JP2009081258A - 熱処理方法及び熱処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】処理の均一性を確保しつつ基板保持具の搭載枚数を従来よりも増やす。
【解決手段】複数枚の被処理基板wを基板保持具10に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具10を熱処理炉3内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す。上記基板保持具10は、複数本の支柱28に被処理基板の周縁部を支持する基板支持部30を上下方向に所定間隔で有し、上記支柱が同一円周上に配置された2つの保持具構成体10a,10bからなる。一方の保持具構成体10aには表面を上面にした被処理基板を、他方の保持具構成体10bには裏面を上面にした被処理基板をそれぞれ搭載した後、2つの保持具構成体を相対的に上下方向に移動し、これにより、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になるようにし、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔paに、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭い間隔pbにする。
【選択図】図7

Description

本発明は、熱処理方法及び熱処理装置に係り、特に処理の均一性を確保しつつ処理枚数を増やす技術に関するものである。
半導体装置の製造においては、被処理基板例えば半導体ウエハ(以下、ウエハともいう。)に、酸化、拡散、CVD(Chemical Vapor Deposition)などの処理を施すために、各種の処理装置(半導体製造装置)が用いられている。そして、その一つとして、一度に多数枚の被処理基板の熱処理が可能な縦型の熱処理装置が知られている。
この熱処理装置は、熱処理炉と、複数枚のウエハを上下方向に所定間隔で保持して上記熱処理炉に搬入搬出される基板保持具であるボートとを備えている(例えば、引用文献1参照。)。また、上記熱処理炉の下方に形成されたローディングエリア(作業領域)には、上記熱処理炉の炉口を閉塞する蓋体の上部に炉口断熱手段である保温筒を介して上記ボートを載置した状態で蓋体を上昇下降させて炉内へのボートの搬入及びローディングエリアへのボートの搬出を行う昇降機構や、ローディングエリアに搬出されたボートと複数枚のウエハを収納可能な収納容器との間でウエハの移載を行う移載機構等が装備されている。
上記ボートは、底板と天板の間に複数本の支柱を介設し、これら支柱にウエハの周縁部を支持する溝状ないし突状の基板支持部を上下方向に所定の間隔(ピッチ)で形成して構成されている。特に、上記ボートには、すべてのウエハが被処理面である表面を上面にした状態で搭載される。
特開2001−223254号公報
しかしながら、上記熱処理装置においては、ボートにおけるウエハの搭載枚数を決めるピッチ幅が、処理の面内及び面間の均一性の観点及び移載の観点より最小値が決まってしまっており、搭載枚数を増やすことが困難であった。なお、処理の面内及び面間の均一性を更に向上させるべく上記ピッチ幅を大きくすると、搭載枚数が減少してしまう。
本発明は、上述した従来の技術が有する課題を解消し、処理の均一性を確保しつつ基板保持具の搭載枚数を従来よりも増やすことができる熱処理方法及び熱処理装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のうち、請求項1の発明は、複数枚の被処理基板を基板保持具に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具を熱処理炉内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理方法において、上記基板保持具に、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になるように被処理基板を配置し、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔に設定され、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭い間隔に設定されることを特徴とする。
請求項2の発明は、複数枚の被処理基板を基板保持具に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具を熱処理炉内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理方法において、上記基板保持具は、複数本の支柱に被処理基板の周縁部を支持する基板支持部を上下方向に所定間隔で有し、上記支柱が同一円周上に配置された2つの保持具構成体からなり、一方の保持具構成体には表面を上面にした被処理基板を、他方の保持具構成体には裏面を上面にした被処理基板をそれぞれ搭載した後、2つの保持具構成体を相対的に上下方向に移動することにより、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になるようにし、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔に、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭い間隔にすることを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項2記載の熱処理方法において、上記2つの保持具構成体は、相対的に周方向に回動することにより、上記支柱が上記被処理基板の周縁部を該被処理基板の直径よりも狭い間隔で取り囲むことを特徴とする。
請求項4の発明は、複数枚の被処理基板を上下方向に所定の間隔で搭載する基板保持具と、該基板保持具を搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理炉とを備えた熱処理装置において、上記基板保持具は、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になるように被処理基板の周縁部を支持する基板支持部を有し、該基板支持部は、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔に設定され、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭く設定されていることを特徴とする。
請求項5の発明は、複数枚の被処理基板を基板保持具に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具を熱処理炉内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理装置において、上記基板保持具は、複数本の支柱に被処理基板の周縁部を支持する基板支持部を上下方向に所定間隔で有し、上記支柱が同一円周上に配置された2つの保持具構成体からなり、一方の保持具構成体には表面を上面にした被処理基板を、他方の保持具構成体には裏面を上面にした被処理基板をそれぞれ搭載する基板支持部が形成され、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になり、表面同士の間隔を処理の均一性を確保し得る間隔に、裏面同士の間隔を表面同士の間隔よりも狭い間隔にすべく上記2つの保持具構成体が上下移動機構により相対的に上下方向に移動可能とされていることを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項5記載の熱処理装置において、上記上下移動機構が、上記熱処理炉の炉口を閉塞する蓋体に設けられた基板保持具用回転機構の回転軸を貫通して昇降移動する昇降軸と、該昇降軸を昇降移動する昇降駆動部とを備えたことを特徴とする。
請求項7の発明は、請求項5記載の熱処理装置において、上記上下移動機構が、上記熱処理炉の炉口を閉塞する蓋体の上部に保温筒を介して載置された上記基板保持具を熱処理炉に搬入搬出すべく昇降する昇降機構と、該昇降機構により熱処理炉から搬出された時に他方の保持具構成体を係止して一方の保持具構成体との上下方向の相対的位置関係を復元する係止機構とからなることを特徴とする。
請求項8の発明は、請求項5記載の熱処理装置において、上記支柱が上記被処理基板の周縁部を該被処理基板の直径よりも狭い間隔で取り囲むように上記2つの保持具構成体を相対的に周方向に回動する回動機構を備えたことを特徴とする。
請求項9の発明は、請求項8記載の熱処理装置において、上記回動機構が、上記熱処理炉の炉口を閉塞する蓋体に設けられた基板保持具用回転機構の回転軸を貫通して昇降移動する昇降軸を回動するように設けられていることを特徴とする。
請求項10の発明は、請求項8記載の熱処理装置において、上記回動機構が、熱処理炉から搬出された時に他方の保持具構成体を係止して一方の保持具構成体との上下方向の相対的位置関係を復元する係止機構と、該係止機構に係止された他方の保持具構成体に対して一方の保持具構成体を周方向に所定の角度だけ回動させる基板保持具用回転機構とから構成されていることを特徴とする。
本発明の請求項1又は4の発明によれば、上記基板保持具に、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になるように被処理基板を配置し、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔に設定され、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭く設定されるため、処理の均一性を確保しつつ基板保持具の収納枚数を従来よりも増やすことができる。なお、搭載枚数を従来と同じにしたまま、表面同士の間隔を大きくすることにより、搭載枚数を確保しつつ処理の均一性の更なる向上が図れる。
請求項2又は5の発明によれば、上記基板保持具は、複数本の支柱に被処理基板の周縁部を支持する基板支持部を上下方向に所定間隔で有し、上記支柱が同一円周上に配置された2つの保持具構成体からなり、一方の保持具構成体には表面を上面にした被処理基板を、他方の保持具構成体には裏面を上面にした被処理基板をそれぞれ搭載した後、2つの保持具構成体を相対的に上下方向に移動することにより、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になるようにし、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔に、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭い間隔にするため、処理の均一性を確保しつつ基板保持具の収納枚数を従来よりも増やすことができる。なお、搭載枚数を従来と同じにしたまま、表面同士の間隔を大きくすることにより、搭載枚数を確保しつつ処理の均一性の更なる向上が図れる。
請求項3又は8の発明によれば、上記2つの保持具構成体が、相対的に周方向に回動することにより、上記支柱が上記被処理基板の周縁部を該被処理基板の直径よりも狭い間隔で取り囲むため、基板保持具からの被処理基板の飛び出しや脱落を防止することができる。
請求項6又は7の発明によれば、上記上下移動機構を容易に構成することができる。請求項9又は10の発明によれば、上記回動機構を容易に構成することができる。
以下に、本発明を実施するための最良の形態を添付図面に基いて詳述する。図1は本発明の実施の形態である熱処理装置を概略的に示す縦断面図、図2は基板保持具の一例を概略的に示す図で、(a)は平面図、(b)は正面図である。
図1において、1は縦型の熱処理装置で、この熱処理装置1は外郭を形成する筐体2を有している。この筐体2内の上方には、複数枚の被処理基板例えば薄板円板状の半導体ウエハwを収容して所定の処理例えばCVD処理等を施すための縦型の熱処理炉3が設けられている。この熱処理炉3は、下部が炉口4として開口された縦長の処理容器例えば石英製の反応管5と、この反応管5の炉口4を開閉する昇降可能な蓋体6と、上記反応管5の周囲を覆うように設けられ、反応管5内を所定の温度例えば300〜1200℃に加熱制御可能なヒータ(加熱装置)7とから主に構成されている。
上記筐体2内には、熱処理炉3を構成する反応管5やヒータ7を設置するための例えばSUS製のベースプレート8が水平に設けられている。ベースプレート8には反応管5を下方から上方に挿入するための図示しない開口部が形成されている。
反応管5の下端部には外向きのフランジ部が形成され、このフランジ部をフランジ保持部材にてベースプレート8に保持することにより、反応管5がベースプレート8の開口部を下方から上方に挿通された状態に設置されている。反応管5は、洗浄等のためにベースプレート8から下方に取外せるようになっている。反応管5には反応管5内に処理ガスやパージ用の不活性ガスを導入する複数のガス導入管や反応管5内を減圧制御可能な真空ポンプや圧力制御弁等を有する排気管が接続されている(図示省略)。なお、反応管5の下端部には、ガス導入管や排気管を接続するガス導入ポートや排気ポートを有する円筒状のマニホールドが接続されていても良く、この場合、このマニホールドが炉口を形成することになる。
上記筐体2内におけるベースプレート8より下方には、蓋体6上に保温筒13を介して載置されたボート(基板保持具)10を熱処理炉3(すなわち反応管5)内に搬入(ロード)したり、熱処理炉3から搬出(アンロード)したり、或いはボート10に対するウエハwの移載を行うためのローディングエリア(作業領域)11が設けられている。このローディングエリア11にはボート10の搬入、搬出を行うべく蓋体6を昇降させるための昇降機構12(図11参照)が設けられている。
上記蓋体6は炉口4の開口端に当接して炉口4を密閉するように構成されている。蓋体6の上部には炉口4からの放熱を防止する手段(炉口断熱手段ともいう。)である保温筒13を介してボート10が載置されている。なお、蓋体6の上部には保温筒13を載置して回転する図示しない回転テーブルが設けられ、蓋体6の下部にはそのターンテーブルを回転するためのボート回転機構14が設けられている。
筐体2の前部には、複数枚例えば25枚程度のウエハを所定の間隔で収納可能な収納容器15を載置して筐体2内への搬入搬出を行うための載置台(ロードポート)16が設置されている。収納容器15は前面に図示しない蓋を着脱可能に備えた密閉型収納容器(フープともいう。)とされている。ローディングエリア11内の前後には収納容器15の蓋を取外して収納容器15内をローディングエリア11内に連通開放するドア機構17が設けられ、ローディングエリア11には収納容器15とボート10の間でウエハwの移載を行う複数枚のフォーク(移載板)18を所定間隔で有する移載機構20が設けられている。
ローディングエリア11外の前部上側には、収納容器15をストックしておくための保管棚部21と、搬入出用の載置台16から保管棚部21へ又はその逆に収納容器15を搬送するための図示しない搬送機構とが設けられている。なお、ローディングエリア11の上方には蓋体6を開けた時に炉口4から高温の炉内の熱が下方のローディングエリア11に放出されるのを抑制ないし防止するために炉口4を覆う(又は塞ぐ)シャッター機構22が設けられている。また、上記載置台16の下方には移載機構20により移載されたウエハwの外周に設けられた切欠部(例えばノッチ)を一方向に揃えるための整列装置(アライナ)23が設けられている。
上記移載機構20は、水平な複数枚例えば5枚のウエハwを上下方向に所定間隔で支持する複数枚例えば5枚の移載板(フォークともいう)18を有している。この場合、中央のフォークは単独で前方に進退移動可能とされ、中央以外のフォーク(一枚目、二枚目、四枚目及び五枚目)はピッチ変換機構により中央のフォークを基準として上下方向に無段階でピッチ変換可能とされている。これは、収納容器15内のウエハの収納ピッチと、ボート10内のウエハの搭載ピッチとが異なる場合があるので、その場合でも収納容器15とボート10との間でウエハを複数枚ずつ移載可能とするためである。
移載機構20は、昇降及び旋回可能な基台24を有している。具体的には、移載機構20は、ボールネジ等により上下方向に移動可能(昇降可能)な昇降アーム25を備え、この昇降アーム25に箱型の基台24が水平旋回可能に設けられている。この基台24上には中央の1枚のフォークを前方へ移動可能とする第1の移動体26と、中央のフォークを挟んで上下に2枚ずつ配された計4枚のフォークを前方へ移動可能とする第2の移動体27とがそれぞれ水平方向である基台24の長手方向に沿って進退移動可能に設けられている。
なお、上記移載機構20のフォーク18の基部には先端部の位置決め溝との間でウエハwをフォーク長手方向前後から把持可能なチャッキング機構が設けられていてもよい。また、上記移載機構20のフォーク18は、ウエハwを下方から支持又は把持(下掴み)して移載する通常移載と、ウエハを上方から支持又は把持(上掴み)して移載する特殊移載とを選択に行えるように構成されていてもよい。更に、フォーク18の先端部にはボート10内や収納容器15内のウエハの位置を検出してマッピングを行うためのマッピングセンサが設けられていてもよい。
上記ボート10は、例えば石英製であり、大口径例えば直径300mmのウエハwを水平状態で上下方向に所定の間隔(ピッチ幅)で支持するようになっている。具体的には、上記ボート10は、図2に示すように、複数本例えば3本の支柱28にウエハwの周縁部を支持する基板支持部である爪(突部)30を上下方向に所定間隔で有し、上記支柱28が同一円周上(略同一円周上を含む)に配置された2つのボート構成体(保持具構成体)10a,10bからなっている。ボート構成体10a,10bは、略T字状で上下で対をなす天部材31及び底部材32と、これら天部材31と底部材32のそれぞれの端部間に掛け渡されて固定された上記3本の支柱28とからなっている。これら3本の支柱28のうち、間隔の広い支柱間(ウエハ出し入れ部)からウエハを出し入れして移載する。2つのボート構成体10a,10bは図2に示すように、対応する支柱28同士が同一円周上で近接し、この状態で2つのボート構成体10a,10bが相対的に上下方向に移動可能(上下に位置ずれ可能)に組み付けられている。この場合、一方のボート構成体10aを固定側とし、他方のボート構成体10bを移動側とすることが上下移動機構の構造の簡素化を図る上で好ましい。
上記2つのボート構成体10a,10bにおける爪30のピッチ幅は同じである。図4ないし図5又は図6に示すように、一方のボート構成体10aには表面waを上面にしたウエハを、他方のボート構成体10bには裏面wbを上面にしたウエハwがそれぞれ搭載され、上下に隣り合うウエハwが裏面同士と表面同士とが上下方向に交互になるように配置され、表面同士の間隔paを処理の均一性を確保し得る間隔に、裏面同士の間隔pbを表面同士の間隔よりも狭い間隔pbにすべく2つのボート構成体10a,10bが相対的に上下に移動可能とされている。この場合、図2(b)に示すように、一方のボート構成体10aが他方のボート構成体10bよりも大きく(上下方向の長さが長く)形成されていることが2つのボート構成体10a,10bを相対的に上下に移動操作する上で好ましい。
図4ないし図5の場合、一方のボート構成体10aの爪30と他方のボート構成体10bの爪30の間隔は予め狭く設定され、先ず図4及び図5の(a)のように、表面waを上面にしたウエハwを下方から支持又は下掴みした状態で一方のボート構成体10aの爪30上に順に移載する。次に図5の(b)のように、他方のボート構成体10bを下方に移動し、このボート構成体10bの爪30上に図4(b)ないし図5(c)のように、裏面wbを上面にしたウエハwを上掴みした状態で順に移載する。次に図4(c)ないし図5(d)のように、他方のボート構成体10bを上方に移動して元の位置に戻すことにより、表面同士の間隔paを処理の均一性を確保し得る間隔に、裏面同士の間隔pbを表面同士の間隔よりも狭い間隔にすればよい。
図6の場合、一方のボート構成体10aの爪30と他方のボート構成体10bの爪30の間隔は予め等しく設定され、先ず(a)のように、表面waを上面にしたウエハwを下方から支持又は下掴みした状態で一方のボート構成体10aの爪30上に順に移載する。次に(b)のように、裏面wbを上面にしたウエハwを下方から支持又は下掴みした状態で他方のボート構成体10bの爪30上に順に移載する。次に(c)のように、他方のボート構成体10bを上方に移動して一方のボート構成体10aの爪30の下方に他方のボート構成体10bの爪30を接近させることにより、表面同士の間隔paを処理の均一性を確保し得る間隔に、裏面同士の間隔pbを表面同士の間隔よりも狭い間隔にすればよい。
この場合、図3(a)に示すように、ウエハの厚さtaとフォークの厚さtbと上下の移載クリアランスsa,sbとの和が移載ピッチptであり、この移載ピッチptはボートピッチ(一方のボート構成体の爪のピッチ幅)Pの半分である。裏面同士の間隔pbは、爪の厚さtcとウエハwの厚さtaの和よりもやや大きい。また、表面同士の間隔paは、ボートピッチPと裏面同士の間隔pbとの差である。現行システム(移載ピッチ8×61スロット)に適用して考察すると、移載ピッチptを7mmにした場合、7×70スロットとなり、枚数増加は9枚となる。移載ピッチptを5.6mmまでつめた場合、5.6×87スロットとなり、枚数増加は26枚となり、収納容器1個分の枚数増加となる。なお、表面同士の間隔paの変更が必要な場合は後述の上下移動機構33のポジション調整で可能であり、ほぼ0mm(例えば爪の厚み2mm程度)から10mm以上(例えば11mm程度)まで間隔を変更することが可能である。同様に裏面同士の間隔pbも変更可能である。
上記2つのボート構成体10a,10bは、上下移動機構33により相対的に上下方向に移動可能とされている。本実施の形態では、一方のボート構成体10aが蓋体6の上部に設けられた回転テーブル34(図8参照)の上に載置されて固定され、他方のボート構成体10bが上下移動機構33により上下に移動されるようになっている。この上下移動機構33は、図8に示すように、蓋体6の下部に設けられたボート用の回転機構14に取付けられている。
この回転機構14は、蓋体6の軸心部に固定された円筒状のスリーブ35と、該スリーブ35の外周に玉軸受け36を介して回転可能に設けられた回転体37と、該回転体37の下部中央部に固定され上記スリーブ35内を通って蓋体6の上面に延出され、該蓋体6上の図示しない回転テーブル34に連結された中空の回転軸38と、上記回転体37の外周に巻き掛けられた図示しない無端ベルトを介して回転体37を回転駆動する図示しないモータとにより主に構成されている。
上記上下移動機構33は、上記回転機構14の回転軸38を貫通して昇降移動する昇降軸(上下移動軸)40と、該昇降軸40を昇降移動する昇降駆動部41とを備えている。具体的には、上下移動機構33は、上記回転体37の下部にガイド42を介して上下移動可能に支持された円板状の上下移動体43と、該上下移動体43の中央部に立設され、上記回転軸38の中空部(軸孔)38aを通って蓋体6の上方に延出された昇降軸40と、該昇降軸40を昇降移動する例えばエアシリンダ等の図示しない昇降駆動部とから主に構成されている。上記昇降軸40の貫通部の気密を保持するために上記回転体37と上下移動体43との間にはベローズ44が設けられていることが好ましい。上記昇降軸40の上端部は回転テーブル34及び保温筒13を貫通して上方に延出され、上記他方のボート構成体10bの底部材32に連結されている(図示省略)。
以上の構成からなる熱処理方法ないし熱処理装置によれば、上記ボートは、複数本の支柱にウエハの周縁部を支持する爪30を上下方向に所定間隔で有し、上記支柱が同一円周上に配置された2つの保持具構成体10a,10bからなり、一方のボート構成体10aには表面waを上面にしたウエハwを、他方のボート構成体10bには裏面wbを上面にしたウエハwをそれぞれ搭載した後、2つの保持具構成体10a,10bを相対的に上下方向に移動することにより、上下に隣り合うウエハwが裏面同士と表面同士とが上下方向に交互になるようにし、表面同士の間隔paが処理の均一性を確保し得る間隔に、裏面同士の間隔pbが表面同士の間隔よりも狭い間隔にするため、処理の均一性を確保しつつボート10の搭載枚数を従来よりも増やすことができ、スループットの向上が図れる。或いは、搭載枚数を従来と同じにしたまま、表面同士の間隔paを大きくすることにより、搭載枚数を確保しつつ処理の均一性の更なる向上が図れる。
図7はボートの他の例を概略的に示す正面図である。本実施形態のボート10は、前記実施形態のボートとは異なり、2つのボート構成体からなっておらず、1つのボートからなり、複数本例えば3本の支柱28には予め図3(b)に示すピッチ幅、すなわち上下に隣り合うウエハが裏面同士と表面同士とが上下方向に交互になるようにウエハを配置し、表面同士の間隔paが処理の均一性を確保し得る間隔に且つ裏面同士の間隔pbが表面同士の間隔よりも狭い間隔に設定して設けられている。本実施形態によれば、簡単な構造で、処理の均一性を確保しつつ基板保持具の収納枚数を従来よりも増やすことができる。或いは、搭載枚数を従来と同じにしたまま、表面同士の間隔paを大きくすることにより、搭載枚数を確保しつつ処理の均一性の更なる向上が図れる。
図10は基板保持具の他の例を概略的に示す平面図である。本実施形態のボート10は、該ボート10のウエハ出し入れ部からのウエハの飛び出しや脱落を防止するために、支柱28がウエハwの周縁部をウエハwの直径よりも狭い間隔で取り囲むように上記2つのボート構成体10a,10bが後述の回動機構45により相対的に周方向に回動されるようになっている。この場合、一方のボート構成体10aに対して他方のボート構成体10bが所定の角度θ、例えばθ=60〜90度程度で回動されることが好ましい。
上記回動機構45としては、例えば図9に示すように構成されている。昇降軸40(図8参照)を回転軸38とは独立して回転可能とするために、前記回転機構14の回転体37の下部には、第2回転体46がガイド42及びベローズ44を介して上下動可能に支持されている。第2回転体46の内部には玉軸受け47を介して上記昇降軸40の基部40aが回転可能に支持されている。上記第2回転体46の下部には昇降軸40を回転駆動する図示しないモータが取付けられている。また、第2回転体46の下方には、該第2回転体46と一緒に昇降軸40を昇降移動する例えばエアシリンダ等の図示しない昇降駆動部が設けられている。これによれば、昇降軸40を昇降動だけでなく回動させることができるため、昇降軸40の回動により一方のボート構成体10aに対して他方のボート構成体10bを容易に回動することができる。
図11は基板保持具の他の例を概略的に説明する説明図であり、図12は図11の基板保持具を概略的に示す平面図である。本実施の形態では、一方のボート構成体10aに対して他方のボート構成体10bを上下動させる上下移動機構33が、上記熱処理炉の炉口を閉塞する蓋体6の上部に保温筒13を介して載置されたボート10を熱処理炉に搬入搬出すべく昇降する昇降機構12と、該昇降機構12により熱処理炉から搬出された時に停止位置の手前で他方のボート構成体10bを係止して一方のボート構成体10aとの上下方向の相対的位置関係を復元(元に復帰)する係止機構48とから構成されている。
また、この場合、一方のボート構成体10aに対して他方のボート構成体10bを回動させる回動機構45は、上記係止機構48と、該係止機構48に係止された他方のボート構成体10bに対して一方のボート構成体10aを周方向に所定の角度θだけ回動させるボート用回転機構14とから構成されている。
上記係止機構48は、他方のボート構成体10aの下面例えば底部材32の各端部(各支柱28の下端に対応する部分)の下面を係止(支持)する複数例えば3個の係止部材48aと、蓋体6の昇降時に蓋体6との干渉を回避すべく上記係止部材48aをそれぞれボート10の径方向外方に後退させたり、他方のボート10bを係止するために係止部材48aを径方向内方に前進させるための例えばエアシリンダ等の進退駆動部(図示省略)とから主に構成されている。
先ず、図11(a)及び図12(a)に示す状態でボート10に対するウエハの移載を行う。この場合、両ボート構成体10a,10bは、対応する支柱28が近接した状態にあり、且つ一方のボート構成体10aよりも他方のボート構成体10bが係止部材48aにより上方に係止された状態にある。ウエハの移載が済んだなら、図11(a)に示す状態で、一方のボート構成体10aをボート用回転機構14により所定の角度θだけ回転させ、図12(b)に示すように、両ボート構成体10a,10bの複数の支柱28によりウエハwの周囲をウエハの直径よりも小さい間隔で取り囲む。これにより、ボートの搬入搬出時や熱処理時のウエハwの飛び出しや脱落が防止される。
次に、昇降機構12により蓋体6を上昇させてボート10を熱処理炉内に搬入すると共に熱処理炉の炉口を蓋体6で密閉する。この場合、蓋体6の上昇の過程で、先ず、図11(b)に示すように一方のボート構成体10aが他方のボート構成体10bに対して上方に所定の高さだけ移動(位置を変更)され、この時図4ないし図6の(c)に示す状態(ウエハの表面同士の間隔が広く、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭い状態)になる。また、蓋体6の上昇の過程で、図11(c)に示すように係止機構48の係止部材48aが蓋体6と干渉しないように径方向外方へ移動(退避)される。なお、ボート10を搬出する場合には、上記とは逆の手順すなわち図11の(c)、(b)、(a)の順で行われる。本実施の形態によれば、前記実施形態と同様の効果を奏することができる。
以上、本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計変更等が可能である。
本発明の実施の形態である熱処理装置を概略的に示す縦断面図である。 基板保持具の一例を概略的に示す図で、(a)は平面図、(b)は正面図である。 基板保持具の作用を説明する説明図である。 基板保持具の作用を説明する説明図である。 基板保持具の作用を説明する説明図である。 基板保持具の作用を説明する説明図である。 基板保持具の他の例を概略的に示す正面図である。 上下位置変更機構の一例を示す概略的断面図である。 上下位置変更機構の他の例を示す概略的断面図である。 基板保持具の他の例を概略的に示す平面図である。 基板保持具の他の例を概略的に説明する説明図である。 図11の基板保持具を概略的に示す平面図である。
符号の説明
1 熱処理装置
w 半導体ウエハ(被処理基板)
3 熱処理炉
6 蓋体
10 ボート(基板保持具)
10a,10b ボート構成体(基板保持具構成体)
12 昇降機構
14 ボート回転機構
30 爪(基板支持部)
33 上下移動機構
45 回動機構
48 係止機構

Claims (10)

  1. 複数枚の被処理基板を基板保持具に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具を熱処理炉内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理方法において、上記基板保持具に、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士又は表面同士となるように被処理基板を配置し、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔に設定され、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭く設定されることを特徴とする熱処理方法。
  2. 複数枚の被処理基板を基板保持具に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具を熱処理炉内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理方法において、上記基板保持具は、複数本の支柱に被処理基板の周縁部を支持する基板支持部を上下方向に所定間隔で有し、上記支柱が同一円周上に配置された2つの保持具構成体からなり、一方の保持具構成体には表面を上面にした被処理基板を、他方の保持具構成体には裏面を上面にした被処理基板をそれぞれ搭載した後、2つの保持具構成体を相対的に上下方向に移動することにより、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になるようにし、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔に、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭い間隔にすることを特徴とする熱処理方法。
  3. 上記2つの保持具構成体は、相対的に周方向に回動することにより、上記支柱が上記被処理基板の周縁部を該被処理基板の直径よりも狭い間隔で取り囲むことを特徴とする請求項2記載の熱処理方法。
  4. 複数枚の被処理基板を上下方向に所定の間隔で搭載する基板保持具と、該基板保持具を搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理炉とを備えた熱処理装置において、上記基板保持具は、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になるように被処理基板の周縁部を支持する基板支持部を有し、該基板支持部は、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔に設定され、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭く設定されていることを特徴とする熱処理装置。
  5. 複数枚の被処理基板を基板保持具に上下方向に所定の間隔で搭載し、該基板保持具を熱処理炉内に搬入して被処理基板に所定の熱処理を施す熱処理装置において、上記基板保持具は、複数本の支柱に被処理基板の周縁部を支持する基板支持部を上下方向に所定間隔で有し、上記支柱が同一円周上に配置された2つの保持具構成体からなり、一方の保持具構成体には表面を上面にした被処理基板を、他方の保持具構成体には裏面を上面にした被処理基板をそれぞれ搭載する基板支持部が形成され、上下に隣り合う被処理基板が裏面同士と表面同士とが交互になるようにし、表面同士の間隔が処理の均一性を確保し得る間隔に、裏面同士の間隔が表面同士の間隔よりも狭い間隔にすべく上記2つの保持具構成体が上下移動機構により相対的に上下方向に移動可能とされていることを特徴とする熱処理装置。
  6. 上記上下移動機構が、上記熱処理炉の炉口を閉塞する蓋体に設けられた基板保持具用回転機構の回転軸を貫通して昇降移動する昇降軸と、該昇降軸を昇降移動する昇降駆動部とを備えたことを特徴とする請求項5記載の熱処理装置。
  7. 上記上下移動機構が、上記熱処理炉の炉口を閉塞する蓋体の上部に保温筒を介して載置された上記基板保持具を熱処理炉に搬入搬出すべく昇降する昇降機構と、該昇降機構により熱処理炉から搬出された時に他方の保持具構成体を係止して一方の保持具構成体との上下方向の相対的位置関係を復元する係止機構とからなることを特徴とする請求項5記載の熱処理装置。
  8. 上記支柱が上記被処理基板の周縁部を該被処理基板の直径よりも狭い間隔で取り囲むように上記2つの保持具構成体を相対的に周方向に回動する回動機構を備えたことを特徴とする請求項5記載の熱処理装置。
  9. 上記回動機構が、上記熱処理炉の炉口を閉塞する蓋体に設けられた基板保持具用回転機構の回転軸を貫通して昇降移動する昇降軸を回動するように設けられていることを特徴とする請求項8記載の熱処理装置。
  10. 上記回動機構が、熱処理炉から搬出された時に一方の保持具構成体を係止して他方の保持具構成体との上下方向の相対的位置関係を復元する係止機構と、該係止機構に係止された他方の保持具構成体に対して一方の保持具構成体を周方向に所定の角度だけ回動させる基板保持具用回転機構とから構成されていることを特徴とする請求項8記載の熱処理装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012186368A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2013065808A (ja) * 2011-04-08 2013-04-11 Tokyo Electron Ltd 基板保持具及び縦型熱処理装置並びに縦型熱処理装置の運転方法
US8435353B2 (en) 2010-06-11 2013-05-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film forming apparatus and method
JP2013520565A (ja) * 2010-02-23 2013-06-06 サン−ゴバン グラス フランス 多層体を処理するための配列、システム、および方法
JP2013179308A (ja) * 2013-04-04 2013-09-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置
JP2015023043A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073822A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体
CN102374779A (zh) * 2010-08-19 2012-03-14 展晶科技(深圳)有限公司 用于烘烤发光半导体元件的箱体
CN102142387B (zh) * 2010-12-10 2013-01-23 北京七星华创电子股份有限公司 用于半导体热处理设备的立式晶舟
JP5709592B2 (ja) * 2011-03-08 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法、その基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板搬送装置
CN103898476A (zh) * 2014-04-22 2014-07-02 上海华力微电子有限公司 薄膜沉积装置及薄膜沉积方法
DE112015004190B4 (de) 2014-11-26 2024-05-29 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Substrathaltevorrichtung, Substrattransportvorrichtung, Prozessieranordnung und Verfahren zum Prozessieren eines Substrats
CN106350784A (zh) * 2016-10-10 2017-01-25 无锡宏纳科技有限公司 双排导气式低压化学气相沉淀腔
CN109423627B (zh) * 2017-08-31 2021-02-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 圆盘类零件一次性全表面气相沉积炉
CN109423628B (zh) * 2017-08-31 2021-02-23 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一次性全表面气相沉积支架、气相沉积炉及其沉积方法
CN108072279B (zh) * 2017-12-26 2019-10-18 台州市黄岩法奥塑模股份有限公司 陶瓷电子元件的承烧治具
CN108707877B (zh) * 2018-08-03 2024-07-05 深圳市石金科技股份有限公司 一种化学气相沉积炉的支承装置
US11133207B2 (en) * 2018-08-30 2021-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming films on wafers separated by different distances
CN110359033A (zh) * 2018-10-08 2019-10-22 湖南德智新材料有限公司 反应腔及化学气相沉积装置
TWI764436B (zh) * 2020-12-15 2022-05-11 國立臺灣海洋大學 熱處理裝置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63153521U (ja) * 1987-03-30 1988-10-07

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4263872A (en) * 1980-01-31 1981-04-28 Rca Corporation Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates
US4401689A (en) * 1980-01-31 1983-08-30 Rca Corporation Radiation heated reactor process for chemical vapor deposition on substrates
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
US5020476A (en) * 1990-04-17 1991-06-04 Ds Research, Inc. Distributed source assembly

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63153521U (ja) * 1987-03-30 1988-10-07

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013520565A (ja) * 2010-02-23 2013-06-06 サン−ゴバン グラス フランス 多層体を処理するための配列、システム、および方法
US8435353B2 (en) 2010-06-11 2013-05-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin film forming apparatus and method
JP2012186368A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP2013065808A (ja) * 2011-04-08 2013-04-11 Tokyo Electron Ltd 基板保持具及び縦型熱処理装置並びに縦型熱処理装置の運転方法
KR101519697B1 (ko) * 2011-04-08 2015-05-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 종형 열처리 장치 및 종형 열처리 장치의 운전 방법
JP2013179308A (ja) * 2013-04-04 2013-09-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置
JP2015023043A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法

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