JP2000150403A - 保温筒および縦型熱処理装置 - Google Patents

保温筒および縦型熱処理装置

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JP2000150403A
JP2000150403A JP10316035A JP31603598A JP2000150403A JP 2000150403 A JP2000150403 A JP 2000150403A JP 10316035 A JP10316035 A JP 10316035A JP 31603598 A JP31603598 A JP 31603598A JP 2000150403 A JP2000150403 A JP 2000150403A
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wafer boat
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Yasushi Sakai
裕史 酒井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 コストアップを抑制しつつ保持具支持の安定
性を向上させる。 【解決手段】 多数枚の被処理体Wを保持した保持具2
0を熱処理炉3内に炉口2側から支持すると共にその炉
口2を断熱する保温筒21において、前記保温筒21は
保持具20を支持する4本の支柱27を有し、これらの
支柱27を正方形以外の変則配置にしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、保温筒および縦型
熱処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、被処理体である半導体ウエハに酸化、拡散、CVD
(化学気相成長)、アニール等の処理を施すために、各
種の熱処理装置が使用されている。例えば、多数枚の半
導体ウエハのバッチ処理が可能な縦型熱処理装置は、下
部に炉口を有する縦型の熱処理炉を備えており、その炉
口を開閉する蓋体上に多数枚の半導体ウエハを水平状態
で上下方向に所定間隔で配列保持する保持具たるウエハ
ボートを保温筒を介して載置することにより、炉口を保
温筒で断熱すると共に、半導体ウエハを炉内の均熱領域
に位置設定して熱処理するように構成されている。
【0003】前記保温筒としては、ウエハボートを支持
する複数本の支柱を有し、これらの支柱に遮熱板を取付
けた構造のものが知られている。前記支柱の理想的な配
置は、正三角形であるが、この場合、正三角形からなる
支持面積が狭いためにウエハボートが倒れやすいという
問題があった。この問題を解消するために、ウエハボー
トをなるべく広い面積で支えらるように支柱を正方形に
配置したり、あるいは、支柱の本数を更に増やして多角
形(例えば六角形)に配置したりすることが行われてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、平面を
決定するのは3点であることにより、支柱を正方形配置
にした保温筒にあっては、厳密に言えば、実際にウエハ
ボートを支えているのは正方形配置の4本の支柱のうち
の3本であり、これら3本の支柱からなる三角形の辺と
ウエハボートの重心位置が極めて近くなることから、転
倒し難い一方でウエハボートが不安定となり、がたつき
やすくなるという問題があった。このウエハボートのが
たつきは、ウエハボート上の半導体ウエハの芯ずれ等に
よるトラブルの要因になるため、好ましくない。一方、
支柱の本数を増やした保温筒にあっては、コストアップ
の要因となる問題があった。
【0005】そこで、本発明は、前記課題を解決すべく
なされたもので、コストアップを抑制しつつ保持具支持
の安定性を向上させた保温筒および縦型熱処理装置を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項1
に係る発明は、多数枚の被処理体を保持した保持具を熱
処理炉内に炉口側から支持すると共にその炉口を断熱す
る保温筒において、前記保温筒が保持具を支持する4本
の支柱を有し、これらの支柱を正方形以外の変則配置に
したことを特徴とする。
【0007】請求項2に係る発明は、請求項1記載の保
温筒において、前記支柱が前記保持具の偏心した重心に
近い方を下底とした等脚台形に配置されていることを特
徴とする。
【0008】請求項3に係る発明は、熱処理炉の下部の
炉口を開閉する蓋体の上部に、多数枚の被処理体を上下
方向に所定間隔で保持した保持具を保温筒を介して載置
し、前記被処理体を炉内の均熱領域で熱処理する熱処理
装置において、前記保温筒が保持具を支持する4本の支
柱を有し、これらの支柱が前記保持具の偏心した重心に
近い方を下底とした等脚台形に配置されていることを特
徴とする。
【0009】請求項4に係る発明は、請求項3記載の縦
型熱処理装置において、前記等脚台形の下底側が装置の
メンテナンス側に臨んでいることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。
【0011】図1において、1は減圧下でのCVD処理
や拡散処理に適するように構成された縦型熱処理装置
で、この熱処理装置1は下部に炉口2を有する熱処理炉
3を備えている。この熱処理炉3は、石英製の反応管4
と、この反応管4の周囲に設けられヒーター5とから主
に構成されている。
【0012】前記反応管4は、内管4aと外管4bの二
重管構造になっている。内管4aは、上端および下端が
開放されている。外管4bは、上端が閉塞され、下端が
開放されている。前記反応管4の下部には、内管4a内
に処理ガスを導入するガス導入部6と、内管4aと外管
4bとの間を排気する排気部7とを有する筒状好ましく
は短円筒状のマニホールド8が設けられている。
【0013】このマニホールド8は、耐熱性および耐食
性を有する材料、例えばステンレス鋼により形成されて
いる。ガス導入部6は、L字状のインジェクタ管からな
り、マニホールド8の内側フランジ部9よりも下方の側
壁を気密に貫通し、処理ガスを反応管4内に下方から導
入すべく内管4aの内壁に沿って立上がって配置されて
いる。前記ガス導入部6は、ガス種に対応してマニホー
ルド8の周方向に複数設けられている。
【0014】前記排気部7は、マニホールド8の内側フ
ランジ部9よりも上方の側壁に排気管部として突設され
ている。排気部7には、真空ポンプを有する排気系が接
続され、反応管4内を減圧排気して所定の処理圧力例え
ば50〜700Torrに制御可能になっている。
【0015】前記マニホールド8の上端と下端には、外
向きのフランジ部10,11が一体に形成されており、
上端フランジ部10の上面には、外管4の下端フランジ
部12が図示しない気密部材例えばOリングを介して載
置され、フランジ押え13により固定されている。マニ
ホールド8は、ベースプレート14の下部に取付けられ
ており、このベースプレート14の上部に前記ヒーター
5が設置されている。ヒーター5は、上端が閉塞された
円筒状の断熱部材15を有し、この断熱部材15の内周
に発熱抵抗線16が配設されており、炉内を所定の処理
温度例えば300〜1000℃に加熱制御可能になって
いる。前記断熱部材15の周囲は、冷却ジャケット17
で覆われている。
【0016】熱処理炉3の下方には、マニホールド8か
らなる炉口2を開閉する例えばステンレス鋼製の蓋体1
8がローディング機構である昇降機構19により昇降可
能に設けられている。蓋体18には、マニホールド8の
下端フランジ部11との間をシールするための図示しな
い気密部材例えばOリングが設けられている。この蓋体
18の上部には、多数枚例えば150枚程度の被処理体
(被処理基板)である半導体ウエハWを水平状態で上下
方向に所定間隔で多段に保持した保持具である石英製の
ウエハボート20が保温筒21を介して載置され、この
保温筒21により炉口2が断熱されていると共に半導体
ウエハWが炉内の均熱領域に位置設定されている。半導
体ウエハWとしては、例えば直径が300mmのものが
適用される。
【0017】前記ウエハボート20は、図1、図6ない
し図7に示すように、底板22と天板23との間に円板
状の半導体ウエハWの周囲を囲む如く配置された複数本
例えば3本の縦枠24を掛け渡し、これらの縦枠24に
は半導体ウエハWを保持するための溝25が上下方向に
所定間隔で多数設けられている。前記縦枠24は、図示
しない移載機構により水平方向から半導体ウエハの移載
が可能なように一方(前方)が開放された配置構成にな
っている。なお、前記移載機構は、舌片状の移載アーム
を有し、この移載アーム上に半導体ウエハを載せてウエ
ハボート等に対する移載作業を前記熱処理炉1よりも下
方のローディングエリアで行うようになっている。
【0018】前記ウエハボート20は、前記配置構成の
縦枠24を有する構造上、円形の底板22の中心Cより
も若干後側に重心Gが偏心している。ウエハボート20
の重心Gの偏心量は、ウエハボート20の形状によって
異なる。ウエハボート20の底板22には、中心Cから
所定半径R例えばR=200mmの円形の開口部26が
形成されており、その開口部26の内周縁部が保温筒2
1の支柱27により支持されるようになっている。
【0019】前記保温筒21は、4本の支柱27を有す
る石英製の保温筒本体28と、この保温筒本体28の支
柱27に沿って上下方向(高さ方向)に適宜間隔で積層
配置された遮熱板29とから主に構成されている。前記
保温筒本体28は、図2、図4ないし図5に示すよう
に、円板状のベース部30を有し、このベース部30の
上面に4本の支柱27が立設されている。これら支柱2
7の下方には、ベース部30よりも直径の大きい石英製
の固定遮熱板31が一体的に設けられていることによ
り、支柱27がベース部から折れないように補強されて
いる。
【0020】支柱27は、軽量化によるハンドリング性
の向上、強度の確保および熱容量の減少等を図るため
に、上端が閉塞され、下端が開放された中空円筒状に形
成されていることが好ましい。また、減圧熱処理時にお
ける真空引き性の向上および炉内雰囲気の置換性の向上
を図るために、支柱27の側壁には通気孔32が高さ方
向に適宜間隔で形成されていることが好ましい。
【0021】前記支柱27は、ウエハボート20を支持
する上での倒れ難さと安定性の向上を図るために、平面
から見て正方形以外の変則配置例えば台形配置好ましく
は等脚台形配置とされている。この場合、支柱27は、
図3の(a)に示すように、前記ウエハボート20の底
板22の開口部26と同じ半径の円周33上に配置され
ている。前記支柱27は、ウエハボート20の重心Gに
近い方を下底(下辺)cdとした等脚台形abcdに配
置されていることが好ましい。
【0022】また、等脚台形abcdの下底cdの長さ
は、図3の(b)に示した正方形配置の場合の正方形e
fghの一辺ghの長さとほぼ同じ長さとされているこ
とが好ましい。これにより、4本の支柱27のうちの2
本の支柱の間隔ないし位置が定まる。更に、ウエハボー
ト20の重心Gの偏心量によっても異なるが、重心Gを
中心点とし、重心Gから等脚台形abcdの下底cdに
下ろした垂線の長さGkを半径とする円34を描いた場
合、支柱27は、等脚台形abcdの両斜辺ac,bd
が当該円34に内接するか、もしくは接近するように配
置されていることが好ましい。これにより、等脚台形a
bcdの上底(上辺)abの長さ、すなわち他の2本の
支柱の間隔ないし位置が定まる。
【0023】前記支柱27の上端部には、ウエハボート
20の底板22の下面を受ける水平な受面35と、底板
22の開口部26の内周部に係合して底板22が水平方
向に位置ずれしないように規制する係合突部36とが形
成されている。また、ウエハボート20の周方向の位置
決めをするために、少なくとも1本の支柱27の上端部
における受面35には凸部37が、ウエハボート20の
底板22にはその凸部37と係合する凹部38が形成さ
れている。
【0024】前記蓋体18の上部には、保温筒21のベ
ース部30を載置するための受台39が設けられ、この
受台39の周縁部には、ベース部30の水平移動を規制
する縁39aが形成されている。受台39は、半導体ウ
エハWを均一に熱処理するために回転駆動手段によって
回転可能に構成されていることが好ましい。また、保温
筒21の周方向の位置決めをするために、受台39には
凸部40が、ベース部30の周縁部にはその凸部40と
係合する凹部41が設けられている。
【0025】このように構成された保温筒本体28に
は、図1に示すように、支柱27に沿って複数段に遮熱
板29が取付けられる。これらの遮熱板29は、支柱2
7の下方に設けられた固定遮熱板31とほぼ同径の石英
製であり、遮熱板29には、支柱27を挿通するための
図示しない挿通穴が設けられていると共に、遮熱板29
を適宜間隔で積層するためのスぺーサ29aが設けられ
ている。遮熱板29としては、複数枚例えば3〜5枚一
組として一体化したものを複数組例えば二組積み重ねる
ように構成されていてもよい。
【0026】また、遮熱板29としては、炭化珪素製で
あってもよく、石英製の遮熱板と炭化珪素製の遮熱板を
組み合わせて用いるようにしてもよい。なお、積層され
た最上部の遮熱板29と、ウエハボート20の底板22
との間には、ウエハボート20を搬送するための図示し
ないボート搬送機構の平面C字状の搬送アームが挿入可
能な空間部42が設けられている。また、遮熱板29に
は、蓋体18を貫通して炉内に挿入される図示しない温
度検知管との干渉を避けるための切欠部43が設けられ
ている(図4参照)。
【0027】以上のように構成された縦型熱処理装置1
においては、先ず昇降機構19により蓋体18をローデ
ィングエリアに降下させ、蓋体18上に保温筒21を介
して載置されたウエハボート20に対して移載機構によ
り半導体ウエハWを移載する。次に、前記蓋体18を上
昇させてウエハボート20および保温筒21を熱処理炉
3内に搬入して、炉口2を蓋体18で密閉する。前記保
温筒21により炉口2が断熱されると共に、ウエハボー
ト20が炉内の均熱領域に位置設定される。
【0028】次に、排気部7からの減圧排気により熱処
理炉3の反応管4内を真空置換すると共に、ガス導入部
6からの不活性ガス例えば窒素ガスの導入により反応管
4内を窒素ガスで置換した後、ヒーター5により半導体
ウエハWを所定の処理温度まで昇温させたなら、ガス導
入部6から所定の処理ガスを導入しつつ反応管4内を所
定の減圧状態に維持して成膜処理等の熱処理を行う。こ
の熱処理が終了したなら、蓋体18を降下させてウエハ
ボート20を保温筒21と共にローディングエリアに搬
出すればよい。
【0029】前記縦型熱処理装置1ないし保温筒21に
よれば、保温筒21がウエハボート20を支持する4本
の支柱27を有し、これらの支柱27を正方形以外の変
則配置例えば台形配置好ましくは等脚台形配置にしてい
るため、正方形配置の場合よりもウエハボート20の支
持の安定性を向上させることができると共に、多角形配
置の場合よりもコストの低減が図れる。この場合、図3
の(a)に示すように、前記支柱27が前記ウエハボー
ト20の偏心した重心Gに近い方を下底cdとした等脚
台形abcdに配置されているため、4本の支柱27の
うちウエハボート20を実際に支持する3本の支柱から
なる三角形acdの面において、図3の(b)の正方形
配置の場合の三角形eghよりも三角形acdの中心に
近い所にウエハボート20の重心Gが位置するようにな
り、ウエハボート20の支持の更なる安定性の向上が図
れる。
【0030】これにより、ウエハボート20のがたつき
に起因するウエハボート20上の半導体ウエハWの芯ず
れ等によるトラブルの発生を抑制して半導体ウエハWの
歩留まりの向上が図れる。また、前記等脚台形abcd
の下底cd側が装置のメンテナンス側(作業員がメンテ
ナンスを行うために立つ側)に臨んでいるため、等脚台
形abcdからなる支持面がメンテナンス方向に長くな
ってメンテナンス方向からの衝撃力に強くなり、メンテ
ナンス時に作業員が誤ってウエハボート20に接触した
としても、ウエハボート20は正方形配置の場合よりも
倒れ難い。
【0031】保温筒21の支柱27の配置構成において
は、転倒し難さの面では、一般的に正方形配置の方が優
れているが、ウエハボート20の重心Gが構造上若干偏
心しているため、正方形配置の場合でもウエハボート2
0が重心Gの偏心している方向へ倒れやすい。転倒し難
さは、ウエハボート20の重心Gから4本の支柱27か
らなる四角形efghの各辺までの距離で表わせるが、
正方形配置の場合での最短距離を台形配置の場合でも維
持しているため、転倒し難さの面では正方形配置の場合
と遜色ない。むしろ、メンテナンス時に作業員が装置後
方からアクセスすることを考えれば、装置後方からウエ
ハボート20を押し倒すことに対しては、正方形配置よ
りも台形配置の方が有利であるため、全体として台形配
置の方が優れている。
【0032】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、被処理体としては、
半導体ウエハに限定されず、例えばガラス基板、LCD
基板等であってもよい。また、本発明を構成する熱処理
炉は、酸化、拡散、CVD等の成膜、アニールの処理の
うちの少なくとも一つの処理が可能に構成されていれば
よい。熱処理炉を構成する反応管としては、二重管構成
のものが好ましいが、単管構成のものでもよい。
【0033】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
【0034】(1)請求項1に係る発明によれば、多数
枚の被処理体を保持した保持具を熱処理炉内に炉口側か
ら支持すると共にその炉口を断熱する保温筒において、
前記保温筒が保持具を支持する4本の支柱を有し、これ
らの支柱を正方形以外の変則配置にしているため、コス
トアップを抑制しつつ保持具支持の安定性を向上させる
ことができる。
【0035】(2)請求項2に係る発明によれば、前記
支柱が前記保持具の偏心した重心に近い方を下底とした
等脚台形に配置されているため、4本の支柱のうち保持
具を実際に支持する3本の支柱からなる三角形の面にお
いて、正方形配置の場合よりも三角形の中心に近い所に
保持具の重心が位置するようになり、保持具支持の更な
る安定性の向上が図れる。
【0036】(3)請求項3に係る発明によれば、熱処
理炉の下部の炉口を開閉する蓋体の上部に、多数枚の被
処理体を上下方向に所定間隔で保持した保持具を保温筒
を介して載置し、前記被処理体を炉内の均熱領域で熱処
理する熱処理装置において、前記保温筒が保持具を支持
する4本の支柱を有し、これらの支柱が前記保持具の偏
心した重心に近い方を下底とした等脚台形に配置されて
いるため、コストアップを抑制しつつ保持具支持の安定
性を向上させることができ、保持具上の被処理体の芯ず
れ等によるトラブルの発生を抑制して歩留まりの向上が
図れる。
【0037】(4)請求項4に係る発明によれば、前記
等脚台形の下底側が装置のメンテナンス側に臨んでいる
ため、等脚台形からなる支持面がメンテナンス方向に長
くなってメンテナンス方向からの衝撃力に強くなり、メ
ンテナンス時に作業員が誤って保持具に接触したとして
も、保持具は正方形配置の場合よりも倒れ難い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態である縦型熱処理装置を示
す縦断面図である。
【図2】保温筒本体を概略的に示す斜視図である。
【図3】ウエハボートの重心と保温筒の支柱の配置との
関係を示す図で、(a)は台形配置の場合の平面図、
(b)は正方形配置の場合の平面図である。
【図4】保温筒本体の平面図である。
【図5】図4のA−A線方向から見た保温筒本体の一部
断面側面図である。
【図6】ウエハボートの部分的縦断面図である。
【図7】同ウエハボートの底面図である。
【符号の説明】
1 縦型熱処理装置 2 炉口 3 熱処理炉 W 半導体ウエハ(被処理体) 18 蓋体 20 ウエハボート(保持具) 21 保温筒 27 支柱

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 多数枚の被処理体を保持した保持具を熱
    処理炉内に炉口側から支持すると共にその炉口を断熱す
    る保温筒において、前記保温筒が保持具を支持する4本
    の支柱を有し、これらの支柱を正方形以外の変則配置に
    したことを特徴とする保温筒。
  2. 【請求項2】 前記支柱が前記保持具の偏心した重心に
    近い方を下底とした等脚台形に配置されていることを特
    徴とする請求項1記載の保温筒。
  3. 【請求項3】 熱処理炉の下部の炉口を開閉する蓋体の
    上部に、多数枚の被処理体を上下方向に所定間隔で保持
    した保持具を保温筒を介して載置し、前記被処理体を炉
    内の均熱領域で熱処理する熱処理装置において、前記保
    温筒が保持具を支持する4本の支柱を有し、これらの支
    柱が前記保持具の偏心した重心に近い方を下底とした等
    脚台形に配置されていることを特徴とする縦型熱処理装
    置。
  4. 【請求項4】 前記等脚台形の下底側が装置のメンテナ
    ンス側に臨んでいることを特徴とする請求項3記載の縦
    型熱処理装置。
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