SE523309C2 - Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt - Google Patents

Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt

Info

Publication number
SE523309C2
SE523309C2 SE0102144A SE0102144A SE523309C2 SE 523309 C2 SE523309 C2 SE 523309C2 SE 0102144 A SE0102144 A SE 0102144A SE 0102144 A SE0102144 A SE 0102144A SE 523309 C2 SE523309 C2 SE 523309C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
master electrode
electrode
substrate
master
deposited
Prior art date
Application number
SE0102144A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0102144D0 (sv
SE0102144L (sv
SE523309E (sv
Inventor
Patrik Moeller
Original Assignee
Replisaurus Technologies Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=20284507&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=SE523309(C2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Replisaurus Technologies Ab filed Critical Replisaurus Technologies Ab
Priority to SE0102144A priority Critical patent/SE523309E/sv
Publication of SE0102144D0 publication Critical patent/SE0102144D0/sv
Priority to CNB028119266A priority patent/CN1294296C/zh
Priority to KR1020037016336A priority patent/KR101250685B1/ko
Priority to ES02739042T priority patent/ES2397919T3/es
Priority to DK02739042.6T priority patent/DK1404899T3/da
Priority to PT2739042T priority patent/PT1404899E/pt
Priority to EP02739042A priority patent/EP1404899B1/en
Priority to RU2003136088/02A priority patent/RU2296820C2/ru
Priority to JP2003505393A priority patent/JP4546078B2/ja
Priority to EP10182946.3A priority patent/EP2322694B1/en
Priority to PCT/SE2002/001179 priority patent/WO2002103085A1/en
Priority to CA2462098A priority patent/CA2462098C/en
Priority to ES10182946.3T priority patent/ES2645700T3/es
Publication of SE0102144L publication Critical patent/SE0102144L/sv
Priority to US10/734,223 priority patent/US7790009B2/en
Publication of SE523309C2 publication Critical patent/SE523309C2/sv
Priority to HK05104929A priority patent/HK1072083A1/xx
Priority to US11/716,166 priority patent/US20070151858A1/en
Priority to JP2009142804A priority patent/JP2009235578A/ja
Publication of SE523309E publication Critical patent/SE523309E/sv
Priority to US12/801,219 priority patent/US20110000784A1/en
Priority to US13/417,808 priority patent/US8741113B2/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/205Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a pattern electroplated or electroformed on a metallic carrier
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02Etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02Etching
    • C25F3/14Etching locally
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/07Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process being removed electrolytically
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/0117Pattern shaped electrode used for patterning, e.g. plating or etching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Printing Methods (AREA)

Description

2 3 3 0 9 . 1.., . . ~ | o o ø nu 2 Jämfört med torretsning, som är en annan teknik för submikrometerstrukturer, är elektrokemisk etsning ett billigare och mer miljövänligt altemativ som kräver mindre investeringar i avancerad processutrustning. Jämfört med den rent kemiska etsningen kan elektrokemisk etsning producera betydligt mindre strukturer och är dessutom mer miljövänlig tack vare att neutrala saltlösningar kan användas som elektrolyt. Återvinning och destruktion av förbrukade etskemikalier utgör ofia en av de största kostnadema inom kemisk våtetsning.
Metoden för patentering är en process för produktion av mikro- och nanostrukturer i elektriskt ledande material. Metoden bygger på elektrokemisk etsning eller plätering och en ny princip där mönsterdefinition och motelektrod i en elektrokemisk ets- eller pläteringscell integreras till en enhet, en masterelektrod. Metoden kallas ECPR - Electrochemical Pattem Replication. Genom att ett elektriskt isolerande strukturlager definieras på anoden istället för katoden i en elektrokemisk etscell eller genom att ett elektriskt isolerande strukturlager definieras på katoden istället för anoden i en pläteringscell kan litografisteget elimineras från den tillverkningsprocessen. Ett mönster i masterelektroden replikeras direkt i substratet med hjälp av elektrokemisk etsning eller plätering i de lokala celler som uppstår då masterelektrod och substrat pressas mot varandra. Förutom den stora fördelen med en litografifri produktion kan flera problem inom elektrokemisk etsning och plätering lösas med hjälp av masterelektrodens geometri.
Strukturer definieras idag vanligtvis genom att överföra kretsmönstret från en fotomask till substratet, via belysning av ett fotoresistlager. Precisionen i denna litografiprocess avgör kvaliteten av det färdigetsade kortet. Ju mindre strukturer, desto mer avancerad och dyr utrustning behövs. Kravet på renhet ökar också och det medför att litografi måste göras i renrumsmiljö, vilket ytterligare komplicerar och fördyrar processen. ECPR är en lösning som eliminerar behovet av en litografiprocess ute i tillverkningen. När designen av en ny krets är klar skickas den normalt till en fotomasktillverkare som gör en mask som sedan används i litografiprocessen. En tillverkare som använder ECPR kan istället skicka sin krets-data till en ECPR- licensierad elektrodtillverkare som framställer en masterelektrod åt dem. Denna kan sedan användas för varje replikering i ECPR-processen, liknande fotomasken i en litografiprocess, och komponenttillverkaren behöver alltså inte ha någon egen litografiprocess, något som kan medföra stora besparingar.
Detaljerad beskrivning fördelaktiga utföranden Med ECPR används en masterelektrod (l) där mönster i ett elektriskt isolerande elektrodlager (2) och motelektrod, som utgörs av en elektriskt ledande elektrodyta (5), har integrerats till en enhet, figur 2. Genom att sänka ned substrat och masterelektrod i en elektrolyt och pressa masterelektroden och substratet mot varandra definieras mönstret och lokala elektrokemiska celler med extremt kort elektrodavstånd skapas.
De båda elektrodema måste inte nödvändigtvis nedsänkas i elektrolyten, det räcker med att en tunn elektrolytfilm appliceras mellan dem. Ett altemativ kan vara att tillföra elektrolyt efter att ha pressat samman elektroderna, via kanaler.
Ett elektriskt isolerande strukturlager (2) skyddar mot etsning eller plätering på områden där kontakt med substratet (3) finns, figur 2-6. När en spänning läggs över cellen etsas eller pläteras de områden som har kontakt med elektrolyten (4) och 523 309 3 mönster bildas på substratet enligt det mönster som definieras av masterelektroden (1), figur 3-6. Fördelarna jämfört med vanlig elektrokemisk etsning eller plätering är många. Elektrodavståndet definieras av tjockleken på det elektriskt isolerande strukturlagret och tack vare det korta avståndet, i samma storleksordning som linjebredden, minimeras de resistiva förlusterna. Det korta elektrodavståndet kan medge en väldigt utspädd elektrolyt. Att få ett konstant elektrodavstånd över hela ytan är normal ett stort problem inom elektrokemisk etsning och plätering. Det löses här enkelt eftersom tjockleken på det elektriskt isolerande strukturlagret kan kontrolleras med god precision. Geometrin i cellen löser också problemet med ojämn strömtäthet som i normala fall leder till överetsade ledare nära stora oetsade områden, på grund av ojämn reaktionshastihet över ytan. I ECPR motsvarar varje motelektodsområde arean på underliggande område som ska etsas eller pläteras och strömtäthetsfördelningen blir därför optimal. Ett problem med elektrokemisk etsning är isolerade öar mellan ledama som inte har kunnat etsas bort på grund av att den elektriska kontakten med den yttre spänningskällan brutits. Även det problemet kan lösas genom geometrin i den elektrokemíska etscell som bildas då masterelektrod och substrat förs i kontakt.
Metoden fungerar för vilken elektrokemisk ets- eller pläteringsprocess som helst där material kan lösas upp anodiskt och deponeras katodiskt. När ECPR används för plätering kan fördeponerat anodmaterial (7) i masterelektroden (l) deponeras på substratet (6), figur 5. När ECPR används för etsning kan det deponerade materialet (6) i masterelektroden (1) rensas bort efter varje etscykel med en reversibel cellspänning, figur 4.
En viktig detalj är att vätgasutveckling inte får ske vid katoden. Istället styrs processen så att katodreaktion är elektrodeposition av substratrnaterialet. Den inerta, elektriskt ledande elektrodytan i masterelektrodenkan göras av en flexibel metallfolie.
Masterelektroden kan pressas mot underliggande substrat genom att trycksätta den vätskebehållare som masterelektroden är monterad på. Fördelen med en flexibel folie och vätsketryck är att små ojämnheter i substratet kan kompenseras genom att masterelektroden formar sig något efter ytan. En stel masterelektrod ställer mycket högre krav på substratets jämnhet. Ti, Au, Pt och Pd är troliga materialval för den elektriskt ledande elektrodytan i masterelektroden.
Strukturer i ledande och halvledande material kan framställas med ECPR. Exempel på applikationer där strukturer i ledande material önskas är PWB, PCB, interconnects, MEMS, sensorer, platta bildskärmar, magnetiska och optiska lagringsmedia samt mikroelektronik. Olika typer av strukturer i ledande polymerer, strukturer i halvledare samt strukturer i metaller som Cu, Ni, Ti, Al, Cr är exempelvis möjliga att framställa ' med metoden. Även 3D-strukturer i kisel via formation av poröst kisel är en möjlighet.
Den apparat som används för ECPR-tillverkning kännetecknas av en möjlighet att montera en masterelektrod (1) på en tryckanordning som ger ett jämnt tryck över hela masterelektrodytan och som medger konformal kontakt mellan masterelektrod och substrat (3), figur 7. Detta konforrnala tryck kan ges av en vätskefylld behållare med en flexibel membranyta mot vilken masterelektroden monteras. Apparaten har också en kontakteringsanordning så att en spänning kan läggas på över masterelektrod och substrat samt en anordning för att applicera elektrolyt (4) mellan de båda ytorna utan att luftbubblor bildas i kavitetema på masterelektroden. u . '. :in-_ .O _00. un: . . c | n; ,. ,,,, a n v - :".'.: ::,:-;;; - - - - . n v o u v - n u n ~ . . . . . ,.
Polariteten i samtliga celler i figur 2-4 avser yttre pålagd spänning avsedd för etsning av substratet. För plätering vänds polariteten, figur 5-6. Samtliga figurer är tvärsnitt av de elektrokemiska celler som skapas genom kontaktering av masterelektrod och substrat. Unikt med ECPR är att ets- eller pläteringsmaterialet transporteras lokalt i de slutna kavitetema, där både elektrokemisk etsning och plätering av samma material sker på samma gång vid respektive elektrod. Den elektriskt ledande elektrodytan (5) i masterelektroden (l) görs i ett, för den elektrokemiska reaktionen inert ledande material, vilket medför att den kan återanvändas ett stort antal gånger och att ets- och pläteringsprocessen avstannar då det fördeponerade anodmaterialet (7) lösts upp vid _ pläteringsförfarande, figur 5-6.
I figur 1 visas en etscell för konventionell elektrokemisk etsning. Med konventionell litografi definieras ett mönster med fotoresist (9) på varje substrat (3).
Mönsterdefinition måste ske på varje substrat innan det kan etsas. En yttre spänning läggs på mellan motelektrodens elektriskt ledande elektrodyta (5) och substratet (3) och det fördefinierade mönstret etsas ned i substratet. Problemen med ojämn strömfördelning och svårigheter att hålla ett konstant elektrodavstånd över hela ytan existerar enligt tidigare beskrivning.
I figur 2 visas det första steget i ECPR där mönsterdefinitionen utgörs av ett elektriskt isolerande strukturlager (2) i masterelektroden (1). Masterelektzroden byggs antigen upp av en elektriskt ledande elektrodyta (5) med ett elektriskt isolerande strukturlager på eller av en plan stödyta, med en elektriskt ledande elektrodyta, med ett elektriskt isolerande strukturlager (2) på. Den elektriskt ledande elektrodytan är inert i aktuella elektrolyter. Det elektriskt isolerande strukturlagret definierar det mönster som ska överföras till substratet vid elektrokemisk etsning eller plätering. Även det elektriskt isolerande strukturlagret är inert i aktuella elektrolyter så att masterelektroden kan återanvändas ett stort antal gånger. Det elektriskt isolerande strukturlagret kan tillverkas med konventionella fotolitografiska metoder, kombinerat med etsning och anodisering om så önskas. Lämpliga material är polymerer och oxider samt andra material med en låg dielektrisk konstant och goda mekaniska egenskaper för att klara av många replikeringscykler utan att nötas.
I figur 3 visas hur masterelektrod (1) och substrat (3) har pressats samman och lokala etsceller-fyllda med elektrolyt (4) bildas. Elektrolyten kan appliceras som ett tunnt vätskeskikt på en av ytoma innan de pressas samman, ytoma kan nedsänkas i vätska innan sammanpressning eller så kan etsvätskan tillföras efter det att ytoma pressats samman genom kanaler i masterelektroden. Ytoma måste inte nödvändigtvis vara i absolut kontakt med varandra, ett tunnt vätskeskikt kan tillåtas mellan det elektriskt isolerande strukturlagret (2) och substratet (3). Mönstret kan ändå replikeras till substratet. Om elektrolyter med låga koncentrationer av kemiskt etsande ämnen används kan den kemiska etsningen minimeras och negativ påverkan på de replikerade strukturema i substratet blir försumbar.
I figur 4 visas hur mönstret som definieras av masterelektroden (1) replikeras i substratet (3) då den externa spänningen läggs på över de lokala etscellema. Ett litet och välkontrollerat elektrodavstånd medger en effektiv etsning med hög precision.
Varje lokal etscell har en yta i motelektroden som motsvarar den yta i substratet som ska etsas bort och därför undviks problemen med ojämn strömtäthetsfördelning nära stora skyddade ytor med närliggande små strukturer. Motsvarande materialmängd 523 309 . 5 som etsats bort från substratet finns som deponerat material (6) i masterelektrodens kaviteter. Då ECPR används för elektrokemisk etsning läggs den externa spänningen på så att substratet blir anod och masterelektroden katod.
I figur 5 visas hur masterelektrod (1) och substrat (3) har pressats samman och lokala pläteringsceller fyllda med elektrolyt (4) bildas. Innan de båda ytorna pressats samman har fördeponerat anodmaterial (7) deponerats i de kaviteter som definieras av masterelektroden. Elektrolyten kan appliceras som ett tunt vätskeskikt på en av ytoma innan de pressas samman, ytoma kan nedsänkas i vätska innan sammanpressning eller så kan elektrolyten tillföras efter det att ytorna pressats samman genom kanaler i masterelektroden. Ytoma måste inte nödvändigtvis vara i absolut kontakt med varandra, ett tunt vätskeskikt kan tillåtas mellan det elektriskt isolerande strukturlagret (2) och substratet (3). Strukturen kan ändå replikeras till substratet.
I figur 6 visas hur mönstret som definieras av masterelektroden (1) i figur 5 replikeras i substratet då den extema spänningen läggs på över de lokala pläteringscellerna. Ett väldigt litet och välkontrollerat elektrodavstånd medger en effektiv plåtering med hög precision. Varje lokal pläteringscell har en yta i motelektroden som motsvarar den yta i substratetsom ska byggas upp och därför undviks problemen med ojämn strömtäthetsfördelning nära stora skyddade ytor med närliggande små strukturer. Det fördeponerade anodrnaterialet (7) i figur 5 har pläterats upp på substratet (8) i figur 6.
Eftersom allt material som kan överföras till substratet från början har deponerats i masterelektrodens kaviteter kan mängden material som pläteras upp på substratet kontrolleras med hög noggrannhet. Då en viss höjd nås hos den pläterade strukturen, kommer ett eventuellt mellanrum mellan det elektriskt isolerande strukturlagret (2) och substratet (3) täppas igen, av det på substratet deponerade materialet (8). Då ECPR används för plätering läggs den extema spänningen på så att substratet blir katod och masterelektroden anod.
I figur 7 visas ett tvärsnitt av en maskin för enkelsidig ECPR-etsning eller plätering.
En flexibel masterelektrod (1) har monterats på en vätskebehållare som kan trycksättas för att skapa tryck från masterelektroden mot substratet (3). Även en stel masterelektrod kan användas, men då ställs högre krav på substratets ytjämnhet.
Trycket appliceras på ett sådant sätt att överflödig elektrolyt (4) transporteras ut från kontakty-tan mellan masterelektrod och substrat. Efter varje etsning kan ett renssteg utföras för att ta bort det substratmaterial som har deponerats i masterelektrodens kaviteter. Vid ECPR-plätering har anodmaterial fördeponerats i masterelektrodens kaviteter.
Alla här beskrivna utföranden är fördelaktiga, men uppfinningen begränsas inte på något sätt till dessa utföranden.
Förklaring till figurer: (1) masterelektrod (2) elektriskt isolerande strukturlager (3) substrat (4) elektrolyt 523 309 b (5) elektriskt ledande elektrodyta (6) deponerat material i masterelektrod (7) fórdeponerat anodmaterial i masterelektrod (8) deponerat material på substrat (9) fotoresist u - v v u: n 1 o u o n av - ø u I v nu

Claims (17)

10 15 20 25 30 35 523 309 031219 ek P:\5219 REPLISAURUS\P\00l\SE\P52190001_O31219__NYA_KRAVfSlutforelaggande_till_PRV.doc 7 PATENTKRAV
1. Metod för att skapa strukturer, såsom mikro- och/eller nanostrukturer i elektriskt ledande material, kännetecknad av att definiera ett mönster med hjälp av en masterelektrod (1) genom att sätta en masterelektrod (l) i kontakt med en substratyta, och att mönstra substratet (3) genom en elektrokemisk överföringsprocess där material löses upp vid en anod och/eller material deponeras vid en katod; varvid masterelektrodens elektriskt ledande elektrodyta (5) är anoden, substratytan är katoden, och materialet som löses upp är ett fördeponerat material i kaviteter hos (1), substratytan är anoden och masterelektrodens elektriskt ledande elektrodyta (5) är katoden, och varvid en elektrolyt (4) används som transportmedium. masterelektroden eller
2. Metod enligt krav l, kännetecknad av att definiera mönstret med masterelektrodens kaviteter, vilka har bildats i ett elektriskt isolerande strukturlager (2) hos masterelektroden.
3. Metod enligt krav 2, kännetecknad av att materialet som löses upp är anodmaterial vid substratet och att material samtidigt deponeras i masterelektrodens kaviteter, eller att materialet som har fördeponerats i masterelektrodens kaviteter löses upp som anodmaterial och att material samtidigt deponeras på substratet.
4. Metod enligt något av krav l till 3, kännetecknad av att bilda lokala mikrokaviteter eller nanokaviteter då masterelektroden och substratet pressas mot varandra och lO 15 20 25 30 525 309 031219 ek P:\5219 REPLISAURUS\P\001\SE\P52190001_031219__NYI-\_KRAV_Slutforelaggandeftilljfilv.doc 2 vilka begränsas av det elektriskt isolerande strukturlagret hos masterelektroden, substratytan samt den elektriskt ledande elektrodytan (5) hos masterelektroden, och att den elektrokemiska processen som överför mönstret från masterelektrod till substrat sker endast i de lokala mikrokaviteterna eller nanokaviteterna.
5. Metod enligt något av krav 1 till 4, kännetecknad av att lägga på en extern pläteringsspänning så att substratet blir katod och masterelektroden anod i de lokala elektrokemiska pläteringsceller, som definieras av (7), masterelektrodens kaviteter i vilka anodmaterialet har fördeponerats.
6. Metod enligt krav 5, kännetecknad av att anodmaterialet har fördeponerats i masterelektrodens kaviteter i en välkontrollerad mängd avsedd for den tjocklek som önskas på de pläterade strukturerna.
7. Metod enligt krav 5 eller 6, kännetecknad av att det fördeponerade anodmaterialet har byggts upp i masterelektrodens kaviteter med elektrokemisk deponering nyttjande en konventionell pläteringscell eller elektrokemiska celler som begränsas av de lokala mikro- eller nanokaviteterna.
8. Metod enligt något av krav 1 till 4, kännetecknad av att lägga på en extern etsspänning så att substratet blir anod och masterelektroden katod i lokala elektrokemiska etsceller, som definieras av masterelektrodens kaviteter, och att det material som deponerats i masterelektrodens kaviteter (6) tas bort i en rengöringsprocess. 10 15 20 25 30 35 523 309 031219 ek P:\5219 REIPLISAURUS\P\O01\SE\P5Zl90001__03l2l9zNYA_KRAV_SlutforelaqgandeftillfPRV.dot 3 “I
9. Metod enligt krav 8, kännetecknad av att rengöringsprocessen sker mellan etscyklerna innan nästa etscykel påbörjas.
10. Metod enligt krav 8 eller 9, kännetecknad av att rengöringsprocessen är en elektrokemisk etsning av det i masterelektrodens kaviteter deponerade materialet nyttjande antingen en konventionell elektrokemisk etscell eller lokala elektrokemiska celler som begränsas av mikro- eller nanokaviteterna.
11. Metod enligt krav 1, kännetecknad av att det elektriskt ledande materialet består av metall.
12. Metod enligt krav 11, kännetecknad av att nämnda metall väljs från materialgruppen som består av koppar, guld, nickel, tenn, titan, aluminium, krom samt legeringar därav.
13. Metod enligt krav 1, kännetecknad av att det elektriskt ledande materialet är en halvledare.
14. Metod enligt krav 1, kännetecknad av att det elektriskt ledande materialet är en ledande polymer.
15. Masterelektrod som används i metoden enligt krav 1, kännetecknad av ett elektriskt ledande elektrodlager som är inert i aktuella elektrolyter eller en plan stödyta med ett i aktuella elektrolyter inert elektriskt ledande elektrodlager på, och ett elektriskt isolerande strukturlager som definierar ett mönster som ska överföras till ett substrat via elektrokemisk replikering, varvid det elektriskt isolerande strukturlagret är 10 15 523 309 031219 ek P:\5219 REPLISAURUS\P\001\SE\P5219O001_03l2l9_NYA_KRAV_Slutforelaggande_tilIAPRV.doc 4 /O inert i aktuella elektrolyter, så att masterelektroden kan återanvändas ett stort antal gånger.
16. Masterelektrod enligt krav 15, kännetecknad av att masterelektroden uppvisar flexibilitet så att masterelektroden formar sig efter substratets ojämnheter, s. k. konformal kontakt.
17. Apparat för att skapa mönster av mikrostrukturer eller nanostrukturer i elektriskt ledande material, kännetecknad av en vätskefylld behållare som kan trycksättas för att pressa samman en masterelektrod enligt krav 15 och ett substrat, och som dessutom medger viss flexibilitet så att masterelektroden formar sig efter ojämnheter i substratet, s. k. konformal kontakt.
SE0102144A 2001-06-15 2001-06-15 Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt SE523309E (sv)

Priority Applications (19)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0102144A SE523309E (sv) 2001-06-15 2001-06-15 Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt
CA2462098A CA2462098C (en) 2001-06-15 2002-06-17 Method and electrode for defining and replicating structures in conducting materials
KR1020037016336A KR101250685B1 (ko) 2001-06-15 2002-06-17 전도 재료의 구조를 정의하고 복제하는 방법 및 전극
EP10182946.3A EP2322694B1 (en) 2001-06-15 2002-06-17 Method for defining and replicating structures in conducting materials
ES10182946.3T ES2645700T3 (es) 2001-06-15 2002-06-17 Procedimiento para definir y reproducir estructuras en materiales conductores
ES02739042T ES2397919T3 (es) 2001-06-15 2002-06-17 Procedimiento y electrodo para definir y reproducir estructuras en materiales conductores
DK02739042.6T DK1404899T3 (da) 2001-06-15 2002-06-17 Fremgangsmåde og elektrode til at definere og duplikere strukturer i ledende materialer
PT2739042T PT1404899E (pt) 2001-06-15 2002-06-17 Método e elétrodo para definir e replicar estruturas em materiais condutores
EP02739042A EP1404899B1 (en) 2001-06-15 2002-06-17 Method and electrode for defining and replicating structures in conducting materials
RU2003136088/02A RU2296820C2 (ru) 2001-06-15 2002-06-17 Способ и электрод для определения и репликации шаблонов в проводящих материалах
JP2003505393A JP4546078B2 (ja) 2001-06-15 2002-06-17 伝導材料中の構造を定義し、複製するための方法及び電極
CNB028119266A CN1294296C (zh) 2001-06-15 2002-06-17 确定与复制导电材料中的结构的方法与电极
PCT/SE2002/001179 WO2002103085A1 (en) 2001-06-15 2002-06-17 Method and electrode for defining and replicating structures in conducting materials
US10/734,223 US7790009B2 (en) 2001-06-15 2003-12-15 Method and electrode for defining and replicating structures in conducting materials
HK05104929A HK1072083A1 (en) 2001-06-15 2005-06-13 Method and electrode for defining and replicating structures in conducting materials
US11/716,166 US20070151858A1 (en) 2001-06-15 2007-03-09 Method and electrode for defining and replicating structures in conducting materials
JP2009142804A JP2009235578A (ja) 2001-06-15 2009-06-15 伝導材料中の構造を画定し、複製するための方法及び電極
US12/801,219 US20110000784A1 (en) 2001-06-15 2010-05-27 Method and electrode for defining and replicating structures in conducting materials
US13/417,808 US8741113B2 (en) 2001-06-15 2012-03-12 Method and electrode for defining and replicating structures in conducting materials

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0102144A SE523309E (sv) 2001-06-15 2001-06-15 Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt

Publications (4)

Publication Number Publication Date
SE0102144D0 SE0102144D0 (sv) 2001-06-15
SE0102144L SE0102144L (sv) 2002-12-19
SE523309C2 true SE523309C2 (sv) 2004-04-13
SE523309E SE523309E (sv) 2010-03-02

Family

ID=20284507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0102144A SE523309E (sv) 2001-06-15 2001-06-15 Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt

Country Status (13)

Country Link
US (4) US7790009B2 (sv)
EP (2) EP2322694B1 (sv)
JP (2) JP4546078B2 (sv)
KR (1) KR101250685B1 (sv)
CN (1) CN1294296C (sv)
CA (1) CA2462098C (sv)
DK (1) DK1404899T3 (sv)
ES (2) ES2645700T3 (sv)
HK (1) HK1072083A1 (sv)
PT (1) PT1404899E (sv)
RU (1) RU2296820C2 (sv)
SE (1) SE523309E (sv)
WO (1) WO2002103085A1 (sv)

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7825491B2 (en) 2005-11-22 2010-11-02 Shocking Technologies, Inc. Light-emitting device using voltage switchable dielectric material
AU6531600A (en) 1999-08-27 2001-03-26 Lex Kosowsky Current carrying structure using voltage switchable dielectric material
EP1487739A1 (en) * 2002-03-25 2004-12-22 Matvice Ehf. A method and apparatus for processing nanoscopic structures
US8294025B2 (en) 2002-06-08 2012-10-23 Solarity, Llc Lateral collection photovoltaics
CN101124089B (zh) * 2004-01-12 2011-02-09 加利福尼亚大学董事会 纳米级电子光刻
GB0416600D0 (en) * 2004-07-24 2004-08-25 Univ Newcastle A process for manufacturing micro- and nano-devices
GB0416952D0 (en) * 2004-07-30 2004-09-01 Renishaw Plc Scale making method
FR2885913B1 (fr) * 2005-05-18 2007-08-10 Centre Nat Rech Scient Element composite comprenant un substrat conducteur et un revetement metallique nanostructure.
KR101147087B1 (ko) * 2005-06-28 2012-05-17 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조방법
JP5249040B2 (ja) 2005-11-18 2013-07-31 レプリソールス グループ エスアーエス 電極およびその形成方法
WO2007062122A2 (en) 2005-11-22 2007-05-31 Shocking Technologies, Inc. Semiconductor devices including voltage switchable materials for over-voltage protection
FR2898138B1 (fr) 2006-03-03 2008-05-16 Commissariat Energie Atomique Procede de structuration electrochimique d'un materiau conducteur ou semi-conducteur, et dispositif de mise en oeuvre.
EP1835339B1 (fr) * 2006-03-15 2012-05-16 Rolex S.A. Procédé de fabrication par technologie de type liga d'une structure métallique monocouche ou multicouche, et structure obtenue
DE102006013362A1 (de) * 2006-03-16 2007-09-27 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Komponente mit einer Nanonadelstruktur
US7968014B2 (en) 2006-07-29 2011-06-28 Shocking Technologies, Inc. Device applications for voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles
US20080029405A1 (en) * 2006-07-29 2008-02-07 Lex Kosowsky Voltage switchable dielectric material having conductive or semi-conductive organic material
KR20090055017A (ko) 2006-09-24 2009-06-01 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드 스탭 전압 응답을 가진 전압 가변 유전 재료를 위한 조성물및 그 제조 방법
JP4694519B2 (ja) * 2007-02-28 2011-06-08 富士通株式会社 マイクロ構造体およびマイクロ構造体製造方法
CN100545648C (zh) * 2007-05-15 2009-09-30 中国科学院长春应用化学研究所 一种微盘电极或微盘阵列电极的制备方法
US7793236B2 (en) 2007-06-13 2010-09-07 Shocking Technologies, Inc. System and method for including protective voltage switchable dielectric material in the design or simulation of substrate devices
US9157141B2 (en) 2007-08-24 2015-10-13 Schlumberger Technology Corporation Conditioning ferrous alloys into cracking susceptible and fragmentable elements for use in a well
CH704572B1 (fr) * 2007-12-31 2012-09-14 Nivarox Sa Procédé de fabrication d'une microstructure métallique et microstructure obtenue selon ce procédé.
US8206614B2 (en) 2008-01-18 2012-06-26 Shocking Technologies, Inc. Voltage switchable dielectric material having bonded particle constituents
US8203421B2 (en) 2008-04-14 2012-06-19 Shocking Technologies, Inc. Substrate device or package using embedded layer of voltage switchable dielectric material in a vertical switching configuration
KR100894710B1 (ko) * 2008-06-27 2009-04-24 (주) 월드비젼 윈도우 일체형 터치스크린 및 이의 제조방법
EP2166125A1 (en) * 2008-09-19 2010-03-24 ALSTOM Technology Ltd Method for the restoration of a metallic coating
WO2010039902A2 (en) 2008-09-30 2010-04-08 Shocking Technologies, Inc. Voltage switchable dielectric material containing conductive core shelled particles
US9208931B2 (en) 2008-09-30 2015-12-08 Littelfuse, Inc. Voltage switchable dielectric material containing conductor-on-conductor core shelled particles
US8362871B2 (en) 2008-11-05 2013-01-29 Shocking Technologies, Inc. Geometric and electric field considerations for including transient protective material in substrate devices
WO2010054677A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 Replisaurus Technologies Inc. A system for plating a conductive substrate, and a substrate holder for holding a conductive substrate during plating thereof
US9226391B2 (en) 2009-01-27 2015-12-29 Littelfuse, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US8272123B2 (en) 2009-01-27 2012-09-25 Shocking Technologies, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US8399773B2 (en) 2009-01-27 2013-03-19 Shocking Technologies, Inc. Substrates having voltage switchable dielectric materials
US8968606B2 (en) 2009-03-26 2015-03-03 Littelfuse, Inc. Components having voltage switchable dielectric materials
EP2263972A1 (fr) * 2009-06-12 2010-12-22 Nivarox-FAR S.A. Procédé de fabrication d'une microstructure métallique et microstructure obtenue selon ce procédé
US9053844B2 (en) 2009-09-09 2015-06-09 Littelfuse, Inc. Geometric configuration or alignment of protective material in a gap structure for electrical devices
JP4768848B2 (ja) * 2009-12-07 2011-09-07 株式会社東芝 電鋳用原盤及びその製造方法
US9224728B2 (en) 2010-02-26 2015-12-29 Littelfuse, Inc. Embedded protection against spurious electrical events
US9320135B2 (en) 2010-02-26 2016-04-19 Littelfuse, Inc. Electric discharge protection for surface mounted and embedded components
US9082622B2 (en) 2010-02-26 2015-07-14 Littelfuse, Inc. Circuit elements comprising ferroic materials
ES2590130T3 (es) 2010-07-15 2016-11-18 Luxembourg Institute Of Science And Technology (List) Método para lavar y/o secar una cámara de replicación electroquímica de modelos (ECPR), y mandriles y conjuntos de mandril correspondientes
ES2654943T3 (es) 2010-07-15 2018-02-15 Luxembourg Institute Of Science And Technology (List) Sistema de manipulación automatizada de elementos maestros y sustrato
ES2634088T3 (es) 2010-07-15 2017-09-26 Luxembourg Institute Of Science And Technology (List) Dispositivo sistema y procedimiento para su utilización en máquinas para la replicación electroquímica de patrones
ES2606321T3 (es) 2010-07-15 2017-03-23 Luxembourg Institute Of Science And Technology (List) Llenado de una cámara de impresión y mandril correspondiente
EP2593586B1 (en) 2010-07-15 2017-09-06 Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST) A chuck, and a method for bringing a first and a second substrate together
EP2593585B1 (en) 2010-07-15 2017-08-30 Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST) Leveling of master electrode and substrate in ecpr, and a chuck therefor
WO2012007521A1 (en) 2010-07-15 2012-01-19 Replisaurus Group Sas A contact sheet for arrangement between a chuck and a master electrode in an ecpr process
WO2012007522A2 (en) 2010-07-15 2012-01-19 Replisaurus Group Sas Separation of master electrode and substrate in ecpr
RU2463121C2 (ru) * 2010-08-31 2012-10-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (КГЭУ) Способ изготовления электрически изолированной металлической ленты и линия для его осуществления
AT510593B1 (de) * 2010-12-15 2012-05-15 Markus Dipl Ing Dr Hacksteiner Vorrichtung zum metallisieren von wafern
WO2012084047A1 (en) 2010-12-23 2012-06-28 Replisaurus Group Sas An ecpr master electrode and a method for providing such ecpr master electrode
EP2655698B1 (en) 2010-12-23 2019-05-15 Luxembourg Institute of Science and Technology Master electrode for ecpr and manufacturing methods thereof
EP2655701B1 (en) 2010-12-23 2018-08-29 Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST) A method for providing an ecpr master electrode and an ecpr master electrode
EP2655699B1 (en) 2010-12-23 2019-06-26 Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST) An ecpr master electrode, and a method for providing such master electrode
RU2497747C2 (ru) * 2011-04-05 2013-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский педагогический государственный университет" (МПГУ) Способ получения металлических реплик конической формы на основе полимерных шаблонов
WO2012140262A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 Cortec Gmbh Neural electrode and method for fabricating the same
ES2624739T3 (es) 2011-06-07 2017-07-17 Luxembourg Institute Of Science And Technology (List) Electrodo maestro ECPR y un procedimiento para proporcionar dicho electrodo maestro
EP2533272B1 (en) 2011-06-07 2014-03-12 Centre de Recherche Public - Gabriel Lippmann An ecpr master electrode, and a method for providing such master electrode
EP2533271B1 (en) 2011-06-07 2014-05-21 Centre de Recherche Public - Gabriel Lippmann An ecpr master electrode, and a method for providing such master electrode
RU2529592C2 (ru) * 2012-11-19 2014-09-27 Общество с Ограниченной Ответственностью "Фабрика новых материалов" Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии
JP6107799B2 (ja) * 2014-12-03 2017-04-05 トヨタ自動車株式会社 表面処理方法および表面処理装置
USD767146S1 (en) 2015-02-09 2016-09-20 Christopher John Farrell Orthodontic appliance
USD800317S1 (en) 2015-11-09 2017-10-17 Myosa Pty Ltd Oral appliance
EP3377679A4 (en) * 2015-11-19 2019-05-01 Fabric8Labs, Inc. THREE-DIMENSIONAL GENERATIVE MANUFACTURE OF METAL OBJECTS BY STEREOGALVANIZATION
AU201710942S (en) 2017-02-16 2017-10-06 Orthodontic appliance
FR3072690B1 (fr) * 2017-10-24 2021-07-30 Centre Techn Ind Mecanique Procede de traitement de surface d'une piece mecanique realisee dans un materiau conducteur
LU100919B1 (en) 2018-08-27 2020-02-27 Luxembourg Inst Science & Tech List Metal-CNT composite, production method and materials therefor
KR102210785B1 (ko) * 2019-02-07 2021-02-02 경북대학교 산학합력단 더블 패터닝을 이용한 나노 메쉬 기반의 일체형 금속 전도체 제조방법 및 이에 의해 제조된 일체형 금속 전도체
US20210388521A1 (en) * 2020-06-15 2021-12-16 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Localized electrochemical deposition

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2306082A (en) * 1940-04-27 1942-12-22 Clarence O Prest Method for line or design reproduction by electrolysis
US3190822A (en) * 1961-01-09 1965-06-22 Burnham John Process for electrolytically etching valve metal surfaces
US3240685A (en) * 1962-02-23 1966-03-15 Ibm Method and device for selective anodization
GB1098182A (en) 1963-12-27 1968-01-10 Ibm Electrolyte or electroless plating process
CA791112A (en) * 1964-06-30 1968-07-30 J. Kahan George Catalytically active palladium coatings
US3582477A (en) * 1969-02-20 1971-06-01 Paul Gelb Selective electroplating method
JPS5456619U (sv) * 1977-09-28 1979-04-19
JPS5456619A (en) 1977-10-13 1979-05-07 Tokyo Yogyo Kk Spray repairing material for blast furnace tapping spout
GB1600667A (en) 1978-05-26 1981-10-21 Pryor Edward & Son Electrolytic marking of metal articles
US4279709A (en) * 1979-05-08 1981-07-21 The Dow Chemical Company Preparation of porous electrodes
US4734174A (en) * 1986-12-17 1988-03-29 Polaroid Corporation Electrochemical formation of thin-film electrodes
JPH01234590A (ja) * 1988-03-16 1989-09-19 Toshiba Eng Co Ltd 部分メッキ装置
US4932518A (en) * 1988-08-23 1990-06-12 Shipley Company Inc. Method and apparatus for determining throwing power of an electroplating solution
US5294504A (en) * 1988-08-30 1994-03-15 Osaka Gas Company, Ltd. Three-dimensional microstructure as a substrate for a battery electrode
JPH04236800A (ja) * 1991-01-16 1992-08-25 Fujitsu Ltd 電解エッチング方法
US5196109A (en) * 1991-08-01 1993-03-23 Geoffrey Scott Trivalent chromium electrolytes and plating processes employing same
JPH0593300A (ja) * 1991-09-30 1993-04-16 Riyouichi Aogaki 電解エツチング方法
US5252196A (en) * 1991-12-05 1993-10-12 Shipley Company Inc. Copper electroplating solutions and processes
JPH06299390A (ja) * 1993-04-13 1994-10-25 Seiko Instr Inc 微細加工方法及び装置
DE4344387C2 (de) * 1993-12-24 1996-09-05 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Kupfer und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
CN1113369C (zh) * 1994-06-09 2003-07-02 雷伊化学公司 包含正温度系数导电聚合物元件的电路保护器件和制造该器件的方法
DK172937B1 (da) * 1995-06-21 1999-10-11 Peter Torben Tang Galvanisk fremgangsmåde til dannelse af belægninger af nikkel, kobalt, nikkellegeringer eller kobaltlegeringer
KR0147996B1 (ko) * 1995-06-30 1998-10-15 배순훈 박막 헤드의 패턴 평탄화 방법
KR100217006B1 (ko) * 1995-10-17 1999-09-01 미따라이 하지메 에칭 방법, 이 에칭 방법을 사용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이 에칭 방법의 실시에 적합한 장치
JPH103233A (ja) * 1996-04-15 1998-01-06 Fuji Xerox Co Ltd 画像形成方法、画像形成媒体、被転写媒体及び画像形成装置
AU2591397A (en) 1996-07-02 1998-01-21 Wilson Greatbatch Ltd. Preparation and use of thin flexible cathodes in alkali metal electrochemical cells
JP3269827B2 (ja) * 1997-04-04 2002-04-02 ユニバーシティ・オブ・サザン・カリフォルニア 電気化学製造のための物品、方法、および装置
FR2773652B1 (fr) * 1998-01-14 2002-10-11 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de generation d'un signal d'activation commande
WO1999045179A1 (en) 1998-03-05 1999-09-10 Obducat Ab Method of etching
US5947027A (en) * 1998-09-08 1999-09-07 Motorola, Inc. Printing apparatus with inflatable means for advancing a substrate towards the stamping surface
DE19935558B4 (de) * 1999-07-30 2010-11-25 Nawotec Gmbh Verfahren zur Erzeugung von Strukturen in einem Substrat im Nanometerbereich
JP3441058B2 (ja) * 1999-12-03 2003-08-25 理化学研究所 キャピラリーゲル電気泳動用マイクロチップおよびその製造方法
SE515607C2 (sv) 1999-12-10 2001-09-10 Obducat Ab Anordning och metod vid tillverkning av strukturer
KR100500684B1 (ko) * 1999-12-29 2005-07-12 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 4-마스크 공정을 이용한 액정 디스플레이의 제조 방법
KR20010105994A (ko) * 2000-05-20 2001-11-29 구자홍 디스크 드라이버의 트레이

Also Published As

Publication number Publication date
CN1555428A (zh) 2004-12-15
KR101250685B1 (ko) 2013-04-03
JP2009235578A (ja) 2009-10-15
PT1404899E (pt) 2013-01-28
RU2003136088A (ru) 2005-05-10
ES2397919T3 (es) 2013-03-12
EP2322694A1 (en) 2011-05-18
SE0102144D0 (sv) 2001-06-15
ES2645700T3 (es) 2017-12-07
US20110000784A1 (en) 2011-01-06
CA2462098C (en) 2014-01-14
JP2004530050A (ja) 2004-09-30
KR20040028781A (ko) 2004-04-03
CA2462098A1 (en) 2002-12-27
WO2002103085A1 (en) 2002-12-27
US20070151858A1 (en) 2007-07-05
US20120228128A1 (en) 2012-09-13
EP1404899A1 (en) 2004-04-07
JP4546078B2 (ja) 2010-09-15
US8741113B2 (en) 2014-06-03
SE0102144L (sv) 2002-12-19
EP2322694B1 (en) 2017-08-02
EP1404899B1 (en) 2012-10-31
US20040154828A1 (en) 2004-08-12
HK1072083A1 (en) 2005-08-12
CN1294296C (zh) 2007-01-10
DK1404899T3 (da) 2013-02-04
SE523309E (sv) 2010-03-02
RU2296820C2 (ru) 2007-04-10
US7790009B2 (en) 2010-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE523309C2 (sv) Metod, elektrod och apparat för att skapa mikro- och nanostrukturer i ledande material genom mönstring med masterelektrod och elektrolyt
US5284554A (en) Electrochemical micromachining tool and process for through-mask patterning of thin metallic films supported by non-conducting or poorly conducting surfaces
JP2004530050A5 (sv)
KR101475979B1 (ko) 미세 구조체
JP5214243B2 (ja) マイクロ及びナノデバイスの製造工程
US7998323B1 (en) Apparatus for focused electric-field imprinting for micron and sub-micron patterns on wavy or planar surfaces
KR20110033838A (ko) 미세 구조체 및 그 제조 방법
US5037504A (en) Method of forming fine patterns
WO2005017971A9 (en) Nanomachined and micromachined electrodes for electrochemical devices
JP3724364B2 (ja) 金属製品の製造方法
JP2004186416A (ja) 金属層転写用ベースシートおよび金属層転写シート
Datta Microfabrication by through-mask electrochemical micromachining
CN101781790B (zh) 用于基板的金属层减厚方法及电解槽
US20240224430A1 (en) Systems and methods for manufacturing printed circuit boards
Bhat et al. Photo-defined electrically assisted etching method for metal stencil fabrication
TW202229002A (zh) 結構體的製造方法
JP2003191133A (ja) 動圧溝の電解加工用電極およびそれを用いた動圧溝の加工方法
Datta ELECTROCHEMICAL MICROMACHINING: AN ALTERNATE MICROFABRICATION TECHNOLOGY FOR MEMS
JP2007005553A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2003193274A (ja) 多層膜構造体の選定膜のエッチング方法
TW201022487A (en) Method for polishing a metallic layer of a substrate and electrobath
EP2593592A2 (en) Separation of master electrode and substrate in ecpr
KR20130085599A (ko) 양극산화를 이용한 밸브메탈의 균일한 에치 패턴 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
RPOP Patent has been republished in amended form after opposition
NUG Patent has lapsed