CN112030130B - 定位结构及其定位方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种定位结构，其用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间定位，沉积环设置于盖装在基座上，晶圆支撑于基座上，盖环盖装于沉积环上；多个定位凹槽形成与基座外环圆周；多个定位凸部形成在沉积环内壁上，基座就位后定位凸部落于定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽之间存在定位间隙；校准定为件为刚性结构形成有多个固定部，各固定部一一对应插入各定位凹槽和定位凸之间的定位间隙，各固定部之间通过连接部刚性连接。本发明还公开了一种用于物理气相沉积工艺铝腔体沉积环和基座之间位置校准的定位方法。本发明能快速、准确完成沉积环和基座之间的位置校准，能提高生产效率。

Description

定位结构及其定位方法
技术领域
本发明涉及集成电路生产制造领域，特别是涉及一种用于物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺铝腔体沉积环和基座之间的定位结构。本发明还涉及一种用于物理气相沉积工艺铝腔体沉积环和基座之间的定位方法。
背景技术
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)工艺铝腔体的沉积环安装于加热基座上，硅片直径稍大于沉积环内径，腔体做真空坏境下传送位置校准时，是通过肉眼来进行判断，因为现在的部件没有明显的参照物，所以在一定程度上会影响校准位置的精确性需要经常进行位置校准维护。现有维护过程中只能通过塞尺塞来调整沉积环，从而达到与基座边缘间隙均匀，安装盖环时也会使沉积环发生位移。位置校准定位调整过程较为繁琐，且容易产生误差。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明要解决的技术问题是提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体沉积环和基座之间位置校准的定位结构。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体沉积环和基座之间位置校准的定位方法。
为解决上述技术问题，本发明提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间位置校准的定位结构，沉积环盖装在基座上，晶圆支撑于基座上，所述基座是具有静电吸附作用的加热器，盖环盖装于沉积环上；
多个定位凹槽，其形成与基座外环圆周；
多个定位凸部，其形成在沉积环内壁上，其数量和位置与定位凹槽一一对应，基座就位后定位凸部落于定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽之间存在定位间隙；
校准定位件，其为刚性结构，其形成有多个固定部，各固定部一一对应插入各定位凹槽和定位凸之间的定位间隙，各固定部之间通过连接部刚性连接。
可选择的，进一步改进所述的定位结构，定位凹槽和定位凸部的数量为三个。在实际使用中，定位凹槽和定位凸部的数量并不限定于三个。
可选择的，进一步改进所述的定位结构，固定部以过盈方式插入各定位凹槽和定位凸之间。
可选择的，进一步改进所述的定位结构，连接部是自基座中心向各定位凹槽方向延伸的刚性长条形结构。
可选择的，进一步改进所述的定位结构，其能用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、38nm、28nm、22nm、20nm、16nm和/或16nm以下工艺。
本发明提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间位置校准的定位方法，包括以下步骤：
S1，将沉积环盖装于基座内预设位置；
S2，在基座和沉积环之间形成多个定位间隙；
S3，将各固定部插入各定位间隙，使基座和沉积环之间形成位置固定；
S4，通过连接部将各固定部刚性连接，使用各定位点之间距离固定；
S5，将盖环盖装在沉积环上。
可选择的，进一步改进所述的定位方法，实施步骤S2时，在基座外环圆周形成多个定位凹槽，在沉积环内壁上对应定位凹槽形成多个定位凸部，基座就位后定位凸部落于定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽之间存在定位间隙。
可选择的，进一步改进所述的定位方法，固定部以过盈方式插入各定位间隙。
可选择的，进一步改进所述的定位方法，连接部是自基座中心向各定位凹槽方向延伸的刚性长条形结构。
可选择的，进一步改进所述的定位方法，其能用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、38nm、28nm、22nm、20nm、16nm和/或16nm以下工艺。
本发明将沉积环安装就位后只需要将校准定位件插入沉积环和基座之间的定位间隙，就可以有效对沉积环和基座之间的位置实现精确的校准定位，无需再做调整。并且，在安装盖环后沉积环和基座之间的位置也不会改变，不需要再次进行沉积环和基座的位置校准。本发明能快速、准确完成沉积环和基座之间的位置校准，能提高生产效率。
附图说明
本发明附图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本发明附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本发明附图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明定位结构示意图。
图2是本发明定位方法流程示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。
应当理解的是，当元件被称作“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或结合到另一元件，或者可以存在中间元件。不同的是，当元件被称作“直接连接”或“直接结合”到另一元件时，不存在中间元件。在全部附图中，相同的附图标记始终表示相同的元件。
第一实施例，如图1所示，本发明提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间定位的定位结构，沉积环盖装在基座上，晶圆支撑于基座上，盖环盖装于沉积环上；
多个定位凹槽，其形成与基座外环圆周；
多个定位凸部，其形成在沉积环内壁上，其数量和位置与定位凹槽一一对应，基座就位后定位凸部落于定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽之间存在定位间隙；
校准定位件，其为刚性结构，其形成有多个固定部，各固定部一一对应插入各定位凹槽和定位凸之间的定位间隙，各固定部之间通过连接部刚性连接。
本发明第一实施例将沉积环安装就位后只需要将校准定位件插入沉积环和基座之间的定位间隙，就可以有效对沉积环和基座之间的位置实现精确的校准定位，无需再做调整。并且，在安装盖环后沉积环和基座之间的位置也不会改变，不需要再次进行沉积环和基座的位置校准。
第二实施例，本发明提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间定位的定位结构，沉积环盖装在基座上，晶圆支撑于基座上，盖环盖装于沉积环上；
三个定位凹槽，其形成与基座外环圆周；
三个定位凸部，其形成在沉积环内壁上，其数量和位置与定位凹槽一一对应，基座就位后定位凸部落于定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽之间存在定位间隙；
校准定位件，其为刚性结构，其形成有三个固定部，各固定部一一对应过盈插入各定位凹槽和定位凸之间的定位间隙，各固定部之间通过连接部刚性连接，连接部是自基座中心向各定位凹槽方向延伸的刚性长条形结构。
本发明第一实施例将沉积环安装就位后只需要将校准定位件插入沉积环和基座之间的定位间隙，就可以有效对沉积环和基座之间的位置实现精确的校准定位，无需再做调整。并且，在安装盖环后沉积环和基座之间的位置也不会改变，不需要再次进行沉积环和基座的位置校准。
本发明第一实施例和第二实施例能用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、38nm、28nm、22nm、20nm、16nm和/或16nm以下工艺。
第三实施例，本发明提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间定位的定位方法，包括以下步骤：
S1，将沉积环盖装于基座内预设位置；
S2，在基座和沉积环之间形成多个定位间隙；
S3，将各固定部插入各定位间隙，使基座和沉积环之间形成位置固定；
S4，通过连接部将各固定部刚性连接，使用各定位点之间距离固定；
S5，将盖环盖装在沉积环上。
第四实施例，本发明提供一种用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间定位的定位方法，包括以下步骤：
S1，将沉积环盖装于基座上预设位置；
S2，在基座外环圆周形成多个定位凹槽，在沉积环内壁上对应定位凹槽形成多个定位凸部，基座就位后定位凸部落于定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽之间存在定位间隙；
S3，将各固定部过盈插入各定位间隙，使基座和沉积环之间形成位置固定；
S4，通过连接部将各固定部刚性连接，使用各定位点之间距离固定，连接部是自基座中心向各定位凹槽方向延伸的刚性长条形结构；
S5，将盖环盖装在沉积环上。
本发明第三实施例和第四实施例能用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、38nm、28nm、22nm、20nm、16nm和/或16nm以下工艺。
除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种定位结构，其用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间定位，沉积环盖装在基座上，晶圆支撑于基座上，盖环盖装于沉积环上，其特征在于：
多个定位凹槽，其形成于基座外环圆周；
多个定位凸部，其形成在沉积环内壁上，其数量和位置与定位凹槽一一对应，基座就位后定位凸部落于定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽之间存在定位间隙；
校准定位件，其为刚性结构，其形成有多个固定部，各固定部一一对应以过盈方式插入各定位凹槽和定位凸之间的定位间隙，各固定部之间通过连接部刚性连接。
2.如权利要求1所述的定位结构，其特征在于：定位凹槽和定位凸部的数量为三个。
3.如权利要求1所述的定位结构，其特征在于：连接部是自基座中心向各定位凹槽方向延伸的刚性长条形结构。
4.如权利要求1-3任意一项所述的定位结构，其特征在于：其能用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、38nm、28nm、22nm、20nm、16nm和/或16nm以下工艺。
5.一种定位方法，其用于物理气相沉积工艺铝腔体的沉积环和基座之间定位，其特征在于，包括以下步骤：
S1，将沉积环盖装于基座上预设位置；
S2，在基座和沉积环之间形成多个定位间隙，在基座外环圆周形成多个定位凹槽，在沉积环内壁上对应定位凹槽形成多个定位凸部，基座就位后定位凸部落于定位凹槽中，且定位凸部和定位凹槽之间存在定位间隙；
S3，将各固定部以过盈方式插入各定位间隙，使基座和沉积环之间形成位置固定；
S4，通过连接部将各固定部刚性连接，使用各定位点之间距离固定；
S5，将盖环盖装在沉积环上。
6.如权利要求5所述的定位方法，其特征在于：连接部是自基座中心向各定位凹槽方向延伸的刚性长条形结构。
7.如权利要求5或6所述的定位方法，其特征在于：其能用于130nm以上、90nm、65nm、55nm、45nm、40nm、38nm、28nm、22nm、20nm、16nm和/或16nm以下工艺。
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