KR20040054290A

KR20040054290A - 망사형 라이너를 구비한 폴리머 흡착용 돔

Info

Publication number: KR20040054290A
Application number: KR1020020081311A
Authority: KR
Inventors: 김종준
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2002-12-18
Filing date: 2002-12-18
Publication date: 2004-06-25

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치 중 건식 식각 공정(dry etching process)에 사용되는 폴리머 흡착용 돔(dome for polymer adsorption)에 관한 것으로서, 상세하게는 반도체 제조 공정 중 건식 식각 공정에 사용되는 디피에스 장치(DPS device; Decoupled Plasma Source device)의 폴리머 흡착용 돔에 있어서, 폴리머 흡착용 돔의 내측에는 내측면으로부터 소정의 간격만큼 이격하여 망사형 라이너(mesh typed liner)가 구성되는 것을 특징으로 하는 망사형 라이너를 구비한 폴리머 흡착용 돔에 관한 것인데, 이러한 본 발명의 구성에 따르면, 폴리머 흡착용 돔의 내측에 망사형 라이너가 구성됨으로써, 공정 진행 중 발생하는 폴리머의 흡착 면적이 증대될 뿐만 아니라, 웨이퍼(wafer)로의 고주파 전력(RF power; Radio Frequency power) 전달이 균일하게 진행될 수 있게 되어, 폴리머의 침착에 의한 웨이퍼의 불량 방지와 더불어 웨이퍼에의 균일한 식각 진행 효과를 얻을 수 있다.

Description

망사형 라이너를 구비한 폴리머 흡착용 돔{Dome for polymer adsorption including a mesh typed liner}

본 발명은 반도체 제조 장치 중 건식 식각 공정(dry etching process)에 사용되는 폴리머 흡착용 돔(dome for polymer adsorption)에 관한 것으로서, 상세하게는 망사형 라이너(mesh typed liner)를 구비한 폴리머 흡착용 돔에 관한 것이다.

반도체를 제조하기 위한 제조 공정에는 여러 공정들이 있는데, 그 중 플라즈마(plasma)를 이용하여 웨이퍼(wafer) 상에 미세 패턴(pattern)을 형성하는 공정을 건식 식각 공정이라 한다. 건식 식각 공정을 수행하는 건식 식각 장치로는 이온 농도(ion density)와 이온 에너지(ion energy)의 독립적인 제어가 가능할 뿐만 아니라, 공정의 마진(margin)을 증가시키고 웨이퍼 손상을 크게 줄일 수 있는 디피에스 장치(DPS device; Decoupled Plasma Source device)가 많이 사용되고 있는데, 그러한 디피에스 장치에는 공정 진행 중 발생하는 폴리머의 제거를 위한 폴리머 흡착용 돔이 구성되어 있다. 폴리머 흡착용 돔은 챔버(chamber) 내의 상부에 구성되어 공정 진행 중 발생된 폴리머를 흡착함으로써, 웨이퍼 상에 폴리머가 침착되는 것을 방지하여 결과적으로는 웨이퍼의 불량 발생을 억제한다.

이하 도면을 참조하여 종래의 일반적인 폴리머 흡착용 돔에 대해 계속 설명한다.

도 1은 종래의 일반적인 폴리머 흡착용 돔의 구조를 보여주는 단면도이고, 도 2는 도 1의 A부분을 확대한 확대 단면도이다.

도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이 종래의 일반적인 폴리머 흡착용 돔(10)은 둥그런 반구형상을 하고 있는데, 이러한 폴리머 흡착용 돔(10)은 디피에스 장치의 챔버 내 상부에 구성되어 식각 공정 진행 중 발생하는 폴리머(12)를 흡착한다. 하지만, 종래의 폴리머 흡착용 돔(10)은 폴리머 흡착면(K)이 한 면 밖에 없었으므로 폴리머(12)의 흡착량이 적을 수 밖에 없었고, 이는 흡착량의 한계를 넘어 흡착이 진행될 경우 폴리머(12)가 폴리머 흡착면(K)에 전부 흡착되지 못하고 일부가 웨이퍼 상으로 침착되는 문제를 야기할 수 있었다.

따라서, 본 발명은 폴리머의 흡착량을 증가시켜 웨이퍼에의 폴리머 침착을 억제함으로써, 웨이퍼의 불량을 방지할 수 있도록 구성한 폴리머 흡착용 돔의 제공을 그 목적으로 한다.

도 1은 종래의 일반적인 폴리머 흡착용 돔(dome for polymer adsorption)의 구조를 보여주는 단면도,

도 2는 도 1의 A부분을 확대한 확대 단면도,

도 3은 본 발명에 따른 망사형 라이너(mesh typed liner)를 구비한 폴리머 흡착용 돔의 일례를 보여주는 단면도, 및

도 4는 도 3의 B부분을 확대한 확대 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10, 20 : 폴리머 흡착용 돔

12 : 폴리머

23 : 망사형 라이너

24 : 구멍

K : 폴리머 흡착면

이러한 목적을 이루기 위하여, 본 발명은 반도체 제조 공정 중 건식 식각 공정에 사용되는 디피에스 장치의 폴리머 흡착용 돔에 있어서, 폴리머 흡착용 돔의 내측에는 내측면으로부터 소정의 간격만큼 이격하여 망사형 라이너가 구성되는 것을 특징으로 하는 망사형 라이너를 구비한 폴리머 흡착용 돔을 제공한다.

이하 도면을 참조하여 본 발명에 따른 망사형 라이너를 구비한 폴리머 흡착용 돔에 대해 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 망사형 라이너를 구비한 폴리머 흡착용 돔의 일례를 보여주는 단면도이고, 도 4는 도 3의 B부분을 확대한 확대 단면도이다.

도 3 및 도 4에서 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 망사형 라이너(23)를 구비한 폴리머 흡착용 돔(20)은 둥그런 반구형의 돔(20) 내측면으로부터 일정한 간격 만큼 이격되어 망사형 라이너(23)가 구성되는데, 이러한 구성은 폴리머흡착면(K)을 종래에 비해 증가시키게 되어 폴리머의 흡착량 또한 증가시킬 수 있게 된다. 이는 폴리머 흡착면(K)이 돔(20)의 내측면과 더불어 망사형 라이너(23)의 양면에 형성되기 때문이다. 폴리머의 흡착 면적은 망사형 라이너(23)의 구멍(24) 직경의 영향을 받는데, 구멍(24) 직경을 3 mm로 형성하여 폴리머 흡착용 돔(20)의 내측에 구성하였을 경우가 그렇지 않은 종래의 구성에 비해 흡착 면적이 300% 정도 증가하게 된다. 구멍(24)의 직경은 3mm 미만이 되거나 초과할 경우 3mm일 때에 비하여 흡착 효율이 저하되므로 망사형 라이너(23)의 구멍(24) 직경은 3mm로 형성하는 것이 바람직하다.

망사형 라이너(23)는 폴리머의 흡착 면적 증대 효과 이외에도 반응 가스(gas)의 활성화에 사용되는 고주파 전력(RF power; Radio Frequency power)을 웨이퍼에 균일하게 전달하는 효과도 발생시키는데, 그러한 효과는 웨이퍼에 대한 식각이 균일하게 이루어지도록 한다.

본 발명은 앞서 기술한 소정의 예로서 설명되었으나 그것에만 한정되는 것은 아니며, 그 이외에도 본 발명의 의도에 부합하는 구성의 예가 다수 존재할 수 있음은 자명한 일일 것이다.

이렇듯, 본 발명에 따른 라이너를 구비한 폴리머 흡착용 돔의 구조에 의하면, 폴리머 흡착용 돔의 내측에 망사형 라이너가 구성됨으로써, 공정 진행 중 발생하는 폴리머의 흡착 면적이 증대될 뿐만 아니라, 웨이퍼로의 고주파 전력 전달이 균일하게 진행될 수 있게 되어, 폴리머의 침착에 의한 웨이퍼의 불량 방지와 더불어 웨이퍼에의 균일한 식각 진행 효과를 얻을 수 있다.

Claims

반도체 제조 공정 중 건식 식각 공정(dry etching process)에 사용되는 디피에스 장치(DPS device;Decoupled Plasma Source device)의 폴리머 흡착용 돔(dome for polymer adsorption)에 있어서,

상기 폴리머 흡착용 돔의 내측에는 내측면으로부터 소정의 간격만큼 이격하여 망사형 라이너(mesh typed liner)가 구성되는 것을 특징으로 하는 망사형 라이너를 구비한 폴리머 흡착용 돔.
제 1 항에 있어서, 상기 망사형 라이너는 형성된 구멍들의 직경이 3 mm인 것을 특징으로 하는 망사형 라이너를 구비한 폴리머 흡착용 돔.