JP6984126B2 - ガス供給装置、プラズマ処理装置及びガス供給装置の製造方法 - Google Patents
ガス供給装置、プラズマ処理装置及びガス供給装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6984126B2 JP6984126B2 JP2016253152A JP2016253152A JP6984126B2 JP 6984126 B2 JP6984126 B2 JP 6984126B2 JP 2016253152 A JP2016253152 A JP 2016253152A JP 2016253152 A JP2016253152 A JP 2016253152A JP 6984126 B2 JP6984126 B2 JP 6984126B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge port
- gas
- gas flow
- gas discharge
- flow path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Description
このようなプラズマ処理装置において、ガス供給部に用いられる上部電極には、複数のガス流路が形成され、ガス流路の下端部には、孔部が拡開するガス吐出口(ガス孔口元)が形成されている。このような上部電極においては、上部電極の表面に形成されたアルマイトがプラズマにより消耗することによるパーティクルの発生や、異常放電が問題となる。そのためガス吐出口の耐プラズマ性の向上の要請がある。
前記電極部材に当該電極部材の一面に向かって伸びるように形成された複数のガス流路と、
前記ガス流路の下流端に連続して形成され、孔径が前記一面に向かって拡大するガス吐出口と、
前記ガス吐出口の表面に溶射膜により形成された保護膜と、を備え、
前記ガス流路と前記ガス吐出口との境界にて内周面を外側に向けて折曲して角部を形成すると共に、前記角部よりも外側に位置する内周面の部位から前記電極部材の一面側の表面までを湾曲面として形成し、前記ガス流路の軸線に沿った断面で見たときに、前記角部から前記湾曲面の内端までの間は直線であり、
前記角部と前記湾曲面における内端とを結ぶ直線と、前記ガス流路の軸線と、がなす角度θ1は、45度から50度の範囲に設定されていることを特徴とする。
前記ガス流路の内周面を、前記ガス流路の軸線との角度が45度から50度の範囲に設定された角度で外側に向けて折曲した角部を形成する工程と、
前記角部に連続し、前記ガス流路の軸線に沿った断面で見たときに直線となる内周面を有する前記ガス吐出口を形成する工程と、
前記ガス吐出口の前記開口において、前記直線となる内周面に連続し、前記電極部材の一面側の表面までを湾曲面として形成する工程と、
前記電極部材における前記ガス吐出口が形成された前記一面に向けて、当該一面に対向する位置に設置された溶射部から溶射材料を吹き付ける工程と、前記溶射部を、前記溶射材料を吹き付けながら前記ガス流路の伸びる方向に対して直交する方向に移動させて溶射膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
また本発明のガス供給装置の製造方法は、プラズマを発生させるための電極部材に、当該電極部材の一面に向かって伸びるように形成された複数のガス流路と、当該ガス流路の夫々の下流端に連続して形成され前記一面に開口する複数のガス吐出口と、を有するガス供給装置の製造方法であって、
前記ガス流路の内周面を、前記ガス流路の軸線との角度が45度から70度の範囲に設定された角度で外側に向けて折曲した角部を形成する工程と、
前記角部に連続し、前記ガス流路の軸線に沿った断面で見たときに直線となる内周面を有する前記ガス吐出口を形成する工程と、
前記電極部材における前記ガス吐出口が形成された前記一面に向けて、当該一面に対向する位置に設置された溶射部から溶射材料を吹き付ける工程と、
前記溶射部を、前記溶射材料を吹き付けながら前記ガス流路の伸びる方向に対して直交する方向に移動させて溶射膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
前記処理容器内に設けられた基板を載置する載置台と、
前記処理容器内にプラズマ処理用の処理ガスを供給する上述のガス供給装置と、
前記載置台と電極部材との間に高周波電力を供給する高周波電源部と、
処理容器内を真空排気をするための排気機構と、を備えたことを特徴とする。
また他の発明では、ガス流路とガス吐出口との境界に内周面を第1の角部を形成するように外側に折曲させ、第1の角部の外側の内周面を更に外側に折曲して、第2の角部を形成して電極部材の一面側に連続させている。さらに第1の角部から第2の角部までの内壁に沿った直線とガス流路の軸線とのなす角度θ2を45°以上、70°以下となるようにしている。そのため溶射材料の吹き付け方向と、ガス吐出口の内周面と、がなす角度が大きくなるため同様にガス吐出口の溶射膜が均一な膜厚に形成されやすくなる。
第1の実施の形態に係るガス供給装置を用いたプラズマ処理装置について説明する。図1に示すようにプラズマ処理装置は、接地された例えばアルミニウムまたはステンレス製の真空容器である処理容器10を備えている。処理容器10の側面には、プラズマ処理される基板である例えば矩形のガラス基板Gを受け渡すための搬入出口11が設けられており、搬入出口11には、搬入出口11を開閉するゲートバルブ12が設けられている。
また基板載置面21Aの表面には、図示しない複数の伝熱ガス吐出孔が開口しており、伝熱ガス吐出孔から基板載置面21Aとガラス基板Gとの間に伝熱ガス例えばヘリウム(He)ガスを供給するように構成されている。このHeガスによりガラス基板Gと、サセプタ2との間の熱が効果的に伝達される。
これに対して、図5に示すようにガス吐出口40の側周面を湾曲させ、ガス吐出口40とガス流路41との境界部位(ガス吐出口40の上流側端部)から電極板32Bの下面300までを湾曲面として形成した場合には、ガス吐出口40の上流端の近傍において、溶射材料50の吹付角度と、ガス吐出口40の内面との間の角度αが45°よりも小さくなる。
なお境界部Pbと境界部Paとの間の水平距離S1は、0.5〜1mmに設定することが好ましい。従って下流側端部と電極板32Bの下面300とを湾曲面で繋ぐ場合において、ガス吐出口40の内壁と軸線Lとがなす角度θ1は45〜50°に設定することが好ましい。
これによりガス供給部3に溶射膜6を成膜するにあたって、ガス流路41の伸びる方向から溶射材料50を吹き付けることでガス吐出口40に溶射膜6を均一に成膜することができ、溶射材料50を吹き付ける溶射部5をガス流路41の伸びる方向と直交する方向に移動させて、溶射材料50を吹き付ける位置を変えることで、各ガス吐出口40に均一な溶射膜6を成膜することができる。
従って溶射膜成膜処理が簡単になり、例えば溶射部5の溶射材料50の吹付角度を調整して、溶射膜6の薄い部分に改めて溶射材料50を吹き付けるなどの複雑な工程を行う必要がない。
更に基板に成膜処理を行うプラズマ処理装置に適用してもよく、ガラス基板Gをプラズマ処理するプラズマ処理装置に限らず、円板状の例えば直径300mmウエハをプラズマ処理するプラズマ処理装置であってもよい。
また第2の実施の形態に係るガス供給装置として、図8に示すように各ガス吐出口40は、軸線Lを含む断面で見たときに上流側端部から下流側端部まで直線部分42のみとなる斜面で構成され、ガス吐出口40の上流側端部とガス流路41との間の境界部Pa及びガス吐出口40の下流側端部と電極板32Bの下面300との境界部Pbとが夫々第1の角部及び第2の角部となるように構成されていてもよい。後述の実施例に示すように各ガス吐出口40の内面の角度θ2が軸線Lに対して45°以上であれば溶射部5から溶射材料50を吹きつけたときにガス吐出口40の溶射膜6に均一に成膜されるため同様の効果がある。
また角部になると、局所的に電界が集中するために異常放電が発生したり、異常放電の影響で角部が削れてパーティクルの要因になるため、ガス吐出口40の下流側端部を湾曲させることにより異常放電やパーティクルの発生を抑制することができる。
図2に示すようにガス吐出口40を下流側ほど内径が広がるすり鉢状の斜面とし、ガス吐出口40とガス流路41との境界にて内周面に角部が形成されるように外側に向けて折曲し、ガス吐出口40の下流側端部は電極板32Bの下面300に湾曲面により繋がるように構成した。またガス吐出口40の内壁に沿った直線とガス流路41の軸線Lとのなす角度θ1を45°に設定した。さらに溶射材料50としてイットリアを用い実施の形態に示した溶射膜成膜方法によって溶射膜6を成膜した例を実施例1とした。
[実施例2]
ガス吐出口40を軸線Lを含む断面で見たときに上流側端部から下流側端部まで直線部分42のみとなる斜面で構成され、ガス吐出口40の上流側端部のガス流路41との間の境界部Pa及びガス吐出口40の下流側端部と電極板32Bの処理空間側の面との境界部Pbとが夫々第1の角部及び第2の角部となるように構成した。またガス吐出口40の内壁と、軸線Lとのなす角度θ2が45°になるように設定したことを除いて実施例1と同様に構成した例を実施例2とした。
[実施例3]
図8に示すようにガス吐出口40の内壁と、軸線Lとのなす角度θ2が70°になるように形成されたことを除いて実施例2と同様に構成した例を実施例3とした。
[比較例]
図9に示すようにガス吐出口40をガス流路41の軸線Lを含む断面で見たときに、上流側端部から下流側端部まで曲率半径1mmの寸法の曲線部分43となるように構成したことを除いて実施例1と同様に構成した例を比較例とした。
各例のガス吐出口40における溶射膜6の膜厚の測定地点について説明する。図10に示すように、まずガス吐出口40を軸線Lを通過する断面で見て、ガス吐出口40の上流側端部の境界部PAから軸線Lに垂直な方向に伸びる線と、ガス吐出口40の下流側端部の境界部Pbから軸線Lに平行な方向に伸びる線との交点を定めた。そしてその交点と溶射膜6の表面とを結ぶ直線と軸線Lに垂直な線とのなす角度が夫々90、75、60、45、30、15及び0°となる地点を夫々地点P1〜P7とした。実施例1〜実施例3及び比較例の各々のサンプルの断面をSEM(走査型電子顕微鏡)により撮影し、当該写真より各地点の膜厚を測定した。
また実施例1〜3においては、各々地点P1〜P6において、溶射膜6の膜厚は0.7以上を示しており、略0.8以上の値であった。また実施例1と実施例2とを比較すると、地点P2及び地点P3において実施例1は、実施例2よりも膜厚が厚くなっていることがわかる。
5 溶射部
6 溶射膜
10 処理容器
21 下部電極
30 シャワーヘッド
32B 電極板
40 開口部
42 直線部分
43 曲線部分
50 溶射材料
G ガラス基板
Claims (4)
- プラズマを発生させるための電極部材と、
前記電極部材に当該電極部材の一面に向かって伸びるように形成された複数のガス流路と、
前記ガス流路の下流端に連続して形成され、孔径が前記一面に向かって拡大するガス吐出口と、
前記ガス吐出口の表面に溶射膜により形成された保護膜と、を備え、
前記ガス流路と前記ガス吐出口との境界にて内周面を外側に向けて折曲して角部を形成すると共に、前記角部よりも外側に位置する内周面の部位から前記電極部材の一面側の表面までを湾曲面として形成し、前記ガス流路の軸線に沿った断面で見たときに、前記角部から前記湾曲面の内端までの間は直線であり、
前記角部と前記湾曲面における内端とを結ぶ直線と、前記ガス流路の軸線と、がなす角度θ1は、45度から50度の範囲に設定されていることを特徴とするガス供給装置。 - プラズマを発生させるための電極部材に、当該電極部材の一面に向かって伸びるように形成された複数のガス流路と、当該ガス流路の夫々の下流端に連続して形成され前記一面に開口する複数のガス吐出口と、を有するガス供給装置の製造方法であって、
前記ガス流路の内周面を、前記ガス流路の軸線との角度が45度から50度の範囲に設定された角度で外側に向けて折曲した角部を形成する工程と、
前記角部に連続し、前記ガス流路の軸線に沿った断面で見たときに直線となる内周面を有する前記ガス吐出口を形成する工程と、
前記ガス吐出口の前記開口において、前記直線となる内周面に連続し、前記電極部材の一面側の表面までを湾曲面として形成する工程と、
前記電極部材における前記ガス吐出口が形成された前記一面に向けて、当該一面に対向する位置に設置された溶射部から溶射材料を吹き付ける工程と、
前記溶射部を、前記溶射材料を吹き付けながら前記ガス流路の伸びる方向に対して直交する方向に移動させて溶射膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とするガス供給装置の製造方法。 - プラズマを発生させるための電極部材に、当該電極部材の一面に向かって伸びるように形成された複数のガス流路と、当該ガス流路の夫々の下流端に連続して形成され前記一面に開口する複数のガス吐出口と、を有するガス供給装置の製造方法であって、
前記ガス流路の内周面を、前記ガス流路の軸線との角度が45度から70度の範囲に設定された角度で外側に向けて折曲した角部を形成する工程と、
前記角部に連続し、前記ガス流路の軸線に沿った断面で見たときに直線となる内周面を有する前記ガス吐出口を形成する工程と、
前記電極部材における前記ガス吐出口が形成された前記一面に向けて、当該一面に対向する位置に設置された溶射部から溶射材料を吹き付ける工程と、
前記溶射部を、前記溶射材料を吹き付けながら前記ガス流路の伸びる方向に対して直交する方向に移動させて溶射膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とするガス供給装置の製造方法。 - 内部にプラズマを発生させるための処理容器と、
前記処理容器内に設けられた基板を載置する載置台と、
前記処理容器内にプラズマ処理用の処理ガスを供給する請求項1に記載のガス供給装置と、
前記載置台と電極部材との間に高周波電力を供給する高周波電源部と、
処理容器内を真空排気をするための排気機構と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016253152A JP6984126B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | ガス供給装置、プラズマ処理装置及びガス供給装置の製造方法 |
TW106143654A TWI763755B (zh) | 2016-12-27 | 2017-12-13 | 氣體供給裝置、電漿處理裝置及氣體供給裝置之製造方法 |
KR1020170177202A KR102085409B1 (ko) | 2016-12-27 | 2017-12-21 | 가스 공급 장치, 플라스마 처리 장치 및 가스 공급 장치의 제조 방법 |
CN201711417582.3A CN108242381B (zh) | 2016-12-27 | 2017-12-25 | 气体供给装置及其制造方法以及等离子体处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016253152A JP6984126B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | ガス供給装置、プラズマ処理装置及びガス供給装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018107313A JP2018107313A (ja) | 2018-07-05 |
JP6984126B2 true JP6984126B2 (ja) | 2021-12-17 |
Family
ID=62700520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016253152A Active JP6984126B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | ガス供給装置、プラズマ処理装置及びガス供給装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6984126B2 (ja) |
KR (1) | KR102085409B1 (ja) |
CN (1) | CN108242381B (ja) |
TW (1) | TWI763755B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7159074B2 (ja) * | 2019-02-08 | 2022-10-24 | キオクシア株式会社 | ガス供給部材、プラズマ処理装置、及びコーティング膜の形成方法 |
US11749507B2 (en) | 2021-04-21 | 2023-09-05 | Toto Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus member and semiconductor manufacturing apparatus |
JP7197036B2 (ja) * | 2021-04-21 | 2022-12-27 | Toto株式会社 | 半導体製造装置用部材及び半導体製造装置 |
CN115410892B (zh) * | 2022-07-22 | 2023-04-14 | 合肥微睿光电科技有限公司 | 一种上部电极、气体扩散器及真空腔室 |
JP7409535B1 (ja) | 2023-02-22 | 2024-01-09 | Toto株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
JP7409536B1 (ja) | 2023-02-22 | 2024-01-09 | Toto株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999021208A1 (fr) * | 1997-10-16 | 1999-04-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran plat a plasma, et production |
US6914005B2 (en) * | 2002-03-01 | 2005-07-05 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma etching method |
US20090095221A1 (en) * | 2007-10-16 | 2009-04-16 | Alexander Tam | Multi-gas concentric injection showerhead |
US8206829B2 (en) * | 2008-11-10 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant coatings for plasma chamber components |
JP5198611B2 (ja) * | 2010-08-12 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
JP2012057251A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | 保護膜とその形成方法、並びに半導体製造装置およびプラズマ処理装置 |
US9082593B2 (en) * | 2011-03-31 | 2015-07-14 | Tokyo Electron Limited | Electrode having gas discharge function and plasma processing apparatus |
JP5782293B2 (ja) * | 2011-05-10 | 2015-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ生成用電極およびプラズマ処理装置 |
JP2014157944A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | ガス供給部材及びプラズマ処理装置 |
JP6714978B2 (ja) * | 2014-07-10 | 2020-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置用の部品、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置用の部品の製造方法 |
CN105428195B (zh) * | 2014-09-17 | 2018-07-17 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置用的部件和部件的制造方法 |
CN106340434B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-12-14 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和喷淋头 |
-
2016
- 2016-12-27 JP JP2016253152A patent/JP6984126B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-13 TW TW106143654A patent/TWI763755B/zh active
- 2017-12-21 KR KR1020170177202A patent/KR102085409B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-25 CN CN201711417582.3A patent/CN108242381B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018107313A (ja) | 2018-07-05 |
TWI763755B (zh) | 2022-05-11 |
CN108242381A (zh) | 2018-07-03 |
TW201836439A (zh) | 2018-10-01 |
KR102085409B1 (ko) | 2020-03-05 |
KR20180076325A (ko) | 2018-07-05 |
CN108242381B (zh) | 2020-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6984126B2 (ja) | ガス供給装置、プラズマ処理装置及びガス供給装置の製造方法 | |
US8051799B2 (en) | Object-processing apparatus controlling production of particles in electric field or magnetic field | |
US9236229B2 (en) | Gas supply member, plasma treatment method, and method of forming yttria-containing film | |
TWI559357B (zh) | Electrode generation electrode and plasma processing device | |
JP5202050B2 (ja) | シャワーヘッド及び基板処理装置 | |
US20080106842A1 (en) | Mounting device, plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US20110272100A1 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component | |
JP2007250967A (ja) | プラズマ処理装置および方法とフォーカスリング | |
TWM462943U (zh) | 用於電漿處理腔室之蓋環 | |
JP2014157944A (ja) | ガス供給部材及びプラズマ処理装置 | |
US11521830B2 (en) | Ceramic coated quartz lid for processing chamber | |
JP2008218802A (ja) | 基板載置台及び基板処理装置 | |
KR20170028849A (ko) | 포커스 링 및 기판 처리 장치 | |
JP2016506592A (ja) | 均一なプラズマ密度を有する容量結合プラズマ装置 | |
JP5232512B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US20190214235A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20120049823A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP5547366B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US10968514B2 (en) | Substrate mounting table | |
JP2000252261A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TW202105510A (zh) | 電漿處理裝置 | |
TWI808459B (zh) | 電漿處理裝置及其氣體噴淋環的製作方法 | |
TW201903891A (zh) | 濺鍍裝置 | |
TWI816448B (zh) | 內壁構件的再生方法 | |
TWI830599B (zh) | 內壁構件的再生方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180117 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200826 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20201023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201223 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210802 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210802 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20210813 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20210818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211026 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211108 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6984126 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |