TW201836439A - 氣體供給裝置、電漿處理裝置及氣體供給裝置之製造方法 - Google Patents

氣體供給裝置、電漿處理裝置及氣體供給裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

[課題]對具備形成有複數氣體吐出口之電極構件之電漿處理用的氣體供給裝置，提供謀求使形成在氣體吐出口之熔射膜之膜厚均勻化的技術。 　　[解決手段]在具有被用於電漿處理，形成有複數氣體流路(41)之電極板(32B)的氣體供給裝置中，在氣體流路(41)和氣體吐出口(40)之境界部(Pa)，以形成角部之方式朝外側彎曲，以彎曲面從位於角部之外側的內周面形成至下面(300)。因此，當對氣體吐出口(40)噴吹熔射材料(50)之時，噴吹熔射材料(50)之方向和氣體吐出口(40)之內周面所構成之角度變大，可以防止在氣體吐出口(40)之上游側之境界附近的薄膜化。

Description

氣體供給裝置、電漿處理裝置及氣體供給裝置之製造方法
本發明係關於具備對基板進行電漿處理時所使用之電極構件的氣體供給装置之技術領域。
作為半導製造裝置，所知的有藉由電漿對基板進行成膜處理或蝕刻等之電漿處理裝置，例如被稱為兼作上部電極使用的氣體噴淋頭等之氣體供給部，和兼作下部電極使用之基板之載置台之間施加高頻電力的平行平板型之電漿處理裝置。 　　在如此之電漿處理裝置中，在氣體供給部所使用的上部電極，形成複數氣體流路，在氣體流路之下端部，形成孔部擴開的氣體吐出口(氣體孔嘴)。在如此之上部電極中，被形成在上部電極之表面的氧皮鋁藉由電漿消耗導致產生微粒或異常放電成為問題。因此，要求提升氣體吐出口之耐電漿性。
為了提升上部電極之耐電漿性，所知的有例如專利文獻1、2所記載般，在氣體吐出口之被施予氧皮鋁處理之表面，進行陶瓷熔射，形成保護膜之技術。當在如此的氣體吐出口之開口部附近形成熔射膜的時候，例如從與上部電極之一面(與載置台相向之面)垂直的方向藉由熔射槍噴出熔射材料，使熔射槍沿著上述一面平行移動，在各氣體吐出口形成熔射膜。
但是，當從與上述一面垂直之方向藉由熔射槍噴吹熔射材料之時，在氣體吐出口之內周面的上游側之部分，內周面和熔射材料之噴吹方向的角度變小，難以噴吹熔射材料。因此，在氣體吐出口之靠近上游的部位，有熔射膜變薄之傾向。當熔射膜局部性地變薄時，在變薄之部位，熔射膜被切削而下層變得容易露出，有上部電極之使用壽命變短之問題。再者，當調整熔射槍之角度而一面調整熔射材料之噴吹角度一面進行熔射時，有熔射工程變得繁雜之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5782293號公報 　　[專利文獻2]日本專利第5198611號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明係鑒於如此之情形下而創作出，其目的在於對具備形成有複數氣體吐出口之電極構件之電漿處理用的氣體供給裝置，提供謀求使形成在氣體吐出口之熔射膜之膜厚均勻化的技術。 [用以解決課題之手段]
本發明之氣體供給裝置具備:電極構件，其係用以使電漿產生； 　　複數氣體流路，其係在上述電極構件以朝向該電極構件之一面延伸的方式被形成； 　　氣體吐出口，其係連續形成在上述氣體流路之下游端，孔徑朝向上述一面擴大；及 　　保護膜，其係藉由熔射膜被形成在上述氣體吐出口之表面， 　　在上述氣體流路和上述氣體吐出口之境界，將內周面朝向外側彎曲而形成角部，同時以彎曲面從位於較上述角部更外側之內周面的部位形成至上述電極構件之一面側之表面，當在沿著上述氣體流路之軸線的剖面觀看時，從上述角部至上述彎曲面之內端之間為直線。
再者，本發明之氣體供給裝置具備:電極構件，其係用以使電漿產生； 　　複數氣體流路，其係在上述電極構件以朝向該電極構件之一面延伸的方式被形成； 　　氣體吐出口，其係連續形成在上述氣體流路之下游端，孔徑朝向上述一面擴大；及 　　保護膜，其係藉由熔射膜被形成在上述氣體吐出口之表面， 　　在上述氣體流路和上述氣體吐出口之境界，將內周面朝向外側彎曲而形成角部，同時當在沿著上述氣體流路之軸線的剖面觀看時，從上述角部至上述氣體吐出口之外端的內周面為直線，該直線和上述氣體流路之軸線所構成之角度θ2被設定在45度至70度之範圍。
本發明之氣體供給部之製造方法係上述氣體供給裝置之製造方法，其特徵在於，使朝向在上述電極構件中形成有上述氣體吐出口之面而噴吹熔射材料的熔射部，朝與上述氣體流路之延伸方向正交的方向移動而形成熔射膜。
本發明之電漿處理裝置，其特徵在於具備: 　　處理容器，其係在其內部使產生電漿； 　　載置台，其係載置被配置在上述處理容器內之基板； 　　上述氣體供給裝置，其係對上述處理容器內供給電漿處理用之處理氣體； 　　高頻電源部，其係對上述載置台和電極構件之間供給高頻電力；及 　　排氣機構，其係用以使處理容器內進行真空排氣。 [發明效果]
本發明係具有被用於電漿處理，形成有複數氣體流路之電極構件的氣體供給裝置中，在氣體流路和氣體吐出口之境界，以形成角部之方式朝外側彎曲，以彎曲面從位於角部之外側的內周面形成至電極構件之一面側。因此，當對氣體吐出口噴吹熔射材料之時，熔射材料之噴吹方向和氣體吐出口之內周面所構成之角度變大，可以防止在氣體吐出口之上游側之境界附近的薄膜化。 　　再者，在其他發明中，在氣體流路和氣體出口之境界，將內周面以形成第1角部之方式朝外側彎曲，且將第1角部之外側的內周面進一步朝外側彎曲，形成第2角部而連續於電極構件之一面側。並且，使沿著從第1角部至第2角度的內壁的直線和氣體流路之軸線所構成之角度θ2成為45°以上、70°以下。因此，因熔射材料之噴吹方向，和氣體吐出口之內周面所構成之角度變大，故同樣氣體吐出口之熔射膜容易形成均勻的膜厚。
[第1實施型態] 　　針對使用與第1實施型態有關之氣體供給裝置的電漿處理裝置予以說明。如圖1所示般，電漿處理裝置具備被接地的例如鋁或不鏽鋼製之真空容器亦即處理容器10。在處理容器10之側面，設置有用以收授被電漿處理之基板亦即例如矩形之玻璃基板G之搬入搬出口11，在搬入搬出口11設置有開關搬入搬出口11之閘閥12。
在處理容器10之底面的中央部，設置有載置玻璃基板G的平面形狀為矩形，即從上面至下面的側周面為平坦之角柱狀的承載器2。承載器2具備例如表面被氧皮鋁處理之由鋁或不鏽鋼的下部電極21，下部電極21隔著絕緣構件22被支撐於處理容器10之底部。下部電極21之上面成為被陶瓷熔射覆蓋的基板載置面21A。再者，以包圍基板載置面21A之周圍之方式，設置有環狀之遮蔽構件28，在下部電極21之側面，整個周圍設置有外圈狀之遮蔽構件29。
在下部電極21之基板載置面21A，埋設有被連接於直流電源27之挾盤用的靜電電極板23。當靜電電極板23被施加正的直流電壓時，被載置於基板載置面21A之玻璃基板G之表面吸附負電荷。在該靜電電極板23及玻璃基板G之間產生電位差，藉由因該電位差引起之庫倫力，使得玻璃基板G吸附保持於基板載置面21A。在下部電極21之內部，設置無圖示之環狀之冷卻器流路，在冷卻器流路，被循環供給特定溫度之熱傳導媒體，例如，Galden(註冊商標)，可以藉由熱傳導媒體之溫度，控制被載置於基板載置面21A之玻璃基板G的處理溫度。
再者，在承載器2，用以在與外部之搬運臂之間收授玻璃基板G之升降銷24，被設置成在垂直方向貫通下部電極21、絕緣構件22及處理容器10之底面，從下部電極21之表面突出陷入。 　　再者，在基板載置面21A之表面，開口無圖示之複數導熱氣體吐出孔，被構成將導熱氣體例如氦(He)氣體從導熱氣體吐出孔供給至基板載置面21A和玻璃基板G之間。藉由該He氣體，玻璃基板G和承載器2之間的熱有效果地被傳達。
在下部電極21，經由匹配器26連接有用以在處理容器10內形成電漿生成用之電場的高頻電源部25。該高頻電源部25被構成可以輸出例如比較高的頻率例如13.56MHz之高頻。再者，在處理容器10之底面，在其周緣部整個周圍，等間隔地開口複數排氣口13，各排氣口13經排氣管14而被連接於真空排氣部15。排氣口13、排氣管14及真空排氣部15相當於排氣機構。
在處理容器10之上面，以與承載器2之上面相向之方式，設置有用以朝向玻璃基板G供給例如CF4 等之電漿處理用之氣體的氣體供給裝置亦即氣體供給部30。氣體供給部30一般被稱為「噴淋頭」，以下當以噴淋頭30進行說明時，噴淋頭30具備在例如將鋁作為母材之下面形成扁平之凹部的上構件32A和封閉上構件32A之下面的電極構件亦即電極板32B。上構件32A和電極板32B之間的間隙形成用以擴散處理氣體之擴散空間31。在電極板32B，形成在厚度方向貫通電極板32B，各與擴散空間31連通的複數氣體流路41。再者，在噴淋頭30之上面，設置有被連接於擴散空間31之處理氣體供給管33，在處理氣體供給管33，從上游側依序設置有例如CF4 等之處理氣體供給源34、流量調整部35及閥36，被構成對噴淋頭30供給處理氣體。
如圖2所示般，在噴淋頭30之電極板32B。設置使氣體從擴散空間31流向與承載器2相向之一面側(激發電漿之處理空間側)的氣體流路41。氣體流路41係當擴散空間31側設為上游，將處理空間側設為下游時，形成為上游側為大直徑的流路41a，下游側為小直徑的流路41b，並且，在下游側端部，形成有在激發電漿之處理空間側開口的氣體吐出口40。在氣體流路41之大直徑的流路41a之內徑被設定成例如2mm。再者，小直徑之流路41b被構成例如內徑0.5～1.0mm，防止在處理空間側被激發的電漿進入氣體流路41之上游側。
氣體吐出口40係內周側在整個周圍被倒角，孔徑從上游朝向下游變寬。各氣體吐出口40之斜面部分係以當在包含氣體流路41之軸線L之剖面觀看時從上游側之端部朝向下游側，相對於氣體流路41之軸線L，傾斜角度θ1，在此為45°之直線部分42，和從直線部分42下游側端部朝向外側，連續於與承載器2相向之下面(相向面)300之曲線部分43所構成。該曲線部分43之曲率半徑被構成1mm之尺寸的曲線。即是，氣體吐出口40係在氣體吐出口40和氣體流路41之境界，以在內周面形成境界部Pa之角部之方式，朝向外側彎曲，以彎曲面從較氣體吐出口40之境界部Pa之角部靠近下游側之位置形成至電極板32B之下面300。另外，下面300表示較在氣體吐出口40之彎曲面之終端的境界部Pb更外側之平面部。
包含上構件32A及氣體流路41及氣體吐出口40之內周面的電極板32B之表面全體，被進行例如陽極氧化處理，噴淋頭30之表面全體藉由硬質氧皮鋁30A被覆蓋。而且，進行在電極板32B之氣體吐出口40開口之一面側，形成成為氧化釔(Y2 O3 )、氟化釔(YF3 )或氧化鋁(Al2 O3 )等之保護膜的熔射膜之處理。熔射裝置如圖3所示般，具備噴吹熔射材料50之例如電漿熔射槍等之熔射部5。當形成熔射膜6的時候，被固定成熔射材料50之吐出方向和在電極板32B之下面300成為垂直。
而且，如圖3所示般，從熔射部5朝電極板32B之下面300噴吹熔射材料50，使熔射部5在氣體流路41之延伸方向正交之方向上平行移動，而在各氣體吐出口40形成熔射膜6。如先前所述，氣體吐出口40係在先前所述之剖面觀看時沿著內壁之直線部分42，和軸線L所構成之角度被設定成45°。並且，氣體吐出口40在氣體吐出口40和氣體流路41之境界部Pa，以在內周面形成角部之方式，朝向外側彎曲，氣體吐出口40之直線部分42之下游側被構成藉由彎曲面連接至電極板32B之下面300。
當朝向如此之氣體吐出口40而與氣體流路41之軸線L平行地噴吹熔射材料50之時，如圖4所示般，熔射材料50之噴吹角度，和氣體吐出口40之內面之間的角度α成為45°。 　　對此，如圖5所示般，使氣體吐出口40之側周面彎曲，以彎曲面從氣體吐出口40和氣體流路41之境界部分(氣體吐出口40之上游側端部)形成至電極板32B之下面300之情況下，在氣體吐出口40之上游端的附近，熔射材料50之噴吹角度和氣體吐出口40之內面之間的角度α小於45°。
因此，對電極板32B之處理空間側之面，如圖3所示般與氣體流路41之軸線L平行地噴吹熔射材料50之時，如後述實施例所示般，在圖5所示之氣體吐出口40中，於氣體吐出口40之上游側之區域，熔射材料50對氣體吐出口440之內周面噴吹之角度α變小。因此，在氣體吐出口40之上游側，熔射膜6之膜厚變薄。
對此，在圖4所示之氣體吐出口40中，對氣體吐出口40之內周面，以45°之角度噴吹熔射材料50。因此，即使在氣體吐出口40之上游側端部，亦以與被形成在下面300之熔射膜6相等之膜厚被形成。因此，如圖6所示般，在氣體吐出口40之內面均勻地形成熔射膜6。另外，從吐出口40和氣體流路41之境界部Pa之角部至氣體吐出口40和電極板32B之下面300的境界部Pb的水平距離S1被形成1mm以下。 　　另外，境界部Pb和境界部Pa之間的水平距離S1以被設定成0.5～1mm為佳。因此，在以彎曲面連接下游側端部和電極板32B之下面300之情況下，氣體吐出口40之內壁和軸線L所構成之角度θ1以設定成45～50°為佳。
如此一來，形成有熔射膜6之電極板32B被接合於上構件32A之後，被設置在連接有先前已述的處理氣體供給管33的處理容器10，被連接於接地電位。依此，噴淋頭30之電極板32B與下部電極21一起構成一對平行平板電極。
接著，針對電漿處理裝置之作用，以例如蝕刻處理為例予以說明。當電漿處理裝置運轉時，被處理基板亦即玻璃基板G藉由外部之搬運臂和升降銷24之合作作用，被載置於基板載置面21A。接著，關閉閘閥12之後，對基板載置面21A和玻璃基板G之間，供給導熱氣體，同時對靜電電極板23施加直流電壓，而吸附保持玻璃基板G。
接著，從氣體供給部3對處理容器10內供給包含例如CF4 等之蝕刻氣體的處理氣體，同時從排氣口13進行真空排氣，將處理容器10內之壓力調整成特定壓力。之後，將電漿生成用之高頻電力從高頻電源部25經匹配器26而施加至下部電極21本體，使下部電極21和噴淋頭30之間產生高頻的電場。被供給至處理容器10內之處理氣體，藉由產生在下部電極21和噴淋頭30之間的高頻之電場被激發，生成處理氣體之電漿。再者，電漿所含的離子被吸引至下部電極21，對玻璃基板G之被處理膜進行蝕刻處理。之後，被進行蝕刻處理的玻璃基板G藉由外部之搬運臂，從處理容器10被搬出。
如此一來，在電漿處理裝置中，電漿在處理容器10內激發時，如圖7所示般，噴淋頭30之處理空間側之面與電漿P相接。此時，在氣體吐出口40中，雖然電漿與氣體吐出口40之內面相接，但是因氣體流路41之下游側的流路41b之內徑變窄，故電漿P進入至氣體流路41側之虞較小。而且，因氣體吐出口40藉由熔射膜6被覆蓋，故保護熔射膜6之下層側之硬質氧皮鋁30A之層以隔離電漿P。
而且，藉由進行重複進行電漿處理，熔射膜6由於消耗其膜厚逐漸變薄。此時，被形成在氣體吐出口40之熔射膜6之膜厚並不均勻之情況下，在熔射膜6之膜厚薄的部分，下層側之硬質氧皮鋁30A之層或電極板32B之母材亦即鋁局部性地露出。當電極板32B之母材亦即鋁露出時，因成為在氣體吐出口40，產生異常放電，或產生以鋁為起源的微粒之主要原因，故必需更換或維修氣體供給部3。
如先前所述般，因噴淋頭30係被形成在氣體吐出口40之熔射膜6之膜厚之均勻性高，故抑制當重複進行電漿處理之時，熔射膜6之薄化所致的下層側之鋁的局部性露出，因此噴淋頭30之使用壽命變長，可以增長更換或維修之周期。
若藉由第1實施型態時，在具有被用於電漿處理，形成有複數氣體流路41之電極板32B的氣體供給裝置中，在氣體流路41和氣體吐出口40之境界部Pa，以形成角部之方式朝外側彎曲，以彎曲面從位於角部之外側的內周面形成至下面300。因此，當對氣體吐出口40噴吹熔射材料50之時，噴吹熔射材料50之方向和氣體吐出口40之內周面所構成之角度變大，可以防止在氣體吐出口50之上游側之境界附近的薄膜化。 　　依此，當在氣體供給部3形成熔射膜6的時候，藉由從氣體流路41之延伸方向噴吹熔射材料50，可以在氣體吐出口40均勻地形成熔射膜6，使噴吹熔射材料50之熔射部5朝與氣體流路41之延伸方向正交的方向移動，變更噴吹熔射材料50之位置，依此，可以在各氣體吐出口40形成均勻的熔射膜6。 　　因此，熔射膜成膜處理變得簡單，例如調整熔射部5之熔射材料50之噴吹角度，對熔射膜6之薄的部分毋庸再進行噴出熔射材料50等之複雜工程。 　　並且，即使適用於對基板進行成膜處理的電漿處理裝置亦可，並不限定於對玻璃基板G進行電漿處理的電漿處理裝置，即使為對圓板狀之例如直徑300mm晶圓進行電漿處理的電漿處理裝置亦可。
[第2實施型態] 　　再者，作為與第2實施型態有關之氣體供給裝置，即使以如圖8所示般各氣體吐出口40係在包含軸線L之剖面觀看時，從上游側端部至下游側端部僅成為直線部分42的斜面所構成，氣體吐出口40之上游側端部和氣體流路41之間之境界部Pa及氣體吐出口40之下游側端部和電極板32B之下面300和境界部Pb被構成分別成為第1角部及第2角部亦可。如後述實施例所示般，若各氣體吐出口40之內面之角度θ2對軸線L呈45°以上時，當從熔射部5噴吹熔射材料50之時，因在氣體吐出口40之熔射膜6均勻地形成，故具有相同之效果。
再者，如圖8所示般，在氣體吐出口40中，當各氣體吐出口40之內面和軸線L所構成之角度θ2變大時，需要增大氣體吐出口40之下游側端部之內徑，或降低從氣體吐出口40之上游側端部至下游側端部的高度尺寸。當氣體吐出口40之下游側端部之內徑變大時，被設置在氣體供給部3之處理空間側之面的氣體吐出口40之配列佈局或配列數量之自由度被限制。再者，在從氣體吐出口40之上游側端部至下游側端部之高度尺寸低之情況下，被吐出之氣體的流速變快，氣體流路41容易阻塞。因此，各氣體吐出口40之內壁和軸線L所構成之角度θ2以70°以下為佳，氣體吐出口40之下游側之境界部Pb，和上游側之境界部Pa之間的水平距離S2以1～3mm為佳。
再者，如後述實施例所示般，即使將氣體吐出口40之下游側端部和電極板32B之下面300的境界部Pb設為角部之情況下，熔射膜6之膜厚亦顯示高的均勻性，但是藉由以彎曲面連接下游側端部和電極板32B之處理空間側之面，即使在氣體吐出口40之下游側端部，亦可以使熔射膜6之膜厚更均勻。 　　再者，當成為角部時，因電場局部性地集中導致產生異常放電，或異常放電之影響使得角部被削除而成為微粒的主要原因，故藉由使氣體吐出口40之下游側端部彎曲，可以抑制異常放電或微粒之產生。 [實施例]
為了驗證本發明之實施型態之效果，藉由實施型態所示之方法，針對在與以下的實施例1～3及比較例有關的氣體供給部3形成熔射膜6之時的在氣體吐出口40之熔射膜6之膜厚分布予以調查。
[實施例1] 　　如圖2所示般，將氣體吐出口40設為內徑越下游側越擴寬，成為研缽狀之斜面，在氣體吐出口40和氣體流路41之境界，以在內周面形成角部之方式，朝向外側彎曲，氣體吐出口40之下游側端部構成藉由彎曲面連接於電極板32B之下面300。再者，將沿著氣體吐出口40之內壁的直線和氣體流路41之軸線L所構成之角度θ1設定成45°。並且，將作為熔射材料50使用釔，藉由實施型態所示之熔射膜成膜方法而形成熔射膜6之例設為實施例。 [實施例2] 　　以在包含軸線L之剖面觀看氣體吐出口40時，從上游側端部至下游側端部僅成為直線部分42的斜面所構成，氣體吐出口40之上游側端部之氣體流路41之間之境界部Pa及氣體吐出口40之下游側端部和電極板32B之處理空間側之面的境界部Pb構成分別成為第1角部及第2角部。再者，將除了設定氣體吐出口40之內壁和軸線L所構成之角度θ2成為45°之外，其他與實施例1相同構成的例設為實施例2。 [實施例3] 　　將除了如圖8所示般被形成氣體吐出口40之內壁和軸線L所構成之角度θ2成為70°之外，其他與實施例2相同構成的例設為實施例3。 [比較例] 　　如圖9所示般，除構成在包含氣體流路41之軸線L之剖面觀看氣體吐出口40之時，從上游側端部至下游側端部成為曲率半徑1mm之尺寸的曲線部分43之外，其他與實施例1相同構成的例設為比較例。
對實施例1～3及比較例之各個形成在氣體供給部3之氣體吐出口40，測量熔射膜6之膜厚。 　　針對在各例之氣體吐出口40之熔射膜6之膜厚的測量地點予以說明。如圖10所示般，首先在通過軸線L之剖面觀看氣體吐出口40，決定從氣體吐出口40之上游側端部之境界部PA朝與軸線L垂直之方向延伸的線，和從氣體吐出口40之下游側端部之境界部Pb朝與軸線L平行之方向延伸的線之交點。而且，將連結其交點和熔射膜6之表面的直線和與軸線L垂直之線所構成之角度分別為90、75、60、45、30、15及0°之地點分別設為地點P1～P7。藉由SEM(掃描型電子顯微鏡)攝影實施例1～實施例3及比較例之各樣品之剖面，藉由該照片測量各地點之膜厚。
表1係表示其結果，以將各個例中之P1之膜厚視為1而予以規格化的值來表示實施例1～3及比較例之各個地點P1～P7中之熔射膜6的膜厚。
如表1所示般，在比較例中，在地點P1～P4中，熔射膜6之膜厚為0.8以上，在地點P5為0.7，在地點P6、P7分別為0.4、0.2膜厚變薄。 　　再者，在實施例1～3中，在各個地點P1～P6中，熔射膜6之膜厚表示0.7以上，為略0.8以上之值。再者，當比較實施例1和實施例2時，可知在地點P2及地點P3，實施例1比起實施例2，膜厚變厚。
若藉由該結果，可以說雖然在比較例中，在氣體吐出口40之上游側，膜厚容易變薄，但是實施1～3之氣體供給部3係被氣體吐出口40覆蓋之熔射膜的膜厚變得均勻。再者，可以說藉由將氣體吐出口40之內面和氣體流路41之軸線L所構成之角度θ2設為45°以上，熔射膜6之膜厚之均勻性變高。並且，可以說藉由在包含氣體流路41之軸線的剖面，觀看氣體吐出口40之斜面時，除了從上游側端部朝向下游側之直線部分42之外，其他以彎曲面形成至氣體吐出口40之下游側和電極板32B之一面側，依此，氣體吐出口40之下游側端部附近之熔射膜6的膜厚之均勻性也會更加良好。
2‧‧‧承載器
5‧‧‧熔射部
6‧‧‧熔射膜
10‧‧‧處理容器
21‧‧‧下部電極
30‧‧‧噴淋頭
32B‧‧‧電極板
40‧‧‧開口部
42‧‧‧直線部分
43‧‧‧曲線部分
50‧‧‧熔射部分
G‧‧‧玻璃基板
圖1為適用本發明之氣體供給裝置之電漿處理裝置的剖面圖。 　　圖2為說明噴淋頭之製造工程的說明圖。 　　圖3為說明噴淋頭之熔射膜成膜工程的說明圖。 　　圖4為說明噴淋頭之熔射膜成膜工程的說明圖。 　　圖5為說明以往噴淋頭之熔射膜成膜工程的說明圖。 　　圖6為表示氣體吐出口的剖面圖。 　　圖7為表示電漿處理時中之氣體吐出口的說明圖。 　　圖8為表示與第2實施型態有關之氣體供給部之氣體吐出口的剖面圖。 　　圖9為表示與比較例有關之噴淋頭之氣體吐出口的剖面圖。 　　圖10為說明實施例中之膜厚之測量地點的說明圖。

Claims (5)

  1. 一種氣體供給裝置，其特徵在於，具備: 　　電極構件，其係用以使產生電漿； 　　複數氣體流路，其係在上述電極構件以朝向該電極構件之一面延伸的方式被形成； 　　氣體吐出口，其係連續形成在上述氣體流路之下游端，孔徑朝向上述一面擴大；及 　　保護膜，其係藉由熔射膜被形成在上述氣體吐出口之表面， 　　在上述氣體流路和上述氣體吐出口之境界，將內周面朝向外側彎曲而形成角部，同時以彎曲面從位於較上述角部更外側之內周面的部位形成至上述電極構件之一面側之表面，當在沿著上述氣體流路之軸線的剖面觀看時，從上述角部至上述彎曲面之內端之間為直線。
  2. 如請求項1所記載之氣體供給裝置，其中 　　連結上述角部和在上述彎曲面之內端的直線，和上述氣體流路之軸線所構成之角度θ1被設定成45度至50度的範圍。
  3. 一種氣體供給裝置，其特徵在於，具備: 　　電極構件，其係用以使產生電漿； 　　複數氣體流路，其係在上述電極構件以朝向該電極構件之一面延伸的方式被形成； 　　氣體吐出口，其係連續形成在上述氣體流路之下游端，孔徑朝向上述一面擴大；及 　　保護膜，其係藉由熔射膜被形成在上述氣體吐出口之表面， 　　在上述氣體流路和上述氣體吐出口之境界，將內周面朝向外側彎曲而形成角部，同時當在沿著上述氣體流路之軸線的剖面觀看時，從上述角部至上述氣體吐出口之外端的內周面為直線，該直線和上述氣體流路之軸線所構成之角度θ2被設定在45度至70度之範圍。
  4. 一種氣體供給裝置之製造方法，其係請求項1至3中之任一項所記載之氣體供給裝置之製造方法，其特徵在於，使朝向在上述電極構件中形成有上述氣體吐出口之面而噴吹熔射材料的熔射部，朝與上述氣體流路之延伸方向正交的方向移動而形成熔射膜。
  5. 一種電漿處理裝置，其特徵在於，具備: 　　處理容器，其係用以在其內部使產生電漿； 　　載置台，其係載置被配置在上述處理容器內之基板； 　　如請求項1至3中之任一項所記載之氣體供給裝置，其係對上述處理容器內供給電漿處理用之處理氣體； 　　高頻電源部，其係對上述載置台和電極構件之間供給高頻電力；及 　　排氣機構，其係用以使處理容器內進行真空排氣。
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