JPH09275079A

JPH09275079A - 半導体製造装置

Info

Publication number: JPH09275079A
Application number: JP8079733A
Authority: JP
Inventors: Junji Kusakabe; 純二日下部; Yoshinori Kureishi; 芳憲暮石; Tadashi Kamata; 正鎌田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-04-02
Filing date: 1996-04-02
Publication date: 1997-10-21

Abstract

(57)【要約】【課題】傷などを発生させることなくイオンまたは電
子の照射時の半導体ウエハへの帯電を確実に防止する。【解決手段】イオン注入装置に設けられたプラテン８
は、静電クランプする半導体ウエハＷよりも外周が少し
小さい円形状の絶縁部１０と、絶縁部１０の外周部に設
けられたアルミニウムなどの中空円柱形状の放電リング
１２とにより構成され、放電リング１２は半導体ウエハ
Ｗの外周部よりも１ｍｍ〜３ｍｍ程度大きい肉厚となっ
ている。放電リング１２は電気的に接地アースされ、放
電リング１２の端面と絶縁部１０の表面は同一となって
いる。イオン注入時、照射されたイオンが持つ電荷ＰＤ
は半導体ウエハＷの主面から放電リング１２に放電し、
半導体ウエハＷ主面の帯電を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、イオン注入装置における半導体ウエハへの
帯電防止に適用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】イオンまたは電子を半導体ウエハに照射
することにより、所定の処理を行う半導体製造装置とし
ては、たとえば、注入したい元素をイオン化し、電磁場
によって運動エネルギに加速して試料へ注入することに
よって、その物性を制御するイオン注入装置がある。

【０００３】本発明者が検討したところによれば、イオ
ン注入装置に設けられた半導体ウエハを保持するための
保持板、いわゆる、プラテンには、半導体ウエハを固定
する方式として、たとえば、プラテンに誘電層を設け、
プラテンと半導体ウエハの間に電圧を印加し、発生した
クーロン力で半導体ウエハを吸着する静電クランプが用
いられている。

【０００４】また、このプラテンの所定の位置には、接
地アースに接続されたタングステンカーバイト製などの
導電性のコンタクトピンが設けられ、載置された半導体
ウエハの裏面と接触させることにより放電を行い、照射
されたイオンが持つ電荷の帯電を防止している。

【０００５】なお、この種の半導体製造装置について詳
しく述べてある例としては、株式会社工業調査会、１９
９５年１２月４日発行、大島雅志（編）、電子材料１２
月号別冊「超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック＜１９
９６年版＞」Ｐ３５〜Ｐ３９があり、この文献には、イ
オン注入装置の構造や特徴などが記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な半導体ウエハのクランプ方法では、次のような問題点
があることが本発明者により見い出された。

【０００７】すなわち、半導体ウエハに形成されている
絶縁膜が、半導体ウエハとプラテンに設けられたピンと
の間に介在することにより放電現象が発生してしまい、
その放電現象によって半導体ウエハの裏面に傷などが発
生し、半導体ウエハの割れや結晶欠陥などに起因する歩
留まりの低下ならびに製品不良を生じる恐れがある。

【０００８】本発明の目的は、傷などを発生させること
なくイオンまたは電子の照射による半導体ウエハの帯電
を確実に防止することのできる半導体製造装置を提供す
ることにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、本発明の半導体製造装置は、半
導体ウエハにイオンまたは電子を照射して所定の処理を
行う処理室に設けられ、半導体ウエハよりも小さい外周
よりなり、半導体ウエハを保持する円柱状のウエハ保持
部と、当該ウエハ保持部の周縁部に半導体ウエハと接触
して設けられ、少なくとも一部が半導体ウエハの周縁部
から半径方向に突出して半導体ウエハに帯電する電荷を
放電させる導電性材料よりなる電荷放電手段とにより構
成される載置手段を設けたものである。

【００１２】それにより、コンタクトピンが不要とな
り、半導体ウエハに傷を付けることなく処理中の半導体
ウエハ主面に帯電する電荷を確実に放電することができ
る。

【００１３】また、本発明の半導体製造装置は、前記電
荷放電手段が、半導体ウエハよりも外周の大きい中空円
柱形状よりなるものである。

【００１４】それにより、半導体ウエハに帯電している
電荷を効率よく放電することができる。

【００１５】さらに、本発明の半導体製造装置は、前記
電荷放電手段の導電性材料が、アルミニウムよりなるも
のである。

【００１６】それにより、半導体ウエハへの汚染を低減
させながら帯電している電荷を効率よく放電することが
できる。

【００１７】また、本発明の半導体製造装置は、前記電
荷放電手段の表面にシリコンよりなるコーティング層を
形成したものである。

【００１８】それにより、半導体ウエハへの汚染を一層
低減させながら帯電している電荷を効率よく放電するこ
とができる。

【００１９】さらに、本発明の半導体製造装置は、前記
電荷放電手段の前記導電性材料が、グラファイトまたは
導電性有機材料のいずれかよりなるものである。

【００２０】それによっても、半導体ウエハへの汚染を
一層低減させながら帯電している電荷を効率よく放電す
ることができる。

【００２１】また、本発明の半導体製造装置は、半導体
ウエハの周縁部から突出している前記電荷放電手段の長
さが、１ｍｍ〜３ｍｍよりなるものである。

【００２２】それにより、半導体ウエハへの汚染を一層
低減させながら帯電している電荷をより効率よく放電す
ることができる。

【００２３】さらに、本発明の半導体製造装置は、前記
電荷放電手段における半導体ウエハの周縁部から突出し
た先端部の高さが、半導体ウエハの裏面の高さ、裏面と
主面との間の高さまたは主面の高さよりなるものであ
る。

【００２４】それにより、半導体ウエハへの汚染を低減
させながら帯電している電荷をより効率よく放電するこ
とができる。

【００２５】また、本発明の半導体製造装置は、前記ウ
エハ保持部が、半導体ウエハを保持する表面に誘電体膜
が設けられ、半導体ウエハとウエハ保持部との間に電圧
を印加して、半導体ウエハを静電的に保持する構造より
なるものである。

【００２６】それにより、誘電体膜が設けられたウエハ
保持部であっても、半導体ウエハに傷を付けることなく
処理中の半導体ウエハ主面に帯電する電荷を確実に放電
することができる。

【００２７】以上のことにより、半導体装置の歩留まり
ならびに信頼性を向上させることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００２９】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１によるイオン注入装置の構成説明図、図２は、本
発明の実施の形態１によるイオン注入装置に設けられた
プラテンの外観図、図３は、本発明の実施の形態１によ
るプラテンの断面図、図４は、本発明の実施の形態１に
よる半導体ウエハに帯電した電荷を放電するプラテンの
説明図である。

【００３０】本実施の形態１において、注入したい元素
をイオン化し、電場によって運動エネルギを与え加速し
て試料へ注入し、その物性を制御するイオン注入装置
（半導体製造装置）１は、たとえば、円筒形のアークチ
ャンバの中心に設けたフィラメントから出る熱電子によ
ってガスをイオン化するイオン源２が一方の端部に設け
られている。

【００３１】また、イオン注入装置１には、イオン源２
の近傍にイオン源２で必要とされるガスが収納されてい
るガスボンベを格納するガスボックス２ａが設けられて
いる。

【００３２】さらに、イオン注入装置１は、分析管、電
磁石および分析スリットから構成され、イオン源２によ
って発生されたイオンの内、目的とするイオンだけを選
別する質量分析器３がイオン源２と接続して設けられて
いる。

【００３３】さらに、イオン注入装置１には、たとえ
ば、セラミックの短管と円盤状の電極とを交互に配置し
てつなぎ合わせた加速管４が質量分析器３と接続して設
けられており、この加速管４によって質量分析器３を通
過したイオンビームが所定のエネルギまで加速される。

【００３４】また、イオン注入装置１は、イオンビーム
を試料である半導体ウエハまで輸送するビームライン系
５が設けられており、このビームライン系５は加速管４
と接続されている。

【００３５】そして、このビームライン系５は、イオン
ビームを集束させるために四重極レンズなどの静電レン
ズが用いられているビーム集束系５ａならびに集束され
たイオンビームの走査を行い、均一な注入を行うビーム
走査系５ｂにより構成されている。

【００３６】また、ビーム走査系５ｂは、２組の平行平
板電極と、その２組の平行平板電極の間に設けられたＶ
電極から構成されている。

【００３７】次に、イオン注入装置１には、半導体ウエ
ハの搬送およびイオン注入処理を行うエンドステーショ
ン６が設けられており、このエンドステーション６は、
前述したビームライン系５と接続されている。

【００３８】また、エンドステーション６は、半導体ウ
エハにイオン注入処理を行う処理室である注入室６ａな
らびにイオン注入処理前の半導体ウエハを格納するロー
ドキャリア、イオン注入処理後の半導体ウエハを格納す
るアンロードキャリア、半導体ウエハの搬送を行う搬送
系などからなるウエハカセット部６ｂにより構成されて
いる。

【００３９】さらに、イオン注入装置１には、イオン源
２、質量分析器３、加速管４、ビームライン系５ならび
にエンドステーション６の注入室６ａを真空引きする油
拡散ポンプなどの真空ポンプ７が設けられ、たとえば、
質量分析器３の所定の位置に設けられた排気口と接続し
て設けられている。

【００４０】また、エンドステーション６における注入
室６ａとウエハカセット部６ｂとは、エアーロックなど
によって分離されており、ウエハカセット部６ｂは大気
中に設けられている。

【００４１】次に、注入室６ａには、半導体ウエハを搬
送する真空内搬送系および静電クランプなどによって半
導体ウエハをクランプするプラテン（載置手段）８が設
けられている。

【００４２】また、プラテン８には、図２に示すよう
に、イオン注入処理時に半導体ウエハに均一な注入を行
うためにプラテン８の駆動制御を行うアーム９が設けら
れており、このアーム９は、プラテン８の近傍に設けら
れたドーズモニタファラデーなどで計測されたビーム電
流に基づいて制御が行われているリニアモータなどの駆
動用モータによって駆動されている。

【００４３】そして、プラテン８は、図２、図３に示す
ように、クランプされる半導体ウエハＷよりも外周が少
し小さい円形状の、たとえば、アルミナなどの絶縁物か
らなる絶縁部（誘電体膜）１０が設けられ、この絶縁部
１０の中に、静電クランプ用のアルミニウムなどからな
る扇状の電極１１が埋め込まれている。

【００４４】また、電極１１が埋め込まれた絶縁部１０
は、それぞれ扇形状であり、それら絶縁部１０を、たと
えば、アルミニウムからなる外枠に組み込むことによっ
て半導体ウエハと同様の円形を形成している。さらに、
複数の絶縁部１０により形成された円形の大きさは、半
導体ウエハよりも数ミリ程度外周部が小さくなってい
る。

【００４５】さらに、それぞれの電極部１０には、クラ
ンプ用の電源部と接続されており、所定の周波数の交流
電圧が印加されている。

【００４６】そして、これら絶縁部１０、電極１１なら
びに前述した電源部によってウエハ保持部が構成されて
いる。

【００４７】また、円形に形成された複数の絶縁部１０
の外周部には、たとえば、アルミニウム製の中空円柱形
状からなる導電性の放電リング（電荷放電手段）１２が
密着して設けられており、この放電リングは、たとえ
ば、半導体ウエハの外周部よりも１ｍｍ〜３ｍｍ程度大
きい外径となっており、放電リング１２は電気的に接地
アースに接続されている。

【００４８】さらに、放電リング１２の高さは、電極１
１が埋め込まれた絶縁部１０の厚さと同じに形成されて
おり、放電リング１２の端面と絶縁部１０の表面は、同
一面となっている。

【００４９】そして、これら絶縁部１０の表面および放
電リング１２の端面に半導体ウエハが載置されることに
なる。

【００５０】また、絶縁部１０の裏面ならびに放電リン
グ１２の他方の端面は、たとえば、アルミニウム製の固
定台１３が接続して設けられ、前述したアーム９に固定
されている。

【００５１】さらに、イオン注入装置１には、装置の運
転やイオン注入の条件などの管理ならびに制御を行うコ
ンピュータ制御部１４が設けられており、このコンピュ
ータ制御部１４により、イオン注入装置１の全ての制御
を司っている。

【００５２】次に、本実施の形態の作用について図１〜
図４を用いて説明する。

【００５３】まず、イオンが生成され、半導体ウエハま
で輸送されるイオン源２、質量分析器３、加速管４、ビ
ームライン系５ならびにイオン注入が行われる注入室６
ａが真空ポンプ７により所定の真空度まで真空引きされ
ると、エンドステーション６のウエハカセット部６ｂに
おけるロードキャリアから搬送系によりイオン注入され
る半導体ウエハがエアーロックを経て注入室６ａの真空
内搬送系に搬送される。

【００５４】そして、半導体ウエハは、注入室６ａに設
けられた真空搬送系によってプラテン８まで搬送され、
その後、半導体ウエハは前述した交流電圧が印加された
プラテン８上で静電クランプされる。

【００５５】次に、アーム９を制御することによって、
半導体ウエハがクランプされたプラテン８をイオン注入
が行われる所定の位置まで移動させる。

【００５６】その後、イオン源２から発生されたイオン
を質量分析器３、加速管４、ビームライン系５、ビーム
集束系５ａならびにビーム走査系５ｂにより加速、集束
してイオンビームを生成し、そのイオンビームを所定の
方向に走査させながら均一なイオン注入が行われるよう
にアーム９および前述したプラテン８の裏面に設けられ
た駆動用モータを制御してプラテン８を走査し、クラン
プされた半導体ウエハに均一なイオン注入が行われる。

【００５７】ここで、イオン注入時には、図４に示すよ
うに、照射されたイオンが持つ電荷ＰＤがプラテン８に
固定された半導体ウエハＷの主面に帯電することになる
が、半導体ウエハＷの主面および外周部近傍にはイオン
ならびに２次電子によるプラズマからなる表面導電層が
形成され、電位の低い放電リング１２に向かって（矢印
で示す方向）電荷ＰＤの放電が行われるので、半導体ウ
エハＷ主面の電荷ＰＤの帯電を防止することができる。

【００５８】また、放電リング１２は、前述したように
半導体ウエハの外周よりも１ｍｍ〜３ｍｍ程度大きい外
周となっている。

【００５９】これは、放電リング１２の外周が半導体ウ
エハＷの外周よりも１ｍｍ程度よりも小さいと、真空搬
送系の搬送精度のずれなどによって部分的に放電リング
１２の外周部が半導体ウエハＷの裏面の内側に隠れてし
まうことによる放電の効率低下を防止するためである。

【００６０】また、放電リング１２の外周が半導体ウエ
ハＷの外周よりもが３ｍｍ程度よりも大きいと、イオン
ビームのスパッタリング効果により放電リングがスパッ
タされ、半導体ウエハが汚染されるのを防止するためで
ある。

【００６１】そして、イオン注入が終了すると、プラテ
ン８は、アーム９によって注入前の所定の位置に移動さ
れ、真空搬送系によって半導体ウエハＷが搬送され、エ
アーロックを経てウエハカセット部６ｂの搬送系に搬送
される。

【００６２】その後、この搬送系によってイオン注入処
理後の半導体ウエハを格納するアンロードキャリアに半
導体ウエハが格納される。

【００６３】それにより、本実施の形態１によれば、プ
ラテン８に放電リング１２を設けることにより、半導体
ウエハＷの裏面に傷などを発生させずに、イオン注入時
の半導体ウエハＷの帯電を防止することができる。

【００６４】また、本実施の形態１では、放電リング１
２（図４）の端面は絶縁部１０（図４）の表面と同じ位
置の高さとなっていたが、たとえば、図５に示すよう
に、半導体ウエハＷ（図４）の外周部よりも大きい部
分、すなわち、半導体ウエハＷの外周よりも１ｍｍ〜３
ｍｍ程度大きい部分を半導体ウエハＷの主面部分と同じ
またはそれ以下の高さに形成し、半導体ウエハＷの外周
部に接する部分に半導体ウエハＷの外周部と同じ程度の
曲面、いわゆるＲを付けた放電リング（電荷放電手段）
１２ａを設けるようにしてもよい。

【００６５】この場合、半導体ウエハＷの主面と放電リ
ング１２ａにおける半導体ウエハＷの外周よりも１ｍｍ
〜３ｍｍ程度大きい部分の距離がより短くなるので、半
導体ウエハＷの主面に帯電した電荷ＰＤをより放電させ
やすくなる。

【００６６】また、本実施の形態１においては、放電リ
ング１２（図４）をアルミニウム製としたが、この放電
リング１２の材料を、たとえば、グラファイトまたはポ
リエーテルエーテルケトン樹脂などの導電性有機材料と
することにより、半導体ウエハＷ（図４）の汚染をより
低減させながら良好に半導体ウエハＷの電荷を放電させ
ることができる。

【００６７】（実施の形態２）図６は、本発明の実施の
形態２によるイオン注入装置に設けられたプラテンの断
面図、図７は、本発明の実施の形態２による半導体ウエ
ハに帯電した電荷を放電するプラテンの説明図である。

【００６８】本実施の形態２においては、図６に示すよ
うに、イオン注入装置１（実施の形態１、図１）のプラ
テン８に設けられた放電リング１２の表面に、たとえ
ば、シリコンからなるコーティング層１５が形成されて
いる。

【００６９】このコーティング層１５は、たとえば、プ
ラズマ溶射によりコーティングが行われ、そのコーティ
ング層１５の厚さは、コーティング層１５が放電リング
１２から充分剥離しない程度であり、たとえば、１０μ
ｍ程度〜１００μｍ程度となっている。

【００７０】また、同様に、コーティング層１５が形成
された放電リング１２には、電気的に接地アースされた
配線が施されている。

【００７１】そして、図７に示すように、イオン注入時
に半導体ウエハＷの主面に帯電した照射されたイオンが
持つ電荷ＰＤを前述した表面導電層によって電位の低い
放電リング１２に向かって（矢印で示す方向）放電し、
半導体ウエハＷ主面の電荷ＰＤの帯電を防止することが
できる。

【００７２】また、放電リング１２の表面にシリコンに
よって形成されたコーティング層１５により、照射され
るイオンビームのスパッタリング効果による放電リング
１２のアルミニウムのスパッタを防止できるので半導体
ウエハＷの汚染をより低減することができる。

【００７３】そして、イオン注入が終了すると、プラテ
ン８は、アーム９によって注入前の所定の位置に移動さ
れ、真空搬送系によって半導体ウエハが搬送され、エア
ーロックを経てウエハカセット部６ｂの搬送系に搬送さ
れ後、この搬送系によってイオン注入処理後の半導体ウ
エハＷを格納するアンロードキャリアに格納される。

【００７４】それにより、本実施の形態２によれば、プ
ラテン８にシリコンによるコーティング層１５が形成さ
れた放電リング１２を設けることにより、半導体ウエハ
Ｗの裏面に傷などを発生させずに、イオン注入時の半導
体ウエハＷの帯電を防止し、且つ半導体ウエハＷの汚染
を一層低減することができる。

【００７５】また、本実施の形態２でも、放電リング１
２（図７）の端面は絶縁部１０の表面と同じ位置の高さ
となっていたが、たとえば、図８に示すように、前述し
た半導体ウエハＷの外周部に接する部分に半導体ウエハ
Ｗの外周部と同じ程度の曲面を付け、半導体ウエハＷの
外周よりも１ｍｍ〜３ｍｍ程度大きい部分を半導体ウエ
ハＷの主面部分と同じまたはそれ以下の高さに形成した
放電リング１２ａ（図５）を設け、この放電リング１２
ａの表面に、シリコンなどによってコーティング層１５
を形成するようにしてもよい。

【００７６】この場合、半導体ウエハの主面と放電リン
グ１２ａにおける半導体ウエハＷの外周よりも１ｍｍ〜
３ｍｍ程度大きい部分の距離がより短くなるので、半導
体ウエハＷの主面に帯電した電荷ＰＤをより放電させや
すくなり、コーティング層１５によって半導体ウエハＷ
の汚染を一層低減させることができる。

【００７７】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

【００７８】たとえば、前記実施の形態１，２における
放電リングと低エネルギの電子を半導体ウエハに供給し
て中和させるエレクトロンフラッドガンとを併用するこ
とによっても半導体ウエハに帯電した電荷を良好に放電
することができる。

【００７９】また、前記実施の形態１，２では、放電リ
ングを中空円柱形状としたが、この放電リングは、中空
円柱状以外でもよく、たとえば、図９に示すように、放
電リング１２ｂの一部分だけが半導体ウエハＷの周縁部
から半径方向に突出するように形成されていれば、良好
に半導体ウエハに帯電する電荷を放電させることができ
る。この場合も、放電リング１２ｂは、電気的に接地ア
ースに接続されている。

【００８０】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００８１】（１）本発明によれば、半導体ウエハを載
置する載置手段に電荷放電手段を設けることによって、
コンタクトピンを用いずに半導体ウエハに帯電する電荷
を半導体ウエハの主面ならびに裏面にダメージを残さず
に半導体ウエハ外周部から放出させることができる。

【００８２】（２）また、本発明では、電荷放電手段の
表面にシリコンによるコーティングを行うことにより、
半導体ウエハへの汚染を一層低減させながら帯電してい
る電荷を効率よく放電することができる。

【００８３】（３）さらに、本発明においては、電荷放
電手段をグラファイトまたは導電性有機材料から形成す
ることにより、半導体ウエハへの汚染を一層低減させな
がら帯電している電荷を効率よく放電することができ
る。

【００８４】（４）本発明によれば、上記（１）〜
（３）により、半導体ウエハにおける傷の発生を防止で
きるので、半導体装置の歩留まりならびに信頼性を向上
させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１によるイオン注入装置の
構成説明図である。

【図２】本発明の実施の形態１によるイオン注入装置に
設けられたプラテンの外観図である。

【図３】本発明の実施の形態１によるプラテンの断面図
である。

【図４】本発明の実施の形態１による半導体ウエハに帯
電した電荷を放電するプラテンの説明図である。

【図５】本発明の他の実施の形態による半導体ウエハに
帯電した電荷を放電するプラテンの説明図である。

【図６】本発明の実施の形態２によるイオン注入装置に
設けられたプラテンの断面図である。

【図７】本発明の実施の形態２による半導体ウエハに帯
電した電荷を放電するプラテンの説明図である。

【図８】本発明の他の実施の形態による半導体ウエハに
帯電した電荷を放電するプラテンの説明図である。

【図９】本発明の他の実施の形態による放電リングの平
面図である。

【符号の説明】

１イオン注入装置（半導体製造装置）２イオン源２ａガスボックス３質量分析器４加速管５ビームライン系５ａビーム集束系５ｂビーム走査系６エンドステーション６ａ注入室６ｂウエハカセット部７真空ポンプ８プラテン（載置手段）９アーム１０絶縁部（誘電体膜）１１電極１２〜１２ｂ放電リング（電荷放電手段）１３固定台１４コンピュータ制御部１５コーティング層ＰＤ電荷Ｗ半導体ウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】イオンまたは電子を半導体ウエハに照射
することにより、所定の処理を行う半導体製造装置であ
って、前記半導体ウエハに所定の処理を行う処理室に設
けられ、前記半導体ウエハよりも小さい外周よりなり、
前記半導体ウエハを保持する円柱状のウエハ保持部と、
前記ウエハ保持部の周縁部に前記半導体ウエハと接触し
て設けられ、少なくとも一部が前記半導体ウエハの周縁
部から半径方向に突出して前記半導体ウエハに帯電する
電荷を放電させる導電性材料よりなる電荷放電手段とに
より構成される載置手段を設けたことを特徴とする半導
体製造装置。
【請求項２】請求項１記載の半導体製造装置におい
て、前記電荷放電手段が、前記半導体ウエハよりも外周
の大きい中空円柱形状よりなることを特徴とする半導体
製造装置。
【請求項３】請求項１または２記載の半導体製造装置
において、前記電荷放電手段を形成する導電性材料が、
アルミニウムであることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】請求項３記載の半導体製造装置におい
て、前記電荷放電手段の表面にシリコンよりなるコーテ
ィング層を形成したことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】請求項１または２記載の半導体製造装置
において、前記電荷放電手段を形成する導電性材料が、
グラファイトであることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】請求項１または２記載の半導体製造装置
において、前記電荷放電手段を形成する導電性材料が、
導電性有機材料であることを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項７】請求項１〜６のいずれか１項に記載の半
導体製造装置において、前記半導体ウエハの周縁部から
突出している前記電荷放電手段の長さが、１ｍｍ〜３ｍ
ｍであることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項８】請求項１〜７のいずれか１項に記載の半
導体製造装置において、前記電荷放電手段における前記
半導体ウエハの周縁部から突出した先端部の高さが、前
記半導体ウエハの裏面の高さ、裏面と主面との間の高さ
または主面の高さであることを特徴とする半導体製造装
置。
【請求項９】請求項１〜８のいずれか１項に記載の半
導体製造装置において、前記ウエハ保持部が、前記半導
体ウエハを保持する表面に誘電体膜が設けられ、前記半
導体ウエハと前記ウエハ保持部との間に電圧を印加し
て、前記半導体ウエハを静電的に保持する構造よりなる
ことを特徴とする半導体製造装置。