JPH116069A - 処理装置およびステージ装置 - Google Patents
処理装置およびステージ装置Info
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- JPH116069A JPH116069A JP9167886A JP16788697A JPH116069A JP H116069 A JPH116069 A JP H116069A JP 9167886 A JP9167886 A JP 9167886A JP 16788697 A JP16788697 A JP 16788697A JP H116069 A JPH116069 A JP H116069A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理室内の圧力変動時における載置台上の被
処理体の位置ずれを防止すること。 【解決手段】 載置台５の外周部に、リフトピン６を通
挿して案内する案内孔４２が形成されており、載置台５
の表面には、中心部から径方向に放射状にかつ案内孔４
２に連通するように凹溝４３が形成されている。減圧の
際、ウエハＷと載置台５との間の隙間に残留している微
量のガスが膨張したとしても、この膨張したガスは、凹
溝４３と案内溝４２を介して載置台５の裏面に放出され
る。
処理体の位置ずれを防止すること。 【解決手段】 載置台５の外周部に、リフトピン６を通
挿して案内する案内孔４２が形成されており、載置台５
の表面には、中心部から径方向に放射状にかつ案内孔４
２に連通するように凹溝４３が形成されている。減圧の
際、ウエハＷと載置台５との間の隙間に残留している微
量のガスが膨張したとしても、この膨張したガスは、凹
溝４３と案内溝４２を介して載置台５の裏面に放出され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理室内の圧力変
動時における載置台上の被処理体の位置ずれを防止した
処理装置およびステージ装置に関する。
動時における載置台上の被処理体の位置ずれを防止した
処理装置およびステージ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程においては、被処理体で
ある半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に配線パタ
ーンを形成するために或いは配線間の凹部を埋め込むた
めに、ＣＶＤ法により、Ｗ（タングステン）、ＷＳｉ
（タングステンシリサイド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ
（チタンナイトライド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイ
ド）等の金属或いは金属化合物を堆積させて薄膜を形成
している。
ある半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に配線パタ
ーンを形成するために或いは配線間の凹部を埋め込むた
めに、ＣＶＤ法により、Ｗ（タングステン）、ＷＳｉ
（タングステンシリサイド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ
（チタンナイトライド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイ
ド）等の金属或いは金属化合物を堆積させて薄膜を形成
している。
【０００３】この種の金属薄膜の形成方法には、３つの
方法、例えばＨ2（水素）還元法、ＳｉＨ4（シラン）還
元法、ＳｉＨ2Ｃｌ2（ジクロルシラン）還元法等が知ら
れており、ＳｉＨ2Ｃｌ2還元法は、配線パターンを形成
するために例えば還元ガスとしてジクロルシランを用い
て６００℃程度の高温下にてＷやＷＳｉ（タングステン
シリサイド）膜を形成する方法であり、ＳｉＨ4還元法
は、同じく配線パターンを形成するために、例えば還元
ガスとしてシランを用いて上記よりも低い３７０〜４０
０℃の温度下にてＷやＷＳｉ膜を形成する方法であり、
また、Ｈ2還元法は、配線間の凹部のようなウエハ表面
の穴埋めのために、例えば還元ガスとして水素を用いて
４００〜４３０℃程度の温度下でＷ膜を堆積させる方法
である。上記の場合、いずれも例えばＷＦ6（六フッ化
タングステン）を使用している。
方法、例えばＨ2（水素）還元法、ＳｉＨ4（シラン）還
元法、ＳｉＨ2Ｃｌ2（ジクロルシラン）還元法等が知ら
れており、ＳｉＨ2Ｃｌ2還元法は、配線パターンを形成
するために例えば還元ガスとしてジクロルシランを用い
て６００℃程度の高温下にてＷやＷＳｉ（タングステン
シリサイド）膜を形成する方法であり、ＳｉＨ4還元法
は、同じく配線パターンを形成するために、例えば還元
ガスとしてシランを用いて上記よりも低い３７０〜４０
０℃の温度下にてＷやＷＳｉ膜を形成する方法であり、
また、Ｈ2還元法は、配線間の凹部のようなウエハ表面
の穴埋めのために、例えば還元ガスとして水素を用いて
４００〜４３０℃程度の温度下でＷ膜を堆積させる方法
である。上記の場合、いずれも例えばＷＦ6（六フッ化
タングステン）を使用している。
【０００４】このようなＣＶＤ装置等の成膜処理装置に
おいては、処理室内に、薄いカーボン素材あるいはセラ
ミックス製のウエハ載置台が設けられており、この載置
台の下方には、石英製の透過窓を介してウエハを加熱す
るためのハロゲンランプ等が配置されている。また、載
置台の上方には、処理ガスとしてＷＦ6、ＳｉＨ4等を供
給してＷ、ＷＳｉ等の金属膜をウエハに成膜するための
シャワーヘッドが設けられている。さらに、排気口から
吸引排気し処理室内を減圧して所定の真空度、例えば１
Ｔｏｒｒ〜８０Ｔｏｒｒに設定する排気系が設けられて
いる。
おいては、処理室内に、薄いカーボン素材あるいはセラ
ミックス製のウエハ載置台が設けられており、この載置
台の下方には、石英製の透過窓を介してウエハを加熱す
るためのハロゲンランプ等が配置されている。また、載
置台の上方には、処理ガスとしてＷＦ6、ＳｉＨ4等を供
給してＷ、ＷＳｉ等の金属膜をウエハに成膜するための
シャワーヘッドが設けられている。さらに、排気口から
吸引排気し処理室内を減圧して所定の真空度、例えば１
Ｔｏｒｒ〜８０Ｔｏｒｒに設定する排気系が設けられて
いる。
【０００５】このような成膜処理装置を用いて成膜処理
を行う際には、従来、ウエハの周縁部を押圧してウエハ
を載置台に固定するためのクランプリングが設けられて
いたが、クランプリングがウエハの周縁部を押圧してい
る際にウエハに金属膜の成膜を行うとウエハの周縁部に
成膜できない部分が残存するといった問題があるため、
クランプリングを用いずに、載置台に段落ち部を設け、
ウエハをその段落ち部に載置し、ウエハを固定すること
なく成膜処理を行っている。すなわち、ウエハを載置台
の段落ち部に単に載置した状態で、真空排気して減圧
し、ハロゲンランプ等によりウエハを間接的に加熱し、
シャワーヘッドからＷＦ6、ＳｉＨ4等を供給し、これに
より、Ｗ、ＷＳｉ等の金属膜を成膜している。
を行う際には、従来、ウエハの周縁部を押圧してウエハ
を載置台に固定するためのクランプリングが設けられて
いたが、クランプリングがウエハの周縁部を押圧してい
る際にウエハに金属膜の成膜を行うとウエハの周縁部に
成膜できない部分が残存するといった問題があるため、
クランプリングを用いずに、載置台に段落ち部を設け、
ウエハをその段落ち部に載置し、ウエハを固定すること
なく成膜処理を行っている。すなわち、ウエハを載置台
の段落ち部に単に載置した状態で、真空排気して減圧
し、ハロゲンランプ等によりウエハを間接的に加熱し、
シャワーヘッドからＷＦ6、ＳｉＨ4等を供給し、これに
より、Ｗ、ＷＳｉ等の金属膜を成膜している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、載置台にウエハを何ら固定することなく単に載
置しながら成膜処理等を行う場合には、処理室内の圧力
変動時に、ウエハが載置台上でわずかに移動することが
ある。例えば、真空ポンプにより処理室内を例えば数Ｔ
ｏｒｒ以上から１Ｔｏｒｒ以下に減圧する際、ウエハが
例えば１〜２ｍｍ位置ずれするといったことがある。こ
のような位置ずれが生じると、ウエハの搬送の際に搬送
エラーを発生させることがある。
ように、載置台にウエハを何ら固定することなく単に載
置しながら成膜処理等を行う場合には、処理室内の圧力
変動時に、ウエハが載置台上でわずかに移動することが
ある。例えば、真空ポンプにより処理室内を例えば数Ｔ
ｏｒｒ以上から１Ｔｏｒｒ以下に減圧する際、ウエハが
例えば１〜２ｍｍ位置ずれするといったことがある。こ
のような位置ずれが生じると、ウエハの搬送の際に搬送
エラーを発生させることがある。
【０００７】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、処理室内の圧力変動時における載置台上の
被処理体の位置ずれを防止した処理装置およびステージ
装置を提供することを目的とする。
のであって、処理室内の圧力変動時における載置台上の
被処理体の位置ずれを防止した処理装置およびステージ
装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、第１発明は、処理室内を減圧し、処理室内の載置台
に被処理体を載置して被処理体に所定の処理を施す処理
装置であって、前記載置台表面の被処理体載置部分に、
載置台外部に連通した凹溝が形成されていることを特徴
とする処理装置を提供する。
め、第１発明は、処理室内を減圧し、処理室内の載置台
に被処理体を載置して被処理体に所定の処理を施す処理
装置であって、前記載置台表面の被処理体載置部分に、
載置台外部に連通した凹溝が形成されていることを特徴
とする処理装置を提供する。
【０００９】第２発明は、第１発明において、前記凹溝
は、載置台の径方向に沿って放射状に形成されているこ
とを特徴とする処理装置を提供する。第３発明は、第１
発明または第２発明において、前記凹溝に連通して載置
台の裏面に開口した縦孔を載置台を貫通して形成したこ
とを特徴とする処理装置を提供する。
は、載置台の径方向に沿って放射状に形成されているこ
とを特徴とする処理装置を提供する。第３発明は、第１
発明または第２発明において、前記凹溝に連通して載置
台の裏面に開口した縦孔を載置台を貫通して形成したこ
とを特徴とする処理装置を提供する。
【００１０】第４発明は、第３発明において、前記縦孔
は、被処理体を載置台から持ち上げるリフタピンを通挿
して案内するために載置台内に形成した案内孔であるこ
とを特徴とする処理装置を提供する。第５発明は、第１
発明ないし第４発明のいずれかにおいて、前記所定の処
理は、処理ガスを用いて被処理体に成膜を施す成膜処理
であることを特徴とする処理装置を提供する。
は、被処理体を載置台から持ち上げるリフタピンを通挿
して案内するために載置台内に形成した案内孔であるこ
とを特徴とする処理装置を提供する。第５発明は、第１
発明ないし第４発明のいずれかにおいて、前記所定の処
理は、処理ガスを用いて被処理体に成膜を施す成膜処理
であることを特徴とする処理装置を提供する。
【００１１】第６発明は、減圧した処理室内で被処理体
に所定の処理を施す際に被処理体を載置する載置台を備
えたステージ装置であって、前記被処理体の下側で載置
台の表面に、載置台外部に連通した凹溝が形成されてい
ることを特徴とするステージ装置を提供する。
に所定の処理を施す際に被処理体を載置する載置台を備
えたステージ装置であって、前記被処理体の下側で載置
台の表面に、載置台外部に連通した凹溝が形成されてい
ることを特徴とするステージ装置を提供する。
【００１２】本発明者らは、処理室内の圧力変動時にお
ける載置台上の被処理体の位置ずれの原因について検討
した結果、被処理体と載置台との間の隙間に残留してい
る微量のガスが減圧時に膨張し、この膨張したガスが被
処理体を押し上げるためであるとの結論を得た。本発明
では、このような検討結果に基づき、載置台表面の被処
理体載置部分に、載置台外部に連通した凹溝を設け、こ
のようなガスによる被処理体の押し上げを防止してい
る。すなわち、本発明では、被処理体の下側で載置台の
表面に載置台外部に連通した凹溝を形成しているため、
処理室内の圧力の変動時、例えば、真空ポンプにより処
理室内を減圧する際、被処理体と載置台との間の隙間に
残留している微量のガスが膨張したとしても、この膨張
したガスは、載置台表面の凹溝を介して載置台外部に放
出される。したがって、圧力変動時であっても、被処理
体が載置台上で位置ずれすることがない。
ける載置台上の被処理体の位置ずれの原因について検討
した結果、被処理体と載置台との間の隙間に残留してい
る微量のガスが減圧時に膨張し、この膨張したガスが被
処理体を押し上げるためであるとの結論を得た。本発明
では、このような検討結果に基づき、載置台表面の被処
理体載置部分に、載置台外部に連通した凹溝を設け、こ
のようなガスによる被処理体の押し上げを防止してい
る。すなわち、本発明では、被処理体の下側で載置台の
表面に載置台外部に連通した凹溝を形成しているため、
処理室内の圧力の変動時、例えば、真空ポンプにより処
理室内を減圧する際、被処理体と載置台との間の隙間に
残留している微量のガスが膨張したとしても、この膨張
したガスは、載置台表面の凹溝を介して載置台外部に放
出される。したがって、圧力変動時であっても、被処理
体が載置台上で位置ずれすることがない。
【００１３】また、第２発明のように、凹溝を載置台の
径方向に沿って放射状に形成することにより、被処理体
と載置台との間のガスを容易に放出することができる。
さらに、第３発明のように、凹溝に連通して載置台の裏
面に開口した縦孔を載置台を貫通して形成することによ
り、被処理体と載置台との間のガスを載置台裏面に確実
に放出することができる。この場合に、第４発明のよう
に、被処理体を載置台から持ち上げるリフタピンを通挿
して案内するために載置台内に形成した案内孔を上記縦
孔として用いることにより、被処理体の位置ずれを防止
するために余分な孔を形成する必要がない。
径方向に沿って放射状に形成することにより、被処理体
と載置台との間のガスを容易に放出することができる。
さらに、第３発明のように、凹溝に連通して載置台の裏
面に開口した縦孔を載置台を貫通して形成することによ
り、被処理体と載置台との間のガスを載置台裏面に確実
に放出することができる。この場合に、第４発明のよう
に、被処理体を載置台から持ち上げるリフタピンを通挿
して案内するために載置台内に形成した案内孔を上記縦
孔として用いることにより、被処理体の位置ずれを防止
するために余分な孔を形成する必要がない。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態に係る処理装置について説明する。本実
施の形態では、ＣＶＤ装置を一例として挙げており、図
１は、本発明の実施の形態に係るＣＶＤ装置を模式的に
示す断面図である。
明の実施の形態に係る処理装置について説明する。本実
施の形態では、ＣＶＤ装置を一例として挙げており、図
１は、本発明の実施の形態に係るＣＶＤ装置を模式的に
示す断面図である。
【００１５】図１に示すように、ＣＶＤ装置は、例えば
アルミニウム等により円筒状あるいは箱状に形成した処
理室１を有しており、その上に蓋体２が設けられてい
る。この処理室１内には、ウエハＷ（被処理体）を載置
するためのステージ装置が設けられている。ステージ装
置は、処理室１の底部から起立させた支持部材３上に、
保持部材４を介してウエハＷを載置する載置台５を有し
ている。なお、この支持部材３の径方向内側は、熱線を
反射するように形成されており、載置台５は、厚さ２ｍ
ｍ程度の例えばカーボン素材、セラミックス等で形成さ
れている。
アルミニウム等により円筒状あるいは箱状に形成した処
理室１を有しており、その上に蓋体２が設けられてい
る。この処理室１内には、ウエハＷ（被処理体）を載置
するためのステージ装置が設けられている。ステージ装
置は、処理室１の底部から起立させた支持部材３上に、
保持部材４を介してウエハＷを載置する載置台５を有し
ている。なお、この支持部材３の径方向内側は、熱線を
反射するように形成されており、載置台５は、厚さ２ｍ
ｍ程度の例えばカーボン素材、セラミックス等で形成さ
れている。
【００１６】この載置台５の下方には、ウエハＷを載置
台５から持ち上げるためのリフタピン６が例えば３本設
けられており、このリフタピン６は、保持部材７を介し
て押し上げ棒８に支持されていて、この押し上げ棒８が
アクチュエータ９に連結している。これにより、アクチ
ュエータ９が押し上げ棒８を昇降させると、押し上げ棒
８および保持部材７を介してリフタピン６が昇降し、ウ
エハＷが昇降するようになっている。このリフタピン６
は、熱線を透過する材料、例えば石英により形成されて
いる。また、リフタピン６に一体的に形成された支持部
材１０に、シールドリング１１が設けられている。この
シールドリング１１は、後述するハロゲンランプ１６の
熱線が上方に照射されることを防止するとともに、クリ
ーニング時にクリーニングガスの流路を確保する機能を
有している。載置台５には、さらに、ウエハＷの加熱時
にウエハＷの温度を計測するための熱電対１２が埋設さ
れており、この熱電対１２の保持部材１３が支持部材３
に取付けられている。
台５から持ち上げるためのリフタピン６が例えば３本設
けられており、このリフタピン６は、保持部材７を介し
て押し上げ棒８に支持されていて、この押し上げ棒８が
アクチュエータ９に連結している。これにより、アクチ
ュエータ９が押し上げ棒８を昇降させると、押し上げ棒
８および保持部材７を介してリフタピン６が昇降し、ウ
エハＷが昇降するようになっている。このリフタピン６
は、熱線を透過する材料、例えば石英により形成されて
いる。また、リフタピン６に一体的に形成された支持部
材１０に、シールドリング１１が設けられている。この
シールドリング１１は、後述するハロゲンランプ１６の
熱線が上方に照射されることを防止するとともに、クリ
ーニング時にクリーニングガスの流路を確保する機能を
有している。載置台５には、さらに、ウエハＷの加熱時
にウエハＷの温度を計測するための熱電対１２が埋設さ
れており、この熱電対１２の保持部材１３が支持部材３
に取付けられている。
【００１７】載置台５の真下の処理室底部には、石英等
の熱線透過材料よりなる透過窓１４が気密に設けられて
おり、その下方には、透過窓１４を囲むように箱状の加
熱室１５が設けられている。この加熱室１５内には、例
えば４個のハロゲンランプ１６が反射鏡をも兼ねる回転
台１７に取付けられており、この回転台１７は、回転軸
１８を介して加熱室１５の底部に設けた回転モータ１９
により回転されるようになっている。したがって、この
ハロゲンランプ１６から放出された熱線は、透過窓１４
を透過して載置台５の下面を照射してこれを加熱し得る
ようになっている。この加熱室１５の側壁には、この室
内や透過窓１４を冷却するための冷却エアを導入する冷
却エア導入口２０およびこのエアを排出するための冷却
エア排出口２１が設けられている。
の熱線透過材料よりなる透過窓１４が気密に設けられて
おり、その下方には、透過窓１４を囲むように箱状の加
熱室１５が設けられている。この加熱室１５内には、例
えば４個のハロゲンランプ１６が反射鏡をも兼ねる回転
台１７に取付けられており、この回転台１７は、回転軸
１８を介して加熱室１５の底部に設けた回転モータ１９
により回転されるようになっている。したがって、この
ハロゲンランプ１６から放出された熱線は、透過窓１４
を透過して載置台５の下面を照射してこれを加熱し得る
ようになっている。この加熱室１５の側壁には、この室
内や透過窓１４を冷却するための冷却エアを導入する冷
却エア導入口２０およびこのエアを排出するための冷却
エア排出口２１が設けられている。
【００１８】載置台５の外周側には、多数の整流孔を有
するリング状の整流板２２が、環状に形成した支持コラ
ム２３の上端に設けられた水冷プレート２４に載置され
ている。この水冷プレート２４の内周側には、上方の処
理ガスが下方に流れることを防止するためのリング状の
石英製またはアルミニウム製のアタッチメント２５が設
けられている。これら整流板２２、水冷プレート２４お
よびアタッチメント２５の下側には、成膜処理時、処理
ガスと反応しない不活性ガス例えば窒素ガス等をバック
サイドガスとして供給し、これにより、処理ガスが載置
台５の下側に回り込んで余分な成膜作用を及ぼすことを
防止している。
するリング状の整流板２２が、環状に形成した支持コラ
ム２３の上端に設けられた水冷プレート２４に載置され
ている。この水冷プレート２４の内周側には、上方の処
理ガスが下方に流れることを防止するためのリング状の
石英製またはアルミニウム製のアタッチメント２５が設
けられている。これら整流板２２、水冷プレート２４お
よびアタッチメント２５の下側には、成膜処理時、処理
ガスと反応しない不活性ガス例えば窒素ガス等をバック
サイドガスとして供給し、これにより、処理ガスが載置
台５の下側に回り込んで余分な成膜作用を及ぼすことを
防止している。
【００１９】また、処理室１の底部の四隅には、排気口
２６が設けられており、この排気口２６には、図示しな
い真空ポンプが接続されている。これにより、処理室１
内は、例えば１００Ｔｏｒｒ〜１０-6Ｔｏｒｒの真空度
に維持し得るようになっている。
２６が設けられており、この排気口２６には、図示しな
い真空ポンプが接続されている。これにより、処理室１
内は、例えば１００Ｔｏｒｒ〜１０-6Ｔｏｒｒの真空度
に維持し得るようになっている。
【００２０】処理室１の天井部には、処理ガスや洗浄ガ
ス等を導入するためのガス供給部が設けられている。こ
のガス供給部は、蓋体２にシャワーベース２８が嵌合し
て形成されており、このシャワーベース２８の上部中央
には、処理ガス等を通過させるオリフィスプレート２７
が設けられている。さらに、このオリフィスプレート２
７の下方に、２段のシャワープレート２９，３０が設け
られており、これらシャワープレート２９，３０の下方
に、シャワーヘッド３１が設けられている。オリフィス
プレート２７の上側に配置したガス導入口３２には、ガ
ス通路３３を介して、ＷＦ6ガスやＳｉＨ4ガスの処理ガ
ス源３４，３５が接続されており、さらに、ＣｌＦ3の
洗浄ガス源３６が接続されている。ガス通路３３には、
それぞれ流量制御弁３４ａ，３５ａ，３６ａおよび開閉
弁３４ｂ，３５ｂ，３６ｂが介装されている。
ス等を導入するためのガス供給部が設けられている。こ
のガス供給部は、蓋体２にシャワーベース２８が嵌合し
て形成されており、このシャワーベース２８の上部中央
には、処理ガス等を通過させるオリフィスプレート２７
が設けられている。さらに、このオリフィスプレート２
７の下方に、２段のシャワープレート２９，３０が設け
られており、これらシャワープレート２９，３０の下方
に、シャワーヘッド３１が設けられている。オリフィス
プレート２７の上側に配置したガス導入口３２には、ガ
ス通路３３を介して、ＷＦ6ガスやＳｉＨ4ガスの処理ガ
ス源３４，３５が接続されており、さらに、ＣｌＦ3の
洗浄ガス源３６が接続されている。ガス通路３３には、
それぞれ流量制御弁３４ａ，３５ａ，３６ａおよび開閉
弁３４ｂ，３５ｂ，３６ｂが介装されている。
【００２１】次に、図２および図３を参照して、ステー
ジ装置の載置台について説明する。図２は、図１に示し
た載置台の平面図であり、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩ
Ｉ線に沿う断面図である。
ジ装置の載置台について説明する。図２は、図１に示し
た載置台の平面図であり、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩ
Ｉ線に沿う断面図である。
【００２２】図２および図３に示すように、載置台５の
外周端の若干内側には、環状の突条部４０が形成されて
おり、この環状の突条部４０の内側には、突条部４０よ
り若干低くなるように段落ちして平坦な段落ち部４１が
形成されており、この段落ち部４１に、ウエハＷを載置
するようになっている。この段落ち部４１の外周部に
は、リフトピン６を通挿して案内するための３個の案内
孔４２が載置台５を貫通して形成されている。さらに、
段落ち部４１には、中心部から径方向に延出した６個の
凹溝４３が形成されており、この６個のうち３個の凹溝
４３は、その径方向外端で案内孔４２に連通されてい
る。
外周端の若干内側には、環状の突条部４０が形成されて
おり、この環状の突条部４０の内側には、突条部４０よ
り若干低くなるように段落ちして平坦な段落ち部４１が
形成されており、この段落ち部４１に、ウエハＷを載置
するようになっている。この段落ち部４１の外周部に
は、リフトピン６を通挿して案内するための３個の案内
孔４２が載置台５を貫通して形成されている。さらに、
段落ち部４１には、中心部から径方向に延出した６個の
凹溝４３が形成されており、この６個のうち３個の凹溝
４３は、その径方向外端で案内孔４２に連通されてい
る。
【００２３】このように構成されるＣＶＤ装置により、
ウエハＷの表面に金属膜の成膜処理を施す場合には、ま
ず、処理室１の区画壁に設けられた図示しないゲートバ
ルブを開いて搬送アームにより処理室１内にウエハＷを
搬入し、リフタピン６を押し上げることによりウエハＷ
をリフタピン６側に受け渡し、押し上げ棒８を降下させ
てリフタピン６を押し下げて、ウエハＷを載置台５上に
載置する。
ウエハＷの表面に金属膜の成膜処理を施す場合には、ま
ず、処理室１の区画壁に設けられた図示しないゲートバ
ルブを開いて搬送アームにより処理室１内にウエハＷを
搬入し、リフタピン６を押し上げることによりウエハＷ
をリフタピン６側に受け渡し、押し上げ棒８を降下させ
てリフタピン６を押し下げて、ウエハＷを載置台５上に
載置する。
【００２４】次いで、排気口２６から内部雰囲気を吸引
排気することにより処理室１内を所定の真空度例えば
０．１Ｔｏｒｒ〜８０Ｔｏｒｒの範囲内の値に設定し、
処理ガス源３４，３５から処理ガスとしてＷＦ6ガス、
ＳｉＨ4ガスをシャワープレート２９，３０及びシャワ
ーヘッド３１を介して処理室１内に供給する。この時の
ガスの供給量は、ＷＦ6ガスが例えば５〜１００ＳＣＣ
Ｍであり、ＳｉＨ4ガスが１０〜３００ＳＣＣＭであ
る。これと同時に、加熱室１５内のハロゲンランプ１６
を回転させながら点灯し、ランプからの熱線を載置台５
に照射する。
排気することにより処理室１内を所定の真空度例えば
０．１Ｔｏｒｒ〜８０Ｔｏｒｒの範囲内の値に設定し、
処理ガス源３４，３５から処理ガスとしてＷＦ6ガス、
ＳｉＨ4ガスをシャワープレート２９，３０及びシャワ
ーヘッド３１を介して処理室１内に供給する。この時の
ガスの供給量は、ＷＦ6ガスが例えば５〜１００ＳＣＣ
Ｍであり、ＳｉＨ4ガスが１０〜３００ＳＣＣＭであ
る。これと同時に、加熱室１５内のハロゲンランプ１６
を回転させながら点灯し、ランプからの熱線を載置台５
に照射する。
【００２５】この真空排気の際、本実施の形態では、ウ
エハＷの下側で載置台５の表面に、案内孔４２を介して
載置台５の裏面に連通した凹溝４３を形成しているた
め、減圧の際にウエハＷと載置台５との間の隙間に残留
している微量のガスが膨張したとしても、この膨張した
ガスは、凹溝４３と案内溝４２を介して載置台５の裏面
に放出される。したがって、処理室１内の減圧時等の圧
力変動時であっても、ウエハＷが載置台５上で位置ずれ
することがない。
エハＷの下側で載置台５の表面に、案内孔４２を介して
載置台５の裏面に連通した凹溝４３を形成しているた
め、減圧の際にウエハＷと載置台５との間の隙間に残留
している微量のガスが膨張したとしても、この膨張した
ガスは、凹溝４３と案内溝４２を介して載置台５の裏面
に放出される。したがって、処理室１内の減圧時等の圧
力変動時であっても、ウエハＷが載置台５上で位置ずれ
することがない。
【００２６】また、凹溝４３は、載置台５の表面に開口
し、径方向に沿って放射状に形成されてので、ウエハＷ
と載置台５との間のガスを、凹溝４３を通って容易に放
出することができる。また、ウエハＷと載置台５との間
のガスを載置台５を貫通して形成した案内孔４２を通し
て載置台５の裏面に確実に放出することができる。さら
に、リフタピン６の案内溝４２をガスを放出するための
縦孔として兼用しているため、ウエハＷの位置ずれを防
止するために余分な孔を形成する必要がない。
し、径方向に沿って放射状に形成されてので、ウエハＷ
と載置台５との間のガスを、凹溝４３を通って容易に放
出することができる。また、ウエハＷと載置台５との間
のガスを載置台５を貫通して形成した案内孔４２を通し
て載置台５の裏面に確実に放出することができる。さら
に、リフタピン６の案内溝４２をガスを放出するための
縦孔として兼用しているため、ウエハＷの位置ずれを防
止するために余分な孔を形成する必要がない。
【００２７】なお、このようなＣＶＤ装置においては、
上述した成膜処理を１枚のウエハＷに施した後に、これ
を搬出して新たな未処理のウエハＷを搬入して成膜す
る、いわゆる枚葉式処理を行い、１バッチ、例えば、２
５枚ウエハを処理する毎に、処理室１内にクリーニング
ガスとしてＣｌＦ3を導入し、処理室１内の構造物に付
着した膜を除去する。
上述した成膜処理を１枚のウエハＷに施した後に、これ
を搬出して新たな未処理のウエハＷを搬入して成膜す
る、いわゆる枚葉式処理を行い、１バッチ、例えば、２
５枚ウエハを処理する毎に、処理室１内にクリーニング
ガスとしてＣｌＦ3を導入し、処理室１内の構造物に付
着した膜を除去する。
【００２８】なお、本発明は、上述した実施の形態に限
定されることなく、種々変形可能である。例えば、被処
理体は、ウエハに限られるものではなく、また、成膜す
る金属膜として、タングステンについて説明したが、こ
れに限らず、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトラ
イド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属あるい
は金属化合物であってもよい。さらに、処理装置も、熱
ＣＶＤ装置に限らず、プラズマＣＶＤ装置であってもよ
く、さらに、成膜装置に限定されず、エッチング装置等
の他の処理装置であってもよい。
定されることなく、種々変形可能である。例えば、被処
理体は、ウエハに限られるものではなく、また、成膜す
る金属膜として、タングステンについて説明したが、こ
れに限らず、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトラ
イド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属あるい
は金属化合物であってもよい。さらに、処理装置も、熱
ＣＶＤ装置に限らず、プラズマＣＶＤ装置であってもよ
く、さらに、成膜装置に限定されず、エッチング装置等
の他の処理装置であってもよい。
【００２９】上記実施の形態では、リフトピン６の案内
溝４２が凹溝４３に連通するように構成してあるが、こ
の案内溝４２を利用することなく、凹溝４３に連通した
縦孔を案内溝４２と別個に載置台５を貫通して形成して
もよい。ただし、案内溝をガス放出用の縦孔と兼用する
ことにより、載置台に余分な穴を形成する必要がないと
いう効果を得ることができる。また、ガスは必ずしも載
置台の裏面側に放出する必要はなく、例えば凹溝を載置
台の外周端まで延ばし、載置台の外方へガスを放出して
もよい。ただし、この場合には、放出した成膜ガスによ
り載置台に不要の膜が形成される虞れがある。
溝４２が凹溝４３に連通するように構成してあるが、こ
の案内溝４２を利用することなく、凹溝４３に連通した
縦孔を案内溝４２と別個に載置台５を貫通して形成して
もよい。ただし、案内溝をガス放出用の縦孔と兼用する
ことにより、載置台に余分な穴を形成する必要がないと
いう効果を得ることができる。また、ガスは必ずしも載
置台の裏面側に放出する必要はなく、例えば凹溝を載置
台の外周端まで延ばし、載置台の外方へガスを放出して
もよい。ただし、この場合には、放出した成膜ガスによ
り載置台に不要の膜が形成される虞れがある。
【００３０】さらに、上記実施の形態では、凹溝を放射
状に設けたが、ガスの放出が可能な形状であれば凹溝の
形状は特に限定されるものではなく、例えば、格子状に
形成することもできる。
状に設けたが、ガスの放出が可能な形状であれば凹溝の
形状は特に限定されるものではなく、例えば、格子状に
形成することもできる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理室内の圧力の変動時、例えば、真空ポンプにより処
理室内を減圧する際、被処理体と載置台との間の隙間に
残留している微量のガスが膨張したとしても、この膨張
したガスは、載置台表面の凹溝を介して載置台外部に放
出されので、圧力変動時であっても被処理体が載置台上
で位置ずれすることがない。
処理室内の圧力の変動時、例えば、真空ポンプにより処
理室内を減圧する際、被処理体と載置台との間の隙間に
残留している微量のガスが膨張したとしても、この膨張
したガスは、載置台表面の凹溝を介して載置台外部に放
出されので、圧力変動時であっても被処理体が載置台上
で位置ずれすることがない。
【００３２】また、第２発明によれば、凹溝を載置台の
径方向に沿って放射状に形成したので、被処理体と載置
台との間のガスを容易に放出することができる。さら
に、第３発明によれば、凹溝に連通して載置台の裏面に
開口した縦孔を載置台を貫通して形成したので、被処理
体と載置台との間のガスを載置台裏面に確実に放出する
ことができる。さらにまた、第４発明によれば、被処理
体を載置台から持ち上げるリフタピンを通挿して案内す
るために載置台内に形成した案内孔を上記縦孔として用
いることにより、被処理体の位置ずれを防止するために
余分な孔を形成する必要がない。
径方向に沿って放射状に形成したので、被処理体と載置
台との間のガスを容易に放出することができる。さら
に、第３発明によれば、凹溝に連通して載置台の裏面に
開口した縦孔を載置台を貫通して形成したので、被処理
体と載置台との間のガスを載置台裏面に確実に放出する
ことができる。さらにまた、第４発明によれば、被処理
体を載置台から持ち上げるリフタピンを通挿して案内す
るために載置台内に形成した案内孔を上記縦孔として用
いることにより、被処理体の位置ずれを防止するために
余分な孔を形成する必要がない。
【図１】本発明の実施の形態に係るＣＶＤ装置を模式的
に示す断面図。
に示す断面図。
【図２】図１に示したＣＶＤ装置における載置台の平面
図。
図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図。
１……処理室 ５……載置台（ステージ装置） ６……リフトピン １６……ハロゲンランプ ３１……シャワーヘッド ４０……突条部 ４１……段落ち部 ４２……案内孔 ４３……凹溝 Ｗ……半導体ウエハ
Claims (6)
- 【請求項１】 処理室内を減圧し、処理室内の載置台に
被処理体を載置して被処理体に所定の処理を施す処理装
置であって、 前記載置台表面の被処理体載置部分に、載置台外部に連
通した凹溝が形成されていることを特徴とする処理装
置。 - 【請求項２】 前記凹溝は、載置台の径方向に沿って放
射状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載
の処理装置。 - 【請求項３】 前記凹溝に連通して載置台の裏面に開口
した縦孔を載置台を貫通して形成したことを特徴とする
請求項１または請求項２に記載の処理装置。 - 【請求項４】 前記縦孔は、被処理体を載置台から持ち
上げるリフタピンを通挿して案内するために載置台内に
形成した案内孔であることを特徴とする請求項３に記載
の処理装置。 - 【請求項５】 前記所定の処理は、処理ガスを用いて被
処理体に成膜を施す成膜処理であることを特徴とする請
求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の処理装
置。 - 【請求項６】 減圧した処理室内で被処理体に所定の処
理を施す際に被処理体を載置する載置台を備えたステー
ジ装置であって、 前記被処理体の下側で載置台の表面に、載置台外部に連
通した凹溝が形成されていることを特徴とするステージ
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16788697A JP3636864B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 処理装置およびステージ装置 |
| US09/093,430 US6042653A (en) | 1997-06-11 | 1998-06-08 | Susceptor for bearing an object to be processed thereon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16788697A JP3636864B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 処理装置およびステージ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH116069A true JPH116069A (ja) | 1999-01-12 |
| JP3636864B2 JP3636864B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=15857902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16788697A Expired - Lifetime JP3636864B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 処理装置およびステージ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6042653A (ja) |
| JP (1) | JP3636864B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6506257B2 (en) | 2000-06-01 | 2003-01-14 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-processing apparatus for semiconductor process |
| JP2009272657A (ja) * | 2003-05-02 | 2009-11-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2018182290A (ja) * | 2017-04-18 | 2018-11-15 | 日新イオン機器株式会社 | 静電チャック |
| CN112030130A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-12-04 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 定位结构及其定位方法 |
| JP2021028935A (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
| CN112640082A (zh) * | 2018-12-05 | 2021-04-09 | 株式会社爱发科 | 静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375984B1 (ko) * | 2001-03-06 | 2003-03-15 | 삼성전자주식회사 | 플레이트 어셈블리 및 이를 갖는 가공 장치 |
| US20040031565A1 (en) * | 2002-08-13 | 2004-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas distribution plate for processing chamber |
| WO2004038777A1 (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-06 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置 |
| WO2005013334A2 (en) * | 2003-08-01 | 2005-02-10 | Sgl Carbon Ag | Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620525A (en) * | 1990-07-16 | 1997-04-15 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate |
| US5738751A (en) * | 1994-09-01 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support having improved heat transfer |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP16788697A patent/JP3636864B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-08 US US09/093,430 patent/US6042653A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6506257B2 (en) | 2000-06-01 | 2003-01-14 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-processing apparatus for semiconductor process |
| JP2009272657A (ja) * | 2003-05-02 | 2009-11-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2009283975A (ja) * | 2003-05-02 | 2009-12-03 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2018182290A (ja) * | 2017-04-18 | 2018-11-15 | 日新イオン機器株式会社 | 静電チャック |
| CN112640082A (zh) * | 2018-12-05 | 2021-04-09 | 株式会社爱发科 | 静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法 |
| CN112640082B (zh) * | 2018-12-05 | 2023-12-26 | 株式会社爱发科 | 静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法 |
| JP2021028935A (ja) * | 2019-08-09 | 2021-02-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
| CN112030130A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-12-04 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 定位结构及其定位方法 |
| CN112030130B (zh) * | 2020-08-27 | 2023-06-13 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 定位结构及其定位方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6042653A (en) | 2000-03-28 |
| JP3636864B2 (ja) | 2005-04-06 |
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