DE112015004190B4 - Substrathaltevorrichtung, Substrattransportvorrichtung, Prozessieranordnung und Verfahren zum Prozessieren eines Substrats - Google Patents

Substrathaltevorrichtung, Substrattransportvorrichtung, Prozessieranordnung und Verfahren zum Prozessieren eines Substrats Download PDF

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Abstract

Substrattransportvorrichtung, aufweisend:eine Substrathaltevorrichtung (100) und ein Transportsystem zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung (100),wobei die Substrathaltevorrichtung aufweist:• eine Trägerplatte (102) mit einer Aussparung (112), wobei sich die Aussparung (112) von einer Oberseite (102a) der Trägerplatte (102) zu einer Unterseite (102b) der Trägerplatte (102) durch die Trägerplatte (102) hindurch erstreckt; und• einen Halterahmen (132a), welcher eine Rahmenöffnung (132) und eine die Rahmenöffnung (132) umgebende Auflagefläche (111a) zum Halten eines Substrats (120) in der Aussparung (112) aufweist;• wobei der in die Aussparung (112) eingelegte Halterahmen (132a) abschnittsweise auf der Trägerplatte (102) aufliegt;• zwei Haltebereiche (402h), an welchen die Trägerplatte (102) zum Transportieren der Trägerplatte (102) gelagert werden kann, wobei die Aussparung (112) zwischen den zwei Haltebereichen (402h) angeordnet ist;wobei das Transportsystem zwei Halteelemente (712) derart aufweist, dass die Trägerplatte (102) der Substrathaltevorrichtung (100) nur in den zwei Haltebereichen (402h) gehalten wird; undwobei die Aussparung (112) im Wesentlichen quaderförmig ist und vier Eckbereiche (412e) aufweist, und wobei der Halterahmen (132a) nur in den Eckbereichen (412e) der Aussparung (112) auf der Trägerplatte (102) aufliegt.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Substrathaltevorrichtung gemäß den Patentansprüchen 19 und 20, eine Substrattransportvorrichtung gemäß den Patentansprüchen 1 und 2, eine Prozessieranordnung gemäß Patentanspruch 16 und ein Verfahren gemäß Patentanspruch 18 zum Prozessieren eines Substrats.
  • Im Allgemeinen kann ein Substrat oder können mehrere Substrate, z.B. Wafer oder andere plattenförmige Substrate, beispielsweise während eines Beschichtungsprozesses (oder anderer Prozesse zum Behandeln von Substraten) mittels eines Substratträgers gehalten werden. Dabei kann der Substratträger beispielsweise dazu genutzt werden, das Substrat oder die Substrate an einer vordefinierten Position in einer Beschichtungskammer zu halten oder durch eine Beschichtungskammer hindurch zu transportieren und/oder in der Beschichtungskammer zu bewegen. Dabei werden herkömmlicherweise beispielsweise Substratträger verwendet, in welche Substrate nur lose eingelegt werden, wobei die Substrate in diesem Fall leicht aus dem Substratträger herausfallen können, z.B. beim Belüften einer Vakuumkammer aufgrund der eingelassenen Luft. Daher können herkömmliche Substratträger ein Deckelement aufweisen, welches auf dem Substrat aufliegt und dieses beschwert bzw. das Substrat an den Substratträger presst. Alternativ werden Wafer beispielsweise zwischen zwei flexiblen Strukturen (z.B. zwischen zwei Gummiringen, eingeklemmt und somit in einer Halterung fixiert.
  • Die mechanische Fixierung zwischen dem Substratträger und den Substraten bzw. den Auflageflächen für die Substrate kann mechanische Belastungen erzeugen, welche die Substrate beschädigen können. Beispielsweise können schon geringe Verformungen der Auflageflächen zu einer punktförmigen Belastung des darauf aufliegenden Substrats und/oder zu einer parasitären Beschichtung der nicht vollständig aufliegenden Abschnitte des Substrats führen (Untersputterung).
  • Herkömmlicherweise werden Substratträger in Verbindung mit Beschichtungsanlagen verwendet, welche das einseitige Beschichten von nebeneinander gehalten Substraten (d.h. deren Vorderseite) ermöglichen. Ist das Beschichten der Rückseite nötig, werden die Substrate gedreht und wieder nur einseitig bearbeitet, beispielsweise selbst wenn eine gleiche oder andersartige Rückseitenbeschichtung erfolgt. Alternativ werden Substratträger in Verbindung mit Beschichtungsanlagen verwendet, welche das beidseitige Beschichten von nebeneinander gehalten Substraten (d.h. deren Vorderseite und deren Rückseite) ermöglichen.
  • Sollen allerdings in einer Beschichtungsanlage, welche zum beidseitigen Beschichten von einer Substratlage ausgelegt ist, lediglich einseitige Beschichtungen erfolgen (d.h. anschaulich nur die Vorderseite von Substraten beschichtet werden), wird das Bearbeitungsvermögen der Beschichtungsanlage halbiert, was deren Wirtschaftlichkeit beeinträchtigt.
  • US 4 512 841 A beschreibt eine reaktiv-Ionenplasmaätzvorrichtung mit einer Elektrode zum Halten eines zu ätzenden Halbleiterwafers. Die Elektrode ist formschlüssig in einer Kammer aufgenommen und somit ortsfest angeordnet.
  • US 2011 / 0 159 200 A1 beschreibt ein mehrteiliges Wafer-Haltersystem, welches einen Maskenhalter und eine darauf aufgelegte Maske aufweist, zwischen denen genau ein Wafer eingelegt werden kann. Ferner beschreibt US 2011/0159200 A1 einen Roboter zum Transportieren des Wafers.
  • JP 2004 - 22 571 A beschreibt ein mehrteiliges Wafer-Haltersystem, welches einen ersten Halter und eine darauf aufgelegten zweiten Halter aufweist, zwischen denen genau ein Wafer eingelegt werden kann.
  • WO 2013/ 188 519 A1 beschreibt ein mehrteiliges Wafer-Haltersystem, welches eine erste Platte und eine darauf aufgelegten zweite Platte aufweist, zwischen denen genau ein Wafer eingelegt werden kann. Ferner beschreibt WO 2013/188519 A1 einen Roboter, welcher mehr als drei Greifer aufweist, welche das Wafer-Haltesystem an mehreren Stellen entlang des Umfangs greifen.
  • EP 2 360 721 A1 beschreibt ein Haltesystem, in welchem zwei Substrate mittels eines Abstandshalters in einem Abstand voneinander gehalten werden. Mehrere Abstandshalter können zu einem vollständigen Rahmen zusammengesetzt werden oder nur einen Teil des Rahmens bilden, so dass Öffnungen verbleiben, durch welche Gas in den Zwischenraum zwischen den zwei Substraten einströmen kann.
  • WO 99/ 03 139 A1 ein kastenförmiges Aufnahmegehäuse, das mit Stützstiften zum Stützen eines Retikels in einer vorbestimmten Ebene, und einer Tür, durch die das Retikel (R) in das Gehäuse hineingebracht wird oder aus diesem herausgebracht wird, versehen ist. Das Aufnahmegehäuse weist einen Abschnitt auf, der von den Seiten des Gehäuses vorsteht und eine Oberfläche aufweist, die parallel zur Oberfläche des Retikels ist, wobei in dem Abschnitt Eingriffslöcher ausgebildet sind. Im unteren Teil des Aufnahmegehäuses steht ein Stützabschnitt von den Seiten des Gehäuses vor. Der Stützabschnitt hat Eingriffsvorsprünge, die kleiner als die Eingriffslöcher sind und in Richtung senkrecht zur Oberfläche des Retikels vorstehen. Wenn zwei oder mehr Gehäuse gestapelt sind, greifen die Eingriffsvorsprünge in die Eingriffslöcher ein, um ein Verrutschen der Gehäuse zu verhindern.
  • US 2010 / 0 186 669 A1 beschreibt ein Substrat-Transfersystem in einer ALD-Anlage, wobei das Transfersystem zum simultanen Beschicken der ALD-Prozesskammern mit Wafern eingerichtet ist. Das Substrat-Transfersystem weist Greifer auf, welche unter die Wafer greifen und diese zwischen Puffern und in den Prozesskammern angeordneten Suszeptoren transferieren.
  • In der JP H11- 131 232 A sind Halterahmen beschrieben. In der DE 10 2011 006 833 A1 ist Substratträger mit mehreren Aussparungen beschrieben. In der DE 20 2009 001 817 U1 ist ein Substratträger und sind Halterahmen beschrieben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine mechanische und/oder geometrische Entkopplung zwischen dem Substratträger (kann auch als Tragrahmen oder Carrier bezeichnet werden) und dessen einem oder mehrere Substrateinlegebereichen (können auch als Pockets bezeichnet werden) bereitgestellt. Dazu werden ein oder mehrere Halterahmen (können auch als Masken bezeichnet werden) bereitgestellt, mittels denen jeweils ein Substrat in einem Substrateinlegebereich gehalten werden kann.
  • Die mechanische Entkopplung ermöglicht eine sichere Substratlagerung in jedem Substrateinlegebereich (Einzelpocket), z.B. unabhängig von Verformung des Substratträgers. Dadurch wird z.B. der Einfluss thermomechanischer Verformung (z.B. bei Temperaturen von bis zu 200°C), mit anderen Worten thermischer Verwerfungen, auf die Lagerung des Substrats verringert.
  • Die geometrische Entkopplung ermöglicht eine Änderungen und/oder Weiterentwicklung an Substrat bzw. Substrateinlegebereich unabhängig vom Substratträger durchzuführen. Alternativ oder zusätzlich können bei Verschleiß oder Beschädigung einzelner Substrateinlegebereiche bzw. Halterahmen, diese einzeln ersetzt werden. Die ermöglicht es, den Substratträger weiterhin zu werdenden und nicht ändern und/oder austauschen zu müssen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen lassen sich ein oder mehrere Substrate (z.B. Wafer) präzise platzieren, z.B. auch in Bezug auf deren Randabdeckung (mit anderen Worten kann das Substrat mit dessen Randbereich vollständig aufliegen). Ferner wird gemäß verschiedenen Ausführungsformen ein Halterahmen bereitgestellt, dessen Auflagefläche ermöglicht, die bereitgestellte Toleranz bezüglich des Substrats anzupassen. Dies kann es erleichtern, Substrate mit Fertigungsabweichungen, z.B. aus unterschiedlichen Produktionseinheiten, zu verwenden. Alternativ oder zusätzlich kann dadurch ein automatisiertes Bestücken des Substratträgers mit Substraten erleichtert werden, z.B. mittels einer Roboterbestückung. Beispielsweise kann die Toleranz an Schwankungen beim Platzieren eines Substrats mit einer automatisierten Vorrichtung (für Wafer-Handling) angepasst sein oder werden und/oder an dessen Fertigungsabweichungen, z.B. ohne den Substratträger verändern zu müssen. Ferner kann ein einheitlicher Substratträger für unterschiedliche Substrattypen und/oder Verfahren verwendet werden, z.B. indem die darin eingelegten Halterahmen an die erforderlichen Gegebenheiten abgepasst und/oder ausgetauscht werden. Beispielsweise können selbst unterschiedliche Substrattypen gemeinsam mittels eines Substratträgers transportiert werden. Dies ermöglicht mehr Flexibilität, verringert die Lagerhaltung von passenden Substratträgern und verringert die Kosten zum Betrieb bzw. zum Umrüsten.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen lässt sich eine beidseitige Maskierung der Substrate bereitstellen, z.B. indem eine zusätzliche Obermaske (z.B. ein zweiter oder dritter Halterahmen) auf ein Substrat aufgelegt wird (und anschaulich dieses teilweise abdeckt). Beispielsweise kann eine Substrathalterung mit beidseitiger Maskierung bereitgestellt werden (anschaulich eine Sandwich-Halterung).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine präzise und reproduzierbare Maskierung bereitgestellt. Beispielsweise können eine Untermaske und eine Obermaske aneinander ausgerichtet sein oder werden (z.B. mittels einer Zentrierung). Dies erlaubt eine deckungsgleiche Maskierung von Ober - und Unterseite des Substrates und/oder nacheinander prozessierter Substrate. Alternativ oder zusätzlich erleichtert eine Zentrierungen an Ober- und Untermaske ein automatisiertes Bestücken des Substratträgers mit Masken (automatisiertes Handling), z.B. mittels einer Roboterbestückung.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen lässt sich ein Substrat zuverlässiger in der eingelegten Position halten, z.B. während des Transports und/oder während des Prozessierens. Damit kann verhindert werden, dass (z.B. durch Vibrationen beim Transport und/oder durch Druckunterschiede bewirkte) Kräfte das Substrat verrücken. Beispielsweise kann eine Obermaske auf das Substrat aufgelegt werden, welche ein Niederhalten des Substrats bewirkt (Niederhalterwirkung), z.B. gegen ein Herausspringen des Substrates aus dem Substratträger.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Geometrie eines Halterahmens und des darin eingelegten Substrats derart zueinander eingerichtet sein, dass diese sich gegenseitig gegen ein Prozessieren abschirmen. Beispielsweise kann der Randbereich des Substrats zuverlässig die Auflagefläche und/oder die Einlegekontur des Halterahmens gegen eine Wirkung des Prozessierens schützen. Damit kann beispielsweise ein Schutz des Maskenbodens (Einlegekontur) der Untermaske gegen Zusputtern bereitgestellt sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Halterahmen derart bereitgestellt, dass eine Beeinträchtigung der Lagerung eines Substrates darin aufgrund von parasitärer Beschichtung verringert werden kann. Anschaulich kann eine Vertiefung (z.B. ein Freistich und/oder Hinterschnitt) in einem Halterahmen, z.B. im Untermaskenboden (Pocket), bereitgestellt sein oder werden. Die Vertiefung verringert beim Beschichten des Substrats (z.B. mittels Sputterns) ohne Obermaske, dass sich auf der Auflagefläche (z.B. im Maskenboden) Material ablagert (parasitäre Beschichtung). Damit kann verhindert werden, dass das die parasitäre Beschichtung lokale Erhebungen bildet, welche zu einer Veränderung der Lagerung (abweichend von einer ebenen Auflagefläche) des Substrates führen würde.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen lässt sich die Herstellung eines Halterahmens vereinfachen und vergünstigen. Anschaulich kann ein Halterahmen (z.B. eine Obermaske) aus einem vakuumtauglichen Kunststoff und/oder Verbundwerkstoff hergestellt werden, z.B. im Spritzgussverfahren. Damit lassen sich kostengünstig großer Stückzahlen mit hoher Genauigkeit und/oder mit relativ geringen Investitionsausgaben fertigen.
  • Halterahmen sind im Spritzguss in großen Stückzahlen schnell produzierbar und lieferbar.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen lassen sich günstig herzustellende Halterahmen als Einwegteile (Neuteile) verwenden. Dies ermöglicht eine geprüfte und gleichmäßige Qualität hinsichtlich Maßhaltigkeit und Oberflächenrauheit bereitzustellen. Damit können kalkulierbare und unkalkulierbare Nebenkosten beim Wiederaufbereiten (Neukonditionierung) der Halterahmen, z.B. durch Risiken der mechanischen Verformung bei Randprozessen, durch Transport, durch Reinigung, durch Neuaufrauen, durch Lagerung und durch Überprüfung der Halterahmen nach jedem Wiederaufbereiten, reduziert werden, welche bei Mehrwegteilen auftreten können.
  • Alternativ oder zusätzlich ermöglicht der Kunststoff und/oder Verbundwerkstoff eine chemische Reinigung (z.B. mittels einer Ätzmittels) eines Halterahmens ermöglichen. Durch können kalkulierbare und unkalkulierbare Nebenkosten beim Wiederaufbereiten (Neukonditionierung) der Halterahmen, z.B. durch Risiken der mechanischen Verformung bei Randprozessen, durch Reinigung, durch Neuaufrauen und durch Überprüfung der Halterahmen nach jedem Wiederaufbereiten, reduziert werden. Anschaulich kann der Kunststoff und/oder Verbundwerkstoff als Ätzstop wirken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden eine Trägerplatte mit einer Aussparung und ein Halterahmen mit einer Rahmenöffnung zum Halten eines Substrats in der Aussparung bereitgestellt.
  • Optional kann der Halterahmen Kunststoff oder Verbundwerkstoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Optional kann ein zweiter Halterahmen verwendet werden. Optional kann der Halterahmen einen Freistich aufweisen. Optional wird ein simultanes einseitiges Prozessieren zweier Substrate pro Einlegebereich zur Produktivitätserhöhung bereitgestellt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Substrattransportvorrichtung Folgendes aufweisen: eine Substrathaltevorrichtung und ein Transportsystem zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung, wobei die Substrathaltevorrichtung aufweist: eine Trägerplatte mit einer Aussparung, wobei sich die Aussparung von einer Oberseite der Trägerplatte zu einer Unterseite der Trägerplatte durch die Trägerplatte hindurch erstreckt; einen Halterahmen (auch als erster Halterahmen bezeichnet), welcher eine Rahmenöffnung und eine die Rahmenöffnung umgebende Auflagefläche zum Halten eines Substrats in der Aussparung aufweist; wobei der in die Aussparung eingelegte Halterahmen abschnittsweise auf der Trägerplatte aufliegt; zwei Haltebereiche, an welchen die Trägerplatte zum Transportieren der Trägerplatte gelagert werden kann, wobei die Aussparung zwischen den zwei Haltebereichen angeordnet ist; und wobei das Transportsystem zwei Halteelemente derart aufweist, dass die Trägerplatte der Substrathaltevorrichtung nur in den zwei Haltebereichen gehalten wird; und wobei die Aussparung im Wesentlichen quaderförmig ist und vier Eckbereiche aufweist, und wobei der Halterahmen nur in den Eckbereichen der Aussparung auf der Trägerplatte) aufliegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung ferner einen weiteren Halterahmen (auch als zweiter Halterahmen bezeichnet) aufweisen, welcher abschnittsweise auf dem Halterahmen aufliegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die zwei Halterahmen (erster Halterahmen und zweiter Halterahmen) derart eingerichtet sein, dass zwischen den zwei in der Aussparung angeordneten Halterahmen ein Aufnahmeraum zum Aufnehmen eines Randabschnitts des Substrats bereitgestellt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der weitere Halterahmen eine weitere Auflagefläche (auch als zweite Auflagefläche bezeichnet) zum Halten eines weiteren Substrats (auch als zweites Substrat bezeichnet) über dem Substrat (auch als erstes Substrat bezeichnet) aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die zwei Halterahmen derart eingerichtet sein, dass diese beim Auflegen des weiteren Halterahmens auf den Halterahmen formschlüssig ineinander greifen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die zwei Halterahmen mehrere paarweise zueinander passende Zentrierstrukturen aufweisen, so dass die beiden Halterahmen beim Auflegen des weiteren Halterahmens auf den Halterahmen zueinander zentriert werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann jeweils eine Innenumfangswandung der zwei Halterahmen eine Fase aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Substrathaltevorrichtung ferner einen noch weiteren Halterahmen (auch als dritter Halterahmen bezeichnet) aufweisen, wobei der noch weitere Halterahmen in die Aussparung eingelegt über dem weiteren Halterahmen angeordnet ist derart, dass zwischen dem noch weiteren Halterahmen und dem weiteren Halterahmen ein Aufnahmeraum zum Aufnehmen eines Randabschnitts des weiteren Substrats bereitgestellt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Substrathaltevorrichtung ferner eine Entlüftungsöffnung zum Abpumpen eines Spalts zwischen dem Halterahmen und dem weiteren Halterahmen aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Halterahmen ferner eine Vertiefung aufweisen, welche an die Auflagefläche angrenzt und diese zumindest abschnittsweise umgibt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Vertiefung an eine Innenumfangswandung des Halterahmens angrenzen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Aussparung im Wesentlichen quaderförmig sein und vier Eckbereiche aufweisen, wobei der Halterahmen nur in den Eckbereichen der Aussparung auf der Trägerplatte aufliegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die zwei Halterahmen passend zur Aussparung eine im Wesentlichen quaderförmige Außenkontur mit vier Außen-Eckabschnitten aufweisen, und wobei die zwei Halterahmen jeweils paarweise zueinander passende Zentrierstrukturen in den vier Außen-Eckabschnitten aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Auflagefläche planar sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Halterahmen ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Halterahmen einen Kunststoff und/oder einen Verbundwerkstoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Prozessieranordnung Folgendes aufweisen: eine Prozessierkammer zum beidseitigen Prozessieren mehrerer Substrate in einem Prozessierbereich der Prozessierkammer; und eine Substrattransportvorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen zum Transportieren und/oder Positionieren der mehreren Substrate in dem Prozessierbereich (auch als Bearbeitungsbereich bezeichnet), wobei die Substrattransportvorrichtung eine Substrathaltevorrichtung und ein Transportsystem zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung aufweist; wobei die Substrathaltevorrichtung aufweist: eine Trägerplatte mit einer Aussparung, wobei sich die Aussparung von einer Oberseite der Trägerplatte zu einer Unterseite der Trägerplatte durch die Trägerplatte hindurch erstreckt; und einen Halterahmen, welcher eine Rahmenöffnung und eine die Rahmenöffnung umgebende Auflagefläche zum Halten eines Substrats in der Aussparung aufweist; wobei der in die Aussparung eingelegte Halterahmen abschnittsweise auf der Trägerplatte aufliegt; zwei Haltebereiche, an welchen die Trägerplatte zum Transportieren der Trägerplatte gelagert werden kann, wobei die Aussparung zwischen den zwei Haltebereichen angeordnet ist; und wobei das Transportsystem zwei Halteelemente derart aufweist, dass die Trägerplatte der Substrathaltevorrichtung nur in den zwei Haltebereichen gehalten wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Prozessieranordnung ferner Folgendes aufweisen: zwei Bearbeitungsvorrichtungen (auch als Prozessiervorrichtung bezeichnet), wobei das Transportsystem zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung zwischen den zwei Bearbeitungsvorrichtungen eingerichtet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Verfahren zum Prozessieren eines Substrats Folgendes aufweisen: Einlegen eines Halterahmens zum Halten des Substrats in eine Aussparung in einer Trägerplatte, wobei der Halterahmen eine Auflagefläche zum Auflegen des Substrats aufweist; Einlegen des Substrats auf die Auflagefläche des Halterahmens; beidseitiges Bearbeiten des Substrats während dieses mittels des Halterahmens in der Aussparung gehalten wird, wobei das beidseitige Bearbeiten aufweist, das Substrat durch eine Rahmenöffnung des Halterahmens hindurch zu bearbeiten; und Transportieren der Trägerplatte mittels eines Transportsystems mit zwei Haltelementen, wobei die Trägerplatte mittels der zwei Haltelemente nur in zwei Haltebereichen gehalten wird, zwischen denen die Aussparung angeordnet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Substrathaltevorrichtung Folgendes aufweisen: eine Trägerplatte; zwei parallel zueinander verlaufende Lagerbereiche, an welchen die Substrathaltevorrichtung zum Transportieren dieser gelagert werden kann; und mehrere zwischen den zwei Lagerbereichen angeordnete Substrateinlegebereiche, von denen jeder Substrateinlegebereich eine Aussparung aufweist, welche sich von einer Oberseite der Trägerplatte zu einer Unterseite der Trägerplatte durch die Trägerplatte hindurch erstreckt, und von denen jeder Substrateinlegebereich einen Halterahmen aufweist, welcher eine Rahmenöffnung und eine die Rahmenöffnung umgebende Auflagefläche zum Halten eines Substrats in der Aussparung aufweist, wobei der in die Aussparung eingelegte Halterahmen abschnittsweise auf der Trägerplatte aufliegt; wobei die Aussparung im Wesentlichen quaderförmig ist und vier Eckbereiche aufweist, und wobei der Halterahmen nur in den Eckbereichen der Aussparung auf der Trägerplatte aufliegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Substrathaltevorrichtung (auch als Substrathalter, Substrat-Carrier oder Wafer-Carrier bezeichnet) bereitgestellt, mittels der ein Substrat oder mehrere Substrate gehalten werden können, wobei die Substrathaltevorrichtung eine Trägerplatte mit einer oder mehreren Aussparungen aufweist, in denen jeweils ein Substrat mittels zweier in die jeweilige Aussparung eingelegter Rahmen (auch als Halterahmen oder Haltemaske bzw. Unterrahmen und Oberrahmen oder Untermaske und Obermaske bezeichnet) gehalten werden kann, wobei das Substrat zwischen den beiden Rahmen angeordnet ist. Beispielsweise kann das jeweilige Substrat auf einem unteren Rahmen (Unterrahmen) aufliegen und keinen direkten körperlichen Kontakt zu einem darüberliegenden oberen Rahmen (Oberrahmen) aufweisen. Dabei kann die Substrathaltevorrichtung derart eingerichtet sein, dass sich die beiden Rahmen (oder zumindest ein Rahmen) in der Trägerplatte beim Einlegen in die jeweilige Aussparung der Trägerplatte zentrieren und eine vordefinierte Position und/oder Ausrichtung einnehmen. Dabei kann der Oberrahmen ausschließlich auf dem Unterrahme aufliegen, oder mit anderen Worten kann nur einer der beiden Rahmen die Trägerplatte berühren, so dass sich bei einer Veränderung der Trägerplatte, z.B. bei einem Durchbiegen der Trägerplatte, die relative Lage der beiden Rahmen zueinander nicht verändert. Dies kann beispielsweise dazu notwendig sein, dass ein Aufnahmeraum zum Aufnehmen eines Abschnittes des Substrats zwischen den beiden Rahmen bereitgestellt werden kann, welcher nur minimal höher ist als die Substratdicke, z.B. kann ein in dem Aufnahmeraum zwischen den beiden Rahmen aufgenommenes Substrat einen Abstand zum Oberrahmen von weniger als 0,5 mm aufweisen. Mit anderen Worten kann der Aufnahmeraum zwischen den beiden Rahmen weniger als ungefähr 0,5 mm (z.B. 0,1 mm bis 0,5 mm) höher sein als die Substratdicke des aufzunehmenden Substrats.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die beiden Rahmen an die Form und Dicke des aufzunehmenden Substrats angepasst sein, so dass beispielsweise für ein erstes Substrat ein erstes Rahmenpaar verwendet wird und für ein zweites von dem ersten Substrat verschiedenes Substrat ein zweites von dem ersten Rahmenpaar verschiedenes zweites Rahmenpaar verwendet wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der Unterrahmen und der Oberrahmen derart eingerichtet sein, z.B. jeweils zueinander passende Zentrierstrukturen aufweisen, dass der Oberrahmen formschlüssig in den Unterrahmen eingreifen kann und der Oberrahmen relativ zu dem Unterrahmen in einer vordefinierten Position verbleibt. Ferner kann der Unterrahmen mit einem oder mehreren Abschnitten, z.B. Randabschnitten oder Eckabschnitten, auf der Trägerplatte aufliegen, so dass der Unterrahmen (z.B. gemeinsam mit dem auf dem Unterrahmen aufliegenden Oberrahmen) in der Aussparung der Trägerplatte angeordnet werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der Unterrahmen und die Trägerplatte derart eingerichtet sein, z.B. kann die Innenkontur der Aussparung in der Trägerplatte passend zur Außenkontur des Unterrahmens bereitgestellt sein, dass der Unterrahmen formschlüssig in die Aussparung eingreifen kann und der Unterrahmen relativ zu der Aussparung in einer vordefinierten Position verbleibt. Ferner kann zwischen dem Unterrahmen und der Trägerplatte, z.B. zwischen der Innenkontur der Aussparung und der Außenkontur des Unterrahmens, ein Spalt derart bereitgestellt sein, dass bei einer Veränderung der Trägerplatte, z.B. bei einem Durchbiegen der Trägerplatte, der Unterrahmen möglichst wenig beeinflusst wird. Dabei kann der Unterrahmen ausschließlich zu der Oberfläche der Trägerplatte einen körperlichen Kontakt aufweisen.
  • Somit kann beispielsweise die Lage beider Rahmen in der Trägerplatte aufgrund der Schwerkraft definiert sein. Der hierin beschrieben Substratträger kann sich beispielsweise für das horizontale Handhaben von Substraten eignen (z.B. kann die Trägerplatte mit den Substraten nicht senkrecht gestellt werden oder über Kopf gedreht werden, wenn die Substrate in deren Lage verbleiben sollen), da der Rahmen oder die Rahmen aufgrund der Schwerkraft in der Aussparung verbleiben.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Halterahmen einen Teil des Substrats abdecken, wenn das Substrat zwischen den beiden Halterahmen angeordnet ist. Anschaulich kann der Oberrahmen eine obere Oberfläche des Substrats teilweise abdecken. Der Oberrahmen kann beispielsweise einen Randbereich des Substrats von oben abdecken. Ferner kann ein Mittenbereich der oberen Oberfläche des Substrats frei bleiben, so dass der Mittenbereich des Substrats behandelt, z.B. beschichtet, werden kann. Anschaulich kann der Unterrahmen eine untere Oberfläche (gegenüberliegend zur oberen Oberfläche) des Substrats teilweise abdecken. Der Unterrahmen kann beispielsweise einen Randbereich des Substrats von unten abdecken. Ferner kann ein Mittenbereich der unteren Oberfläche des Substrats frei bleiben, so dass der Mittenbereich des Substrats behandelt, z.B. beschichtet, werden kann.
    Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Substrathaltevorrichtung Folgendes aufweisen: eine Trägerplatte mit einer Aussparung zum (zumindest teilweisen) Aufnehmen eines ersten Halterahmens und eines zweiten Halterahmens zum Halten eines Substrats mittels der zwei Halterahmen in der Aussparung, wobei sich die Aussparung von einer Oberseite der Trägerplatte zu einer Unterseite der Trägerplatte durch die Trägerplatte hindurch erstreckt, wobei der in die Aussparung eingelegte erste Halterahmen abschnittsweise auf der Trägerplatte aufliegt und wobei der zweite Halterahmen abschnittsweise (z.B. ausschließlich) auf dem ersten Halterahmen aufliegt, und wobei die zwei Halterahmen derart eingerichtet sind, dass zwischen den zwei in der Aussparung angeordneten Halterahmen oder in die Aussparung eingelegten Halterahmen ein Aufnahmeraum zum Aufnehmen eines Randabschnitts des Substrats bereitgestellt ist. Dabei kann das Substrat ausschließlich auf dem ersten Halterahmen aufliegen. Der erste Halterahmen kann auch als Unterrahmen oder Untermaske bezeichnet sein oder werden. Der zweite Halterahmen kann auch als Oberrahmen oder Obermaske bezeichnet sein oder werden. Somit kann das Substrat beispielsweise mittels der Substrathaltevorrichtung gehalten werden und beidseitig behandelt werden.
  • Ferner können die zwei Halterahmen derart eingerichtet sein oder werden (z.B. eine seitliche Zentrierungs-Struktur aufweisen), dass die zwei Halterahmen beim Auflegen des zweiten Halterahmens auf den ersten Halterahmen formschlüssig ineinander greifen. Ferner können die zwei Halterahmen derart eingerichtet sein oder werden (z.B. eine seitliche Zentrierungs-Struktur und eine Auflagestruktur aufweisen), dass die zwei Halterahmen beim Auflegen des zweiten Halterahmens auf den ersten Halterahmen einen Formschluss in zwei verschiedene (z.B. zueinander senkrechte) Richtungen bilden. Dabei kann der Kraftschluss beispielsweise ausschließlich aufgrund der Schwerkraft erfolgen. Alternativ kann zumindest eine der Halterahmen festgeklemmt sein oder werden.
  • Ferner können die zwei Halterahmen mehrere paarweise zueinander passende Zentrierstrukturen (auch bezeichnet als Zentrierelemente oder Zentrierkonturen) aufweisen, so dass die beiden Halterahmen beim Auflegen des zweiten Halterahmens auf den ersten Halterahmen zueinander (z.B. seitlich) zentriert werden.
  • Beispielsweise kann in dem ersten Halterahmen eine Aussparung als Zentrierstruktur bereitgestellt sein. Ferner kann der zweite Halterahmen einen zu der Aussparung in dem ersten Halterahmen passenden Vorsprung als Zentrierstruktur aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die beiden paarweise zueinander passende Zentrierstruktur derart eingerichtet sein, dass das Auflegen und Zentrieren des zweiten Halterahmens auf dem ersten Halterahmen vereinfacht wird (z.B. können die Zentrierstrukturen Fasen oder Einführschrägen aufweisen oder bereitstellen).
  • Ferner kann jeweils eine Innenumfangswandung der zwei Halterahmen eine Fase aufweisen. Mit anderen Worten können/kann der erste Halterahmen und/oder der zweite Halterahmen an deren/dessen Innenumfangswandung abgeschrägt sein. Somit kann beispielsweise das Substrat bei einem Beschichten weniger von den zwei Halterahmen abgeschattet werden.
  • Ferner kann die Aussparung im Wesentlichen quaderförmig sein und vier Eckbereiche aufweisen, wobei der erste Halterahmen nur in den Eckbereichen der Aussparung auf der Trägerplatte aufliegt. Dies kann eine bessere Stabilität der zwei Halterahmen in der Aussparung ermöglichen, wenn sich die Trägerplatte (z.B. entlang der Breite der Trägerplatte) durchbiegt.
  • Ferner können die zwei Halterahmen passend zur Aussparung eine im Wesentlichen quaderförmige Außenkontur mit vier Außen-Eckabschnitten aufweisen, wobei die zwei Halterahmen jeweils paarweise zueinander passende Zentrierstrukturen in den vier Außen-Eckabschnitten aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Substrathaltevorrichtung Folgendes aufweisen: eine Trägerplatte mit mehreren (z.B. entlang der Breite der Trägerplatte) nebeneinander angeordneten Aussparungen, wobei jede der Aussparungen zum Aufnehmen eines ersten Halterahmens und eines zweiten Halterahmens eingerichtet ist und sich von einer Oberseite der Trägerplatte zu einer Unterseite der Trägerplatte durch die Trägerplatte hindurch erstreckt, und wobei in jeder der Aussparung ein erster Halterahmen abschnittsweise auf der Trägerplatte aufliegt und ein zweiter Halterahmen abschnittsweise (z.B. ausschließlich) auf dem ersten Halterahmen aufliegt, wobei die zwei Halterahmen derart eingerichtet sind, dass zwischen den zwei in der jeweiligen Aussparung angeordneten oder zwischen den zwei in die jeweilige Aussparung eingelegten Halterahmen ein Aufnahmeraum zum Aufnehmen eines Randabschnitts des Substrats bereitgestellt ist; wobei die Trägerplatte zwei Haltebereiche aufweist, an welchen die Trägerplatte zum Transportieren der Trägerplatte gelagert werden kann, wobei die mehreren nebeneinander angeordneten Aussparungen zwischen den zwei Haltebereichen angeordnet sind.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die zwei Halterahmen und die jeweilige Aussparung derart bereitgestellt sein oder werden, dass die zwei in die jeweilige Aussparung eingelegten Halterahmen (z.B. zumindest auf einer Seite der Trägerplatte) bündig mit der Trägerplatte abschließen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die zwei Halterahmen derart bereitgestellt sein oder werden, dass die Zentrierstruktur verdeckt angeordnet sind, so dass diese beispielsweise bei einem Beschichten des Substrats nicht mit beschichtet werden. Somit kann sich beispielsweise die definierte Lage der zwei Halterahmen relativ zueinander nicht aufgrund eines Beschichtens der Zentrierstruktur verändern.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Substrattransportvorrichtung Folgendes aufweisen: eine Substrathaltevorrichtung (wie hierin beschrieben); und ein Transportsystem zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung, wobei das Transportsystem zwei Halteelemente derart aufweist, dass die Trägerplatte der Substrathaltevorrichtung nur in den zwei Haltebereichen gehalten wird.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Prozessieranordnung Folgendes aufweisen: eine Prozessierkammer zum beidseitigen Prozessieren mehrerer Substrate in einem Prozessierbereich der Prozessierkammer; und eine Substrattransportvorrichtung (wie hierin beschrieben) zum Transportieren und/oder Positionieren der mehreren Substrate in dem Prozessierbereich.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Prozessieren eines Substrats Folgendes aufweisen: Einlegen eines ersten Halterahmens zum Halten des Substrats in eine Aussparung in einer Trägerplatte, wobei der erste Halterahmen eine ebene Auflagefläche zum Auflegen des Substrats aufweist; Einlegen des Substrats in die Aussparung auf die ebene Auflagefläche des ersten Halterahmens; Auflegen eines zweiten Halterahmens auf den ersten Halterahmen, wobei die zwei Halterahmen derart eingerichtet sind, dass das Substrat zwischen den zwei Halterahmen angeordnet ist, wobei zwischen dem zweiten Halterahmen und dem Substrat ein Spalt verbleibt, so dass das Substrat nur auf dem ersten Halterahmen aufliegt.
  • Ferner kann das Einlegen des ersten Halterahmens und/oder des zweiten Halterahmens mittels eines Magnetgreifers oder eines Sauggreifers (auch als Vakuumgreifer bezeichnet) erfolgen. Dazu können Angriffsflächen, welche an den Halterahmen bereitgestellt sein können oder werden können, an den Greifer angepasst sein oder werden.
  • Ferner können die zwei Halterahmen nach dem Einlegen in die Aussparung der Trägerplatte bzw. nach dem Auflegen zentriert in der Aussparung gehalten werden, wobei die zwei Halterahmen derart eingerichtet sind, dass zwischen den zwei Halterahmen ein Aufnahmeraum zum Aufnehmen eines Randabschnitts des Substrats bereitgestellt ist. Dieser Randabschnitt des Substrats kann beispielsweise als Auflage dienen und die vertikale Halterung/Positionierung des Substrats bilden. Dabei kann bei einem Beschichten der Randabschnitt des Substrats nicht mit beschichtet werden.
  • Ferner kann die Aussparung quaderförmig sein und vier Eckbereiche (Innen-Eckbereiche) aufweisen. Ferner kann die Aussparung prismatisch sein und drei oder mehr als drei Eckbereiche (Innen-Eckbereiche) aufweisen. Beispielsweise können die Eckbereiche der Aussparung als Zentrierbereiche für den ersten Halterahmen eingerichtet sein. Ferner können die Eckbereiche des ersten Halterahmens als Zentrierbereiche für den zweiten Halterahmen eingerichtet sein. Ferner kann die Aussparung zylinderförmig sein.
  • Beispielsweise können/kann der erste Halterahmen und/oder der zweite Halterahmen eine quaderförmige Außenkontur mit vier Eckabschnitten (Außen-Eckabschnitten) aufweisen, wobei jeweils ein Zentrierabschnitt an jedem der vier Eckabschnitte des ersten Halterahmens bzw. des zweiten Halterahmens bereitgestellt ist zum zentrierten Auflegen des zweiten Halterahmens. Ferner können/kann der erste Halterahmen und/oder der zweite Halterahmen eine prismatische Außenkontur mit drei oder mehr als drei Eckabschnitten (Außen-Eckabschnitten) aufweisen, wobei jeweils ein Zentrierabschnitt an jedem der drei oder mehr als drei Eckabschnitte des ersten Halterahmens bzw. des zweiten Halterahmens bereitgestellt ist zum zentrierten Auflegen des zweiten Halterahmens. Anschaulich können die Eckabschnitte des ersten Halterahmens bzw. des zweiten Halterahmens als Zentrierabschnitte eingerichtet sein zum zentrierten Auflegen des zweiten Halterahmens. Ferner können/kann der erste Halterahmen und/oder der zweite Halterahmen eine zylinderförmige Außenkontur aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren, eine Substrathaltevorrichtung und eine Prozessieranlage bereitgestellt, welches die Anzahl der Substrate vergrößert, welche pro Verfahrensdurchlauf bearbeitet werden können, z.B. während die Substrathaltevorrichtung durch die Prozessieranlage hindurch transportiert wird. Dadurch werden die Bearbeitungskosten reduziert und das Bearbeiten von Substraten in Vakuumanlagen wirtschaftlich. Diese macht das Bearbeiten von Substraten in Vakuumanlagen konkurrenzfähiger gegenüber anderen Bearbeitungstechnologien.
  • Anschaulich wird gemäß verschiedenen Ausführungsformen ein Substratstapel (aufweisend zumindest zwei übereinander angeordnete Substrate und optional zumindest ein weiteres Element dazwischen, z.B. ein Trennelemente und/oder ein weiteres Substrat) in einer Substrataufnahmeaussparung in dem Substrathaltevorrichtung angeordnet, so dass ein unten liegendes Substrat (d.h. dessen Unterseite) und ein oben liegendes Substrat (d.h. dessen Oberseite) bearbeitet werden können. Mit anderen Worten können pro Substrataufnahmeaussparung zumindest die zwei Substrate bearbeitet werden. Auf diese Weise können in jeder Aussparung eines Substrathaltevorrichtung zumindest zwei Substrate übereinander angeordnet werden, so dass die oben liegenden Substrate eine obere Substratlage bilden, deren Oberseite bearbeitet werden kann, und die unten liegenden Substrate eine untere Substratlage bilden, deren Unterseite bearbeitet werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Substrathaltevorrichtung (auch als Substrathalter, Substrat-Carrier oder Wafer-Carrier bezeichnet) bereitgestellt, mittels der pro Substrataufnahmeaussparung zwei Substrate übereinander gehalten werden können, so dass jedes der zwei Substrate einseitig bearbeitet werden kann. Die Substrathaltevorrichtung ermöglicht es eine herkömmliche Prozessieranlage, welche z.B. zum beidseitigen Bearbeiten einer einzelnen Substratlage ausgelegt ist, kostengünstig umzurüsten, so dass deren Bearbeitungsvermögen anschaulich größtmöglich ausgenutzt wird. Anschaulich wird anstatt der Unterseite der herkömmlichen Substratlage eine erste (anschaulich untere) Substratlage bearbeitet und anstatt einer Oberseite der herkömmlichen Substratlage eine zweite (anschaulich obere) Substratlage bearbeitet. Dies ermöglicht es die Anzahl der Substrate, welche pro Verfahrensdurchlauf bearbeitet werden können, zu verdoppeln.
  • Beim Bearbeiten schirmen sich die zwei Substrate, welche gemeinsam in die Aussparung eingelegt sind oder werden (bzw. die zwei Substratlagen), gegenseitig ab. Dies ermöglicht es im Allgemeinen die zwei Substrate (bzw. die zwei Substratlagen) unterschiedlich zu bearbeiten, z.B. zu unterschiedlichen Zeitpunkten oder mit unterschiedlichen Technologien. Beispielsweise kann das oben liegende Substrat (bzw. die obere Substratlage) gereinigt werden und das unten liegende Substrat (bzw. untere Substratlage) kann beschichtet werden. Das Bearbeiten der zwei Substrate (bzw. zwei Substratlagen) kann gleichzeitig (parallel), zumindest teilweise (d.h. teilweise oder vollständig) gleichzeitig, nacheinander (seriell) oder zumindest teilweise nacheinander erfolgen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren, Folgendes aufweisen: Anordnen eines Substratstapels aufweisend ein erstes Substrat und ein zweites Substrat (welche sich z.B. zumindest teilweise überlappen) in einen Aufnahmebereich einer Substrathaltevorrichtung, wobei eine erste Seite des ersten Substrats einer ersten Seite des zweiten Substrats zugewandt ist; und Bearbeiten einer zweiten Seite des ersten Substrats, welche dessen erster Seite gegenüberliegt, und Bearbeiten einer zweiten Seite des zweiten Substrats, welche dessen erster Seite gegenüberliegt und der zweiten Seite des ersten Substrats abgewandt ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen das Anordnen des Substratstapels aufweisen, das erste Substrat, z.B. dessen zweite Seite, auf eine Auflagefläche der Substrathaltevorrichtung aufzulegen, z.B. auf eine planare Auflagefläche.
  • Die erste Seite des ersten Substrats kann anschaulich als dessen Oberseite, die zweite Seite des ersten Substrats kann anschaulich als dessen Unterseite, die erste Seite des zweiten Substrats kann anschaulich als dessen Unterseite, und die zweite Seite des zweiten Substrats kann anschaulich als dessen Oberseite bezeichnet werden. Anschaulich kann das zweite Substrat beispielsweise über dem ersten Substrat angeordnet sein. Der Substratstapel und/oder die Substrathaltevorrichtung können auch in einer anderen Orientierung angeordnet sein oder werden.
  • Der Aufnahmebereich der Substrathaltevorrichtung kann von einer Aussparung und/oder einer Auflagefläche der Substrathaltevorrichtung definiert sein oder zumindest begrenzt sein. Der Aufnahmebereich kann sich beispielsweise innerhalb der Aussparung erstrecken. Alternativ oder zusätzlich kann sich der Aufnahmebereich beispielsweise zumindest teilweise (d.h. teilweise oder vollständig) über der Auflagefläche erstrecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das erste Substrat und das zweite Substrat in einen gemeinsamen Aufnahmebereich der Substrathaltevorrichtung eingelegt sein oder werden.
  • Die zweite Seite (z.B. Unterseite) des ersten Substrats kann zum Bearbeiten zumindest teilweise freiliegen und/oder die zweite Seite (z.B. Oberseite) des zweiten Substrats kann zum Bearbeiten zumindest teilweise freiliegen.
  • Das Anordnen des Substratstapels kann aufweisen: Einlegen des ersten Substrats in eine Aussparung (Substrataufnahmeaussparung), welche sich z.B. durch eine Trägerplatte (auch als Carrier oder Tray bezeichnet) einer Substrathaltevorrichtung hindurch erstreckt; und Einlegen des zweiten Substrats in die Aussparung.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das erste Substrat in einen Halteramen (Unterrahmen) in der Aussparung der Substrathaltevorrichtung eingelegt werden, z.B. auf deren Auflagefläche. Der Unterrahmen kann mit der Trägerplatte verbunden sein, z.B. monolithisch und/oder gefügt (z.B. stoffschlüssig, z.B. geschweißt und/oder geklebt). Alternativ können der Unterrahmen und die Trägerplatte zweiteilig sein, z.B. voneinander trennbar. In dem Fall kann der Unterrahmen in die Trägerplatte eingelegt sein oder werden, z.B. formschlüssig und/oder kraftschlüssig (z.B. geklemmt, geschraubt und/oder genietet). Der Unterrahmen kann z.B. vor dem Einlegen des ersten Substrats in die Aussparung eingelegt sein oder werden. Die zweite Seite des ersten Substrats kann teilweise von dem Unterrahmen abgedeckt sein, in den das erste Substrat eingelegt ist.
  • Das Verfahren kann ferner aufweisen: Anordnen (z.B. Einlegen) eines Halterahmens (wird auch als zweiter Halterahmen bezeichnet) in die Aussparung zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat, wobei das Anordnen (z.B. Einlegen) des Substratstapels aufweist das zweite Substrat in den Halterahmen einzulegen, z.B. die erste Seite des zweiten Substrats auf dessen Auflagefläche.
  • Im Allgemeinen kann das Bearbeiten des ersten Substrats und/oder des zweiten Substrats aufweisen das erste/zweite Substrat, oder zumindest eine Oberfläche davon, zu verändern, z.B. in zumindest einer chemischen Eigenschaft, einer strukturellen Eigenschaft und/oder einer physikalischen Eigenschaft.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bearbeiten der zweiten Seite des ersten Substrats zumindest eines von Folgendem aufweisen: Beschichten, Bestrahlen, Abtragen, Reinigen, Erhitzen, Umwandeln (z.B. chemisch und/oder strukturell), Dotieren (z.B. chemisch), Polieren. Alternativ oder zusätzlich kann das Bearbeiten der zweiten Seite des zweiten Substrats zumindest eines von Folgendem aufweisen: Beschichten, Bestrahlen, Abtragen, Reinigen, Erhitzen, Umwandeln (z.B. chemisch und/oder strukturell), Dotieren (z.B. chemisch), Polieren.
  • Das Bearbeiten der zweiten Seite des ersten Substrats kann aufweisen die zweite Seite des ersten Substrats mit einem gasförmigen Beschichtungsmaterial zu beschichten. Alternativ oder zusätzlich kann das Bearbeiten der zweiten Seite des zweiten Substrats aufweisen die zweite Seite des zweiten Substrats mit einem gasförmigen Beschichtungsmaterial zu beschichten. Die gasförmigen Beschichtungsmaterialien können gleichartig oder unterschiedlich sein, z.B. gleichartig oder unterschiedlich zusammengesetzt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das Bearbeiten des ersten Substrats und das Bearbeiten des zweiten Substrats zumindest teilweise gleichzeitig erfolgen. Mit anderen Worten können sich das Bearbeiten des ersten Substrats und das Bearbeiten des zweiten Substrats zumindest teilweise zeitlich überlappen. Alternativ können das Bearbeiten des ersten Substrats und das Bearbeiten des zweiten Substrats nacheinander erfolgten, d.h. in einem zeitlichen Abstand zueinander erfolgen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das Bearbeiten des ersten Substrats und/oder das Bearbeiten des zweiten Substrats in einem Vakuum (oder zumindest in einem Unterdruck) erfolgen. Alternativ oder zusätzlich kann die Substrathaltevorrichtung, in welcher das erste Substrat und das zweite Substrat eingelegt sind, während des Bearbeitens der Unterseite des ersten Substrats und/oder während des Bearbeitens der Oberseite des zweiten Substrats in einem Vakuum transportiert und/oder angeordnet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Halterahmen (auch als zweiter Halterahmen bezeichnet), welcher zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat angeordnet ist, einen Abstand zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat definieren, so dass z.B. zwischen der ersten Seite des ersten Substrats und der ersten Seite des zweiten Substrats ein Spalt gebildet ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Spalt während des Bearbeitens des ersten Substrats und/oder des Bearbeitens des zweiten Substrats abgepumpt werden, z.B. durch eine Entlüftungsöffnung (z.B. einen Kanal) in der Trägerplatte und/oder eine Entlüftungsöffnung (z.B. einen Kanal) in dem Halterahmen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das erste Substrat und das zweite Substrat in körperlichem Kontakt zueinander angeordnet sein oder werden, z.B. deren ersten Seiten zumindest teilweise (d.h. teilweise oder vollständig). Alternativ oder zusätzlich kann zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat ein Spalt gebildet sein (z.B. wenn die Substrate uneben sind oder in einem Abstand zueinander angeordnet sind). Alternativ oder zusätzlich kann zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat eine Wärmesenke angeordnet werden, beispielsweise in Form eines Halterahmens. Die Wärmesenke kann mit dem ersten Substrat und/oder mit dem zweiten Substrat thermisch gekoppelt sein und optional kann die Wärmesenke mit der Trägerplatte thermisch gekoppelt sein. Um die erforderliche thermisch Kopplung zu erreichen, können die Kontaktflächen zwischen der Wärmesenke und dem ersten Substrat und/oder dem zweiten Substrat, bzw. optional der Trägerplatte, entsprechend größer eingerichtet sein oder werden. Die Wärmesenke kann eingerichtet sein, von dem ersten Substrat und/oder von dem zweiten Substrat thermische Energie aufzunehmen und von diesen wegzuleiten. Beispielsweise kann die Wärmesenke eine Oberfläche aufweisen, welche zumindest einen Teil der aufgenommenen thermischen Energie wieder abgibt, z.B. in Form von Wärmestrahlung. Die Oberfläche kann dazu profiliert sein, z.B. in Form von Kühlrippen. Dazu kann die Wärmesenke einen thermisch leifähigen Pfad bereitstellen, z.B. zwischen dem ersten Substrat und/oder zwischen dem zweiten Substrat und der Oberfläche. Optional kann die Wärmesenke eingerichtet sein, zumindest einen Teil der aufgenommenen thermischen Energie an die Trägerplatte abzugeben. Dazu kann die Wärmesenke einen thermisch leifähigen Pfad bereitstellen, z.B. zwischen dem ersten Substrat und/oder zwischen dem zweiten Substrat und der Trägerplatte.
  • Die Wärmesenke (z.B. ein Halterahmen) und/oder die Trägerplatte können ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. ein Metall, welches eine thermische Leitfähigkeit größer als 10 W/(m·K) aufweist, z.B. größer als 50 W/(m·K), z.B. größer als 100 W/(m K), z.B. größer als 200 W/(m K), z.B. größer als 300 W/(m K), z.B. größer als 400 W/(m K).
  • Das erste Substrat und/oder das zweite Substrat können plattenförmig ausgebildet sein, z.B. können deren erste Seite und/oder zweite Seite planar (eben) ausgebildet sein, z.B. planparallel zueinander. Sind die ersten Seiten planar ausgebildet, können das erste Substrat und das zweite Substrat im Wesentlichen vollständig in Kontakt sein, z.B. wenn dazwischen kein Spalt gebildet ist, d.h. wenn das erste Substrat und das zweite Substrat sich berühren.
  • Alternativ oder zusätzlich kann zumindest die erste Seite des ersten Substrats und/oder zumindest die erste Seite des zweiten Substrats uneben ausgebildet sein, z.B. gewinkelt und/oder strukturiert, z.B. in dem Fall wenn das erste Substrat und/oder das zweite Substrat zumindest teilweise gewinkelt ausgebildet sein und/oder strukturiert ausgebildet sein. Ist zumindest einer der ersten Seiten uneben ausgebildet, können das erste Substrat und/oder das zweite Substrat teilweise in Kontakt sein. Mit anderen Worten kann zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat ein Spalt gebildet sein, z.B. selbst wenn diese teilweise in Kontakt zueinander sind.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das erste Substrat und/oder das zweite Substrat zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: eine Keramik, ein Glas, ein Halbleiter (z.B. amorphes, polykristalliner oder einkristalliner Halbleiter, wie Silizium), ein Metall, ein Polymer (z.B. Kunststoff). Beispielsweise kann das erste Substrat und/oder das zweite Substrat eine Kunststofffolie, ein Wafer, eine Metallfolie, ein Metallblech oder eine Glasplatte sein.
  • Das Verfahren kann optional aufweisen einen weiteren Substratstapel (aufweisend ein drittes und ein viertes Substrat) in einen weiteren Aufnahmebereich anzuordnen, z.B. in einer weitere Aussparung, welche sich durch die Trägerplatte der Substrathaltevorrichtung hindurch erstreckt, einzulegen, z.B. derart, dass eine zweite Seite (z.B. eine Unterseite) des dritten Substrats zur Bearbeitung freiliegt und eine zweite Seite (z.B. eine Oberseite) des vierten Substrats zur Bearbeitung freiliegt.
  • Eine Substrathaltevorrichtung kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen Folgendes aufweisen: eine Trägerplatte mit einer Aussparung, welche sich von einer Oberseite der Trägerplatte zu einer Unterseite der Trägerplatte durch die Trägerplatte hindurch erstreckt; einen ersten Halterahmen, welcher eine erste (z.B. planare) Auflagefläche zum Halten eines ersten Substrats (z.B. in der Aussparung) aufweist; und einen zweiten Halterahmen, welcher in die Aussparung eingelegt über der ersten (z.B. planaren) Auflagefläche (z.B. zumindest teilweise in einer Aussparung des ersten Halterahmens und/oder zumindest teilweise über dem ersten Halterahmen) angeordnet ist, und welcher eine zweite (z.B. planare) Auflagefläche zum Halten eines zweiten Substrats in der Aussparung und über dem ersten Substrat aufweist. Die erste Auflagefläche und die zweite Auflagefläche können einander zumindest teilweise überlappen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Halterahmen zumindest abschnittsweise auf der Trägerplatte und/oder dem ersten Halterahmen aufliegen, z.B. derart, dass zwischen dem zweiten Halterahmen und dem ersten Halterahmen ein Aufnahmeraum zum Aufnehmen eines Randabschnitts des ersten Substrats bereitgestellt ist. In dem Fall kann das zweite Substrat zumindest teilweise (z.B. mit dessen Randabschnitt) auf dem zweiten Halterahmen aufliegen. Das erste Substrat kann zumindest teilweise (z.B. mit dessen Randabschnitt) auf dem ersten Halterahmen aufliegen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die erste Auflagefläche und/oder die zweite Auflagefläche mittels einer Vertiefung in dem jeweiligen Halterahmen bereitgestellt sein oder werden. Alternativ oder zusätzlich können die Auflageflächen mittels Vorsprüngen, Abrundungen, Fasen, Falzen, Punktkontakte, Flächenkontakte, Linienkontakte, und Ähnlichem oder Mischformen davon bereitgestellt sein oder werden.
  • Der erste Halterahmen kann auch als Unterrahmen, Untermaske oder anschaulich als unterer Halterahmen bezeichnet sein oder werden. Der zweite Halterahmen kann auch als Oberrahmen, Obermaske oder anschaulich als oberer Halterahmen bezeichnet sein oder werden. Das erste Substrat kann anschaulich auch als unteres Substrat bezeichnet sein oder werden. Das zweite Substrat kann anschaulich auch als oberes Substrat bezeichnet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der Unterrahmen und die Trägerplatte derart eingerichtet sein, z.B. kann die Innenkontur der Aussparung in der Trägerplatte passend zur Außenkontur des Unterrahmens bereitgestellt sein, dass der Unterrahmen formschlüssig in die Aussparung eingreifen kann und/oder der Unterrahmen relativ zu der Aussparung in einer vordefinierten Position verbleibt. Dabei kann der Unterrahmen zu der Seitenwand der Aussparung einen körperlichen Kontakt aufweisen und/oder auf einer Auflagefläche der Trägerplatte aufliegen (d.h. einen körperlichen Kontakt aufweisen). Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der Oberrahmen und zumindest eines die Trägerplatte und/oder der Unterrahmen derart eingerichtet sein, dass der Oberrahmen formschlüssig in die Aussparung und/oder in den Unterrahmen eingreifen kann. Der Oberrahmen kann z.B. relativ zu der Aussparung und/oder zu dem Unterrahmen in einer vordefinierten Position verbleiben. Beispielsweise kann die Innenkontur der Aussparung in der Trägerplatte (und/oder einer Vertiefung des Unterrahmens) passend zur Außenkontur des Oberrahmens bereitgestellt sein. Alternativ oder zusätzlich können der Unterrahmen, der Oberrahmen und die Trägerplatte zumindest paarweise jeweils zueinander passende Zentrierstruktur aufweisen. Dabei kann der Oberrahmen zu der Seitenwand der Aussparung und/oder zu dem Unterrahmen einen körperlichen Kontakt aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das erste Substrat mit einem Randabschnitt auf dem Unterrahmen, z.B. dessen Auflagefläche, aufliegen und/oder das zweite Substrat kann mit einem Randabschnitt auf dem Oberrahmen, z.B. dessen Auflagefläche, aufliegen.
    Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der erste Halterahmen und die Trägerplatte monolithisch miteinander verbunden sein. Alternativ kann der erste Halterahmen in die Aussparung eingelegt sein. In dem Fall kann der erste Halterahmen zumindest abschnittsweise auf der Trägerplatte aufliegen, z.B. auf einer Auflagefläche der Trägerplatte. Dazu kann die Trägerplatte eine Auflagefläche aufweisen, auf der der erste Halterahmen zumindest teilweise aufliegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung ferner Folgendes aufweisen: einen dritten Halterahmen zum Abdecken des ersten Substrats (dann auch als erster Abdeckrahmen bezeichnet) oder des zweiten Substrats (dann auch als zweiter Abdeckrahmen bezeichnet). Der erste Abdeckrahmen kann in die Aussparung eingelegt über der ersten (z.B. planaren) Auflagefläche, z.B. über dem ersten Halterahmen, angeordnet sein oder werden, z.B. derart, dass zwischen dem ersten Abdeckrahmen, und der ersten (z.B. planaren) Auflagefläche, z.B. dem ersten Halterahmen, ein Aufnahmeraum zum Aufnehmen eines Randabschnitts des ersten Substrats bereitgestellt ist und/oder der erste Abdeckrahmen in dem Aufnahmeraum zwischen dem ersten Halterahmen und dem zweiten Halterahmen angeordnet ist. Mit anderen Worten kann der erste Abdeckrahmen zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat angeordnet sein oder werden. Der erste Abdeckrahmen kann in die Aussparung eingelegt das ersten Substrat befestigen, z.B. klemmen.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der zweite Abdeckrahmen in die Aussparung eingelegt über der zweiten (z.B. planaren) Auflagefläche, z.B. über dem zweiten Halterahmen, angeordnet sein oder werden, z.B. derart, dass zwischen dem zweiten Abdeckrahmen und der zweiten (z.B. planaren) Auflagefläche, z.B. dem zweiten Halterahmen, ein Aufnahmeraum zum Aufnehmen eines Randabschnitts des zweiten Substrats bereitgestellt ist. Der zweite Abdeckrahmen kann in die Aussparung eingelegt das zweite Substrat befestigen, z.B. klemmen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung den zweiten Abdeckrahmen und/oder den ersten Abdeckrahmen aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Oberrahmen zumindest einen Teil des ersten Substrats abdecken, wenn das erste Substrat zwischen Oberrahmen und Unterrahmen angeordnet ist. Anschaulich kann der Oberrahmen die erste Seite des ersten Substrats zumindest teilweise abdecken, z.B. dessen Randbereich, z.B. von oben. Das zweite Substrat kann auf dem Oberrahmen aufliegen, z.B. derart, dass dessen zweite Seite vollständig frei bleibt (freiliegt). Alternativ kann der zweite Abdeckrahmen die zweite Seite des zweiten Substrats teilweise abdecken, z.B. dessen Randbereich, z.B. von oben. In dem Fall kann ein Mittenbereich der oberen Oberfläche des zweiten Substrats (d.h. auf dessen Oberseite) frei bleiben (freiliegen), so dass der Mittenbereich des zweiten Substrats behandelt, z.B. beschichtet, werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Unterrahmen einen Teil des ersten Substrats abdecken, z.B. wenn das erste Substrat zwischen Oberrahmen und Unterrahmen angeordnet ist. Anschaulich kann der Unterrahmen die zweite Seite des ersten Substrats teilweise abdecken, z.B. dessen Randbereich. Ferner kann ein Mittenbereich der zweiten Seite des ersten Substrats (z.B. dessen Unterseite) frei bleiben (freiliegen), so dass der Mittenbereich des ersten Substrats behandelt, z.B. beschichtet, werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung eine Entlüftungsöffnung aufweisen zum Abpumpen eines Spalts zwischen dem ersten Halterahmen und dem zweiten Halterahmen und/oder zum Abpumpen eines Spalts zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat. Die Entlüftungsöffnung kann sich zumindest abschnittsweise zwischen der ersten Auflagefläche und der zweiten Auflagefläche erstrecken und/oder den Spalt mit zumindest einer Seite der Trägerplatte (z.B. Oberseite und/oder Unterseite) verbinden. Die Entlüftungsöffnung kann sich zumindest abschnittsweise in der Trägerplatte, in dem ersten Halterahmen und/oder in dem zweiten Halterahmen erstrecken. Die Entlüftungsöffnung kann sich z.B. von der Oberseite der Trägerplatte und/oder der Unterseite der Trägerplatte zu einer Seitenwand der Aussparung erstrecken und/oder diese miteinander verbinden. Beispielsweise kann die Entlüftungsöffnung zumindest einen ersten Öffnungsabschnitt in dem ersten Halterahmen und/oder in dem zweiten Halterahmen aufweisen und einen zweiten Öffnungsabschnitt in der Trägerplatte aufweisen, wobei der ersten Öffnungsabschnitt mit dem zweiten Öffnungsabschnitt fluchtet, wenn der erste Halterahmen und/oder der zweite Halterahmen in die Aussparung der Trägerplatte eingelegt sind. Die Entlüftungsöffnung kann z.B. zumindest abschnittsweise in Form einer Vertiefung und/oder in Form eines Kanals gebildet sein.
  • Die Seitenwand der Aussparung kann die Aussparung (z.B. entlang der Trägerplattenfläche) begrenzen und sich von der Oberseite der Trägerplatte zu der Unterseite der Trägerplatte erstrecken.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Prozessieranordnung Folgendes aufweisen: eine Prozessierkammer; eine erste Bearbeitungsvorrichtung und ein zweite Bearbeitungsvorrichtung, welche in der Prozessierkammer angeordnet sind; eine Substrathaltevorrichtung wie hierin beschrieben ist; und eine Transportvorrichtung zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung zwischen der ersten Bearbeitungsvorrichtung und der zweiten Bearbeitungsvorrichtung. Beispielsweise kann die Transportvorrichtung eine Transportfläche definieren, zum Transportieren einer Substrathaltevorrichtung entlang der Transportfläche.
  • Die Transportfläche kann zwischen der ersten Bearbeitungsvorrichtung und der zweiten Bearbeitungsvorrichtung verlaufen. Mittels der Transportvorrichtung (z.B. Substrathaltevorrichtung-Transportvorrichtung oder auch als Transportsystem bezeichnet) kann die Substrathaltevorrichtung zwischen der ersten Bearbeitungsvorrichtung und der zweiten Bearbeitungsvorrichtung hindurch transportiert werden, z.B. während des Bearbeitens mittels der ersten Bearbeitungsvorrichtung und/oder der zweiten Bearbeitungsvorrichtung. Alternativ oder zusätzlich kann die Substrathaltevorrichtung mittels der Transportvorrichtung zwischen der ersten Bearbeitungsvorrichtung und der zweiten Bearbeitungsvorrichtung positioniert werden, z.B. während des Bearbeitens mittels der ersten Bearbeitungsvorrichtung und/oder der zweiten Bearbeitungsvorrichtung.
  • Mittels der ersten Bearbeitungsvorrichtung kann das erste Substrat, z.B. dessen erste Seite, z.B. von unten (anschaulich dessen Unterseite) bearbeitet werden. Mittels der zweiten Bearbeitungsvorrichtung kann das zweite Substrat, z.B. dessen erste Seite, z.B. von oben (anschaulich dessen Oberseite) bearbeitet werden.
  • Die Begriffe Oberseite und Unterseite der Substrate können auf die Oberseite und Unterseite der Trägerplatte bezogen sein. Die Trägerplatte kann hingegen beliebig im Raum ausgerichtet sein. Beispielsweise kann die Transportvorrichtung derart eingerichtet sein, dass die Transportfläche vertikal (d.h. quer zur Gravitationskraft), horizontal (d.h. parallel zur Gravitationskraft) und/oder in einem anderen Winkel verläuft. Mit anderen Worten kann die Substrathaltevorrichtung (bzw. deren Oberseite) quer zur Gravitationskraft, parallel zur Gravitationskraft und/oder in einem anderen Winkel zur Gravitationskraft ausgerichtet sein oder werden und/oder transportiert sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Bearbeitungsvorrichtung einen ersten Prozessierbereich aufweisen zum Bearbeiten des ersten Substrats und die zweite Bearbeitungsvorrichtung einen zweiten Prozessierbereich aufweisen zum Bearbeiten des zweiten Substrats. Die Transportvorrichtung kann zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung in den/dem ersten Prozessierbereich und in den/dem zweiten Prozessierbereich eingerichtet sein. Mit anderen Worten kann die Transportfläche durch den ersten Prozessierbereich und/oder den zweiten Prozessierbereich hindurch verlaufen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Seite des ersten Substrats in dem ersten Prozessierbereich bearbeitet werden und die erste Seite des zweiten Substrats in dem zweiten Prozessierbereich bearbeitet werden.
  • Die Trägerplatte kann mehrere Aussparungen, mehrere erste Halterahmen und mehrere zweite Halteramen aufweisen. Jeweils ein erster Halterahmen der mehreren ersten Halterahmen und jeweils ein zweiter Halteramen der mehreren zweiten Halteramen können ein Halteramen-Paar zum Halten eines Substratstapels bilden, welches einer Aussparungen der mehreren Aussparungen zugeordnet ist. Jedes Halteramen-Paar kann in die zugeordnete Aussparung eingelegt sein oder werden. Der zweite Halterahmen des Halteramen-Paars kann zumindest abschnittsweise auf der Trägerplatte und/oder dem ersten Halterahmen des Halteramen-Paars aufliegen, z.B. derart, dass zwischen dem zweiten Halterahmen des Halteramen-Paars und dem ersten Halterahmen des Halteramen-Paars ein Aufnahmeraum zum Aufnehmen eines Randabschnitts eines ersten Substrats des Substratstapels bereitgestellt ist. Der zweite Halterahmen kann zum Halten eines zweiten Substrats des Substratstapels in der Aussparung und über dem ersten Substrat eingerichtet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren, Folgendes aufweisen: Anordnen eines ersten Substrats und eines zweiten Substrats in einer Substrathaltevorrichtung relativ zueinander, z.B. derart, dass eine Oberseite des ersten Substrats einer Unterseite des zweiten Substrats zugewandt ist; Bearbeiten einer Unterseite des ersten Substrats, welche der Oberseite des ersten Substrats gegenüberliegt; und Bearbeiten einer Oberseite des zweiten Substrats, welche der Unterseite des zweiten Substrats gegenüberliegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können das Einlegen des ersten Substrats und das Einlegen des zweiten Substrats (d.h. das Einlegen des Substratstapels) in der Substrathaltevorrichtung das Einlegen des ersten Substrats (des Substratstapels) in einen ersten Halterahmen und/oder das Einlegen des zweiten Substrats (des Substratstapels) in einen zweiten Halterahmen aufweisen.
  • Wie vorangehend beschrieben wird ein Substratträger in Verbindung mit Beschichtungsanlagen bereitgestellt, welche das einseitige oder zweitseitige Beschichten von nebeneinander gehalten Substraten (d.h. deren Vorderseite und Rückseite) ermöglichen. Dabei liegt das Substrat auf einer Auflagefläche auf und wird durch einen Obermaske abgedeckt. Die Auflagefläche und die Obermaske schatten jeweils einen Teil des Substrats ab, so dass auf beiden Seiten des Substrats ein unbeschichteter Randbereich verbleibt, welcher für einige Anwendung von großer Bedeutung ist. Der unbeschichtete Randbereich ermöglicht beispielsweise eine räumliche und elektrische Trennung (anschaulich eine elektrische Isolation) der jeweiligen Beschichtungen auf beiden Seiten des Substrats.
  • Die Obermaske hat optional die Funktion, das Substrat einzuklemmen, so dass das Substrat fest auf der Auflagefläche aufliegt und kein Streudampf zwischen die Auflagefläche und das Substrat gelangt und sich dort abscheiden kann (parasitäre Beschichtung). In dem Randbereich abgeschiedener Streudampf kann zu einem Kurzschluss der Beschichtungen auf beiden Seiten des Substrats miteinander führen, wobei der Kurzschluss die Substrate für einige Anwendungen unbrauchbar macht (und anschaulich Ausschuss erzeugt).
  • Dabei kann die Größe der beschichteten Fläche ein wesentliches Kriterium für die Wirtschaftlichkeit des Beschichtungsprozesses darstellen, so dass diese anschaulich möglichst groß sein soll, aber nur so groß, dass der Randbereich seine elektrisch isolierende Wirkung beibehält.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Substrathaltevorrichtung bereitgestellt, welche anschaulich eine möglichst große Ausnutzung der Substratfläche bereitstellt. Mit anderen Worten kann eine möglichst große beschichtete Fläche auf dem Substrat bereitstellt sein oder werden. Anschaulich kann der Randbereich des Substrats auf einer Seite beschichtet werden, so dass lediglich auf der anderen Seite des Substrats ein unbeschichteter Randbereich verbleibt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Substrathaltevorrichtung bereitgestellt, welche es ermöglicht die Obermaske wegzulassen. Damit liegt zum Beschichten des Substrats dessen Oberseite komplett frei, so dass diese vollständig beschichtet werden kann. Neben der Oberseite des Substrats liegt dadurch ebenso ein Teil der Auflagefläche frei, da diese üblicherweise etwas größer ausgebildet ist als das Substrat, um beim Einlegen des Substrats mehr Spielraum zu haben. Daher führt ein Weglassen der Obermaske ebenso zur Beschichtung der Auflagefläche. Zwischen den Reinigungsintervallen können dadurch Schichten mit mehreren einhundert Mikrometern Sichtdicke auf der Auflagefläche entstehen, welche zu einem Spalt zwischen dem Substrat und der Auflagefläche führen, in welchen Streudampf eindringt. Anschaulich wird die Auflagefläche im Laufe der Anlagennutzung immer unebener und das Spaltmaß zwischen dem Substrat und der Auflagefläche immer größer.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Substrathaltevorrichtung bereitgestellt, deren Auflagefläche anschaulich weniger beschichtet wird, wenn die Obermaske weggelassen wird. Dadurch wird der Ausschuss durch einen Kurzschluss der Beschichtungen auf beiden Seiten des Substrats miteinander verringert und es sind weniger Reinigungsintervalle nötig, was Kosten und Aufwand spart. Somit wird in Summe eine größere Substratnutzung bei weniger Ausschuss und Betriebskosten erreicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Substrathaltevorrichtung Folgendes aufweisen: zwei parallel zueinander verlaufende Lagerbereiche, an welchen die Substrathaltevorrichtung zum Transportieren dieser gelagert werden kann; und mehrere zwischen den zwei Lagerbereichen angeordnete Substrateinlegebereiche, von denen jeder Substrateinlegebereich eine Aussparung und eine Auflagefläche zum Halten eines Substrats in der Aussparung aufweist; und von denen jeder Substrateinlegebereich eine Vertiefung aufweist, welche an die Auflagefläche angrenzt und diese zumindest abschnittsweise umgibt.
  • Damit kann anschaulich erreicht werden, dass die Auflagefläche von einem darauf aufliegenden Substrat vollständig abgeschirmt wird. Die Vertiefung kann hingegen teilweise freiliegen, wenn das Substrat auf der Auflagefläche aufliegt. Die Vertiefung stellt anschaulich einen Bereich (Schichtaufnahmebereich) bereit, welcher beschichtet werden kann, ohne, dass das Substrat mit der Beschichtung in Kontakt kommt (da die Bodenfläche der Beschichtung tiefer als die Auflagefläche liegt). Anschaulich kann das Substrat beispielsweise über die Auflagefläche (zumindest teilweise) hinaus ragen, z.B. teilweise über die Vertiefung.
  • Anschaulich ist die Aussparung, z.B. deren Innenumfangswandung, eines Substrateinlegebereichs, welche die Lage eines eingelegten Substrats definiert, z.B. auf Höhe der Auflagefläche, derart eingerichtet, dass ein Substrat in die Aussparung passt, z.B. mit Spiel. Das Spiel ermöglicht beim Einlegen des Substrats in den Substrateinlegebereich und/oder beim Herausnehmen des Substrats aus dem Substrateinlegebereich eine Berührung des Substrats mit der Substrathaltevorrichtung, z.B. deren Innenumfangswandung, zu verhindern, was ein Risiko verringert, dass das Substrat beim Verlagern (Einlegen oder Herausnehmen) bricht (verringertes Substratbruchrisiko).
  • Die Vertiefung kann zwischen der Innenumfangswandung und der Auflagefläche angeordnet sein. Die Vertiefung kann an die der Innenumfangswandung angrenzen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann sich die Aussparung zumindest eines (z.B. jedes) Substrateinlegebereichs der mehreren Substrateinlegebereiche durch die Substrathaltevorrichtung hindurch erstrecken. Mit anderen Worten kann der Substrateinlegebereich in zwei entgegengesetzten Richtungen geöffnet sein. Damit kann erreicht werden, dass ein darin eingelegtes Substrat beidseitig bearbeitet werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Vertiefung zumindest eines (z.B. jedes) Substrateinlegebereichs der mehreren Substrateinlegebereiche an eine Innenumfangswandung der jeweiligen Aussparungen angrenzen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung ferner eine Trägerplatte aufweisen; wobei die Auflagefläche zumindest eines (z.B. jedes) Substrateinlegebereichs der mehreren Substrateinlegebereiche mit der Trägerplatte (z.B. monolithisch) verbunden ist; und/oder wobei die Auflagefläche zumindest eines (z.B. jedes) Substrateinlegebereichs der mehreren Substrateinlegebereiche mittels eines Halterahmens bereitgestellt ist, welcher in eine Aussparung der Trägerplatte eingelegt, zumindest abschnittsweise auf einer Auflagefläche der Trägerplatte aufliegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann sich die Aussparungen zumindest eines (z.B. jedes) Substrateinlegebereichs der Substrateinlegebereiche, z.B. zumindest eine (z.B. jede) Aussparung der Trägerplatte, durch die Trägerplatte hindurch erstrecken. Mit anderen Worten kann die Trägerplatte in den Substrateinlegebereichen in zwei entgegengesetzte Richtungen geöffnet sein. Damit kann erreicht werden, dass ein darin eingelegtes Substrat beidseitig bearbeitet werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Auflagefläche zumindest eines (z.B. jedes) Substrateinlegebereichs der mehreren Substrateinlegebereiche planar ausgebildet sein. Mit anderen Worten können die Punkte einer Auflagefläche innerhalb einer planaren Ebene liegen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Auflagefläche zumindest eines (z.B. jedes) Substrateinlegebereichs der mehreren Substrateinlegebereiche ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Metall kann beispielsweise Aluminium aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann das Metall beispielsweise Eisen aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. in Form einer Eisenlegierung, wie beispielsweise Stahl.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung ferner zumindest ein Versteifungselement aufweisen, welches sich zwischen den zwei Lagerbereichen und in diese hinein erstreckt. Alternativ oder zusätzlich kann die Substrathaltevorrichtung mehrere (zumindest zwei, z.B. zwei oder mehr als zwei) parallel zueinander verlaufende Versteifungselemente aufweisen, von denen zumindest eines (z.B. jedes) Versteifungselement in (z.B. jeweils) einem Lagerbereich der zwei Lagerbereiche angeordnet ist. Das zumindest eine Versteifungselement kann mehrere Versteifungselemente aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Prozessieranordnung Folgendes aufweisen: eine Prozessierkammer; eine Bearbeitungsvorrichtung, welche in der Prozessierkammer einen Prozessierbereich definiert; eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen; und eine Transportvorrichtung zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung in dem Prozessierbereich, wobei die Transportvorrichtung zum Lagern der Substrathaltevorrichtung in deren zwei Lagerbereichen eingerichtet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Prozessieranordnung ferner Folgendes aufweisen: eine weitere Bearbeitungsvorrichtung, wobei die Transportvorrichtung zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung zwischen der Bearbeitungsvorrichtung und der weiteren Bearbeitungsvorrichtung eingerichtet ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Substrathaltevorrichtung Folgendes aufweisen: zwei parallel zueinander verlaufende Lagerbereiche, an welchen die Substrathaltevorrichtung zum Transportieren dieser gelagert werden kann; und mehrere Substrateinlegebereiche, von denen jeder Substrateinlegebereich eine Aussparung und eine Auflagefläche zum Halten eines Substrats in der Aussparung aufweist, und welche zwischen den zwei Lagerbereichen angeordnet sind; und wobei zumindest eine (z.B. jede) Auflagefläche der mehreren Substrateinlegebereiche von einer Innenumfangswandung der mehreren Substrateinlegebereiche umgeben wird und von dieser in einem Abstand angeordnet ist (z.B. so dass ein Spalt zwischen diesen gebildet ist). Mit anderen Worten kann die Auflagefläche von der Innenumfangswandung zurückgezogen ausgebildet sein. Zwischen der Auflagefläche und der Innenumfangswandung kann der Spalt erstreckt sein, beispielsweise in Form einer Vertiefung.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Prozessieranordnung Folgendes aufweisen: eine Prozessierkammer; eine erste Bearbeitungsvorrichtung und eine zweite Bearbeitungsvorrichtung, welche in der Prozessierkammer angeordnet sind; eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen; und eine Transportvorrichtung zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung zwischen der ersten Bearbeitungsvorrichtung und der zweiten Bearbeitungsvorrichtung. Beispielsweise kann die Transportvorrichtung eine Transportfläche definieren, zum Transportieren einer Substrathaltevorrichtung entlang der Transportfläche.
  • Die Transportfläche kann zwischen der ersten Bearbeitungsvorrichtung und der zweiten Bearbeitungsvorrichtung verlaufen. Mittels der Transportvorrichtung kann die Substrathaltevorrichtung zwischen der ersten Bearbeitungsvorrichtung und der zweiten Bearbeitungsvorrichtung hindurch transportiert werden, z.B. während des Bearbeitens mittels der ersten Bearbeitungsvorrichtung und/oder der zweiten Bearbeitungsvorrichtung. Alternativ oder zusätzlich kann die Substrathaltevorrichtung mittels der Transportvorrichtung zwischen der ersten Bearbeitungsvorrichtung und der zweiten Bearbeitungsvorrichtung positioniert werden, z.B. während des Bearbeitens mittels der ersten Bearbeitungsvorrichtung und/oder der zweiten Bearbeitungsvorrichtung.
  • Mittels der ersten Bearbeitungsvorrichtung kann das Substrat, z.B. dessen erste Seite, z.B. von oben (anschaulich dessen Oberseite) bearbeitet werden. Mittels der zweiten Bearbeitungsvorrichtung kann das Substrat, z.B. dessen zweite Seite, z.B. von unten (anschaulich dessen Unterseite) bearbeitet werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren Folgendes aufweisend: Einlegen eines Substrats in eine Aussparung einer Substrathaltevorrichtung in deren Substrateinlegebereich, wobei das Substrat eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, welche der ersten Seite gegenüberliegt; wobei die zweite Seite des Substrats in körperlichem Kontakt mit einer Auflagefläche des Substrateinlegebereichs ist; und wobei das Substrat eine kleinere Ausdehnung parallel zu der Auflagefläche aufweist als die Aussparung (z.B. kleiner als ein Abstand gegenüberliegender Abschnitte einer Innenumfangswandung auf Höhe der Auflagefläche) des Substrateinlegebereichs; Bearbeiten der ersten Seite des Substrats, wobei die Auflagefläche und das Substrat derart relativ zueinander eingerichtet sind, dass die Auflagefläche von dem Substrat vollständig gegenüber dem Bearbeiten abgeschirmt wird. Optional kann die erste Seite des Substrats (d.h. welche der Auflagefläche gegenüberliegt) vollständig freiliegen. Optional kann das Verfahren ferner aufweisen: Bearbeiten der zweiten Seite des Substrats.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren, Folgendes aufweisen: Auflegen eines Substrats auf eine Auflagefläche (z.B. in einen Substrateinlegebereich) einer Substrathaltevorrichtung (z.B. der Trägerplatte oder des Halterahmens), wobei die Auflagefläche vollständig von dem Substrat abgedeckt wird; und Bearbeiten des Substrats. Optional kann eine Seite (erste Seite) des Substrats, welche der Auflagefläche gegenüberliegt vollständig freiliegen.
  • Das Bearbeiten des Substrats kann aufweisen das Substrat auf einer ersten Seite und/oder einer zweiten Seite zu bearbeiten, wobei die erste Seite der zweiten Seite gegenüberliegt. Das Substrat kann mit der zweiten Seite auf der Auflagefläche aufliegen, z.B. in körperlichem Kontakt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bearbeiten des Substrats (z.B. der ersten Seite und/oder der zweiten Seite) zumindest eines von Folgendem aufweisen: Beschichten, Bestrahlen, Abtragen, Reinigen, Erhitzen, Umwandeln (z.B. chemisch und/oder strukturell), Dotieren (z.B. chemisch), Polieren. Mit anderen Worten kann das Substrat einseitig oder zweiseitig bearbeitet werden.
  • Das Bearbeiten des Substrats kann aufweisen die erste Seite des Substrats mit einem gasförmigen Beschichtungsmaterial zu beschichten. Alternativ oder zusätzlich kann das Bearbeiten des Substrats aufweisen die zweite Seite des Substrats mit einem gasförmigen Beschichtungsmaterial zu beschichten. Die gasförmigen Beschichtungsmaterialien können gleichartig oder unterschiedlich sein, z.B. gleichartig oder unterschiedlich zusammengesetzt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bearbeiten des Substrats in einem Vakuum (oder zumindest in einem Unterdruck) erfolgen. Alternativ oder zusätzlich kann die Substrathaltevorrichtung, in welcher das Substrat eingelegt ist, während des Bearbeitens der ersten Seite des Substrats und/oder während des Bearbeitens zweiten Seite des Substrats in einem Vakuum transportiert und/oder angeordnet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Bearbeiten der ersten Seite des Substrats und der zweiten Seite des Substrats zumindest teilweise gleichzeitig erfolgen. Mit anderen Worten können sich das Bearbeiten der ersten Seite des Substrats und das Bearbeiten der zweiten Seite des Substrats sich zumindest teilweise zeitlich und/oder zumindest teilweise räumlich überlappen. Alternativ können das Bearbeiten der ersten Seite des Substrats und das Bearbeiten der zweiten Seite des Substrats nacheinander erfolgen, d.h. in einem zeitlichen und/oder räumlichen Abstand zueinander.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Einlegen des Substrats aufweisen, das Substrat auf eine Auflagefläche der Substrathaltevorrichtung aufzulegen, z.B. auf eine planare Auflagefläche.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat in einen Halterahmen (Unterrahmen) eingelegt werden, z.B. auf dessen Auflagefläche. Der Halterahmen kann in eine Aussparung der Substrathaltevorrichtung eingelegt werden, z.B. auf eine Auflagefläche der Substrathaltevorrichtung. Mit anderen Worten können der Halterahmen und die Trägerplatte zweiteilig sein, z.B. voneinander trennbar. In dem Fall kann der Halterahmen in die Trägerplatte eingelegt sein oder werden, z.B. formschlüssig und/oder kraftschlüssig (z.B. passgenau, eingesteckt und/oder geklemmt). Der Halterahmen kann z.B. vor dem Einlegen des Substrats in eine Aussparung der Trägerplatte eingelegt sein oder werden. Beispielsweise kann der Halterahmen zumindest abschnittsweise auf der Trägerplatte aufliegen, z.B. auf einer Auflagefläche der Trägerplatte. Dazu kann die Trägerplatte eine Auflagefläche aufweisen, auf der der Halterahmen zumindest teilweise aufliegt.
  • Alternativ kann der Halterahmen kann mit der Trägerplatte verbunden sein, z.B. monolithisch und/oder gefügt (z.B. stoffschlüssig, z.B. geschweißt und/oder geklebt) oder z.B. formschlüssig und/oder kraftschlüssig (z.B. geschraubt und/oder genietet).
  • Anschaulich kann ein Substrateinlegebereich der Substrathaltevorrichtung derart eingerichtet sein, dass ein Substrat auf eine Auflagefläche einer Trägerplatte aufgelegt werden kann oder ein Halterahmen, welche das Substrat hält, auf eine Auflagefläche einer Trägerplatte aufgelegt werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: eine Keramik, ein Glas, ein Halbleiter (z.B. amorphes, polykristalliner oder einkristalliner Halbleiter, wie Silizium), ein Metall, ein Polymer (z.B. Kunststoff). Beispielsweise kann das Substrat eine Kunststofffolie, ein Wafer (ein Halbleitersubstrat), eine Metallfolie, ein Metallblech oder eine Glasplatte sein.
  • Das Substrat kann plattenförmig ausgebildet sein, z.B. können deren erste Seite und/oder die zweite Seite planar (eben) ausgebildet sein, z.B. planparallel zueinander.
  • Die zweite Seite (z.B. Unterseite) des Substrats kann zum Bearbeiten zumindest teilweise freiliegen (z.B. teilweise von der Auflagefläche abgedeckt) und/oder die erste Seite (z.B. Oberseite) des Substrats kann zum Bearbeiten zumindest teilweise (z.B. vollständig) freiliegen.
  • Die zweite Seite (anschaulich Unterseite) des Substrats kann teilweise von der Auflagefläche (z.B. der Trägerplatte oder des Halterahmens) abgedeckt sein, auf der das Substrat aufgelegt ist. Anschaulich kann die Auflagefläche die zweite Seite des Substrats teilweise abdecken, z.B. dessen Randbereich. Ferner kann ein Mittenbereich der zweiten Seite des Substrats (z.B. dessen Unterseite) frei bleiben (freiliegen), so dass der Mittenbereich des Substrats behandelt, z.B. beschichtet, werden kann.
  • Das Verfahren kann optional aufweisen zumindest ein weiteres Substrat (z.B. eine Vielzahl Substrate) in zumindest einen weiteren Substrateinlegebereich (z.B. in eine Vielzahl Substrateinlegebereiche) anzuordnen, z.B. in zumindest eine weitere Aussparung (z.B. in eine Vielzahl Aussparungen) der Substrathaltevorrichtung einzulegen, z.B. derart, dass eine zweite Seite (z.B. eine Unterseite) des zumindest einen weiteren Substrats zur Bearbeitung teilweise freiliegt und eine erste Seite (z.B. eine Oberseite) des zumindest einen weiteren Substrats zur Bearbeitung vollständig freiliegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Auflagefläche (zusammenhängend) geschlossen sein oder von der Aussparung durchdrungen sein. Ist die Auflagefläche geschlossen, kann diese die zweite Seite des Substrats vollständig abdecken. Ist die Auflagefläche von der Aussparung durchdrungen, kann die Auflagefläche mittels eines Falzes am Rande des Substrateinlegebereichs bereitgestellt sein, wobei der Falz die Vertiefung aufweist.
  • Ist die Auflagefläche von der Aussparung durchdrungen, kann die Auflagefläche die Aussparung zumindest teilweise (teilweise oder vollständig) umgeben. Alternativ oder zusätzlich kann die Auflagefläche mittels Vorsprüngen, Abrundungen, Fasen, Punktkontakten, Flächenkontakten, Linienkontakten, und Ähnlichem oder Mischformen davon bereitgestellt sein oder werden.
  • Ist die Auflagefläche von der Aussparung durchdrungen, kann der Mittenbereich der zweiten Seite des Substrats (z.B. dessen Unterseite) frei bleiben (freiliegen), so dass der Mittenbereich des ersten Substrats bearbeitet (behandelt), z.B. beschichtet, werden kann.
  • Der Halterahmen, in den das Substrat eingelegt wird, kann auch als Unterrahmen oder Untermaske oder bezeichnet sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können der Halterahmen und die Trägerplatte derart eingerichtet sein, z.B. kann die Innenkontur der Aussparung in der Trägerplatte passend zur Außenkontur des Halterahmens bereitgestellt sein, dass der Halterahmen formschlüssig in die Aussparung eingreifen kann und/oder der Halterahmen relativ zu der Aussparung in einer vordefinierten Position verbleibt (d.h. passgenau). Dabei kann der Halterahmen zu der Seitenwand der Aussparung (d.h. deren Innenumfangswandung) einen körperlichen Kontakt aufweisen und/oder auf einer Auflagefläche der Trägerplatte aufliegen (d.h. einen körperlichen Kontakt aufweisen). Alternativ oder zusätzlich können der Halterahmen und die Trägerplatte zumindest paarweise jeweils zueinander passende Zentrierstruktur aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat mit einem Randabschnitt auf der Auflagefläche (der Trägerplatte oder des Halterahmens) aufliegen. Alternativ oder zusätzlich kann der Halterahmen mit einem Randabschnitt auf der Auflagefläche der Trägerplatte aufliegen (z.B. auf deren Oberseite).
  • Die Innenumfangswandung (Seitenwand) der Aussparung in der Trägerplatte kann die Aussparung (z.B. entlang der Trägerplattenfläche) begrenzen und sich von der Oberseite der Trägerplatte zu der Unterseite der Trägerplatte erstrecken. Die Oberseite der Trägerplatte und/oder die Unterseite der Trägerplatte können entlang der Trägerplattenfläche verlaufen, z.B. parallel dazu.
  • Die Begriffe Oberseite und Unterseite des Substrats können auf die Oberseite und Unterseite der Substrathaltevorrichtung, z.B. deren Trägerplatte und/oder deren Halterahmen, bezogen sein. Die Oberseite der Substrathaltevorrichtung kann die Seite bezeichnen, von der aus ein Substrat und/oder ein Halterahmen in die Substrathaltevorrichtung eingelegt werden kann. Die Substrathaltevorrichtung bzw. deren Trägerplatte kann hingegen beliebig im Raum ausgerichtet sein. Beispielsweise kann die Transportvorrichtung derart eingerichtet sein, dass die Transportfläche vertikal (d.h. quer zur Gravitationskraft), horizontal (d.h. parallel zur Gravitationskraft) und/oder in einem anderen Winkel verläuft. Mit anderen Worten kann die Substrathaltevorrichtung (bzw. deren Oberseite) quer zur Gravitationskraft, parallel zur Gravitationskraft und/oder in einem anderen Winkel zur Gravitationskraft ausgerichtet sein oder werden und/oder transportiert sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Bearbeitungsvorrichtung einen ersten Prozessierbereich aufweisen zum Bearbeiten des Substrats auf dessen erster Seite und die zweite Bearbeitungsvorrichtung kann einen zweiten Prozessierbereich aufweisen zum Bearbeiten des Substrats auf dessen zweiter Seite. Die Transportvorrichtung kann zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung in den/dem ersten Prozessierbereich und in den/dem zweiten Prozessierbereich eingerichtet sein. Mit anderen Worten kann die Transportfläche durch den ersten Prozessierbereich und/oder den zweiten Prozessierbereich hindurch verlaufen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die erste Seite des Substrats in dem ersten Prozessierbereich bearbeitet werden und die zweite Seite des Substrats in dem zweiten Prozessierbereich bearbeitet werden.
  • Die Substrathaltevorrichtung kann mehrere Halterahmen (z.B. flächig nebeneinander angeordnet) aufweisen. Optional kann die Trägerplatte mehrere Aussparungen (Trägerplatte-Aussparungen) aufweisen, in welche die mehreren Halterahmen eingelegt werden können. Alternativ können die mehreren Halterahmen mit der Trägerplatte verbunden sein, z.B. monolithisch.
  • Jeder Halterahmen der mehreren Halterahmen kann einer Trägerplatte-Aussparung der mehreren Trägerplatte-Aussparungen zugeordnet sein. Jeder Halterahmen kann der mehreren Halterahmen in die zugeordnete Trägerplatte-Aussparung der mehreren Trägerplatte-Aussparungen eingelegt sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Substrathaltevorrichtung (Substrathalter) für die einseitige und/oder beidseitige Beschichtung eines Substrats (z.B. eines Wafers), z.B. eines dünnen Substrats, in einer Vakuumbeschichtungsanlage bereitgestellt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine beidseitige Beschichtung eines Substrats bereitgestellt werden, z.B. wobei die Oberseite des Substrats vollflächig beschichtet wird. Alternativ oder zusätzlich kann die Unterseite (bzw. die untere Fläche) des Substrats umlaufend am Rand abgedeckt (maskiert) sein oder werden (auch als Randausschluss bezeichnet), z.B. mittels eines Halterahmens.
  • Durch Einsatz einer zusätzlichen optionalen Obermaske kann auch die Oberseite des Substrates maskiert sein oder werden (Sandwich-Halterung).
  • Mittels der Maskierung der Oberseite und/oder Unterseite kann ein elektrisch isolierender Rand zwischen einer oberseitigen und unterseitigen Beschichtung bereitgestellt sein oder werden (Isolierstrecke). Dadurch lässt sich ein Kurzschluss elektrisch leitfähiger Schichten jeweils auf Substratober- und Unterseite vermeiden. Beispielsweise kann ein definierter umlaufender Bereich (Randbereich) des Substrats vor Beschichtung geschützt (abgeschattet) sein oder werden (auch als Randausschluss oder unbeschichtete Ringfläche bezeichnet). Das Abschatten lässt sich vereinfachen, wenn die Auflagefläche (Substrat-Auflagefläche) eben ist (mit anderen Worten planar).
  • Das Substrat kann ein elektrisch isolierendes Material und/oder elektrisch halbleitendes Material aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat ein transparentes Material aufweisen oder daraus gebildet sein (z.B. für Beschichtungen von optischen Bauelementen). Beispielsweise kann das Substrat ein optisches Bauelement aufweisen oder daraus gebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Substrat ein halbleitendes Material aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. Silizium und/oder Siliziumkarbid. Beispielsweise kann das Substrat ein Halbleiterbauelement und/oder ein Photovoltaikelement aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können eine Barriere und/oder eine Verkapselung auf dem Substrat gebildet sein oder werden.
  • Jedes Substrat wird in einem einzelnen, z.B. biegesteifen, Pockets (auch als Halterahmen oder Untermaske bezeichnet) eingelegt. Der Halterahmen kann eine ebene Auflagefläche aufweisen und/oder mittels einer vorgegebenen Kontur der Auflagefläche eine definierte Maskierung (z.B. einen Randausschluss der Beschichtung auf der Unterseite des Substrats) bereitstellen. Diese Pockets können in einem Tragrahmen (Carrier) schwimmend fixiert und/oder gelagert sein oder werden.
  • Aufgrund der mechanischen Entkopplung der einzelnen Pockets vom Tragrahmen, können diese unabhängig von der Verformung des Tragrahmens (Carrier) gelagert sein oder werden. Der Tragrahmen kann z.B. in horizontaler Lage (d.h. horizontal erstreckt) aufgrund von Durchbiegung verformt sein oder werden. Die Ebenheit der Auflagefläche innerhalb der Pockets bleibt dabei konstant. Mit anderen Worten wird ein Übertragen von mechanischer Belastung von dem Tragrahmen auf den Halterahmen und/oder das darin gelagerte Substrat verringert und/oder verhindert.
  • Die Substrate sind somit vor Biegebeanspruchungen und Schwingungen sowie gegen Untersputterung im Randbereich geschützt. Bei Weiterentwicklungen z.B. Änderung der Substratabmaße, Optimierung der Pocketkonturen, usw. können die Pockets ersetzt werden, ohne den Tragrahmen tauschen oder verändern zu müssen. Mit anderen Worten werden die Halterahmen unabhängig, d.h. variabel, von dem Substratträger bereitgestellt. Bei Verschleiß bzw. Beschädigung einzelner Pockets, müssen nur diese ersetzt werden und nicht der komplette Tragrahmen (Carrier). Die Pockets, welche Verschleißteile sind, können im Spritzgussverfahren aus vakuumtauglichen Kunststoffen oder Verbundwerkstoffen, z.B. mit schichthaftender Oberfläche, kostengünstig hergestellt werden. Optional kann der Halterahmen einen umlaufenden Freistich aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann eine zusätzliche Obermaske verwendet sein oder werden.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
  • Es zeigen
    • 1 bis 3 eine Substrathaltevorrichtung jeweils in einer schematischen Querschnittsansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 4A und 4B eine Substrathaltevorrichtung jeweils in einer schematischen Draufsicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 5A bis 5C eine Substrathaltevorrichtung in jeweils einer schematischen Querschnittsansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 6A jeweils zwei Halterahmen einer Substrathaltevorrichtung in einer schematischen perspektivischen Detailansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 6B eine Substrattransportvorrichtung in einer schematischen Querschnittsansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 7 ein Verfahren zum Prozessieren eines Substrats in einem schematischen Ablaufdiagramm, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 8A und 8B jeweils eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht;
    • 9A eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht;
    • 9B bis 9F jeweils einen ersten Halterahmen, einen zweiten Halterahmen und/oder die Trägerplatte gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht;
    • 10A eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht;
    • 10B eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht;
    • 11A, 11B und 11C jeweils eine Prozessieranordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht;
    • 12A ein Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Ablaufdiagram;
    • 12B eine Substrathaltevorrichtung in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht;
    • 13A und 13B jeweils eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht;
    • 14A eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder Draufsicht;
    • 14B und 14C jeweils eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht;
    • 15A eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht;
    • 15B und 15C jeweils eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Perspektivansicht;
    • 16A und 16B jeweils eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Perspektivansicht;
    • 17A jeweils eine Substrattransportvorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht;
    • 17B eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht;
    • 18A eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder Draufsicht;
    • 18B ein Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Ablaufdiagramm;
    • 19A und 19B eine Substrathaltevorrichtung jeweils in einer schematischen Draufsicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 20A und 20B jeweils ein Diagramm gemäß verschiedenen Ausführungsformen;
    • 21A und 21B jeweils ein Diagramm gemäß verschiedenen Ausführungsformen; und
    • 22A und 22B jeweils ein Diagramm gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“, „vorderes“, „hinteres“, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben.
  • Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe „verbunden“, „angeschlossen“ sowie „gekoppelt“ verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die hierin beschriebene Substrathaltevorrichtung zum Transportieren von Substraten, z.B. Wafern, in einer Prozesskammer, z.B. in einer horizontalen Beschichtungsanlage, verwendet werden, z.B. zum Beschichten der Substrate mittels einer physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) und/oder chemischen Gasphasenabscheidung(CVD). Dabei kann die Substrathaltevorrichtung derart bereitgestellt und die Beschichtungsanlage derart eingerichtet sein, dass die Substrate von unten und/oder von oben beschichtet werden können, z.B. gleichzeitig von unten und von oben, oder z.B. nacheinander von unten und von oben ohne Ausschleusen der Substrate aus der Beschichtungsanlage.
  • Anschaulich ist die hierin beschrieben Substrattransportvorrichtung mit der Substrathaltevorrichtung zum Transport von Wafern oder anderen dünnen Substraten (z.B. mit einer Dicke von weniger als 2 mm oder weniger als 1 mm oder weniger als 0,5 mm) in einer Vakuumbeschichtungsanlage geeignet. Dabei können sowohl die Oberseiten als auch Unterseiten der Substrate beschichtet werden, ohne dass die Substrate aus der Substrathaltevorrichtung entfernt werden müssen. Dies gestattet beispielsweise eine Maskierung der Oberseite und der Unterseite der Substrate. Eine jeweilige Rückseitenbeschichtung wird vermieden. Mit anderen Worten kann die Substrattransportvorrichtung derart eingerichtet sein, dass diese zwei Prozessbereiche (z.B. jeweils einen Beschichtungsbereich oberhalb und unterhalb der Substrattransportvorrichtung) voneinander separiert. Somit können die Substrate von oben mit einem anderen Material als von unten beschichtet werden, ohne dass sich die auf den Substraten abgeschiedenen Materialen vermischen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung zum Beschichten von Substraten verwendet werden, z.B. mit optischen Schichten, und Halbleiterschichten und/oder Verkapslungsschichten.
  • Die Substrathaltevorrichtung kann es beispielsweise ermöglichen, dass eine gleichmäßige beidseitige Beschichtung der Substrate im Vakuum mit einer Schichtdickendifferenz von unter 2% erfolgen kann. Das jeweilige Substrat kann vollflächig von oben, einseitig oder beidseitig maskiert beschichtet werden. Mit anderen Worten kann einer der Halterahmen auch als Platte eingerichtet sein, so dass die gesamte Fläche des Substrats abgedeckt wird. Die Konstruktion der Substrathaltevorrichtung kann derart ausgeführt sein, dass ein automatisches Beladen und Entladen von Wafern und Masken (Halterahmen) möglich ist.
  • Bei einem beidseitig maskierten Prozess mit dem Ziel einer gleichmäßigen Beschichtung der Oberseite und der Unterseite der Substrate kann es beispielsweise notwendig oder hilfreich sein, beidseitig dieselben geometrischen Bedingungen (z.B. Targetabstand, Gastrennung, Wirkfläche, Eingriffswinkel, Abschattung etc.) zu realisieren.
  • Des Weiteren kann es beispielsweise notwendig oder hilfreich sein, dafür zu sorgen, dass die Substrate während des gesamten Prozesses in einer sicheren, stabilen Lage transportiert werden. Hierzu können die Substrate beispielsweise jeweils einzeln in die biegesteife Untermaske eingelegt werden, wobei die biegesteife Untermaske eine ebene Auflagefläche bereitstellt. Ferner kann mittels einer vorgegebenen Taschenkontur in der Untermaske eine definierte Maskierung (Randausschluss der Beschichtung) realisiert sein oder werden. Die Untermasken können beispielsweise in einem Tragrahmen (als Trägerplatte bezeichnet) schwimmend fixiert sein oder werden. Unabhängig von der Verformung des Tragrahmens, z.B. der Durchbiegung in horizontaler Lage, bleibt die Ebenheit der Auflagefläche innerhalb der Untermaske konstant. Beispielsweise wird damit eine schädliche Biegebeanspruchung der Substrate entkoppelt. Mit anderen Worten werden im Wesentlichen keine mechanischen Spannungen von dem Tragrahmen auf das jeweilige Substrat übertragen.
  • Die exakte Lage der Masken zueinander, d.h. beispielsweise die Deckungsgleichheit der Maskenöffnungen, wird beispielsweise mittels einer geeigneten Zentrierung der Masken zueinander gewährleistet. Die Zentrierung kann derart gestaltet sein oder werden, dass ein sicheres automatisiertes Handling garantiert ist und dass es zu keinem Verkanten und/oder Verklemmen der Masken zueinander kommt.
  • An jeder der (z.B. vier) Ecken eines Halterahmens kann eine Passbohrung bereitgestellt sein oder werden und am Gegenstück (z.B. dem anderen der zwei Halterahmen) kann ein Passbolzen bereitgestellt sein oder werden. Konstruktiv möglich sind auch adäquate Kreissegmente (z.B. Fräskonturen), welche die gleiche Funktionalität besitzen. Diese Zentrier-konturen können lagegenau mittig zum Maskenfenster mit höchster Präzision gefertigt sein oder werden (z.B. mit der jeweiligen Maschinengenauigkeit von NC-(Numerische Steuerung)-Maschinen).
  • Des Weiteren können die Zentrierkonturen Fasen und/oder Einführschrägen aufweisen, so dass auch bei unpräziser Vorzentrierung der Masken zueinander, diese sich während der Paarung stufenweise in übereinstimmende Lage begeben (stufenweise Zentrierung). Der Vorteil geht direkt in die geringere erforderliche Positioniergenauigkeit der automatischen Beschickung ein.
  • Die Zentrierelemente (auch als Zentrierstrukturen bezeichnet) können derart angeordnet sein oder werden, dass sie sich auf der Seite der jeweiligen Maske befinden, welche von der Beschichtungsquelle nicht erreicht wird (anschaulich können die Zentrierelemente abgeschattet sein). Dies verhindert beispielsweise, dass Auflageflächen und/oder Zentrierflächen ungewollt beschichtet werden, und beispielsweise damit einhergehend ein Verlust in der Genauigkeit der Zentrierung.
  • Aufgrund der Trennung der Carrier-Struktur in Tragrahmen, Untermasken und Obermasken ist eine hohe Flexibilität gewährleistet. Der Tragrahmen kann als einfaches, preisgünstiges Teil (z.B. Laserteil ohne Nachbearbeitung) gefertigt werden. Die hohen Präzisionsanforderungen sind auf die Masken (bzw. Halterahmen) reduziert. Diese lassen sich, auf Grund der geringeren Abmessungen als Massenteil günstiger fertigen. Je nach Prozess können die entsprechenden Masken gewechselt werden. Bei Beschädigungen ist ein Austausch einzelner Masken jederzeit möglich. Auch die Reinigungsmöglichkeiten (das so genannte Entschichten) gestalten sich einfacher und kostengünstiger, z.B. nasschemisch oder mittels Trockeneis-Strahlens.
  • 1 veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 100 in einer schematischen Querschnittsansicht oder Seitenansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Die Substrathaltevorrichtung 100 kann beispielsweise eine Trägerplatte 102 aufweisen. Die Trägerplatte 102 kann mindestens eine Aussparung 112 derart aufweist, dass in der Aussparung 112 ein Unterrahmen 132a (ein erster Halterahmen 132a) und ein Oberrahmen 132a (ein zweiter Halterahmen 132b) aufgenommen werden kann oder zumindest teilweise aufgenommen werden kann zum Halten eines Substrats 120 mittels der zwei Halterahmen 132a, 132b in der Aussparung 112.
  • Die Trägerplatte 102 kann beispielsweise eine Oberseite 102a (bzw. eine oberer Oberfläche) und eine Unterseite 102b (bzw. eine untere Oberfläche) aufweisen. Die beiden Oberflächen 102a, 102b können (z.B. zumindest abschnittsweise) planparallel zueinander sein. Die Trägerplatte 102 kann eine Dicke entlang der Richtung 105 (senkrecht zu den beiden Oberflächen 102a, 102b) in einem Bereich von ungefähr 3 mm bis ungefähr 80 mm aufweisen, z.B. eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 1 cm bis ungefähr 6 cm. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 aus Titan bestehen oder Titan aufweisen. Alternativ kann die Trägerplatte 102 aus jedem anderen geeigneten Werkstoff gefertigt sein, z.B. aus einem Verbundwerkstoff oder aus Metall, z.B. Edelstahl. Ferner kann die Trägerplatte 102 eine Breite entlang der Richtung 103 (parallel zu den beiden Oberflächen 102a, 102b) in einem Bereich von ungefähr 50 cm bis ungefähr 5 m aufweisen, z.B. eine Breite in einem Bereich von ungefähr 1 m bis ungefähr 3 m. Ferner kann die Trägerplatte 102 eine Länge, parallel zu den beiden Oberflächen 102a, 102b und quer zur Breitenrichtung 103, in einem Bereich von ungefähr 40 cm bis ungefähr 5 m aufweisen, z.B. eine Breite in einem Bereich von ungefähr 0,5 m bis ungefähr 2 m.
    Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 von den Abmessungen her sowohl an die Menge und Größe der aufzunehmenden Substrate 120 als auch an die Größe (z.B. Beschichtungsbreite und/oder Schleusenlänge) der zum Behandeln der Substrate verwendeten Prozessanlage angepasst sein oder werden.
  • Ferner kann sich die mindestens eine Aussparung 112 in der Trägerplatte 102 von der Oberseite 102a der Trägerplatte 102 zu der Unterseite 102b der Trägerplatte 102 durch die Trägerplatte 102 hindurch erstrecken. Die Aussparung 112 kann, aus der Richtung 105 betrachtet, kreisförmig, quadratisch oder beliebig n-eckig sein. Die Form der Aussparung 112 kann an die Außenkontur des aufzunehmenden Substrats angepasst sein oder werden, z.B. kann die Aussparung 112 im Wesentlichen kreisförmig sein zum Aufnehmen kreisförmiger Wafer oder quadratisch (z.B. mit abgerundeten oder abgeschnittenen Ecken) sein zum Aufnehmen quadratischer Wafer (z.B. mit abgerundeten oder abgeschnittenen Ecken).
  • Ferner kann die Substrathaltevorrichtung 100 einen in die Aussparung 112 eingelegten ersten Halterahmen 132a aufweisen, welcher abschnittsweise auf der Trägerplatte (102) (z.B. auf der Oberseite 102a der Trägerplatte 102) aufliegt. Ferner kann die Substrathaltevorrichtung 100 einen zweiten Halterahmen 132b aufweisen, welcher abschnittsweise auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegt. Die zwei Halterahmen 132a, 132b können derart eingerichtet sein, dass zwischen den zwei Halterahmen 132a, 132b ein Aufnahmeraum 130 (z.B. ein Spalt 130) zum Aufnehmen eines Randabschnitts des Substrats 120 bereitgestellt ist.
  • Beispielsweise kann das Substrat 120 auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegen und/oder der zweite Halterahmen 132b kann über dem Substrat 120 angeordnet sein, wobei beispielsweise der zweite Halterahmen 132b keinen körperlichen Kontakt zu dem Substrat 120 aufweist.
  • In analoger Weise, kann die Trägerplatte 102 eine Vielzahl von Aussparungen 112 aufweisen zum gleichzeitigen Aufnehmen und Halten einer Vielzahl von Substraten.
  • Anschaulich zeigt beispielsweise 1 einen Basis-Carrier 102 (auch bezeichnet als Trägerplatte 102), welcher einen oder vorzugsweise mehrere Wafer für einen PVD-Prozess positionieren kann. Der Basis-Carrier 102 weist je nach Anzahl und Form der aufzunehmenden Wafer entsprechende Ausschnitte 112 auf.
  • Wie beispielsweise in 1 veranschaulicht ist, können die Halterahmen 132a, 132b über die Oberseite 102a (und/oder die Unterseite 102b) der Trägerplatte 102 vorstehen. Alternativ können die Halterahmen 132a, 132b auch bündig mit der Trägerplatte 102 bereitgestellt sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die beiden Halterahmen 132a, 132b einen Beschichtungsbereich definieren, in welchem ein zwischen den beiden Halterahmen 132a, 132b positioniertes Substrat 120 beschichtet werden kann. Anschaulich können die beiden Halterahmen 132a, 132b derart bereitgestellt sein oder werden, dass diese mindestens einen Randabschnitt eines zwischen den beiden Halterahmen 132a, 132b positionierten Substrats 120 abdecken oder abschirmen (maskieren).
  • Wie in 1 dargestellt ist, kann das Substrat 120, z.B. ein Wafer, z.B. ein Halbleiterwafer, z.B. ein Siliziumwafer, in der Substrathaltevorrichtung 100 aufgenommen sein. Das Substrat 120 kann beispielsweise auf dem ersten (bzw. unteren) Halterahmen 132a aufliegen, z.B. kann das Substrat 120 vollumfänglich mit dem Randbereich des Substrats 120 auf dem unteren Halterahmen 132a aufliegen. Alternativ kann das Substrat 120 auch nur abschnittsweise in dem Randbereich des Substrats 120 (z.B. bei einem eckigen Substrat jeweils mit den Ecken) auf dem unteren Halterahmen 132a aufliegen. Der untere Halterahmen 132a kann eine ebene (bzw. plane) Auflagefläche zum Auflegen des Substrats 120 aufweisen. Mit anderen Worten kann der untere Halterahmen 132a eine Auflageebene bereitstellen zum Auflegen des Substrats 120.
  • Falls beispielsweise nur ein einseitiges Behandeln des Substrats 120 erforderlich ist, kann der Halterahmen als eine geschlossene Halteplatte ausgebildet sein oder werden, so dass eine Seite des Substrats vollständig abdeckt (bzw. maskiert) ist.
  • Zwischen dem zweiten (bzw. oberen) Halterahmen 132b und dem Substrat 120 kann ein schmaler Spalt verbleiben, z.B. mit einer Spalthöhe (entlang der Richtung 105) in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 0,5 mm, oder mit einer Spalthöhe von weniger als 500 µm, 400 µm, 300 µm, 200 µm oder 100 µm. Somit ist in diesem Fall beispielsweise auch eine geringe Fertigungstoleranz für die Halterahmen 132a, 132b der Substrathaltevorrichtung 100 erforderlich. Die Substrathaltevorrichtung 100 kann derart eingerichtet sein oder werden, dass plattenförmige Substrate 120 beliebiger Dicke, z.B. mit einer Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 1 cm, in der Aussparung 112 aufgenommen werden können.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Spalt 130 (auch als Aufnahmeraum bezeichnet zum Aufnehmen des Substrats 120) zwischen den beiden Halterahmen 132a, 132b eine Spalthöhe aufweisen, welche an die Dicke des aufzunehmenden Substrats 120 angepasst sein kann, z.B. mit einer Spalthöhe (entlang der Richtung 105) in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 1 mm, oder mit einer Spalthöhe von weniger als 1 mm, 500 µm, 300 µm oder 200 µm. Ferner kann der zwischen den beiden Halterahmen 132a, 132b bereitgestellte Spalt 130 an die Breite (z.B. den Durchmesser oder die seitliche Ausdehnung) des Substrats 120 (in Richtung 103) angepasst sein oder werden. Anschaulich können die beiden Halterahmen 132a, 132b und die Aussparung 112 derart eingerichtet sein, dass das Substrat 120 seitlich frei liegt, d.h. mit anderen Worten dass das Substrat 120 seitlich nicht an den ersten Halterahmen 132a und den zweiten Halterahmen 132b anstößt.
  • Diesbezüglich kann die Substrathaltevorrichtung 100 derart bereitgestellt sein, dass verschiedene Halterahmen 132a, 132b für Substrate 120 mit verschiedenen Substratdicken verwendet werden können. Anschaulich soll der obere Halterahmen 132b keinen körperlichen Kontakt zu dem Substrat 120 haben. Ferner kann die Substrathaltevorrichtung 100 derart bereitgestellt sein, dass verschiedene Halterahmen 132a, 132b für Substrate 120 mit verschiedenen Substratdurchmessern oder Substratbreiten verwendet werden können. Anschaulich kann der Substratdurchmesser oder die Substratbreite selbstredend von der Breite der Aussparung 112 limitiert sein.
  • Im Folgenden werden verschiedene Modifikationen und Konfigurationen der Substrathaltevorrichtung 100 und Details zu der Aussparung 112 und den Halterahmen 132a, 132b beschrieben, wobei sich die bezüglich der 1 beschriebenen grundlegenden Merkmale und Funktionsweisen analog einbeziehen lassen. Ferner können die nachfolgend beschriebenen Merkmale und Funktionsweisen analog auf die in 1 beschriebene Substrathaltevorrichtung 100 übertragen werden oder mit der in 1 beschriebenen Substrathaltevorrichtung 100 kombiniert werden.
  • 2 veranschaulicht die Substrathaltevorrichtung 100 in einer schematischen Querschnittsansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wobei der obere Halterahmen 132b und/oder der untere Halterahmen 132a angefast sind, oder mit anderen Worten eine Fase 234a, 234b aufweisen können. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Innenumfangswandung des unteren und/oder des oberen Halterahmens 132a, 132b eine Fase 234a, 234b aufweisen. Somit kann beispielsweise das Substrat 120 homogener beschichtet werden, da beispielsweise keine oder eine geringere Abschattung des Substrats 120 aufgrund der Halterahmen 132a, 132b stattfindet.
  • Ferner kann der obere Halterahmen 132b derart eingerichtet sein, dass dieser den unteren Halterahmen 132a vollständig abdeckt. Somit kann beispielsweise der untere Halterahmen 132a nicht von oben beschichtet werden.
    Ferner kann zwischen dem unteren Halterahmen 132a und der Trägerplatte 102 ein Abstand 201 oder Spalt 201 bereitgestellt sein oder werden, so dass der untere Halterahmen 132a anschaulich mit seitlichem Spiel in der Aussparung hängt. Somit kann der untere Halterahmen 132a von der Trägerplatte 102 entkoppelt sein, so dass beispielsweise keine Biegespannungen von der Trägerplatte 102 auf den unteren Halterahmen 132a und somit auf das Substrat 120 übertragen werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 eine Zentrierstruktur zum zentrierten Halten des unteren Halterahmens 132a aufweisen.
  • 3 veranschaulicht die Substrathaltevorrichtung 100 in einer schematischen Querschnittsansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wobei die beiden Halterahmen 132a, 132b eine gemeinsame Zentrierstruktur 336 aufweisen, so dass die beiden Halterahmen 132a, 132b beim Einlegen des unteren Halterahmens 132a in die Aussparung 112 und beim Auflegen des oberen Halterahmens 132b auf den unteren Halterahmen 132a relativ zueinander in einer vordefinierten Lage zur Ruhe kommen.
  • Anschaulich können die beiden Halterahmen 132a, 132b Abschnitte und/oder Aussparungen aufweisen, welche formschlüssig ineinander greifen. Somit können die beiden Halterahmen 132a, 132b auch nicht gegeneinander seitlich entlang der Richtung 103 verschoben werden. Dabei wird der obere Halterahmen 132a beispielsweise ausschließlich von der Schwerkraft fixiert. Mit anderen Worten kann keine Klemmung der beiden Halterahmen 132a, 132b gegeneinander erforderlich sein. Dies ermöglicht beispielsweise ein einfacheres Beladen und Entladen der Halterahmen 132a, 132b und des Substrats 120 in die bzw. aus der Trägerplatte 102.
  • Wie in 3 veranschaulicht ist, können die zwei Halterahmen 132a, 132b mehrere paarweise zueinander passende Zentrierstrukturen 336 aufweisen, so dass die beiden Halterahmen 132a, 132b beim Auflegen des oberen Halterahmens 132b auf den unteren Halterahmen 132a zueinander zentriert werden bzw. zueinander in eine vordefiniert Lage gebracht werden.
  • 4A veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 100 in einer schematischen Draufsicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Die Aussparung 112 in der Trägerplatte 102 kann beispielsweise im Wesentlichen quaderförmig sein und somit (z.B. von oben gesehen) vier Eckbereiche 412e aufweisen. Alternativ kann die Aussparung 112 in der Trägerplatte 102 jede andere geeignete Form aufweisen, z.B. angepasst an die Form des Substrats 120 und/oder an die Form der beiden Halterahmen 132a, 132b.
  • Beispielsweise kann die Aussparung 112 eine im Wesentlichen quaderförmige Innenkontur 412i mit vier Innen-Eckabschnitten 412e aufweisen. Die zwei Halterahmen 132a, 132b können beispielsweise passend zur Aussparung 112 eine im Wesentlichen quaderförmige Außenkontur mit vier Außen-Eckabschnitten aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die zwei Halterahmen 132a, 132b jeweils paarweise zueinander passende Zentrierstrukturen in den jeweiligen vier Außen-Eckabschnitten der Halterahmen 132a, 132b aufweisen (vgl. beispielsweise 6A). Ferner kann der erste Halterahmen 132a nur an den Eckbereichen 412e der Aussparung 112 auf der Trägerplatte 102 aufliegen.
  • Wie in 4B in einer schematischen Draufsicht auf die Trägerplatte 102 der Substrathaltevorrichtung 100 veranschaulicht ist, können mehrere Aussparung 112 nebeneinander in der Trägerplatte 102 bereitgestellt sein oder werden zum Halten mehrerer Substrate 120. Dabei kann die Richtung 101 eine Transportrichtung 101 sein, entlang derer die Substrathaltevorrichtung 100 in einer Prozessieranordnung zum Prozessieren der mehreren Substrate transportiert werden kann, wobei die mehreren Aussparungen zumindest entlang der Breitenrichtung 103 quer zur Transportrichtung 101 nebeneinander angeordnet sein können.
    Dementsprechend kann die Trägerplatte 102 mindestens zwei Haltebereiche 402h (bzw. Halteabschnitte 402h) aufweisen, in welchen die Trägerplatte 102 gelagert oder gestützt werden kann zum Transportieren der Trägerplatte 102 mitsamt den in der Trägerplatte 102 gehaltenen Substraten 120 (vgl. 6B).
  • Analog zu der in 4B dargestellten Trägerplatte 102 kann eine Substrathaltevorrichtung 100 somit Folgendes aufweisen: eine Trägerplatte 102 mit mehreren nebeneinander angeordneten Aussparungen 112, wobei jede der Aussparungen 112 zum Aufnehmen eines ersten Halterahmens 132a und eines zweiten Halterahmens 132b eingerichtet ist, wie hierin beschrieben, wobei die Trägerplatte 102 zwei Haltebereiche 402h aufweist, an welchen die Trägerplatte 102 zum Transportieren der Trägerplatte 102 gelagert werden kann, wobei die mehreren nebeneinander angeordneten Aussparungen 112 zwischen den zwei Haltebereichen 402h angeordnet sind.
  • 5A veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 100 in einer schematischen Querschnittsansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen, z.B. in einer Schnittansicht quer zur Richtung 103 (vgl. beispielsweise 4A und 4B), wobei in 5B eine Schnittansicht der entsprechenden Substrathaltevorrichtung 100 in Richtung 107 veranschaulicht ist. Anschaulich sind in 5B die Zentrierelemente 336 in den Außen-Eckabschnitten 532e der beiden Halterahmen 132a, 132b veranschaulicht, analog zum vorangehend Beschriebenen.
  • Der untere Halterahmen 132a kann beispielsweise in jedem Außen-Eckabschnitt 532e eine Zentrieraussparung aufweisen, z.B. ein Durchgangsloch. Ferner kann der obere Halterahmen 132b beispielsweise in jedem Außen-Eckabschnitt 532e einen zur Zentrieraussparung in dem unteren Halterahmen 132a passenden Zentriervorsprung aufweisen.
  • Dabei kann der Zentriervorsprung beispielsweise einen konisch geformten Abschnitt aufweisen, so dass der Zentriervorsprung einfacher in die beispielsweise zylinderförmige Zentrieraussparung eingeführt werden kann.
    5C veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 100 in einer schematischen Querschnittsansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen, z.B. in einer Schnittansicht quer zur Richtung 103 (vgl. beispielsweise 4A, 4B und 5A).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der obere Halterahmen 132b angefast (oder anschaulich zur Aussparung 112 hin abgeschrägt) sein. Mit anderen Worten kann der obere Halterahmen 132b eine Fase 234b aufweisen. Ferner kann der untere Halterahmen 132a angefast (oder anschaulich zur Aussparung 112 hin abgeschrägt) sein. Mit anderen Worten kann der untere Halterahmen 132a eine Fase 234a aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die jeweilige Innenumfangswandung des unteren und/oder des oberen Halterahmens 132a, 132b eine Fase 234a, 234b aufweisen. Somit kann beispielsweise das Substrat 120 homogener beschichtet werden, da beispielsweise keine oder eine geringere Abschattung des Substrats 120 aufgrund der Halterahmen 132a, 132b stattfindet.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der untere Halterahmen 132a nur mit dessen Außen-Eckabschnitten 532e auf der Trägerplatte 102 aufliegen, vgl. 5B und 6.
  • 6A veranschaulicht jeweils zwei Halterahmen 132a, 132b der Substrathaltevorrichtung 100 in einer schematischen perspektivischen Detailansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wobei die zwei Halterahmen 132a, 132b mehrere paarweise zueinander passende Zentrierelemente in deren Außen-Eckabschnitten 532e aufweisen, so dass die beiden Halterahmen 132a, 132b beim Auflegen des zweiten Halterahmens 132b auf den ersten Halterahmen 132a zueinander zentriert werden. Beim Zentrieren der beiden Halterahmen 132a, 132b relativ zueinander können die beiden Rahmenöffnungen 132 zur Deckung gebracht sein oder werden.
  • Die paarweise zueinander passenden Zentrierstrukturen können beispielsweise in Form einer zylinderförmigen Zentrieraussparung 632a in dem unteren Halterahmen 132a und einem zur Zentrieraussparung 632a passenden Zentriervorsprung 632v in dem oberen Halterahmen 132b bereitgestellt sein oder werden. Alternativ können die paarweise zueinander passenden Zentrierstrukturen beliebige andere geeignete Zentrierelemente aufweisen. Beispielsweise können paarweise zueinander passende Zentrierkonturen 632k in dem unteren Halterahmen 132a und in dem oberen Halterahmen 132b bereitgestellt sein oder werden.
  • Anschaulich bilden die paarweise zueinander passenden Zentrierstrukturen einen Formschluss in mindestens zwei Richtungen, z.B. entlang Richtung 105 zum Auflegen des oberen Halterahmens 132b auf den unteren Halterahmen 132a und entlang Richtung 103 und/oder 107 zur seitlichen Zentrierung der Lage der beiden Halterahmen 132a, 132b relativ zueinander.
  • 6B veranschaulicht eine Substrattransportvorrichtung 600 zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung 100 in einer schematischen Querschnittsansicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrattransportvorrichtung 600 ein Transportsystem zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung 100 aufweisen, wobei das Transportsystem zwei Halteelemente 712 derart aufweist, dass die Trägerplatte 102 der Substrathaltevorrichtung 100 nur in den zwei Haltebereichen 402h gehalten bzw. gestützt wird. Der Transport der auf die Halteelemente 712 gestützten Trägerplatte 102 kann beispielsweise mittels Transportrollen, Ketten, Stangen oder eines anderen geeigneten Transportsystems erfolgen.
  • Aufgrund der Lagerung der Trägerplatte 102 kann sich diese beispielsweise durchbiegen, z.B. mit einer maximalen Durchbiegung 705 in der Mitte der Trägerplatte 102. Aufgrund dessen, dass die Halterahmenanordnungen 702 zum Halten der jeweiligen Substrate von der Trägerplatte 102 entkoppelt sind, wie vorangehend beschrieben, kann sich die Durchbiegung 705 der Trägerplatte 102 nicht negativ auf die Substrate auswirken. Die jeweilige Halterahmenanordnung 702 kann die beiden hierin beschriebenen Halterahmen 132a, 132b aufweisen zum Aufnehmen jeweils eines Substrats 120 zwischen den beiden Halterahmen 132a, 132b.
  • Die hierin beschriebene Substrattransportvorrichtung 600 kann zum Transportieren und/oder Positionieren der mehreren Substrate 120 in einer Prozessierkammer (z.B. in einer Vakuumkammer oder einer Atmosphärendruckkammer oder einer Überdruckkammer) verwendet werden. Dabei kann die Prozessierkammer eine oder mehrere Prozessiervorrichtungen (z.B. Beschichtungsvorrichtungen) aufweisen zum einseitigen oder beidseitigen Prozessieren (z.B. Beschichten) der mehreren Substrate 120 in einem Prozessierbereich (z.B. Beschichtungsbereich) der Prozessierkammer.
  • Beispielsweise können Magnetrons als Beschichtungsvorrichtungen verwendet werden. Ferner können Elektronenstrahlverdampfer als Beschichtungsvorrichtungen verwendet werden. Zum Transportierten der Trägerplatte 102 durch die Prozessierkammer hindurch können beispielsweise einseitig gelagerte Transportrollen auf beiden Seiten der Trägerplatte 102 verwendet werden. Ferner kann die Trägerplatte 102 auch in einen weiteren Träger eingelegt sein oder werden oder mittels eines weiteren Trägers transportiert werden.
  • 7 veranschaulicht ein Verfahren 700 zum Prozessieren eines Substrats 120 in einem schematischen Ablaufdiagramm, gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wobei das Verfahren 700 aufweisen kann: in 810, Einlegen eines ersten Halterahmens 132a in eine Aussparung 112 in einer Trägerplatte 102, wobei der erste Halterahmen 132a eine ebene Auflagefläche zum Auflegen des Substrats 120 aufweist; in 820, Einlegen des Substrats auf die ebene Auflagefläche des ersten Halterahmens; und, in 830, Auflegen eines zweiten Halterahmens auf den ersten Halterahmen, wobei die zwei Halterahmen 132a, 132b (der erste und der zweite Halterahmen) derart eingerichtet sind, dass das Substrat 120 zwischen den zwei Halterahmen 132a, 132b angeordnet ist, wobei zwischen dem zweiten Halterahmen 132b und dem Substrat 120 ein Spalt verbleibt, so dass das Substrat 120 nur auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegt.
  • Dabei kann das Einlegen bzw. Auflegen des ersten Halterahmens 132a und/oder des zweiten Halterahmens 132b mittels eines Magnetgreifers oder eines Sauggreifers erfolgen. Dazu können/kann der erste Halterahmen 132a und/oder der zweite Halterahmen 132b entsprechende Bereiche aufweisen, an welchen der Magnetgreifer oder der Sauggreifer den jeweiligen Halterahmen 132a, 132b festhalten kann.
  • Anschaulich kann als erstes die Untermaske 132a in den Basis-Carrier 102 eingelegt werden. Nachdem die Untermaske 132a in den Basis-Carrier 102 eingelegt ist, kann die Auflage des Wafers 120 erfolgen (z.B. mit einem kleinen Spalt ringsum zum Basis-Carrier 102 bzw. zum seitlichen Rand der Untermaske 132a. Im Anschluss erfolgt die Auflage der Obermaske 132b. Dabei berührt die Obermaske 132b beispielsweise niemals die Oberfläche des Wafers 120. Ist dann dieser Vorgang für alle mittels der Substrathaltevorrichtung 100 zu tragenden Wafer 120 abgeschlossen, kann beispielsweise ein PVD-Prozess beginnen. Mittels der seitlich und oberhalb des Substrats 120 verbleibenden Spalte kann beispielsweise ein effizientes Evakuieren beim Einschleusen der Substrathaltevorrichtung 100 in eine Vakuumkammer unterstützt werden, da keine Gasvolumina eingeschlossen werden.
  • Der Entladevorgang kann beispielsweise wie der Beladevorgang erfolgen, jedoch in der umgekehrten Reihenfolge, wobei möglicherweise die Untermaske 132a permanent im Basis-Carrier 102 verbleiben kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können sich alle Bauteile zum vollautomatischen Beladen und/oder Entladen der Wafer 120 und deren Masken 132a und 132b eignen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Beladen der Substrathaltevorrichtung 100 mit Substraten 120 nach einer Reinigung aller Teile erfolgen, z.B. nach einer nasschemischen Reinigung oder nach einem Trockeneis-Strahlen.
    Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der obere Halterahmen 132b nur von dem unteren Halterahmen 132a gestützt werden. Ferner kann der untere Halterahmen 132a lose (z.B. seitlich schwimmend) auf der Trägerplatte 102 aufliegen, wobei sich ein Teil des unteren Halterahmens 132a in die Aussparung 112 der Trägerplatte 102 hinein erstrecken kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Substrathaltevorrichtung 100 bereitgestellt, welche eine Verringerung der Gefahr des Waferbruchs in der Produktionsanlage ermöglicht, sowie eine flexible Maskengestaltung und eine einfache Wartung. Ferner weist die Substrathaltevorrichtung 100 geringe Fertigungskosten auf, da die Präzision in Kleinteilen liegt, d.h. anschaulich beispielsweise in den Halterahmen 132a, 132b und nicht in der gesamten Trägerplatte 102. Ferner kann eine genaue Maskenzentrierung ermöglicht sein oder werden, was einen höheren Wirkungsgrad bei den zu beschichtenden Substraten ermöglicht.
  • Ferner kann mittels der hierin beschriebenen Substrathaltevorrichtung 100 der Einfluss der Carrier-Bewegung vom Wafer entkoppelt sein oder werden. Ferner ist die Prozesssicherheit erhöht, da die Maskenzentrierung mittels eines präzisen Formschlusses erfolgt.
  • Beispiele gemäß verschiedenen Ausführungsformen sind im Folgenden beschrieben:
    • Beispiel 1a. Substrathaltevorrichtung 100, aufweisend:
      • eine Trägerplatte 102 mit einer Aussparung 112 zum Halten eines Substrats 120 mittels eines ersten Halterahmens 132a und eines zweiten Halterahmens 132b in der Aussparung 112, wobei sich die Aussparung 112 von einer Oberseite 102a der Trägerplatte 102 zu einer Unterseite 102b der Trägerplatte 102 durch die Trägerplatte 102 hindurch erstreckt;
      • wobei der in die Aussparung 112 eingelegte erste Halterahmen 132a abschnittsweise auf der Trägerplatte 102 aufliegt und wobei der zweite Halterahmen 132b abschnittsweise auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegt, und
      • wobei die zwei Halterahmen 132a, 132b derart eingerichtet sind, dass zwischen den zwei in der Aussparung 112 angeordneten Halterahmen 132a, 132b ein Aufnahmeraum 130 zum Aufnehmen eines Randabschnitts des Substrats 120 bereitgestellt ist.
    • Beispiel 2a. Substrathaltevorrichtung gemäß Beispiel 1a, wobei die zwei Halterahmen 132a, 132b derart eingerichtet sind, dass diese beim Auflegen des zweiten Halterahmens 132b auf den ersten Halterahmen 132a formschlüssig ineinander greifen.
    • Beispiel 3a. Substrathaltevorrichtung gemäß Beispiel 2a, wobei die zwei Halterahmen 132a, 132b mehrere paarweise zueinander passende Zentrierstrukturen 336 aufweisen, so dass die beiden Halterahmen 132a, 132b beim Auflegen des zweiten Halterahmens 132b auf den ersten Halterahmen 132a zueinander zentriert werden.
    • Beispiel 4a. Substrathaltevorrichtung gemäß einem der Beispiele 1a bis 3a, wobei jeweils eine Innenumfangswandung der zwei Halterahmen 132a, 132b eine Fase aufweist.
    • Beispiel 5a. Substrathaltevorrichtung gemäß einem der Beispiele 1a bis 4a, wobei die Aussparung 112 im Wesentlichen quaderförmig ist und vier Eckbereiche aufweist, und wobei der erste Halterahmen 132a nur in den Eckbereichen der Aussparung 112 auf der Trägerplatte 102 aufliegt.
    • Beispiel 6a. Substrathaltevorrichtung gemäß Beispiel 5a, wobei die zwei Halterahmen 132a, 132b passend zur Aussparung 112 eine im Wesentlichen quaderförmige Außenkontur mit vier Außen-Eckabschnitten aufweisen, und wobei die zwei Halterahmen 132a, 132b jeweils paarweise zueinander passende Zentrierstrukturen in den vier Außen-Eckabschnitten aufweisen.
    • Beispiel 7a. Substrathaltevorrichtung 100, aufweisend:
      • eine Trägerplatte 102 mit mehreren nebeneinander angeordneten Aussparungen 112, wobei jede der Aussparungen 112 zum Halten eines Substrats mittels eines ersten Halterahmens 132a und
      • eines zweiten Halterahmens 132b eingerichtet ist und sich von einer Oberseite 102a der Trägerplatte 102 zu einer Unterseite 102b der Trägerplatte 102 durch die Trägerplatte 102 hindurch erstreckt, und wobei in jeder der Aussparung 112 ein erster Halterahmen 132a abschnittsweise auf der Trägerplatte 102 aufliegt und ein zweiter Halterahmen 132b abschnittsweise auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegt, wobei die zwei Halterahmen 132a, 132b derart eingerichtet sind, dass zwischen den zwei in der jeweiligen Aussparung 112 angeordneten Halterahmen 132a, 132b ein Aufnahmeraum 130 zum Aufnehmen eines Randabschnitts des Substrats 120 bereitgestellt ist;
      • wobei die Trägerplatte 102 zwei Haltebereiche 402h aufweist, an welchen die Trägerplatte 102 zum Transportieren der Trägerplatte 102 gelagert werden kann, wobei die mehreren nebeneinander angeordneten Aussparungen 112 zwischen den zwei Haltebereichen 402h angeordnet sind.
    • Beispiel 8a. Substrattransportvorrichtung, aufweisend:
      • eine Substrathaltevorrichtung 100 gemäß Beispiel 7a; und
      • ein Transportsystem zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung 100, wobei das Transportsystem zwei Halteelemente 712 derart aufweist, dass die Trägerplatte 102 der Substrathaltevorrichtung 100 nur in den zwei Haltebereichen 402h gehalten wird.
    • Beispiel 9a. Prozessieranordnung, aufweisend:
      • eine Prozessierkammer zum beidseitigen Prozessieren mehrerer Substrate 120 in einem Prozessierbereich der Prozessierkammer;
      • und eine Substrattransportvorrichtung gemäß Beispiel 8a zum Transportieren und/oder Positionieren der mehreren Substrate 120 in dem Prozessierbereich.
    • Beispiel 10a. Verfahren zum Prozessieren eines Substrats, das Verfahren aufweisend:
      • Einlegen eines ersten Halterahmens 132a zum Halten des Substrats in eine Aussparung 112 in einer Trägerplatte 102, wobei der erste Halterahmen 132a eine ebene Auflagefläche zum Auflegen des Substrats 120 aufweist;
      • Einlegen des Substrats 120 auf die ebene Auflagefläche des ersten Halterahmens 132a; und
      • Auflegen eines zweiten Halterahmens 132b auf den ersten Halterahmen 132a, wobei die zwei Halterahmen 132a, 132b derart eingerichtet sind, dass das Substrat 120 zwischen den zwei Halterahmen 132a, 132b angeordnet ist, wobei zwischen dem zweiten Halterahmen 132b und dem Substrat 120 ein Spalt verbleibt, so dass das Substrat 120 nur auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegt.
  • In einer Vakuumanlage, in der ein Beschichtungsprozess erfolgt, wie z.B. die Kathodenzerstäubung (das so genannte Sputtern oder Magnetronsputtern), können Wafer und kleinflächigere Substrate beidseitig bearbeitet werden, z.B. beschichtet werden. D.h. ein und dasselbe Substrat kann in einem Verfahrensdurchlauf beidseitig bearbeitet werden. Solche Konzepte werden z.B. in der Photovoltaik eingesetzt, z.B. in dem Zellkonzept der Heteroübergang-Technologie (Heterojunction Technology - HJT) Solarzellen. Die Heteroübergang-Technologie stellt einen Nischenmarkt dar und wird gemäß einer Prognose nach 2020 ungefähr 5% und 2030 ungefähr 10% des gesamten c-Si (einkristallines Silizium) Marktes ausmachen.
  • Andere Zellkonzepte können hingegen marktwirtschaftlich größere Bedeutung erlangen, wie beispielsweise eine Finger-Rückseitenkontakt (Interdigitated Back Contact- IBC) Solarzelle, eine Durchkontaktierung (Wrap-Through - WT) Solarzelle, eine (Aluminium)Rückseitenfeld (Back Surface Field - BSF) Solarzelle, eine passivierter Emitter und Rückseite (passivated emitter and rear cell -PERC) Solarzelle, eine passivierter Emitter mit lokal diffundiertem Rückseitenkontakt (passivated emitter rear locally diffused - PERL) Solarzelle, oder eine passivierter Emitter mit vollständig diffundiertem Rückseitenkontakt (passivated emitter rear totally diffused - PERT) Solarzelle. Diese Zellkonzepte erfordern allerdings lediglich das einseitige Bearbeiten von Substraten, z.B. der Wafer.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Prozessieranordnung bereitgestellt zum Bearbeiten von c-Si-Substraten. Die Prozessieranordnung kann z.B. eine Materialdampfquelle aufweisen, z.B. eine physikalische Dampfphasenabscheidung (physical vapor deposition, PVD) Materialdampfquelle. Mittels der Prozessieranordnung kann, beispielsweise für diese Zellkonzepte, ein Bearbeiten der Substratrückseite (bzw. der Zellrückseite) erfolgen, beispielsweise zum Bilden einer Metallisierung auf der Substratrückseite, z.B. einer PVD-Metallisierung.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Prozessieranordnung (z.B. eine Vakuumanlage) bereitgestellt, welche eingerichtet ist einen Substratstapel (z.B. ein Substratpaar) doppelseitig zu behandeln (zu prozessieren), aufweisend z.B. Wafer oder kleinflächigere Substrate, ohne zusätzliche mechanische Handhabung, wie z.B. das Wenden der Substrate, und/oder ohne einen Vakuumbruch zu benötigen. Die dabei eingesetzte Substrathaltevorrichtung (auch als Carrier oder Tray bezeichnet) kann mehrere Aussparungen, mehrere Obermasken und mehrere Untermasken aufweisen, von denen jeweils eine Obermaske und jeweils eine Untermaske ein Halteramen-Paar bilden, welches in einer Aussparung der mehreren Aussparungen des Trägers angeordnet ist oder wird und einen Substratstapel (z.B. ein Substratpaar) hält.
  • Gegenüber herkömmlichen Beschichtungen, z.B. Pasten-Metallisierung, wird gemäß verschiedenen Ausführungsformen eine Beschichtung (und ein Verfahren zum Herstellen der Beschichtung) bereitgestellt, z.B. eine PVD-Metallisierung (d.h. eine unter Verwendung von PVD gebildete Metallisierung), z.B. zum Herstellen von rückseitenmetallisierten Solarzellen, welche zumindest eines der folgenden Eigenschaften aufweist:
    1. 1.) geringere Aggressivität (z.B. chemisch) gegenüber darunterliegenden Oberflächen, Schichten und/oder Schichtsystemen;
    2. 2.) geringerer Kontaktwiderstand zu darunterliegenden Oberflächen, Schichten und/oder Schichtsystemen (auch als R serial, oder Serienwiderstand bezeichnet);
    3. 3.) geringerer Widerstand entlang der Schichtebene (auch als lateraler Widerstand, oder R shunt bezeichnet), z.B. da die Beschichtung reiner und weniger porös ausgebildet wird;
    4. 4.) geringere thermische Belastung, z.B. bezüglich einer auftretenden Maximaltemperatur und deren Verweildauer;
    5. 5.) geringere Energiekosten;
    6. 6.) geringere Beeinträchtigung der Zelleffizienz.
  • Beispielsweise lässt sich gemäß verschiedenen Ausführungsformen eine höhere Zelleffizienz erreichen, z.B. unter Verwendung von PVD. Weitere kostentechnische Vorteile ergeben sich, wenn PVD mit einer Galvanotechnik (plating) kombiniert wird. Dabei wird per PVD eine Keimschicht (auch als Saatschicht bezeichnet - seed layer) abgeschieden, die dann per Galvanik auf eine vordefinierte, z.B. optimale, Schichtdicke verstärkt wird. Die Keimschicht in Verbindung mit Galvanik kann auch in anderen Halbleitertechnologien Verwendung finden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können vakuumbasierte Bearbeitungstechnologien im Bereich der c-Si-Substrate wirtschaftlich eingesetzt werden. Beispielsweise kann ein kostengünstiges PVD-Verfahren bereitgestellt werden, um c-Si-Substrate (z.B. c-Si-Wafer) zu beschichten. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen lässt sich eine Keimschicht, z.B. unter Verwendung einer hierin beschriebenen Substrathaltevorrichtung, für weniger als ungefähr 4 Cent Bearbeitungskosten pro Substrat (z.B. pro Wafer) abscheiden ist.
  • Auf eine potentielle Leitungsausbeute der hergestellten Solarzellen gerichtet (z.B. ungefähr 5,3 Watt pro Substrat), entspricht dies ungefähr 0,76 Cent Bearbeitungskosten pro Watt peak (elektrische Leistung der hergestellten Solarzellen). Als wirtschaftlich können Bearbeitungskosten zum Bilden einer Rückseitenmetallisierung (z.B. aus Aluminium) von weniger als 2,7 Cent pro Watt peak angesehen werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden die Gesamtbetriebskosten reduziert. Anschaulich lässt sich eine möglichst hohe Anzahl von Substraten bei möglichst geringer Anlagenlänge und minimierter Peripherie bearbeiten. Dadurch lässt sich eine möglichst große Anlagenausnutzung erreichen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden eine Substrathaltevorrichtung und ein Verfahren zur maximalen Anlagenausnutzung bereitgestellt, welche derart eingerichtet ist, dass pro Verfahrensdurchlauf die maximale Anzahl von Substraten (beispielsweise Wafer) jeweils einseitig bearbeitet werden kann. Beispielsweise lassen sich unter Verwendung einer PVD-Materialquelle (Sputtersystem) mehrere Bearbeitungsstufen realisieren, z.B. mit horizontal ausgerichteter Substrathaltevorrichtung (Up und Down Konfiguration) oder auch vertikal ausgerichteter Substrathaltevorrichtung (rechts/links Konfiguration).
  • Beispielsweise kann eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen eine Substratbeladung von ungefähr 108 Substraten ermöglichen. Beispielsweise kann eine Prozessieranordnung gemäß verschiedenen Ausführungsformen einen Durchsatz von ungefähr 9000 Substraten pro Stunde ermöglichen, was ungefähr 72·106 Substraten pro Jahr entspricht, bzw. bei 5,3 W peak pro Substrat ungefähr 381,6 MW peak pro Jahr.
  • Die horizontal (oder vertikal) ausgerichtet transportierte Substrathaltevorrichtung kann pro Substrataufnahmeaussparung (kann auch als Substrathalterung bezeichnet werden) zwei Substrate aufnehmen. Das erste Substrat kann einseitig, z.B. von unten, mit einer PVD-Materialquelle bearbeitet werden, während das zweite Substrat einseitig, z.B. von oben, mit einer anderen PVD-Materialquelle bearbeitet werden kann. Dies kann gleichzeitig oder sequentiell erfolgen.
  • Zum vakuumtechnischen Absaugen, bzw. zur Gasdesorption, kann die Substrathaltevorrichtung mechanische, z.B. PVD-taugliche, Kanäle aufweisen, welche sich bei Beschichtungen anschaulich nicht zusetzen, bzw. ex-situ gereinigt werden können. Ein Teil der Substrathaltevorrichtung kann, muss aber nicht monolithisch in der Trägerplatte integriert sein. Eine Trägerplatte und eine (z.B. mehrteilige) Substrathaltevorrichtung können modular sein. Zwischen den beiden Substraten kann ein Halterahmen (oder ein Zwischengebilde), z.B. der Oberrahmen, derart eingerichtet sein, dass eine über die Substratkanten (im Randbereich) herumführende, Bearbeitung (oder Beeinflussung) verhindert, bzw. minimiert, werden kann. Dieser Halterahmen kann optional derart eingerichtet sein, dass dieser als zusätzliche Wärmesenke verwendet wird. In dem Fall kann dieser Halterahmen mit dem ersten Substrat und/oder mit dem zweiten Substrat thermisch gekoppelt sein und optional kann dieser Halterahmen mit der Trägerplatte thermisch gekoppelt sein. Um die erforderliche thermisch Kopplung zu erreichen, können die Kontaktflächen zwischen diesem Halterahmen und dem ersten Substrat und/oder dem zweiten Substrat, bzw. optional der Trägerplatte, entsprechend größer eingerichtet sein.
  • Die Substrathaltevorrichtung kann optional eine Kassette aufweisen, welche ermöglicht zumindest eine Kassette (z.B. zwei Kassetten) mit zumindest einem darin eingelegten Substrat (z.B. darin eingelegten zwei Substraten), pro Aussparung in die Trägerplatte einzulegen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die zwei Substrate ausschließlich durch eine reine mechanische Auflage oder Klemmung gehalten werden. Bei einer beispielsweise horizontalen Durchfahrt der Trägerplatte, z.B. bei einer Beschichtung eines Substrats mit nach unten zeigender Bearbeitungsfläche (auf dessen zweiter Seite), ergeben sich durch die Auflagefläche Randabschnitte, die gewollt oder ungewollt unbearbeitet bleiben, z.B. in der PVD-Beschichtung.
  • Auf Substrate kann zur Realisierung von unbearbeiteten Randabschnitten oder eine Rausfallsicherung ein Abdeckrahmen aufgelegt, bzw. integriert, sein oder werden.
  • 8A veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 100 in einer schematischen Querschnittsansicht gemäß verschiedenen Ausführungsformen, z.B. quer zu einer Transportrichtung geschnitten und/oder quer zu einer Trägerplattenfläche geschnitten). Die Substrathaltevorrichtung 100 kann eine Trägerplatte 102 aufweisen. Die Trägerplatte 102 kann mindestens eine Aussparung 112 aufweisen, z.B. derart, dass in der Aussparung 112 ein Unterrahmen 132a (ein erster Halterahmen 132a) und ein Oberrahmen 132b (ein zweiter Halterahmen 132b) aufgenommen werden kann oder zumindest teilweise aufgenommen werden kann zum Halten eines ersten Substrats 120a zwischen den zwei Halterahmen 132a, 132b in der Aussparung 112 und zum Halten eines zweiten Substrats 120b auf dem Oberrahmen 132b (bzw. über dem ersten Substrat 120a) in der Aussparung 112.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 von den Abmessungen her sowohl an die Menge und Größe der aufzunehmenden Substrate 120a, 120b als auch an die Größe (z.B. Beschichtungsbreite und/oder Schleusenlänge) der zum Behandeln der Substrate 120a, 120b verwendeten Prozessieranordnung (vergleiche 11A bis 11C) angepasst sein oder werden. Beispielsweise kann die Trägerplatte 102 (auch bezeichnet als Basis-Carrier 102) mehrere Substratstapel 120a, 120b, z.B. Waferstapel, für eine PVD-Beschichtung positionieren und/oder halten.
  • Ferner kann die Substrathaltevorrichtung 100 einen in die Aussparung 112 eingelegten ersten Halterahmen 132a und einen in die Aussparung 112 eingelegten zweiten Halterahmen 132b aufweisen. Der erste Halterahmen 132a kann zumindest abschnittsweise auf der Trägerplatte 102 (z.B. auf deren Auflagefläche) aufliegen. Der zweite Halterahmen 132b kann zumindest abschnittsweise auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegen (z.B. auf dessen Oberseite). Die zwei Halterahmen 132a, 132b (Halterahmen-Paar 132a, 132b) können derart eingerichtet sein, dass zwischen den zwei Halterahmen 132a, 132b ein Aufnahmeraum 130 (z.B. ein Spalt 130) zum Aufnehmen eines Randabschnitts des ersten Substrats 120a bereitgestellt ist.
  • Anschaulich können die beiden Halterahmen 132a, 132b derart bereitgestellt sein oder werden, dass die zwei darin eingelegten Substrate 120a, 120b sich gegenseitig zumindest teilweise abdecken oder abschirmen (maskieren), d.h. deren einander zugewandte Seiten 140a (d.h. die erste Seite 140a des ersten Substrats 120a und die erste Seite 140a des zweiten Substrats 120b).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die beiden Halterahmen 132a, 132b derart eingerichtet sein, dass die zweite Seite 140b des ersten Substrats 120a (anschaulich dessen Unterseite 140b) zumindest teilweise freiliegt und die zweite Seite 140b des zweiten Substrats 120b (anschaulich dessen Oberseite 140b) zumindest teilweise freiliegt, Mit anderen Worten könne die einander abgewandten Seiten 140b der Substrate 120a, 120b (d.h. des Substratstapels) zumindest teilweise freiliegen.
  • Anschaulich können die beiden Halterahmen 132a, 132b derart bereitgestellt sein oder werden, dass diese mindestens einen Randabschnitt eines zwischen den beiden Halterahmen 132a, 132b positionierten ersten Substrats 120a abdecken oder abschirmen (maskieren).
  • Das erste Substrat 120a kann z.B. ein Wafer, z.B. ein Halbleiterwafer, z.B. ein Siliziumwafer, in der Substrathaltevorrichtung 100 sein. Das erste Substrat 120a kann beispielsweise auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegen, z.B. kann das erste Substrat 120a vollumfänglich mit dem Randbereich des ersten Substrats 120a auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegen. Alternativ kann das erste Substrat 120a auch nur abschnittsweise in dem Randbereich des ersten Substrats 120a (z.B. bei einem eckigen Substrat jeweils mit den Ecken) auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegen. Der erste Halterahmen 132a kann eine ebene (bzw. plane) Auflagefläche zum Auflegen des ersten Substrats 120a aufweisen. Mit anderen Worten kann der erste Halterahmen 132a eine Auflagefläche bereitstellen zum Auflegen des ersten Substrats 120a.
  • Das zweite Substrat 120b kann z.B. ein Wafer, z.B. ein Halbleiterwafer, z.B. ein Siliziumwafer sein. Das zweite Substrat 120b kann beispielsweise auf dem zweiten Halterahmen 132b aufliegen, z.B. kann das zweite Substrat 120b vollumfänglich mit dem Randbereich des zweiten Substrats 120b auf dem zweiten Halterahmen 132b aufliegen. Alternativ kann das zweite Substrat 120b auch nur abschnittsweise in dem Randbereich des zweiten Substrats 120b (z.B. bei einem eckigen Substrat jeweils mit den Ecken) auf dem zweiten Halterahmen 132b aufliegen. Der zweite Halterahmen 132b kann eine ebene (bzw. planare) Auflagefläche zum Auflegen des zweiten Substrats 120b aufweisen. Mit anderen Worten kann der zweite Halterahmen 132b eine Auflagefläche bereitstellen zum Auflegen des zweiten Substrats 120b. Der Randabschnitt des ersten Substrats 120a kann beispielsweise mit der Auflagefläche des ersten Halterahmens 132a in Kontakt sein. Dabei kann bei einem Beschichten der Randabschnitt des ersten Substrats 120a nicht mit beschichtet werden. Analog kann ein Randabschnitt des zweiten Substrats 120b mit der Auflagefläche des zweiten Halterahmens 132b in Kontakt sein.
  • Im Folgenden werden verschiedene Modifikationen und Konfigurationen der Substrathaltevorrichtung 100 und Details zu der Aussparung 112 und den Halterahmen 132a, 132b beschrieben, wobei sich die bezüglich der 8A beschriebenen grundlegenden Merkmale und Funktionsweisen analog einbeziehen lassen. Ferner können die nachfolgend beschriebenen Merkmale und Funktionsweisen analog auf die zur 8A beschriebene Substrathaltevorrichtung 100 übertragen werden oder mit der in 8A beschriebenen Substrathaltevorrichtung 100 kombiniert werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Spalt 130 (auch als Aufnahmeraum bezeichnet zum Aufnehmen des ersten Substrats 120a) zwischen den beiden Halterahmen 132a, 132b eine Spalthöhe aufweisen, welche an die Dicke des aufzunehmenden ersten Substrats 120a angepasst sein kann, z.B. mit einer Spalthöhe (entlang der Richtung 105) in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 1,5 cm, oder mit einer Spalthöhe von weniger als 1 cm, 0,5 cm, 1 mm, 500 µm, 300 µm oder 200 µm. Der Spalt 130 kann nach unten (entlang der Richtung 105) durch die Auflagefläche des ersten Halterahmens 132a begrenzt sein.
  • Zwischen dem zweiten Halterahmen 132b und dem ersten Substrat 120a kann somit ein schmaler Spalt verbleiben, z.B. mit einer Spalthöhe (entlang der Richtung 105), z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 5 mm, oder mit einer Spalthöhe von weniger als 1 mm, 500 µm, 400 µm, 300 µm, 200 µm oder 100 µm, z.B. mit einer Spalthöhe gemäß der Vertiefung. Somit ist in diesem Fall beispielsweise auch eine geringe Fertigungstoleranz für die Halterahmen 132a, 132b der Substrathaltevorrichtung 100 erforderlich. Die Substrathaltevorrichtung 100 kann derart eingerichtet sein oder werden, dass Substrate 120a, 120b beliebiger Dicke, z.B. mit einer Dicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 1 cm, in der Aussparung 112 aufgenommen werden können. Die Substrate 120a, 120b können z.B. plattenförmig sein.
  • Beispielsweise kann die Auflagefläche des ersten Halterahmens 132a (und/oder der Spalt 130) mittels der Vertiefung in dem ersten Halterahmen 132a (z.B. auf dessen Oberseite) bereitgestellt sein oder werden. Mit anderen Worten kann die Auflagefläche eingesenkt sein, z.B. bezüglich dessen Oberseite. Die Vertiefung kann eine größere seitliche Ausdehnung als das erste Substrat 120a (Substratdurchmesser oder Substratbreite) aufweisen und/oder eine Tiefe (d.h. eine Ausdehnung in den ersten Halterahmen 132a hinein) aufweisen, welche größer ist als eine Substratdicke des ersten Substrats 120a. Die Vertiefung kann Tiefe in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 5 mm aufweisen, oder von weniger als 1 mm, 500 µm, 400 µm, 300 µm, 200 µm oder 100 µm. Mit anderen Worten kann der zwischen den beiden Halterahmen 132a, 132b bereitgestellte Spalt 130 an die Breite (z.B. den Durchmesser oder die seitliche Ausdehnung) des ersten Substrats 120a (in Richtung 103) angepasst sein oder werden. Anschaulich können die beiden Halterahmen 132a, 132b und die Aussparung 112 derart eingerichtet sein, dass das erste Substrat 120a seitlich frei liegt, d.h. mit anderen Worten dass das erste Substrat 120a seitlich nicht an den ersten Halterahmen 132a und den zweiten Halterahmen 132b anstößt. Die Vertiefung kann nach unten (entlang der Richtung 105) durch die Auflagefläche des ersten Halterahmens 132a begrenzt sein.
    Optional kann die Auflagefläche des zweiten Halterahmens 132b mittels einer Vertiefung in dem zweiten Halterahmen 132b (z.B. auf dessen Oberseite 102a) bereitgestellt sein oder werden. Mit anderen Worten kann die Auflagefläche eingesenkt sein, z.B. bezüglich dessen Oberseite. Die Vertiefung kann eine größere seitliche Ausdehnung als das zweite Substrat 120b (Substratdurchmesser oder Substratbreite) aufweisen und/oder eine Tiefe (d.h. eine Ausdehnung in den zweiten Halterahmen 132b hinein) aufweisen, welche größer ist als eine Substratdicke des zweiten Substrats 120b ist. Die Vertiefung kann Tiefe in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 5 mm aufweisen, oder von weniger als 1 mm, 500 µm, 400 µm, 300 µm, 200 µm oder 100 µm. Mit anderen Worten kann die Vertiefung an die Breite (z.B. den Durchmesser oder die seitliche Ausdehnung) des zweiten Substrats 120b (in Richtung 103) angepasst sein oder werden. Anschaulich können der zweite Halterahmen 132b und die Aussparung 112 derart eingerichtet sein, dass das zweite Substrat 120b seitlich frei liegt, d.h. mit anderen Worten dass das zweite Substrat 120b seitlich nicht an den zweiten Halterahmen 132a anstößt. Die Vertiefung kann nach unten (entlang der Richtung 105) durch die Auflagefläche des ersten Halterahmens 132a begrenzt sein.
  • Diesbezüglich kann die Substrathaltevorrichtung 100 derart bereitgestellt sein, dass verschiedene Halterahmen 132a, 132b für Substrate 120a, 120b mit verschiedenen Substratdicken verwendet werden können. Ferner kann die Substrathaltevorrichtung 100 derart bereitgestellt sein, dass verschiedene Halterahmen 132a, 132b für Substrate 120a, 120b mit verschiedenen Substratdurchmessern oder Substratbreiten verwendet werden können.
  • Die Trägerplatte 102 kann eine Oberseite 102a (bzw. eine oberer Oberfläche) und eine Unterseite 102b (bzw. eine untere Oberfläche) aufweisen. Die beiden Oberflächen 102a, 102b können (z.B. zumindest abschnittsweise) planparallel zueinander sein. Die Trägerplatte 102 kann eine Dicke entlang der Richtung 105 (senkrecht zu den beiden Oberflächen 102a, 102b) in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 20 mm aufweisen, z.B. eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 2 mm bis ungefähr 10 mm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Metall, z.B. Titan, Stahl (z.B. Edelstahl) ein Halbmetall, z.B. Kohlenstoff. Alternativ oder zusätzlich kann die Trägerplatte 102 einen Verbundwerkstoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Oberseite der Trägerplatte und/oder die Unterseite der Trägerplatte können planar (eben) ausgebildet sein, z.B. planparallel zueinander. Das Oberseite der Trägerplatte und/oder die Unterseite der Trägerplatte können optional beschichtet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 eine Breite entlang der Richtung 103 (entlang der Trägerplattenfläche, z.B. parallel zu den beiden Oberflächen 102a, 102b) in einem Bereich von ungefähr 10 cm bis ungefähr 5 m aufweisen, z.B. eine Breite in einem Bereich von ungefähr 1 m bis ungefähr 3 m. Ferner kann die Trägerplatte 102 eine Länge (entlang der Trägerplattenfläche, z.B. parallel zu den beiden Oberflächen 102a, 102b) quer zur Breitenrichtung 103, in einem Bereich von ungefähr 10 cm bis ungefähr 5 m aufweisen, z.B. eine Länge in einem Bereich von ungefähr 0,1 m bis ungefähr 2 m. Die Trägerplatte 102 kann z.B. entlang deren Länge transportiert werden.
  • Wie beispielsweise in 8A veranschaulicht ist, kann z.B. der zweite Halterahmen 132b, bzw. dessen Oberseite, bündig mit der Oberseite 102a der Trägerplatte 102 bereitgestellt sein oder werden, d.h. anschaulich mit dieser abschließend. Der erste Halterahmen 132a, bzw. dessen Unterseite, kann bündig mit der Unterseite 102b der Trägerplatte 102 bereitgestellt sein oder werden, d.h. anschaulich mit dieser abschließend.
  • Anschaulich kann ein unteres Substrat auf einem unteren Halterahmen (auch als Unterrahmen bezeichnet) aufliegen und ein oberes Substrat kann auf einem oberen Halterahmen (auch als Oberrahmen bezeichnet) aufliegen, wobei der Unterrahmen und der Oberrahmen übereinander angeordnet sind. Beispielsweise kann das untere Substrat keinen direkten körperlichen Kontakt zu dem Oberrahmen aufweisen (d.h. in einem Abstand zu dem Oberrahmen auf dem Unterrahmen aufliegen). Dabei kann die Substrathaltevorrichtung derart eingerichtet sein, dass sich Oberrahmen und/oder Unterrahmen in der Trägerplatte beim Einlegen in die jeweilige Aussparung der Trägerplatte zentrieren und eine vordefinierte Position und/oder Ausrichtung (relativ zueinander oder relativ zu der Trägerplatte) einnehmen. Dabei können der Oberrahmen oder der Unterrahmen monolithisch mit der Trägerplatte verbunden sein. Mit anderen Worten kann einer der beiden Rahmen als Teil der Trägerplatte ausgebildet sein. Alternativ können Oberrahmen und/oder Unterrahmen in die jeweilige Aussparung der Trägerplatte eingelegt werden.
  • 8A veranschaulicht die Substrathaltevorrichtung 100 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren aufweisen: Einlegen eines ersten Halterahmens 132a zum Halten eines ersten Substrats 120a in eine Aussparung 112 in einer Trägerplatte 102, wobei der erste Halterahmen 132a eine (z.B. ebene) Auflagefläche zum Auflegen des ersten Substrats 120a aufweist; Einlegen des ersten Substrats 120a in die Aussparung 112 auf die ebene Auflagefläche des ersten Halterahmens 132a; Einlegen eines zweiten Halterahmens 132b zum Halten eines zweiten Substrats 120b in die Aussparung 112 in der Trägerplatte 102, wobei der zweite Halterahmen 132b eine (z.B. ebene)Auflagefläche zum Auflegen des zweiten Substrats 120b aufweist; Einlegen des zweiten Substrats 120b in die Aussparung 112 auf die (z.B. ebene) Auflagefläche des zweiten Halterahmens 132b. Optional können der erste Halterahmen 132a und/oder der zweite Halterahmen 132b derart eingerichtet sein, dass erste Substrat 120a zumindest teilweise zwischen den zwei Halterahmen 132a, 132b angeordnet ist. Optional können der erste Halterahmen 132a und/oder der zweite Halterahmen 132b derart eingerichtet sein, dass zwischen dem zweiten Halterahmen 132b und dem ersten Substrat 120a ein Spalt verbleibt. Optional können der erste Halterahmen 132a und/oder der zweite Halterahmen 132b derart eingerichtet sein, dass das erste Substrat 120a nur auf dem ersten Halterahmen 132a aufliegt.
  • Optional kann das Einlegen des ersten Halterahmens 132a und/oder des zweiten Halterahmens 132b mittels eines Magnetgreifers oder eines Sauggreifers (auch als Vakuumgreifer bezeichnet) erfolgen. Dazu können Angriffsflächen an dem ersten Halterahmen 132a und/oder dem zweiten Halterahmens 132b bereitgestellt sein, an welche der Greifer kuppeln kann.
  • Der erste Halterahmen 132a kann eine Aussparung 132 aufweisen, welche diesen durchdringt, und z.B. die Unterseite des ersten Substrats 120a zumindest teilweise freilegt. Optional kann der zweite Halterahmen 132b eine Aussparung aufweisen, welche diesen durchdringt, und z.B. die Unterseite des zweiten Substrats 120b zumindest teilweise freilegt. Der erste Halterahmen 132a und/oder der zweite Halterahmen 132b können als Teil einer Kassette ausgebildet sein. Die Kassette kann anschaulich eingerichtet sein das erste Substrat 120a und/oder das zweite Substrat 120b vorkonfiguriert, z.B. jeweils bereits in einem jeweiligen Halterahmen 132a, 132b eingelegt, in der Aussparung 112 anzuordnen, z.B. beide Substrate 120a, 120b gemeinsam (d.h. paarweise) und/oder beide Halterahmen 132a, 132b gemeinsam (d.h. paarweise).
  • 8B veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht (analog zu 8A).
  • Wie beispielsweise in 8B veranschaulicht ist, können die Halterahmen 132a, 132b über die Oberseite 102a (und/oder die Unterseite 102b) der Trägerplatte 102 vorstehen. Alternativ kann z.B. ein Halterahmen 132a, 132b auch bündig mit der Trägerplatte 102, z.B. deren Oberseite 102a und/oder deren Unterseite 102b, bereitgestellt sein oder werden.
  • Ferner kann die Substrathaltevorrichtung 100 einen in die Aussparung 112 eingelegten ersten Halterahmen 132a aufweisen, welcher zumindest abschnittsweise auf der Trägerplatte 102 (z.B. auf deren Oberseite 102a) aufliegt. Ferner kann die Substrathaltevorrichtung 100 einen in die Aussparung 112 eingelegten zweiten Halterahmen 132b aufweisen, welcher zumindest abschnittsweise auf dem ersten Halterahmen 132a (z.B. auf dessen Oberseite) aufliegt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Halterahmen 132b zumindest teilweise in eine Vertiefung in dem ersten Halterahmen 132a eingelegt sein, z.B. formschlüssig passend, d.h. eingesteckt. Dadurch kann eine relative Lage der zwei Halterahmen 132a, 132b zueinander definiert sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die zwei Halterahmen (d.h. der Oberrahmen 132b und der Unterrahmen 132a) nach dem Einlegen in die Aussparung 112 der Trägerplatte 102 bzw. nach dem Auflegen zentriert in der Aussparung 112 gehalten werden, z.B. mittels einer paarweise passenden Zentrierstruktur.
  • 9A veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 200a gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht (z.B. entlang einer Transportrichtung geschnitten und/oder entlang zu einer Trägerplattenfläche geschnitten) oder schematischen Draufsicht (mit Blickrichtung quer zu einer Transportrichtung und/oder quer zu einer Trägerplattenfläche).
  • Wie in 9A veranschaulicht ist, kann in der Aussparung 112 der erste Halterahmen 132a angeordnet sein. Der erste Halterahmen 132a kann eine Aussparung 132 aufweisen, welche diesen durchdringt. Wie in 9A veranschaulicht ist, können die Aussparung 112 und/oder die Aussparung 132 im Wesentlichen quaderförmig sein.
  • Optional können der erste Halterahmen 132a und/oder der zweite Halterahmen 132b passend zur Aussparung 112 der Trägerplatte 102 eine im Wesentlichen quaderförmige Außenkontur mit vier Eckbereichen aufweisen. Optional können der erste Halterahmen 132a und der zweite Halterahmen 132b jeweils paarweise zueinander passende Zentrierstrukturen in den vier Eckbereichen aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der erste Halterahmen 132a nur auf der Auflagefläche der Trägerplatte 102 aufliegen, z.B. nur in Eckbereichen der Aussparung 112 (vergleiche 9E und 9F), nur in den Kantenbereichen der Aussparung 112 (vergleiche 9B und 9C), oder alternativ in den Eckbereichen und den Kantenbereichen der Aussparung 112 (vergleiche 9D).
  • Dies kann eine bessere Stabilität der zwei Halterahmen 132a, 132b in der Aussparung 112 ermöglichen, z.B. wenn sich die Trägerplatte 102 (z.B. entlang der Breite der Trägerplatte 102) durchbiegt.
  • Analog kann das erste Substrat 120a nur auf der Auflagefläche des ersten Halterahmens 132a aufliegen, z.B. nur in den Eckbereichen der Aussparung 132 (vergleiche 9E und 9F), nur in den Kantenbereichen der Aussparung 132 (vergleiche 9B und 9C), oder alternativ in den Eckbereichen und den Kantenbereichen der Aussparung 132 (vergleiche 9D).
  • Weist der zweite Halterahmen 132b eine Aussparung auf, kann diese analog zu der Aussparung 132 gebildet sein oder werden. In dem Fall kann das zweite Substrat 120b nur auf der Auflagefläche des zweiten Halterahmens 132b aufliegen, z.B. nur in den Eckbereichen der Aussparung des zweiten Halterahmens 132b (vergleiche 9E und 9F), nur in den Kantenbereichen der Aussparung des zweiten Halterahmens 132b (vergleiche 9B und 9C), oder alternativ in den Eckbereichen der Aussparung des zweiten Halterahmens 132b und in den Kantenbereichen der Aussparung des zweiten Halterahmens 132b (vergleiche 9D).
  • Die Aussparung 112 in der Trägerplatte 102 und/oder die Aussparung 132 in einem Halterahmen 132a, 132b kann, aus der Richtung 105 betrachtet, kreisförmig, quadratisch (vergleiche 9A bis 9E) oder beliebig n-eckig sein. Die Form der die Aussparung 112 in der Trägerplatte 102 und/oder die Aussparung 132 in einem Halterahmen kann an die Außenkontur der aufzunehmenden Substrate 120a, 120b angepasst sein oder werden, z.B. kann die Aussparung 112 in der Trägerplatte 102 und/oder die Aussparung 132 in einem Halterahmen im Wesentlichen kreisförmig sein zum Aufnehmen kreisförmiger Wafer oder quadratisch (z.B. mit abgerundeten oder abgeschnittenen Ecken) sein zum Aufnehmen quadratischer Wafer (z.B. mit abgerundeten oder abgeschnittenen Ecken).
  • 9B bis 9F veranschaulichen jeweils den ersten Halterahmen 132a und/oder den zweiten Halterahmen 132b gemäß verschiedenen Ausführungsformen und/oder eine Trägerplatte 102 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder schematischen Draufsicht analog zu 9A. Anschaulich ist in 9B bis 9F die Aussparung 112 in der Trägerplatte 102 und/oder die Aussparung 132 in einem Halterahmen veranschaulicht, welche sich durch den Halterahmen hindurch erstreckt, z.B. in dem ersten Halterahmen 132a, dem zweiten Halterahmen 132b oder dem dritten Halterahmen 132c.
  • Wie in 9B bis 9F veranschaulicht ist, kann die Aussparung 112, 132 im Wesentlichen quaderförmig sein. Wie in 9B veranschaulicht ist, kann die Aussparung 112, 132 vier Kantenbereiche aufweisen, in denen eine Auflagefläche gebildet ist. Die Auflagefläche kann beispielsweise mittels Vorsprüngen 202 gebildet sein. Wie in 9C veranschaulicht ist, kann die Aussparung 112, 132 zwei sich gegenüberliegende Kantenbereiche aufweisen, in denen eine Auflagefläche gebildet ist. Die Auflagefläche kann beispielsweise mittels Vorsprüngen 202 gebildet sein. Wie in 9D veranschaulicht ist, kann die Aussparung 112, 132 vier Kantenbereiche aufweisen, in denen eine Auflagefläche gebildet ist. Die Auflagefläche kann beispielsweise mittels einer Falz 204 gebildet sein, welche die Aussparung 112, 132 zumindest teilweise umläuft. Wie in 9E veranschaulicht ist, kann die Aussparung 112, 132 vier Eckbereiche aufweisen, in denen eine Auflagefläche gebildet ist. Die Auflagefläche kann beispielsweise mittels einer Falz 204 gebildet sein, welche jeweils in den Kantenbereichen unterbrochen ist. Wie in 9F veranschaulicht ist, kann die Aussparung 112, 132 vier Eckbereiche aufweisen, in denen eine Auflagefläche gebildet ist. Die Auflagefläche kann beispielsweise mittels Vorsprüngen 202 gebildet sein.
  • 10A veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 300a gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht (z.B. entlang der Trägerplattenfläche geschnitten) oder schematischen Draufsicht.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung 300a Folgendes aufweisen: eine Trägerplatte 102 (auch als Carrier oder Tray bezeichnet) mit mehreren (z.B. entlang der Breite und/oder einer Länge der Trägerplatte 102) nebeneinander angeordneten Aussparungen 112, wobei jede der Aussparungen 112 zum Aufnehmen eines ersten Halterahmens 132a und eines zweiten Halterahmens 132b eingerichtet ist und sich von einer Oberseite 102a der Trägerplatte 102 zu einer Unterseite 102b der Trägerplatte 102 durch die Trägerplatte 102 hindurch erstreckt.
  • Die Substrathaltevorrichtung 300a kann mehrere erste Halterahmen 132a und mehrere zweite Halterahmen 132b aufweisen, wobei jeweils ein erster Halterahmen der mehreren ersten Halterahmen 132a und ein zweiter Halterahmen der mehreren zweiten Halterahmen 132b ein Halterahmen-Paar bilden, welches in einer Aussparung 112 der mehreren Aussparungen 112 des Trägerplatte 102 angeordnet ist oder wird zum Halten eines Substratstapels 120a, 120b.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 eine Entlüftungsöffnung in Form eines Kanals 302o (auch als Absaugkanal oder Zwischenabsaugung bezeichnet) aufweisen. Der Kanal 302o kann z.B. zwischen zwei Aussparungen der mehreren Aussparungen 112 angeordnet sein. Der Kanal 302o kann eine Aussparung (z.B. eine erste Aussparung) der mehreren Aussparungen 112 mit einer Oberseite der Trägerplatte 102 und/oder mit einer Unterseite der der Trägerplatte 102 verbinden. Optional kann der Kanal 302o die erste Aussparung der mehreren Aussparungen 112 mit einer zweiten Aussparung der mehreren Aussparungen 112 verbinden. Anschaulich kann der Kanal 302o zum Entlüften des Hohlraums zwischen dem ersten Kanal und dem zweiten Kanal eingerichtet sein.
  • 10B veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 300b gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht, z.B. die Substrathaltevorrichtung 300a entlang einer Querschnittsachse 303 (vergleiche 10A) in einer Detailansicht 301.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung 300b ferner einen dritten Halterahmen 132c (zweiter Abdeckrahmen) zum Abdecken des zweiten Substrats 120b aufweisen. Der dritte Halterahmen 132c kann z.B. in eine Aussparung in dem zweiten Halterahmen 132b und/oder in die Aussparung der Trägerplatte 102 passen, z.B. einsteckbar.
  • Durch den Kanal 302o hindurch kann ein Spalt 355 (Hohlraum 355), welcher zwischen dem ersten Substrat 120a und dem zweiten Substrat 120b gebildet ist, abgepumpt 311 werden. Der Kanal 302o kann anschaulich das Bilden eines Gasreservoirs zwischen den zwei Substraten 120a, 120b verhindern.
  • 10B veranschaulicht die Substrathaltevorrichtung 300b in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Das Verfahren kann aufweisen die Unterseite des ersten Substrats 120a zu bearbeiten 313 (erstes Bearbeiten 313), z.B. zu beschichten. Ferner kann das Verfahren aufweisen die Oberseite des zweiten Substrats 120b zu bearbeiten 323 (zweites Bearbeiten 323), z.B. zu beschichten. Optional kann das Verfahren aufweisen den Spalt, welcher zwischen dem ersten Substrat 120a und dem zweiten Substrat 120b gebildet ist, abzupumpen 311. Das Abpumpen 311 kann z.B. zeitgleich zum ersten Bearbeiten 313 und/oder zum zweiten Bearbeiten 323 erfolgen.
  • In mehreren Aussparungen 112 kann jeweils ein Substratstapel 120a, 120b angeordnet sein. Die ersten (anschaulich unteren) Substrate 120a der Substratstapel 120a, 120b können jeweils eine erste (anschaulich untere) Substratlage 320a bilden. Die zweiten (anschaulich oberen) Substrate 120b der Substratstapel 120a, 120b können jeweils eine zweite (anschaulich obere) Substratlage 320b bilden.
  • Bezugnehmend auf 4A kann die Aussparung 112 in der Trägerplatte 102 beispielsweise im Wesentlichen quaderförmig sein und somit (z.B. von oben gesehen) vier Eckbereiche 412e und vier Kantenbereiche 412i aufweisen. Alternativ kann die Aussparung 112 in der Trägerplatte 102 jede andere geeignete Form aufweisen, z.B. angepasst an die Form des Substrats 120 und/oder an die Form der beiden Halterahmen 132a, 132b.
  • Bezugnehmend auf 4B können mehrere Aussparung 112 nebeneinander in der Trägerplatte 102 bereitgestellt sein oder werden zum Halten mehrerer Substratstapel 120a, 120b, z.B. mehr als 10 Aussparung 112, z.B. mehr als 20 Aussparung 112, z.B. mehr als 50 Aussparung 112, z.B. mehr als 100 Aussparung 112. Dabei kann die Richtung 105 quer zu einer Transportrichtung sein, entlang derer die Substrathaltevorrichtung 400b in einer Prozessieranordnung zum Prozessieren der mehreren Substratstapel 120a, 120b transportiert werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können mehrere Aussparungen 112 zumindest entlang der Transportrichtung (z.B. entlang der Längenrichtung 101 der Trägerplatte 102) nebeneinander (z.B. in einer Reihe) angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich können mehrere Aussparungen 112 zumindest quer zur Transportrichtung (z.B. entlang der Breitenrichtung 103 der Trägerplatte 102) nebeneinander (z.B. in einer Reihe) angeordnet sein. Beispielsweise können die mehreren Aussparungen 112 in einem (z.B. zweidimensionalen) Raster angeordnet sein.
  • 11A veranschaulicht eine Prozessieranordnung 500a gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht (z.B. entlang zu einer Trägerplattenfläche geschnitten).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Prozessieranordnung 500a eine erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und ein zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b aufweisen.
  • Die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a kann zum Bearbeiten zumindest des ersten Substrats 120a, bzw. der ersten Substratlage 320a, eingerichtet sein, z.B. zum Beschichten, zum Bestrahlen, zum Ätzen, usw. Die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b kann zum Bearbeiten zumindest des zweiten Substrats 120b, bzw. der zweiten Substratlage 320b, eingerichtet sein, z.B. zum Beschichten, zum Bestrahlen, zum Ätzen, usw, z.B. gleich oder unterschiedlich zur ersten Bearbeitungsvorrichtung 510a.
  • Die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und/oder die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b können zum Beschichten zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: eine physikalische Materialdampfquelle (zum Beschichten mittels physikalischer Gasphasenabscheidung), wie z.B. ein Magnetron (auch als Sputterquelle bezeichnet, optional in Verbindung mit einer Reaktivgasquelle zum reaktiven Sputtern), einen Laserstrahlverdampfer, einen Lichtbogenverdampfer, einen Elektronenstrahlverdampfer und/oder einen thermischen Verdampfer; oder eine chemische Materialdampfquelle (zum Beschichten mittels chemischer Gasphasenabscheidung), wie z.B. eine Reaktionsgasquelle optional in Verbindung mit einer Plasmaquelle (zum Beschichten mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung) aufweisen.
  • Alternativ oder zusätzlich können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und/oder die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b zum Abtragen von Material zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: eine Plasmaquelle, eine Ionenstrahlquelle oder eine Ätzgasquelle. Alternativ oder zusätzlich können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und/oder die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b zum Bestrahlen zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: eine Ionenstrahlquelle, eine Elektronenstrahlquelle oder eine Lichtquelle (z.B. Blitzlampen und/oder Laser).
  • Wie in 11A veranschaulicht ist, können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b derart angeordnet sein, dass diese denselben Substratstapel 120a, 120b bearbeiten. Dann können sich deren Prozessierbereiche zumindest teilweise überlappen. Beispielsweise können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b übereinander angeordnet sein.
  • 11B veranschaulicht eine Prozessieranordnung 500b gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Ansicht analog zur Prozessieranordnung 500a.
  • Wie in 11B veranschaulicht ist, können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b derart angeordnet sein, dass diese unterschiedliche Substratstapel 120a, 120b bearbeiten. Dann können sich deren Prozessierbereiche einen Abstand zueinander aufweisen. Beispielsweise können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b versetzt zueinander angeordnet sein, z.B. entlang der Transportrichtung und/oder quer zur Transportrichtung.
  • 11A und 11B veranschaulichen jeweils die Prozessieranordnung 500a, 500b in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Das Verfahren kann aufweisen die Unterseite des ersten Substrats 120a (bzw. die Unterseite der ersten Substratlage 320a) zu bearbeiten. Das Bearbeiten der Unterseite des ersten Substrats 120a kann zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: Beschichten, Bestrahlen, Abtragen, Reinigen, Erhitzen, Umwandeln (z.B. chemisch und/oder strukturell), Dotieren (z.B. chemisch), Polieren.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren aufweisen die Oberseite des zweiten Substrats 120a (bzw. die Oberseite der zweiten Substratlage 320b) zu bearbeiten. Das Bearbeiten der Oberseite des zweiten Substrats 120b kann zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: Beschichten, Bestrahlen, Abtragen, Reinigen, Erhitzen, Umwandeln (z.B. chemisch und/oder strukturell), Dotieren (z.B. chemisch), Polieren.
  • Das Bearbeiten der Unterseite des ersten Substrats 120a kann gleich sein zu dem Bearbeiten der Oberseite des zweiten Substrats 120b. Alternativ kann das Bearbeiten der Unterseite des ersten Substrats 120a unterschiedlich sein zu dem Bearbeiten der Oberseite des zweiten Substrats 120b.
  • Beispielsweise kann eine erste (z.B. obere) Substratlage in einem ersten Verfahrensdurchlauf gereinigt werden, während eine zweite (z.B. untere) Substratlage in dem ersten Verfahrensdurchlauf beschichtet wird. Die zweite Substratlage kann, wenn diese beschichtet worden ist, gegen eine dritte Substratlage ausgewechselt werden, so dass in einem zweiten Verfahrensdurchlauf die erste Substratlage, welche gereinigt worden ist, beschichtet werden kann und die dritte Substratlage in dem zweiten Verfahrensdurchlauf gereinigt werden kann. Somit kann ein zweistufiger Prozess nahtlos fortgeführt werden, ohne eine Prozessanlage umrüsten zu müssen. Dies ermöglicht es, den Platzbedarf einer Prozessieranlage zu reduzieren und somit Standkosten und Betriebskosten zu verringern.
  • Selbstverständlich können auch einstufige Prozesse erfolgen, z.B. ohne dass eine Substratlage die Prozessieranlage zweimal passiert. Beispielsweise kann das oben liegende Substrat (bzw. die obere Substratlage) mit einem ersten Beschichtungsmaterial beschichtet werden und das unten liegende Substrat (bzw. untere Substratlage) mit einem zweiten Beschichtungsmaterial beschichtet werden (z.B. mit dem ersten Beschichtungsmaterial oder einem anderen Beschichtungsmaterial).
  • 11C veranschaulicht eine Prozessieranordnung 500c gemäß verschiedenen Ausführungsformen analog zur Prozessieranordnung 500a.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Prozessieranordnung Folgendes aufweisen: eine Prozessierkammer 512 zum beidseitigen Prozessieren 313, 323 (Bearbeiten) mehrerer Substratstapel 120a, 120b; und eine Transportvorrichtung 522 zum Transportieren und/oder Positionieren der mehreren Substratstapel 120a, 120b in einem Prozessierbereich 520 (hier exemplarisch nur ein Prozessierbereich dargestellt) einer Bearbeitungsvorrichtung 510a, 510b.
  • Die Transportvorrichtung 522 kann z.B. mehrere Transportrollen aufweisen, deren äußerer Umfang eine Transportfläche definiert, entlang derer eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen transportiert werden kann. Die Transportfläche kann zumindest abschnittsweise eben verlaufen (dann auch als Transportebene bezeichnet) und/oder zumindest abschnittsweise gekrümmt verlaufen. Zum Transportierten der Trägerplatte 102 durch die Prozessierkammer 512 hindurch können beispielsweise einseitig gelagerte Transportrollen verwendet werden, welche auf gegenüberliegenden Seiten der Trägerplatte 102 angeordnet sind und diese halten (so dass beispielsweise dazwischen eine Bearbeitungsvorrichtung angeordnet sein kann). Ferner kann die Trägerplatte 102 auch in einen weiteren Träger eingelegt sein oder werden oder mittels eines weiteren Trägers transportiert werden.
  • Die Prozessierkammer 512 kann als Vakuumkammer oder als Atmosphärendruckkammer oder als Überdruckkammer eingerichtet sein und/oder betrieben werden. Die Prozessierkammer 512 kann derart eingerichtet sein, dass darin eine Prozessumgebung (aufweisend Prozessdruck, Prozessgaszusammensetzung, Prozesstemperatur, usw.) eingestellt und/oder geregelt werden kann. Beispielsweise kann die Prozessierkammer 512 druckstabil (z.B. bis mindestens 1 bar Druckunterschied), gasdicht und/oder staubdicht eingerichtet sein. Das Bearbeiten des ersten Substrats 120a und/oder des zweiten Substrats 120b kann in einem Überdruck (größer 1 bar), Atmosphärendruck ungefähr 1 bar, Unterdruck (kleiner 1 bar) oder Vakuum (kleiner 0,3 bar), z.B. Feinvakuum (kleiner 1 mbar), z.B. Hochvakuum (kleiner 10-3 bar), z.B. Ultrahochvakuum (kleiner 10-7 bar), erfolgen. Zum Einstellen und/oder Regeln der Prozessgaszusammensetzung kann dem Inneren der Prozessierkammer 512 ein Gas aufweisend zumindest ein Reaktivgas und/oder ein Arbeitsgas zugeführt werden, z.B. mittels einer Gaszuführung. Zum Einstellen und/oder Regeln des Prozessdrucks kann die Prozessierkammer 512 mit einer Pumpenanordnung aufweisend zumindest eine Vorpumpe und/oder eine Vakuumpumpe gekuppelt sein, welche das Innere der Prozessierkammer 512 abpumpen. Zum Einstellen und/oder Regeln der Prozesstemperatur kann die Prozessieranordnung 500c Heizvorrichtungen und/oder Kühlvorrichtungen aufweisen, welche dem Inneren der Prozessierkammer 512, oder zumindest den darin transportierten Substratstapel 120a, 120b thermische Energie zuführen (zum Heizen) oder entziehen (zum Kühlen) können.
  • Beispielsweise können das erste Substrat 120a und/oder das zweite Substrat 120b mit zumindest einem von Folgendem Beschichtet werden: eine funktionale Schicht, eine Korrosionsschutzschicht, eine optisch aktive Schicht, eine Schutzschicht, eine elektrisch leitfähige Schicht, eine elektrisch isolierende Schicht, eine Versiegelung, eine Keimschicht, eine Oberflächenveredelung. Beispielsweise kann eine funktionale Schicht auf Folie oder Hartmaterial aufgebracht werden (z.B. für die Batterietechnik). Beispielsweise kann eine Metallbeschichtung und/oder eine Beschichtung aus dielektrischem Material auf Glas aufgebracht werden (z.B. für Brillen, Fenster, Handys und/oder Architekturgas). Beispielsweise kann eine elektrisch leitfähige Schutzschicht, eine funktionale Schicht oder eine Korrosionsschutzschicht auf eine Metallfolie aufgebracht werden (z.B. für die Brennstoffzellentechnik). Beispielsweise kann eine Keimschicht auf einen Wafer aufgebracht werden (z.B. für die Halbleitertechnik). Die Keimschicht kann z.B. Nickel (Ni) und/oder Kupfer (Cu) aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Keimschicht kann nachfolgend galvanisch weiter beschichtet werden, z.B. zum Ausbilden von Metallschichten.
  • 12A veranschaulicht ein Verfahren 1200 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Ablaufdiagram.
  • Das Verfahren 1200 kann in 601 aufweisen: Anordnen eines Substratstapels aufweisend ein erstes Substrat 120a und ein zweites Substrat 120b in einen Aufnahmebereich einer Substrathaltevorrichtung, wobei eine erste Seite des ersten Substrats einer ersten Seite des zweiten Substrats zugewandt ist. Anschaulich kann eine Oberseite des zweiten Substrats 120b und eine Unterseite des ersten Substrats 120a zur Bearbeitung freiliegen. Ferner kann das Verfahren 1200 in 603 aufweisen: Bearbeiten einer zweiten Seite 140b des ersten Substrats 120a, welche dessen erster Seite gegenüberliegt (vergleiche 12B).
  • Ferner kann das Verfahren 1200 in 605 aufweisen: Bearbeiten einer zweiten Seite 140b des zweiten Substrats 120b, welche dessen erster Seite gegenüberliegt und der zweiten Seite 140b des ersten Substrats 120a abgewandt ist (vergleiche 12B). Mit anderen Worten können die einander abgewandten Seiten 140b des Substratstapels bearbeitet werden.
  • Das Einlegen des ersten Substrats 120a und/oder des zweiten Substrats 120b kann auch als Beladevorgang der Substrathaltevorrichtung bezeichnet werden. Der Entladevorgang kann beispielsweise wie der Beladevorgang erfolgen, jedoch in der umgekehrten Reihenfolge, wobei der erste Halterahmen 132a optional, z.B. permanent, in der Trägerplatte 102 verbleiben kann, z.B. wenn dieser mit der Trägerplatte 102 verbunden ist aber auch wenn dieser herausnehmbar ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können sich alle Bauteile zum vollautomatischen Beladen und/oder Entladen der Substrate 120a, 120b und der Halterahmen 132a, 132b eignen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Beladen der Substrathaltevorrichtung mit Substraten 120a, 120b nach einer Reinigung aller Teile erfolgen, z.B. nach einer nasschemischen Reinigung oder nach einem Trockeneis-Strahlen.
    Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der zweite Halterahmen 132b nur von dem ersten Halterahmen 132a gestützt werden. Optional können der erste Halterahmen 132a und/oder der zweite Halterahmen 132b lose (z.B. seitlich schwimmend) auf aufliegen.
  • 12B veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 600b in einem Verfahren (z.B. Verfahren 1200) gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht (analog zu 8A).
  • Das zweite Substrat 120b kann auf oder über dem ersten Substrat 120a angeordnet sein oder werden, z.B. mit diesem gemeinsam in genau einer Substrataufnahmeaussparung 112 einer Trägerplatte 102. Das erste Substrat 120a kann in einen (ersten) Halterahmen 132a eingelegt sein oder werden, oder zumindest auf dessen Auflagefläche aufgelegt sein oder werden. Der Halterahmen 132a kann monolithisch mit der Trägerplatte 102 verbunden sein. Wie in 12B dargestellt können das erste Substrat 120a und das zweite Substrat 120b in (körperlichen) Kontakt miteinander sein.
  • Optional kann zwischen dem ersten Substrat 120a und dem zweiten Substrat 120b ein weiterer Halterahmen 132b (zweiter Halterahmen 132b) eingelegt werden (vergleiche 8A, 8B oder 13B), z.B. in die Substrataufnahmeaussparung 112 zumindest teilweise hinein. Somit kann ein Abstand zwischen dem ersten Substrat 120a und dem zweiten Substrat 120b realisiert werden, so dass deren Oberflächen (auf der Unterseite des zweiten Substrats 120b und der Oberseite des ersten Substrats 120a) nicht aneinander haften, z.B. verkleben (z.B. hervorgerufen durch das Bearbeiten).
  • Wie in 12B dargestellt können das erste Substrat 120a und das zweite Substrat 120b plattenförmig ausgebildet sein. Alternativ können das erste Substrat 120a und/oder das zweite Substrat 120b geprägt (auch als profiliert bezeichnet) ausgebildet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Einlegen des ersten Substrats 120a und des zweiten Substrats 120b gleichzeitig (d.h. gemeinsam) erfolgen, d.h. in Form eines Substratstapels 120a, 120b. Beispielsweise können das erste Substrats 120a und das zweite Substrat 120b vorkonfiguriert in die Aussparung 112 eingelegt werden, z.B. optional unter Verwendung einer Kassette aufweisend zumindest eines von Folgenden: ein erster Halterahmen 132a, z.B. in welchen zumindest das erste Substrat 120a eingelegt ist (z.B. wenn der Halterahmen 132a nicht mit der Trägerplatte 102 verbunden ist), z.B. in welchen optional das zweite Substrat 120b eingelegt ist; ein zweiter Halterahmen 132b, in welchen das zweite Substrat 120b eingelegt ist (z.B. wenn das zweite Substrat 120b nicht in dem ersten Halterahmen 132a angeordnet ist), z.B. welcher zwischen dem ersten Substrat 120a und dem zweiten Substrat 120b angeordnet ist; ein dritter Halterahmen 132c, welcher z.B. auf das zweite Substrat 120b aufgelegt ist, z.B. zum Klemmen des zweiten Substrats 120b; ein weiterer dritter Halterahmen 132c, welcher z.B. auf das erste Substrat 120a aufgelegt ist, und z.B. zwischen dem ersten Substrat 120a und dem zweiten Substrat 120b angeordnet ist, z.B. zum Klemmen des ersten Substrats 120a.
  • 13A und 13B veranschaulichen jeweils eine Substrathaltevorrichtung 700a und 700b in einer schematischen Querschnittsansicht analog zu 8A.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann sich der zweite Halterahmen 132b zumindest teilweise in einer Vertiefung in dem ersten Halterahmen 132a erstrecken oder darin eingelegt sein oder werden. Der erste Halterahmen 132a kann in die Trägerplatte 102 eingelegt sein oder werden, wie in 13A veranschaulicht ist, oder mit der Trägerplatte 102 verbunden sein, z.B. monolithisch, wie in 13B veranschaulicht ist.
  • Beispiele gemäß verschiedenen Ausführungsformen sind im Folgenden beschrieben:
    • Beispiel 1b. Verfahren 1200, aufweisend:
      • Anordnen eines Substratstapels aufweisend ein erstes Substrat 120a und ein zweites Substrat 120b in einen Aufnahmebereich einer Substrathaltevorrichtung, wobei eine erste Seite 140a des ersten Substrats 120a einer ersten Seite 140a des zweiten Substrats 120b zugewandt ist; und
      • Bearbeiten einer zweiten Seite 140b des ersten Substrats 120a, welche dessen erster Seite 140a gegenüberliegt, und Bearbeiten einer zweiten Seite 140b des zweiten Substrats 120b, welche dessen erster Seite 140a gegenüberliegt und der zweiten Seite 140b des ersten Substrats 120a abgewandt ist.
    • Beispiel 2b. Verfahren 1200 gemäß Beispiel 1b, wobei das Anordnen des Substratstapels aufweist, die zweite Seite 140b des ersten Substrats 120a auf eine Auflagefläche der Substrathaltevorrichtung aufzulegen.
    • Beispiel 3b. Verfahren 1200 gemäß Beispiel 1b oder 2b, ferner aufweisend: Anordnen eines Halterahmens zwischen dem ersten Substrat 120a und dem zweiten Substrat 120b, wobei das Anordnen des Substratstapels aufweist das zweite Substrat 120b in den Halterahmen einzulegen.
    • Beispiel 4b. Verfahren 1200 gemäß einem der Beispiele 1b bis 3b, wobei das erste Substrat 120a und das zweite Substrat 120b in körperlichem Kontakt zueinander angeordnet werden; und/oder wobei zwischen dem ersten Substrat 120a und dem zweiten Substrat 120b ein Spalt gebildet ist; und/oder wobei zwischen dem ersten Substrat 120a und dem zweiten Substrat 120b eine Wärmesenke angeordnet wird.
    • Beispiel 5b. Verfahren 1200 gemäß einem der Beispiele 1b bis 4b, wobei das Bearbeiten der zweiten Seite 140b des ersten Substrats 120a zumindest eines von Folgendem aufweist: Beschichten, Bestrahlen, Abtragen, Reinigen, Erhitzen, Umwandeln, Dotieren, Polieren; und/oder wobei das Bearbeiten der zweiten Seite 140b des zweiten Substrats 120b zumindest eines von Folgendem aufweist: Beschichten, Bestrahlen, Abtragen, Reinigen, Erhitzen, Umwandeln, Dotieren, Polieren.
    • Beispiel 6b. Substrathaltevorrichtung 100, 300a, 300b, aufweisend: eine Trägerplatte 102 mit zumindest einer Aussparung 112, welche sich von einer Oberseite 102a der Trägerplatte 102 zu einer Unterseite 102b der Trägerplatte 102 durch die Trägerplatte 102 hindurch erstreckt; einen ersten Halterahmen 132a, welcher eine erste Auflagefläche zum Halten eines ersten Substrats 120a aufweist; und einen zweiten Halterahmen 132b, welcher in die Aussparung 112 eingelegt über der ersten Auflagefläche angeordnet ist, und welcher eine zweite Auflagefläche zum Halten eines zweiten Substrats 120b über dem ersten Substrat aufweist.
    • Beispiel 7b. Substrathaltevorrichtung 100, 300a, 300b gemäß Beispiel 6b, wobei der erste Halterahmen 132a und die Trägerplatte 102 monolithisch miteinander verbunden sind; oder wobei der erste Halterahmen 132a in die Aussparung 112 eingelegt zumindest abschnittsweise auf einer Auflagefläche der Trägerplatte 102 aufliegt.
    • Beispiel 8b. Substrathaltevorrichtung 100, 300a, 300b gemäß einem der Beispiele 6b oder 7b, ferner aufweisend: einen dritten Halterahmen 132c zum Abdecken des zweiten Substrats 120b; wobei der dritte Halterahmen 132c in die Aussparung 112 eingelegt über der zweiten Auflagefläche angeordnet ist derart, dass zwischen dem dritten Halterahmen 132c und der zweiten Auflagefläche ein Aufnahmeraum 130 zum Aufnehmen eines Randabschnitts des zweiten Substrats 120b bereitgestellt ist.
    • Beispiel 9b. Substrathaltevorrichtung 100 gemäß einem der Beispiele 6b bis 8b, ferner aufweisend: eine Entlüftungsöffnung 302o zum Abpumpen eines Spalts zwischen dem ersten Halterahmen 132a und dem zweiten Halterahmen 132b.
    • Beispiel 10b. Prozessieranordnung 500a, 500b, 500c, aufweisend: eine Prozessierkammer 512; eine erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und ein zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b, welche in der Prozessierkammer 512 angeordnet sind; eine Substrathaltevorrichtung gemäß einem der Beispiele 6b bis 9b; und eine Transportvorrichtung 522 zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung zwischen der ersten Bearbeitungsvorrichtung 510a und der zweiten Bearbeitungsvorrichtung 510b.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Substrathaltevorrichtung (Substrathalter) für beidseitige Beschichtung von Substraten (z.B. Wafern), z.B. dünnen Substraten (mit einer Dicke von weniger als 500 µm) in einer Vakuumbeschichtungsanlage bereitgestellt. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine beidseitige Beschichtung von Substraten ermöglicht, wobei die Oberseite vollflächig beschichtet wird. Optional kann die Unterseite (z.B. die untere Fläche des Substrats) umlaufend am Rand (Randbereich) abgedeckt (maskiert) sein oder werden. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können Beschichtungen zur Verwendung im Bereich der Optik, Halbleiter, Photovoltaik, Barriere und Verkapselung bereitgestellt sein oder werden.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Randbereich eine Ausdehnung (von der Kante des Substrats in Richtung Mitte des Substrats gemessen) in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 10 mm aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,2 mm bis ungefähr 5 mm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,5 mm bis ungefähr 2 mm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine Beschichtung (anschaulich ein Zusputtern) der Auflagefläche (auch als Pocketboden bezeichnet) verringert oder verhindert werden. Dazu kann die Substrathaltevorrichtung eine die Auflagefläche (auch als Waferauflage bezeichnet) umlaufende Vertiefung (kann auch als Freistich bezeichnet sein oder werden) aufweisen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine sichere und reproduzierbare Auflagekonfiguration des Substrats auf der Auflagefläche bereitgestellt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Reinigen der Substrathaltevorrichtung erfolgen, z.B. durch Beizen oder Strahlen. Beim Reinigen kann allerdings ein Materialabtrag der Substrathaltevorrichtung erfolgen (anschaulich ein „Aufrauverfahren“), d.h. ein Materialabtrag an der Auflagefläche, welcher deren Querschnittsfläche reduziert und deren Wirkung (z.B. die Abschattung des Randbereichs des Substrats) gefährden kann. Mit anderen Worten kann ein Materialabtrag an den Halterahmen (Masken) durch Reinigen zu einer Reduktion der Auflagefläche (Substratauflagefläche, z.B. Waferauflagefläche) führen und so den Ausschuss erhöhen. Zur mehrmaligen Verwendung kann die Substrathaltevorrichtung daher mit größerer Materialstärke ausgebildet sein oder werden, z.B. in den Auflageflächen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann in einer Prozessieranordnung (z.B. einer Vakuumanlage und/oder einer Durchlaufanlage) ein Beschichtungsprozess (d.h. ein Beschichten des Substrats) erfolgen, wie z.B. die Kathodenzerstäubung (das so genannte Sputtern oder Magnetronsputtern). Beispielsweise können Wafer und kleinflächigere Substrate einseitig und/oder beidseitig bearbeitet werden, z.B. beschichtet werden. Eine solche Prozessieranordnung kann z.B. in der Photovoltaik eingesetzt werden, z.B. zum Herstellen zumindest eines der folgenden Zellkonzepte: einer Heteroübergang-Technologie (Heterojunction Technology - HJT) Solarzelle, einer Finger-Rückseitenkontakt (Interdigitated Back Contact- IBC) Solarzelle, einer Durchkontaktierung (Wrap-Through - WT) Solarzelle, einer (Aluminium)Rückseitenfeld (Back Surface Field - BSF) Solarzelle, einer passivierter Emitter und Rückseite (passivated emitter and rear cell -PERC) Solarzelle, einer passivierter Emitter mit lokal diffundiertem Rückseitenkontakt (passivated emitter rear locally diffused - PERL) Solarzelle, oder einer passivierter Emitter mit vollständig diffundiertem Rückseitenkontakt (passivated emitter rear totally diffused - PERT) Solarzelle. Außer der Heteroübergang-Technologie (Heterojunction Technology - HJT) Solarzellen können die genannten Zellkonzepte lediglich das einseitige Bearbeiten von Substraten, z.B. der Wafer, erfordern.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird eine Prozessieranordnung bereitgestellt zum Bearbeiten von einkristallinen Siliziumsubstraten (c-Si-Substraten). Die Prozessieranordnung kann eine Bearbeitungsvorrichtung zum Bereitstellen eines gasförmigen Beschichtungsmaterials aufweisen, z.B. eine Materialdampfquelle, z.B. eine physikalische Dampfphasenabscheidung (physical vapor deposition, PVD) Materialdampfquelle. Mittels der Prozessieranordnung kann, beispielsweise für diese Zellkonzepte, ein Bearbeiten der Substratrückseite (bzw. der Zellrückseite) erfolgen, beispielsweise zum Bilden einer Metallisierung auf der Substratrückseite, z.B. einer PVD-Metallisierung.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen werden eine Substrathaltevorrichtung und ein Verfahren zur Vergrößerten Substratausnutzung bereitgestellt, welche derart eingerichtet ist, dass Substrate (beispielsweise Wafer) jeweils einseitig und/oder beidseitig bearbeitet werden können. Beispielsweise lassen sich unter Verwendung einer PVD-Materialquelle (z.B. einem Sputtersystem) mehrere Bearbeitungsstufen realisieren.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine gleichmäßige beidseitige Beschichtung von Substraten im Vakuum bereitgestellt sein oder werden. Zur Vermeidung eines Kurzschlusses der, z.B. leitfähigen Beschichtung (Schichten) auf Substratober- und Unterseite, kann eine Isolierstrecke zwischen den beiden beschichteten Substratflächen bereitgestellt sein oder werden, z.B. mittels eines unbeschichteten Randbereichs. Beispielsweise kann ein definierter Randbereich umlaufend vor Beschichtung geschützt (abgeschattet) werden, so dass ein so genannter Randausschluss (d.h. eine unbeschichtete Ringfläche) auf dem Substrat bereitgestellt sein oder werden kann.
  • Der Substrathaltevorrichtung (Substratträger) ist derart eingerichtet, dass eine sichere Substrataufnahme realisiert wird, z.B. auf dessen ebenen Auflageflächen, sowie eine seitliche Begrenzung zur Lagefixierung der Substrate, z.B. mittels der Innenumfangswandung der Substrateinlegebereiche.
  • 14A veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht (z.B. entlang einer Auflagefläche 111a geschnitten) oder Draufsicht (z.B. senkrecht zu einer Auflagefläche 111a).
  • Die Substrathaltevorrichtung 100 kann zwei Lagerbereiche 402h (auch als Haltebereiche 402h bezeichnet) aufweisen, welche parallel zueinander verlaufen (z.B. entlang in Richtung 101). Die Lagerbereiche 402h ermöglichen die Substrathaltevorrichtung 100 entlang der Richtung (Transportrichtung), entlang der die Lagerbereiche 402h parallel zueinander verlaufen zu transportieren. Mit anderen Worten können die Lagerbereiche 402h die Transportrichtung definieren und/oder entlang dieser verlaufen. In den Lagerbereichen 402h kann die Substrathaltevorrichtung 100 gelagert oder gestützt werden zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung 100 mitsamt den in Substrathaltevorrichtung 100 gehaltenen Substraten 120 und/oder Halterahmen 132a, 132b (vergleiche 17A).
  • Die Substrathaltevorrichtung 100 kann mehrere Substrateinlegebereiche 111 aufweisen, in denen die Substrathaltevorrichtung 100 zum Einlegen der Substrate in die mehreren Substrateinlegebereiche 111 jeweils eine Aussparung aufweisen kann.
  • Die Substrathaltevorrichtung 100 kann ferner in jedem der Substrateinlegebereiche 111 eine Auflagefläche 111a aufweisen, auf welche ein Substrat aufgelegt werden kann.
  • Ferner kann die Substrathaltevorrichtung 100 in jedem der Substrateinlegebereiche 111 eine Vertiefung 111v aufweisen, welche die Auflagefläche 111a zumindest abschnittsweise (z.B. vollständig) umgibt. Beispielsweise kann die Vertiefung 111v zumindest abschnittsweise (z.B. vollständig) entlang eines geschlossenen Pfades erstreckt sein, wobei der geschlossene Pfad die Auflagefläche 111a umgibt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können mehrere Substrateinlegebereiche 111 nebeneinander in der Substrathaltevorrichtung 100 bereitgestellt sein oder werden zum Halten mehrerer Substrate, z.B. mehr als 10 Substrateinlegebereiche 111, z.B. mehr als 20 Substrateinlegebereiche 111, z.B. mehr als 50 Substrateinlegebereiche 111, z.B. mehr als 100 Substrateinlegebereiche 111. Dabei kann die Richtung 105 quer zu einer Transportrichtung sein, entlang derer die Substrathaltevorrichtung 100 in einer Prozessieranordnung zum Prozessieren der mehreren Substrate 120 transportiert werden kann.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die mehreren Substrateinlegebereiche 111 zumindest entlang der Transportrichtung (z.B. entlang der Längenrichtung 101 der Substrathaltevorrichtung 100) nebeneinander (z.B. in einer Reihe) angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich können die mehreren Substrateinlegebereiche 111 zumindest quer zur Transportrichtung (z.B. entlang der Breitenrichtung 103 der Substrathaltevorrichtung 100) nebeneinander (z.B. in einer Reihe) angeordnet sein. Beispielsweise können die mehreren Substrateinlegebereiche 111 in einem (z.B. zweidimensionalen) Raster angeordnet sein.
  • Die Auflageflächen 111a können mittels Halterahmen 132a, 132b bereitgestellt sein oder werden (vergleiche 14B) oder mittels einer Trägerplatte 102 bereitgestellt sein oder werden (vergleiche 14C), wie im Folgenden beschrieben ist.
  • 14B veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht (z.B. quer zu einer Auflagefläche 111a geschnitten), z.B. die in 14A veranschaulichte Substrathaltevorrichtung 100.
  • Die Substrathaltevorrichtung 100 kann eine Trägerplatte 102 aufweisen. Die Trägerplatte 102 kann mindestens eine Aussparung 112 aufweisen, z.B. derart, dass in der Aussparung 112 ein Halterahmen 132a, 132b aufgenommen werden kann (oder zumindest teilweise aufgenommen werden kann) zum Halten eines Substrats 120 mittels des Halterahmens 132a, 132b in der Aussparung 112.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 von den Abmessungen her sowohl an die Menge und Größe der aufzunehmenden Substrate 120 als auch an die Größe (z.B. Beschichtungsbreite und/oder Schleusenlänge) der zum Behandeln der Substrate 120 verwendeten Prozessieranordnung 500a, 500b, 500c (vergleiche 11A bis 11C) angepasst sein oder werden. Beispielsweise kann die Trägerplatte 102 (auch bezeichnet als Basis-Carrier 102) mehrere Substrate 120, z.B. Wafer, für eine PVD-Beschichtung positionieren und/oder halten.
  • Ferner kann die Substrathaltevorrichtung 100 einen in die Aussparung 112 eingelegten Halterahmen 132a, 132b aufweisen. Der Halterahmen 132a, 132b kann zumindest abschnittsweise auf der Trägerplatte 102 (z.B. auf deren Auflagefläche 102f) aufliegen. Anschaulich kann der Halterahmen 132a, 132b derart bereitgestellt sein oder werden, dass ein darin eingelegtes Substrat 120 und die Auflagefläche 132f des Halterahmens 132a, 132b sich gegenseitig zumindest teilweise abdecken oder abschirmen (maskieren), d.h. deren einander zugewandte Seiten (d.h. die zweite Seite 140b des Substrats 120). Die erste Seite 140a des Substrats 120 kann hingegen vollständig freiliegen (unbedeckt sein), z.B. zum Beschichten der ersten Seite 140a.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Halterahmen 132a, 132b derart eingerichtet sein, dass die zweite Seite 140b des Substrats 120 (anschaulich dessen Unterseite 140b) zumindest teilweise freiliegt und die erste Seite 140a des Substrats 120 (anschaulich dessen Oberseite 140a) vollständig freiliegt. Anschaulich kann der Halterahmen 132a, 132b derart bereitgestellt sein oder werden, dass dieser mindestens einen Randabschnitt eines damit gehaltenen Substrats 120 abdecken oder abschirmen (maskieren) kann, z.B. auf der zweiten Seite 140b. Dadurch kann ein Kurzschluss zwischen einer Beschichtung auf der ersten Seite 140a des Substrats 120 und einer Beschichtung auf der zweiten Seite 140b des Substrats 120 verhindert werden. Mit anderen Worten kann bei einem Beschichten der Randabschnitt des Substrats 120 unbeschichtet verbleiben, d.h. nicht mit beschichtet werden, zum Bereitstellen einer Isolierstrecke.
  • Das Substrat 120 kann z.B. ein Wafer, z.B. ein Halbleiterwafer, z.B. ein Siliziumwafer, sein. Das Substrat 120 kann vollumfänglich mit dessen Randbereich auf dem Halterahmen 132a, 132b aufliegen. Alternativ kann das Substrat 120 auch nur abschnittsweise in dessen Randbereich (z.B. bei einem eckigen Substrat 120 jeweils mit den Ecken) auf dem Halterahmen 132a, 132b aufliegen, d.h. auf dessen Auflagefläche 132f. Der Halterahmen 132a, 132b kann eine ebene (bzw. plane) Auflagefläche 132f zum Auflegen des Substrats 120 aufweisen. Der Randabschnitt des Substrats 120 kann mit der Auflagefläche 132f des Halterahmens 132a, 132b zumindest teilweise in Kontakt sein.
  • 14B veranschaulicht die Substrathaltevorrichtung 100 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren aufweisen: Einlegen eines Halterahmens 132a, 132b zum Halten eines Substrats 120 in eine Aussparung 112 in einer Trägerplatte 102, wobei der Halterahmen 132a, 132b eine (z.B. ebene) Auflagefläche 132f zum Auflegen des Substrats 120 aufweist und wobei der Halterahmen 132a, 132b eine Vertiefung 111v aufweist, welche an die Auflagefläche 132f angrenzt und diese zumindest abschnittsweise umgibt; Einlegen des Substrats 120 in die Aussparung 132 auf die Auflagefläche 132f des Halterahmens 132. Der Halterahmen 132a, 132b und das Substrat 120 können optional derart relativ zueinander eingerichtet sein, dass zwischen dem Substrat 120 und dem Rand der Aussparung 132 in dem Halterahmen 132a, 132b ein Spalt 304 verbleibt. Optional können der Halterahmen 132a, 132b, z.B. dessen Auflagefläche 132f, und das Substrat 120 derart relativ zueinander eingerichtet sein, dass die Auflagefläche 132f von dem Substrat 120 vollständig abgedeckt wird.
  • Optional kann das Einlegen des Halterahmens 132a, 132b und/oder des Substrats 120 mittels eines Magnetgreifers oder eines Sauggreifers (auch als Vakuumgreifer bezeichnet) erfolgen.
  • Der Halterahmen 132a, 132b kann eine Aussparung 132 aufweisen, welche diesen durchdringt, und z.B. die Unterseite 140b des Substrats 120 zumindest teilweise freilegt.
  • 14C veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 100 gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht analog zu 14B, z.B. die in 14A veranschaulichte Substrathaltevorrichtung 100.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Auflagefläche 102f mittels der Trägerplatte 102 bereitgestellt sein oder werden, wobei die Trägerplatte 102 eine Vertiefung 111v aufweist, welche an die Auflagefläche 102f angrenzt und diese zumindest abschnittsweise umgibt. Mit anderen Worten kann die Auflagefläche 102f mit der Trägerplatte 102 verbunden sein, z.B. einstückig (monolithisch).
  • 14C veranschaulicht die Substrathaltevorrichtung 100 in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Verfahren aufweisen: Einlegen eines Substrats 120 in eine Aussparung 112 einer Trägerplatte 102 auf eine Auflagefläche 102f der Trägerplatte 102, wobei die Trägerplatte 102 die (z.B. ebene) Auflagefläche 102f zum Auflegen des Substrats 120 aufweist und wobei die Trägerplatte 102 eine Vertiefung 111v aufweist, welche an die Auflagefläche 102f angrenzt und diese zumindest abschnittsweise umgibt. Die Trägerplatte 102 und das Substrat 120 können optional derart relativ zueinander eingerichtet sein, dass zwischen dem Substrat 120 und dem Rand der Aussparung 112 in der Trägerplatte 102 ein Spalt 304 verbleibt. Optional können die Trägerplatte 102, z.B. dessen Auflagefläche 102f, und das Substrat 120 derart relativ zueinander eingerichtet sein, dass die Auflagefläche 102f von dem Substrat 120 vollständig abgedeckt wird.
  • Im Folgenden werden verschiedene Modifikationen und Konfigurationen der Substrathaltevorrichtungen 100, 100 und 100 und Details beschrieben, wobei sich die bezüglich der 14A, 14B und/oder 14C beschriebenen grundlegenden Merkmale und Funktionsweisen analog einbeziehen lassen. Ferner können die nachfolgend beschriebenen Merkmale und Funktionsweisen analog auf die nachfolgend beschriebenen Substrathaltevorrichtungen übertragen werden und/oder die nachfolgend beschriebenen Substrathaltevorrichtungen mit der in 14A, 14B und/oder 14C beschriebenen Substrathaltevorrichtung 100, 100 und/oder 100 kombiniert werden.
  • Die Trägerplatte 102 kann eine Oberseite 102a (bzw. eine oberer Oberfläche) und eine Unterseite 102b (bzw. eine untere Oberfläche) aufweisen. Die beiden Oberflächen 102a, 102b können (z.B. zumindest abschnittsweise) planparallel zueinander sein. Die Trägerplatte 102 kann eine Dicke entlang der Richtung 105 (senkrecht zu den beiden Oberflächen 102a, 102b) in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 20 mm aufweisen, z.B. eine Dicke in einem Bereich von ungefähr 2 mm bis ungefähr 10 mm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Trägerplatte 102 (bzw. deren Auflagefläche 102f) und/oder der Halterahmen 132a, 132b (bzw. dessen Auflagefläche 132f) zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Metall, z.B. Titan, Stahl (z.B. Edelstahl) ein Halbmetall, z.B. Kohlenstoff. Alternativ oder zusätzlich kann die Trägerplatte 102 einen Verbundwerkstoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Das Oberseite 102a der Trägerplatte 102 und/oder die Unterseite 102b der Trägerplatte 102 können planar (eben) ausgebildet sein, z.B. planparallel zueinander. Das Oberseite 102a der Trägerplatte 102 und/oder die Unterseite 102b der Trägerplatte 102 können optional beschichtet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung 100, 100 und/oder 100, z.B. deren Trägerplatte 102, eine Breite entlang der Richtung 103 (entlang der Trägerplattenfläche, z.B. parallel zu den beiden Oberflächen 102a, 102b) in einem Bereich von ungefähr 10 cm bis ungefähr 5 m aufweisen, z.B. eine Breite in einem Bereich von ungefähr 1 m bis ungefähr 3 m. Ferner kann die Substrathaltevorrichtung 100, 100 und/oder 100, z.B. deren Trägerplatte 102, eine Länge (entlang der Trägerplattenfläche, z.B. parallel zu den beiden Oberflächen 102a, 102b) quer zur Breitenrichtung 103, in einem Bereich von ungefähr 10 cm bis ungefähr 5 m aufweisen, z.B. eine Länge in einem Bereich von ungefähr 0,1 m bis ungefähr 2 m, z.B. größer als 0,5 m. Die Trägerplatte 102 kann z.B. entlang deren Länge transportiert werden.
  • 15A veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 1500a gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht (z.B. quer zur Auflagefläche 111a geschnitten), wobei die Aussparung 112 der Trägerplatte 102 und/oder des Halterahmens 132a, 132b eine Innenumfangswandung 302 aufweisen kann, welche schräg bezüglich der Auflagefläche 111a verlauft, z.B. zumindest einmal geknickt.
  • 15B und 15C veranschaulichen jeweils eine Substrathaltevorrichtung 1500b gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Perspektivansicht, wobei 15B die Substrathaltevorrichtung 1500b ohne Substrat 120 und 15C die Substrathaltevorrichtung 1500b mit eingelegtem Substrat 120 zeigt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Aussparung 112 der Trägerplatte 102 und/oder des Halterahmens 132a, 132b derart bereitgestellt sein oder werden, dass zwischen dem eingelegtem Substrat 120 und der Innenumfangswandung 302 ein Spalt 304 verbleibt. Mit anderen Worten kann die Vertiefung 111v bei aufgelegtem Substrat 120 zumindest teilweise freigelegt sein, d.h. durch den Spalt 304. Der Spalt 304 kann z.B. mit einer Breite (Spaltbreite) in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 1 mm bereitgestellt sein oder werden, z.B. größer als ungefähr 0,2 mm.
    Zum Einlegen des Substrates 120 in die Substrathaltevorrichtung 1500a, z.B. in einen Halterahmen 132a, 132b (Halter) und/oder in eine Trägerplatte 102, kann es unter Berücksichtigung der Substrattoleranzen erforderlich sein den umlaufenden Spalt 304 vorzuhalten, welcher derart eingerichtet ist, dass eine sicheres Einlegen des Substrates 120 mit Größtmaß gewährleistet ist, allerdings nur ein minimaler Mittenversatz des Substrates 120 ermöglicht wird.
  • Während des Beschichtungsprozesses (Sputtern, Verdampfen etc.) wird auf der Oberseite 140a und/oder Unterseite 140b des Substrates 120 eine Schicht abgeschieden, d.h. eine Beschichtung gebildet. Das Abscheiden einer Schicht (d.h. der Schichtaufbau) erfolgt ebenfalls an der Substrathaltevorrichtung 1500a.
  • Während der Schichtaufbau auf der Unterseite der Substrathaltevorrichtung 1500a (z.B. der Trägerplatte 102 und/oder des Halterahmens 132a, 132b) nur wenig problematisch sein kann, erfolgt auf der Oberseite der Substrathaltevorrichtung 1500a (z.B. der Trägerplatte 102 und/oder des Halterahmens 132a, 132b) eine Beschichtung, welche problematisch sein kann. Es kann zu einem Schichtaufbau an den seitlichen Begrenzungsflächen (Innenumfangswandung 302), dem Spalt 304 (Einlegespalt 304) sowie der Auflagefläche 111a kommen, wenn z.B. die Vertiefung 111v nicht breit genug eingerichtet ist.
  • Daher können bei der Bemaßung der Vertiefung 111v die Maße und Toleranzen der Substrat 120 relativ zu der Aussparung 112 jeweils berücksichtigt werden. Mit anderen Worten kann der Einlegespalt 304 schmaler sein als die Vertiefung 111v. Damit kann anschaulich erreicht werden, dass die Auflagefläche 111a von einem darauf aufliegenden Substrat 120 vollständig abgeschirmt wird.
  • Wird die Auflagefläche 111a hingegen beschichtet, kann es bis zum folgenden Reinigungsintervall zu einem Schichtaufbau in der Aufnahmekontur kommen, wodurch eine sichere Substrataufnahme nicht mehr gewährleisten werden kann. Anschaulich kann eine unebene Auflagefläche 111a erzeugt werden, welche das Risiko eines Substratbruchs sowie einer Unterschichtung (z.B. Untersputtern), d.h. eine parasitäre Beschichtung, im Randbereich der Substratunterseite erhöht, und so eine Unterbrechung des Randausschlusses (Ausschussteil) erzeugt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann eine umlaufende Vertiefung 111v (Freistichkontur) bereitgestellt sein oder werden, welche einen Anteil der Schicht (Schichtanteil) bis zur folgenden Reinigung aufnehmen kann. Die Substratauflagefläche 111a wird somit vor Beschichtung geschützt. Mit anderen Worten kann die Tiefe der Vertiefung 111v an die Abstände der Reinigungsintervalle und der Dicke dazwischen abgeschiedener Schichten angepasst sein oder werden.
  • Bezugnehmend auf 4A kann die Aussparung 112 der Trägerplatte 102 und/oder des Halterahmens 132a, 132b beispielsweise im Wesentlichen quaderförmig sein und somit (z.B. von oben gesehen) vier Eckbereiche 412e und vier Kantenbereiche 412i aufweisen. Alternativ kann die Aussparung 112 der Trägerplatte 102 und/oder des Halterahmens 132a, 132b jede andere geeignete Form aufweisen, z.B. angepasst an die Form des Substrats 120. Beispielsweise kann die Aussparung 112 der Trägerplatte 102 und/oder jede andere geeignete Form aufweisen, z.B. angepasst an die Form des Halterahmens 132a, 132b.
  • Bezugnehmend auf 4B können mehrere Aussparung 112 nebeneinander in der Substrathaltevorrichtung 400b, z.B. deren Trägerplatte 102, bereitgestellt sein oder werden zum Halten mehrerer Substrate 120 (z.B. mittels jeweiliger Halterahmen 132a, 132b), z.B. mehr als 10 Aussparung 112, z.B. mehr als 20 Aussparung 112, z.B. mehr als 50 Aussparung 112, z.B. mehr als 100 Aussparung 112. Dabei kann die Richtung 105 quer zu einer Transportrichtung sein, entlang derer die Substrathaltevorrichtung 400b in einer Prozessieranordnung zum Prozessieren der mehreren Substrate 120 transportiert werden kann.
    Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können mehrere Aussparungen 112 zumindest entlang der Transportrichtung (z.B. entlang der Längenrichtung 101 der Trägerplatte 102) nebeneinander (z.B. in einer Reihe) angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich können mehrere Aussparungen 112 zumindest quer zur Transportrichtung (z.B. entlang der Breitenrichtung 103 der Trägerplatte 102) nebeneinander (z.B. in einer Reihe) angeordnet sein. Beispielsweise können die mehreren Aussparungen 112 in einem (z.B. zweidimensionalen) Raster angeordnet sein.
  • Bezugnehmend auf 11A kann die Prozessieranordnung 500a eine erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und ein zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b aufweisen.
  • Die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a kann zum Bearbeiten zumindest eines Substrats 120, z.B. dessen erster Seite 140a, eingerichtet sein, z.B. zum Beschichten, zum Bestrahlen, zum Ätzen, usw. Die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b kann zum Bearbeiten des Substrats 120, z.B. dessen zweiter Seite 140b, eingerichtet sein, z.B. zum Beschichten, zum Bestrahlen, zum Ätzen, usw., z.B. gleich oder unterschiedlich zur ersten Bearbeitungsvorrichtung 510a.
  • Die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und/oder die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b können zum Beschichten (d.h. zum Bereitstellen eines gasförmigen Beschichtungsmaterials) zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: eine physikalische Materialdampfquelle (zum Beschichten mittels physikalischer Gasphasenabscheidung), wie z.B. ein Magnetron (auch als Sputterquelle bezeichnet, optional in Verbindung mit einer Reaktivgasquelle zum reaktiven Sputtern), einen Laserstrahlverdampfer, einen Lichtbogenverdampfer, einen Elektronenstrahlverdampfer und/oder einen thermischen Verdampfer; oder eine chemische Materialdampfquelle (zum Beschichten mittels chemischer Gasphasenabscheidung), wie z.B. eine Reaktionsgasquelle optional in Verbindung mit einer Plasmaquelle (zum Beschichten mittels plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung).
  • Alternativ oder zusätzlich können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und/oder die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b zum Abtragen von Material zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: eine Plasmaquelle, eine Ionenstrahlquelle oder eine Ätzgasquelle. Alternativ oder zusätzlich können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und/oder die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b zum Bestrahlen zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: eine Ionenstrahlquelle, eine Elektronenstrahlquelle oder eine Lichtquelle (z.B. Blitzlampen und/oder Laser).
  • Wie in 11A veranschaulicht ist, können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b derart angeordnet sein, dass diese dasselbe Substrat 120 bearbeiten. Dann können sich deren Prozessierbereiche zumindest teilweise überlappen. Beispielsweise können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b übereinander angeordnet sein.
  • Bezugnehmend auf 11B können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b derart angeordnet sein, dass diese unterschiedliche Substrate 120 bearbeiten. Dann können deren Prozessierbereiche einen Abstand voneinander aufweisen. Beispielsweise können die erste Bearbeitungsvorrichtung 510a und die zweite Bearbeitungsvorrichtung 510b versetzt zueinander angeordnet sein, z.B. entlang der Transportrichtung und/oder quer zur Transportrichtung.
  • 11A und 11B veranschaulichen jeweils die Prozessieranordnung 500a, 500b in einem Verfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen. Das Verfahren kann aufweisen die Unterseite 140b des Substrats 120 zu bearbeiten. Das Bearbeiten der Unterseite 140b des Substrats 120 kann zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: Beschichten, Bestrahlen, Abtragen, Reinigen, Erhitzen, Umwandeln (z.B. chemisch und/oder strukturell), Dotieren (z.B. chemisch), Polieren.
  • Alternativ oder zusätzlich kann das Verfahren aufweisen die Oberseite 140a des Substrats 120 zu bearbeiten. Das Bearbeiten der Oberseite 140a des Substrats 120 kann zumindest eines von Folgendem aufweisen oder daraus gebildet sein: Beschichten, Bestrahlen, Abtragen, Reinigen, Erhitzen, Umwandeln (z.B. chemisch und/oder strukturell), Dotieren (z.B. chemisch), Polieren.
  • Das Bearbeiten der Unterseite 140b des Substrats 120 kann gleich sein zu dem Bearbeiten der Oberseite 140a des Substrats 120. Alternativ kann das Bearbeiten der Unterseite 140b des Substrats 120 unterschiedlich sein zu dem Bearbeiten der Oberseite 140a des Substrats 120.
  • Bezugnehmend auf 11C kann eine Prozessieranordnung 500c Folgendes aufweisen: eine Prozessierkammer 512 zum einseitigen und/oder beidseitigen Prozessieren 313, 323 (Bearbeiten) mehrerer Substrate 120; und eine Transportvorrichtung 522 zum Transportieren und/oder Positionieren der mehreren Substrate 120 in einem Prozessierbereich 520 (hier exemplarisch nur ein Prozessierbereich dargestellt) einer Bearbeitungsvorrichtung 510a, 510b.
  • Die Transportvorrichtung 522 kann z.B. mehrere Transportrollen aufweisen, deren äußerer Umfang eine Transportfläche definiert, entlang derer eine Substrathaltevorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsformen transportiert werden kann. Die Transportfläche kann zumindest abschnittsweise eben verlaufen (dann auch als Transportebene bezeichnet) und/oder zumindest abschnittsweise gekrümmt verlaufen. Zum Transportierten einer Substrathaltevorrichtung durch die Prozessierkammer 512 hindurch können beispielsweise einseitig gelagerte Transportrollen verwendet werden, welche auf gegenüberliegenden Seiten der Substrathaltevorrichtung angeordnet sind und diese in deren Lagerbereichen 402h halten (so dass beispielsweise dazwischen eine Bearbeitungsvorrichtung angeordnet sein kann). Ferner kann die Substrathaltevorrichtung auch in einen Träger eingelegt sein oder werden oder mittels eines Trägers transportiert werden.
  • Die Prozessierkammer 512 kann als Vakuumkammer oder als Atmosphärendruckkammer oder als Überdruckkammer eingerichtet sein und/oder betrieben werden. Die Prozessierkammer 512 kann derart eingerichtet sein, dass darin eine Prozessumgebung (aufweisend Prozessdruck, Prozessgaszusammensetzung, Prozesstemperatur, usw.) eingestellt und/oder geregelt werden kann. Beispielsweise kann die Prozessierkammer 512 druckstabil (z.B. bis mindestens 1 bar Druckunterschied), gasdicht und/oder staubdicht eingerichtet sein. Das Bearbeiten des Substrats 120 und/oder der Substrate 120 kann in einem Überdruck (größer 1 bar), Atmosphärendruck ungefähr 1 bar, Unterdruck (kleiner 1 bar) oder Vakuum (kleiner 0,3 bar), z.B. Feinvakuum (kleiner 1 mbar), z.B. Hochvakuum (kleiner 10-3 bar), z.B. Ultrahochvakuum (kleiner 10-7 bar), erfolgen. Zum Einstellen und/oder Regeln der Prozessgaszusammensetzung kann dem Inneren der Prozessierkammer 512 ein Gas aufweisend zumindest ein Reaktivgas und/oder ein Arbeitsgas zugeführt werden, z.B. mittels einer Gaszuführung. Zum Einstellen und/oder Regeln des Prozessdrucks kann die Prozessierkammer 512 mit einer Pumpenanordnung aufweisend zumindest eine Vorpumpe und/oder eine Vakuumpumpe gekuppelt sein, welche das Innere der Prozessierkammer 512 abpumpen. Zum Einstellen und/oder Regeln der Prozesstemperatur kann die Prozessieranordnung 500c Heizvorrichtungen und/oder Kühlvorrichtungen aufweisen, welche dem Inneren der Prozessierkammer 512, oder zumindest den darin transportierten Substraten 120 thermische Energie zuführen (zum Heizen) oder entziehen (zum Kühlen) können.
  • Beispielsweise kann das Substrat 120 oder können die Substrate 120, z.B. einer Substratlage, mit zumindest einem von Folgendem Beschichtet werden: eine funktionale Schicht, eine Korrosionsschutzschicht, eine optisch aktive Schicht, eine Schutzschicht, eine elektrisch leitfähige Schicht, eine elektrisch isolierende Schicht, eine Versiegelung, eine Keimschicht, eine Oberflächenveredelung. Beispielsweise kann eine funktionale Schicht auf Folie oder Hartmaterial aufgebracht werden (z.B. für die Batterietechnik). Beispielsweise kann eine Metallbeschichtung und/oder eine Beschichtung aus dielektrischem Material auf Glas aufgebracht werden (z.B. für Brillen, Fenster, Handys und/oder Architekturgas). Beispielsweise kann eine elektrisch leitfähige Schutzschicht, eine funktionale Schicht oder eine Korrosionsschutzschicht auf eine Metallfolie aufgebracht werden (z.B. für die Brennstoffzellentechnik). Beispielsweise kann eine Keimschicht auf einen Wafer aufgebracht werden (z.B. für die Halbleitertechnik). Die Keimschicht kann z.B. Nickel (Ni) und/oder Kupfer (Cu) aufweisen oder daraus gebildet sein. Die Keimschicht kann nachfolgend galvanisch weiter beschichtet werden, z.B. zum Ausbilden von Metallschichten.
  • 16A und 16B veranschaulichen jeweils eine Substrathaltevorrichtung 600a gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Perspektivansicht, wobei 16A die Substrathaltevorrichtung 600a ohne Substrat 120 und 16B die Substrathaltevorrichtung 600a mit eingelegtem Substrat 120 zeigt.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung 600a zumindest einen ausgestülpten Eckbereich 412e (z.B. einen ausgestülpten Eckbereich 412e oder mehrere ausgestülpte Eckbereiche 412e) aufweisen. Die Vertiefung 111v kann dem zumindest einen ausgestülpten Eckbereich 412e konform folgen. Die Auflagefläche 111a kann in dem zumindest einen ausgestülpten Eckbereich 412e abgeschrägt sein, z.B. wenn das Substrat 120 eine abgeschrägte Ecke aufweist.
  • Die Vertiefung 111v kann in Form eine Nut ausgebildet sein.
  • Der zumindest eine ausgestülpte Eckbereich 412e kann einen Abstand der Innenumfangswandung 302 zu dem Substrat 120 vergrößern, was eine Gefahr einer Berührung von Substrat 120 und Innenumfangswandung 302 in dem zumindest einen ausgestülpten Eckbereich 412e reduziert. Mit anderen Worten kann der Spalt 304 zwischen Substrat 120 und Innenumfangswandung 302 in dem zumindest einen ausgestülpten Eckbereich 412e vergrößert bereitgestellt sein. Damit kann eine Verringerung der Gefahr des Substratbruchs erreicht werden.
  • 17A veranschaulicht eine Substrattransportvorrichtung 1700a gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittansicht (z.B. quer zu der Auflagefläche 111a und/oder quer zur Transportrichtung geschnitten). Die Auflagefläche 111a kann z.B. entlang der Transportrichtung ausgerichtet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrattransportvorrichtung 1700a ein Transportsystem zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung aufweisen, wobei das Transportsystem zwei Versteifungselemente 812 derart aufweist, dass die Substrattransportvorrichtung 700, z.B. deren Trägerplatte 102, in den zwei Lagerbereichen 402h gehalten bzw. gestützt wird, z.B. nur in den zwei Lagerbereichen 402h. Der Transport der auf die Versteifungselemente 812 gestützten Substrattransportvorrichtung 1700a kann beispielsweise mittels Transportrollen, Ketten, Stangen oder eines anderen geeigneten Transportmittels erfolgen.
  • Aufgrund der Lagerung der Substrattransportvorrichtung 1700a kann sich diese beispielsweise durchbiegen, z.B. mit einer maximalen Durchbiegung 705 in der Mitte der Substrattransportvorrichtung 1700a, z.B. deren Trägerplatte 102. Bei der Verwendung von Halterahmen 132a, 132b zum Halten der jeweiligen Substrate 120 können die Halterahmen 132a, 132b von der Substrattransportvorrichtung 1700a, z.B. deren Trägerplatte 102, entkoppelt sein, so dass sich die Durchbiegung 705 der Trägerplatte 102 geringfügig oder gar nicht negativ auf die Substrate 120 auswirken und/oder überträgt. Beispielsweise kann mittels der Halterahmen 132a, 132b eine planare Auflagefläche 132f für die Substrate 120 bereitgestellt werden, unabhängig von der Durchbiegung 705.
  • 17B veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 1700b gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittansicht (z.B. quer zu der Auflagefläche 111a) geschnitten. Die Auflagefläche 111a kann z.B. entlang der Transportrichtung ausgerichtet sein.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Auflagefläche 132f eine Ausdehnung 710 in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 10 mm aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,2 mm bis ungefähr 5 mm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,5 mm bis ungefähr 2 mm.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Aussparung 132 des Substrateinlegebereichs 111, z.B. des Halterahmens 132a, 132b, eine Ausdehnung 728 (z.B. entlang der Auflagefläche 132f, z.B. auf Höhe der Auflagefläche 132f, und/oder entlang der Trägerplattenfläche 102e) in einem Bereich von ungefähr 50 mm bis ungefähr 500 mm aufweisen, z.B. in einem Bereich von ungefähr 100 mm bis ungefähr 250 mm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 150 mm bis ungefähr 160 mm, z.B. ungefähr 154 mm. Die Ausdehnung 728 kann dem Abstand der Innenumfangswandung 302 an gegenüberliegenden Abschnitten entsprechen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Abschattungsbereich auf dem Substrat 120 eine Ausdehnung 714 (von der Kante des Substrats in Richtung Mitte des Substrats gemessen) in einem Bereich von ungefähr 2 mm bis ungefähr 20 mm bereitgestellt sein oder werden, z.B. in einem Bereich von ungefähr 3 mm bis ungefähr 10 mm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 3 mm bis ungefähr 4 mm. Unter dem Abschattungsbereich kann der Bereich verstanden werden, in welchem Menge des deponierten Materials durch die Nähe zur Substrathaltevorrichtung 1700b (z.B. der Innenumfangswandung 302) beeinflusst wird, d.h. reduziert ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Höhe der Innenumfangswandung 302 und deren Neigung von dem Abschattungsbereich bestimmt sein oder werden. Beispielsweise kann diese in einer Einhüllenden mit einem Winkel 716 in einem Bereich von ungefähr 40° bis ungefähr 80° liegen, z.B. ungefähr 60°.
  • Die Neigung, der Winkel 718, der Innenumfangswandung 302 (z.B. auf Höhe der Auflagefläche 132f, d.h. in einem oberen Abschnitt der Innenumfangswandung 302) kann einen Wert bezüglich einer Normalenrichtung 105, welche senkrecht zu der Auflagefläche 132f verläuft und/oder senkrecht zu der Trägerplattenfläche 102e verläuft, aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 40°, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10° bis ungefähr 30°, z.B. ungefähr 20°.
  • Analog kann die Neigung, der Winkel 720, der Innenumfangswandung 302 (z.B. in einem unteren Abschnitt der Innenumfangswandung 302) einen Wert bezüglich einer Normalenrichtung 105 aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0° bis ungefähr 20°, z.B. ungefähr 10°. Mit anderen Worten kann die Innenumfangswandung 302 in einem oberen Abschnitt und/oder einem unteren Abschnitt eine Fase aufweisen.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Abstand 726 der Auflagefläche 132f an deren gegenüberliegenden Abschnitten kleiner sein als die Ausdehnung 728 der Aussparung 132, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,5 mm bis ungefähr 10 mm kleiner, z.B. in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 5 mm kleiner, z.B. in einem Bereich von ungefähr 2 mm bis ungefähr 4 mm kleiner.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Vertiefung 111v (z.B. ein Spalt) zwischen der Auflagefläche 132f und dem Rand 302 der Aussparung (mit anderen Worten der Innenumfangswandung 302) des Halterahmens 132a, 132b eine Breite 724 (Spaltbreite), z.B. parallel zur Auflagefläche 132f, z.B. in der Ebene der Auflagefläche 132f gemessen (d.h. auf Höhe der Auflagefläche 132f gemessen), aufweisen, welche an die Breite des aufzunehmenden Substrats 120 angepasst sein kann, z.B. eine Breite 724 in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 1,5 cm, z.B. eine Breite 724 von weniger als 1 cm, 0,5 cm, 1 mm, 500 µm, 300 µm oder 200 µm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 10 mm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,2 mm bis ungefähr 5 mm, z.B. in einem Bereich von ungefähr 0,5 mm bis ungefähr 2 mm, z.B. ungefähr 0,8 mm. Die Vertiefung 111v kann eine Tiefe 722 (quer zur Auflagefläche 132f) in einem Bereich von ungefähr 0,1 mm bis ungefähr 1,5 mm aufweisen, z.B. eine Tiefe von weniger als 1 mm, 0,5 mm und/oder mehr als 200 µm oder 300 µm.
  • Analog dazu kann die Aussparung 112, die Auflagefläche 132f und die Vertiefung 111v in der Trägerplatte 102 geformt sein, wenn z.B. kein Halterahmen 132a, 132b verwendet wird.
  • 18A veranschaulicht eine Substrathaltevorrichtung 800a gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einer schematischen Querschnittsansicht oder Draufsicht (analog zu 14A).
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann die Substrathaltevorrichtung 800a zumindest ein Versteifungselement 812 (z.B. zwei oder mehr als zwei Versteifungselemente 812) aufweisen, welches sich zwischen den zwei Lagerbereichen 402h und in diese hinein erstreckt. Das zumindest eine Versteifungselement 812 kann sich anschaulich quer zur Transportrichtung erstrecken und die Durchbiegung 705 reduzieren. In dem zumindest einen Versteifungselement 812 kann die Substrathaltevorrichtung 800a eine größere Ausdehnung (anschaulich eine Dicke, z.B. in Richtung 105) aufweisen als in den Lagerbereichen 402h (Haltebereiche 402h) und/oder in den Substrateinlegebereichen 111. Das zumindest eine Versteifungselement 812 kann beispielsweise mit den einander gegenüberliegenden Versteifungselementen 812 in den Lagerbereichen 402h verbunden sein. Somit kann eine flächige Versteifung der Substrathaltevorrichtung 800a, z.B. deren Trägerplatte 102, erreicht werden.
  • 18B veranschaulicht ein Verfahren 800b gemäß verschiedenen Ausführungsformen in einem schematischen Ablaufdiagramm.
  • Das Verfahren 800b weist in 801 das Einlegen eines Substrats in einen Substrateinlegebereich einer Substrathaltevorrichtung auf. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann das Substrat eine erste Seite und eine zweite Seite aufweisen, welche der ersten Seite gegenüberliegt; wobei die zweite Seite des Substrats in körperlichem Kontakt mit einer Auflagefläche des Substrateinlegebereichs ist; und wobei das Substrat eine kleinere Ausdehnung parallel zu der Auflagefläche aufweist als die Aussparung des Substrateinlegebereichs, z.B. kleiner ist als ein Durchmesser der Innenumfangswandung des Substrateinlegebereichs (z.B. auf Höhe der Auflagefläche gemessen).
  • Das Verfahren 800b weist in 801 das Bearbeiten der ersten Seite des Substrats auf. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen können die Auflagefläche und das Substrat derart relativ zueinander eingerichtet sein, dass die Auflagefläche von dem Substrat vollständig gegenüber dem Bearbeiten abgeschirmt wird. Mit anderen Worten kann das Substrat die Auflagefläche vollständig abdecken.
  • Beispiele gemäß verschiedenen Ausführungsformen sind im Folgenden beschrieben:
    • Beispiel 1c. Substrathaltevorrichtung 100, aufweisend:
      • zwei parallel zueinander verlaufende Lagerbereiche 402h, an welchen die Substrathaltevorrichtung 100 zum Transportieren dieser gelagert werden kann;
      • und mehrere zwischen den zwei Lagerbereichen 402h angeordnete Substrateinlegebereiche 111, von denen jeder Substrateinlegebereich 111 eine Aussparung 112 und eine Auflagefläche 111a zum Halten eines Substrats 120 in der Aussparung 112 aufweist; und
      • von denen jeder Substrateinlegebereich 111 eine Vertiefung 111v aufweist, welche an die Auflagefläche 111a angrenzt und diese zumindest abschnittsweise umgibt.
    • Beispiel 2c. Substrathaltevorrichtung 100 gemäß Beispiel 1c, wobei sich die Aussparung 112 zumindest eines Substrateinlegebereichs 111 der mehreren Substrateinlegebereiche 111 durch die Substrathaltevorrichtung 100 hindurch erstreckt.
    • Beispiel 3c. Substrathaltevorrichtung 100 gemäß Beispiel 1c oder 2c, wobei die Vertiefung 111v zumindest eines Substrateinlegebereichs 111 der mehreren Substrateinlegebereiche 111 an eine Innenumfangswandung der jeweiligen Aussparung 112 angrenzt.
    • Beispiel 4c. Substrathaltevorrichtung 100 gemäß einem der Beispiele 1c bis 3c, ferner eine Trägerplatte 102 aufweisend; wobei die Auflagefläche 111a zumindest eines Substrateinlegebereichs 111 der mehreren Substrateinlegebereiche 111 mit der Trägerplatte 102 verbunden ist; und/oder wobei die Auflagefläche 111a zumindest eines Substrateinlegebereichs 111 der mehreren Substrateinlegebereiche 111 mittels eines Halterahmens 132a, 132b bereitgestellt ist, welcher in eine Aussparung 112 der Trägerplatte 102 eingelegt, zumindest abschnittsweise auf einer Auflagefläche 111a der Trägerplatte 102 aufliegt.
    • Beispiel 5c. Substrathaltevorrichtung 100 gemäß Beispiel 4c, ferner aufweisend: wobei sich die Aussparungen 112 der Trägerplatte 102 durch die Trägerplatte 102 hindurch erstreckt.
    • Beispiel 6c. Substrathaltevorrichtung 100 gemäß einem der Beispiele 1c bis 5c, wobei die Auflagefläche 111a zumindest eines Substrateinlegebereichs 111 der mehreren Substrateinlegebereiche 111 planar ist.
    • Beispiel 7c. Substrathaltevorrichtung 100 gemäß einem der Beispiele 1c bis 6c, wobei die Auflagefläche 111a zumindest eines Substrateinlegebereichs 111 der mehreren Substrateinlegebereiche 111 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist.
    • Beispiel 8c. Substrathaltevorrichtung 100 gemäß einem der Beispiele 1c bis 7c, ferner aufweisend:
      • zumindest ein Versteifungselement 812, welches sich zwischen den zwei Lagerbereichen 402h und in diese hinein erstreckt, und/oder
      • mehrere parallel zueinander verlaufende Versteifungselemente 812, von denen zumindest ein Versteifungselement 812 in einem Lagerbereich 402h der zwei Lagerbereiche 402h angeordnet ist.
    • Beispiel 9c. Prozessieranordnung 500a, 500b, 500c, aufweisend:
      • eine Prozessierkammer 512;
      • eine Bearbeitungsvorrichtung 510a, 510b, welche in der Prozessierkammer 512 einen Prozessierbereich definiert;
      • eine Substrathaltevorrichtung 100 gemäß einem der Beispiele 1c bis 8c; und
      • eine Transportvorrichtung 522 zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung 100 in dem Prozessierbereich, wobei die Transportvorrichtung 522 zum Lagern der Substrathaltevorrichtung 100 in deren zwei Lagerbereichen 402h eingerichtet ist.
    • Beispiel 10c. Prozessieranordnung 500a, 500b, 500c gemäß Beispiel 9c, ferner aufweisend: eine weitere Bearbeitungsvorrichtung 510b, wobei die Transportvorrichtung 522 zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung 100 zwischen der Bearbeitungsvorrichtung 510a und der weiteren Bearbeitungsvorrichtung 510b eingerichtet ist.
    • Beispiel 11c. Verfahren 800b, aufweisend:
      • Einlegen 801 eines Substrats 120 in eine Aussparung 112 einer Substrathaltevorrichtung 100 in deren Substrateinlegebereich 111, wobei das Substrat 120 eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, welche der ersten Seite gegenüberliegt; wobei die zweite Seite des Substrats 120 in körperlichem Kontakt mit einer Auflagefläche 111a des Substrateinlegebereichs 111 ist;
      • wobei das Substrat eine kleinere Ausdehnung parallel zu der Auflagefläche 111a aufweist als die Aussparung 112 des Substrateinlegebereichs 111;
      • Bearbeiten 803 der ersten Seite des Substrats 120, wobei die Auflagefläche 111a und das Substrat derart relativ zueinander eingerichtet sind, dass die Auflagefläche 111a von dem Substrat vollständig gegenüber dem Bearbeiten abgeschirmt wird.
  • 19A und 19B veranschaulichen jeweils eine Substrathaltevorrichtung jeweils in einer schematischen Draufsicht, gemäß verschiedenen Ausführungsformen.
  • Die Substrathaltevorrichtung 1900a, 1900b kann eine Trägerplatte 102 mit einer Aussparung 112 aufweisen. Die Aussparung 112 kann sich von einer Oberseite 102a der Trägerplatte 102 zu einer Unterseite 102b der Trägerplatte 102 durch die Trägerplatte 102 hindurch erstrecken.
  • Die Substrathaltevorrichtung 1900a, 1900b kann einen Halterahmen 132a aufweisen. Der Halterahmen 132a kann eine Rahmenöffnung 132 (auch als Aussparung 132 bezeichnet) aufweisen. Die Rahmenöffnung 132 kann sich von einer Oberseite 102a des Halterahmens 132a zu einer Unterseite 102b des Halterahmens 132a durch den Halterahmen 132a hindurch erstrecken.
  • Der Halterahmen 132a kann eine die Rahmenöffnung 132 umgebende Auflagefläche 111a zum Halten eines Substrats 120 in der Aussparung 112 aufweisen. Der in die Aussparung 112 eingelegte Halterahmen 132a kann zumindest abschnittsweise auf der Trägerplatte 102 aufliegen.
  • Der Halterahmen 132a der Substrathaltevorrichtung 1900b kann einen Freistich 111v (eine Vertiefung 111v) aufweisen, welche die Auflagefläche 111a umgibt.
  • 20A und 20B veranschaulichen jeweils ein Diagramm gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wobei der Druck 2005 (in Millibar) im Rezipienten über der Zeit 2003 (in Stunden) veranschaulicht ist.
  • Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann der Halterahmen einen Kunststoff (Polymer) aufweisen oder daraus gebildet sein, z.B. Polyetheretherketon (PEEK). Ein Verfahren zum Herstellen des Halterahmen kann aufweisen: Bereitstellen eines Grundkörpers, welcher PEEK aufweist oder daraus gebildet ist; Bilden des Halterahmen aus dem Grundkörper mittels Zerspanens des Grundkörpers, z.B. gemäß einer vorgegebenen Figur (oder dreidimensionalen Models).
  • Das Zerspanen kann kostenintensiv sein. Daher können Halterahmen aus PEEK in niedrigen Stückzahlen bei vorgegebenem Budget bereitgestellt werden. Ein solcher Halterahmen lässt sich beispielsweise Wiederaufbereiten (Mehrwegverwendung).
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Halterahmen Polyphenylensulfid (PPS, kann auch als Marke „Fortron“ bezeichnet werden) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ein Verfahren zum Herstellen des Halterahmen kann aufweisen: Bereitstellen eines Gusskörpers; Bilden des Halterahmen mittels Einspritzens von PPS in den Gusskörper und Aushärten des PPS. Alternativ kann der Halterahmen einen anderen thermoplastischen Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein (d.h. spritzgussfähig sein).
  • Polyphenylensulfid lässt sich im Spritzgussverfahren formen, was kostengünstiger sein kann als das Zerspanen. Daher können Halterahmen aus Polyphenylensulfid in hohen Stückzahlen bei vorgegebenem Budget bereitgestellt werden. Ein solcher Halterahmen lässt sich beispielsweise als Einwegteil verwenden (Einwegverwendung). In dem Fall können Kosten durch das Wiederaufbereiten eingespart werden. Beispielsweise kann (bei Einwegverwendung) auf ein Reinigen des Halterahmens verzichtet werden, was z.B. ein verringertes Ausgasen des Halterahmens zur Folge hat. Das Reinigen kann beispielsweise zu einem so genannten Schwammeffekt führen, bei dem der Kunststoff Bestandteile der zum Reinigen verwendeten Stoffe aufnimmt und erste im Vakuum wieder abgibt.
  • Alternativ oder zusätzlich kann der Kunststoff ein Polyimid (z.B. Hochtemperatur-Polyimid, z.B. so genanntes TECASINT) und/oder Polytetrafluorethylen (PTFE) aufweisen oder daraus gebildet sein.
    Optional kann der Kunststoff Teil eines Verbundmaterials sein. Das Verbundmaterial kann den Kunststoff und einen Feststoff aufweisen, welcher (der Feststoff) z.B. härter als der Kunststoff ist und/oder eine größere Wärmebeständigkeit (Zersetzungstemperatur, Schmelztemperatur und/oder Glasübergangstemperatur) als der Kunststoff aufweist. Der Feststoff kann Partikel (Feststoffpartikel), Flocken und/oder Fasern (Feststofffasern) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Feststoff kann ein Polymer (z.B. PTFE), ein Mineral, eine Keramik, Kohlenstoff in einer Kohlenstoffmodifikation (z.B. Kohle, Graphit oder Ruß), Oxid, Karbid, Nitrid, Sulfid (z.B. Molybdändisulfid) und/oder Glas (z.B. Glaspartikel und/oder Gasfasern) aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann das Verbundmaterial den Kunststoff und einen Feststoff (z.B. PTFE, Leitruß oder Graphit) aufweisen, welcher eine geringere Gleitreibung als der Kunststoff und/oder eine größere elektrische Leitfähigkeit als der Kunststoff aufweist. Beispielsweise kann das Verbundmaterial mineralverstärkten und/oder glasverstärkten Kunststoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Alternativ oder zusätzlich kann das Verbundmaterial Graphit und/oder PTFE (Polytetrafluorethylen) aufweisen.
  • Der Halterahmen, bzw. der Kunststoff und/oder das Verbundmaterial, kann eine Dauertemperaturbeständigkeit (d.h. eine Schmelztemperatur, Glasübergangstemperatur und/oder Zersetzungstemperatur) von mehr als ungefähr 150°C aufweisen, z.B. von mehr als ungefähr 200°C, z.B. von mehr als ungefähr 300°C, z.B. von mehr als ungefähr 400°C, z.B. in einem Bereich von ungefähr 200°C bis ungefähr 500°C oder von mehr als ungefähr 500°C.
  • Der Halterahmen, bzw. der Kunststoff und/oder das Verbundmaterial, kann eine Wärmeformbeständigkeit (HDT/A, d.h. nach Methode A) aufweisen, z.B. für eine Temperatur von mehr als ungefähr 150°C aufweisen, z.B. von mehr als ungefähr 200°C, z.B. von mehr als ungefähr 300°C, z.B. von mehr als ungefähr 400°C, z.B. in einem Bereich von ungefähr 200°C bis ungefähr 500°C (z.B. ungefähr 470°C) oder von mehr als ungefähr 500°C. Der Halterahmen, bzw. der Kunststoff und/oder das Verbundmaterial, kann elektrisch isolierend sein, z.B. eine elektrische Leitfähigkeit von weniger als ungefähr 10-6 S/m aufweisen, z.B. von weniger als ungefähr 10-7 S/m, z.B. von weniger als ungefähr 10-8 S/m, z.B. von weniger als ungefähr 10-9 S/m, z.B. von weniger als ungefähr 10-10 S/m, z.B. von weniger als ungefähr 10-11 S/m, z.B. von weniger als ungefähr 10-12 S/m.
  • Der Kunststoff des Halterahmens kann vakuumtauglich sein. Vakuumverträglich (auch als vakuumtauglich bezeichnet) kann gemäß verschiedenen Ausführungsformen verstanden werden, als dass ein Material (auch als Stoff bezeichnet) einen geringen Dampfdruck aufweist (mit anderen Worten so wenig wie möglich ausgast), z.B. einen Dampfdruck (gemessen bei Raumtemperatur) von weniger als ungefähr 10-13 mbar, z.B. weniger als ungefähr 10-7 mbar, z.B. in einem Bereich von ungefähr 10-5 mbar bis ungefähr 10-15 mbar. Ferner kann der Dampfdruck auch bei erhöhter Temperatur gering sein, z.B. bei 200°C weniger als ungefähr 10-5 mbar betragen.
  • Eine solche Messung zur Ausgasung von Kunststoff ist in Diagramm 2000a und 2000b beispielhaft gezeigt. Vor der jeweiligen Messung kann der Kunststoff und/oder der Rezipient 24 Stunden im Hochvakuum konditioniert werden, was die Fehleranfälligkeit des Messergebnisses verringert. Die Belüftungszeit des Rezipienten kann ungefähr eine Stunde an Umgebungsluft betragen.
  • Der Kunststoff kann eine Wasserabsorption von weniger als ungefähr 1% aufweisen, z.B. von weniger als ungefähr 0,5%, z.B. von weniger als ungefähr 0,1%, z.B. ungefähr 0,02%. Der Kunstsoff kann geruchlos sein.
  • Zur Messung zur Ausgasung kann eine Saugvermögen/Durchsatzmethode verwendet werden. Der Gasstrom pro Fläche ergibt sich aus dem an der Probe wirksamen, effektiven Saugvermögen und dem gemessenen Druck. Nach Abzug einer Referenzmessung mit leerem Rezipienten ergibt sich die Menge an ausgegastem Material (Ausgasung).
    Diagramm 2000a veranschaulich die Abpumpkurven 2002a, 2002b für PEEK (PEEK-Konditionierung 2002a und PEEK-Messung 2002b) und die Abpumpkurven 2004a, 2004b für PSS (PSS-Konditionierung 2004a und PSS-Messung 2004b). Die Abpumpkurven können zusätzlich von Temperaturschwankungen und/oder Druckschwankungen verfälscht werden. Die entsprechenden bereinigten Abpumpkurven (PEEK-Konditionierung 2002a und PEEK-Messung 2002b, PSS-Konditionierung 2004a und PSS-Messung 2004b) sind in Diagramm 2000b dargestellt.
  • 21A und 21B veranschaulichen jeweils ein Diagramm 2100a, 2100b gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wobei die Desorptionsrate 2105 (in Millibar und Liter pro Sekunde - mbar·l/s) bzw. die gewichtsnormierte Desorptionsrate (in Millibar und Liter pro Sekunde und pro Gramm - mbar·l/(s·g)) über der Zeit 2003 (in Stunden) veranschaulicht sind.
  • Die Ausgasung (Desorptionsrate) von PEEK ist um einen Faktor 4 geringer als die Ausgasung (Desorptionsrate) von PSS. Das Zeitverhalten ist für beide Materialien vergleichbar, allerdings „sättigt“ PEEK bei längeren Zeiten (mehr als 10 Stunden, entspricht 10 h).
  • Die Desorptionsrate 2105 des Kunststoffes des Halterahmens kann keiner sein als ungefähr 10-5 mbar ·l/s, z.B. kleiner als ungefähr 8, 3 ·10-6 mbar · l/s (z.B. nach 1 h) für PSS, z.B. kleiner als ungefähr 3, 1·10-6 mbar · l/s (z.B. nach 4 h) für PSS, z.B. kleiner als ungefähr 2·10-6 mbar-l/s (z.B. nach 10 h) für PSS und/oder z.B. kleiner als ungefähr 3,3 ·10-5 mbar · l/s (z.B. nach 1 h) für PEEK, z.B. kleiner als ungefähr 1, 6 ·10-5 mbar · l/s (z.B. nach 4 h) für PEEK, z.B. kleiner als ungefähr 1,1·10-5 mbar-l/s (z.B. nach 10 h) für PEEK.
  • Die Zeitkonstante der Desorptionsrate (entspricht dem linearen Verlauf in doppellogarithmischer Darstellung 2100a, 2100b) kann kleiner sein als ungefähr 1, z.B. kleiner als ungefähr 0,9, z.B. ungefähr 0,87 für PSS und 0,85 für PEEK.
  • In Diagramm 2100b sind die in Diagramm 2100a gezeigten Daten normiert auf das Gewicht veranschaulicht.
  • Die gewichtsbezogene Desorption von PSS (Masse der Probe z.B. ungefähr 26,6 g) ist niedriger (Faktor 2 bis 3) als von PEEK (Masse der Probe z.B. ungefähr 53,2 g).
  • Die gewichtsnormierte Desorptionsrate 2105g des Kunststoffes des Halterahmens kann keiner sein als ungefähr 10-6 mbar · l/(s · g), z.B. kleiner als ungefähr 3, 1 ·10-7 mbar · l/(s ·g) (z.B. nach 1 h) für PSS, z.B. kleiner als ungefähr 1,2 ·10-7 mbar · l/(s ·g) (z.B. nach 4 h) für PSS, z.B. kleiner als ungefähr 7,4·10-8 mbar · l/(s ·g) (z.B. nach 10 h) für PSS und/oder z.B. kleiner als ungefähr 6, 1 ·10-7 mbar · l/(s ·g) (z.B. nach 1 h) für PEEK, z.B. kleiner als ungefähr 2, 9 ·10-7 mbar · l / (s·g) (z.B. nach 4 h) für PEEK, z.B. kleiner als ungefähr 2, 1 ·10-7 mbar · l/(s ·g) (z.B. nach 10 h) für PEEK.
  • 22A und 22B veranschaulichen jeweils ein Diagramm 2200a, 2200b gemäß verschiedenen Ausführungsformen, wobei die volumennormierte Desorptionsrate 2205a (in Millibar und Liter pro Sekunde und pro Kubikzentimeter- mbar·l/(s-cm3)) bzw. die oberflächennormierte Desorptionsrate (in Millibar und Liter pro Sekunde und pro Quadratzentimeter - mbar·l/(s-cm2)) über der Zeit 2003 (in Stunden) veranschaulicht sind.
  • Die volumenbezogene Desorption von PSS (Volumen der Probe z.B. ungefähr 14 Milliliter) ist niedriger (Faktor 1 bis 2) als von PEEK (Volumen der Probe z.B. ungefähr 41 Milliliter).
  • Die volumennormierte Desorptionsrate 2205a des Kunststoffes des Halterahmens kann keiner sein als ungefähr 10-6 mbar · l/(s ·cm3), z.B. kleiner als ungefähr 5, 8 ·10-7 mbar · l/(s ·cm3) (z.B. nach 1 h) für PSS, z.B. kleiner als ungefähr 2,2 ·10-7 mbar · l/(s ·cm3) (z.B. nach 4 h) für PSS, z.B. kleiner als ungefähr 1,4·10-7 mbar · l/(s ·cm3) (z.B. nach 10 h) für PSS und/oder z.B. kleiner als ungefähr 7, 9 ·10-7 mbar · l/(s ·cm3) (z.B. nach 1 h) für PEEK, z.B. kleiner als ungefähr 3, 8 ·10-7 mbar · l/(s ·cm3) (z.B. nach 4 h) für PEEK, z.B. kleiner als ungefähr 2, 8 ·10-7 mbar · l/(s ·cm3) (z.B. nach 10 h) für PEEK.
  • Die oberflächenbezogene Desorption von PSS (Oberfläche der Probe z.B. ungefähr 110 cm2) ist niedriger (z.B. ungefähr Faktor 4 bis 5) als von PEEK (Oberfläche der Probe z.B. ungefähr 120 cm2)
  • Die oberflächennormierte Desorptionsrate 2205b des Kunststoffes des Halterahmens kann keiner sein als ungefähr 10-2 mbar · l/(s ·cm2), z.B. kleiner als ungefähr 7,5 ·10-4 mbar · l/(s ·cm2) (z.B. nach 1 h) für PSS, z.B. kleiner als ungefähr 2, 8 ·10-4 mbar · l/ (s·cm2) (z.B. nach 4 h) für PSS, z.B. kleiner als ungefähr 1, 8 ·10-4 mbar · l/(s ·cm2) (z.B. nach 10 h) für PSS und/oder z.B. kleiner als ungefähr 2,7·10-3 mbar · l/(s ·cm2) (z.B. nach 1 h) für PEEK, z.B. kleiner als ungefähr 1,3 · 10-3 mbar · l/(s ·cm2) (z.B. nach 4 h) für PEEK, z.B. kleiner als ungefähr 9, 5 ·10-4 mbar · l/(s ·cm2) (z.B. nach 10 h) für PEEK.
  • PSS kann eine niedrigere Desorptionsrate als PEEK aufweisen.

Claims (20)

  1. Substrattransportvorrichtung, aufweisend: eine Substrathaltevorrichtung (100) und ein Transportsystem zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung (100), wobei die Substrathaltevorrichtung aufweist: • eine Trägerplatte (102) mit einer Aussparung (112), wobei sich die Aussparung (112) von einer Oberseite (102a) der Trägerplatte (102) zu einer Unterseite (102b) der Trägerplatte (102) durch die Trägerplatte (102) hindurch erstreckt; und • einen Halterahmen (132a), welcher eine Rahmenöffnung (132) und eine die Rahmenöffnung (132) umgebende Auflagefläche (111a) zum Halten eines Substrats (120) in der Aussparung (112) aufweist; • wobei der in die Aussparung (112) eingelegte Halterahmen (132a) abschnittsweise auf der Trägerplatte (102) aufliegt; • zwei Haltebereiche (402h), an welchen die Trägerplatte (102) zum Transportieren der Trägerplatte (102) gelagert werden kann, wobei die Aussparung (112) zwischen den zwei Haltebereichen (402h) angeordnet ist; wobei das Transportsystem zwei Halteelemente (712) derart aufweist, dass die Trägerplatte (102) der Substrathaltevorrichtung (100) nur in den zwei Haltebereichen (402h) gehalten wird; und wobei die Aussparung (112) im Wesentlichen quaderförmig ist und vier Eckbereiche (412e) aufweist, und wobei der Halterahmen (132a) nur in den Eckbereichen (412e) der Aussparung (112) auf der Trägerplatte (102) aufliegt.
  2. Substrattransportvorrichtung, aufweisend: eine Substrathaltevorrichtung (100) und ein Transportsystem zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung (100), wobei die Substrathaltevorrichtung aufweist: • eine Trägerplatte (102) mit einer Aussparung (112), wobei sich die Aussparung (112) von einer Oberseite (102a) der Trägerplatte (102) zu einer Unterseite (102b) der Trägerplatte (102) durch die Trägerplatte (102) hindurch erstreckt; und • einen Halterahmen (132a), welcher eine Rahmenöffnung (132) und eine die Rahmenöffnung (132) umgebende Auflagefläche (111a) zum Halten eines Substrats (120) in der Aussparung (112) aufweist; • wobei der in die Aussparung (112) eingelegte Halterahmen (132a) abschnittsweise auf der Trägerplatte (102) aufliegt; • zwei Haltebereiche (402h), an welchen die Trägerplatte (102) zum Transportieren der Trägerplatte (102) gelagert werden kann, wobei die Aussparung (112) zwischen den zwei Haltebereichen (402h) angeordnet ist; und • einen weiteren Halterahmen (132b), welcher abschnittsweise auf dem Halterahmen (132a) aufliegt; wobei das Transportsystem zwei Halteelemente (712) derart aufweist, dass die Trägerplatte (102) der Substrathaltevorrichtung (100) nur in den zwei Haltebereichen (402h) gehalten wird.
  3. Substrattransportvorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei die zwei Halterahmen (132a, 132b) derart eingerichtet sind, dass zwischen den zwei in der Aussparung (112) angeordneten Halterahmen (132a, 132b) ein Aufnahmeraum (130) zum Aufnehmen eines Randabschnitts des Substrats (120) bereitgestellt ist.
  4. Substrattransportvorrichtung gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei der weitere Halterahmen (132b) eine weitere Auflagefläche zum Halten eines weiteren Substrats (120b) über dem Substrat aufweist.
  5. Substrattransportvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei die zwei Halterahmen (132a, 132b) derart eingerichtet sind, dass diese beim Auflegen des weiteren Halterahmens (132b) auf den Halterahmen (132a) formschlüssig ineinander greifen.
  6. Substrattransportvorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei die zwei Halterahmen (132a, 132b) mehrere paarweise zueinander passende Zentrierstrukturen (336) aufweisen, so dass die beiden Halterahmen (132a, 132b) beim Auflegen des weiteren Halterahmens (132b) auf den Halterahmen (132a) zueinander zentriert werden.
  7. Substrattransportvorrichtung gemäß Anspruch 6, wobei die zwei Halterahmen (132a, 132b) passend zur Aussparung (112) eine im Wesentlichen quaderförmige Außenkontur mit vier Außen-Eckabschnitten aufweisen, und wobei die zueinander passende Zentrierstrukturen in den vier Außen-Eckabschnitten angeordnet sind.
  8. Substrattransportvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 7, wobei jeweils eine Innenumfangswandung der zwei Halterahmen (132a, 132b) eine Fase aufweist.
  9. Substrattransportvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 8, die Substrathaltevorrichtung (100) ferner aufweisend: einen noch weiteren Halterahmen (132c), wobei der noch weitere Halterahmen (132c) in die Aussparung (112) eingelegt über dem weiteren Halterahmen (132b) angeordnet ist derart, dass zwischen dem noch weiteren Halterahmen (132c) und dem weiteren Halterahmen (132b) ein Aufnahmeraum (130) zum Aufnehmen eines Randabschnitts des weiteren Substrats (120b) bereitgestellt ist.
  10. Substrattransportvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 2 bis 9, die Substrathaltevorrichtung (100) ferner aufweisend: eine Entlüftungsöffnung (302o) zum Abpumpen eines Spalts zwischen dem Halterahmen (132a) und dem weiteren Halterahmen (132b).
  11. Substrattransportvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, der Halterahmen ferner aufweisend: eine Vertiefung (111v), welche an die Auflagefläche (111a) angrenzt und diese zumindest abschnittsweise umgibt.
  12. Substrattransportvorrichtung gemäß Anspruch 11, wobei die Vertiefung (111v) an eine Innenumfangswandung des Halterahmens angrenzt.
  13. Substrattransportvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die Auflagefläche (111a) planar ist.
  14. Substrattransportvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Halterahmen (132a) ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist.
  15. Substrattransportvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Halterahmen (132a) einen Kunststoff und/oder einen Verbundwerkstoff aufweist oder daraus gebildet ist.
  16. Prozessieranordnung, aufweisend: • eine Prozessierkammer zum beidseitigen Prozessieren mehrerer Substrate (120) in einem Prozessierbereich der Prozessierkammer; und • eine Substrattransportvorrichtung zum Transportieren und/oder Positionieren der mehreren Substrate (120) in dem Prozessierbereich, wobei die Substrattransportvorrichtung eine Substrathaltevorrichtung (100) und ein Transportsystem zum Transportieren der Substrathaltevorrichtung (100), aufweist; wobei die Substrathaltevorrichtung aufweist: • eine Trägerplatte (102) mit einer Aussparung (112), wobei sich die Aussparung (112) von einer Oberseite (102a) der Trägerplatte (102) zu einer Unterseite (102b) der Trägerplatte (102) durch die Trägerplatte (102) hindurch erstreckt; und • einen Halterahmen (132a), welcher eine Rahmenöffnung (132) und eine die Rahmenöffnung (132) umgebende Auflagefläche (111a) zum Halten eines Substrats (120) in der Aussparung (112) aufweist; • wobei der in die Aussparung (112) eingelegte Halterahmen (132a) abschnittsweise auf der Trägerplatte (102) aufliegt; • zwei Haltebereiche (402h), an welchen die Trägerplatte (102) zum Transportieren der Trägerplatte (102) gelagert werden kann, wobei die Aussparung (112) zwischen den zwei Haltebereichen (402h) angeordnet ist; und wobei das Transportsystem zwei Halteelemente (712) derart aufweist, dass die Trägerplatte (102) der Substrathaltevorrichtung (100) nur in den zwei Haltebereichen (402h) gehalten wird.
  17. Prozessieranordnung gemäß Anspruch 16, ferner aufweisend: zwei Bearbeitungsvorrichtungen (510a, 510b), wobei das Transportsystem zum Transportieren und/oder Positionieren der Substrathaltevorrichtung (100) zwischen den zwei Bearbeitungsvorrichtungen (510a, 510b) eingerichtet ist.
  18. Verfahren zum Prozessieren eines Substrats, das Verfahren aufweisend: • Einlegen eines Halterahmens (132a) zum Halten des Substrats in eine Aussparung (112) in einer Trägerplatte (102), wobei der Halterahmen (132a) eine Auflagefläche zum Auflegen des Substrats (120) aufweist; • Einlegen des Substrats (120) auf die Auflagefläche des Halterahmens (132a); und • beidseitiges Bearbeiten des Substrats (120) während dieses mittels des Halterahmens (132a) in der Aussparung (112) gehalten wird, wobei das beidseitige Bearbeiten aufweist, das Substrat (120) durch eine Rahmenöffnung (132) des Halterahmens (132a) hindurch zu bearbeiten; • Transportieren der Trägerplatte (102) mittels eines Transportsystems mit zwei Haltelementen, wobei die Trägerplatte (102) mittels der zwei Haltelemente nur in zwei Haltebereichen (402h) gehalten wird, zwischen denen die Aussparung (112) angeordnet ist.
  19. Substrathaltevorrichtung (100), aufweisend: • eine Trägerplatte; • zwei parallel zueinander verlaufende Haltebereiche (402h), an welchen die Substrathaltevorrichtung (100) zum Transportieren dieser gelagert werden kann; und • mehrere zwischen den zwei Haltebereichen (402h) angeordnete Substrateinlegebereiche (111), von denen jeder Substrateinlegebereich (111) eine Aussparung (112) aufweist, welche sich von einer Oberseite (102a) der Trägerplatte (102) zu einer Unterseite (102b) der Trägerplatte (102) durch die Trägerplatte (102) hindurch erstreckt, und von denen jeder Substrateinlegebereich (111) einen Halterahmen (132a) aufweist, welcher eine Rahmenöffnung (132) und eine die Rahmenöffnung (132) umgebende Auflagefläche (111a) zum Halten eines Substrats (120) in der Aussparung (112) aufweist, • wobei der in die Aussparung (112) eingelegte Halterahmen (132a) abschnittsweise auf der Trägerplatte (102) aufliegt; und • wobei die Aussparung (112) im Wesentlichen quaderförmig ist und vier Eckbereiche (412e) aufweist, und wobei der Halterahmen (132a) nur in den Eckbereichen (412e) der Aussparung (112) auf der Trägerplatte (102) aufliegt.
  20. Substrathaltevorrichtung (100), aufweisend: • eine Trägerplatte; • zwei parallel zueinander verlaufende Haltebereiche (402h), an welchen die Substrathaltevorrichtung (100) zum Transportieren dieser gelagert werden kann; und • mehrere zwischen den zwei Haltebereichen (402h) angeordnete Substrateinlegebereiche (111), von denen jeder Substrateinlegebereich (111) eine Aussparung (112) aufweist, welche sich von einer Oberseite (102a) der Trägerplatte (102) zu einer Unterseite (102b) der Trägerplatte (102) durch die Trägerplatte (102) hindurch erstreckt, von denen jeder Substrateinlegebereich (111) einen Halterahmen (132a) aufweist, welcher eine Rahmenöffnung (132) und eine die Rahmenöffnung (132) umgebende Auflagefläche (111a) zum Halten eines Substrats (120) in der Aussparung (112) aufweist, und von denen jeder Substrateinlegebereich (111) einen weiteren Halterahmen (132b) aufweist, welcher abschnittsweise auf dem Halterahmen (132a) aufliegt; • wobei der in die Aussparung (112) eingelegte Halterahmen (132a) abschnittsweise auf der Trägerplatte (102) aufliegt.
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