TW202218026A - 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

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北本博之
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Abstract

本發明之課題在於提供一種構成，其在發生地震時，偵測初期微動波與主搖動波的振動，而能實施適當的搬送停止動作。 本發明之解決手段提供一種構成，其係具備有：搬送基板的搬送機構及處理基板的處理機構；地震偵測器，其偵測地震；以及控制部，其因應地震偵測器的偵測結果，對搬送機構及處理機構進行控制；其中，當從地震偵測器接收到初期微動波及/或主搖動波的偵測信號時，控制部可因應所接收到的初期微動波及/或主搖動波之偵測信號，實施搬送機構的停止動作。

Description

基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
本發明係關於基板處理裝置在發生地震時的裝置停止處理技術。
習知，作為基板處理裝置的地震對策，專利文獻1揭示有一種構成，其為了防止地震時晶舟翻倒，而配設防止晶舟翻倒銷及防止晶舟翻倒壁。
但，習知之基板處理裝置係由人工判斷是否實施停止搬送處理，必需按押停止搬送鍵，因而於發生地震時人不在裝置附近，便會有無法停止搬送機構的情況。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2001-223173號公報
(發明所欲解決之問題)
本發明之目的在於提供一種構成，其可在發生地震時偵測初期微動(P)波與主搖動(S)波的振動，並實施適當的搬送停止動作。 (解決問題之技術手段)
根據本發明之一態樣，提供一種構成，其具備有：搬送基板的搬送機構及處理上述基板的處理機構、地震偵測器，其偵測地震、以及控制部，其因應地震偵測器的偵測結果，對搬送機構及上述處理機構進行控制；當從地震偵測器接收到初期微動波及/或主搖動波的偵測信號時，控制部可因應所接收到的初期微動波與主搖動波之偵測信號，實施搬送機構的停止動作。 (對照先前技術之功效)
可在發生地震時偵測初期微動(P)波與主搖動(S)波的振動，並實施適當的搬送停止動作。
針對本實施形態，使用圖1、圖2進行說明。於此，以下說明所使用的圖式均僅為示意性，圖式所示之各要素的尺寸關係、各要素的比率等未必與現實物一致。又，複數圖式相互之間，各要素的尺寸關係、各要素的比率等未必一致。
另外，本說明書中，搬送機構係指升降機(升降機構)、裝載機、移載機構等的總稱，例如，後述之晶圓盒搬送裝置20、基板移載機28、晶舟升降機54、旋轉機構43等便屬於此。處理機構係指氣體供給系統、排氣系統、加熱單元等的總稱，例如，MFC、開閉閥(AV)、APC閥35、真空泵、加熱器單元49等便屬於此。又，搬送停止係意指停止搬送機構之至少一部分。處理停止係意指停止處理機構之至少一部分。
(處理爐) 處理爐42係具備有反應管41。反應管41係由例如石英(SiO 2)或碳化矽(SiC)等具耐熱性之非金屬材料構成，形成上端部封閉、下端部呈開放的圓筒形狀。
在反應管41的內側形成處理室34。在處理室34中，構成為，從下方插入有當作基板保持體的晶舟30，由晶舟30呈水平姿勢地被保持的晶圓14係在鉛直方向上呈多段排列之狀態被加以收容。處理室34所收容的晶舟30係構成為，藉由利用旋轉機構43使旋轉軸44進行旋轉，而可在保持處理室34之氣密狀態下，以搭載複數片晶圓14之狀態進行旋轉。
在反應管41的下方，與該反應管41呈同心圓狀地配設有歧管45。歧管45係由例如不鏽鋼等金屬材料構成，形成上端部及下端部開放的圓筒形狀。藉由該歧管45，反應管41係從下端部側呈縱向地被支撐。即，形成處理室34的反應管41係經由歧管45而朝鉛直方向立起，而構成處理爐42。歧管45的下端部係構成為，在晶舟升降機54上升時，利用密封蓋46而氣密地封住。在歧管45之下端部與密封蓋46之間，設有將處理室34氣密地封住的O形環等封住構件46a。
此外，於歧管45，分別連接有：用以將原料氣體或沖洗氣體等導入至處理室34中的氣體導入管47、以及用以排放處理室34的氣體的排氣管48。構成為，根據未圖示之壓力感測器的檢測結果，一面調整APC閥35，一面控制處理室34的壓力。
在反應管41的外周，與反應管41呈同心圓狀地配設有作為加熱手段(加熱機構)的加熱器單元49。加熱器單元49係構成為，以遍及處理室34全體而均勻地使其成為既定溫度分佈之目的，對處理室34進行加熱。
其次，使用本實施形態的基板處理裝置，針對半導體裝置製造之一步驟，以對晶圓14施行處理時的動作程序來進行說明。
(晶圓盒搬送步驟) 當利用基板處理裝置對晶圓14進行處理時，首先，在晶圓盒平台上載置已收容複數片晶圓14的載具(以下記載為晶圓盒)。然後，利用晶圓盒搬送裝置20，將晶圓盒從晶圓盒平台移載至晶圓盒架上。
(晶圓供給步驟) 然後，藉由晶圓盒搬送裝置20，將晶圓盒架上載置的晶圓盒搬送至晶圓盒開盒機中。然後，利用晶圓盒開盒機打開晶圓盒之蓋，利用基板片數偵測器來偵測晶圓盒中所收容之晶圓14的片數。
(搬入前移載步驟) 若打開晶圓盒之蓋，接著，配置在移載室的基板移載機28係從晶圓盒中取出晶圓14。然後，將從晶圓盒中取出的未處理狀態之晶圓14移載至與基板移載機28相同地位於移載室中的晶舟30。即，基板移載機28係在移載室中，進行對搬入於處理室34前的晶舟30裝填未處理狀態之晶圓14的晶圓充填動作。藉此，晶舟30係在將複數片晶圓14於鉛直方向上分別隔開間隔的積層狀態下保持複數片晶圓14。
(搬入步驟) 在晶圓充填動作後，利用晶舟升降機54的升降動作，將保持複數片未處理狀態之晶圓14的晶舟30朝處理室34搬入(晶舟裝載)。即，使晶舟升降機54進行動作，將保持未處理狀態之晶圓14的晶舟30，從移載室內朝處理室34搬入。藉此，密封蓋46成為經由封住構件46a而將歧管45下端密封之狀態。
(處理步驟) 晶舟裝載後，對搬入至處理室34中之晶舟30所保持的未處理狀態的晶圓14，進行既定處理。具體而言，例如，若於進行熱CVD反應之成膜處理時，便使用排氣管48進行排氣，以處理室34成為所期望之壓力(真空度)之方式調整APC閥35。然後，使用加熱器單元49對處理室34進行加熱而維持在所期望之溫度，並且使旋轉機構43進行動作而使晶舟30進行旋轉，隨此亦使晶圓14旋轉。晶圓14的旋轉係持續至後述之晶圓14搬出為止。又，藉由利用氣體導入管47將原料氣體或沖洗氣體等朝處理室34供給，而對由晶舟30保持的晶圓14之表面，利用熱的分解反應等進行薄膜之形成。
於對晶圓14之表面形成薄膜後，停止由加熱器單元49進行加熱，使處理完畢狀態之晶圓14的溫度降溫至既定溫度。然後，若經過預先設定之時間，便停止朝處理室34的氣體供給，並且開始朝該處理室34之惰性氣體的供給。藉此，對處理室34以惰性氣體進行置換，並且使處理室34的壓力恢復至常壓。
(搬出步驟) 然後，利用晶舟升降機54的升降動作，使密封蓋46下降而使歧管45下端呈開放，並且將保持處理完畢狀態之晶圓14的晶舟30從歧管45之下端朝處理室34外搬出(晶舟卸載)。
(搬出後移載步驟) 於待機之晶舟30的晶圓14冷卻至既定溫度(例如室溫程度)後，移載室中配置的基板移載機28係從晶舟30進行晶圓14之卸下。然後，進行將從晶舟30卸下的處理完畢狀態之晶圓14搬送並收容於晶圓盒開盒機中所載置的空晶圓盒之晶圓卸除動作。然後，利用晶圓盒搬送裝置20，將已收容處理完畢狀態之晶圓14的晶圓盒朝晶圓盒架或晶圓盒平台上搬送。藉此，完成由基板處理裝置進行的基板處理之一連串處理動作。
另外，基板處理步驟不需要侷限於包含上述7項步驟全部的形態，例如，亦可將上述搬入步驟、處理步驟、及搬出步驟設為基板處理步驟，將晶圓盒搬送步驟、晶圓供給步驟、搬入前移載步驟、及搬出後移載步驟設為基板搬送步驟。
如圖2所示，控制器260係構成為，至少包含有：作為主操作模組而進行設定資訊之輸入的輸入輸出裝置31、以及控制模組即控制部32。
控制部32係構成電腦，其具備有：CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)260a、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)260b、記憶裝置260c、I/O埠260d。RAM 260b、記憶裝置260c、I/O埠260d係構成為，經由內部匯流排260e，而可與CPU 260a進行資料交換。
當作運算部之CPU 260a係構成為，讀出來自記憶裝置260c之控制程式並加以執行，並且因應來自輸入輸出裝置31的操作指令之輸入等，而從記憶裝置260c中讀出檔案。又，構成為，可將由接收部285輸入的設定值、與記憶裝置260c中所記憶的檔案或控制資料進行比較、運算，計算出運算資料。又，RAM 260b係構成為，暫時地保持由CPU 260a所讀出的程式、運算資料、處理資料等之記憶體區域(工作區)。
記憶裝置260c係由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive，硬碟驅動器)等構成。在記憶裝置260c內，可讀出地儲存有控制基板處理裝置之動作的控制程式、配方編輯用之編輯畫面或設置用的設定畫面等畫面檔案、記載著基板處理之程序或條件等的製程配方、包含用以搬送基板之配方等的各種檔案、以及運算資料或處理資料等，其包含由各感測器所檢測之資料等，且其係至設定對晶圓14處理時所使用之製程配方為止的過程中所產生者。
在輸入輸出裝置31的操作畫面上，顯示製作製程配方的編輯畫面。例如，由觸控板等構成的輸入輸出裝置31係構成為，可連接有外部記憶裝置262。又，於控制器260構成為，可通過接收部285而連接有網路263。此係意指，控制器260可與網路263上存在之主機電腦等上位裝置、或後述說明的地震偵測器300等連接。所以，若輸入輸出裝置31存在於網路263上，便可與控制器260連接。即，輸入輸出裝置31不僅侷限於上述實施例，亦可在遠離基板處理裝置的場所。
以下，亦有時將包含該製程配方、控制程式等在內的各檔案，總籌簡稱為程式。另外，本說明書中使用程式一詞時，有僅含製程配方單體的情況、僅含控制程式單體的情況、或含有二者的情況。
另外，控制器260不僅侷限於構成為專用電腦的情況，亦可構成為通用電腦。例如，準備已儲存上述程式的外部記憶裝置(例如，USB記憶體等半導體記憶體)262，使用該外部記憶裝置262而將程式安裝於通用電腦等，藉此即可構成本實施例的控制器260。
用以對電腦供給程式的手段不僅侷限於經由外部記憶裝置262供給的情況。例如，亦可使用網路263(網際網路或專用線路)等通訊手段，在不經由外部記憶裝置262地供給程式。
此外，記憶裝置260c或外部記憶裝置262係構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，將該等總籌簡稱為記錄媒體。另外，本說明書中使用記錄媒體一詞時，有僅含記憶裝置260c單體的情況、僅含外部記憶裝置262單體的情況、或含有該等二者的情況。
接著，針對以上說明的基板處理裝置，在發生地震時對基板處理裝置的停止處理進行說明。基板處理裝置的控制部32係構成為，若從地震偵測器300接收到偵測信號，便因應初期微動(P)波與主搖動(S)波各自之偵測信號，對搬送機構及處理機構的停止動作進行控制。例如，構成為，若在發生地震時接收到地震偵測器300偵測初期微動(P)波與主搖動(S)波的偵測信號，便實施搬送機構的搬送停止動作。
圖7係從地震偵測器300接收到地震偵測信號時的控制器260之流程圖的一例。如同圖所示，若開始動作停止處理(S701)，便確認設定資訊(S702)、確認狀態狀況(S703)、根據設定資訊因應狀態而進行搬送停止處理(S704)，再結束處理(S705)。目前，對於P波、S波，在圖7中均以相同流程圖表示，但可依照P波、S波而個別地設定搬送機構的動作停止處理。又，控制器260係構成為，利用來自地震偵測器300的信號，而可掌握是P波、S波中之何者。
(S701)控制器260係，若從地震偵測器300取得地震偵測信號，則在地震偵測時便開始進行動作中的搬送機構之搬送停止處理。
另外，地震偵測器300係使用例如可設定為在P波達5gal以上、S波達25gal以上的震度(震度4以上)時輸出偵測信號的通用地震偵測器。該等數值係可利用基板處理裝置的輸入輸出裝置31或控制部32而變更設定。
(S702)控制器260確認搬送停止處理對象的搬送機構、及確認搬送機構的設定內容。
例如，圖3係表示基板處理裝置的搬送機構之停止方法一覧的表格37。即，可藉由指定設定值而從減速停止、即時停止、步驟停止、循環停止等4種停止方法中選擇一個。藉由將設定值設為0，於即使偵測到地震但亦可不停止的情況，仍可持續進行處理，其詳細容待後述。
圖5表示，於基板處理裝置的控制部32從地震偵測器接收到P波時，用以設定進行停止動作之搬送機構的表格39。具體而言，基板搬送之形態係有載具搬送、晶圓搬送、晶舟搬送等3種，而表格39係，在進行地震偵測(偵測P波)時，設定是否使進行各項搬送之搬送機構進行停止動作的表格。
載具搬送係表示，可將已收納晶圓14的晶圓盒，在晶圓盒平台與晶圓盒架之間進行搬送的晶圓盒搬送裝置20；晶圓搬送係表示，可將從晶圓盒中取出的未處理狀態之晶圓14，移載於晶舟30上的基板移載機28；晶舟搬送係表示，可將保持複數片未處理狀態之晶圓14的晶舟30朝處理室34搬入(晶舟裝載)，或可將保持複數片處理完畢狀態之晶圓14的晶舟30從處理室34搬出(晶舟卸載)的晶舟升降機54。
此處，晶舟升降機(晶舟搬送)54的情況係，設定為使晶舟30移動至初期位置。其構成為，若圖5的表格中將設定值設為1，當在晶舟31動作中(晶舟31上升中或晶舟31下降中)有偵測到地震(P波)時，若圖3所示之停止方法係設定為「步驟停止」，則晶舟升降機54便進行使晶舟30返回初期位置的動作。
再者，若設定值設定為0，則構成為，即使在晶舟31之上升中，即晶舟裝載中，有偵測到地震，但仍持續晶圓14的處理。即，構成為，當處理基板的處理機構在處理中有偵測到地震時，仍持續進行處理。藉此，若為搖晃較大但沒有倒塌可能的中程度地震(震度4~5程度)，則可優先進行晶圓14的處理。例如，在大地震發生率極低的地區等，可選擇優先處理晶圓14的設定值0。
圖6係偵測到地震時，使搬送機構進行停止動作的設定畫面40之一例。
例如，在輸入輸出裝置31的操作畫面上，顯示圖6所示之設定畫面，依P波、S波個別地設定搬送機構的停止動作。如此，將預先設定之內容儲存於記憶裝置260c中，當地震偵測時，便讀取設定資訊。
(S703)控制器260係確認搬送停止處理對象的搬送機構之動作狀況。即，確認地震偵測時的晶圓盒搬送裝置20、基板移載機28、及晶舟升降機54各者之動作狀況。控制器260係當任一搬送機構均未動作的情況，移往(S705)，而結束搬送停止處理時序。控制器260係，當搬送機構中任一者處於動作中的情況，便移往(S704)並實施搬送停止處理。
(S704)控制器260係根據所設定之內容，實施搬送停止處理對象的搬送機構之搬送停止處理。例如，圖4的表格38所示，依P波的偵測信號進行在一單位動作結束後才停止的循環停止，而依S波的偵測信號進行儘可能停止的即時停止。另外，偵測P波後，若在循環停止中有偵測到S波，便立即停止搬送機構。偵測P波並發出地震偵測警報(警示)後，若在既定時間內沒有出現S波，則仍發出該警報。於此情況，偵測P波信號並停止循環的搬送機構係保持停止動作之狀態，在該搬送機構再度啟動時，必需手動進行復原操作(警示解除)。若警示解除，便可移往(S705)，而可結束搬送停止處理時序。
例如，構成為，在圖6之發生地震時停止機構的設定值為1，且發生地震時晶舟初期位置有移動，即，晶舟升降機54被設定為搬送停止處理對象時，在晶舟升降中(晶舟上升中、或晶舟下降中)有偵測到地震(S波)時，若圖3所示之停止方法係設定為「循環停止」或「步驟停止」，則晶舟升降機54便進行使晶舟30返回初期位置的動作。
根據本實施形態的基板處理裝置，不須依賴人工判斷便可進行搬送停止處理，且能偵測P波與S波的振動，實施適當的搬送停止動作。
上述針對處理機構並無特別設定，但可設定為，使處理機構分別因應P波與S波進行動作。例如，若偵測地震，可無關乎P波與S波地設定為停止加熱器單元49之加熱。另一方面，可設定為，即使檢測到P波，但加熱器單元49仍持續動作，而若檢測到S波便停止。又，對於開閉閥，亦可設定為，若偵測到地震，則無關乎P波與S波地，均將供給處理氣體的閥設為OF，而將供給惰性氣體的閥設為ON。該等僅為一例而已，可任意進行各種設定。
再者，亦可由地震偵測器300依每個震度輸出偵測信號。例如亦可為，在震度4與震度7時輸出不同的偵測信號。若為如此構成，則控制部32亦可因應震度設定搬送機構及處理機構的停止動作。
如上述，本發明中，若偵測到地震時，可使搬送機構或處理機構適當地停止動作。之後的復原處理基本上係發生地震後的復原處理，故由使用者進行復原處理，例如更換晶舟、回收基板等。
例如，將照相機等攝影裝置裝入於裝置內，而記錄晶圓盒搬送裝置20、基板移載機28等搬送機構的動作。而且，構成為，若控制器260接收到來自地震偵測器300之地震的偵測信號，便可經由網路263，藉由影像資料來取得發生地震時動作中的搬送機構，並可將所取得的影像資料顯示於輸入輸出裝置131上。藉此，可確認即將發生地震前的搬送機構之動作狀況。
例如亦可構成為，在發生地震時，若動作中的搬送機構為基板移載機28，便自動將確認晶圓200位置偏移的畫面顯示於輸入輸出裝置131上，若為晶圓盒搬送裝置20，便自動將確認晶圓盒位置偏移的畫面顯示於輸入輸出裝置131上。即，從操作畫面上的資訊，可得知發生地震時是哪一搬送機構為動作停止對象，且復原處理之內容明確，有助於縮短復原處理的時間。
以上所說明的本發明，不僅適用於半導體製造裝置的基板處理裝置，亦適用於對如LCD裝置等玻璃基板進行處理的裝置。成膜處理係包含有，例如CVD、PVD、形成氧化膜或氮化膜的處理、形成含金屬之膜的處理等。又，亦可適用於其他的基板處理裝置，例如曝光裝置、微影裝置、塗佈裝置、利用電漿的CVD裝置等。
＜本發明之較佳態樣＞ 以下，對於本發明之較佳態樣加以附註。
＜附註1＞ 本發明之一態樣為一種基板處理裝置，其係具備有： 搬送基板之搬送機構及處理上述基板之處理機構； 地震偵測器，其係偵測地震；以及 控制部，其因應上述地震偵測器的偵測結果，對上述搬送機構及上述處理機構進行控制； 上述控制部係構成為，可因應上述P波(初期微動)與上述S波(主搖動)，實施上述搬送機構的停止動作。
＜附註2＞ 如附註1的基板處理裝置，其中，上述搬送機構的停止動作係構成為依上述P波與上述S波而個別地設定。
＜附註3＞ 如附註1的基板處理裝置，其中，上述搬送機構的停止動作係構成為，可自減速停止、即時停止、步驟停止、循環停止中選擇一者。
＜附註4＞ 如附註1的基板處理裝置，其中，構成為，可因應來自上述地震偵測器的偵測結果，對每個上述搬送機構選擇上述停止動作。
＜附註5＞ 如附註1的基板處理裝置，其中，上述搬送機構係從由晶圓盒搬送裝置、基板移載機、晶舟升降機、旋轉機構所構成之群組中選擇之至少一者。
＜附註6＞ 如附註5的基板處理裝置，其中，上述搬送機構中，當上述晶舟升降機的停止動作被設定為「循環停止」時，上述晶舟升降機係構成為，不管晶舟上升中或晶舟下降中，均可使上述晶舟返回初期位置。
＜附註7＞ 如附註5的基板處理裝置，其中，上述搬送機構中，當未設定上述晶舟升降機之停止動作時，上述控制部係構成為，即使在上述晶舟上升中偵測到地震，仍可執行包含搬入步驟、處理步驟、搬出步驟的基板處理步驟。
＜附註8＞ 如附註1的基板處理裝置，其中，上述搬送機構係構成為可設定有無上述停止動作。
＜附註9＞ 如附註1的基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為，偵測到上述P波時，即使未偵測到上述S波，仍可維持地震偵測的警示。
＜附註10＞ 如附註1的基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為可因應上述震度而選擇上述搬送機構的停止動作。
＜附註11＞ 如附註1的基板處理裝置，其中，上述處理機構的停止動作係構成為可對每個上述處理機構進行設定。
＜附註12＞ 如附註1的基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為，可因應上述P波與上述S波，選擇上述處理機構的動作。
＜附註13＞ 如附註1的基板處理裝置，其中，構成為，可因應來自上述地震偵測器的偵測結果，對每個上述處理機構選擇上述停止動作。
＜附註14＞ 如附註1之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為可因應上述震度來選擇上述處理機構的停止動作。
＜附註15＞ 根據本發明之另一態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其具有：使搬送基板的搬送機構進行動作之基板搬送步驟、及使處理上述基板的處理機構進行動作之基板處理步驟；上述半導體裝置之製造方法係具有： 在執行上述基板搬送步驟或上述基板處理步驟中，接收所偵測到地震的初期微動波及/或主搖動波之偵測信號的步驟；以及 因應所接收到之上述初期微動波與上述主搖動波，實施上述搬送機構之停止動作的步驟。
＜附註16＞ 本發明之進而另一態樣係一種使上述基板處理裝置執行程序的程式、或電腦可讀取程式的記錄媒體，其係在附註1所記載之基板處理裝置中執行的程式、或電腦可讀取程式的記錄媒體；上述程序具有： 接收地震初期微動波及/或主搖動波的程序；以及 因應所接收到之初期微動波及/或主搖動波的偵測信號，實施搬送機構之停止動作的程序。
14:晶圓 20:晶圓盒搬送裝置 28:基板移載機 30:晶舟 31:輸入輸出裝置 32:控制部 34:處理室 35:APC閥 37:表格 38:表格 39:表格 40:設定畫面 41:反應管 42:處理爐 43:旋轉機構 44:旋轉軸 45:歧管 46:密封蓋 46a:封住構件 47:氣體導入管 48:排氣管 49:加熱器單元 54:晶舟升降機 260:控制器 260a:CPU 260b:RAM 260c:記憶裝置 260d:I/O埠 260e:內部匯流排 262:外部記憶裝置 263:網路 285:接收部 300:地震偵測器
圖1係表示本實施形態的基板處理裝置之處理爐之一構成的圖。 圖2係表示本實施形態的基板處理裝置之包含輸入輸出裝置及控制部的控制系統之一構成例的圖。 圖3係表示本實施形態的基板處理裝置之停止方法之一覽表的圖。 圖4係表示本實施形態的基板處理裝置對於地震信號偵測的停止方法的圖。 圖5係本實施形態的用以設定基板處理裝置在發生地震時停止之搬送機構的圖。 圖6係本實施形態的基板處理裝置對地震信號偵測設定搬送機構的設定畫面例。 圖7係表示本實施形態的基板處理裝置在地震偵測時停止搬送機構之流程的圖。
37:表格

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置，其係具備有： 搬送基板之搬送機構及處理上述基板之處理機構； 地震偵測器，其偵測地震；以及 控制部，其因應上述地震偵測器的偵測結果，對上述搬送機構及上述處理機構進行控制； 上述控制部係構成為，可因應P波(初期微動波)與S波(主搖動波)，實施上述搬送機構的停止動作。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述搬送機構的停止動作係構成為依上述P波與上述S波而個別地設定。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述搬送機構的停止動作係構成為，可自減速停止、即時停止、步驟停止、循環停止中選擇一者。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，構成為，可因應來自上述地震偵測器的偵測結果，對每個上述搬送機構選擇上述停止動作。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述搬送機構係從由晶圓盒搬送裝置、基板移載機、晶舟升降機、旋轉機構所構成之群組中選擇之至少一者。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中，上述搬送機構中，當上述晶舟升降機的停止動作被設定為「循環停止」時，上述晶舟升降機係構成為，不管晶舟上升中或晶舟下降中，均可使上述晶舟返回初期位置。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中，上述搬送機構中，當未設定上述晶舟升降機之停止動作時，上述控制部係構成為，即使在上述晶舟上升中偵測到地震，仍可執行包含搬入步驟、處理步驟、搬出步驟的基板處理步驟。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述搬送機構係構成為可設定有無上述停止動作。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為，偵測到上述P波時，即使未偵測到上述S波，仍可維持地震偵測的警示。
  10. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為可因應上述震度而選擇上述搬送機構的停止動作。
  11. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述處理機構的停止動作係構成為可對每個上述處理機構進行設定。
  12. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為，可因應上述P波與上述S波，選擇上述處理機構的動作。
  13. 如請求項1之基板處理裝置，其中，構成為，可因應來自上述地震偵測器的偵測結果，對每個上述處理機構選擇上述停止動作。
  14. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述控制部係構成為可因應上述震度來選擇上述處理機構的停止動作。
  15. 一種半導體裝置之製造方法，其具有使搬送基板的搬送機構進行動作之基板搬送步驟、及使處理上述基板的處理機構進行動作之基板處理步驟；上述半導體裝置之製造方法係具有： 在執行上述基板搬送步驟或上述基板處理步驟中，接收所偵測到之地震的P波(初期微動波)及/或S波(主搖動波)之偵測信號的步驟；以及 因應所接收到之上述P波與上述S波，實施上述搬送機構之停止動作的步驟。
  16. 一種程式，其係在基板處理裝置中被執行者，上述基板處理裝置係具備有：搬送基板的搬送機構及處理上述基板的處理機構；地震偵測器，其偵測地震；以及控制部，其因應上述地震偵測器的偵測結果，對上述搬送機構及上述處理機構進行控制； 上述控制部係構成為，可因應P波(初期微動波)與S波(主搖動波)，實施上述搬送機構之停止動作； 上述程式係使上述控制部執行下述程序： 接收上述地震的上述P波及/或上述S波之程序；以及 因應所接收到的上述P波及/或上述S波之偵測信號，實施上述搬送機構之停止動作的程序。
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