JP4288767B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路等の半導体装置の製造工程においては、被処理体である半導体ウエハ表面に配線パターンを形成するために或いは配線間等のホールを埋め込むために、またはこれらの両者を同時に行なうためにAl(アルミニウム)、W(タングステン)、WSi(タングステンシリサイド)、Ti(チタン)、TiN(チタンナイトライド)、TiSi(チタンシリサイド)等の金属或いは金属化合物を堆積させて薄膜を形成することが行なわれている。
従来は、配線パターン等の材料としては、加工性が容易なアルミニウムが主として用いられていたが、最近における半導体装置の更なる高微細化及び多層化の要請に応じて、また、動作の高速性の要請に応じて、アルミニウム膜に代えて中でもタングステン膜が主として用いられる傾向にある。このタングステン膜を成膜する場合には、この下層との密着性を向上させるため、或いは下層にSi原子が含まれている時には、このSi原子の吸い上げを抑制するために、下地にバリヤメタルとして例えばTiN膜を形成し、この上にタングステン膜を堆積させるようになっている。
【0003】
この時の成膜工程について図9を参照して説明する。図9(A)においてWは例えばSi基板よりなる半導体ウエハであり、この表面にすでに必要な膜が多層に形成されている場合もあるし、形成されていない場合もあるが、ここでは単に半導体ウエハWとして表している。まず、ウエハW上にタングステン膜の成膜に先立って下地膜としてTiN膜より成るバリヤメタル膜2を堆積し、このバリヤメタル膜2上に、図9(B)に示すように所定の厚さのタングステン膜4を堆積させる。ここで、バリヤメタル膜2を成膜するには、一般的にはスパッタ成膜や熱CVD(Chemical Vapor Deposition)を用いて数Torr程度の低圧下で成膜を行なうので、ウエハは成膜装置内のサセプタ(載置台)上に単に載置されるだけであり、クランプリング等によりサセプタ上に固定することなく成膜処理が行なわれる。このため、バリヤメタル膜2は、ウエハWの表面部分W1のみならず、ウエハWの曲面状になっている側面部分W2にも、或いは裏面部分W3にも僅かに成膜される。これに対して、タングステン膜4の成膜は、上記圧力よりも高い80Torr程度の圧力下で成膜を行なうことから、バリヤメタル膜2の成膜時とは異なってウエハWが成膜途中にサセプタ上を移動する恐れがあり、そのため、タングステン膜4の周縁部にリング状のクランプリング6を当接させて成膜処理が行なわれる。このため、ウエハWの側面部分W2や裏面部分W3への成膜ガスの回り込みがウエハに当接した上記クランプリング6によって抑制されるので、タングステン膜4は、ウエハWの表面部分W1のみに堆積し、側面部分W2の面や裏面部分W3の面には堆積しない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したようにバリヤメタル膜2がウエハWの表面部分W1のみならず、側面部分W2や裏面部分W3にも付着してしまうが、この側面部分W2や裏面部分W3に付着した不要なバリヤメタル膜2Aが後工程において剥がれ落ちてパーティクルの発生原因となってしまう、という問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、被処理体の側面部分や裏面部分に付着する不要な下地膜を効率的に除去することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1に規定する発明は、半導体装置の製造方法において、被処理体の表面部分のみならず少なくとも側面部分にも堆積してしまう方法で下地膜を成膜する下地膜形成工程と、処理容器内の載置台上に載置されている前記被処理体の周縁部にクランプリングを接触させて押圧した状態で前記被処理体の上方に成膜用の処理ガスを供給することにより前記被処理体の表面部分のみに主膜を成膜する主膜形成工程と、処理容器内の載置台上に載置されている前記被処理体の周縁部にクランプリングを接触させていない状態で前記被処理体の上方にエッチングガスを流すことにより前記主膜をマスクとして前記被処理体の側面部分に堆積した下地膜をエッチングして除去する側面エッチング工程とを有するようにしたものである。
【0006】
このように、下地膜上に形成した主膜をマスクとして側面エッチング処理を施すことにより、被処理体の側面部分或いはこれに連続する裏面部分に付着した不要な下地膜をエッチングして除去することが可能となる。
この場合、マスクとして機能する主膜もエッチングによって僅かに削り取られることは避けられないので、請求項2に規定するように例えば前記主膜形成工程においては、この後の工程の側面エッチング工程時における前記主膜のエッチング量に見合った厚さだけ目標値よりも余分に厚く主膜を形成する。
【0007】
また、請求項3に規定する発明は、半導体装置の製造方法において、被処理体の表面部分のみならず少なくとも側面部分にも堆積してしまう方法で下地膜を成膜する下地膜形成工程と、処理容器内の載置台上に載置されている前記被処理体の周縁部にクランプリングを接触させて押圧した状態で前記被処理体の上方に成膜用の処理ガスを供給することにより前記被処理体の表面部分のみに主膜を成膜する主膜形成工程と、処理容器内の載置台上に載置されている前記被処理体の周縁部にクランプリングを接触させて押圧した状態で前記処理容器内の下方にエッチングガスを供給して該エッチングガスが前記被処理体の上方へ流れないようにすると共に前記被処理体の側面部分を通過させるようにして前記被処理体の側面部分に堆積した下地膜をエッチングして除去する側面エッチング工程とを有するようにしたものである。
この場合にも、被処理体の側面部分或いはこれに連続する裏面部分に付着した不要な下地膜をエッチングして除去することが可能となる。
【0008】
また請求項4に規定するように、例えば前記クランプリングはテーパ状の接触面を有し、前記クランプリングと前記被処理体との接触状態は線接触になされている。
また請求項5に規定するように、例えば前記主膜形成工程と前記側面エッチング工程とは、同一の処理装置内で行なう。
また請求項6に規定するように、例えば前記主膜形成工程と前記側面エッチング工程とは、互いに異なる処理装置内で行なう。
また請求項7に規定するように、例えば前記下地膜は、チタンナイトライド膜であり、前記主膜はタングステン膜である。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図1は本発明方法の一部の工程を行なう処理装置を示す構成図、図2は図1に示す装置を用いて側面エッチング処理を行なう方法を説明する説明図、図3は本発明方法の工程を示す工程図である。
図1に示す処理装置では、主膜であるタングステン膜の成膜処理と、下地膜の側面エッチング処理を行なう。この処理装置8には、例えばアルミニウム等により円筒状或いは箱状に成形された処理容器10を有しており、この処理容器10内には、処理容器底部より起立させた円筒状のリフレクタ12上に、例えば3本のL字状の保持棒14(図示例では2本のみ記す)を介して被処理体としての半導体ウエハWを載置するための載置台16が設けられている。このリフレクタ12は例えばアルミニウムにより形成され、保持棒14は、熱線透過性の材料、例えば石英により構成されており、また、載置台16は、厚さ1mm程度の例えばカーボン素材、AlNなどのアルミ化合物等により構成されている。
【0010】
この載置台16の下方には、複数本、例えば3本のL字状のリフタピン18(図示例では2本のみ記す)がリング状の支持部材20に固定して設けられており、この支持部材20を、処理容器底部に貫通して設けられた押し上げ棒22により上下動させることにより、上記リフタピン18を載置台16に貫通させて設けたリフタピン穴24に挿通させてウエハWを持ち上げ得るようになっている。
上記押し上げ棒22の下端は、処理容器10内の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ26を介してアクチュエータ28に接続されている。上記載置台16の周縁部には、ウエハWの周縁部と例えば線接触してこれを載置台16側へ固定するためのリング状のクランプリング30が設けられている。このクランプリング30としては、ウエハの輪郭形状に沿った略リング状のセラミック材料を用いることができる。このクランプリング30の内周面であるウエハとの接触面30Aはテーパ面となっている。このクランプリング30は、例えば石英製の支持部材32を介して上記リフタピン18に連結されており、このリフタピン18と一体的に昇降するようになっている。
【0011】
また、載置台16の直下の処理容器底部には、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓34が気密に設けられており、この下方には、透過窓34を囲むように箱状の加熱室36が設けられている。この加熱室36内には加熱手段として複数個の加熱ランプ38が反射鏡も兼ねる回転台40に取り付けられており、この回転台40は、回転軸を介して加熱室36の底部に設けた回転モータ42により回転される。従って、この加熱ランプ38より放出された熱線は、透過窓34を透過して載置台16の下面を照射してこれを加熱し得るようになっている。尚、加熱手段として加熱ランプ38に替えて、載置台16に埋め込むようにして抵抗加熱ヒータを設けるようにしてもよい。
【0012】
また、載置台16の外周側には、多数の整流孔44を有するリング状の整流板46が、支持コラム48により支持させて設けられている。整流板46の内周側には、上記クランプリング30の外周部と接触してこの下方にガスが流れないようにするリング状の石英製アタッチメント50が設けられる。整流板46の下方の底部には排気口52が設けられ、この排気口52には図示しない真空ポンプに接続された排気通路54が接続されており、処理容器10内を所定の真空度に維持し得るようになっている。また、処理容器10の側壁には、ウエハを搬出入する際に開閉されるゲートバルブ56が設けられる。
また、上記載置台16の下方であって、円筒状のリフレクタ12によって囲まれた空間に臨ませてガスノズル58が設けられており、このガスノズル58には、途中にマスフローコントローラのような流量制御器60及び開閉弁62を介設したガス供給路64が接続されている。そして、このガス供給路64の他端に不活性ガスとして例えばArガスを貯留するArガス源66を接続して、裏面デポ防止用のガスを流すようになっている。
【0013】
一方、上記載置台16と対向する処理容器天井部には、処理ガス等を処理容器10内へ導入するための処理ガス供給手段とエッチングガス供給手段とを兼ね備えたシャワーヘッド部68が設けられている。具体的には、このシャワーヘッド部68は、例えばアルミニウム等により円形箱状に成形されたヘッド本体70を有し、この天井部にはガス導入口72が設けられている。
このガス導入口72には、ガス通路を介して処理に必要なガス、例えばWF6 、Ar、SiH4、N2 等のガス源やエッチングガスとして用いられる例えばC lF3 等のガス源が流量制御可能に接続されている。
ヘッド本体70の下部には、ヘッド本体70内へ供給されたガスを処理空間Sへ放出するための多数のガス噴射孔74が面内の略全体に配置されており、ウエハ表面に亘ってガスを放出するようになっている。また、ヘッド本体70内には、多数のガス分散孔76を有する拡散板78が配設されており、ウエハ面に、より均等にガスを供給するようになっている。
【0014】
次に、以上のように構成された装置を一部を用いて行なわれる本発明方法について図1乃至図3も参照しつつ説明する。
図3(A)においてWは被処理体としての半導体ウエハであり、これは例えばSi基板よりなる。このウエハWの表面にすでに必要な膜が多層に形成されている場合もあるし、形成されていない場合もあるが、ここでは単に半導体ウエハWとして表している。
【0015】
まず、ウエハW上にタングステン膜の成膜に先立って下地膜としてTiN膜よりなるバリヤメタル膜2を堆積させる。このTiN膜の成膜処理は、図1に示すような処理装置とは異なってクランプリングを用いない処理装置で行なわれ、スパッタや熱CVDにより成膜がなされる。ここでは成膜ガスとしては、例えばTiCl4 ガスやNH3 ガスが用いられ、プロセス圧力は数Torr程度の低圧であり、プロセス温度は200℃程度である。この成膜処理により、バリヤメタル膜2はウエハWの表面部分W1に堆積するのみならず、曲面形状になっている側面部分(ベベル部とも称す)W2やこれに連続する裏面部分W3にも不要なバリヤメタル膜2Aが付着する。
このように、バリヤメタル膜2を成膜したならば、次に、図1に示す装置により図3(B)に示すようにタングステン膜4を成膜する。
【0016】
まず、処理容器10の側壁に設けたゲートバルブ56を開いて図示しない搬送アームにより処理容器10内にバリヤメタル膜2が形成されたウエハWを搬入し、リフタピン18を押し上げることによりウエハWをリフタピン18側に受け渡す。そして、リフタピン18を、押し上げ棒22を下げることによって降下させ、ウエハWを載置台16上に載置すると共に更に押し上げ棒22を下げることによってウエハWの周縁部をクランプリング30で押圧してこれを固定する。この時、クランプリング30のテーパ状の接触面30Aがウエハ上面の周縁部と線接触して気密性が高い状態となる。
【0017】
次に、図示しない処理ガス源から処理ガスとしてWF6,SiH4等をシャワ ーヘッド部68へ所定量ずつ供給して混合し、これをヘッド本体70の下面のガス噴射孔74から処理容器10内へ略均等に供給する。これと同時に、排気口52から内部雰囲気を吸引排気することにより処理容器10内を所定の真空度、例えば80Torr程度の値に設定し、且つ載置台16の下方に位置する加熱ランプ38を回転させながら駆動し、熱エネルギを放射する。
放射された熱線は、透過窓34を透過した後、載置台16の裏面を照射してこれを加熱する。この載置台16は、前述のように1mm程度と非常に薄いことから迅速に加熱され、従って、この上に載置してあるウエハWを迅速に所定の温度まで加熱することができる。また、成膜ガスがウエハWの裏面部分側に回り込んで裏面デポが生じないように成膜中はArガス源66からのArガスをガスノズル58から裏面空間S2に供給し続ける。そして、処理空間Sへ供給された混合ガスは所定の化学反応を生じ、図3(B)に示すように主膜としてのタングステン膜4がウエハ表面の全面に堆積し、形成されることになる。
【0018】
この成膜処理時においては、クランプリング50がウエハWの周縁部に当接しているので、タングステン膜4は、ウエハWの表面部分W1のみに堆積し、ベベル部である側面部分W2や裏面部分W3にはほとんど堆積することはない。ここで重要な点は、後述する側面エッチング工程にてタングステン膜4も削られるので、このタングステン膜4の膜厚は、最終的な目標値Tよりもエッチング削り量Δtに見合った厚さだけ大きくした厚さ、すなわちT+Δtの厚さに設定しておく。
このようにしてタングステン膜の成膜処理を終了したならば、次にエッチングガスとして例えばClF3 ガスを用いた側面エッチング処理を行なう。
【0019】
この側面エッチング工程は、タングステン膜の成膜を行なった処理装置8内で行なうことができ、例えば図2に示すようにクランプリング30を僅かに上昇させておくことにより、ウエハWの周縁部からクランプリング30を離間させておく。この状態で、シャワーヘッド部68からN2 キャリアガスを伴ってエッチングガスとしてClF3 ガスを処理容器10内に導入する。尚、この間、ガスノズル58からのArガスの供給は停止しておく。このClF3 ガスはウエハWの上面に当たって、その表面を周囲に向かって流れ、また、一部はウエハWの周縁部と途中まで上昇されているクランプリング30との間を通過して下方へ流れて行く。この時、タングステン膜4があたかもマスクのように作用して露出しているベベル部である側面部分W2や裏面部分W3に付着している不要なバリヤメタル膜2A(図3(B)参照)がエッチングされて除去されることになる。これと同時に、タングステン膜4もΔtの厚さだけエッチングされて除去されることになる。この時のエッチング時間は、当然のこととして、不要なバリヤメタル膜2Aを十分に除去できるような時間に設定されている。また、このエッチング時には、プロセス温度は250℃程度、プロセス圧力は1Torr程度なのでタングステン成膜時の数10Torrよりはかなり低く、ウエハWをクランプリング30で押さえ付けていなくても、ウエハWが載置台16上を移動する恐れも生じない。このようにして、図3(C)に示すように、ウエハWのベベル部である側面部分W2及び裏面部分W3における不要なバリヤメタル膜2Aを略完全に除去することが可能となる。
【0020】
尚、ここでは、タングステン膜の成膜処理と側面エッチング処理を同一の処理装置内で行なうようにしたが、これに限らず、側面エッチング処理を、別の処理装置内で行なうようにしてもよい。
ここでClF3 エッチング処理によるベベル部のTiN膜の除去状態を電子顕微鏡写真により評価を行なったのでその結果について説明する。
図4はTiN膜を200Åの厚さだけ堆積した時のベベル部の各点における電子顕微鏡写真を示す図、図5はClF3 エッチング処理を50sec行なった時のベベル部の各点における電子顕微鏡写真を示す図である。尚、距離DはウエハWの最側端からウエハ中心方向への距離を示している。
【0021】
この写真から明らかなように、図4において、距離D=0.374mm、0.482mm及び0.574mmの各点ではTiN膜はほとんど堆積していないが、距離D=0mm及び0.15mmの各点ではTiN膜がかなり堆積している。これに対して、図5に示す側面エッチング後の写真では、距離D=0.374mm、0.482mm及び0.574mmの各点では勿論のこと、距離D=0mm及び0.15mmの各点ではTiN膜が略完全に除去されており、平滑な状態になっていることが判明した。
また、ClF3 エッチング後のタングステン膜の特性についても評価を行なったので、その評価結果について説明する。図6においては、ウエハ上にタングステン膜を略8000Å成膜した時の状態(態様A)、これをClF3 ガスを用いて50secエッチングしてタングステン膜の厚さが略7000Åになった時の状態(態様B)及びウエハ上にタングステン膜を略7000Å(態様Bと同じ厚さ)成膜した時の状態(態様C)の3つの態様を示している。上記各態様について、膜厚の均一性、シート抵抗、反射率、膜ストレスをそれぞれ測定した。この時のエッチング条件は、プロセス温度が250℃、プロセス圧力は1Torr、ClF3 の流量は250sccm、N2 キャリアガスの流量は500sccmである。
【0022】
まず、膜厚の均一性に関しては、エッチング前後で3.00%から3.36%へ低下しており、また、エッチングを行なっていない態様Cでは、2.63%であることから、態様Bの膜厚の均一性はやや劣るが、しかし、これは十分に許容範囲内であり、特に問題はない。
また、シート抵抗、膜ストレスに関しては、態様Bと態様Cはほぼ同程度であり、良好な特性を示している。また、反射率に関しては、態様Bは88.10%を示しており、他の態様A、Cよりも優れた特性を示している。以上の結果から、タングステン膜にエッチング処理を行なった場合(態様B)でも、態様Bと同じ厚さのタングステン膜を成長してエッチングを施さなかった態様Cと略同じ膜特性を示しており、タングステン膜にエッチングを施しても、この膜特性は何ら劣化せず、良好な特性を示していることが判明した。
【0023】
尚、上記実施例では、図3(C)に示す側面エッチング工程においてベベル部の不要なバリヤメタル膜のみならず、タングステン膜も同時にエッチングするようにしているが、処理装置を工夫することにより、タングステン膜はエッチングしないで、ベベル部の不要なバリヤメタル膜のみをエッチングするようにしてもよい。図7はそのような処理装置の構成図を示している。ここでは、図1に示した装置構造において、ガスノズル58にエッチングガス供給手段を接続している。すなわち、ガス供給路64に、流量制御器80と開閉弁82を介設した分岐ガス供給路84を分岐させて設け、この分岐ガス供給路84の端部に、クリーニングガスとしてClF3 ガスを貯留したClF3 ガス源86を接続している。従って、側面エッチング処理時には、上記ガスノズル58からClF3 ガスを導入し、シャワーヘッド部68からは供給しない。
【0024】
この図7に示す処理装置を用いた場合には、図8(A)に示すようにタングステン膜4の成膜工程においては、これを目標値Tの厚さだけ成膜し、図3(B)において説明したように厚さΔtだけ余分に堆積させるようなことはしない。そして、側面エッチング処理の時には、図7に示すように、クランプリング30を下方へ降下させてその接触面30AをウエハWの周縁部に当接させておく。そして、シャワーヘッド部68からはClF3 ガスを流さず、ガスノズル58から裏面空間S2に向けてエッチングガスとしてClF3 ガスを流す。このClF3 ガスはウエハWの側面部分W2を通過した後、排気口52側より排出され、ウエハWの上面側である処理空間S側にはほとんど流れることはない。
従って、タングステン膜4を何らエッチングすることなく、図8(B)に示すようにウエハWの側面部分W2及び裏面部分W3に付着する不要なバリヤメタル膜2Aのみをエッチングして除去することができる。
これによれば、図3において説明した場合よりも、タングステン膜の厚さをΔtだけ少なく成膜すればよく、その分だけ処理時間を短縮することが可能となる。
【0025】
尚、以上説明した実施例では、エッチングガスとしてClF3 ガスを用いた場合を例にとって説明したが。これに限定されず、エッチングガスとしては他のCF系ガス或いはHF系ガス等を用いてもよい。特に、主膜(タングステン膜)よりも下地膜(バリヤメタル膜)に対するエッチングレートが高いエッチングガスを用いるのが好ましい。また、側面クリーニング処理を行なう際には、プラズマレスの熱クリーニングを行なう場合を例にとって説明したが、プラズマを用いたプラズマクリーニング処理を行なうようにしてもよい。
更には、ここでは下地膜としてTiN膜よりなるバリヤメタル膜を用い、主膜としてタングステン膜を用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されず、他の膜種についても同様に適用できるのは勿論である。
また、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、LCD基板、ガラス基板等にも適用することができる。
【0026】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
被処理体の側面部分(ベベル部)或いはこれに連続する裏面部分に付着した不要な下地膜を効率的にエッチングして除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法の一部の工程を行なう処理装置を示す構成図である。
【図2】図1に示す装置を用いて側面エッチング処理を行なう方法を説明する説明図である。
【図3】本発明方法の工程を示す工程図である。
【図4】TiN膜を200Åの厚さだけ堆積した時のベベル部の各点における電子顕微鏡写真を示す図である。
【図5】ClF3 エッチング処理を50sec行なった時のベベル部の各点における電子顕微鏡写真を示す図である。
【図6】ClF3 エッチング後のタングステン膜の特性の評価を説明するための図である。
【図7】本発明の処理装置の変形例を示す構成図である。
【図8】本発明方法の変形例の主要工程を示す図である。
【図9】半導体装置の従来の製造方法の一部の工程を示す図である。
【符号の説明】
2 バリヤメタル膜(下地膜)
2A 不要なバリヤメタル膜
4 タングステン膜(主膜)
8 処理装置
10 処理容器
16 載置台
30 クランプリング
30A 接触面
34 透過窓
38 加熱ランプ(加熱手段)
68 シャワーヘッド部(処理ガス供給手段、エッチングガス供給手段)
W 半導体ウエハ(被処理体)
W1 表面部分
W2 側面部分(ベベル部)
W3 裏面部分
Claims (7)
- 半導体装置の製造方法において、
被処理体の表面部分のみならず少なくとも側面部分にも堆積してしまう方法で下地膜を成膜する下地膜形成工程と、
処理容器内の載置台上に載置されている前記被処理体の周縁部にクランプリングを接触させて押圧した状態で前記被処理体の上方に成膜用の処理ガスを供給することにより前記被処理体の表面部分のみに主膜を成膜する主膜形成工程と、
処理容器内の載置台上に載置されている前記被処理体の周縁部にクランプリングを接触させていない状態で前記被処理体の上方にエッチングガスを流すことにより前記主膜をマスクとして前記被処理体の側面部分に堆積した下地膜をエッチングして除去する側面エッチング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記主膜形成工程においては、この後の工程の側面エッチング工程時における前記主膜のエッチング量に見合った厚さだけ目標値よりも余分に厚く主膜を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体装置の製造方法において、
被処理体の表面部分のみならず少なくとも側面部分にも堆積してしまう方法で下地膜を成膜する下地膜形成工程と、
処理容器内の載置台上に載置されている前記被処理体の周縁部にクランプリングを接触させて押圧した状態で前記被処理体の上方に成膜用の処理ガスを供給することにより前記被処理体の表面部分のみに主膜を成膜する主膜形成工程と、
処理容器内の載置台上に載置されている前記被処理体の周縁部にクランプリングを接触させて押圧した状態で前記処理容器内の下方にエッチングガスを供給して該エッチングガスが前記被処理体の上方へ流れないようにすると共に前記被処理体の側面部分を通過させるようにして前記被処理体の側面部分に堆積した下地膜をエッチングして除去する側面エッチング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記クランプリングはテーパ状の接触面を有し、前記クランプリングと前記被処理体との接触状態は線接触になされていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記主膜形成工程と前記側面エッチング工程とは、同一の処理装置内で行なうことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記主膜形成工程と前記側面エッチング工程とは、互いに異なる処理装置内で行なうことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記下地膜は、チタンナイトライド膜であり、前記主膜はタングステン膜であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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KR101207593B1 (ko) * | 2007-03-28 | 2012-12-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Cvd 성막 장치 |
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US8802545B2 (en) * | 2011-03-14 | 2014-08-12 | Plasma-Therm Llc | Method and apparatus for plasma dicing a semi-conductor wafer |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
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US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
TW201616467A (zh) * | 2014-10-31 | 2016-05-01 | 中華映管股份有限公司 | 曲面裝飾板以及曲面顯示裝置的製作方法 |
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US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
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US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
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US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
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US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
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US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
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US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
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US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
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US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
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US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
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KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
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JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
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CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
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USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
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CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
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TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
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Family Cites Families (4)
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US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
US5270254A (en) * | 1991-03-27 | 1993-12-14 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Integrated circuit metallization with zero contact enclosure requirements and method of making the same |
US5635244A (en) * | 1995-08-28 | 1997-06-03 | Lsi Logic Corporation | Method of forming a layer of material on a wafer |
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