CN115410892B - 一种上部电极、气体扩散器及真空腔室 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种上部电极、气体扩散器及真空腔室，属于显示面板生产设备领域。一种上部电极，包括板体，及其上的靠近进气侧的第一表面和靠近出气侧的第二表面；气孔贯通第一表面和第二表面；气孔包括沿第一表面至第二表面方向连通的第一通道和第二通道，第一通道的直径大于第二通道；其中，第一通道与第一表面的相交处、第二通道与第二表面的相交处及第一通道和第二通道的过渡处，任一处或多处做倒圆角处理；氧化膜层覆盖第一表面、第二表面、气孔内部及倒圆角处。本发明通过对气孔上的棱边处进行倒圆角处理，在阳极氧化过程中倒圆角处得到较厚的氧化膜，可以减少干法刻蚀过程中的膜层剥落和击穿不良等现象，延长上部电极使用寿命。

Description

一种上部电极、气体扩散器及真空腔室

技术领域

本发明属于显示面板生产设备领域，更具体地说，涉及一种上部电极、气体扩散器及真空腔室。

背景技术

TFT-LCD工艺生产主要是由Array，CF，Cell，Module四大工艺模块组成，其中Array工艺是在玻璃基板上制造出TFT电路，其主要工艺构成是薄膜沉积、曝光和刻蚀三大部分组成，干刻是指干法刻蚀，工艺原理是利用RF Power解离刻蚀气体生成等离子体，等离子体与沉积在玻璃基板上的膜层反应生成挥发性物质，从而刻蚀掉想要去除的膜层。干刻腔室内部构成主要是FRC(气体流量控制器)、上部电极、壁板、陶瓷、下部电极以及EPD设备几大部分。

上部电极是由铝基材和氧化铝膜层构成的金属板，其主要起到分散气体分子的作用，使FRC流出的气体可以均匀分布在腔室内部，与下部电极产生的高频电场将气体分子裂解产生等离子团，为使气体均匀分散，上部电极密布大量气孔。随着当前TFT-LCD世代线的提高，上部电极的尺寸随之增大，其上气孔的数量也有所增多，以8.5代线为例，其上部电极的尺寸会达到2390mm*2690mm*13mm，气孔的数量多达上万个，上部电极表面覆盖有氧化膜层，氧化膜层在制备过程中由于阳极尖角效应导致气孔棱边处的膜层较薄，在使用一段时间后上部电极的气孔处容易出现氧化膜层剥落或击穿现象，影响刻蚀良率和上部电极的使用寿命。

发明内容

1、要解决的问题

针对现有的上部电极在使用一段时间后气孔处容易出现氧化膜层剥落或击穿现象，影响刻蚀良率和上部电极使用寿命的问题，本发明提供一种上部电极、气体扩散器及真空腔室。

2、技术方案

为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案：

一种上部电极，包括板体，板体相对的两个大面设置为第一表面和第二表面，第一表面靠近进气侧，第二表面靠近出气侧；气孔贯通板体的第一表面和第二表面，且在第一表面、第二表面及气孔内部均覆盖有氧化膜层。

气孔包括沿第一表面至第二表面方向连通的第一通道和第二通道，所述第一通道的直径大于第二通道。其中，所述第一通道与第一表面的相交处、第二通道与第二表面的相交处及第一通道和第二通道的过渡处，任一处或多处做倒圆角处理，且在倒圆角处的弧面上覆盖氧化膜层。通过对上述位置进行倒圆角处理，可以促使该位置在阳极氧化过程中得到较厚的氧化膜，减少干法刻蚀过程中的膜层剥落和击穿不良等现象，延长上部电极使用寿命。

进一步的，所述第一通道与第一表面相交处倒圆角，且倒圆角半径为0.5～1.5mm。在干法刻蚀工艺腔室内，上部电极气孔的第一通道与第一表面的相接处即为进气口，且在气孔加工过程中，进气口处为钻头的进刀处，气孔加工完成后进气口处为直角棱边，在阳极氧化反应中，棱边附近区域的电场线较为密集，氧化还原反应较第一表面上其他非棱边位置剧烈，会产生较高的热量，导致氧化膜层溶解，进而导致膜层厚度较薄。此外，虽然在刻蚀过程中进气口处工艺气体聚集较多且流量较大，对孔口位置的冲击应力较大。在上部电极使用中后期，由于第一通道的孔口处氧化膜层长期受工艺气体冲击，加之此处膜层较薄，容易在刻蚀中出现膜层剥落和击穿不良。

本技术方案在进气口处采用倒圆角处理后，气孔进气口边缘的直角棱边被圆角取代，在阳极氧化反应中的尖角效应得到改善，有利于氧化膜的生成，减少其溶解，进而得到合适厚度的氧化膜层，且圆角的外形可以降低工艺气体对孔口的冲击应力，保护气孔进气边缘的阳极膜层，提高其使用寿命。

进一步的，所述第二通道与第二表面相交处倒圆角，且倒圆角半径为1.5～2.5mm。在干法刻蚀工艺腔室内，上部电极不仅作为气体扩散器的重要出气构件，还承担真空腔室中电极的功能，其上的气孔出气位置，即第二通道与第二表面相交处，遭受等离子体影响最剧烈，尤其是在上部电极使用中后期容易出现击穿问题，通过增大圆角，可以使第二通道的出气口边缘过渡更加平缓，承受等离子体的面积更大更均匀，可以在氧化膜层制备过程中得到较厚的氧化膜，还可以在刻蚀过程中减轻尖端放电效应，降低氧化膜被击穿的几率。

进一步的，所述第一通道的直径为2mm，所述第二通道的直径为1mm，所述第一通道通过锥形通道过渡至第二通道，所述锥形通道与第一通道和第二通道相接的棱角处做倒圆角处理，所述倒圆角半径为0.6～1mm。上部电极的第一通道直径大于第二通道直径，且在生产加工中一般采用两种不同规格的钻头或采用一体式的台阶钻头加工而成，因此在第一通道和第二通道相连接的位置会形成锥形通道，孔壁尺寸变化较大，锥形通道两端与第一通道和第二通道的相接处有较为明显的尖角棱边，且机加工过程中，由于孔径较小，第一通道和第二通道的台阶处容易产生毛刺，在氧化膜层制备中，由于阳极的尖角效应，此处的氧化膜层生成效率低，膜厚较薄，在干刻腔室工艺气体的腐蚀和冲击下极易发生击穿，也容易发生膜层剥落不良。通过对锥形通道与第一通道和第二通道的连接处进行倒圆角过渡处理，可以有效改善尖角效应，提高连接处阳极膜厚，从而提升上部电极使用寿命。

进一步的，由于前一技术方案中对第一通道、第二通道与锥形通道的相接处倒圆角处理，导致通过气孔的气体流速及流量发生改变，将会直接影响真空腔室内产品不同部位的刻蚀速率，为使产品不同部位的刻蚀速率均匀统一，本技术方案对相邻气孔的孔间距做出了改变，所述板体中部区域的相邻气孔中心距为38mm，且四周区域的相邻气孔中心距为25mm。

进一步的，所述第一通道的直径为2mm，所述第二通道的直径为1mm，所述第一通道与第一表面相交处的倒圆角半径为1.0mm，所述第一通道与第二通道通过两段倒圆角形成的圆弧面圆滑过渡，且圆弧面的半径为1mm；所述第二通道与第二表面相交处的倒圆角半径为2mm。该技术方案对第一通道与第一表面的相交处、第二通道与第二表面的相交处及第一通道和第二通道的过渡处均做了倒圆角处理。

进一步的，接合针对前述技术方案的效果释明，为使产品不同部位的刻蚀速率均匀统一，对气孔的孔间距进行了调整，所述板体中部区域的气孔中心距为38mm，且四周区域的气孔中心距为25mm。

本发明还提出了一种气体扩散器，包括上述的任意一种上部电极，可以提高气体扩散器的使用寿命，减少膜层脱落和击穿不良，提高玻璃基板的生产良率。

本发明还提出了一种真空腔室，包括上述的气体扩散器，用于玻璃基板的干法刻蚀。

3、有益效果

相比于现有技术，本发明的有益效果为：

(1)本发明通过在第一通道与第一表面的相交处、第二通道与第二表面的相交处及第一通道和第二通道的过渡处三者中的任一处或多处做倒圆角处理，可以减轻阳极氧化反应中的尖角效应，进而使得倒圆角处得到较厚的氧化膜层，可以在干法刻蚀中耐受工艺气体的腐蚀、冲击和等离子体影响，减少气孔处产生膜层剥落和击穿不良，提高上部电极的使用寿命；

(2)本发明由于调整在第一通道和第二通道的过渡处设置倒圆角，导致通过气孔的气体流速及流量发生改变，进而导致气体扩散不均匀，玻璃基板中心区域和四周区域的刻蚀速率不均匀，通过设置上部电极中心区域气孔的孔间距及四周区域气孔的孔间距，调整真空腔室内的气体扩散均匀程度，使得刻蚀过程中，产品四周的刻蚀速率与中心区域保持均匀。

附图说明

图1为现有技术中上部电极的局部剖视图；

图2为现有技术气孔边缘氧化膜击穿不良图；

图3为现有技术气孔内部台阶处氧化膜脱落和击穿不良图

图4为上部电极氧化膜层膜厚与阻抗/耐电压相关性测试图；

图5为现有技术中上部电极气孔结构及膜厚测量点示意图；

图6为实施例1中的气孔结构及膜厚测量点示意图；

图7为实施例2中的气孔结构及膜厚测量点示意图；

图8为实施例3中的气孔结构及膜厚测量点示意图；

图9为上部电极中心区域与四周区域划分示意图；

图10为图9的S部位放大图；

图11为实施例4中的气孔结构及膜厚测量点示意图。

图中：

1、板体；2、第一表面；3、第二表面；4、气孔；

5、第一通道；6、第二通道；7、氧化膜层；8、锥形通道；

A、第一表面膜厚测量点；

B、第一通道进气口处的膜厚测量点；

C、第一通道内壁的膜厚测量点；

D、锥形通道上端膜厚测量点；

E、锥形通道下端膜厚测量点；

F、第二通道内壁上的膜厚测量点；

G、第二通道出气口处的膜厚测量点；

H、第二表面膜厚测量点。

具体实施方式

下面结合说明书附图1-11对本发明进行详细描述。

参照图1-3，现有技术的上部电极使用过程中存下膜层脱落和击穿等不良，经分析主要是因为以下原因导致气孔处的氧化膜层薄，易出现膜层脱落和击穿不良，具体为：

(1)气孔4的进气口和出气口处受工艺气体冲击和腐蚀大，易发生击穿。上部电极在真空腔室内作为气体扩散器，工艺气体从FRC(气体流量控制器)流出，并通过上部电极进气孔进入腔室内，FRC位于上部电极中心的上方位置，工艺气体流量较大，气体通过气孔4时对进气口边缘冲击力较大，对此处阳极氧化膜消耗较大，易发生膜层脱落，且随着膜层变薄耐腐蚀性和耐电压性能下降，在上部电极寿命末期，容易发生击穿问题。上部电极在腔室内还承担阴极板的作用，在工艺反应过程中，因为出气孔位置气体浓度较高，并且等离子体能量较大，是整个腔室内等离子反应最为剧烈的位置，导致对此处的阳极氧化膜层消耗较大，易发生膜层脱落，在电极寿命末期，气孔4的出气口位置也易发生击穿问题。

(2)阳极尖角效应导致气孔的棱边处氧化膜层厚度较薄。上部电极在氧化膜的生产制备中因为电极表面积较大，阳极需求电流较大，大部分采用直流阳极氧化方法。在使用该类工艺时，工件上存在的尖角、棱边、毛刺等部位容易使电流集中产生大量的热，导致氧化膜层溶解速度加快，并且容易烧蚀，达不到表面其他非棱边处的正常阳极膜厚，此现象称为阳极尖角效应。上部电极的气孔4采用机加工制成，先采用直径较大的钻头加工第一通道5，再采用直径较小的钻头加工第二通道6，或直接采用一体式的台阶钻加工，在第一通道5和第二通道6的交接处会形成有截面为锥形的通道，由于气孔4的进气口以及锥形通道与第一通道5和第二通道6的交接处都存在棱角，在阳极氧化中尖角效应明显，导致阳极膜厚较薄，膜层寿命低于其他位置。

且整个上部电极上气孔4的数量多达上万个，在加工过程中非常容易因为刀具磨损等原因在气孔4内部残留毛刺，由于气孔数量多且孔径小，其内的毛刺难以去除，在氧化膜制备过程中，毛刺位置尖角效应更加明显，虽然在阳极后毛刺会有所减少，但仍有可能残留部分。在上部电极的使用过程中，这部分毛刺可能会在工艺气体的冲击或腐蚀等作用下发生脱落，进而导致产品发生膜层脱落不良。

(3)阳极反应不充分，导致气孔内部氧化膜层薄。上部电极上气孔4整体的孔径较小，第一通道5的孔径一般为2mm，深度为9mm，第二通道6的孔径一般为1mm，深度为3mm，在氧化膜制备过程中，细小深孔内部电解液流通不顺畅，铝基材与电解液接触不充分，导致孔内整体膜厚比上部电极表面位置的膜厚稍薄。加上锥形通道8的两端与第一通道5和第二通道6的相接处有棱角，存在阳极尖角效应，膜厚减薄更加明显，两个因素叠加导致上部电极气孔4内，尤其是锥形通道8处膜层偏薄，寿命远低于表面膜层寿命，造成电极寿命瓶颈。

(4)由于气孔4孔径较小，尤其是出气口一侧的第二通道6孔径仅为1mm，机加工过程中出气口一侧作为出刀部，孔边缘容易出现毛刺，由于上部电极上气孔4的数量较多，因此毛刺的去除十分麻烦，一般会在出气口处增加半径为0.5mm的圆角，基本可以避免气孔4的出气口边缘毛刺现象。在气孔4的出气口位置如果倒圆角尺寸较小，也会存在尖角效应，导致出气口处的氧化膜偏薄。

上部电极的阳极氧化方式是以硫酸电解液为主的直流阳极氧化，评价上部电极膜层性能主要是看膜层的阻抗和耐电压性能。膜层阻抗决定了上部电极在工艺腔室内耐受工艺气体腐蚀能力，阻抗越高，耐腐蚀性能越好，从而可以降低膜层剥落和击穿不良的发生，有利于延长上部电极使用寿命。膜层耐电压性能决定了上部电极在工艺腔室内耐等离子能量冲击的能力，耐电压值越高，耐冲击能力越好。模拟上部电极阳极氧化方式进行多种膜厚试片制作，测试不同膜厚试片的膜层阻抗和耐电压性能如图4所示。

通过测试分析可知，阳极膜厚越厚耐电压性能越高，上部电极40μm膜厚对应耐电压为0.94kV。阳极膜厚越厚阻抗性能越好，在30μm时达到阻抗最大值26.52kΩ，膜厚超过30μm后，膜厚增大阻抗值不变。在膜厚超过50μm后，阳极膜层表面容易产生裂纹，所以膜厚一般控制在50μm以内。从刻蚀工艺要求出发，氧化膜耐电压值最好大于0.8kV，此时对应的膜厚为35μm，由于在膜厚超过30μm后，阻抗增加值很小，因此从性价比角度出发，氧化膜的膜厚在35μm～45μm区间较为合适。

对比例1

参照图5，现有技术中，第一通道5与第一表面2相交处为直角棱边，第一通道5与第二通道6的过渡处为锥形面，第二通道6与第二表面3的相交处为半径0.5mm的倒圆角。选取第一表面2靠近气孔4的进气口处设置膜厚检测点A，对第一通道5靠近进气口处设置膜厚检测点B，在第一通道5内壁中部设置膜厚检测点C，在锥形通道的上端设置膜厚检测点D，在锥形通道的下端设置膜厚检测点E，在第二通道6内壁中部设置膜厚检测点F，在第二通道6底端靠近出气口处设置膜厚检测点G，在第二表面3靠近气孔4的出气口处设置膜厚检测点H，具体见表1。其中，B、D、E和G点位分别对应下列实施例中的倒圆角处。

表1现有技术中气孔边缘及内部各检测点的膜厚(单位：μm)

通过上表可以得出，在板体1的第一表面2和第二表面3上A点位和H点位的氧化膜层厚度平均为37μm时，B、C、D、E、F和G点位的氧化膜层平均厚度分别为27μm、31μm、11μm、27μm、32μm和27μm，其中D点位的膜厚最薄。

实施例1

如图6所示，一种上部电极，包括板体1，板体1靠近进气侧的一侧外表面设置为第一表面2，与之相对靠近出气侧的外表面设置为第二表面3，气孔4贯通第一表面2和第二表面3，气孔4内包括沿第一表面2至第二表面3方向连通的第一通道5和第二通道6，第一通道5的直径大于第二通道6，本实施例中对第一通道5与第一表面2相交处做倒圆角，且倒圆角半径为0.5～1.5mm，通过阳极氧化生成的氧化膜层7覆盖第一表面2、第二表面3、气孔4内壁及第一通道5与第一表面2的倒圆角处。由于进气口处增加圆倒角，可以减少工艺气体对进气口处的冲击，减缓此处氧化膜层的消耗。

经测试，相比对比例1，本实施例A点位和C点位氧化膜层的厚度变化不明显，B点位膜厚明显增加，当第一通道5与第一表面2相交处倒圆角半径为0.5mm时，B点位平均膜厚为30μm，相比对比例加厚11％；当倒圆角半径为1mm时，B点位平均膜厚为32μm，相比对比例加厚18％；当倒圆角半径为1mm时，B点位平均膜厚为33μm，相比对比例加厚22％。

上机测试后可以发现首次发生膜层脱落和击穿不良的时间均略有推后，一定程度上改善了上部电极的膜层脱落和击穿等不良现象，提高了上部电极的使用寿命。膜厚测量值详见表2。

表2实施例1气孔进气口处倒圆角后A、B、C点位的膜厚(单位：μm)

实施例2

参照图7，本实施例与实施例1的区别在于，对第二通道6与第二表面3相交处倒圆角，且倒圆角半径为1.5～2.5mm，即对气孔4的出气口位置做倒圆角处理，且相比现有技术中的倒角尺寸0.5mm有大幅增加，由于第二通道6深度约为3mm，因此在对出气口位置进行较大尺寸的倒角后，H点位的膜厚变化不明显，F点位和G点位的膜厚均明显改善，尤其是G点位的膜厚相比对比例1提升较大，当第二通道6与第二表面3相交处倒圆角的半径为2.5mm时，G点位的平均膜厚为36μm，几乎与F点位和H点位的膜厚相同。同时，当第二通道6与第二表面3相交处的倒圆角半径为1.5～2.5mm时，可以更好的改善出气口处氧化膜受工艺气体和等离子体的冲击，使受力更均匀，有利于减缓氧化膜的剥离。

经上机测试，采用本技术方案可以在一定程度上改善上部电极的膜层脱落和击穿等不良现象，提高上部电极的使用寿命。本实施例的膜厚测量值详见表3。

表3实施例2气孔出气口处倒圆角后F、G、H点位的膜厚(单位：μm)

实施例3

参照图8-10，本实施例与前述实施例的区别在于，第一通道5的直径为2mm，所述第二通道6的直径为1mm，现有技术中第一通道5与第二通道6之间的过渡处为锥形面，形成锥形通道8，机加工过程中，由于气孔的孔径较小，锥形通道8的棱角处容易产生毛刺，在氧化膜层制备中，由于阳极的尖角效应，此处的氧化膜层生成效率低，在干刻腔室工艺气体的腐蚀下极易发生击穿，也容易发生膜层剥落不良，本实施例对锥形通道8两端与第一通道5和第二通道6的棱角相接处做倒圆角处理，且倒圆角半径为0.6～1mm，可以去除此处的毛刺，改善相接处的外形，降低阳极氧化过程中的尖角效应，有利于氧化膜的生成，提高气孔4内部膜厚最薄区域的氧化膜厚度。此外，由于锥形通道8两端与第一通道5和第二通道6的棱角相接处改为倒圆角，使得阳极氧化过程中，电解液流通更顺畅，铝基材与电解液接触充分，进一步利于氧化膜的生成。在上部电极使用中，此处倒圆角的设置也有利于气孔4内部工艺气体的通过，减少工艺气体对第一通道和第二通道过渡处的冲击，进而减少膜层脱落和击穿的发生，提高上部电极使用寿命。

由于现有技术中第一通道和第二通道过渡处的膜厚是最薄的，也是最易发生膜层脱落问题的，本实施例通过对此处进行倒圆角处理，在通过阳极氧化制备膜层后，第一通道5和第二通道6过渡处的膜厚明显变厚，尤其是D点位的平均厚度相比现有技术的平均厚度11μm增加了2倍以上，上机测试后，本实施例首次发生膜层脱落的时间也比现有技术明显延后，上部电极的使用寿命明显延长。

经测试，采用本技术方案可以在很大程度上改善上部电极的膜层脱落和击穿等不良现象，提高上部电极的使用寿命，具体的膜厚测量值详见表4。

表4对第一通道和第二通道过渡处倒圆角后相邻检测点的膜厚(单位：μm)

对于长、宽尺寸为2690*2390mm的8.5代线玻璃基板生产设备中的上部电极，对第一通道5和第二通道6与中间的锥形通道8两端的棱角相接处做倒圆角处理，经过上机测试发现气孔4的气体流量和流速发生改变。刻蚀过程中，产品中心区域的刻蚀速率比四周区域快，中心区域的刻蚀速率约为

四周刻蚀速率为

表明孔内形状变光滑导致气体流通阻力变小，由于气源在上部电极的中心正上方扩散，气体流通阻力变小会让气体直接向下扩散量变多，从而四周区域获得气体量变小，导致玻璃基板的刻蚀反应速度不均匀。中心区域指电极中心位置1150*1350mm区域，与FRC位置对应，四周区域指除中心区域以外的区域。为解决因气孔4内部第一通道5和第二通道6过渡处倒圆角而带来的该问题，本申请通过改变电极孔分布的疏密性来解决刻蚀反应的均匀性问题，其中板体1中心区域的相邻气孔4之间的中心距M为38mm，且四周区域的相邻气孔4之间的中心距m为25mm。中心距调整后再次上机测试，产品中心与四周的刻蚀反应速率基本保持一致，为

实施例4

参照图11，本实施例与前述实施例的区别在于，第一通道5的直径为2mm，所述第二通道6的直径为1mm，所述第一通道5与第一表面2相交处的倒圆角半径为1.0mm，所述第一通道5与第二通道6通过两段倒圆角形成的圆弧面圆滑过渡，且圆弧面的半径为1mm；第二通道6与第二表面3相交处的倒圆角半径为2mm，即本技术方案同时对第一通道5与第一表面2的相交处、第二通道6与第二表面3的相交处及第一通道5和第二通道6的过渡处进行倒圆角。

经测试，采用本技术方案可以使得气孔4的进气口处、出气口处及气孔4内部的过渡处的倒圆角可以在阳极氧化工艺中有效改善尖角效应，氧化膜层明显加厚，减少这几处膜层脱落和击穿不良的发生，提高上部电极寿命，详见表5。

表5实施例4倒圆角后A、B、C、D、E、F、G、H点位的膜厚(单位：μm)

对于长宽尺寸为2690*2390mm的8.5代线生产设备中的上部电极，经过上机测试，对气孔4的上述棱边处均做倒圆角处理后，会对气体扩散的均匀性带来较大改变，其中心区域的刻蚀速率为

四周刻蚀速率为

考虑在实施例1和实施例2中对气孔4进气口和出气口位置进行倒圆角处理，未对刻蚀速率带来明显影响，因此本实施例中主要参考实施例3的气孔中心距调整来应对刻蚀速率的变化，通过将中心区域的气孔4中心距M设置为38mm，四周区域的气孔4中心距m设置为25mm。调整后再次上机测试，产品中心与四周的刻蚀反应速率基本保持一致，为

并且膜层脱落和击穿发生的概率大幅降低，上部电极寿命得到显著提升。

本发明还提出了一种气体扩散器，包括上述的任意一种上部电极，可以提高气体扩散器的使用寿命，减少膜层脱落和击穿不良，提高玻璃基板的生产良率。

本发明还提出了一种真空腔室，包括上述的气体扩散器，用于玻璃基板的干法刻蚀。以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种上部电极，其特征在于：包括

板体(1)；

第一表面(2)，形成于板体(1)进气侧；

第二表面(3)，形成于板体(1)出气侧；

气孔(4)，贯通第一表面(2)和第二表面(3)；

氧化膜层(7)，覆盖于第一表面(2)、第二表面(3)及气孔(4)内壁；

所述气孔(4)包括沿第一表面(2)至第二表面(3)方向连通的第一通道(5)和第二通道(6)，所述第一通道(5)的直径大于第二通道(6)的直径；

所述第一通道(5)和第二通道(6)的锥形过渡处做倒圆角处理；第一通道(5)与第一表面(2)的相交处与第二通道(6)与第二表面(3)的相交处，任一处或共同做倒圆角处理；所述氧化膜层(7)覆盖倒圆角处；

所述第一通道(5)的直径为2mm，所述第二通道(6)的直径为1mm，所述第一通道(5)通过锥形通道过渡至第二通道(6)，所述锥形通道与第一通道(5)和第二通道(6)相接的棱角处做倒圆角处理，所述锥形通道处的倒圆角半径为0.6～1mm；所述板体(1)中心区域的气孔(4)中心距为38mm，且四周区域的气孔(4)中心距为25mm。

2.根据权利要求1所述的一种上部电极，其特征在于：所述第一通道(5)与第一表面(2)相交处倒圆角，且倒圆角半径为0.5～1.5mm。

3.根据权利要求1所述的一种上部电极，其特征在于：所述第二通道(6)与第二表面(3)相交处倒圆角，且倒圆角半径为1.5～2.5mm。

4.根据权利要求1所述的一种上部电极，其特征在于：所述第一通道(5)的直径为2mm，所述第二通道(6)的直径为1mm，所述第一通道(5)与第一表面(2)相交处的倒圆角半径为1.0mm，所述第一通道(5)与第二通道(6)通过两段倒圆角形成的圆弧面圆滑过渡，且圆弧面的半径为1mm；所述第二通道(6)与第二表面(3)相交处的倒圆角半径为2mm。

5.一种气体扩散器，其特征在于，包括权利要求1-4中任意一项所述的上部电极。

6.一种真空腔室，其特征在于，包括权利要求5中的气体扩散器。

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