TWI750502B - 靜電夾具、真空處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

靜電夾具、真空處理裝置以及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI750502B
TWI750502B TW108130813A TW108130813A TWI750502B TW I750502 B TWI750502 B TW I750502B TW 108130813 A TW108130813 A TW 108130813A TW 108130813 A TW108130813 A TW 108130813A TW I750502 B TWI750502 B TW I750502B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
jig
electrostatic
exhaust path
jig plate
Prior art date
Application number
TW108130813A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202022980A (zh
Inventor
酒田現示
横尾秀和
Original Assignee
日商愛發科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商愛發科股份有限公司 filed Critical 日商愛發科股份有限公司
Publication of TW202022980A publication Critical patent/TW202022980A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI750502B publication Critical patent/TWI750502B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明提供抑制氣體的體積的急遽增加並穩定地支持基板之靜電夾具、真空處理裝置以及基板處理方法。本發明的一形態的靜電夾具具備：夾具板，具有支持基板之第一面、以及與上述第一面為相反側之第二面。於夾具板設置有：排氣路徑，於將上述基板以上述第一面支持時將上述基板與上述第一面之間從上述基板釋出之氣體從上述基板與上述第一面之間排出。

Description

靜電夾具、真空處理裝置以及基板處理方法
本發明係關於一種靜電夾具、真空處理裝置以及基板處理方法。
電子零件的製造步驟中，成為電子零件的基材之基板於減壓氛圍下支持於平台，且被實施成膜、蝕刻(etching)、離子(ion)注入等製程加工。製程加工係例如於基板由靜電夾具所吸附之狀態下進行(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2012-216774號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，若於吸附於靜電夾具之狀態下對基板實施離子注入等製程加工，則基板可能因該加工而變熱，且氣體積聚在靜電夾具與基板之間。若在這種狀態下解除靜電吸附，則由於殘留氣體之體積的急遽增加，而可能發生基板從靜電夾具跳起之現象。
若發生這種現象，則即使成功地完成製程加工，隨後亦有基板搬送不良或基板受損之可能性存在。
鑒於以上情況，本發明的目的在於提供抑制上述氣體的體積的急遽增加並穩定地支持基板之靜電夾具、真空處理裝置以及基板處理方法。 [用以解決課題的手段]
為了達成上述目的，本發明的一形態的靜電夾具具備夾具板(chuck plate)，該夾具板具有支持基板之第一面、以及與上述第一面為相反側之第二面。於夾具板設置有排氣路徑，該排氣路徑於將上述基板以上述第一面支持時，將上述基板與上述第一面之間從上述基板釋出之氣體從上述基板與上述第一面之間排出。
根據這種靜電夾具，因設置有排氣路徑，該排氣路徑於將基板以第一面支持時，將基板與第一面之間從基板釋出之氣體從基板與第一面之間排出，故即使解除靜電吸附亦可抑制氣體的體積的急遽膨脹，能夠防止基板從夾具板跳起。
靜電夾具中，上述排氣路徑亦可具有：槽，設置於上述第一面；以及第一貫通孔，與上述槽連通且從上述第一面貫通至上述第二面。
根據這種靜電夾具，因排氣路徑具有設置於第一面之槽、以及與槽連通且從第一面貫通至第二面之第一貫通孔，故從基板釋出之氣體通過排氣路徑高效地排出至第二面側。
靜電夾具中，上述槽亦可具有：複數個第一槽部，在從上述夾具板的中心朝向上述夾具板的外部之方向延伸；以及複數個第二槽部，與上述複數個第一槽部交叉，以上述夾具板的上述中心為中心而形成為環狀。
根據這種靜電夾具，因槽具有從夾具板的中心朝向夾具板的外部延伸之複數個第一槽部、以及形成為環狀之複數個第二槽部，故從基板釋出之氣體通過槽而高效地排出至第二面側。
靜電夾具中，上述排氣路徑可具有：線狀的堤部，設置於上述第一面；以及第一貫通孔，從上述第一面貫通至上述第二面。
根據這種靜電夾具，因排氣路徑具有設置於第一面之堤部、以及從第一面貫通至第二面之第一貫通孔，故從基板釋出之氣體通過排氣路徑高效地排出至第二面側。
靜電夾具中，亦可於上述第一面設置有複數個凸部、以及包圍上述複數個凸部之環狀的凸部；上述複數個凸部的從上述第一面算起之高度可構成為上述環狀的凸部的高度以下。
根據這種靜電夾具，因對第一面實施凸狀的壓紋(emboss)加工，故從基板釋出之氣體經由第一面並通過排氣路徑而高效地排出至第二面側。而且，藉由環狀的凸部，氣體不易從基板與夾具板之間洩漏。
靜電夾具中，可進而具備：夾具基體，具有與上述夾具板的上述第二面對向之第三面、以及與上述第三面為相反側之第四面。於上述夾具基體設置有從上述第三面貫通至上述第四面之第二貫通孔，上述第二貫通孔可構成為能夠與上述第一貫通孔連通。
根據這種靜電夾具，因於具有與夾具板的第二面對向之第三面、以及與第三面為相反側之第四面之夾具基體設置有從第三面貫通至第四面之第二貫通孔，故從基板釋出之氣體通過排氣路徑高效地排出至第四面側。
為了達成上述目的，本發明的一形態的真空處理裝置具備真空容器、上述靜電夾具、支持台以及防著板。上述支持台收容於上述真空容器，且具有支持上述靜電夾具之第五面、以及與上述第五面為相反側之第六面。上述防著板包圍上述支持台，將上述真空容器的內部劃分為配置有上述靜電夾具之第一區域與配置有上述支持台之第二區域。於上述支持台設置有：另一排氣路徑，將通過上述排氣路徑而引導之上述氣體排出至上述第二區域。
根據這種真空處理裝置，因從排氣路徑所引導之氣體排出至第二區域，故即使解除靜電吸附亦可抑制氣體的體積的急遽膨脹，能夠防止基板從夾具板跳起。
為了達成上述目的，在本發明的一形態的基板處理方法中準備有上述靜電夾具。將上述基板載置於藉由凸狀的壓紋加工而形成有複數個凸部之上述第一面。藉由將上述基板靜電吸附於上述第一面，當上述基板載置於上述第一面時，將上述複數個凸部的從上述第一面算起之高度h0 調整為低於上述高度h0 之高度h1 。對上述基板實施製程加工。藉由緩和上述靜電吸附，將上述製程加工中發出之上述氣體從上述基板與上述第一面之間排出。
根據這種基板處理方法，因設置排氣路徑，該排氣路徑於將基板以第一面支持時將基板與第一面之間從基板釋出之氣體從基板與第一面之間排出，故即使解除靜電吸附亦可抑制氣體的體積的急遽膨脹，能夠防止基板從夾具板跳起。 [發明功效]
如以上所述，根據本發明，提供抑制上述氣體的體積的急遽增加且穩定地支持基板之靜電夾具、真空處理裝置以及基板處理方法。
以下，參照圖式對本發明的實施形態進行說明。各圖式中，有時導入XYZ軸坐標。例如，X軸方向或Y軸方向係夾具板10的面內方向，Z軸方向係與夾具板10的面內方向正交之方向。而且，有時對相同之構件或具有相同功能之構件附上相同的符號，有時於說明該構件後適當省略說明。
圖1中的(a)是本實施形態的靜電夾具之示意性俯視圖。圖1中的(b)是沿著圖1中的(a)的A-A’線之示意性剖視圖。圖2中的(a)是由圖1中的(b)的虛線a1所包圍之區域之示意性剖視圖。圖2中的(b)是由圖1中的(b)的虛線a2所包圍之區域之示意性剖視圖。
圖1中的(a)中為了顯示靜電夾具1的平面而未顯示基板90。圖1中的(b)至圖2中的(b)中顯示靜電夾具1中載置有基板90的狀態。
靜電夾具1是例如對真空容器內所處理之基板90進行吸附保持之靜電夾具。靜電夾具1具備夾具板10以及夾具基體20。基板90例如是半導體晶圓。
夾具板10具有支持基板90之上表面10u(第一面)以及與上表面10u為相反側的下表面10d(第二面)。夾具板10的平面形狀無特別限制，例如為圓形。夾具板10為彈性體，例如由介電樹脂(例如矽酮(silicone))所構成。
夾具板10在其上表面10u以及內部具有排氣路徑100。在基板90被支持於上表面10u的情形下，於基板90與上表面10u之間從基板90釋出之氣體係藉由排氣路徑100從基板90與上表面10u之間排出。
排氣路徑100具有設置於夾具板10的上表面10u之槽110、以及與槽110連通之貫通孔120(第一貫通孔)。
槽110具有複數個槽部111(第一槽部)以及與複數個槽部111交叉之複數個槽部112a、112b、112c(第二槽部)。槽110的平面形狀不限於圖示的例子。
複數個槽部111從夾具板10的中心朝向夾具板10的外部呈放射狀地延伸。複數個槽部111以夾具板10的中心為中心，例如等間隔地排列。複數個槽部111之各個係與配置於夾具板10的中心附近之貫通孔120、以及配置於夾具板10的外周附近之貫通孔120連通。進而，複數個槽部111之各個係橫穿槽部112b並與槽部112b連通。
複數個槽部112a、112b、112c之各個係以夾具板10的中心為中心形成為環狀。複數個槽部112a、112b、112c中，槽部112a配置於夾具板10的中心附近，槽部112c配置於夾具板10的外周附近。槽部112b配置於槽部112a與槽部112c之間。
槽部112a係與配置於夾具板10的中心附近之複數個貫通孔120連通。槽部112c係與配置於夾具板10的外周附近之複數個貫通孔120連通。槽部112b係與複數個槽部111連通。
對夾具板10的上表面10u的至少一部分，例如對整個區域實施凸狀的壓紋加工(圖2中的(b))。在圖1中的(a)中，用虛線表示上表面10u實施了壓紋加工之區域10E。藉由該壓紋加工，於上表面10u形成有複數個凸部113。複數個凸部113各自之上表面成為向上凸出之曲面。複數個凸部113從上表面10u算起之高度h係構成為：比槽部111從上表面10u算起之深度低。
例如，於基板90未被支持於夾具板10的情形下，凸部113的高度h為30μm以上至150μm以下。複數個凸部113的間距(pitch)為100μm以上至500μm以下。因夾具板10為彈性體，故該高度h係根據夾具板10抽吸基板90之抽吸力而變化。例如，隨著抽吸力增加，凸部113、113e潰縮而高度h變小。
而且，當基板90被支持於上表面10u時，夾具板10的在平面內鄰接之凸部113的谷部114係與槽部111、112a、112b、112c中之任一個連通。
而且，於夾具板10的外周形成有與基板90相接之凸部113e。凸部113e的高度與凸部113的高度相同。於Z軸方向俯視凸部113e時為圓環狀。亦即，複數個凸部113由凸部113e包圍。複數個凸部113的從上表面10u算起之高度構成為環狀的凸部113e的從上表面10u算起之高度以下。換言之，當基板90被支持於夾具板10時，由凸部113與谷部114所構成之空間藉由基板90與凸部113e而遮蔽。
貫通孔120從上表面10u貫通至下表面10d。複數個貫通孔120從夾具板10的中心朝向夾具板10的外部呈行狀排列。而且，複數個貫通孔120以夾具板10的中心為中心例如以等間隔地排列。例如，複數個貫通孔120係以夾具板10的中心為中心且以60°間隔所配置。
夾具基體20具有與夾具板10的下表面10d對向之上表面20u(第三面)、以及與上表面20u為相反側之下表面20d(第四面)。該上表面20u與夾具板10的下表面10d藉由接著劑層80接合。夾具基體20的平面形狀例如為圓形。夾具基體20的外徑可與夾具板10的外徑相同，亦可大於夾具板10的外徑。夾具基體20的上表面20u例如為平坦面。
夾具基體20具有從上表面20u貫通至下表面20d之貫通孔220(第二貫通孔)。當將夾具板10固定於夾具基體20時，貫通孔220與貫通孔120連通。貫通孔220亦具有作為配置有螺釘之螺釘孔的功能。夾具基體20由例如鋁、不鏽鋼等所構成。
靜電夾具1中之排氣路徑100係由以下所構成：槽110及貫通孔120，係設置於夾具板10；以及貫通孔220，係設置於夾具基體20。複數個貫通孔220之各個不必從夾具基體20的上表面20u貫通至下表面20d，例如，可於夾具基體20的內部設置有複數個貫通孔220中之至少兩個會合並穿到下表面20d之通路。
而且，於夾具基體20的上表面20u設置有在上表面20u的面內方向排列之電極40、41。於電極40、41與夾具基體20之間設置有絕緣層81，電極40、41與夾具基體20保持絕緣。藉由設置於外部之電源42對電極40與電極41之間例如施加有直流電壓。藉此，於夾具板10的上表面10u產生將基板90予以抽吸之靜電力而將基板90吸附保持於上表面10u。而且，亦可於夾具基體20設置將基板90的溫度予以調節之溫度調節機構。
圖3是本實施形態的真空處理裝置之示意性剖視圖。圖3中例示靜電夾具1於真空容器內安裝於支持台之情況。
真空處理裝置5具備真空容器51、靜電夾具1、支持台50、防著板52、排氣機構55以及搬送機構60。
真空容器51是能夠維持減壓狀態之真空容器，且收容靜電夾具1、支持台50以及防著板52。
支持台50具有：上表面50u(第五面)，係支持靜電夾具1；下表面50d(第六面)，係與上表面50u為相反側；以及側面50w，係連接於上表面50u與下表面50d。亦可於支持台50設置將基板90的溫度予以調節之溫度調節機構。
靜電夾具1係藉由被配置於夾具基體20的貫通孔220之螺釘30而被固定於支持台50。
螺釘30是所謂的排氣螺釘。例如，於螺釘30中設置有：貫通孔320，係沿著該螺釘30的中心線而貫通螺釘30。該貫通孔320亦具有作為排氣路徑100的一部分之功能。
防著板52於真空容器51內包圍支持台50。藉由防著板52的配置，真空容器51的內部被劃分為配置有靜電夾具1之第一區域S1(上部空間)與配置有支持台50之第二區域S2(下部空間)。
於支持台50設置有：貫通孔520，係從上表面50u貫通至下表面50d或者從上表面50u貫通至側面50w，且與排氣路徑100連通。藉由於支持台50亦設置有貫通孔520作為另一排氣路徑，通過靜電夾具1的排氣路徑100所引導之釋出氣體係被排出至第二區域S2。
搬送機構60例如為搬送臂，將基板90的外周卡止，使基板90從靜電夾具1上升或朝向靜電夾具1下降。而且，搬送機構60能夠將已從靜電夾具1上升之基板90從真空容器10搬出，或者將基板90搬入至真空容器10。另外，關於基板90的升降也可利用所謂的上推銷(push-up pin)。
而且，於真空處理裝置5亦可設置使支持台50旋轉之旋轉機構、使支持台50上下升降之升降機構等。而且，於真空處理裝置5除排氣機構55之外亦可設置將第一區域S1排氣之排氣機構。
真空處理裝置5例如應用於濺鍍(sputtering)、化學氣相沉積法、離子注入等。在本實施形態中係顯示真空處理裝置5應用於離子注入裝置的終端站(end station)的例子作為一例。
圖4是離子注入裝置之方塊構成圖。
離子注入裝置1000具備離子源1001、質量分離器1002、質量分離狹縫(slit)1003、加速管1004、四極透鏡(quadrupole lens)1005、掃描器1006、平行化裝置1007以及作為終端站之真空處理裝置5。
離子源1001生成離子。質量分離器1002利用離子、電子等帶電粒子在磁場或電場中偏向之性質，產生磁場以及/或者電場，並鎖定要注入至基板90中之離子種類。加速管1004使通過了質量分離狹縫1003之所需的離子種類加速或減速。加速管1004對複數個電極對(electrode pair)施加高電壓，並利用靜電場的作用使離子加速或減速為所需的注入能量。四極透鏡1005將已通過加速管1004之離子的束形狀予以調整。
掃描器1006在與已通過四極透鏡1005之束狀的離子C的進行方向正交之方向產生均勻的外部電場，藉由使該電場的極性或強度變化來控制離子的偏向角度。掃描器1006朝向平行化裝置1007的輸入段於預定方向掃描離子束。平行化裝置1007抑制離子束的擴散，並形成已在單軸方向被掃描之入射至基板90的表面之離子束。平行化裝置1007具有作為束掃描部的功能，該束掃描部係將離子束在一個軸方向予以掃描。於被收容於真空處理裝置5之基板90係照射有離子束。
對本實施形態的靜電夾具1的作用進行說明。
圖5中的(a)、圖5中的(b)是說明靜電夾具的作用的一例之示意性剖視圖。
於基板90的表面係實施有晶圓製程(wafer process)以形成元件。進而，作為晶圓製程的一環，有時對基板90的背面實施離子注入。本實施形態中，設想對背面注入離子，將由夾具板10所支持之側的基板面設為基板90的表面，將該表面的相反側的面設為基板90的背面。
該情形下，由於形成有元件之基板90的表面係被指示與夾具板10接觸，故於基板90的表面塗佈有抗蝕劑(resist)等的保護層91(圖5中的(a))。
若在該狀態下對基板90的背面實施離子注入，則基板90藉由離子照射而變熱，從保護層91釋出例如水蒸氣、碳化氣體等氣體。
此處，試著考慮假如於靜電夾具1未設置有排氣路徑100及凸部113、113e時可能發生的現象。
該情形下，基板90藉由靜電吸附而被牢固地壓抵至夾具板10。進而，對於釋出氣體而言，沒有如排氣路徑100那樣的逸出路徑。因此，藉由離子注入而從保護層91產生之氣體容易殘留於基板90與夾具板10之間。
若在該狀態下完成離子注入後解除基板90的靜電吸附，則積聚於基板90與夾具板10之間的釋出氣體會急遽地膨脹，而容易產生基板90從夾具板10跳起之現象。結果，即使成功地完成離子注入，隨後亦有發生基板90搬送不良或基板90的表面受損之可能性。
進而，當在離子注入期間積聚於基板90與夾具板10之間的釋出氣體洩露至第一區域S1時，離子束暴露於釋出氣體。藉此，離子束的方向改變、離子被中和、離子束的能量減少。
與此相對，圖5中的(a)中顯示使用了本實施形態的靜電夾具1時的作用。
如上述般，當對基板90的背面實施離子注入時，因離子照射至背面而基板90變熱，氣體從保護層91釋出。然而，在使用靜電夾具1的情形下，當靜電吸附時，夾具板10與基板90之間係藉由被設置於夾具板10外周之凸部113e所密封。藉此，釋出氣體不易從基板90與夾具板10之間洩露。
另一方面，即使在沒有洩露的情況下釋出氣體積聚在夾具板10與基板90之間，複數個凸部113亦隔開地排列於夾具板10的上表面10u。因此，釋出氣體通過鄰接之凸部113之間的谷部114而經由槽部111、槽部112a至槽部112c，且透由貫通孔120而向夾具板10的下表面10d側流動。
進而，貫通孔120與夾具基體20的貫通孔220連通。藉此，釋出氣體從夾具基體20的上表面20u朝向下表面20d高效地排出。於圖5中的(a)中以箭頭簡單地表示該釋出氣體G的流動。
而且，即使靜電夾具1安裝於支持台50，夾具基體20的貫通孔220亦與支持台50的貫通孔520連通，且於螺釘30設置有貫通孔320，因此，釋出氣體經由貫通孔320、貫通孔520而從支持台50的上表面50u朝向下表面50d高效地排出(圖5中的(b))。
尤其，基板90與支持台50的下表面50d被防著板52分開。而且，第二區域S2係藉由排氣機構55被抽真空。因此，釋出至第二區域S2之氣體係於第二區域S2藉由排氣機構55排出。藉此，釋出氣體不易洩露至第一區域S1。
這樣，根據本實施形態，即使離子注入步驟結束而解除靜電吸附，氣體亦不易殘留於基板90與夾具板10之間。藉此，避免了基板90因釋出氣體的體積的急遽膨脹而從夾具板10跳起的現象。而且，因釋出氣體不易洩露至第一區域S1，故不再有離子束的方向改變、離子被中和、離子束的能量減少之情形。
而且，藉由離子注入而從保護層91釋出之氣體係自然地通過排氣路徑100排出至真空容器51外，因此不需要保護層91的脫氣處理(退火(anneal)處理)。亦即，若使用靜電夾具1，則晶圓製程的生產性提高。
而且，為了更確實地進行由基板90與夾具板10之間的氣體膨脹所致的基板90從靜電夾具1的脫落與釋出氣體的排出，亦可應用下述處理方法。
圖6中的(a)至圖6中的(d)是表示基板處理方法的一例之示意性剖視圖。
例如，如圖6中的(a)所示，準備靜電夾具1，將基板90載置於該靜電夾具1的上表面10u。將該狀態下的凸部113的高度設為h0 。
接下來，如圖6中的(b)所示，將基板90靜電吸附於上表面10u。藉此，凸部113、113e潰縮，凸部113的高度被調整為低於高度h0 之高度h1 。此時的靜電吸附力被調整為即使對基板90實施製程加工，基板90亦確實地不會從夾具板10脫落之程度。
接下來，如圖6中的(c)所示，對基板90實施離子注入等製程加工。此時，釋出氣體G從保護層91被釋出。釋出氣體G經由排氣路徑100、貫通孔520排出至第二區域S2。然而，因凸部113的高度為比高度h0 低的高度h1 ，故谷部114的電導(conductance)相對較低。
因此，在製程加工中，一些釋出氣體G可能殘留於基板90與夾具板10之間。若在該狀態下解除靜電吸附，則基板90可能會由於殘留氣體的體積的急遽膨脹而從夾具板10跳起。
為了避免該情況，在製程加工結束後，是一邊緩和靜電吸附一邊將釋出氣體G從基板90與夾具板10的上表面10u之間排出，而不是突然解除靜電吸附。
例如，如圖6中的(d)所示，將靜電吸附調整為比高度為h1 時弱，並將高度調整為h2 (h1 ≦h2 ≦h0 )。從高度h1 到高度h2 可連續地改變，亦可階段性地改變。
藉此，與高度為h1 時相比，谷部114的電容上升，谷部114的電導上升。結果，製程加工中產生之釋出氣體G確實地從基板90與夾具板10的上表面10u之間排出。然後，解除靜電吸附，藉由搬送機構60來搬送基板90。
或者，亦可於在圖6中的(c)中例示之離子注入完成後，連續地或階段性地緩和靜電吸附，到高度為h0 或接近h0 時解除靜電吸附。
根據這種基板處理方法，即使解除靜電吸附，亦可抑制因急遽釋出的氣體所引起的體積膨脹，且能夠防止基板90從夾具板10跳起。
(變形例)
圖7是本實施形態的變形例的靜電夾具之示意性俯視圖。
靜電夾具2中，排氣路徑100具有設置於上表面10u之線狀的堤部130以及貫通孔120。
堤部130具有複數個堤部131(第一堤部)以及複數個堤部132a、132b、132c(第二堤部)。複數個堤部131(第一堤部)的各個係在從夾具板10的中心朝向夾具板10的外部之方向延伸。複數個堤部132a、132b、132c與複數個堤部131交叉，且以夾具板10的中心為中心形成為環狀。複數個堤部131以及複數個堤部132a、132b、132c的從上表面10u算起的高度構成為凸部113e的高度以下。
這種構成中，釋出氣體G亦穿過基板90與夾具板10之間並到達任一個貫通孔120。然後，釋出氣體G透由貫通孔120而從基板90與夾具板10之間排出。
以上，對本發明的實施形態進行了說明，但本發明不僅限於上述實施形態，當然可添加各種變更。各實施形態不一定是獨立的形態，能夠在技術上盡可能地複合。
1、2:靜電夾具 1a、2a:虛線 5:真空處理裝置 10:夾具板 10E:區域 10d、20d、50d:下表面 10u、20u、50u:上表面 20:夾具基體 30:螺釘 40、41:電極 42:電源 50:支持台 50w:側面 51:真空容器 52:防著板 55:排氣機構 60:搬送機構 80:接著劑層 81:絕緣層 90:基板 91:保護層 100:排氣路徑 110:槽 111、112a、112b、112c:槽部 113、113e:凸部 114:谷部 120、220、320、520:貫通孔 130、131、132a、132b、132c:堤部 1000:離子注入裝置 1001:離子源 1002:質量分離器 1003:質量分離狹縫 1004:加速管 1005:四極透鏡 1006:掃描器 1007:平行化裝置 a1、a2:虛線 G:釋出氣體 h、h0、h1、h2:高度 S1:第一區域(上部空間) S2:第二區域
圖1中的(a)是本實施形態的靜電夾具之示意性俯視圖。圖1中的(b)是沿著圖1中(a)的A-A’線之示意性剖視圖。 圖2中的(a)是由圖1中的(b)的虛線a1所包圍之區域之示意性剖視圖。圖2中的(b)是由圖1中的(b)的虛線a2所包圍之區域之示意性剖視圖。 圖3是本實施形態的真空處理裝置的示意性剖視圖。 圖4是離子注入裝置的方塊構成圖。 圖5中的(a)、圖5中的(b)是說明靜電夾具的作用的一例之示意性剖視圖。 圖6中的(a)至圖6中的(d)是表示基板處理方法的一例之示意性剖視圖。 圖7是本實施形態的變形例的靜電夾具之示意性俯視圖。
1:靜電夾具
10:夾具板
10E:區域
10d、20d:下表面
10u、20u:上表面
20:夾具基體
30:螺釘
40、41:電極
42:電源
90:基板
100:排氣路徑
110:槽
111、112a、112b、112c:槽部
120、220:貫通孔
a1、a2:虛線

Claims (9)

  1. 一種靜電夾具，係具備夾具板且設置有排氣路徑，前述夾具板具有支持基板之第一面、以及與前述第一面為相反側之第二面，前述排氣路徑於將前述基板以前述第一面支持時，將前述基板與前述第一面之間從前述基板釋出之氣體從前述基板與前述第一面之間排出；前述排氣路徑具有：線狀的堤部，設置於前述第一面；以及第一貫通孔，從前述第一面貫通至前述第二面。
  2. 如請求項1所記載之靜電夾具，其中前述排氣路徑具有：槽，設置於前述第一面；以及第一貫通孔，與前述槽連通，且從前述第一面貫通至前述第二面。
  3. 如請求項2所記載之靜電夾具，其中前述槽具有：複數個第一槽部，在從前述夾具板的中心朝向前述夾具板的外部之方向延伸；以及複數個第二槽部，與前述複數個第一槽部交叉，且以前述夾具板的前述中心為中心而形成為環狀。
  4. 如請求項1至3中任一項所記載之靜電夾具，其中於前述第一面設置有複數個凸部以及包圍前述複數個凸部之環狀的凸部；前述複數個凸部的從前述第一面算起的高度構成為前述環狀的凸部的高度以下。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之靜電夾具，其中進而具備：夾具基體，具有與前述夾具板的前述第二面對向之第三面、以及與前述第三面為相反側的第四面；於前述夾具基體設置有從前述第三面貫通至前述第四面之第二貫通孔，前述第二貫通孔構成為能夠與前述第一貫通孔連 通。
  6. 如請求項4所記載之靜電夾具，其中進而具備：夾具基體，具有與前述夾具板的前述第二面對向之第三面、以及與前述第三面為相反側的第四面；於前述夾具基體設置有從前述第三面貫通至前述第四面之第二貫通孔，前述第二貫通孔構成為能夠與前述第一貫通孔連通。
  7. 一種靜電夾具，係具備夾具板且設置有排氣路徑，前述夾具板具有支持基板之第一面、以及與前述第一面為相反側之第二面，前述排氣路徑於將前述基板以前述第一面支持時，將前述基板與前述第一面之間從前述基板釋出之氣體從前述基板與前述第一面之間排出；前述靜電夾具進而具備：夾具基體，具有與前述夾具板的前述第二面對向之第三面、以及與前述第三面為相反側的第四面；於前述夾具基體設置有從前述第三面貫通至前述第四面之第二貫通孔，前述第二貫通孔構成為能夠與前述第一貫通孔連通。
  8. 一種真空處理裝置，具備：真空容器；靜電夾具，具備夾具板且設置有排氣路徑，前述夾具板收容於前述真空容器且具有支持基板之第一面、以及與前述第一面為相反側之第二面，前述排氣路徑於將前述基板以前述第一面支持時，將前述基板與前述第一面之間從前述基板釋出之氣體從前述基板與前述第一面之間排出，前述排氣路徑具有設置於前述第一面之線狀的堤部、以及從前述第一面貫通至前述第二面的第一貫通孔； 支持台，收容於前述真空容器，且具有支持前述靜電夾具之第五面、以及與前述第五面為相反側之第六面；以及防著板，包圍前述支持台，將前述真空容器的內部劃分為配置有前述靜電夾具之第一區域與配置有前述支持台之第二區域；於前述支持台設置有：另一排氣路徑，將通過前述排氣路徑而引導之前述氣體排出至前述第二區域。
  9. 一種基板處理方法，準備靜電夾具，前述靜電夾具具備夾具板且於前述夾具板設置有排氣路徑，前述夾具板具有支持基板之第一面、以及與前述第一面為相反側之第二面且由彈性體所構成，前述排氣路徑於將前述基板以前述第一面支持時，將前述基板與前述第一面之間從前述基板釋出之氣體從前述基板與前述第一面之間排出，前述排氣路徑具有設置於前述第一面之線狀的堤部、以及從前述第一面貫通至前述第二面的第一貫通孔；將前述基板載置於藉由凸狀的壓紋加工形成有複數個凸部之前述第一面；藉由將前述基板靜電吸附於前述第一面，而將前述基板載置於前述第一面時前述複數個凸部的從前述第一面算起之高度h0調整為低於前述高度h0之高度h1；對前述基板實施製程加工；藉由緩和前述靜電吸附，而將前述製程加工中發出之前述氣體從前述基板與前述第一面之間排出。
TW108130813A 2018-12-05 2019-08-28 靜電夾具、真空處理裝置以及基板處理方法 TWI750502B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-228266 2018-12-05
JP2018228266 2018-12-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202022980A TW202022980A (zh) 2020-06-16
TWI750502B true TWI750502B (zh) 2021-12-21

Family

ID=70974535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108130813A TWI750502B (zh) 2018-12-05 2019-08-28 靜電夾具、真空處理裝置以及基板處理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US12014946B2 (zh)
JP (1) JP6982701B2 (zh)
KR (1) KR102515262B1 (zh)
CN (1) CN112640082B (zh)
TW (1) TWI750502B (zh)
WO (1) WO2020115952A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115132635A (zh) * 2021-03-24 2022-09-30 Toto株式会社 静电吸盘以及半导体制造装置
JP2024097250A (ja) 2023-01-05 2024-07-18 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、基板処理装置、および静電チャックの製造方法
JP2024097251A (ja) 2023-01-05 2024-07-18 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、基板処理装置、および静電チャックの製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282690A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Toto Ltd 静電チャック
JP2012216774A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー
TW201633448A (zh) * 2014-12-10 2016-09-16 Toto Ltd 靜電吸盤及晶圓處理裝置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06244269A (ja) * 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
JP3636864B2 (ja) 1997-06-11 2005-04-06 東京エレクトロン株式会社 処理装置およびステージ装置
WO2006001425A1 (ja) * 2004-06-28 2006-01-05 Kyocera Corporation 静電チャック
US20060037702A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
KR100711729B1 (ko) * 2005-10-25 2007-04-25 세메스 주식회사 냉각 플레이트 및 베이크 장치
JP5035884B2 (ja) * 2007-03-27 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 熱伝導シート及びこれを用いた被処理基板の載置装置
JP5284153B2 (ja) * 2008-03-21 2013-09-11 日本碍子株式会社 セラミックスヒータ
JP6010433B2 (ja) * 2012-11-15 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
JP6518666B2 (ja) * 2013-08-05 2019-05-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄い基板をハンドリングするための静電キャリア
JP2018085408A (ja) * 2016-11-22 2018-05-31 株式会社ディスコ 減圧処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282690A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Toto Ltd 静電チャック
JP2012216774A (ja) * 2011-04-01 2012-11-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー
TW201633448A (zh) * 2014-12-10 2016-09-16 Toto Ltd 靜電吸盤及晶圓處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US12014946B2 (en) 2024-06-18
CN112640082B (zh) 2023-12-26
JPWO2020115952A1 (ja) 2021-09-02
CN112640082A (zh) 2021-04-09
WO2020115952A1 (ja) 2020-06-11
KR20210032487A (ko) 2021-03-24
US20210296154A1 (en) 2021-09-23
KR102515262B1 (ko) 2023-03-29
JP6982701B2 (ja) 2021-12-17
TW202022980A (zh) 2020-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI750502B (zh) 靜電夾具、真空處理裝置以及基板處理方法
JP4676074B2 (ja) フォーカスリング及びプラズマ処理装置
US7645681B2 (en) Bonding method, device produced by this method, and bonding device
KR101658304B1 (ko) 기판 처리 장치
US9550194B2 (en) Gas shower structure and substrate processing apparatus
US20210066052A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2010541210A (ja) イオン注入によって活性化されるウェハ接合
US20090317964A1 (en) Platen for reducing particle contamination on a substrate and a method thereof
JP2012524417A (ja) 基板と静電クランプとの間の電荷の除去
JP2005286027A (ja) プラズマ処理装置及び方法
JP2006287152A (ja) プラズマ処理装置
TWI778081B (zh) 排氣板及電漿處理裝置
JP2009070886A (ja) イオン注入方法及びイオン注入装置
US10692686B2 (en) Surface treatment apparatus using plasma
KR101594928B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20190066981A1 (en) Plasma processing device and plasma processing method
KR100725614B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
CN109068467A (zh) 一种除静电装置及除静电方法
KR20070060305A (ko) 기판 지지부재 및 이를 구비하는 반도체 제조 장치
JP7122551B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2009246009A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP2009176991A (ja) プラズマ処理装置
KR20070054457A (ko) 입자 가속기
KR100837620B1 (ko) 4극관 구조의 전자빔 방출 장치
KR20040054290A (ko) 망사형 라이너를 구비한 폴리머 흡착용 돔