CN112640082A - 静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法 - Google Patents

静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种抑制气体体积的急剧增加、稳定地支承基板的静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法。静电吸盘具有吸盘板，所述吸盘板具有支承基板的第一面和与第一面相反一侧的第二面。在吸盘板中设置有排气通路，在第一面支承基板时，在基板与第一面之间，所述排气通路将从基板排放的气体从基板与第一面之间排出。

Description

静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法。
背景技术
在电子零件的制造工序中，作为电子零件的基材的基板在减压环境下被工作台支承，实施成膜、蚀刻、离子注入等工艺加工。工艺加工是在例如基板吸附于静电吸盘的状态下进行的(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-216774号公报。
发明内容
发明要解决的问题
但是，当在吸附于静电吸盘的状态下对基板实施离子注入等工艺加工时，由于该加工基板被加热，有时在静电吸盘与基板之间积存气体。当在这样的状态下解除静电吸附时，由于残留气体的体积急剧增加，可能发生基板从静电吸盘飞起的现象。
在发生这样的现象时，即使工艺加工顺利地完成，之后有可能产生基板的运送不良，或损伤基板。
鉴于如上述这样的情况，本发明的目的在于提供一种抑制上述气体体积的急剧增加、稳定地支承基板的静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法。
用于解决问题的方案
为达成上述目的，本发明的一种方式涉及的静电吸盘具有吸盘板，上述吸盘板具有支承基板的第一面和与上述第一面相反一侧的第二面。在吸盘板中设置有排气通路，在上述第一面支承上述基板时，在上述基板与上述第一面之间，上述排气通路将从上述基板排放的气体从上述基板与上述第一面之间排出。
根据这样的静电吸盘，由于设置有排气通路，在第一面支承基板时，在基板与第一面之间，排气通路将从基板排放的气体从基板与第一面之间排出，因此即使静电吸附被解除也能够抑制气体体积的急剧膨胀，能够防止基板从吸盘板飞起。
在静电吸盘中，上述排气通路也可以具有：槽，其设置在上述第一面；以及第一贯通孔，其与上述槽连通，从上述第一面贯通至上述第二面。
根据这样的静电吸盘，由于排气通路具有：槽，其设置在第一面；以及第一贯通孔，其与槽连通，从第一面贯通至第二面，因此从基板排放的气体通过排气通路高效地排出到第二面侧。
在静电吸盘中，上述槽也可以具有：多个第一槽部，其在从上述吸盘板的中心朝向上述吸盘板外的方向上延伸；以及多个第二槽部，其与上述多个第一槽部交叉，以上述吸盘板的上述中心为中心而形成为环状。
根据这样的静电吸盘，由于槽具有：多个第一槽部，其从吸盘板的中心朝向吸盘板外延伸；以及多个第二槽部，其形成为环状，因此从基板排放的气体通过槽高效地排出到第二面侧。
在静电吸盘中，上述排气通路也可以具有：线状的堤部，其设置在上述第一面；以及第一贯通孔，其从上述第一面贯通至上述第二面。
根据这样的静电吸盘，由于排气通路具有：堤部，其设置在第一面；以及第一贯通孔，其从第一面贯通至第二面，因此从基板排放的气体通过排气通路高效地排出到第二面侧。
在静电吸盘中，也可以是，在上述第一面设置有多个凸部、和包围上述多个凸部的环状的凸部，上述多个凸部的距上述第一面的高度构成为上述环状的凸部的高度以下。
根据这样的静电吸盘，由于在第一面实施了凸状的压纹加工，因此从基板排放的气体经由第一面并通过排气通路高效地排出到第二面侧。此外，由于环状的凸部，气体难以从基板与吸盘板之间泄漏。
在静电吸盘中，也可以还具有吸盘基体，其具有与上述吸盘板的上述第二面相向的第三面、和与上述第三面相反一侧的第四面。也可以为，在上述吸盘基体中设置有第二贯通孔，其从上述第三面贯通至上述第四面，上述第二贯通孔构成为能够与上述第一贯通孔连通。
根据这样的静电吸盘，由于在具有与吸盘板的第二面相向的第三面、和与第三面相反一侧的第四面的吸盘基体中设置有第二贯通孔，其从上述第三面贯通至上述第四面，因此从基板排放的气体通过排气通路高效地排出到第四面侧。
为达成上述目的，本发明的一种方式涉及的真空处理装置具有：真空容器、上述静电吸盘、支承台、以及防附着板。上述支承台被收容在上述真空容器中，并具有支承上述静电吸盘的第五面、和与上述第五面相反一侧的第六面。上述防附着板包围上述支承台，将上述真空容器的内部划分为配置上述静电吸盘的第一区域、和配置上述支承台的第二区域。在上述支承台中设置有其他排气通路，其将通过上述排气通路而被引导的上述气体排出至上述第二区域。
根据这样的真空处理装置，由于从排气通路被引导的气体被排出至第二区域，因此即使静电吸附被解除也能够抑制气体体积的急剧膨胀，能够防止基板从吸盘板飞起。
为达成上述目的，在本发明的一种方式涉及的基板处理方法中，准备上述静电吸盘。在通过凸状的压纹加工而形成了多个凸部的上述第一面载置有上述基板。通过在上述第一面静电吸附上述基板，从而在上述第一面载置有上述基板时上述多个凸部的距上述第一面的高度h0被调整为比上述高度h0低的高度h1。对上述基板实施工艺加工。通过缓解上述静电吸附，从而将在上述工艺加工过程中产生的上述气体从上述基板与上述第一面之间排出。
根据这样的基板处理方法，由于设置有排气通路，在第一面支承基板时，在基板与第一面之间，排气通路将从基板排放的气体从基板与第一面之间排出，因此即使静电吸附被解除也能够抑制气体体积的急剧膨胀，能够防止基板从吸盘板飞起。
发明效果
如上所述，根据本发明，能够提供一种抑制上述气体体积的急剧增加、稳定地支承基板的静电吸盘、真空处理装置及基板处理方法。
附图说明
图1的(a)是本实施方式的静电吸盘的示意俯视图。图1的(b)是沿着(a)的A-A’线的示意剖视图。
图2的(a)是用图1的(b)的虚线a1围成的区域的示意剖视图。图2的(b)是用图1的(b)的虚线a2围成的区域的示意剖视图。
图3是本实施方式的真空处理装置的示意剖视图。
图4是离子注入装置的结构框图。
图5的(a)、(b)是说明静电吸盘的作用的一个例子的示意剖视图。
图6是示出基板处理方法的一个例子的示意剖视图。
图7是本实施方式的变形例涉及的静电吸盘的示意俯视图。
具体实施方式
以下，一边参照附图，一边说明本发明的实施方式。在各附图中，有时引入XYZ轴坐标。例如，X轴方向或Y轴方向是吸盘板10的面内方向，Z轴方向是相对于吸盘板10的面内方向正交的方向。此外，有时对相同的构件或具有相同功能的构件标注相同的标记，在说明了该构件之后酌情省略说明。
图1的(a)是本实施方式的静电吸盘的示意俯视图。图1的(b)是沿着图1的(a)的A-A’线的示意剖视图。图2的(a)是用图1的(b)的虚线a1围成的区域的示意剖视图。图2的(b)是用图1的(b)的虚线a2围成的区域的示意剖视图。
在图1的(a)中，为了示出静电吸盘1的平面而未示出基板90。在图1的(b)～图2的(b)中示出了基板90载置于静电吸盘1的状态。
静电吸盘1是例如在真空容器内吸附保持要处理的基板90的静电吸盘。静电吸盘1具有吸盘板10和吸盘基体20。基板90是例如半导体晶片。
吸盘板10具有支承基板90的上表面10u(第一面)、和与上表面10u相反一侧的下表面10d(第二面)。吸盘板10的平面形状没有特别限定，例如是圆形。吸盘板10是弹性体，例如由电介质树脂(例如硅)构成。
吸盘板10在其上表面10u及内部具有排气通路100。在基板90支承于上表面10u的情况下，在基板90与上表面10u之间从基板90排放的气体通过排气通路100从基板90与上表面10u之间排出。
排气通路100具有设置在吸盘板10的上表面10u的槽110和与槽110连通的贯通孔120(第一贯通孔)。
槽110具有多个槽部111(第一槽部)、和与多个槽部111交叉的多个槽部112a、112b、112c(第二槽部)。槽110的平面形状不限于图示的例子。
多个槽部111从吸盘板10的中心朝向吸盘板10外呈放射状延伸。多个槽部111以吸盘板10的中心为中心，例如以等间隔排列。多个槽部111分别与配置在吸盘板10的中心附近的贯通孔120、和配置在吸盘板10的外周附近的贯通孔120连通。进而，多个槽部111分别横穿槽部112b，并与槽部112b连通。
多个槽部112a、112b、112c分别以吸盘板10的中心为中心而形成为环状。在多个槽部112a、112b、112c中，槽部112a配置在吸盘板10的中心附近，槽部112c配置在吸盘板10的外周附近。槽部112b配置在槽部112a与槽部112c之间。
槽部112a与配置在吸盘板10的中心附近的多个贯通孔120连通。槽部112c与配置在吸盘板10的外周附近的多个贯通孔120连通。槽部112b与多个槽部111连通。
在吸盘板10的上表面10u的至少一部分、例如整个区域，实施凸状的压纹加工(图2的(b))。在图1的(a)中，以虚线表示在上表面10u实施了压纹加工的区域10E。通过此压纹加工在上表面10u形成了多个凸部113。多个凸部113各自的上表面成为向上凸起的曲面。多个凸部113的距上表面10u的高度h构成为比槽部111的距上表面10u的深度小。
例如，在基板90未被吸盘板10支承的情况下，凸部113的高度h为30μm以上且150μm以下。多个凸部113的间距为100μm以上且500μm以下。因为吸盘板10是弹性体，因此该高度h根据吸盘板10吸引基板90的吸引力而变化。例如，随着吸引力增加，凸部113、113e被破坏，高度h变小。
此外，在基板90支承于上表面10u时，在吸盘板10的平面内相邻的凸部113的谷部114与槽部111、112a、112b、112c的任一个连通。
此外，在吸盘板10的外周形成有与基板90接触的凸部113e。凸部113e的高度与凸部113的高度相同。在Z轴方向上俯视凸部113e的情况下，成为圆环状。即，多个凸部113被凸部113e包围。多个凸部113的距上表面10u的高度构成为环状的凸部113e的距上表面10u的高度以下。换言之，在基板90被吸盘板10支承时，由凸部113和谷部114构成的空间被基板90和凸部113e密封。
贯通孔120从上表面10u贯通至下表面10d。多个贯通孔120从吸盘板10的中心朝向吸盘板10外呈列状排列。此外，多个贯通孔120以吸盘板10的中心为中心，例如以等间隔排列。例如，多个贯通孔120以吸盘板10的中心为中心而以60°间隔进行配置。
吸盘基体20具有与吸盘板10的下表面10d相向的上表面20u(第三面)、和与上表面20u相反一侧的下表面20d(第四面)。该上表面20u和吸盘板10的下表面10d通过粘接剂层80而被接合。吸盘基体20的平面形状例如是圆形。吸盘基体20的外径可以与吸盘板10的外径相同，也可以比吸盘板10的外径大。吸盘基体20的上表面20u例如是平坦面。
吸盘基体20具有从上表面20u贯通至下表面20d的贯通孔220(第二贯通孔)。在吸盘板10固定于吸盘基体20时，贯通孔220与贯通孔120连通。贯通孔220也作为配置螺丝的螺纹孔来发挥功能。吸盘基体20例如由铝、不锈钢等构成。
静电吸盘1中的排气通路100由设置在吸盘板10的槽110及贯通孔120、和设置在吸盘基体20的贯通孔220构成。不需要多个贯通孔220分别从吸盘基体20的上表面20u贯通至下表面20d，例如也可以将多个贯通孔220中的至少两个合并而贯穿到下表面20d的通路设置在吸盘基体20的内部。
此外，在吸盘基体20的上表面20u，设置有在上表面20u的面内方向排列的电极40、41。在电极40、41与吸盘基体20之间设置有绝缘层81，电极40、41与吸盘基体20保持绝缘。利用设置在外部的电源42向电极40与电极41之间施加例如直流电压。由此，在吸盘板10的上表面10u产生吸引基板90的静电力，在上表面10u吸附保持基板90。此外，在吸盘基体20中，可以设置调节基板90的温度的调温机构。
图3是本实施方式的真空处理装置的示意剖视图。在图3中，示例了静电吸盘1在真空容器内被安装于支承台的情况。
真空处理装置5具有真空容器51、静电吸盘1、支承台50、防附着板52、排气机构55、以及运送机构60。
真空容器51是能够维持减压状态的真空容器，收容静电吸盘1、支承台50、以及防附着板52。
支承台50具有支承静电吸盘1的上表面50u(第五面)、与上表面50u相反一侧的下表面50d(第六面)、以及与上表面50u和下表面50d相连的侧面50w。在支承台50中，可以设置调节基板90的温度的调温机构。
静电吸盘1通过在吸盘基体20的贯通孔220配置的螺丝30而固定在支承台50。
螺丝30是所谓的排气螺丝。例如，在螺丝30中设置有沿着其中心线贯通螺丝30的贯通孔320。该贯通孔320也作为排气通路100的一部分来发挥功能。
防附着板52在真空容器51内包围支承台50。通过防附着板52的配置，真空容器51的内部被划分为配置静电吸盘1的第一区域S1(上部空间)、和配置支承台50的第二区域S2(下部空间)。
在支承台50中，设置有从上表面50u贯通至下表面50d或从上表面50u贯通至侧面50w、并与排气通路100连通的贯通孔520。因为在支承台50中设置有作为其他排气通路的贯通孔520，所以通过静电吸盘1的排气通路100被引导的排放气体被排出至第二区域S2。
运送机构60例如是运送臂，将基板90的外周卡定，使基板90从静电吸盘1上升或向静电吸盘1下降。此外，运送机构60能够将从静电吸盘1上升的基板90从真空容器10搬出，或使基板90搬入到真空容器10。另外，关于基板90的升降，也可以使用所谓的顶销。
此外，在真空处理装置5中，也可以设置使支承台50旋转的旋转机构、使支承台50上下升降的升降机构等。此外，在真空处理装置5中，除排气机构55以外，还可以设置对第一区域S1进行排气的排气机构。
真空处理装置5例如应用于溅射、化学气相沉积法、离子注入等。在本实施方式中，作为一个例子，示出真空处理装置5应用于离子注入装置的终端站(end station)的例子。
图4是离子注入装置的结构框图。
离子注入装置1000具有离子源1001、质量分离器1002、质量分离缝隙1003、加速管1004、四极透镜1005、扫描器1006、平行化装置1007、以及作为终端站的真空处理装置5。
离子源1001生成离子。质量分离器1002利用离子、电子等带电粒子在磁场或电场中偏向的性质，产生磁场或电场、或其两者，确定要注入基板90中的离子种。加速管1004对通过了质量分离缝隙1003的所希望的离子种加速或减速。加速管1004向多个电极对施加高电压，通过静电场的作用，将离子加速或减速至所希望的注入能量。四极透镜1005调整通过了加速管1004的离子的束形状。
扫描器1006在与通过了四极透镜1005的束状的离子C的行进方向正交的方向上产生均匀的外部电场，通过使此电场的极性、强度变化来控制离子的偏向角度。扫描器1006朝向平行化装置1007的输入部分在规定方向上扫描离子束。平行化装置1007抑制离子束的扩展，形成在单轴方向上扫描的射入到基板90的表面的离子束。平行化装置1007作为在单轴方向上扫描离子束的束扫描部来发挥功能。向收容在真空处理装置5中的基板90照射离子束。
对本实施方式涉及的静电吸盘1的作用进行说明。
图5的(a)、(b)是说明静电吸盘的作用的一个例子的示意剖视图。
在基板90的表面，为了形成元件而实施晶片加工。进而，作为晶片加工的一个环节，有在基板90的背面实施离子注入的情况。在本实施方式中，假设向背面进行离子注入，将被吸盘板10支承的一侧的基板面设为基板90的表面，将其相反侧的面设为基板90的背面。
在此情况下，因为形成有元件的基板90的表面与吸盘板10接触并被支承，所以在基板90的表面涂覆抗蚀剂等保护层91(图5的(a))。
在此状态下，当向基板90的背面实施离子注入时，通过离子照射，基板90被加热，从保护层91排放例如水蒸气、碳化气体等的气体。
在此，考虑假如在静电吸盘1没有设置排气通路100、凸部113、113e的情况下可能发生的现象。
在此情况下，基板90通过静电吸附被吸盘板10牢固地按压。进而，对于排放气体，没有像排气通路100那样的排出通道。因此，由于离子注入由保护层91产生的气体容易残留在基板90与吸盘板10之间。
当在此状态下完成离子注入之后解除基板90的静电吸附时，可能发生在基板90和吸盘板10之间积存的排放气体急剧地膨胀导致基板90从吸盘板10飞起的现象。其结果，即使顺利地完成了离子注入，也有可能在之后产生基板90的运送不良或损伤基板90的表面。
进而，在离子注入过程中在基板90与吸盘板10之间积存的排放气体漏出至第一区域S1的情况下，离子束暴露在排放气体中。由此，离子束的方向发生改变，或离子被中和，或离子束的能量减少。
与此相对，在图5的(a)中示出了在使用了本实施方式的静电吸盘1的情况下的作用。
如上所述，当向基板90的背面实施离子注入时，由于向背面进行离子照射，基板90被加热，从保护层91排放气体。但是，在使用了静电吸盘1的情况下，在静电吸附时，通过设置在吸盘板10的外周的凸部113e来将吸盘板10和基板90之间密封。由此，排放气体难以从基板90和吸盘板10之间泄漏。
另一方面，在不泄漏的状态下，即使排放气体积存在吸盘板10和基板90之间，也因为在吸盘板10的上表面10u分离地排列有多个凸部113，所以排放气体通过相邻的凸部113之间的谷部114，经由槽部111、112a～112c，经过贯通孔120而流向吸盘板10的下表面10d一侧。
进而，贯通孔120与吸盘基体20的贯通孔220连通。由此，排放气体从吸盘基体20的上表面20u向下表面20d高效地排出。该排放气体的流动在图5的(a)中简单地用箭头G表示。
此外，即使静电吸盘1安装在支承台50，也因为吸盘基体20的贯通孔220与支承台50的贯通孔520连通，在螺丝30设置有贯通孔320，所以排放气体经由贯通孔320、贯通孔520，从支承台50的上表面50u向下表面50d高效地排出(图5的(b))。
特别是基板90与支承台50的下表面50d之间被防附着板52划分。此外，第二区域S2被排气机构55抽真空。因此，排放到第二区域S2的气体在第二区域S2内通过排气机构55被排出。由此，排放气体难以泄漏至第一区域S1。
像这样，根据本实施方式，即使完成离子注入工序而解除静电吸附，也难以在基板90吸盘板10之间残留气体。由此，避免由于排放气体体积的急剧膨胀而使基板90从吸盘板10飞起的现象。此外，因为排放气体难以向第一区域S1泄漏，所以不会出现离子束的方向发生改变、或离子被中和、或离子束的能量减少的情况。
此外，由于离子注入而从保护层91排放的气体自然地通过排气通路100向真空容器51之外排出，因此不需要实施保护层91的脱气处理(退火处理)。即，只要使用静电吸盘1，则晶片加工的生产率提高。
此外，为了更可靠地进行由于基板90与吸盘板10之间的气体膨胀而引起的基板90从静电吸盘1的脱落、和排放气体的排出，也可以应用下述的处理方法。
图6的(a)～图6的(d)是表示基板处理方法的一个例子的示意剖视图。
例如，如图6的(a)所示，准备静电吸盘1，在其上表面10u载置基板90。在此状态下的凸部113的高度设为h0。
接下来，如图6的(b)所示，在上表面10u静电吸附基板90。由此，凸部113、113e被破坏，凸部113的高度被调整为比高度h0低的高度h1。此时的静电吸附力被调整到即使对基板90实施工艺加工也会可靠地使基板90不从吸盘板10脱落的程度。
接下来，如图6的(c)所示，对基板90实施离子注入等工艺加工。此时，从保护层91排放气体G。排放气体G经由排气通路100、贯通孔520排出至第二区域S2。但是，由于凸部113的高度成为比高度h0低的高度h1，因此谷部114的流导变得相对低。
因此，在基板90和吸盘板10之间，有可能在工艺加工过程中残留些许气体G。当在该状态下解除静电吸附时，有可能由于残留气体体积的急剧膨胀而导致基板90从吸盘板10飞起。
为了避免这种情况，在完成工艺加工之后，不突然解除静电吸附，而是一边缓解静电吸附一边将排放气体G从基板90与吸盘板10的上表面10u之间排出。
例如，如图6的(d)所示，将静电吸附调整为比高度为h1时弱，将高度调整成为h2(h1≤h2≤h0)。从高度h1到h2，既可以连续地改变，也可以阶段性地改变。
由此，与高度为h1时相比，谷部114的容量上升，谷部114的流导上升。其结果，工艺加工过程中产生的气体G从基板90与吸盘板10的上表面10u之间可靠地被排出。此后，解除静电吸附，利用运送机构60运送基板90。
或者，如果完成了图6的(c)中示例的离子注入，则也可以连续地或者阶段性地缓解静电吸附，解除静电吸附直到高度变为h0或者接近h0为止。
根据这样的基板处理方法，即使解除静电吸附也能够抑制由排放气体产生的急剧的体积膨胀，能够防止基板90从吸盘板10飞起。
(变形例)
图7是本实施方式的变形例涉及的静电吸盘的示意俯视图。
在静电吸盘2中，排气通路100具有在上表面10u设置的线状的堤部130、和贯通孔120。
堤部130具有多个堤部131(第一堤部)、和多个堤部132a、132b、132c(第二堤部)。多个堤部131(第一堤部)分别在从吸盘板10的中心朝向吸盘板10外的方向上延伸。多个堤部132a、132b、132c与多个堤部131交叉，以吸盘板10的中心为中心而形成为环状。多个堤部131及多个堤部132a、132b、132c的距上表面10u的高度构成为凸部113e的高度以下。
即使在这样的结构中，排放气体G潜藏在基板90与吸盘板10之间而到达至任一个贯通孔120。而且，排放气体G经由贯通孔120从基板90与吸盘板10之间排出。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明并不仅限于上述的实施方式，当然能够加以各种变更。各实施方式不限于独立的方式，在技术上能够尽可能地结合。
附图标记说明
1、2：静电吸盘
1a、2a：虚线
5：真空处理装置
10：吸盘板
100：排气通路
10E：区域
10d、20d、50d：下表面
10u、20u、50u：上表面
110：槽
111、112a、112b、112c：槽部
113、113e：凸部
114：谷部
120、220、320、520：贯通孔
130、131、132a、132b、132c：堤部
20：吸盘基体
30：螺丝
40、41：电极
42：电源
50：支承台
50w：侧面
51：真空容器
52：防附着板
55：排气机构
60：运送机构
80：粘接剂层
81：绝缘层
90：基板
91：保护层
1000：离子注入装置
1001：离子源
1002：质量分离器
1003：质量分离缝隙
1004：加速管
1005：四极透镜
1006：扫描器
1007：平行化装置

Claims (8)

1.一种静电吸盘，其具有吸盘板，所述吸盘板具有支承基板的第一面和与所述第一面相反一侧的第二面，并且设置有排气通路，在所述第一面支承所述基板时，在所述基板与所述第一面之间，所述排气通路将从所述基板排放的气体从所述基板与所述第一面之间排出。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，
所述排气通路具有：
槽，其设置在所述第一面；以及
第一贯通孔，其与所述槽连通，从所述第一面贯通至所述第二面。
3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其中，
所述槽具有：
多个第一槽部，其在从所述吸盘板的中心朝向所述吸盘板外的方向上延伸；以及
多个第二槽部，其与所述多个第一槽部交叉，以所述吸盘板的所述中心为中心而形成为环状。
4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，
所述排气通路具有：
线状的堤部，其设置在所述第一面；以及
第一贯通孔，其从所述第一面贯通至所述第二面。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的静电吸盘，其中，
在所述第一面设置有多个凸部和包围所述多个凸部的环状的凸部，
所述多个凸部的距所述第一面的高度构成为所述环状的凸部的高度以下。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的静电吸盘，其中，
还具有吸盘基体，所述吸盘基体具有与所述吸盘板的所述第二面相向的第三面和与所述第三面相反一侧的第四面，
在所述吸盘基体中设置有第二贯通孔，所述第二贯通孔从所述第三面贯通至所述第四面，所述第二贯通孔构成为能够与所述第一贯通孔连通。
7.一种真空处理装置，其具有：
真空容器；
静电吸盘，其被收容在所述真空容器中，所述静电吸盘具有吸盘板，所述吸盘板具有支承基板的第一面和与所述第一面相反一侧的第二面，并且设置有排气通路，在所述第一面支承所述基板时，在所述基板与所述第一面之间，所述排气通路将从所述基板排放的气体从所述基板与所述第一面之间排出；
支承台，其被收容在所述真空容器中，具有支承所述静电吸盘的第五面、和与所述第五面相反一侧的第六面；以及
防附着板，其包围所述支承台，将所述真空容器的内部划分为配置所述静电吸盘的第一区域和配置所述支承台的第二区域，
在所述支承台中设置有其他排气通路，所述其他排气通路将通过所述排气通路被引导的所述气体排出至所述第二区域。
8.一种基板处理方法，
准备静电吸盘，所述静电吸盘具有吸盘板，所述吸盘板具有支承基板的第一面和与所述第一面相反一侧的第二面，在所述吸盘板中设置有排气通路，在所述第一面支承所述基板时，在所述基板与所述第一面之间，所述排气通路将从所述基板排放的气体从所述基板与所述第一面之间排出；
在通过凸状的压纹加工而形成了多个凸部的所述第一面载置所述基板；
通过在所述第一面静电吸附所述基板，从而将在所述第一面载置有所述基板时的所述多个凸部的距所述第一面的高度h0调整为比所述高度h0低的高度h1；
对所述基板实施工艺加工；以及
通过缓解所述静电吸附，从而将在所述工艺加工过程中产生的所述气体从所述基板与所述第一面之间排出。
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