JP2006080410A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ボートへ移載済みのウェハに対して温度インタロック制御を行うことにより、熱ストレスを少なくして製品歩留りの高い半導体基板を製造する。
【解決手段】温度制御ゾーン2が複数のゾーン(U,CU,CL,L)に分散された複数のヒータによって加熱される加熱炉1へ、複数枚のウェハ4を載置したボート3を挿入する挿入工程と、挿入工程に続いて加熱炉1においてウェハ4に所定の処理を施す処理工程と、処理工程に続いて加熱炉1よりボート3を引き出す引出工程と、引出工程に続いてウェハ4を冷却する冷却工程とを含む。そして、挿入工程及び引出工程において、温度制御ゾーン2における複数のゾーンに温度傾斜が生じるように、非接触温度センサでウェハ4の温度監視を行いながら複数のヒータの加熱制御を行う。これによってウェハ4の熱ストレスは防止される。
【選択図】図7
【解決手段】温度制御ゾーン2が複数のゾーン(U,CU,CL,L)に分散された複数のヒータによって加熱される加熱炉1へ、複数枚のウェハ4を載置したボート3を挿入する挿入工程と、挿入工程に続いて加熱炉1においてウェハ4に所定の処理を施す処理工程と、処理工程に続いて加熱炉1よりボート3を引き出す引出工程と、引出工程に続いてウェハ4を冷却する冷却工程とを含む。そして、挿入工程及び引出工程において、温度制御ゾーン2における複数のゾーンに温度傾斜が生じるように、非接触温度センサでウェハ4の温度監視を行いながら複数のヒータの加熱制御を行う。これによってウェハ4の熱ストレスは防止される。
【選択図】図7
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に加熱炉を備えたCVD(Chemical Vapor Deposition)装置などの半導体製造装置によって製造される半導体装置の製造方法に関し、更には、ボートへ移載済みの半導体基板の温度インタロックを含む制御機能を備えた半導体製造装置によって製造される半導体装置の製造方法に関するものである。
例えば、CVD装置にあっては、加熱炉にシリコンウェハ等の半導体基板(以下、単にウェハということもある)を収容し、加熱炉内を所定の温度に加熱しつつ反応ガスを供給してウェハの面上に膜を形成する。ウェハに膜を形成した後は加熱炉からそれらのウェハを取り出し、一定の冷却期間が経過した後に処理後のウェハを所定のカセットへ格納する。このとき、加熱炉内のウェハに対して行うレシピを用いた制御では、温度設定値、ガス流量設定値、圧力設定値、ボート回転速度設定値などを経過時間とともに変化させることにより、拡散やアニールやCVDなどの所望のウェハ加工を行うことができる。このような半導体製造装置に関する技術は、例えば、下記の特許文献1や特許文献2などに開示されている。
特開2002−110556号公報
特開2002−175123号公報
以下、従来から一般に行われている半導体装置の製造方法について、その工程順に概略説明する。
まず、最初にボートヘのウェハの移載を行う。
ここでは、加工したいウェハをボートヘ移載する。なお、この移載は公知の移載方法で構わない。
まず、最初にボートヘのウェハの移載を行う。
ここでは、加工したいウェハをボートヘ移載する。なお、この移載は公知の移載方法で構わない。
次に、ボートへ移載済みのウェハを加熱炉内に挿入する。以下、このような処理工程をボートロードといい、図1を用いてボートロードの工程を説明する。図1は加熱炉へボートを挿入するボートロードの工程図である。図1において、加熱炉1は0〜1500℃の範囲で炉内温度を可変することができる。温度制御ゾーン2は温度制御可能な複数のゾーン、例えば、4〜5ゾーンで構成されていて温度を0℃〜1500℃の範囲で可変することができる。図の例では、温度制御ゾーン2は、U,CU,CL,Lの4つのゾーンによって構成されている。ボート3は0℃〜1500℃に絶えうる石英等の材質材料によって構成されている。材料4は0℃〜1500℃に絶えうるシリコンウェハ等であって、0〜150枚のウェハが一括バッチ処理するために搭載されている。
ボート3を加熱炉1内へ挿入するときは挿入スピードを任意に調整することができる。ボート3へ移載された材料(ウェハ)4を加熱炉1内へ挿入する際の加熱炉1内の温度は、温度制御ゾーン2の全域に亘って均一に制御される。例えば、加熱炉1の上の部分から、Uゾーン:500℃、CUゾーン:500℃、CLゾーン:500℃、Lゾーン:500℃というように均一の温度に制御される。また、ボート3の昇降スピードは、例えば10mm/minというように一定速度に制御される。
次に加熱炉1内においてボート3へ移載済みの材料(ウェハ)4を処理する。図2は加熱炉内に収納された材料(ウェハ)の加工工程図である。図2に示すように、加熱炉1内に収納されたボート3へ移載済みの材料(ウェハ)4は、レシピを用いて加工処理が施される。このとき、U,CU,CL,Lの温度制御ゾーン2は均一に温度制御され、加熱炉1内は一定温度に保持されている。
次にボート3へ移載済みの材料(ウェハ)4を加熱炉1内から取り出す。以下、このような工程をボートアンロードという。図3は加熱炉からボートを取り出すボートアンロードの工程図である。図3において、ボート3を加熱炉1から炉外に取り出すときは取出しスピードを任意に調整することができる。このとき、ボート移載済みの材料(ウェハ)4を加熱炉1から外に取り出す際の加熱炉1内の温度は温度制御ゾーン2の全域に亘って均一に制御される。また、加熱炉1から外に取り出されるボートスピードは一定速度に制御される。
次に材料(ウェハ)4の冷却を行う。以下、このような工程をクーリング工程という。図4は処理済みウェハの冷却工程を示すクーリング工程図である。図4に示すように、加熱炉1からボート3が炉外に取り出されると、ボート3に収納された材料(ウェハ)4は図示しないカセットヘ収納できる温度に下がるまで時間待ちを行う。
次にカセットへの材料(ウェハ)4の収納を行う。つまり、クーリング済みの材料(ウェハ)4を図示しないカセットへ収納する。
しかしながら、上述のような所望のウェハ加工を行う前や後の工程(ボートロード/アンロード工程)においては、ボートへ移載済みのウェハに対する温度インタロック機能が不十分なために、ウェハ加工を行う前(ボートロード時)にウェハにパーティクルを発生させたり、自然酸化膜をつけてしまったりして歩留りを低下させるおそれがある。或いは、ボートへ移載済みのウェハを加熱炉内に挿入する際(ボートロード時)の急激な温度変化によって、ウェハの熱変形や微小な割れを引き起こしたりするといった不具合が発生するおそれがある。
なお、本明細書において、「温度インタロック」とは、炉内温度が暴走しないように、温度の監視、制御を行うことを言い、例えば、常にセンサによる設定温度の監視を行い、温度が設定温度を超えた場合は、エラー警報を発生し、ボートロード/アンロードを行わず、エラーに応じた処理を行うことを言うものとする。
また、ウェハ加工を行った後、ボートへ移載されたウェハを取り出す際(ボートアンロード時)においても、急激な温度変化によって基板の熱変形や微小な割れを引き起こしたりすることがある。さらに、ウェハの冷却時間を長く取りすぎることによって、ウェハにパーティクルを発生させたり、自然酸化膜をつけてしまったりする不具合を引き起こすこともある。とりわけ、高温(例えば、800℃)においてボートロード、ボートアンロードなどを誤って行ってしまった場合には、半導体製造装置の加熱炉内部においては、石英部品以外の高温に弱い部品に致命的なダメージを与えてしまうことがある。
従って、処理すべきウェハは、できる限り早く、かつ、素早く加熱炉内に挿入し、さらに、できる限り早く、かつ、素早く加熱炉内から取り出す必要がある。しかも、最短のクーリング時間の後にウェハをカセットに回収できることが、一回のウェハ加工プロセスを短くし、かつ、スループット(処理能力)を向上させることに繋がる。しかしながら、現在の半導体製造装置においては、このような適正な処理をサポートする技術には至っていない。
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、半導体基板の拡散、アニール、CVD処理などを行う半導体製造装置において、ボートへ移載済みの半導体基板に対して温度インタロック制御を行うことにより、熱ストレスを少なくして製品歩留りの高い半導体基板を製造できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上述した課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数のゾーンに分割された複数のヒータによって加熱される処理炉へ、複数枚の半導体基板を載置したボートを挿入する挿入工程と、挿入工程に続いて処理炉において半導体基板に所定の処理を施す処理工程と、処理工程に続いて処理炉よりボートを引き出す引出工程と、引出工程に続いて半導体基板を冷却する冷却工程とを含み、挿入工程と引出工程との少なくとも1つの工程において、複数のヒータの加熱によって複数のゾーンに温度傾斜が生じるように温度設定したことを特徴とするものである。
本発明によれば、処理炉の加熱領域を複数のゾーンに分割してヒータで加熱するとき、ボートが処理炉内へ上昇するに連れて、そのボートに対する各ゾーンの温度が徐々に上がるように温度傾斜を持たせているので、処理炉へのウェハの挿入/引出工程中においてウェハに急激な温度変化が生じることがなくなり、熱ストレスが防止されてウェハの製品歩留りが一段と向上する。
なお、本発明に係る半導体装置の製造方法においては、ボートの挿入及び/又は引出し工程時にヒータの上限温度を監視することもできる。さらに、半導体基板の冷却工程時に基板温度を監視することもできる。また、半導体基板の冷却工程においては、ボート引出し時のボート速度とヒータ温度とにより算出される標準クーリング時間により必要とするクーリング時間を決定してもよい。さらに、半導体基板の冷却工程の終了判定は、冷却時における基板温度と標準クーリング時間によって行ってもよい。また、半導体基板の冷却工程の終了時間設定は、半導体基板が載置されるボートの上下方向で異ならせてもよい。
なお、本実施の形態によれば、次のような構成によって実現される基板処理装置を提供することもできる。すなわち、複数枚の基板(例えば半導体基板)を載置したボートを複数のヒータにより加熱して処理を行う処理炉と、複数のヒータを個別に制御する加熱制御機構と、昇降速度を数段階に分けてボートを移動させる移動制御機構と、処理後の基板を冷却する冷却機構と、冷却時に基板温度を計測する計測手段とを備え、加熱制御機構が処理炉の複数のゾーンに温度傾斜をつけるように構成してもよい。
本発明によれば、ボート移載済みの材料を処理炉(加熱炉とも云う)内に挿入するボートロードの工程では、ボート移載済み材料を加熱炉内に挿入する際の加熱炉内の温度を各ゾーンで異なるように温度傾斜をつけて制御を行うので、ウェハへの熱ストレスを減らすことができ、ウェハがそり返ったりSLIPが発生してウェハが損傷することを防止することができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体製造装置の加熱炉内に処理対象の半導体基板(ウェハ)を収納または取外す際、ヒータによって加熱炉内に温度傾斜をつけて所定温度に加熱する。このとき、加熱炉内の実測温度が加熱炉内に温度傾斜を持たせて設定された上限設定温度を超えた場合は温度インタロック制御を行っている。これによって、熱処理の工程中においてウェハに急激な温度変化が生じることがなくなるので、熱ストレスを防止してウェハの製品歩留りを一段と向上させることができる。なお、加熱炉内では所定のガスを流し、必要に応じて、加熱炉内の圧力を調整したり、ウェハを保持するボートを回転させたりすることにより、ウェハの拡散、アニール、或いはCVD処理を行う。
なお、以下の説明では、縦型装置に抵抗加熱ヒータを用いた加熱炉を例にして説明する。しかし、本発明における半導体装置の製造方法は、ロードロック型の縦型装置でも横型装置でも適用できるし、また、ヒータは抵抗加熱ヒータだけでなくランプ加熱ヒータでも適用できる。さらに、本発明における半導体装置の製造方法は、炉内の処理には何等限定されることなく、CVD、酸化、拡散、アニールなど何れの処理でも適用できる。
本発明における半導体装置の製造方法では、ボート移載済み材料(ウェハ)の処理を行うとき、所望の基板加工を行う前後の工程において、加熱炉内の各ゾーンで異なる温度になるように温度傾斜をつけるとともに、上限設定温度を超えたら温度インタロックを行うことによってウェハの熱ストレスを減らしている。以下、そのような処理方法について詳細に説明する。
以下、本発明における半導体装置の製造方法を一連の工程を通して説明する。
まず、ボートへ材料(ウェハ)移載を行うウェハ移載工程について説明する。
このとき、加工したいウェハをボートヘ移載する。この技術は公知の技術で構わない。
まず、ボートへ材料(ウェハ)移載を行うウェハ移載工程について説明する。
このとき、加工したいウェハをボートヘ移載する。この技術は公知の技術で構わない。
次に、ボート3へ移載済み材料(ウェハ)4を加熱炉1内へ挿入(ボートロード)するボートロード工程について説明する。なお、このときの工程図は前述の図1に相当する。本実施の形態における半導体装置の製造方法では、このボートロード工程において温度インタロック機能を実現するために、以下に述べるような前提条件を設定する。
(1)ボートロードを許可する上限設定温度を、各ゾーン(U,CU,CL,L)で異なる値として定義する。なお、この属性は編集可能なものである。ボートロード時にはボート3を加熱炉1の下から挿入するため、炉内温度の急激な上昇を避けるためにLゾーンから上のゾーンに行くに従って温度設定値を上げているところに特徴がある。例えば、Lゾーン:540℃、CLゾーン:560℃、CUゾーン:580℃、Uゾーン:600℃、というように上のゾーンに行くに従って温度設定値を上げてゆく。
(2)ボートロード前には上限設定温度を温度調節器に指示する必要がある。このとき、指示温度イベントの定義には上限設定温度を超えた設定は許可しないこととする。
(3)ボートロードを許可するボートスピードの上限設定速度を炉内の熱容量の変化に対応できるように数段階で定義する。なお、この属性は編集可能なものである。例えば、第1段階:100mm/min、第2段階:200mm/min、第3段階:200mm/min、第4段階:100mm/min、というように最初と最後の段階でボートスピードを低下させる。これによって、ウェハへの熱ストレスをさらに緩和することができる。
(3)ボートロードを許可するボートスピードの上限設定速度を炉内の熱容量の変化に対応できるように数段階で定義する。なお、この属性は編集可能なものである。例えば、第1段階:100mm/min、第2段階:200mm/min、第3段階:200mm/min、第4段階:100mm/min、というように最初と最後の段階でボートスピードを低下させる。これによって、ウェハへの熱ストレスをさらに緩和することができる。
(4)ボートロードのイベントの定義には上限設定速度を超えた設定は許可しない。なお、上限設定速度はウェハに熱ストレスを生じさせない上限値である。
(5)ボートロードイベント時に制御中の実測温度が上限設定温度を超えているならボートロードは行わず、アラームイベントを発行してアラームイベント発生時の振る舞いを行う。その振る舞いは、あらかじめアラームイベント発生時の振る舞い(例えば、WAIT、ABORT)として定義しておく。尚、上記の(1)〜(5)の前提条件は、レシピとして定義してもよいし、JOB指定時に定義してもよいし、あるいは、半導体製造装置のパラメータとして定義してもよい。
(5)ボートロードイベント時に制御中の実測温度が上限設定温度を超えているならボートロードは行わず、アラームイベントを発行してアラームイベント発生時の振る舞いを行う。その振る舞いは、あらかじめアラームイベント発生時の振る舞い(例えば、WAIT、ABORT)として定義しておく。尚、上記の(1)〜(5)の前提条件は、レシピとして定義してもよいし、JOB指定時に定義してもよいし、あるいは、半導体製造装置のパラメータとして定義してもよい。
次に、ボート3へ移載された材料(ウェハ)4を加熱炉1内へ挿入するときのボートロードの振る舞いについて、図1を参照しながら個別に説明する。
(1)ボート3へ移載済みの材料(ウェハ)4を加熱炉1内へ挿入する際の加熱炉1内の温度を、各ゾーン(U,CU,CL,L)で異なる温度になるように温度傾斜をつけて制御する。例えば、Lゾーン:440℃、CLゾーン:460℃、CUゾーン:480℃、Uゾーン:500℃というように、上のゾーンへ行くに従って温度が高くなるように温度制御を行う。つまり、ボートロード時においては、ボート3が加熱炉1内の下から挿入されるので、挿入位置の温度をより低くすることによって材料(ウェハ)3の熱ストレスを減らす効果を期待している。
(1)ボート3へ移載済みの材料(ウェハ)4を加熱炉1内へ挿入する際の加熱炉1内の温度を、各ゾーン(U,CU,CL,L)で異なる温度になるように温度傾斜をつけて制御する。例えば、Lゾーン:440℃、CLゾーン:460℃、CUゾーン:480℃、Uゾーン:500℃というように、上のゾーンへ行くに従って温度が高くなるように温度制御を行う。つまり、ボートロード時においては、ボート3が加熱炉1内の下から挿入されるので、挿入位置の温度をより低くすることによって材料(ウェハ)3の熱ストレスを減らす効果を期待している。
(2)ボートロードイベント時において、制御中の実測温度が上限設定温度を超えているならばボートロードを行わないでアラームイベントを発行する。例えば、設定温度として、Lゾーン:440℃、CLゾーン:460℃、CUゾーン:480℃、Uゾーン:500℃であり、実測温度として、Lゾーン:440℃、CLゾーン:460℃、CUゾーン:480℃、Uゾーン:601℃となっているときは、Uゾーンに何らかの外乱が発生し、前提条件で示したようにUゾーンが600℃を超えているので、ボートロードを中止して直ちにアラームイベントを行う。
(3)ボートロードイベント時において、制御中の実測温度が上限設定温度を超えていないならば、ボートスピードを上記の段階設定にしたがって制御しながらボート3を加熱炉1内に挿入する。このとき、一例としてボート3のボート移動長(ストローク長)が650mmであれば、ボートスピードを、第1段階の10分間は10mm/min、第2段階の10分間は20mm/min、第3段階の10分間は25mm/min、第4段階の10分間は10mm/minとし、合計40分間で650mmの移動長を移動するようにする。
つまり、ボート移動長を予め定義し、単位分当りのボート3の移動量と制御時間を定義する。そして、合計時間をユーザに示してユーザの利便性の向上を図る。ここで合計時間が長ければ、それだけウェハに自然酸化膜を余分に付けてしまうことが考えられる。また、ボート移動長に満たない定義がなされた場合は、最終入力段階(第2段階までしか定義していない場合は、第2段階が該当)で定義された単位分あたりの移動量でもって、ボートローディングを継続する。ボート移動長を超える定義がなされた場合は、ボートローディング完了のセンサ報告をもって終了とし、それ以降の定義は無視される。
(4)ボート3の挿入完了後は、加熱炉1内に収納されたボート移載済み材料(ウェハ)4についてレシピを用いて加工する。このときの工程図は、前述の図2におけるウェハ加工工程図に相当する。図2に示すように、加熱炉1内に収納されたボート3へ移載済みの材料(ウェハ)4は、レシピを用いて加工処理が施される。このとき、U,CU,CL,Lの温度制御ゾーン2は均一に温度制御され、加熱炉1内は一定温度に保持されている。
次に、ボート3へ移載された材料(ウェハ)4を加熱炉1内から取り出すボートアンロード工程について説明する。なお、このときの工程図は前述の図3に相当する。本発明における半導体装置の製造方法では、このボートアンロード工程において温度インタロック機能を実現するために、以下に述べるような前提条件を設定する。
(1)ボートアンロードを許可する上限設定温度を各ゾーンで異なる値として定義する。尚、この属性は編集可能なものである。
(2)ボートアンロードのイベント前には上限設定温度を温度調節器に指示する必要がある。その指示温度イベントの定義には、上限設定温度を超えた設定は許可しない。
(3)ボートアンロードを許可するボートスピードの上限設定速度を炉内の熱容量の変化に対応するように数段階に亘って定義する。尚、この属性は編集可能なものである。
(4)ボートアンロードのイベントの定義には上限設定速度を超えた設定は許可しない。
(5)ボートアンロードイベント時に制御中の実測温度が上限設定温度を超えているなら、ボートアンロードを行わずにアラームイベントを発行し、アラームイベント発生時の振る舞いを行う。その振る舞いは、あらかじめアラームイベント発生時の振る舞い(例えば、WAIT、ABORT)として定義しておく。
(2)ボートアンロードのイベント前には上限設定温度を温度調節器に指示する必要がある。その指示温度イベントの定義には、上限設定温度を超えた設定は許可しない。
(3)ボートアンロードを許可するボートスピードの上限設定速度を炉内の熱容量の変化に対応するように数段階に亘って定義する。尚、この属性は編集可能なものである。
(4)ボートアンロードのイベントの定義には上限設定速度を超えた設定は許可しない。
(5)ボートアンロードイベント時に制御中の実測温度が上限設定温度を超えているなら、ボートアンロードを行わずにアラームイベントを発行し、アラームイベント発生時の振る舞いを行う。その振る舞いは、あらかじめアラームイベント発生時の振る舞い(例えば、WAIT、ABORT)として定義しておく。
次に、ボート3を加熱炉1から取り出すときのボートアンロード時の振る舞いについて図3を参照しながら個別に説明する。
(1)ボート移載済み材料(ウェハ)4を加熱炉1から外に取り出す際の加熱炉1内の温度を、各ゾーン(U,CU,CL,L)ごとに異なる温度にして温度傾斜をつけて制御する。
(2)ボートアンロードイベント時に制御中の実測温度が上限設定温度を超えているならば、ボートアンロードは行わないでアラームイベントを発行する。
(3)ボートアンロードイベント時に制御中の実測温度が上限設定温度を超えていないならば、ボートスピードの段階設定値にしたがってスピードを制御しながらボート3を加熱炉1外に取り出す。このとき、ボートロード時と同様にボート移動長を予め定義し、単位分あたりのボート3の移動量と制御時間を定義する。そして合計時間をユーザに示して利便性の向上を図る。
(4)ボート3の取り出し完了後に、加熱炉1内の温度を、次のボートロードに備えて、各ゾーンで異なる温度に設定して温度傾斜をつける。尚、上記の(1)〜(4)の振る舞いは、レシピとして定義してもよいし、JOB指定時に定義してもよいし、あるいは、半導体製造装置のパラメータとして定義してもよい。
(1)ボート移載済み材料(ウェハ)4を加熱炉1から外に取り出す際の加熱炉1内の温度を、各ゾーン(U,CU,CL,L)ごとに異なる温度にして温度傾斜をつけて制御する。
(2)ボートアンロードイベント時に制御中の実測温度が上限設定温度を超えているならば、ボートアンロードは行わないでアラームイベントを発行する。
(3)ボートアンロードイベント時に制御中の実測温度が上限設定温度を超えていないならば、ボートスピードの段階設定値にしたがってスピードを制御しながらボート3を加熱炉1外に取り出す。このとき、ボートロード時と同様にボート移動長を予め定義し、単位分あたりのボート3の移動量と制御時間を定義する。そして合計時間をユーザに示して利便性の向上を図る。
(4)ボート3の取り出し完了後に、加熱炉1内の温度を、次のボートロードに備えて、各ゾーンで異なる温度に設定して温度傾斜をつける。尚、上記の(1)〜(4)の振る舞いは、レシピとして定義してもよいし、JOB指定時に定義してもよいし、あるいは、半導体製造装置のパラメータとして定義してもよい。
次に、材料冷却(クーリング)時の工程について説明する。
まず、クーリング時において温度インタロック機能を実現するために以下に述べるような前提条件を設定する。
(1)カセットヘ収納可能な温度になるまでの温度を制御するための温度センサを複数ゾーン備える。あるいは、単一の温度センサにて、各ゾーンを計測可能な温度センサ付きツィーザを常備する。本実施の形態においては、ヒータの各ゾーン(U,CU,CL,L)に対応する材料を4つのゾーンに分割しているが、ゾーンの数は特に限定されず、適宜定めることができる。
(2)カセットへの収納を許可する上限設定温度(例えば、50℃)を定義する。尚、この属性は編集可能なものである。
まず、クーリング時において温度インタロック機能を実現するために以下に述べるような前提条件を設定する。
(1)カセットヘ収納可能な温度になるまでの温度を制御するための温度センサを複数ゾーン備える。あるいは、単一の温度センサにて、各ゾーンを計測可能な温度センサ付きツィーザを常備する。本実施の形態においては、ヒータの各ゾーン(U,CU,CL,L)に対応する材料を4つのゾーンに分割しているが、ゾーンの数は特に限定されず、適宜定めることができる。
(2)カセットへの収納を許可する上限設定温度(例えば、50℃)を定義する。尚、この属性は編集可能なものである。
(3)ボートアンロード時の温度と、ボートアンロード時のボートスピードから経験的に推し量ることのできる(言いかえると、事前に計測済みの)標準クーリング時間を複数のゾーンで定義する。尚、複数のゾーンで標準クーリング時間を定義するのは、冷却済み材料のカセットへの回収順序を定め、回収効率を高めるためである。すなわち、温度以外の要素による材料(ウェハ)の回収順序の制約がなければ、より早く回収可能な(冷却済みの)材料(ウェハ)は、一番最初に加熱炉1内から取り出された(つまり、加熱炉1内の下部にあった)材料(ウェハ)であることは明らかであり、そのような順によって材料を回収することが冷却終了順に回収することとなって回収効率を高めることができるからである。
尚、クーリング時間を複数のゾーンで設定することにより、温度センサの故障時においても冷却済みであることを推定することができる。また、半導体製造装置の制約上から温度センサを有すことのできない半導体製造装置において有効に冷却済みであることを有効に推定することができる。
尚、クーリング時間を複数のゾーンで設定することにより、温度センサの故障時においても冷却済みであることを推定することができる。また、半導体製造装置の制約上から温度センサを有すことのできない半導体製造装置において有効に冷却済みであることを有効に推定することができる。
(4)標準クーリング時間と上限設定温度(例えば、50℃)以下になると予想される時間との時間差の許容範囲を定義する。例えば、標準クーリング時間が40分のとき、上限設定温度(例えば、50℃)以下になるであろうプラス時間差を、本実施の形態の場合例えば+5分と設定し、上限設定温度(例えば、50℃)以下になるであろうマイナス時間差を、本実施の形態の場合例えば−10分と設定する。つまり、材料(ウェハ)4は、ボート3にフルに搭載される場合もあれば、歯抜けで搭載される場合もあるので、全ての材料(ウェハ)4の温度が下がりきるまでのマージンを定義するものである。
図5は、アンロード温度500℃のときの標準クーリング時間とそのマージンを示す図である。また、図6は、アンロード温度600℃のときの標準クーリング時間とそのマージンを示す図である。図5に示すように、アンロード温度500℃のときの、Uゾーンの標準クーリング時間は50分、マージンはプラス5分、マイナス10分であり、Lゾーンの標準クーリング時間は35分、マージンはプラス5分、マイナス10分である。アンロード温度600℃のときの標準クーリング時間とそのマージンは図6に示す通りである。尚、ボートロード時に各ゾーンに収容される場合のボートの移動長は、Lゾーンで100mm、CLゾーンで200mm、CUゾーンで300mm、Uゾーンで600mmである。また、アンロード温度500℃及びアンロード温度600℃は、それぞれ、UゾーンからLゾーンまでの設定温度の最高設定温度を示している。
次に、加熱炉1から取り出されたボート3の材料(ウェハ)4をカセットヘ収納可能な温度になるまで温度の監視を行う工程について図7を参照して説明する。
図7は、本実施の形態における半導体装置の製造方法で適用されるボートアンロード時の温度制御を示す工程図である。
図7は、本実施の形態における半導体装置の製造方法で適用されるボートアンロード時の温度制御を示す工程図である。
(1)非接触温度センサ5により計測された実測温度がカセットヘの収納を許可する上限設定温度(例えば、50℃)以下になったかどうかを監視する。このとき、カセットヘ収納可能な温度になるまで監視を行う。また、非接触温度センサ5は、ツイーザ先端部を材料(ウェハ)に近づけて温度計測を行う。
(2)カセットヘの収納を許可する上限設定温度(例えは、50℃)以下になっていれば、図5又は図6のテーブルを参照して、標準クーリング時間+プラス時間差と、標準クーリング時間+マイナス時間差との範囲にあるかどうかをチェックする。チェック結果がNGであれば、WAITする(動作待ちを行う)。
(3)カセットヘの収納を許可する上限設定温度(例えば、50℃)以下になっていなくて且つ、標準クーリング時間+プラス時間差を経過したならば、センサ異常と判断して材料(ウェハ)の回収を行う。
(2)カセットヘの収納を許可する上限設定温度(例えは、50℃)以下になっていれば、図5又は図6のテーブルを参照して、標準クーリング時間+プラス時間差と、標準クーリング時間+マイナス時間差との範囲にあるかどうかをチェックする。チェック結果がNGであれば、WAITする(動作待ちを行う)。
(3)カセットヘの収納を許可する上限設定温度(例えば、50℃)以下になっていなくて且つ、標準クーリング時間+プラス時間差を経過したならば、センサ異常と判断して材料(ウェハ)の回収を行う。
尚、半導体製造装置の制約上から非接触温度センサ5を有すことのできない半導体製造装置においては、カセットへの材料回収の順序の制約をチェックし、標準クーリング時間を経過した部分から材料(ウェハ)を回収する。
次に、カセットへの材料収納の工程について説明する。
クーリング済み材料をカセットヘ収納する。なお、この収納は、公知の方法で構わない。本発明による半導体装置の製造方法では、以上のような工程によってウェハに急激な温度変化が生じることがなくなるので、熱ストレスを防止してウェハの製品歩留りを一段と向上させることができる。
クーリング済み材料をカセットヘ収納する。なお、この収納は、公知の方法で構わない。本発明による半導体装置の製造方法では、以上のような工程によってウェハに急激な温度変化が生じることがなくなるので、熱ストレスを防止してウェハの製品歩留りを一段と向上させることができる。
次に、図面を参照しながら、本発明による半導体装置の製造方法に適用される基板処理装置の一例である半導体製造装置について概略説明する。図8は本発明に適用される半導体製造装置の正面透視図であり、図9は本発明に適用される半導体製造装置の側面透視図である。したがって、以下、図8及び図9を用いて本発明の半導体製造装置を説明する。
筐体101内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット100の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ105が設けられている。また、カセットステージ105の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ115が設けられ、カセットエレベータ115には搬送手段としてのカセット移載機114が取りつけられている。さらに、カセットエレベータ115の後側には、カセット100の載置手段としてのカセット棚109が設けられると共にカセットステージ105の上方にも予備カセット棚110が設けられている。また、予備カセット棚110の上方にはクリーンユニット118が設けられ、クリーンエアを筐体101の内部を流通させるように構成されている。
筐体101の後部上方には処理炉202が設けられ、処理炉202の下方には基板としてのウェハ200を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート217を処理炉202に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ121が設けられている。また、ボートエレベータ121に取りつけられた昇降部材122の先端部には、蓋体としてのシールキャップ219が取りつけられボート217を垂直に支持している。
ボートエレベータ121とカセット棚109との間には昇降手段としての移載エレベータ113が設けられ、移載エレベータ113には搬送手段としてのウェハ移載機112が取りつけられている。また、ボートエレベータ121の横には、開閉機構を持ち処理炉202の下面を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ116が設けられている。
ウェハ200が装填されたカセット100は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ105にウェハ200が上向き姿勢で搬入され、ウェハ200が水平姿勢となるようカセットステージ105で90°回転させられる。さらに、カセット100は、カセットエレベータ115の昇降動作、横行動作及びカセット移載機114の進退動作、回転動作の協働によりカセットステージ105からカセット棚109または予備カセット棚110に搬送される。
カセット棚109にはウェハ移載機112の搬送対象となるカセット100が収納される移載棚123があり、ウェハ200が移載に供されるカセット100はカセットエレベータ115、カセット移載機114により移載棚123に移載される。カセット100が移載棚123に移載されると、ウェハ移載機112の進退動作、回転動作及び移載エレベータ113の昇降動作の協働により移載棚123から降下状態のボート217にウェハ200を移載する。
ボート217に所定枚数のウェハ200が移載されるとボートエレベータ121によりボート217が処理炉202に挿入され、シールキャップ219により処理炉202が機密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉202内ではウェハ200が加熱されると共に処理ガスが処理炉202内に供給され、ウェハ200に処理が施される。
このようにしてウェハ200への処理が完了すると、ウェハ200は上記した動作の逆の手順により、ボート217から移載棚123のカセット100に移載され、カセット100はカセット移載機114により移載棚123からカセットステージ105に移載され、図示しない外部搬送装置により筐体101の外部に搬出される。尚、炉口シャッタ116は、ボート217が降下状態の際に処理炉202の下面を塞ぎ、外気が処理炉202内に巻き込まれるのを防止している。また、カセット移載機114などの搬送動作は、搬送制御手段124により制御される。
上述したように、本発明の実施の形態によれば、以下のような効果を奏する。
ボートロードイベント時において、各ゾーン毎に温度インタロック機能を設け、制御中の実測温度が上限設定温度を超えているならば、ボートロードを行わないでアラームイベントを発行するようにする。アラームイベントは予め定義しておく。よって、各ゾーン毎に上限設定温度をチェックし、仮に、あるゾーンが設定温度を超えると、ボートロードを行わないように制御することができ、さらにウェハの熱ストレスを減らすことができる。
ボートロードイベント時において、各ゾーン毎に温度インタロック機能を設け、制御中の実測温度が上限設定温度を超えているならば、ボートロードを行わないでアラームイベントを発行するようにする。アラームイベントは予め定義しておく。よって、各ゾーン毎に上限設定温度をチェックし、仮に、あるゾーンが設定温度を超えると、ボートロードを行わないように制御することができ、さらにウェハの熱ストレスを減らすことができる。
また、設定温度以上の高温時にボートロードを行わないように制御するため、半導体製造装置の内部の部品に損傷を与えることをも防止することができる。さらに、装置内部の部品損傷により発生するパーティクルを防止することもできる。
また、制御中の実測温度が上限設定温度を超えていないならば、段階的な設定速度にしたがってボートを加熱炉に挿入する。これによって、ウェハの熱ストレスを減らす制御を行うことが可能となる。
また、ボート移動長を予め定義し、単位分あたりの移動量と制御時間とを定義する。これによって、ボートの移動に要した合計時間をユーザに提示することができるので、ユーザの利便性を向上させることができる。例えば、ボートの移動に要した合計時間が長ければ、それだけウェハに自然酸化膜を付けてしまうことが考えられるので、一つの指標となる。
また、ボートの挿入完了後において、加熱炉内に収納されたボート移載済み材料はレシピを用いて加工される。このとき前述した温度傾斜やボード速度等の条件は、レシピとして定義してもよいし、JOB指定時に定義してもよいし、あるいは、半導体製造装置のパラメータとして定義してもよいので、フレキシブルに設定可能である。
さらに、ボート移載済み材料を加熱炉内から取り出すボートアンロード時においても、取り出し完了後に加熱炉内の温度を次のボートロードに備えて各ゾーンで異なる温度となるように温度傾斜をつけて制御すれば、上記のボートロード時と同様の効果を呈することができる。
また、材料冷却(クーリング)時においては、非接触温度センサによって計測されたウェハの実測温度が、カセットへの収納を許可する上限設定温度(例えば、50℃)以下になったかどうかを監視しているので、クーリング完了待ち時間の短縮化を図ることができる。さらに、カセットへの収納を許可する上限設定温度(例えば、50℃)以下になっていれば、標準クーリング時間+プラス時間差と、標準クーリング時間+マイナス時間差の範囲内にあるか否かをチェックし、チェック結果がNGであればWAITにしている。このような二重チェック機能によって、より最適なクーリング時間が得られ、フォルダへの収納を安全に行うことができる。
また、カセットへの収納を許可する上限設定温度(例えば、50℃)以下になっていなくても、かつ標準クーリング時間+プラス時間差を経過したならば温度センサ異常と判断して材料(ウェハ)の回収を行う。さらに、半導体製造装置の制約上から温度センサを有することのできない場合は、カセットへの材料回収の順序の制約をチェックし、標準クーリング時間を経過したらウェハ材料の回収を行う。これによってクーリング完了待ち時間の短縮化を図ることが可能となる。
本発明の実施の形態においては、以上のような温度インタロックの制御機能を実装することにより、ウェハの自然酸化膜を抑えたりパーティクル汚染を抑えたりするといったウェハ材料への配慮を行いながら、一回のバッチ処理時間を短くすることができる。言い換えると、半導体製造装置やウェハ材料に配慮することと、一回のバッチ処理時間を短くすることとのトレイドオフの関係を解消して、半導体基板に所望の処理を施すことができる。したがって、半導体製造工程における余裕マージンを少なくしても問題を起こさないように、よりきめ細かにユースケース別の制御を実行して、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。
1 加熱炉、2 温度制御ゾーン、3 ボート、4 材料(ウェハ)、5 非接触温度センサ、100 カセット、101 筐体、105 カセットステージ、109 カセット棚、110 予備カセット棚、112 ウェハ移載機、113 移載エレベータ、114 カセット移載機、115 カセットエレベータ、116 炉口シャッタ、118 クリーンユニット、121 ボートエレベータ、122 昇降部材、123 移載棚、124 搬送制御手段、200 ウェハ、202 処理炉、217 ボート、219 シールキャップ。
Claims (1)
- 複数のゾーンに分割された複数のヒータによって加熱される処理炉へ、複数枚の半導体基板を載置したボートを挿入する挿入工程と、
前記挿入工程に続いて、前記処理炉において前記半導体基板に所定の処理を施す処理工程と、
前記処理工程に続いて、前記処理炉より前記ボートを引き出す引出工程と、
前記引出工程に続いて、前記半導体基板を冷却する冷却工程とを含み、
前記挿入工程と前記引出工程との少なくとも1つの工程において、前記複数のヒータの加熱によって前記複数のゾーンに温度傾斜が生じるように温度設定したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|
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- 2004-09-13 JP JP2004264835A patent/JP2006080410A/ja not_active Withdrawn
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