱的に十分に接触させることができない。なお、図８は、本発明の実施形態に係るウエハ搬送装置６０による効果の説明図である。
図５に示されるように、ガイド６８の略Ｕ字状の両側部６８ｂの長さ６８Ｌは、フォーク６３から突出する温度センサ６７の先端６７ａの長さ６７Ｌよりも長くなるように形成されている。これにより、温度センサ６７の先端６７ａを、接触等による破損から特に保護できる。また、図６に示されるように、ガイド６８の略Ｕ字状の両側部６８ｂの長さ６８Ｌは、フォーク６３から突出する温度センサ６７の先端６７ａの長さ６７Ｌと等しくなるように形成されていてもよい。さらに、図７に示されるように、ガイド６８は、平面視で略コ字状に形成されていてもよい。この場合においても、ガイド６８の略コ字状の両側部６８ｂの長さ６８Ｌは、フォーク６３から突出する温度センサ６７の先端６７ａの長さ６７Ｌ以上となるように形成される。
ガイド６８の材料としては、例えばポリカーボネート樹脂（ＰＣ：Poly Carbonate）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ；Poly Ethylene Terephthalate）、ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ；Poly Ether Ether Ketone）等、種々のプラスチックを用いることができる。但し、耐熱性が優れているという観点から、ＰＥＥＫを用いることが好ましい。
ウエハ支持部６９は、フォーク６３の一方の面に４つ設けられている。４つのウエハ支持部６９にウエハＷの外縁部が載置されることで、フォーク６３に対してウエハＷが位置決めされた状態で載置される。
なお、前述の例では、温度センサ６７がフォーク６３の先端に設けられている場合について説明したが、温度センサ６７が設けられる位置はこれに限定されない。例えば、図９に示されるように、温度センサ６７は、フォーク６３の前後方向における略中央に設けられていてもよい。なお、図９は、フォーク６３の別の例を示す概略平面図である。
次に、本発明の実施形態に係るウエハ搬送装置６０を用いたときの温度センサ６７の応答性の評価結果について説明する。具体的には、フォーク６３を待機位置Ｐ１から測定位置Ｐ２に移動させ、測定位置Ｐ２において温度センサ６７により測定される温度が８０℃を超えた後、フォーク６３を測定位置Ｐ２から待機位置Ｐ１に退避させたときの温度を温度センサ６７により測定した。また、比較のために、開口が形成されていないガイドを有するウエハ搬送装置を用いたときの温度センサの応答性、及びガイドを有しないウエハ搬送装置を用いたときの温度センサの応答性についても評価した。但し、比較例では、測定位置Ｐ２において温度センサ６７により測定される温度が８０℃を超えた場合であってもフォーク６３を測定位置Ｐ２から待機位置Ｐ１に退避させることなく評価を行った。
図１０は、温度センサの応答性を示す図である。図１０中、横軸は時間（ｍｉｎ）を示し、縦軸は温度（℃）を示す。また、図１０中、実線は本発明の実施形態に係るウエハ搬送装置６０を用いたときの温度センサ６７の応答性を示す。また、破線は開口が形成されていないガイドを有するウエハ搬送装置を用いたときの温度センサの応答性を示す。また、点線はガイドを有しないウエハ搬送装置を用いたときの温度センサの応答性を示す。
図１０に示されるように、本発明の実施形態に係るウエハ搬送装置６０を用いた場合、ピーク温度に達するまでの時間がガイド６８を有しないウエハ搬送装置を用いた場合と同等の１秒であった。即ち、高い応答性を有することが分かる。これに対し、開口が形成されていないガイドを有するウエハ搬送装置を用いた場合、ピーク温度に達するまでの時間は６０秒であった。
以上に説明したように、本発明の実施形態では、短時間でウエハＷの温度を測定できるので、リアルタイムでウエハＷの温度を測定し、測定した温度が閾値以下となった時点で、速やかにウエハボート５０からウエハＷをキャリアＣに移載できる。その結果、ウエハＷの回収に要する時間を短縮でき、生産性の向上を図ることができる。
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
上記の実施形態では、１つの温度センサ６７がフォーク６３に設けられている場合を例に挙げて説明したが、これに限定されず、複数の温度センサ６７がフォーク６３に設けられていてもよい。複数の温度センサ６７がフォーク６３に設けられている場合、ウエハＷの温度の面内分布を測定できる。
１ 基板処理装置
５０ ウエハボート
６０ ウエハ搬送装置
６３ フォーク
６６ 位置検出センサ
６７ 温度センサ
６７ａ 先端
６７ｂ 配線
６８ ガイド
６８ａ 開口
８０ 熱処理炉
１００ 制御部
Ｐ１ 待機位置
Ｐ２ 測定位置
Ｗ ウエハ

Claims (10)

  1. 被搬送物の温度を測定する測定位置と、前記測定位置から隔離された待機位置との間で移動する移載機と、
    先端が前記移載機から突出するように前記移載機に取り付けられ、前記測定位置において前記被搬送物の温度を測定する温度センサと、
    前記待機位置から前記測定位置への移動方向側に開口を有し、前記温度センサの前記先端を保護するガイドと、
    を有する、
    搬送装置。
  2. 前記ガイドは、前記移載機から突出して設けられ、平面視で略Ｕ字状又は略コ字状に形成されている、
    請求項１に記載の搬送装置。
  3. 前記ガイドは、略Ｕ字状又は略コ字状の開口の側が前記移載機の先端側に位置する、
    請求項２に記載の搬送装置。
  4. 前記ガイドの略Ｕ字状又は略コ字状の両側部の長さは、前記移載機から突出する前記温度センサの前記先端の長さ以上である、
    請求項２又は３に記載の搬送装置。
  5. 前記温度センサは、前記被搬送物の温度を非接触で測定する、
    請求項１乃至４のいずれか一項に記載の搬送装置。
  6. 前記温度センサは、前記移載機の先端に取り付けられている、
    請求項１乃至５のいずれか一項に記載の搬送装置。
  7. 前記温度センサは、前記移載機の挿入方向における略中央に取り付けられている、
    請求項１乃至５のいずれか一項に記載の搬送装置。
  8. 前記移載機には、前記温度センサの出力を取り出す配線が設けられている、
    請求項１乃至７のいずれか一項に記載の搬送装置。
  9. 前記温度センサは、熱電対又は測温抵抗体である、
    請求項１乃至８のいずれか一項に記載の搬送装置。
  10. 熱処理炉と、
    複数の基板を保持した状態で熱処理炉に収容可能な基板保持具と、
    前記複数の基板の温度を測定する測定位置と、前記測定位置から隔離された待機位置との間で移動する移載機と、
    先端が前記移載機から突出するように前記移載機に取り付けられ、前記測定位置において前記複数の基板の温度を測定する温度センサと、
    前記待機位置から前記測定位置への移動方向側に開口を有し、前記温度センサの前記先端を保護するガイドと、
    を有する、
    基板処理装置。
JP2017165154A 2017-08-30 2017-08-30 搬送装置及び基板処理装置 Active JP6632583B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017165154A JP6632583B2 (ja) 2017-08-30 2017-08-30 搬送装置及び基板処理装置
KR1020180097906A KR102349064B1 (ko) 2017-08-30 2018-08-22 반송 장치 및 기판 처리 장치
TW107129858A TWI723279B (zh) 2017-08-30 2018-08-28 搬送裝置及基板處理裝置
CN201811004547.3A CN109427639B (zh) 2017-08-30 2018-08-30 输送装置和基板处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017165154A JP6632583B2 (ja) 2017-08-30 2017-08-30 搬送装置及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019046843A true JP2019046843A (ja) 2019-03-22
JP6632583B2 JP6632583B2 (ja) 2020-01-22

Family

ID=65514775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017165154A Active JP6632583B2 (ja) 2017-08-30 2017-08-30 搬送装置及び基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6632583B2 (ja)
KR (1) KR102349064B1 (ja)
CN (1) CN109427639B (ja)
TW (1) TWI723279B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200137997A (ko) 2019-05-29 2020-12-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반송 방법 및 반송 시스템
KR20210158329A (ko) 2020-06-23 2021-12-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 티칭 방법 및 반송 시스템
KR20220162054A (ko) 2021-05-31 2022-12-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 정보 처리 장치, 이재 위치 교시 방법 및 기판 처리 장치
KR20220164422A (ko) 2021-06-04 2022-12-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 정보 처리 장치, 이송 탑재 위치 보정 방법 및 기판 처리 장치
KR20230026948A (ko) 2021-08-18 2023-02-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 촬상 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04286143A (ja) * 1991-03-14 1992-10-12 Hitachi Ltd ウエハ処理装置
JPH05304196A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Mitsubishi Electric Corp ウエハ搬送装置
JPH07142549A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH0997787A (ja) * 1995-09-30 1997-04-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2006080410A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法
JP2015031671A (ja) * 2013-08-07 2015-02-16 中国電力株式会社 熱電対保護管用ガイドパイプおよび熱電対保護管の損傷抑制方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4217463A (en) * 1978-03-13 1980-08-12 National Distillers And Chemical Corporation Fast responsive, high pressure thermocouple
US9354121B2 (en) * 2011-10-13 2016-05-31 Micromold Products, Inc. Corrosion resistant thermowells with thin wall tips
JP6339040B2 (ja) 2015-03-20 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 保護カバー及びこれを用いた基板処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04286143A (ja) * 1991-03-14 1992-10-12 Hitachi Ltd ウエハ処理装置
JPH05304196A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Mitsubishi Electric Corp ウエハ搬送装置
JPH07142549A (ja) * 1993-11-22 1995-06-02 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH0997787A (ja) * 1995-09-30 1997-04-08 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2006080410A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法
JP2015031671A (ja) * 2013-08-07 2015-02-16 中国電力株式会社 熱電対保護管用ガイドパイプおよび熱電対保護管の損傷抑制方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200137997A (ko) 2019-05-29 2020-12-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반송 방법 및 반송 시스템
US11908717B2 (en) 2019-05-29 2024-02-20 Tokyo Electron Limited Transfer method and transfer system for transferring substrate between transfer device and substrate stage
KR20210158329A (ko) 2020-06-23 2021-12-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 티칭 방법 및 반송 시스템
KR20220162054A (ko) 2021-05-31 2022-12-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 정보 처리 장치, 이재 위치 교시 방법 및 기판 처리 장치
KR20220164422A (ko) 2021-06-04 2022-12-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 정보 처리 장치, 이송 탑재 위치 보정 방법 및 기판 처리 장치
KR20230026948A (ko) 2021-08-18 2023-02-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 촬상 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW201921569A (zh) 2019-06-01
JP6632583B2 (ja) 2020-01-22
CN109427639B (zh) 2023-07-21
CN109427639A (zh) 2019-03-05
KR102349064B1 (ko) 2022-01-07
KR20190024718A (ko) 2019-03-08
TWI723279B (zh) 2021-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019046843A (ja) 搬送装置及び基板処理装置
JP3632126B2 (ja) 基板冷却方法
US10978322B2 (en) Transfer device, substrate processing apparatus, and transfer method
JP5084420B2 (ja) ロードロック装置および真空処理システム
KR101554768B1 (ko) 열처리 장치 및 이것에 기판을 반송하는 기판 반송 방법
JP4887293B2 (ja) 基板処理装置、基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び基板処理方法
KR20120092057A (ko) 열처리 장치 및 열처리 방법
US8231381B2 (en) Processing system for process object and thermal processing method for process object
JP2824003B2 (ja) 基板の温度測定装置
TWI592495B (zh) 磁性退火裝置（一）
JP6248372B2 (ja) プローバ
JP2017041642A (ja) 半導体ウェーハの検査装置及び半導体ウェーハの検査方法
JP6667576B2 (ja) 搬送装置、基板処理装置及び搬送方法
US20230143372A1 (en) Substrate transfer apparatus and substrate transfer method
JP6867129B2 (ja) 搬送ユニット
JP2002270671A (ja) 基板処理装置
JP6675027B2 (ja) 物品監視装置、搬送装置、熱処理装置、および、物品監視方法
JP2007242789A (ja) 基板処理装置
JP6446211B2 (ja) 物品監視装置、搬送装置、熱処理装置、および、物品監視方法
JP2018142744A (ja) 物品監視装置、搬送装置、熱処理装置、および、物品監視方法
JP2011249642A (ja) 基板処理装置
JP2006093204A (ja) 半導体装置の製造方法
TW201719689A (zh) 磁化處理裝置及磁化處理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180822

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190625

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190709

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191210

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6632583

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250