JP3359324B2 - 半導体製造用加熱装置 - Google Patents
半導体製造用加熱装置Info
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- JP3359324B2 JP3359324B2 JP2000283319A JP2000283319A JP3359324B2 JP 3359324 B2 JP3359324 B2 JP 3359324B2 JP 2000283319 A JP2000283319 A JP 2000283319A JP 2000283319 A JP2000283319 A JP 2000283319A JP 3359324 B2 JP3359324 B2 JP 3359324B2
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- heat
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造用加熱
装置に係るもので、詳しくは、ウェーハボートの下側に
反射板が設置された熱遮断手段により加熱炉内の熱が下
部に移動されることを遮断して、熱損失を最小化させる
半導体製造用加熱装置に関する。
装置に係るもので、詳しくは、ウェーハボートの下側に
反射板が設置された熱遮断手段により加熱炉内の熱が下
部に移動されることを遮断して、熱損失を最小化させる
半導体製造用加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造工程において誘電体
及び導体として作用するある層を気体状態の化合物を分
解した後化学的反応によりウェーハの表面に積層する化
学蒸着（chemical vapor deposition）工程は、システ
ムの圧力に従い大気圧化学蒸着システム、低圧化学蒸着
システム、高圧化学蒸着システムなどに分類され、特
に、前記低圧化学蒸着システムは０．１〜１００Ｔｏｒ
ｒ（１３．３３〜１３３３０Ｐａ）の圧力で動作するよ
うになっているが、様々のな条件中で加熱炉内の温度、
圧力、ウェーハの間隔、ガス流量などがウェーハの表面
に蒸着される膜の均一性確保に至大な影響を与える。
及び導体として作用するある層を気体状態の化合物を分
解した後化学的反応によりウェーハの表面に積層する化
学蒸着（chemical vapor deposition）工程は、システ
ムの圧力に従い大気圧化学蒸着システム、低圧化学蒸着
システム、高圧化学蒸着システムなどに分類され、特
に、前記低圧化学蒸着システムは０．１〜１００Ｔｏｒ
ｒ（１３．３３〜１３３３０Ｐａ）の圧力で動作するよ
うになっているが、様々のな条件中で加熱炉内の温度、
圧力、ウェーハの間隔、ガス流量などがウェーハの表面
に蒸着される膜の均一性確保に至大な影響を与える。
【０００３】このような加熱炉内の条件中で温度は、ボ
ートのローディングのときなどにドアの開放による内部
の熱が流出されることにより、加熱炉内の温度、特に、
下部の温度が一定温度以下に低下され、以後の処理工程
において一定温度に維持させるに所定時間が所要される
ようになって生産性が低下され、加熱炉内の温度分布が
均一にならなくて膜の均一性が低下されて、工程の安定
性が低下されるという問題点があった。
ートのローディングのときなどにドアの開放による内部
の熱が流出されることにより、加熱炉内の温度、特に、
下部の温度が一定温度以下に低下され、以後の処理工程
において一定温度に維持させるに所定時間が所要される
ようになって生産性が低下され、加熱炉内の温度分布が
均一にならなくて膜の均一性が低下されて、工程の安定
性が低下されるという問題点があった。
【０００４】このような問題点を解決するため、従来に
もウェーハが安着されるウェーハボートの下側にウェー
ハの大きさと同一な大きさをもつ複数個の石英板を取り
付けて、加熱炉の下部での熱損失を減少させるようにし
ているが、これは熱の遮断程度が僅かであって、熱損失
により以後の蒸着工程において再び適正の工程温度に維
持させるに多くの時間が所要されて工程時間が長くな
り、生産性が低下されるなどの問題点があった。
もウェーハが安着されるウェーハボートの下側にウェー
ハの大きさと同一な大きさをもつ複数個の石英板を取り
付けて、加熱炉の下部での熱損失を減少させるようにし
ているが、これは熱の遮断程度が僅かであって、熱損失
により以後の蒸着工程において再び適正の工程温度に維
持させるに多くの時間が所要されて工程時間が長くな
り、生産性が低下されるなどの問題点があった。
【０００５】このような問題点を解決するため、加熱炉
内の下部に反射板を設置した半導体用鐘形熱処理炉が日
本国公開特許公報平成１−１３０５２３号に開示されて
いる。即ち、図４に示すように、断熱材１０の内側には
炉心管１１が取り付けられ、前記断熱材１０と炉心管１
１との間には亀裂管１２、ヒーター１３が順次取り付け
られる。
内の下部に反射板を設置した半導体用鐘形熱処理炉が日
本国公開特許公報平成１−１３０５２３号に開示されて
いる。即ち、図４に示すように、断熱材１０の内側には
炉心管１１が取り付けられ、前記断熱材１０と炉心管１
１との間には亀裂管１２、ヒーター１３が順次取り付け
られる。
【０００６】前記炉心管１１には上部から内部に反応ガ
スを供給する給気管１１ａが側壁及び上部に沿って取り
付けられ、前記炉心管１１の下部に取り付けられた炉の
蓋１４の上側には回転軸１５上に複数個の反射板１６を
介してウェーハボート１７が置かれ、前記ウェーハボー
ト１７内には多数のウェーハＷが装着される。そして、
前記炉の蓋１４の側壁には排気管１４ａが接続され、前
記炉心管１１の下段と炉の蓋１４の上段には冷却管１８
ａ，１８ｂが設置され、前記冷却管１８ａ，１８ｂの間
にはシーリング１９が介在される。
スを供給する給気管１１ａが側壁及び上部に沿って取り
付けられ、前記炉心管１１の下部に取り付けられた炉の
蓋１４の上側には回転軸１５上に複数個の反射板１６を
介してウェーハボート１７が置かれ、前記ウェーハボー
ト１７内には多数のウェーハＷが装着される。そして、
前記炉の蓋１４の側壁には排気管１４ａが接続され、前
記炉心管１１の下段と炉の蓋１４の上段には冷却管１８
ａ，１８ｂが設置され、前記冷却管１８ａ，１８ｂの間
にはシーリング１９が介在される。
【０００７】従って、炉の蓋１４を上昇させてウェーハ
Ｗが装着されたウェーハボート１７及び反射板１６を炉
心管１１内に装入し、前記炉心管１１の下部と炉の蓋１
４の上部に取り付けられた冷却管１８ａ，１８ｂの間を
シーリング１９で密閉した後、ヒーター１３により所定
の温度まで加熱して所定の反応ガスを給気管１１ａに供
給して熱処理を行う。このとき、シーリング１９は前記
冷却管１８ａ，１８ｂの内側へ循環される冷却水により
冷却がなされるようになる。
Ｗが装着されたウェーハボート１７及び反射板１６を炉
心管１１内に装入し、前記炉心管１１の下部と炉の蓋１
４の上部に取り付けられた冷却管１８ａ，１８ｂの間を
シーリング１９で密閉した後、ヒーター１３により所定
の温度まで加熱して所定の反応ガスを給気管１１ａに供
給して熱処理を行う。このとき、シーリング１９は前記
冷却管１８ａ，１８ｂの内側へ循環される冷却水により
冷却がなされるようになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来の技術は、反射板が炉心管の下側に設置されるため、
反射板の設置による空間の減少が減らし、量産性の低下
が防止されるなどの効果は期待されるが、反射板が開放
された状態に設置されるため、振動により流動されるな
どの構造的に安定性をもつことができなくなり、熱遮断
効果が満足できるほどの水準にはならないという問題点
があった。
来の技術は、反射板が炉心管の下側に設置されるため、
反射板の設置による空間の減少が減らし、量産性の低下
が防止されるなどの効果は期待されるが、反射板が開放
された状態に設置されるため、振動により流動されるな
どの構造的に安定性をもつことができなくなり、熱遮断
効果が満足できるほどの水準にはならないという問題点
があった。
【０００９】そこで、本発明の目的は、構造的に安定性
をもつと共に、さらに向上された熱遮断効果を有する半
導体製造用加熱装置を提供することにある。
をもつと共に、さらに向上された熱遮断効果を有する半
導体製造用加熱装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係る半導体製造用加熱装置は、炉内の
温度が低下されることを防止するための熱遮断手段を備
えた半導体製造用加熱装置であって、前記熱遮断手段
は、密閉がなされるケースと、前記ケースの内側に横方
向に位置された複数個の反射板と、前記反射板を支持固
定する複数個の支持ピンとを備えることを特徴とする。
るため、本発明に係る半導体製造用加熱装置は、炉内の
温度が低下されることを防止するための熱遮断手段を備
えた半導体製造用加熱装置であって、前記熱遮断手段
は、密閉がなされるケースと、前記ケースの内側に横方
向に位置された複数個の反射板と、前記反射板を支持固
定する複数個の支持ピンとを備えることを特徴とする。
【００１１】従って、本発明は、反射板をもつ熱遮断手
段によりウェーハボートのローディング時に炉内の熱が
損失されるに従い炉内の温度が低下されることを最小化
することにより、ウェーハボートをローディングした後
に工程が始まるまでの炉内の温度を安定化させ、工程時
間が短縮されて生産性が向上されると共に、均一な品質
をもつウェーハが得られるようになる。
段によりウェーハボートのローディング時に炉内の熱が
損失されるに従い炉内の温度が低下されることを最小化
することにより、ウェーハボートをローディングした後
に工程が始まるまでの炉内の温度を安定化させ、工程時
間が短縮されて生産性が向上されると共に、均一な品質
をもつウェーハが得られるようになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて詳しく説明する。図１は、本発明の一実施
例による半導体製造用加熱装置を示す図で、下側が開口
された断熱材２０の内側には鐘形の外部チューブ２１が
位置し、前記外部チューブ２１の内側には上部及び下部
が開口された内部チューブ２２が位置する。
図面を用いて詳しく説明する。図１は、本発明の一実施
例による半導体製造用加熱装置を示す図で、下側が開口
された断熱材２０の内側には鐘形の外部チューブ２１が
位置し、前記外部チューブ２１の内側には上部及び下部
が開口された内部チューブ２２が位置する。
【００１３】前記外部チューブ２１の下側には内部チュ
ーブ２２の内側に反応ガスを供給するガス供給管２３が
設置され、その他側には炉内のガスを排出させる排気口
２４が形成される。前記外部チューブ２１の下側には別
途の駆動手段の作動に従い昇降される昇降板２５が具備
され、前記昇降板２５の上側には回転軸２６が突出形成
される。
ーブ２２の内側に反応ガスを供給するガス供給管２３が
設置され、その他側には炉内のガスを排出させる排気口
２４が形成される。前記外部チューブ２１の下側には別
途の駆動手段の作動に従い昇降される昇降板２５が具備
され、前記昇降板２５の上側には回転軸２６が突出形成
される。
【００１４】前記回転軸２６の上側にはウェーハボート
２７が位置し、前記回転軸２６とウェーハボート２７と
の間には内部チューブ２２内の熱が下側に移動されるこ
とを遮断する熱遮断手段３０が介在される。前記熱遮断
手段３０は、図２及び図４に示すように、外側に形成さ
れるケース３１と、前記ケース３１の内側に横方向に区
分する隙板３２と、前記ケース３１の底部及び隙板３２
の上側に位置して熱を反射させて遮断する複数個の反射
板３３とを備える。
２７が位置し、前記回転軸２６とウェーハボート２７と
の間には内部チューブ２２内の熱が下側に移動されるこ
とを遮断する熱遮断手段３０が介在される。前記熱遮断
手段３０は、図２及び図４に示すように、外側に形成さ
れるケース３１と、前記ケース３１の内側に横方向に区
分する隙板３２と、前記ケース３１の底部及び隙板３２
の上側に位置して熱を反射させて遮断する複数個の反射
板３３とを備える。
【００１５】そして、前記熱遮断手段３０は、前記反射
板３３の縁部に垂直に設置される複数個の外部支持ピン
３４と、前記反射板３３の内側に垂直に設置される複数
個の内部支持ピン３５とを具備する。前記外部支持ピン
３４は、反射板３３の縁部が一側に埋設されて、反射板
３３が縦方向及び横方向に流動されることを防止し、前
記内部支持ピン３５は反射板３３の上側に支持されて、
反射板３３が縦方向に流動されることを防止する。
板３３の縁部に垂直に設置される複数個の外部支持ピン
３４と、前記反射板３３の内側に垂直に設置される複数
個の内部支持ピン３５とを具備する。前記外部支持ピン
３４は、反射板３３の縁部が一側に埋設されて、反射板
３３が縦方向及び横方向に流動されることを防止し、前
記内部支持ピン３５は反射板３３の上側に支持されて、
反射板３３が縦方向に流動されることを防止する。
【００１６】前記ケース３１の内側は真空が維持される
ようにし、前記反射板３３の材質は溶融温度を考慮して
選定し、好ましくは、熱反射率が良好な金属、例えば、
アルミニウム及び銀などからなるか、または表面にアル
ミニウム及び銀などの金属でメッキすることができる。
ようにし、前記反射板３３の材質は溶融温度を考慮して
選定し、好ましくは、熱反射率が良好な金属、例えば、
アルミニウム及び銀などからなるか、または表面にアル
ミニウム及び銀などの金属でメッキすることができる。
【００１７】そして、前記熱遮断手段３０の設置位置も
適用対象工程の工程温度に従い設定され、前記ウェーハ
ボート２７と回転軸２６の間に設置するのが最も好まし
い。このように構成された本発明による半導体製造用加
熱装置は、昇降板２５が下降した状態で複数個のウェー
ハが投入されたウェーハボート２７をローディングした
後に再び前記昇降板２５を上昇させて炉内に投入させ
る。
適用対象工程の工程温度に従い設定され、前記ウェーハ
ボート２７と回転軸２６の間に設置するのが最も好まし
い。このように構成された本発明による半導体製造用加
熱装置は、昇降板２５が下降した状態で複数個のウェー
ハが投入されたウェーハボート２７をローディングした
後に再び前記昇降板２５を上昇させて炉内に投入させ
る。
【００１８】このとき、前記ウェーハボート２７の下側
には熱遮断手段３０が位置された状態で、次いで、別途
の駆動手段が作動して回転軸２６を駆動させるに従い、
ウェーハボート２７が回転作動し、これと同時に断熱材
２０の外側に設置された図示しないヒーターが作動して
炉内の温度を上昇させる。
には熱遮断手段３０が位置された状態で、次いで、別途
の駆動手段が作動して回転軸２６を駆動させるに従い、
ウェーハボート２７が回転作動し、これと同時に断熱材
２０の外側に設置された図示しないヒーターが作動して
炉内の温度を上昇させる。
【００１９】次いで、炉内の温度が適正の温度に維持さ
れると、ガス供給管２３を通して反応ガスが炉内に供給
されることにより、蒸着などの工程がなされるようにな
り、適正の時間の間に工程がなされた後には排気口２４
を通して炉内の反応ガスが排出され、再び前記昇降板２
５が下降すると、工程が完了される。
れると、ガス供給管２３を通して反応ガスが炉内に供給
されることにより、蒸着などの工程がなされるようにな
り、適正の時間の間に工程がなされた後には排気口２４
を通して炉内の反応ガスが排出され、再び前記昇降板２
５が下降すると、工程が完了される。
【００２０】このとき、前記ウェーハボート２７が下降
した後に新しいウェーハボート２７がローディングされ
るまでの時間の間には炉内の温度、特に、炉内の下部温
度が落ちるが、これは熱遮断手段３０により温度が低下
されることを防止するようになる。
した後に新しいウェーハボート２７がローディングされ
るまでの時間の間には炉内の温度、特に、炉内の下部温
度が落ちるが、これは熱遮断手段３０により温度が低下
されることを防止するようになる。
【００２１】前記熱遮断手段３０内に設置された複数個
の反射板３３が炉内の熱を反射させて再び炉内に送るこ
とにより、炉内の温度が低下されることを防止する。そ
れで、新しいウェーハボート２７がローディングされて
から工程が始まるまで炉内の温度が低下されることを最
小化することにより、最も安定された動作を行うことが
できるようになる。
の反射板３３が炉内の熱を反射させて再び炉内に送るこ
とにより、炉内の温度が低下されることを防止する。そ
れで、新しいウェーハボート２７がローディングされて
から工程が始まるまで炉内の温度が低下されることを最
小化することにより、最も安定された動作を行うことが
できるようになる。
【００２２】
【発明の効果】以上、説明したように本発明は、反射板
をもつ熱遮断手段によりウェーハボートのローディング
のときに熱損失に起因して炉内の温度が低下されること
を最小化することにより、ウェーハボートをローディン
グした後に工程が始まるまでの炉内の温度を安定化さ
せ、これにより工程時間が短縮されて生産性が向上され
ると共に、ウェーハの品質が均一になり、反射板が安定
した姿勢で保持されることにより流動が防止されるなど
のいろいろの効果がある。
をもつ熱遮断手段によりウェーハボートのローディング
のときに熱損失に起因して炉内の温度が低下されること
を最小化することにより、ウェーハボートをローディン
グした後に工程が始まるまでの炉内の温度を安定化さ
せ、これにより工程時間が短縮されて生産性が向上され
ると共に、ウェーハの品質が均一になり、反射板が安定
した姿勢で保持されることにより流動が防止されるなど
のいろいろの効果がある。
【図１】本発明の一実施例による半導体製造用加熱装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例による半導体製造用加熱装置
の要部を示す縦断面図である。
の要部を示す縦断面図である。
【図３】本発明の一実施例による半導体製造用加熱装置
の要部を示す横断面図である。
の要部を示す横断面図である。
【図４】従来の半導体製造用加熱装置を示す断面図であ
る。
る。
３０ 熱遮断手段 ３１ ケース ３２ 隔板 ３３ 反射板 ３４ 外部支持ピン ３５ 内部支持ピン
フロントページの続き (72)発明者 漢 賢 大韓民国京畿道水原市八達区梅灘洞原川 １団地住公アパート105−1304 (56)参考文献 特開 平９−306855（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−208954（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−343342（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205,21/365,21/22
Claims (4)
- 【請求項１】 炉内の温度が低下されることを防止する
ための熱遮断手段を備えた半導体製造用加熱装置であっ
て、 前記熱遮断手段は、密閉がなされるケースと、 前記ケースの内側に横方向に位置された複数個の反射板
と、 前記反射板を支持固定する複数個の支持ピンとを備える
ことを特徴とする半導体製造用加熱装置。 - 【請求項２】 前記支持ピンは、反射板の縁部に設置さ
れる複数個の外部支持ピンと、 前記反射板の内側に設置される複数個の内部支持ピンと
を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造
用加熱装置。 - 【請求項３】 前記ケースの内側には横方向に隔板が形
成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造
用加熱装置。 - 【請求項４】 前記ケースの内部は真空が保持されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体製造用加熱装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990054172A KR100352765B1 (ko) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | 반도체 제조용 가열장치 |
| KR1999P54172 | 1999-12-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168047A JP2001168047A (ja) | 2001-06-22 |
| JP3359324B2 true JP3359324B2 (ja) | 2002-12-24 |
Family
ID=19622963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000283319A Expired - Fee Related JP3359324B2 (ja) | 1999-12-01 | 2000-09-19 | 半導体製造用加熱装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6464930B2 (ja) |
| JP (1) | JP3359324B2 (ja) |
| KR (1) | KR100352765B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100507628B1 (ko) * | 2002-12-12 | 2005-08-10 | 엘에스전선 주식회사 | 복사열 차폐수단이 구비된 광섬유 모재 제조장치 |
| KR100596503B1 (ko) * | 2004-06-01 | 2006-07-03 | 삼성전자주식회사 | 기판 가열로 및 이를 포함하는 화학 기상 증착 장치 |
| KR100596489B1 (ko) | 2004-06-28 | 2006-07-03 | 삼성전자주식회사 | 금속배선을 갖는 반도체 장치 및 이의 제조방법 |
| DE102004053435A1 (de) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Thermische Isolierung zur Reduzierung von Wärmeverlusten und Energieverbrauch bei Hochtemperaturanlagen |
| JP4698354B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2011-06-08 | 株式会社リコー | Ｃｖｄ装置 |
| KR100848359B1 (ko) * | 2006-07-24 | 2008-07-28 | 주식회사 테라세미콘 | 배치식 반응챔버의 히팅시스템 |
| JP2011035103A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Tokyo Electron Ltd | 搬送装置及び処理システム |
| JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR102063607B1 (ko) | 2013-03-12 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 |
| CN104250849B (zh) * | 2013-06-25 | 2017-03-22 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔室及外延生长设备 |
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