TWI778081B - 排氣板及電漿處理裝置 - Google Patents

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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之課題係提供可確保傳導並且可提高電漿之封入效果的排氣板。 一實施形態之排氣板設於電漿處理裝置之處理容器的側壁與設在該處理容器內的載置台之間而分隔處理空間與排氣空間，該處理空間藉已電漿化之氣體進行處理，該排氣空間與該處理空間相鄰而用以排放因該處理而產生之氣體，該排氣板並包含有多孔性金屬片。

Description

排氣板及電漿處理裝置
本發明係有關於排氣板及電漿處理裝置。
以往，已知有一種於可密閉之處理容器內產生電漿來對基板進行處理之電漿處理裝置。電漿處理裝置已知有一種設有排氣板之結構，該排氣板分隔處理空間與排氣空間，該處理空間藉已電漿化之氣體進行處理，該排氣空間與處理空間相鄰而用以排放因處理而產生之氣體。
排氣板已知有使用例如形成有複數之貫穿孔或縫隙等開口部之金屬製板材或網眼材的結構(例如參照專利文獻1-3)。在此種排氣板要求確保處理空間至排氣空間之充足傳導以及提高電漿封入至處理空間內之效果。
使用上述排氣板來提高電漿之封入效果的方法可舉下述方法為例，前述方法係藉縮小各開口部之尺寸，而遮斷離子、電子等荷電粒子之通過，不致流入至排氣空間。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開公報2001-179078號 [專利文獻2]日本專利公開公報2011-40461號 [專利文獻3]日本專利公開公報平10-321605號
[發明欲解決之問題]
然而，當縮小開口部之尺寸時，有傳導降低而無法再充分確保從處理空間至排氣空間的氣體流量之虞。對此，當藉增大例如排氣板之尺寸，增加開口部之總數，而確保傳導時，則有處理容器之大型化引起的占地面積增大或裝置之製造成本增大的問題。
如此，在習知之排氣板，電漿之封入效果與開口部之尺寸呈互償關係，而不易確保傳導以及提高電漿之封入效果。
本發明鑑於上述而作成，其目的在於提供可確保傳導且可提高電漿之封入效果的排氣板。 [解決問題之手段]
為達成上述目的，本發明一態樣之排氣板設於電漿處理裝置之處理容器的側壁與設在該處理容器內的載置台之間而分隔處理空間與排氣空間，該處理空間藉已電漿化之氣體進行處理，該排氣空間與該處理空間相鄰而用以排放因該處理而產生之氣體，該排氣板並包含有多孔性金屬片。 [發明之功效]
根據揭示之排氣板，可確保傳導，並且可提高電漿之封入效果。
[用以實施發明之形態]
以下，就用以實施本發明之形態，參照圖式來說明。此外，在本說明書及圖式中，藉對實質上相同之結構，附上同一符號，而省略重複之說明。
本發明實施形態之排氣板係設於電漿處理裝置之處理容器的側壁與設在處理容器內的載置台之間而分隔處理空間與排氣空間的擋板。處理空間係藉已電漿化之氣體進行處理的區域。排氣空間係與處理空間相鄰而用以排放因處理而產生之氣體的區域。又，特徵在於擋板包含有多孔性金屬片。藉此，可確保傳導，並且可提高電漿之封入效果。
(電漿處理裝置) 首先，就適用本發明實施形態之擋板的電漿處理裝置之一例作說明。圖1係本發明實施形態之電漿處理裝置的概略圖。
如圖1所示，本發明實施形態之電漿處理裝置包含有由例如表面業經陽極氧化處理之鋁構成的大略圓筒形處理容器2。處理容器2有接地。
大約圓柱狀之基座支撐台4隔著陶瓷等絕緣板3設於處理容器2內之底部。於基座支撐台4上設有具下部電極之功能的載置台亦即基座5。
於基座支撐台4之內部設有冷媒室7。在冷媒室7，冷媒經由冷媒導入管8導入循環後從冷媒排出管9排出。冷熱藉由基座5對載置於基座5上之基板W傳導，藉此，可將基板W控制在所期溫度。
基座5其上側中央部成形成凸形圓板狀。於基座5之上側中央部上設有呈圓形且與半導體晶圓等基板W大約同徑之靜電吸盤11。靜電吸盤11係於絕緣材間配置電極12而構成。於電極12連接有直流電源13，藉從直流電源13施加直流電壓，而可藉庫侖力將基板W靜電吸附至靜電吸盤11。
於絕緣板3、基座支撐台4、基座5、靜電吸盤11形成有用以將傳熱媒體(例如He氣體等)供至基板W之背面的氣體通路14，而可藉由傳熱媒體將基座5之冷熱傳遞至基板W而將基板W維持在預定溫度。
圓環狀對焦環15在基座5之上端周緣部配置成包圍載置於靜電吸盤11上之晶圓W。對焦環15由例如矽等導電性材料構成，而具有使蝕刻之均一性提高的作用。
上部電極21於基座5之上方與基座5對向而設。上部電極21藉由絕緣材22支撐於處理容器2之上部。上部電極21以電極板24及由導電性材料構成之支撐電極板24的電極支撐體25構成。電極板24以例如Si或SiC等導電體或半導體構成，具有多個吐出孔23。電極板24形成與基座5對向之面。
於上部電極21之電極支撐體25的中央設有氣體導入口26，於氣體導入口26連接有氣體供給管27。處理氣體供給源30藉由開關閥28及質量流量控制器29連接於氣體供給管27。處理氣體供給源30供給電漿蝕刻處理用之蝕刻氣體。
於處理容器2之底部連接有排氣管31，於排氣管31連接有排氣裝置35。排氣裝置35具有渦輪分子泵等真空泵，構造成可將處理容器2內抽真空至預定之減壓氣體環境。又，於處理容器2之側壁設有閘閥32，藉開啟閘閥32，可將基板W搬入至處理容器2內。
於作為下部電極之基座5連接有射頻電源50，於射頻電源50與下部電極之間設有匹配器51。藉從射頻電源50對下部電極施加射頻電力，可於處理容器2內產生電漿。
又，用以防止蝕刻副產物(沉積物)附著於處理容器2之沉積物屏蔽件80裝卸自如地沿著處理容器2之內壁而設。又，沉積物屏蔽件80亦設於基座支撐台4及基座5之外周。
於處理容器2之側壁與基座5之間，即，處理容器2側之沉積物屏蔽件80與基座5側的沉積物屏蔽件80之間設有形成圓環狀之擋板100。沉積物屏蔽件80及擋板100可適合使用於鋁材被覆有氧化鋁、氧化釔(Y2 O3 )等陶瓷之材料。
擋板100可從基座5周圍之圓環狀區域均一地進行排氣，並且將處理容器2內分隔成用以配置處理基板W之處理空間S1與用以進行處理空間S1之下側的排氣之排氣空間S2。藉此，可抑制電漿侵入至擋板10之下游側的排氣空間S2。擋板100為排氣板之一例。
另外，擋板被要求確保處理空間至排氣空間之充足傳導並且提高電漿封入至處理空間內之效果。在以往之擋板中，使用了形成有複數之貫穿孔或縫隙等開口部之金屬製板材或網眼材。因此，為提高電漿之封入效果，需藉縮小各開口部之尺寸，而遮斷離子、電子等荷電粒子之通過，不致流入至排氣空間。又，亦可舉使擋板之厚度增厚的方法。
然而，當縮小開口部之尺寸時，有傳導降低而無法充分確保處理空間至排氣空間的氣體流量之虞。對此，當藉增大例如擋板之尺寸，增加開口部之總數時，則有處理容器之大型化引起的占地面積增大之問題。
如此，在習知之擋板中，電漿之封入效果與開口部之尺寸有互償關係，而不易確保導通以及提高電漿之封入效果。
是故，本案發明人們致力檢討習知技術之問題點，結果發現了藉使用包含有多孔性金屬片之擋板，可確保導通並且可提高電漿之封入效果。以下，就可確保導通並且可提高電漿之封入效果的擋板，詳細地說明。
(擋板) 就本發明實施形態之擋板100作說明。圖2係顯示本發明實施形態之擋板的一例之圖。圖2(a)係擋板之平面圖，圖2(b)係在圖2(a)之點鏈線2B-2B截斷的截面圖。圖3係顯示本發明實施形態之擋板的另一例之圖。圖3(a)係擋板之平面圖，圖3(b)係在圖3(a)之點鏈線3B-3B截斷的截面圖。圖4係用以說明多孔性金屬片之效果的圖。圖5係用以說明習知之大體積金屬板的圖。
本發明實施形態之擋板100至少一部分包含有多孔性金屬片。如圖2所示，擋板100可為形成圓環狀之多孔性金屬片110。又，如圖3所示，擋板100亦可以形成圓環狀之多孔性金屬片110、第1金屬構件112、及第2金屬構件114形成。第1金屬構件112連接於多孔性金屬片110之外周部，由塊狀金屬材料形成圓環板狀。第2金屬構件114連接於多孔性金屬片110之內周部，由塊狀金屬材料形成圓環板狀。擋板100以多孔性金屬片110、第1金屬構件112及第2金屬構件114形成時，可提高擋板100之強度。
在本實施形態中，多孔性金屬片110以金屬纖維形成。此時，金屬纖維重疊，連通金屬纖維間之空間形成曲線流路或不規則之流路。因此，貫穿多孔性金屬片110之直線流路幾乎不存在，如圖4所示，直進性高之電子、離子等荷電粒子無法通過多孔性金屬片110。另一方面，直進性低之氣體通過連通多孔性金屬片110內的金屬纖維間之空間。因此，因構成電漿之氣體分子的電離及解離而產生之陽離子及電子被多孔性金屬片110遮斷，而未電漿化之氣體未被多孔性金屬片110遮斷而排出至排氣空間S2。結果，可確保傳導，並且可提高電漿之封入效果。再者，多孔性金屬片110由於荷電粒子在金屬纖維之各表面移動，故比起塊狀金屬材料，荷電粒子流動之面積較大，因此荷電粒子易往處理容器2之基線流動。即，RF返回效果大。因此，可使擋板100之厚度薄，而可提高傳導。
相對於此，如圖5所示，擋板以形成有貫穿孔或縫隙等開口部912之金屬板910形成時，有直進性高之電子、離子等荷電粒子的一部分通過形成直線流路之開口部912的情形。是故，亦考慮縮小開口部912之開口徑，但由於當縮小開口部912之開口徑時，傳導會降低，故不佳。又，亦考慮增大擋板100之尺寸，增加開口部912之總數，確保傳導，但由於處理容器2大型化，占地面積增大，且裝置之製造成本增大，故不佳。
金屬纖維之材料可為例如不鏽鋼(SUS)、銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)等。金屬纖維之纖維徑從特別提高電漿之封入效果的觀點而言，為降低交流電阻值，宜大於因應於從射頻電源50對下部電極施加之射頻電力頻率而訂定的表層深度。舉例而言，使用Cu時之表層深度在射頻電力之頻率為400kHz、3MHz、13MHz、40MHz、100MHz時，分別為約100μm、約40μm、約20μm、約10μm、約6.5μm。因此，使用Cu作為金屬纖維之材料時的金屬纖維之纖維徑在射頻電力之頻率為400kHz、3MHz、13MHz、40MHz、100MHz時，宜分別為大於約100μm、約40μm、約20μm、約10μm、約6.5μm。
又，多孔性金屬片110宜以金屬纖維無方向地(不規則地)分散配置之片形成。當金屬纖維為無方向時，相較於有規則地定向成格子狀等之情形，由於鄰近之金屬纖維產生的渦電流之鄰近效應的影響小，故可使交流電阻小。金屬纖維無方向地分散配置之片宜使用例如金屬纖維之不織布、金屬纖維之燒結體。
又，多孔性金屬片110宜以具有連通之多個氣孔的金屬材料構成，形成從處理空間S1至排氣空間S2之曲線流路。此時，由於沿著多孔性金屬片110之厚度方向貫穿的貫穿孔不存在或幾乎不存在，故直進性高之電子、離子等荷電粒子無法通過多孔性金屬片110。另一方面，由於形成有從處理空間S1至排氣空間S2之曲線流路，故直進性低之氣體通過多孔性金屬片110內。因此，因構成電漿之氣體分子的電離而產生之陽離子及電子被多孔性金屬片110遮斷，但未電漿化之氣體則未被多孔性金屬片110遮斷，而排出至排氣空間S2。結果，可確保傳導，且可提高電漿之封入效果。具有連通之多個氣孔的金屬材料宜使用例如發泡金屬。
又，多孔性金屬片110宜具有擴散光可透過而平行光則透不過之光學特性。藉此，可確保傳導，且獲得特別高之電漿封入效果。
又，擋板100亦可層積複數之多孔性金屬片110而形成。
(效果) 關於使用本發明實施形態之擋板時的電漿封入效果，藉評估多孔性金屬片之荷電粒子亦即電子的遮斷性，作了確認。又，關於擋板之傳導，藉評估多孔性金屬片之傳導，作了確認。
首先，就用以進行多孔性金屬片之電子的遮斷性評估、及多孔性金屬片之傳導評估的評估裝置作說明。圖6係顯示用以評估電子之遮斷性及傳導的裝置之概略圖。
如圖6所示，評估裝置500構造成可於配置電子槍502之陽極空間Sa與連通陽極空間Sa的排氣空間Se之間配置包含多孔性金屬片之孔口板。在圖6中，以區域A顯示配置孔口板之位置。
於陽極空間Sa設有電子槍502。電子槍502朝排氣空間Se照射以預定能量(例如15keV)使電子加速而產生之電子束。又，於陽極空間Sa連接有氣體供給部504及電容真空計506。氣體供給部504將經質量流量控制器504a調整流量之Ar氣體經由氣體供給管504b供至陽極空間Sa。電容真空計506檢測陽極空間Sa之壓力。
於排氣空間Se設有載置台508。載置台508載置被處理體P。又，於排氣空間Se連接有渦輪分子泵510及B-A電離真空計512。渦輪分子泵510排放排氣空間Se之氣體。B-A電離真空計512檢測排氣空間Se之壓力。
接著，就使用前述評估裝置500之多孔性金屬片的電子之遮斷性評估作說明。首先，就包含用於評估之多孔性金屬片的孔口板作說明。圖7係顯示包含實施例之多孔性金屬片的孔口板之一例的平面圖。圖7(a)係從陽極空間Sa側觀看孔口板時之圖，圖7(b)係從排氣空間Se側觀看孔口板時之圖。
如圖7(a)及圖7(b)所示，孔口板150有金屬製圓板狀構件154、多孔性金屬片158。圓板狀構件154具有離散地配置成使電子束EB通過之複數的電子束通過區域部亦即貫穿孔152。多孔性金屬片158貼附成堵住位於中央部之貫穿孔152，並具有小於位於中央部之貫穿孔152的開口部156。位於中央部之貫穿孔152的孔徑為60mm，開口部156之開口徑為6mm。多孔性金屬片158使用了纖維徑8μm、纖維長度3mm、占空因數8%、厚度0.5mm之金屬纖維的不織布。
圖8係顯示比較例之孔口板的平面圖。如圖8所示，孔口板950係從實施例之孔口板150去掉多孔性金屬片158，以與實施例之孔口板150相同的金屬製圓板狀構件154構成。
接著，使用前述評估裝置500，藉對配置於排氣空間Se之被處理體P經由孔口板150、950照射以15keV使電子加速而產生之電子束，而評估多孔性金屬片158之電子的遮斷性。此時，對位於孔口板150、950之中央部的貫穿孔152照射電子束。圖9係顯示使用實施例及比較例之孔口板150、950的電子之遮斷效果的評估結果之圖。圖9(a)顯示經由實施例之孔口板150對被處理體P照射電子束時之被處理體P的表面狀態，圖9(b)顯示經由比較例之孔口板950對被處理體P照射電子束時之被處理體P的表面狀態。
如圖9(a)所示，可知經由實施例之孔口板150對被處理體P照射電子束時，僅對應形成於多孔性金屬片158之開口部156的位置(參照圖中之區域B)變質成黑色，其他之位置未變質。另一方面，如圖9(b)所示，可知經由比較例之孔口板950對被處理體P照射電子束時，對應圓板狀構件154之貫穿孔152的位置(參照圖中之區域C)變色成黑色。此係因未於圓板狀構件154之貫穿孔152設多孔性金屬片158之故。從該等點得以確認電子束不致通過多孔性金屬片158，而被多孔性金屬片158遮斷。
接著，就使用前述評估裝置500之孔口板的傳導之評估作說明。首先，就用於評估之孔口板作說明。圖10係顯示實施例之孔口板的一例之平面圖。如圖10所示，孔口板160有中央部具有貫穿孔162之金屬製圓環板狀構件164、貼附成堵住圓環板狀構件164之貫穿孔162且具有小於貫穿孔162之開口部166的多孔性金屬片168。多孔性金屬片168係圓環板狀構件164之內徑為60mm，外徑為100mm。開口部166之開口徑為6mm。多孔性金屬片168使用纖維徑8μm、纖維長度3mm、占空因數8%、厚度0.5mm之金屬纖維的不織布。
圖11係顯示比較例之孔口板的平面圖。如圖11所示，比較例之孔口板960係從實施例之孔口板160去掉多孔性金屬片168，以與實施例之孔口板相同的金屬製圓環板狀構件164構成。
接著，使用前述評估裝置500，於陽極空間Sa與排氣空間Se之間配置實施例或比較例之孔口板160、960，從氣體供給部504將Ar氣體供至陽極空間Sa，並且以渦輪分子泵510將排氣空間Se排氣。根據此時以電容真空計506檢測之陽極空間Sa的壓力及以B-A電離真空計檢測之排氣空間Se的壓力，評估了多孔性金屬片168之傳導。
圖12係顯示使用實施例及比較例之孔口板160及960的傳導之評估結果的圖。在圖12，橫軸顯示排氣空間Se之壓力(mPa)，縱軸顯示陽極空間Sa之壓力(mPa)。又，圖12中，粗實線顯示使用實施例之孔口板160時的結果，細實線顯示使用比較例之孔口板960時的結果，虛線顯示未配置孔口板時之結果。
如圖12所示，使用實施例之孔口板160時，相較於使用比較例之孔口板960的情形或未配置孔口板之情形，陽極空間Sa與排氣空間Se之間的壓力差稍大。然而，得以確認即使使用實施例之孔口板160時，陽極空間Sa與排氣空間Se之壓力差仍小，而確保了充足之傳導。此時之傳導為2.1L/s·cm2 。
以上，就用以實施本發明之形態作了說明，上述內容並非限定發明之內容，在本發明之範圍內可作各種變形及改良。
2‧‧‧處理容器3‧‧‧絕緣板4‧‧‧基座支撐台5‧‧‧基座7‧‧‧冷媒室8‧‧‧冷媒導入管9‧‧‧冷媒排出管11‧‧‧靜電吸盤12‧‧‧電極13‧‧‧直流電源14‧‧‧氣體通路15‧‧‧對焦環21‧‧‧上部電極22‧‧‧絕緣材23‧‧‧吐出孔24‧‧‧電極板25‧‧‧電極支撐體26‧‧‧氣體導入口27‧‧‧氣體供給管28‧‧‧開關閥29‧‧‧質量流量控制器30‧‧‧處理氣體供給源31‧‧‧排氣管32‧‧‧閘閥35‧‧‧排氣裝置50‧‧‧射頻電源51‧‧‧匹配器80‧‧‧沉積物屏蔽件100‧‧‧擋板110‧‧‧多孔質金屬片112‧‧‧第1金屬構件114‧‧‧第2金屬構件150‧‧‧孔口板152‧‧‧貫穿孔154‧‧‧圓板狀構件156‧‧‧開口部158‧‧‧多孔性金屬片160‧‧‧孔口板162‧‧‧貫穿孔164‧‧‧圓環板狀構件166‧‧‧開口部168‧‧‧多孔質金屬片500‧‧‧評估裝置502‧‧‧電子槍504‧‧‧氣體供給部504a‧‧‧質量流量控制器504b‧‧‧氣體供給管506‧‧‧電容真空計508‧‧‧載置台510‧‧‧渦輪分子泵512‧‧‧B-A電離真空計910‧‧‧金屬板912‧‧‧開口部950‧‧‧孔口板960‧‧‧孔口板A‧‧‧區域B‧‧‧區域C‧‧‧區域EB‧‧‧電子束P‧‧‧被處理體S1‧‧‧處理空間S2‧‧‧排氣空間Sa‧‧‧陽極空間Se‧‧‧排氣空間W‧‧‧基板
圖1係本發明實施形態之電漿處理裝置的概略圖。 圖2(a)、(b)係顯示本發明實施形態之擋板的一例之圖。 圖3(a)、(b)係顯示本發明實施形態之擋板的另一例之圖。 圖4係用以說明多孔性金屬片之效果的圖。 圖5係用以說明習知之大體積金屬板的圖。 圖6係顯示用以評估電子之遮斷性及傳導的裝置之概略圖。 圖7(a)、(b)係顯示包含實施例之多孔性金屬片的孔口板之一例的平面圖。 圖8係顯示比較例之孔口板的平面圖。 圖9(a)、(b)係顯示使用實施例及比較例之孔口板的電子之遮斷效果的評估效果之圖。 圖10係顯示實施例之孔口板的一例之平面圖。 圖11係顯示比較例之孔口板的平面圖。 圖12係顯示使用實施例及比較例之孔口板的傳導之評估效果的圖。
2‧‧‧處理容器
3‧‧‧絕緣板
4‧‧‧基座支撐台
5‧‧‧基座
7‧‧‧冷媒室
8‧‧‧冷媒導入管
9‧‧‧冷媒排出管
11‧‧‧靜電吸盤
12‧‧‧電極
13‧‧‧直流電源
14‧‧‧氣體通路
15‧‧‧對焦環
21‧‧‧上部電極
22‧‧‧絕緣材
23‧‧‧吐出孔
24‧‧‧電極板
25‧‧‧電極支撐體
26‧‧‧氣體導入口
27‧‧‧氣體供給管
28‧‧‧開關閥
29‧‧‧質量流量控制器
30‧‧‧處理氣體供給源
31‧‧‧排氣管
32‧‧‧閘閥
35‧‧‧排氣裝置
50‧‧‧射頻電源
51‧‧‧匹配器
80‧‧‧沉積物屏蔽件
100‧‧‧擋板
S1‧‧‧處理空間
S2‧‧‧排氣空間
W‧‧‧基板

Claims (10)

  1. 一種排氣板，其設於電漿處理裝置之處理容器的側壁與設在該處理容器內的載置台之間而分隔處理空間與排氣空間，該處理空間藉已電漿化之氣體進行處理，該排氣空間與該處理空間相鄰而用以排放因該處理而產生之氣體；該排氣板並包含有以金屬纖維形成之多孔性金屬片。
  2. 如申請專利範圍第1項之排氣板，其中，該多孔性金屬片係金屬纖維無方向地分散配置之片。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之排氣板，其中，該多孔性金屬片係金屬纖維之不織布或金屬纖維之燒結體。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之排氣板，其中，該金屬纖維之纖維徑大於因應於對該載置台施加之射頻電力頻率而訂定的表層深度。
  5. 一種排氣板，其設於電漿處理裝置之處理容器的側壁與設在該處理容器內的載置台之間而分隔處理空間與排氣空間，該處理空間藉已電漿化之氣體進行處理，該排氣空間與該處理空間相鄰而用以排放因該處理而產生之氣體；該排氣板並包含有多孔性金屬片；該多孔性金屬片以具有連通之多個氣孔的金屬材料構成，並形成從該處理空間至該排氣空間之曲線流路；且該金屬材料係發泡金屬。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項或第5項之排氣板，其中，該多孔性金屬片係擴散光可透過，平行光透不過。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項或第5項之排氣板，其係層積複數之該多孔性金屬片而形成。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項或第5項之排氣板，其包含有：第1金屬構件，其連接於該多孔性金屬片之外周部，由金屬材料形成圓環板狀；第2金屬構件，其連接於該多孔性金屬片之內周部，由金屬材料形成圓環板狀。
  9. 一種電漿處理裝置，其包含有：處理容器，在其內部產生電漿來處理基板；排氣板，其設於該處理容器之側壁與設在該處理容器內的載置台之間而分隔處理空間與排氣空間，該處理空間藉已電漿化之氣體進行處理，該排氣空間與該處理空間相鄰而用以排放因該處理而產生之氣體；該排氣板並具有以金屬纖維形成之多孔性金屬片。
  10. 一種電漿處理裝置，其包含有：處理容器，在其內部產生電漿來處理基板； 排氣板，其設於該處理容器之側壁與設在該處理容器內的載置台之間而分隔處理空間與排氣空間，該處理空間藉已電漿化之氣體進行處理，該排氣空間與該處理空間相鄰而用以排放因該處理而產生之氣體；該排氣板並具有多孔性金屬片；該多孔性金屬片以具有連通之多個氣孔的金屬材料構成，並形成從該處理空間至該排氣空間之曲線流路；且該金屬材料係發泡金屬。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
WO2023032705A1 (ja) * 2021-09-01 2023-03-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びシャワーヘッドアセンブリ
CN116614926A (zh) * 2022-02-09 2023-08-18 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体约束系统及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020038791A1 (en) * 2000-10-03 2002-04-04 Tomohiro Okumura Plasma processing method and apparatus
JP2004140379A (ja) * 2000-10-03 2004-05-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
US20090104781A1 (en) * 2003-02-07 2009-04-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, ring member and plasma processing method
TW201220962A (en) * 2010-06-07 2012-05-16 Tokyo Electron Ltd can suppress the consumption of partially eroding a dielectric protection mask disposed inside a dielectric window

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3468446B2 (ja) * 1997-05-20 2003-11-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6051100A (en) * 1997-10-24 2000-04-18 International Business Machines Corporation High conductance plasma containment structure
JP3814510B2 (ja) * 2000-10-03 2006-08-30 松下電器産業株式会社 プラズマ処理方法及び装置
JP4338355B2 (ja) * 2002-05-10 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7927066B2 (en) * 2005-03-02 2011-04-19 Tokyo Electron Limited Reflecting device, communicating pipe, exhausting pump, exhaust system, method for cleaning the system, storage medium storing program for implementing the method, substrate processing apparatus, and particle capturing component
US8298379B2 (en) * 2007-03-22 2012-10-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for extending chamber component life in a substrate processing system
JP5412239B2 (ja) * 2009-02-24 2014-02-12 株式会社島津製作所 ターボ分子ポンプおよびターボ分子ポンプ用パーティクルトラップ
US8360003B2 (en) * 2009-07-13 2013-01-29 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with uniform process rate distribution by improved RF ground return path
JP5432629B2 (ja) * 2009-08-07 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 バッフル板及びプラズマ処理装置
JP2012038761A (ja) * 2010-08-03 2012-02-23 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5865596B2 (ja) * 2011-03-25 2016-02-17 東京エレクトロン株式会社 粒子捕捉ユニット、該粒子捕捉ユニットの製造方法及び基板処理装置
US20140051253A1 (en) * 2012-08-14 2014-02-20 Lam Research Corporation Plasma baffle ring for a plasma processing apparatus and method of use

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020038791A1 (en) * 2000-10-03 2002-04-04 Tomohiro Okumura Plasma processing method and apparatus
JP2004140379A (ja) * 2000-10-03 2004-05-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
US20090104781A1 (en) * 2003-02-07 2009-04-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, ring member and plasma processing method
TW201220962A (en) * 2010-06-07 2012-05-16 Tokyo Electron Ltd can suppress the consumption of partially eroding a dielectric protection mask disposed inside a dielectric window

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