JP2001223173A - 縦形半導体製造装置 - Google Patents

縦形半導体製造装置

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JP2001223173A
JP2001223173A JP2000033632A JP2000033632A JP2001223173A JP 2001223173 A JP2001223173 A JP 2001223173A JP 2000033632 A JP2000033632 A JP 2000033632A JP 2000033632 A JP2000033632 A JP 2000033632A JP 2001223173 A JP2001223173 A JP 2001223173A
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boat
fall prevention
process tube
shutter
falling
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JP2000033632A
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Shigeru Kotake
繁 小竹
Naoki Matsumoto
尚樹 松本
Koji Tomezuka
幸二 遠目塚
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Hitachi Kokusai Electric Inc
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Hitachi Kokusai Electric Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 地震時にボートが倒れるのを防止する。 【解決手段】 縦形CVD装置の垂直方向に設置された
プロセスチューブ1の下端の炉口2の外側には、プロセ
スチューブ1の延長線上に立脚されるボート10の上端
板16に径方向外側から係合するボート倒れ防止ピン2
3およびボート倒れ防止壁24が配設されている。ボー
ト倒れ防止ピン23はプロセスチューブ1の炉口2を開
閉するシャッタ4の下面に突設され、ボート倒れ防止壁
24はプロセスチューブ1の外側に設置されたスカベン
ジャ3の下面に設置されている。 【効果】 地震発生時のボートの倒れを防止することに
より、ボートの倒れによるウエハの損傷を防止できるた
め、地震によるICの生産についての大きな被害の発生
を未然に防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、縦形半導体製造装
置に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICと
いう。)の製造方法に使用される縦形半導体製造装置で
あって、半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に窒化
シリコン(Si34 )やポリシリコン等を堆積(デポ
ジション)させる減圧CVD装置、および、酸化処理や
拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平
坦化のためのリフロー等にも使用される拡散装置等に利
用して有効なものに関する。
【0002】ICの製造方法において、ウエハに窒化シ
リコンやポリシリコン等のCVD膜をデポジションする
のにバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置が広
く使用されている。バッチ式縦形ホットウオール形減圧
CVD装置(以下、縦形CVD装置という。)は、ウエ
ハが搬入されるインナチューブおよびこのインナチュー
ブを取り囲むアウタチューブから構成され縦形に設置さ
れたプロセスチューブと、インナチューブ内に原料ガス
を導入するガス導入管と、プロセスチューブ内を真空排
気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されてプロ
セスチューブ内を加熱するヒータとを備えており、複数
枚のウエハがボートによって長く整列されて保持された
状態でプロセスチューブ内に下端の炉口から搬入され、
インナチューブ内に原料ガスがガス導入管から導入され
るとともに、ヒータによってプロセスチューブ内が加熱
されることにより、ウエハにCVD膜がデポジションさ
れるように構成されている。
【0003】このような縦形CVD装置として、図1に
示されているものがある。すなわち、図1に示されてい
るように、垂直に設置されたプロセスチューブ1の下端
の炉口2はスカベンジャ3によって取り囲まれており、
炉口2はシャッタ4によって開閉されるように構成され
ている。また、プロセスチューブ1の片脇にはベース6
を昇降させるエレベータ5が垂直方向に設置されてお
り、ベース6には位置決めピン7が突設されている。
【0004】そして、複数枚のウエハ8を整列して保持
したボート10はベース6の上に垂直に立脚されて載せ
られ位置決めピン7によって位置決めされた状態で、エ
レベータ5によって昇降されることよりプロセスチュー
ブ1の炉口2に対して搬入搬出されるようになってい
る。なお、ベース6に載せられたボート10をベース6
に固定せずに位置決めピン7による位置決めするだけと
する理由は、ボート10が石英または炭化シリコン(S
iC)によって形成されており、ベース6がステンレス
鋼(SUS)によって形成されていることによるベース
10とベース6との熱膨張の相違を吸収する必要がある
ためである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た縦形CVD装置においては、ボート10はベース6の
上に位置決めピン7によって位置決めされるだけで固定
されていないため、地震等の震動がベース6に加わった
場合に、ベース6に位置決めされただけのボート10が
倒れる事故が発生し、ボート10によって保持されたウ
エハ7群が損傷することにより、ICの生産について大
きな被害が余儀無くされるという問題点があることが本
発明者によって明らかにされた。
【0006】本発明の目的は、地震等の震動によってボ
ートが倒れる事故を未然に防止することができる縦形半
導体製造装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明に係る縦形半導体
製造装置は、垂直方向に設置されたプロセスチューブの
下端の炉口の外側に、このプロセスチューブの延長線上
に立脚されるボートの上端部に径方向外側から係合する
ボート倒れ防止部材が配設されており、このボート倒れ
防止部材は前記プロセスチューブの炉口を開閉するシャ
ッタの下面に突設されていることを特徴とする。
【0008】前記した手段によれば、垂直に立脚された
ボートの上端部にはボート倒れ防止部材が径方向外側か
ら係合した状態になるため、地震等の震動が加わること
によってボートが倒れようとしても倒れるのを未然に防
止することができる。また、ボート倒れ防止部材をシャ
ッタの下面に突設することにより、専用の駆動装置を設
けることなく、ボート倒れ防止部材をボートに対して進
退させることができるため、縦形半導体製造装置の製造
コストの増加を抑制することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
【0010】本実施の形態において、本発明に係る縦形
半導体製造装置は、縦形CVD装置(バッチ式縦形ホッ
トウオール形減圧CVD装置)として構成されており、
その基本的構成は図1に示されている縦形CVD装置と
同様である。
【0011】ここで、ウエハ8を保持するボート10の
構成の詳細を説明する。ボート10は全体的に石英また
は炭化シリコンが使用されて形成されており、外径がプ
ロセスチューブ1の内径よりも若干小さめの円筒形状に
形成されたキャップ11を備えている。キャップ11の
下端にはキャップ受け板12が固定されており、キャッ
プ受け板12の外周部の片側部分(以下、前側部分とす
る。)には、ベース6の位置決めピン7に係合する一対
の位置決め凹部13、13が没設されている。キャップ
11の上面における両位置決め凹部13、13と反対側
である後側部分には、細長い丸棒形状に形成された保持
柱14が三本、周方向に約90度の間隔を置いて配置さ
れて垂直に立脚固定されている。各保持柱14には多数
条の保持溝15が垂直方向に等間隔に配置されて半径程
度の深さに刻まれており、三本の保持柱14における同
一水平面の保持溝15、15、15にウエハ8が保持柱
14の無い前側方向から挿入されることにより、ウエハ
8がボート10に水平に保持されるようになっている。
三本の保持柱14の上端にはキャップ11の外径と同形
の円形形状に形成された上端板16が水平に固定されて
いる。
【0012】図2および図3に示されているように、縦
形CVD装置のプロセスチューブ1の炉口2の外側はス
カベンジャ3によって取り囲まれており、スカベンジャ
3の下面は炉口2の開口面と略一致されている。炉口2
を開閉するシャッタ4はモータ等によって往復回動され
る回動軸21に水平に固定されたアーム22の自由端に
支持されており、回動軸21によって水平方向に往復回
動されることにより炉口2を開閉するように構成されて
いる。また、シャッタ4は炉口2に対してエレベータ5
と反対側(以下、前側とする。)から進入するようにな
っている。
【0013】シャッタ4は炉口2よりも大きい円形の平
板形状に形成されており、炉口2からの熱の逃散を阻止
し得るように断熱構造に構成されている。シャッタ4の
下面には第一のボート倒れ防止部材としてのボート倒れ
防止ピン23が一対、シャッタ4の中心と同心円の円弧
であって中心を挟んでエレベータ5に対向する前側位置
の円弧上において互いに約90度の位相差をとって配置
されて、垂直方向下向きに突設されている。すなわち、
ボート倒れ防止ピン23は略画鋲形状に形成されてお
り、上端の鍔部がシャッタ4の下面に当接されてボルト
等の締結部材(図示せず)によって固定されている。
【0014】そして、一対のボート倒れ防止ピン23、
23が配置された円弧の半径は、ボート10の上端板1
6の半径よりも若干大きめに設定されている。また、両
ボート倒れ防止ピン23、23の長さは、シャッタ4が
炉口2を閉じてベース6に立脚保持されたボート10に
対向した状態においてボート10の上端板16の下面の
若干下側になるように設定されている。つまり、一対の
ボート倒れ防止ピン23、23はベース6に立脚保持さ
れたボート10の上端板16における前側部分の約90
度離れた一対の位置にそれぞれ径方向外側から、ボート
10に保持されたウエハ8に干渉しないように係合する
ように構成されている。
【0015】図2および図3に示されているように、ス
カベンジャ3の下面における後側部分には第二のボート
倒れ防止部材としてのボート倒れ防止壁24がシャッタ
4に干渉しない位置に配置されて、垂直方向下向きに突
設されている。ボート倒れ防止壁24はステンレス鋼等
の平板が使用されて断面が略“〔 ”形の樋形状に形成
されており、上端のフランジ部25がスカベンジャ3の
下面に当接されてボルト等の締結部材(図示せず)によ
って固定されている。ボート倒れ防止壁24はエレベー
タ5寄りの後側位置であって、シャッタ4に突設された
一対のボート倒れ防止ピン23、23にシャッタ4の中
心を挟んで対向した位置に配されている。ボート倒れ防
止壁24の前側両端は中心側に閉じた状態になってお
り、ボート倒れ防止壁24の内周面はシャッタ4の同心
円の接線を三箇所において構成するようになっている。
【0016】次に、前記構成に係る縦形CVD装置にお
けるボート倒れ防止の作用を説明する。
【0017】プロセスチューブ1における所定の処理が
終了すると、ベース6の上に立脚保持された状態でプロ
セスチューブ1に炉口2から挿入されていたボート10
は、エレベータ5によって下降されることによりプロセ
スチューブ1から待機位置に搬出される。
【0018】続いて、シャッタ4が図1および図3に想
像線で示された開放状態から実線で示された閉鎖状態へ
回動軸21によって回動されると、図1および図2に示
されている待機状態になる。この際、一対のボート倒れ
防止ピン23、23はシャッタ4の前側位置すなわちシ
ャッタ4の進入方向下手に配置されているため、シャッ
タ4の閉鎖回動途中でボート10の上端板16に衝突す
ることはない。
【0019】図1および図2に示されている待機状態に
おいて、シャッタ4に突設された一対のボート倒れ防止
ピン23、23は、ベース6に立脚保持されたボート1
0の上端板16における前側部分の約90度離間した一
対の位置にそれぞれ径方向外側から、ボート10に保持
された最上段のウエハ8に干渉しないように近接して係
合した状態になる。また、スカベンジャ3の下面におけ
る後側部分に配置されたボート倒れ防止壁24は、ボー
ト10の上端部にシャッタ4に干渉しない位置において
後側から対向した状態になる。
【0020】この状態で、地震が発生し震動がベース6
に加わってボート10が前側に倒れようとしても、一対
のボート倒れ防止ピン23、23がボート10の上端板
16に近接して係合した状態になっているため、ボート
10は前側に倒れることを阻止されることになる。この
際、ボート10が傾いて上端板16の外周が一対のボー
ト倒れ防止ピン23、23に当接しても、一対のボート
倒れ防止ピン23、23がボート10の上端板16に近
接して係合した状態になっていることにより、当該ボー
ト10の傾斜角度はきわめて僅かになるため、ウエハ8
が保持溝15から脱落することはない。したがって、地
震発生時のボート10の前傾によるウエハ8の損傷事故
は未然に防止されたことになる。
【0021】ちなみに、ボート倒れ防止ピン23がボー
ト10の上端板16に近接されていると、ボート倒れ防
止ピン23はボート10がプロセスチューブ1に対して
昇降される際の障害物になる。しかし、本実施の形態に
おいては、ボート10がプロセスチューブ1に対して昇
降される際には、図4(a)に示されているように、ボ
ート倒れ防止ピン23はシャッタ4が開放されることに
よってボート10の上端板16から離間した状態になる
ため、ボート10の昇降の際の障害物にはならない。し
たがって、ボート10はプロセスチューブ1に対して従
来と同様に円滑に搬入搬出することができる。
【0022】他方、地震が発生し震動がベース6に加わ
ってボート10が後側に倒れようとしても、ボート倒れ
防止壁24がボート10の上端部に対向した状態になっ
ているため、図4(b)に示されているように、ボート
10は若干傾斜してボート倒れ防止壁24に支えられた
状態になって後側に倒れることを阻止される。この際、
ボート10がボート倒れ防止壁24に支えられるまで後
ろに傾斜しても、三本の保持柱14のうちの一本が真後
ろに配置されているため、ウエハ8が保持溝15から脱
落することはない。したがって、地震発生時のボート1
0の後傾によるウエハ8の損傷事故は防止されたことに
なる。なお、ボート倒れ防止壁24はプロセスチューブ
1の炉口2から離れた位置に配設されているので、ボー
ト10のプロセスチューブ1に対する障害物にはならな
い。
【0023】ところで、図1に示されているように、ボ
ート10をベース6に位置決めするための一対の位置決
めピン7、7および位置決め凹部13、13が左右対称
形に配置されていることにより、ボート10の前後方向
と直交する左右方向の傾斜は殆ど起こらないため、ボー
ト10が左右方向に倒れることはない。
【0024】しかし、ボート10の左右方向への倒れを
も防止したい場合には、ボート倒れ防止ピン23の本数
を増加したり、一対のボート倒れ防止ピン23、23の
離間距離を広く設定したりすることによって対策するこ
とができるし、ボート倒れ防止壁24のボート10に対
するカバー範囲を広く設定することによっても対処する
ことができる。また、ボート倒れ防止ピン23の対策お
よびボート倒れ防止壁24の対策の双方を採用してもよ
いことは勿論である。
【0025】前記した実施の形態によれば、次の効果が
得られる。
【0026】1) 地震発生時のボートの倒れを防止する
ことにより、ボートの倒れによるウエハの損傷を防止す
ることができるため、地震によるICの生産についての
大きな被害の発生を未然に防止することができる。
【0027】2) プロセスチューブの下端の炉口の外側
にボートの上端部に径方向外側から係合するボート倒れ
防止ピンおよびボート倒れ防止壁を配設することによ
り、ボートおよびプロセスチューブを改造しないで済
み、かつ、ボートおよびプロセスチューブに干渉するの
を回避することができるため、ボートおよびプロセスチ
ューブの通常の作動に影響を与えずに地震発生時のボー
トの倒れを防止することができる。
【0028】3) 前記2)により、ボートをベースに固定
しなくて済むため、ボートの構成材料とベースの構成材
料との熱膨張係数差による伸縮を吸収することができ
る。
【0029】4) ボート倒れ防止ピンをシャッタに配設
することにより、ボートのプロセスチューブに対する昇
降時にボート倒れ防止ピンを径方向外側に後退させて干
渉を回避させるための専用の進退駆動装置を別に設置し
なくても済むため、縦形CVD装置の製造コストの増加
を抑制することができる。
【0030】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
【0031】例えば、ボート倒れ防止ピンの本数は二本
に限らず、一本または三本以上であってもよい。また、
隣合うボート倒れ防止ピン同士の間隔は、周方向の位相
差で約90度に設定するに限らず、ボートの外径やシャ
ッタの開閉作動等の諸条件に対応して適宜に設定するこ
とができる。
【0032】ボート倒れ防止壁は角形の樋形状に形成す
るに限らず、円弧形の樋形状に形成してもよい。
【0033】また、ボート倒れ防止壁はスカベンジャの
下面に配置するに限らず、縦形CVD装置の筐体の側壁
等に配置してもよい。さらに、ボート倒れ防止壁は径方
向または軸方向に進退するように構成してもよい。
【0034】前記実施の形態ではウエハに処理が施され
る場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプ
リント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよ
び磁気ディスク等であってもよい。
【0035】また、前記実施の形態においては縦形CV
D装置について説明したが、本発明は、酸化処理や拡散
だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化
のためのリフロー等にも使用される拡散装置等の縦形半
導体製造装置全般に適用することができる。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
垂直方向に設置されたプロセスチューブの下端の炉口の
外側に、このプロセスチューブの延長線上に立脚される
ボートの上端部に径方向外側から係合するボート倒れ防
止部材を配設することにより、地震等の震動が加わるこ
とによってボートが倒れようとした際に、ボート倒れ防
止部材によってボートを支えることができるため、ボー
トが倒れるのを未然に防止することができる。また、ボ
ート倒れ防止部材をシャッタの下面に突設することによ
り、専用の駆動装置を設けることなく、ボート倒れ防止
部材をボートに対して進退させることができるため、縦
形半導体製造装置の製造コストの増加を抑制することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来例を示す斜視図である。
【図2】本発明の一実施の形態である縦形CVD装置の
主要部を示しており、(a)は下から見た一部省略斜視
図、(b)は一部省略側面断面図である。
【図3】その底面断面図である。
【図4】ボートの倒れ防止の作用を説明するための各一
部省略側面断面図であり、(a)はボート倒れ防止ピン
の作用を、(b)はボート倒れ防止壁の作用をそれぞれ
示している。
【符号の説明】
1…プロセスチューブ、2…炉口、3…スカベンジャ、
4…シャッタ、5…エレベータ、6…ベース、7…位置
決めピン、8…半導体ウエハ、10…ボート、11…キ
ャップ、12…キャップ受け板、13…位置決め凹部、
14…保持柱、15…保持溝、16…上端板、21…回
動軸、22…アーム、23…ボート倒れ防止ピン(ボー
ト倒れ防止部材)、24…ボート倒れ防止壁(ボート倒
れ防止壁)、25…フランジ部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠目塚 幸二 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Fターム(参考) 5F045 BB20 DP19 DQ05 EB02 EM01 EM08 EN04

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 垂直方向に設置されたプロセスチューブ
    の下端の炉口の外側に、このプロセスチューブの延長線
    上に立脚されるボートの上端部に径方向外側から係合す
    るボート倒れ防止部材が配設されており、このボート倒
    れ防止部材は前記プロセスチューブの炉口を開閉するシ
    ャッタの下面に突設されていることを特徴とする縦形半
    導体製造装置。
JP2000033632A 2000-02-10 2000-02-10 縦形半導体製造装置 Pending JP2001223173A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827478B1 (ko) 2006-11-03 2008-05-06 동부일렉트로닉스 주식회사 저압기상증착설비의 자동셔터와 자동셔터를 통한 퍼지가스세정방법
KR20220043880A (ko) 2020-09-29 2022-04-05 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램

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KR100827478B1 (ko) 2006-11-03 2008-05-06 동부일렉트로닉스 주식회사 저압기상증착설비의 자동셔터와 자동셔터를 통한 퍼지가스세정방법
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