JP2009235578A - 伝導材料中の構造を画定し、複製するための方法及び電極 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、電気化学的パターン複製方法、ECPR及びマイクロ及びナノ構造を含むアプリケーションの製造のための伝導電極の構築に関する。伝導電極、マスター電極(8)により画定されるエッチング又はめっきパターンは、電気伝導性の材料、基材(9)上に複製される。マスター電極(8)は基材(9)と密接して置かれ、エッチング/めっきパターンが、密接エッチング/めっきプロセスを使用して直接的に基材(9)上に転写される。
密接エッチング/めっきプロセスは、マスター電極(8)と基材(9)の間の閉じた又は開いたキャビティ中の局所的なエッチング/めっきセル(12,14)中で実施される。
【選択図】図4a
Description
本発明の1つの目的は、導電性の電極、マスター電極によって画定されるエッチング又はめっきパターンが、基材である導電性の材料上に複製されるところのマイクロ及びナノ構造を含むアプリケーションの製造を単純化することである。また、マスター電極は、本方法による複製を製作するために何度も再使用されることができなくてはならない。より具体的には、本発明の目的は、上記構造の上記製造中における、上記の平坦化プロセスステップのような不必要なプロセスステップを回避すること、堆積した構造の最大アスペクト比、堆積物の物質組成の変動及び大規模な製造における信頼性の問題を制限することなく、正確に制御された電気化学的エッチング又はめっきプロセスを可能とすることである。
本発明のマスター電極8は、対向電極1及びパターンを画定するマスターの両方として作動し、基材9は、図3に示すように、本発明によるECPR法において使用されるエッチング/めっき法における作用電極2として作動する。
マスター電極8の目的は、マスター電極8及び基材9を押し付ける時に形成されるすべての局所的めっきセル14に良好に画定された先に堆積した陽極材料による電気的接続を提供すること、そして同時に電気化学的作用が望ましくない領域、すなわち絶縁パターン層3及び基材9の間の接触領域、を電気的に絶縁することである。良好に画定されたパターン転写を比較的粗い基材表面にまで可能とするために、ぴったりと合った挙動が、基材表面全体にわたって全体的に、及び基材表面に接触するパターン層の各絶縁構造において局所的に、の両方で必要である。これは、全体的なマクロスケールにおけるマスター電極全体の柔軟な挙動、及び局所的なマイクロスケールにおけるマスター電極構造内の押し付け可能なエラストマー層20、21によって満たされる。
例えば銅のような、電気化学的ストレスに対して耐性のある導電性材料を基材材料として使用することができる。
電解質組成は、電気化学的プロセス及びその異なる特徴の制御において決定的である。導電性、イオン移動度、イオン性雰囲気、緩和、マイグレーション、拡散及び輸率は重要な概念である。
図4aに示すように、基材9及びマスター電極8を一緒にして密着させ、エッチングセルを形成する。
これらの非常に小さく、かつ良好に制御された、電極間の空間は、高度に正確な有効なエッチングを提供する。各局所的エッチングセル12は、マスター電極8上の表面を有し、それは、エッチングにより除去され、それによって隣接する小さな構造を有する大きな絶縁領域の近くにおける変動する電流密度分布の問題を回避する基材9上の表面に対応している。
溶液中で調節したパラメーターは、pH値及び電気的に活性な種/支持電解質比である。
物質移動を亢進し、電極−溶液の境界面におけるブロッキング層の形成を妨げることができることにより、パルス電圧を選択した。どの種類の周波数、負荷サイクル及び電位を使用するかを決定するために試験を行った。周期的パルス逆電圧(periodic pulse reverse voltage)(PPR)及び複合的な波形の使用が首尾よくいった。2〜20kHzの周波数を試験し、満足のいく結果を得たが、より高周波も可能であった。上記の実施態様において、5kHzの周波数が好ましい。電圧は0〜10Vである。
微小対流による物質輸送を亢進するために、場合により超音波をパルス電圧とともに使用した。
Claims (33)
- 伝導電極、マスター電極(8)によって画定されるエッチング又はめっきパターンが電気的伝導性材料、及び基材(9)上に複製される、マイクロ及びナノ構造を含むアプリケーションの製造のための電気化学的パターン複製方法、ECPRであって、上記マスター電極(8)が上記基材(9)と密接に接触し、且つ、上記エッチング/めっきパターンが、局所的なエッチング/めっきセル(12,14)において接触エッチング/めっきプロセス、ここでセルが上記マスター電極(8)及び上記基材(9)の間の閉じた又は開いたキャビティ中に形成される、を使用することにより直接的に上記基材(9)上に転写されることに特徴を有する、方法。
- 上記基材(9)及び上記マスター電極(8)を密接に接触させて押し付け、そして上記マスター電極(8)及び上記基材(9)との間の上記開いた又は閉じたキャビティ中に局所的なエッチングセル(12)を作成すること;
上記局所的なセルを電解質溶液で荷電すること;そして
陽極である上記基材(9)、及び陰極である上記マスター電極(8)の間に外部電圧を接続すること、の各ステップに特徴を有する、請求項1に記載の方法。 - 上記キャビティ中のめっき材料(15)を上記マスター電極(8)上に堆積させること;
上記基材(9)及び上記マスター電極(8)を密接に接触させて押し付け、そして上記マスター電極(8)及び上記基材(9)との間の上記閉じたキャビティ中に局所的なめっきセル(14)を作成すること;
上記局所的なめっきセル(14)を電解質溶液(6)で荷電すること;そして
陰極である上記基材(9)及び陽極である上記マスター電極(8)の間に外部電圧を接続すること、の各ステップに特徴を有する、請求項1に記載の方法。 - 上記マスター電極(8)及び上記基材(9)の間の距離が、絶縁パターン層の厚さによって決定されることに特徴を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 多数のエッチングサイクルの後に上記マスター電極(8)をクリーニングする更なるステップに特徴を有し、ここで上記クリーニングステップが上記マスター電極上の堆積物質(13)がエッチングにより除去される、エッチングプロセスである、請求項2に記載の方法。
- 上記マスター電極(8)及び上記基材(9)の間に適用されたパルス電圧を使用すること、及び上記局所的なエッチング/めっきセル(12,14)中で最適化された電解質(6)を使用することに特徴を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 上記周波数が2〜20kHzの範囲内にあることに特徴を有する、請求項6に記載の方法。
- 上記周波数が5kHzであることに特徴を有する、請求項6に記載の方法。
- 上記パルス電圧がPPR電圧であることに特徴を有する、請求項6〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 上記パルス電圧が複合的な波形を有することに特徴を有する、請求項6〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 上記最適化された電解質(6)が、支持電解質及び高濃度の電気的に活性な種を含まないか、又はより少なく含み、及び/又は化学的酸化剤を含まないことに特徴を有する、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 上記最適化された電解質中の対イオンが変更されることに特徴を有する、請求項11に記載の方法。
- 10〜1200mMの濃度の電気的に活性なイオンが使用され、及び/又は隔絶材が使用されることに特徴を有する、請求項12に記載の方法。
- 隔絶材がEDTAであることに特徴を有する、請求項13に記載の方法。
- 湿潤剤、促進剤、抑制剤及び均展剤を含む、付加的システムが上記電解質(6)中で使用されることに特徴を有する、請求項11〜14のいずれか1項に記載の方法。
- 上記最適化された電解質(6)が酸化銅であり、且つ、上記最適化された電解質(6)が2と5の間のpH値を有することに特徴を有する、請求項11〜15のいずれか1項に記載の方法。
- 対向電極(1)及び電気化学的エッチング又はめっきセルのパターンを画定する構造がマスター電極(8)中へ集積され、上記対向電極(1)が伝導電極層(1’、1’’)である、エッチング又はめっきプロセス中で使用される電極であって、上記パターンを画定する構造が絶縁パターン層(3)であることに特徴を有する、電極。
- 柔軟なエラストマー層(20)が上記絶縁パターン層(3)上に適用されることに特徴を有する、請求項17に記載の電極。
- 上記対向電極(1)が機械的支持層(23)上に適用されることに特徴を有する、請求項17又は18に記載の電極。
- 伝導エラストマー層(21)が上記対向電極(1)及び上記絶縁パターン層(3)の間に適用されることに特徴を有する、請求項19に記載の電極。
- 中間金属層(22)が上記絶縁パターン層(3)及び上記柔軟なエラストマー層(20)の間に適用されることに特徴を有する、請求項18又は19に記載の電極。
- 上記対向電極(1)が柔軟な伝導箔(1’’)であることに特徴を有する、請求項18に記載の電極。
- 上記柔軟な伝導箔(1’’)がチタニウムで作られる、請求項22に記載の電極。
- 上記マスター電極(8)が、間に犠牲フォトレジスト層(17)が適用された2つの対向電極(1)を含み、且つ、上記マスター電極、上記絶縁パターン層(3)の構造の間の接触部分がTiO2の隔離層を形成するように電気化学的に陽極酸化されることに特徴を有する、請求項22及び23に記載の電極。
- 請求項1〜16のいずれか1項に記載の上記電気化学的パターン複製方法中で使用される装置であって、マスター電極(8)及び基材(9)の間においてぴったり合った接触を作り出す手段のあることに特徴を有する、装置。
- 前記手段が、上記マスター電極構造中の1以上のエラストマー層であることに特徴を有する、請求項25に記載の装置。
- 前記手段が、ぴったり合った膜であることに特徴を有する、請求項25又は26に記載の装置。
- 外部側面(10)上の上記マスター電極(8)への電気的接続及び接触面(11)上の上記基材(9)への電気的接続のための伝導手段があることに特徴を有する、請求項25に記載の装置。
- 上記マスター電極が、適用された減圧によって上記装置中に固定され、且つ、電気的接続のための前記伝導手段が、上記マスター電極(8)の外部側面(10)上に適用された伝導ピース(28)であることに特徴を有する、請求項26に記載の装置。
- 上記ぴったり合った膜によって生じた伝導ピースに対する圧力によって、上記マスター電極が上記装置中に固定されることに特徴を有する、請求項25〜28のいずれか1項に記載の装置。
- 前記圧力がピストンによって適用されることに特徴を有する、請求項30に記載の装置。
- 前記圧力が、気体又は液体を含む貯蔵器と結合した上記ぴったり合った膜によって適用されることに特徴を有する、請求項1〜31のいずれか1項に記載の装置。
- 請求項25〜32のいずれか1項に記載の装置であって、外部から適用された減圧、超音波又は減圧及び超音波の併用の使用によって電解質溶液及び/又は上記貯蔵器から除去されることに特徴を有する、装置。
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