JP2010027781A - 露光装置、露光システム、露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】地震に関する情報に対し、より柔軟な処理を行うことが可能な露光装置、露光システム、露光方法及びデバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】基板を用いて露光に関する処理を行う露光装置であって、地震に関する情報に基づいて、装置の処理状態を制御する第１の処理及び前記第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を選択して行わせる制御装置を備えることを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光装置、露光システム、露光方法及びデバイス製造方法に関する。

半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、所謂フォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィの露光工程で使用される露光装置は、マスクのパターンを投影光学系を介するなどして基板に転写するものである（例えば、特許文献１参照）。当該露光装置は、例えば当該露光装置の外部から基板を搬送し、その搬送過程において予備的な位置合わせや基板の温度調節など他の処理を行う処理装置を付設させた露光システムに用いられる場合がある。

このような露光システムに対して地震に伴う振動が加わった場合、例えばシステム主要部の脱落や落下、システム外部あるいはシステム内部の部材同士の衝突など、システム内外に重大な損傷を与える可能性がある。特に露光システムの稼動中に振動が加わった場合、損傷がより大きくなる可能性が高い。
ところで、例えば新幹線や飛行機、エレベータなどの輸送機器や通信機器、水門などの装置やシステムにおいて、地震による損傷が問題となる場合、例えば緊急地震速報を利用する手法が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。

緊急地震速報とは、震源に近い地震計でとらえた観測データを解析して震源や地震の規模（マグニチュード）を直ちに推定し、これに基づいて各地での主要動の到達時刻や震度を推定し、可能な限り素早く知らせる情報である。非特許文献１によれば、緊急地震速報を受信して輸送機器や通信機器、水門などをすばやく制御させることで、被害を軽減させる手法が記載されている。
特開２００１−２３８８５号公報 http://www.seisvol.kishou.go.jp/eq/EEW/kaisetsu/Whats_EEW.html

地震による損傷をできるだけ抑えるべく、露光システムにおいても当該緊急地震速報などの地震に関する情報を利用することが有効であると考えられる。しかしながら、非特許文献１の記載には、緊急地震速報を受信した際、これまで行われていた処理を単にストップさせるなど、一つの対応を行う例が記載されているのみである。

露光システムにおいては露光処理や搬送処理などの他、当該露光処理や搬送処理等に関連する複数の処理が行われる。これら複数の処理は目的や所要時間、動作などが異なる処理も含まれており、当該複数の処理に対して単一の対応（例えば全動作をストップさせる）だけしか行われない構成は望ましい構成とは言えない。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、地震に関する情報に対し、より柔軟な処理を行うことが可能な露光装置、露光システム、露光方法及びデバイス製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明に係る露光装置（ＥＸ）は、基板（Ｐ）を用いて露光に関する処理を行う露光装置であって、地震に関する情報に基づいて、装置の処理状態を制御する第１の処理及び前記第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を選択して行わせる制御装置（ＣＯＮＴ）を備えることを特徴とする。

本発明によれば、地震に関する情報に基づいて装置の処理状態を制御する第１の処理及び第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を制御装置によって選択して行わせることとしたので、当該地震に関する情報に対し、より柔軟な処理が可能になる。

本発明に係る露光システム（ＳＹＳ）は、基板（Ｐ）を用いて露光処理を行う露光装置（ＥＸ）と、前記基板を用いて前記露光に関する処理を行う処理装置（ＤＰ）とを備えた露光システムであって、地震に関する情報に基づいて、前記露光装置及び前記処理装置のうち少なくとも一方の処理状態を制御する第１の処理及び前記第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を選択して行わせる制御装置（ＣＯＮＴ）を備えることを特徴とする。

本発明によれば、地震に関する情報に基づいて、露光装置及び処理装置のうち少なくとも一方の処理状態を制御する第１の処理及び第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を制御装置によって選択して行わせることとしたので、当該地震に関する情報に対し、より柔軟な処理が可能になる。

本発明に係る露光方法は、基板（Ｐ）を用いて露光に関する処理を行う露光方法であって、地震に関する情報に基づいて、処理状態を制御する第１の処理及び前記第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を選択して行うことを特徴とする。

本発明によれば、地震に関する情報に基づいて、処理状態を制御する第１の処理及び第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を選択して行うこととしたので、当該地震に関する情報に対し、より柔軟に処理を行うことが可能になる。

本発明に係るデバイス製造方法は、上記の露光方法を用いることを特徴とする。
本発明によれば、地震に関する情報に対し、より柔軟に処理を行うことが可能な露光方法を用いることとしたので、時間を有効的に活用することができ、地震の発生時にデバイス製造のスループットが低下してしまうのを防ぐことができる。

本発明によれば、地震に関する情報に対し、より柔軟な処理を行うことが可能となる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態に係る露光装置、露光システム及び露光方法を説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。本実施形態においては、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

図１は、本実施形態に係る露光システムＳＹＳの構成を模式的に示す図である。
露光システムＳＹＳは、半導体デバイスの製造に用いられる半導体ウエハなどの基板Ｐの露光処理を行う露光装置ＥＸと、当該露光処理に関連する処理を行う処理装置ＤＰと、外部との間で基板Ｐの受け渡しを行うインターフェース部ＩＦと、露光システムＳＹＳ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。このうち、露光装置ＥＸ、処理装置ＤＰ及びインターフェース部ＩＦは、チャンバ装置ＣＨの内部に配置されている。チャンバ装置ＣＨは、内部の清浄度が管理された状態になっている。

露光装置ＥＸは、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ（ステージ装置）ＭＳＴと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ（ステージ装置）ＰＳＴと、これら各部を支持するボディＢＤとを備えている。

本実施形態における露光装置ＥＸは、例えばマスクＭと基板Ｐとを走査方向における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）であり、例えば露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置である。この液浸露光装置は、例えば基板ステージＰＳＴに保持される基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＡＲを形成し、液浸領域ＡＲの液体ＬＱを介して基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射して基板Ｐを露光する構成になっている。

マスクＭとしては、基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルが含まれる。基板Ｐとしては、半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）を塗布したものが含まれる。ボディＢＤは、床面に水平に載置されたベースプレート７１と、当該ベースプレート７１上に設置されたリアクションフレーム７２と、当該リアクションフレーム７２上に固定された支持コラム７３とを有している。リアクションフレーム７２は、内側に向けて突出する突出部７２ａ及び７２ｂがそれぞれ設けられている。

照明光学系ＩＬは、露光光ＥＬを射出する光源や、所定の位置に配置された複数の光学部材を有しており、支持コラム７によって支持されている。露光光ＥＬとしては、例えばＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）などが挙げられる。露光光ＥＬの光源には、例えばエキシマレーザ光の発生に用いられるアルゴンガスやフッ素ガスの供給源やこれらのガスを回収する回収装置なども含まれている。当該供給源のガス供給動作及び回収装置のガス回収動作は、例えば制御装置ＣＯＮＴの制御によって制御されるようになっている。照明光学系ＩＬには、露光光ＥＬの光路上に出没可能なシャッタ部材２０が設けられている。当該シャッタ部材２０の出没を切り替えることにより、露光光ＥＬの照射の有無が切り替えられるようになっている。シャッタ部材２０の出没動作は、例えば制御装置ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。

マスクステージＭＳＴは平面視矩形に形成されており、その平面視中央部には露光光ＥＬの通路となる開口部が形成されている。マスクステージＭＳＴには不図示の駆動機構が設けられており、当該駆動機構によってマスクステージＭＳＴがＸ方向、Ｙ方向及びθｚ方向のそれぞれに駆動するようになっている。マスクステージＭＳＴは、不図示の支持機構によってマスク定盤３上に浮上支持されている。マスク定盤３は、防振装置４０を介してボディＢＤの突出部７２ａに支持されている。防振装置４０は、例えばエアマウント（空気バネ）やボイスコイルモータなどを有する防振装置である。駆動機構の動作や防振装置４０の動作（エアマウント及びボイスコイルモータの動作）は、制御装置ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。

投影光学系ＰＬは、鏡筒内に例えば１／４（または１／５）縮小倍率の屈折光学系を有する構成になっている。投影光学系ＰＬの鏡筒外面にはフランジ５１が設けられており、当該フランジ５１は鏡筒定盤５に係合されている。鏡筒定盤５は、投影光学系ＰＬを保持する板状部材であり、防振装置５０を介してリアクションフレーム７２の突出部７２ｂに支持されている。防振装置５０は、例えば上記の防振装置４０と同様の構成を有している。鏡筒定盤５の平面視中央部には、投影光学系ＰＬを貫通させるための貫通孔が設けられている。

基板ステージＰＳＴは平面視矩形に形成されており、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを有している。基板ステージＰＳＴには不図示の駆動機構が設けられており、当該駆動機構によって基板ステージＰＳＴがＸ方向、Ｙ方向及びθｚ方向のそれぞれに駆動するようになっている。基板ステージＰＳＴは、不図示の支持機構によって基板定盤６上に浮上支持されている。基板定盤６は、防振装置６０を介してベースプレート７１に支持されている。防振装置６０は、例えば上記の防振装置４０及び５０と同様の構成を有している。基板ステージＰＳＴの上方（＋Ｚ方向）には、基板Ｐの液浸領域ＡＲに液体ＬＱを供給する液体供給装置６１と、当該液体ＬＱを回収する液体回収装置６２とが設けられている。上記の駆動機構、防振装置６０、液体供給装置６１及び液体回収装置６２の各動作は、制御装置ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。

処理装置ＤＰは、プリアライメントユニットＰＵと、温調ユニットＳＵと、搬送系Ｈとを有している。
プリアライメントユニットＰＵは、基板ステージＰＳＴに搬送される前の基板Ｐに対して、予備的に位置決め（プリアライメント）するユニットである。プリアライメントユニットＰＵでは、基板Ｐが大まかに位置決めされるようになっている。プリアライメントユニットＰＵには基板Ｐの載置部が設けられており、当該載置部に基板Ｐが載置された状態でプリアライメントが行われるようになっている。プリアライメントユニットＰＵにおける位置決め動作は、制御装置ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。

温調ユニットＳＵは、基板ステージＰＳＴに搬送される基板Ｐの温度を調節するユニットである。温調ユニットＳＵでは、当該基板ステージＰＳＴの温度（露光装置ＥＸの雰囲気温度）と同一の温度になるように基板Ｐの温度が調整されるようになっている。温調ユニットＳＵには基板Ｐの載置部が設けられており、当該載置部に基板Ｐが載置された状態で温度調節が行われるようになっている。温調ユニットＳＵにおける温度調節動作は、制御装置ＣＯＮＴによって制御されるようになっている。

搬送系Ｈは、インターフェース部ＩＦと露光装置ＥＸとの間で基板Ｐを搬送する複数の搬送アームＨ１〜Ｈ５を有している。搬送系Ｈの搬送動作（搬送アームＨ１〜Ｈ５の搬送動作）は、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるようになっている。

搬送アームＨ１〜Ｈ３は、インターフェース部ＩＦ側から露光装置ＥＸ側へと露光処理前の基板Ｐを搬送する際に用いられる。搬送アームＨ１は、インターフェース部ＩＦからプリアライメントユニットＰＵに基板Ｐを搬送する。搬送アームＨ２は、プリアライメントユニットＰＵから温調ユニットＳＵに基板Ｐを搬送する。搬送アームＨ３は、温調ユニットＳＵから露光装置ＥＸ（基板ステージＰＳＴ）に基板Ｐを搬入する。

搬送アームＨ４及びＨ５は、露光装置ＥＸ側からインターフェース部ＩＦ側へと露光処理後の基板Ｐを搬送する際に用いられる。具体的には、搬送アームＨ４は、露光処理が終了した基板Ｐまたは再プリアライメントを行う基板Ｐを露光装置ＥＸ（基板ステージＰＳＴ）から搬出するアンロードアームである。搬送アームＨ５は、搬送アームＨ４から基板Ｐを受け取ってインターフェース部ＩＦまたはプリアライメントユニットＰＵに搬送する。

インターフェース部ＩＦは、供給用テーブル１１及び回収用テーブル１２を有している。供給用テーブル１１は、外部から供給されてくる基板Ｐを載置するテーブルである。供給用テーブル１１に載置される基板Ｐは、上記の搬送アームＨ１によって搬送されるようになっている。回収用テーブル１２は、外部に回収させる露光処理後の基板Ｐを載置するテーブルである。露光処理後の基板Ｐは、上記の搬送アームＨ５によって回収用テーブル１２に載置されるようになっている。本実施形態の露光システムＳＹＳは、インターフェース部ＩＦに設けられる供給用テーブル１１及び回収用テーブル１２を介して、外部との間で基板Ｐの受け渡しが行われるようになっている。

制御装置ＣＯＮＴは、上記露光システムＳＹＳを統括制御する例えばコンピュータシステムなどの構成を有している。制御装置ＣＯＮＴは、地震に関する情報に基づいて、上記露光装置ＥＸによる露光処理、処理装置ＤＰによる搬送、プリアライメント及び温調の各処理とは異なる処理であって露光装置ＥＸ及び処理装置ＤＰの処理状態を制御する処理を露光装置ＥＸ及び処理装置ＤＰに行わせるようになっている。地震に関する情報として、例えば震源に近い地震計でとらえた観測データに基づいて、各地での到達時刻や震度を推定した情報などが挙げられ、具体的には気象庁によって提供される緊急地震速報などが挙げられる。制御装置ＣＯＮＴには、上記地震に関する情報を受信する受信装置ＲＳが接続されている。受信装置ＲＳにおいて受信された情報は、制御装置ＣＯＮＴに送信されるようになっている。

次に、上記のように構成された露光システムＳＹＳの動作を説明する。
外部からインターフェース部ＩＦの供給用テーブル１１に、例えば感光剤の形成された基板Ｐが搬送されると、制御装置ＣＯＮＴは搬送アームＨ１の動作を制御する。搬送アームＨ１の動作により、基板ＰはプリアライメントユニットＰＵに渡される。プリアライメントユニットＰＵに渡された基板Ｐは、基板ステージＰＳＴに対して大まかに位置決め（プリアライメント）される。

プリアライメントユニットＰＵにおいて、プリアライメントされた基板Ｐは、搬送アームＨ２によって温調ユニットＳＵに搬送される。温調ユニットＳＵに搬送された基板Ｐは、当該温調ユニットＳＵにおいて、基板ステージＰＳＴの温度と略同一の所定温度に温度調整される。温度調整後、基板Ｐは、搬送アームＨ３によって露光装置ＥＸの基板ステージＰＳＴ上に搬入される。

基板ステージＰＳＴ上でアライメント等を行わせた後、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐ上の各ショット領域とマスクＭのパターンの像の投影位置との位置関係に基づいて、基板ステージＰＳＴ上の基板Ｐの位置を制御し、基板Ｐ上の複数のショット領域を順次露光する。このとき制御装置ＣＯＮＴは、少なくともマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影している間、露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たすように液浸空間を形成し、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して、マスクＭを通過した露光光ＥＬを基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐに照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐが露光処理される。

露光処理が施された基板Ｐは、搬送アームＨ４により基板ステージＰＳＴから搬出され、搬送アームＨ５に受け渡される。搬送アームＨ５に受け渡された基板Ｐは、当該搬送アームＨ５によって回収用テーブル１２に搬送される。基板Ｐが回収用テーブル１２に載置され、基板回収が可能な状態となると、制御装置ＣＯＮＴは外部に対してその旨の情報を送信する。このように、基板Ｐは、搬送系Ｈによって搬送されることにより、一連の露光処理の工程が施される。

露光処理中、受信装置ＲＳによって例えば地震に関する情報が受信され、制御装置ＣＯＮＴに送信されると、制御装置ＣＯＮＴでは、当該地震に関する情報に基づいて例えば露光システムＳＹＳの配置される地点に地震が到来するまでの時間に関する時間情報や、露光システムＳＹＳの配置される地点における地震の強度に関する強度情報などを生成する。制御装置ＣＯＮＴは、生成された時間情報及び強度情報などの情報に基づいて、露光処理、搬送処理、プリアライメント処理及び温調処理などの通常処理以外の処理を露光システムＳＹＳに行わせる。

本実施形態では、制御装置ＣＯＮＴが地震に関する情報に基づいて各部に通常処理以外の処理を行わせる場合、複数の処理の中から少なくとも１つの処理を選択して行わせる。具体的には、地震到来までの時間や地震の強度などに応じて複数の処理の中から適切な処理を選択し、当該選択した処理を行わせる。

この複数の処理としては、例えば露光処理に用いられるマスクステージＭＳＴや基板ステージＰＳＴの駆動を停止させる処理、露光処理に用いられる材料の供給を停止させる処理、当該材料を回収する処理、露光光ＥＬを遮光する処理、露光光ＥＬを投影する投影光学系ＰＬを固定する処理、マスクステージＭＳＴや基板ステージＰＳＴを支持する防振装置のエアマウントを収縮させる処理などが挙げられる。これらの処理は、露光システムＳＹＳを緊急停止させる際の処理として挙げることができる。

このうち、露光処理に用いられる材料については、例えばエキシマレーザを発生させるためのアルゴンガスやフッ素ガス、基板Ｐ上に液浸領域ＡＲを形成するための液体ＬＱなどが挙げられる。当該材料を回収する処理としては、照明光学系ＩＬに設けられたガス回収装置によってアルゴンガス及びフッ素ガスを回収する処理や、基板ステージＰＳＴの上方に設けられた液体回収装置６２によって液浸領域ＡＲの液体ＬＱを回収する処理などが挙げられる。露光光ＥＬを遮光する処理としては、例えば照明光学系ＩＬに設けられたシャッタ部材２０を露光光ＥＬの光路上に配置させ、当該シャッタ部材２０によって露光光ＥＬを遮光する処理などが挙げられる。投影光学系ＰＬを固定する処理としては、例えば鏡筒定盤５を支持する防振装置５０のエアマウントを収縮させエアマウント内部のガス圧を０に近づける処理などが挙げられる。マスクステージＭＳＴや基板ステージＰＳＴを支持するエアマウントを収縮させる処理としては、防振装置４０及び防振装置６０のエアマウントを収縮させる処理などが挙げられる。

また、上記複数の処理として、露光処理が行われている基板Ｐの当該露光処理を完了させる処理、移動している移動部材を停止させる処理、当該移動部材を固定させる処理、搬送されている基板Ｐを搬送先に回収させる処理、搬送されている基板Ｐを載置する処理及び基板Ｐを搬送する搬送部材を固定する処理などが挙げられる。これらの処理は、地震による露光システムＳＹＳの被害を極力抑えるための処理である。

このうち、移動部材及び搬送部材としては、例えば処理装置ＤＰを構成する搬送系Ｈ（搬送アームＨ１〜Ｈ５）などが挙げられる。移動部材を停止させる処理としては、搬送系Ｈの各搬送アームＨ１〜Ｈ５の移動をその場で停止させる処理が挙げられる。移動部材を固定させる処理としては、各搬送アームＨ１〜Ｈ５を例えば供給用テーブル１１、プリアライメントユニットＰＵ及び温調ユニットＳＵなど搬送系路に配置された部材上に載置させることで各搬送アームＨ１〜Ｈ５を固定させる処理などが挙げられる。各搬送アームＨ１〜Ｈ５を固定させる固定部を露光システムＳＹＳ内に別途設け、当該固定部分に搬送アームＨ１〜Ｈ５を固定させるようにしても構わない。搬送されている基板Ｐを搬送先に回収させる処理としては、例えば搬送アームＨ１であればプリアライメントユニットＰＵに基板Ｐを載置させる処理、搬送アームＨ２であれば温調ユニットＳＵに基板Ｐを載置させる処理、搬送アームＨ３であれば露光装置ＥＸの基板ステージＰＳＴに基板Ｐを載置させる処理、搬送アームＨ４であれば搬送アームＨ５に基板Ｐを載置させる処理、搬送アームＨ５であれば回収用テーブル１２に基板Ｐを載置させる処理がそれぞれ挙げられる。搬送されている基板Ｐを載置する処理としては、例えば各搬送アームＨ１〜Ｈ５上の基板Ｐをその場に載置する処理などが挙げられる。

また、上記複数の処理として、露光装置ＥＸでの露光処理、処理装置ＤＰでの搬送処理、プリアライメント処理及び温調処理を停止させる停止処理も含まれる。停止処理のタイミングとしては、例えば上記複数の処理の中から制御装置ＣＯＮＴによって選択されて行われた処理が終了した後に当該停止処理を行わせても構わないし、地震に関する情報の程度によっては複数の処理のうち他の処理を行わせることなく当該停止処理を行わせても構わない。

次に、制御装置ＣＯＮＴが時間情報に基づいて処理を選択する場合の例を説明する。この場合、例えば地震到来までの残り時間を時間情報として用いることができる。制御装置ＣＯＮＴは、地震到来までの残り時間と複数の処理のそれぞれの所要時間とを比較し、残り時間よりも短時間で完了する処理を行わせるようにする。

例えば、残り時間が１０秒未満の場合には、１０秒未満で完了する処理を行わせる。このような処理としては、例えば露光装置ＥＸの動作を停止させる停止処理や、処理装置ＤＰの動作を停止させる停止処理など、露光システムＳＹＳを緊急停止させる処理が挙げられる。より具体的には、上記複数の処理として示される各処理のうち、例えば露光処理に用いられるマスクステージＭＳＴや基板ステージＰＳＴの駆動を停止させる処理、露光処理に用いられる材料の供給を停止させる処理、当該材料を回収する処理、露光光ＥＬを遮光する処理、露光光ＥＬを投影する投影光学系ＰＬを固定する処理、マスクステージＭＳＴや基板ステージＰＳＴを支持する防振装置のエアマウントを収縮させる処理などが挙げられる。処理装置ＤＰについては、例えば各搬送アームＨ１〜Ｈ５が基板Ｐを保持させたままその場で停止させる処理などが挙げられる。

例えば、残り時間が１０秒以上１分未満の場合には、１分未満で完了する処理を行わせる。このような処理としては、地震による露光システムＳＹＳへの被害を極力少なくするための処理が挙げられる。より具体的には、残り時間が１０秒未満の場合に行う上記各処理に加えて、例えば移動している移動部材を停止させる処理、当該移動部材を固定させる処理、搬送されている基板Ｐを載置する処理、基板Ｐを搬送する搬送部材を固定する処理などが挙げられる。

例えば、残り時間が１分以上の場合には、残り時間を超えない範囲で比較的処理時間の長い処理を行わせる。このような処理としては、残り時間１分未満の場合に行う上記各処理に加えて、例えば上記の露光処理が行われている基板Ｐの当該露光処理を完了させる処理（説明の短縮化のため、以下「完了処理」と記載する。）、搬送されている基板Ｐを搬送先に回収させる処理などが挙げられる。

完了処理については、当該基板Ｐの露光処理を完了させるまでの時間と地震が到来するまでの残り時間とを比較し、完了までの時間が地震到来までの残り時間よりも短くて済む場合には、当該完了処理を行わせるようにすることができる。完了までの時間が地震到来までの残り時間よりも長い場合には、完了処理を行わせず、露光処理の途中であっても当該露光処理を停止させるようにすることができる。このように、時間情報に応じて柔軟に対応させることができる。

また、例えば上記完了処理などのように、所要時間が変動する可能性のある処理については、例えば所要時間が１分未満で済む場合も想定される。このような場合には、残り時間に応じて、例えば１０秒以上１分未満の場合に行わせる処理群に含ませるようにしても構わない。

次に、制御装置ＣＯＮＴが強度情報に基づいて処理を選択する場合の例を説明する。この場合、例えば到来する地震の震度を強度情報として用いることができる。制御装置ＣＯＮＴは、露光システムＳＹＳの各構成のうち、当該震度の地震によって被害を受ける可能性の高い部位における処理を選択して行わせる。

例えば、露光装置ＥＸにおいては投影光学系ＰＬやマスクステージＭＳＴ、基板ステージＰＳＴなどは低震度の地震であっても影響を受け易く、被害を受けたときの装置に対するダメージが比較的大きいため、当該部位における処理を優先的に行わせることができる。また、処理装置ＤＰにおいて搬送系Ｈの各搬送アームＨ１〜Ｈ５などは基板Ｐを落下する可能性があったり、搬送アームＨ１〜Ｈ５同士が接触又は衝突したりする可能性があるため、当該部位における処理を優先的に行わせることもできる。このように、強度情報に応じて柔軟に対応させることができる。

次に、制御装置ＣＯＮＴが搬送系Ｈの動作を制御する例を説明する。
地震発生時の基板Ｐの状態として、例えば搬送アームＨ１〜Ｈ５に保持されて搬送されているような状態は基板Ｐ及び搬送アームＨ１〜Ｈ５の双方が不安定であるため好ましくない状態であるといえる。一方、基板Ｐが搬送アームＨ１〜Ｈ５に保持されている状態であっても、当該搬送アームＨ１〜Ｈ５が固定されていれば、基板Ｐがより安定するため好ましい状態であるといえる。また、基板ＰがプリアライメントユニットＰＵ上や温調ユニットＳＵ上、基板ステージＰＳＴ上に載置されている状態は基板の安定性の観点からより好ましい状態といえる。更に、例えば回収用テーブル１２を介して基板Ｐが外部に回収されている状態は最も好ましい状態であるといえる。

そこで、制御装置ＣＯＮＴは、時間情報及び強度情報に基づき、基板Ｐの状態が搬送アームＨ１〜Ｈ５に保持されて搬送されている状態を避けるように、かつ、時間の許す限り上記のうちできるだけ基板Ｐが安定する好ましい状態になるように搬送系Ｈを制御する。このように、時間情報及び強度情報に応じて柔軟に対応させることができる。

制御装置ＣＯＮＴは、上記各処理を行わせた後、到来する地震に備えて露光システムＳＹＳ全体の動作を停止させる。

このように、本実施形態によれば、例えば緊急地震速報などの地震に関する情報に基づいて、時間情報及び強度情報を生成し、当該生成した情報に基づいて、露光装置ＥＸ及び処理装置ＤＰの処理状態を制御する複数の処理のうち少なくとも一の処理を制御装置ＣＯＮＴによって選択して行わせることとしたので、到来する地震に対してより柔軟な処理が可能になる。

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、気象庁などから送信された緊急地震情報を受信する構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば露光システムＳＹＳが緊急地震情報と同一種類の情報（例えば地震のＰ波など）を検出可能な検出装置を備えている構成であっても構わない。この場合、露光システムＳＹＳの近くの領域に震源を有する地震が発生した場合であってもすばやく検出することができるため、地震到来までの時間をより有効に活用することができる。

また、上記実施形態では、緊急地震速報を基にして各情報を生成する構成としたが、これに限られることは無く、例えば時間情報や強度情報を直接受信する構成であったり、直接検出する検出装置を備える構成であったりしても構わない。これにより、制御装置ＣＯＮＴの構成を幅広く選択することができる。

また、緊急地震速報などの情報に、例えば到来するまでの残り時間や地震の強度などの誤差が含まれている場合がある。そこで、このような誤差を考慮に入れて処理を行わせるように制御装置ＣＯＮＴを予め構成しておくことが好ましい。これにより、誤差を含む場合であっても適切な処理を行わせることができる。

上記実施形態では、制御装置ＣＯＮＴが時間情報及び強度情報に基づいて処理を行う場合の好ましい形態を説明したが、これに限られることは無い。例えば時間情報及び強度情報を組み合わせて用いる場合、制御装置ＣＯＮＴがいずれか一方の情報を優先的に用いて処理を行わせるようにしても構わない。時間情報を優先的に用いる場合の例として、例えば複数の処理の中から時間情報に基づいて処理をいくつか選択した後、当該選択した情報の中から強度情報に基づいて更に処理を選択し、当該処理を行わせるような形態が挙げられる。強度情報を優先的に用いる場合にはこの逆の順序で処理を選択することができる。制御装置ＣＯＮＴにおいて時間情報及び強度情報のうちいずれを優先的に用いるかを自動的に決定できるようにしても構わないし、予めいずれを優先的に用いるかを設定しておくようにしても構わない。

また、上記実施形態においては、地震に関する情報に基づく処理を、露光システムＳＹＳの全体を統括的に制御する制御装置ＣＯＮＴによって行わせる構成としたが、これに限られることは無く、例えば露光装置ＥＸ及び処理装置ＤＰをそれぞれ個別に制御する制御装置を設け、各制御装置によって上記地震に関する情報に基づく処理を行わせる構成であっても構わない。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

また、本発明が適用される露光装置の光源には、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）のみならず、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線レーザ（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、極端紫外線（Extreme UltraViolet）（１３．５ｎｍ）などのレーザ、またこれらを組み合わせたレーザを用いることができる。この場合、レーザを発生させるためのガス供給源については、上記実施形態と同様、緊急停止時にガス供給を停止させることができるように構成しておくことが好ましい。

また、投影光学系の倍率は縮小系のみならず等倍および拡大系のいずれでもよい。また、上記実施形態では、反射屈折型の投影光学系を例示したが、これに限定されるものではなく、投影光学系の光軸（レチクル中心）と投影領域の中心とが異なる位置に設定される屈折型の投影光学系にも適用可能である。投影光学系に取り付ける防振装置については、投影光学系の構成に応じて設計することができる。

また、本発明は、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たし、該液体を介して基板を露光する、所謂液浸露光装置に適用したが、液浸露光装置については、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されている。さらに、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。液浸領域ＡＲがより大きくなる場合、緊急停止時に備えて液体ＬＱの回収能力を高めておく構成にすることも可能である。

また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。更に、本発明を本願出願人が先に出願した特願２００４−１６８４８１号のウエハステージに適用してもよい。このような構成においては、緊急停止時に複数の基板ステージの動作を停止させるようにすることが好ましい。また、複数の基板ステージの緊急時の停止位置を予め設定しておくようにしても構わない。この場合、複数の基板ステージの衝突を回避するため、基板ステージ同士の間隔が十分に確保される位置に停止位置を設定することが好ましい。

また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図２は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。

まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。

次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。

図３は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の第１工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。

ウエハプロセスの各段階において、上述の第１工程が終了すると、以下のようにして第２工程が実行される。この第２工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの第１工程と第２工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等へ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。

本発明の実施の形態に係る露光システム及び露光装置の構成を示す図。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート。 図２におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図。

符号の説明

ＳＹＳ…露光システム Ｍ…マスク Ｐ…基板 ＥＸ…露光装置 ＤＰ…処理装置 ＣＯＮＴ…制御装置 ＥＬ…露光光 ＩＬ…照明光学系 ＭＳＴ…マスクステージ ＰＬ…投影光学系 ＰＳＴ…基板ステージ ＰＵ…プリアライメントユニット ＳＵ…温調ユニット Ｈ…搬送系 Ｈ１〜Ｈ５…搬送アーム ＲＳ…受信装置 ２０…シャッタ部材

Claims (25)

1. 基板を用いて露光に関する処理を行う露光装置であって、
   地震に関する情報に基づいて、装置の処理状態を制御する第１の処理及び前記第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を選択して行わせる制御装置を備える
   ことを特徴とする露光装置。
2. 前記第１処理及び前記第２処理は、
   前記露光に関する処理に用いられるステージ装置の駆動を停止させる処理、前記露光に関する処理に用いられる材料の供給を停止させる処理、前記材料を回収する処理、露光光を遮光する処理、露光光を投影する投影光学系を固定する処理、前記ステージ装置を支持する空気バネを収縮させる処理のうち少なくとも１つの処理を含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記第１処理及び前記第２処理は、
   露光処理が行われている前記基板の当該露光処理を完了させる処理、移動している移動部材を停止させる処理、前記移動部材を固定させる処理、搬送されている前記基板を搬送先に回収させる処理、搬送されている前記基板を載置する処理及び前記基板を搬送する搬送部材を固定する処理のうち少なくとも１つの処理を含む
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
4. 前記情報は、前記地震が到来するまでの時間に関する時間情報である
   ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の露光装置。
5. 前記情報は、前記地震の強度に関する強度情報である
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の露光装置。
6. 前記情報は、震源に近い地震計でとらえた観測データに基づいて、各地での到達時刻や震度を推定した情報である
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の露光装置。
7. 前記制御装置は、前記第１処理又は前記第２処理を行った後に前記露光に関する処理を停止させる
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の露光装置。
8. 前記第１処理又は前記第２処理は、前記露光に関する処理を停止させる処理である
   ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の露光装置。
9. 基板を用いて露光処理を行う露光装置と、前記基板を用いて前記露光に関する処理を行う処理装置とを備えた露光システムであって、
   地震に関する情報に基づいて、前記露光装置及び前記処理装置のうち少なくとも一方の処理状態を制御する第１の処理及び前記第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を選択して行わせる制御装置を備える
   ことを特徴とする露光システム。
10. 前記第１処理及び前記第２処理は、
    前記露光処理に用いられるステージ装置の駆動を停止させる処理、前記露光処理に用いられる材料の供給を停止させる処理、前記材料を回収する処理、露光光を遮光する処理、露光光を投影する投影光学系を固定する処理、前記ステージ装置を支持する空気バネを収縮させる処理のうち少なくとも１つの処理を含む
    ことを特徴とする請求項９に記載の露光システム。
11. 前記第１処理及び前記第２処理は、
    前記露光処理が行われている前記基板の当該露光処理を完了させる処理、移動している移動部材を停止させる処理、前記移動部材を固定させる処理、搬送されている前記基板を搬送先に回収させる処理、搬送されている前記基板を載置する処理及び前記基板を搬送する搬送部材を固定する処理のうち少なくとも１つの処理を含む
    ことを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の露光システム。
12. 前記情報は、前記地震が到来するまでの時間に関する時間情報である
    ことを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれか一項に記載の露光システム。
13. 前記情報は、前記地震の強度に関する強度情報である
    ことを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれか一項に記載の露光システム。
14. 前記情報は、震源に近い地震計でとらえた観測データに基づいて、各地での到達時刻や震度を推定した情報である
    ことを特徴とする請求項９から請求項１３のいずれか一項に記載の露光システム
15. 前記制御装置は、前記第１処理又は前記第２処理を行った後に前記露光処理及び前記露光に関する処理を停止させる
    ことを特徴とする請求項９から請求項１４のいずれか一項に記載の露光システム。
16. 前記第１処理又は前記第２処理は、前記露光に関する処理を停止させる処理である
    ことを特徴とする請求項９から請求項１５のいずれか一項に記載の露光システム。
17. 基板を用いて露光に関する処理を行う露光方法であって、
    地震に関する情報に基づいて、処理状態を制御する第１の処理及び前記第１の処理とは異なる第２の処理のうち少なくとも一方の処理を選択して行う
    ことを特徴とする露光方法。
18. 前記第１処理及び前記第２処理は、
    前記露光に関する処理に用いられるステージ装置の駆動を停止させる処理、前記露光に関する処理に用いられる材料の供給を停止させる処理、前記材料を回収する処理、露光光を遮光する処理、露光光を投影する投影光学系を固定する処理、前記ステージ装置を支持する空気バネを収縮させる処理のうち少なくとも１つの処理を含む
    ことを特徴とする請求項１７に記載の露光方法。
19. 前記第１処理及び前記第２処理は、
    露光処理が行われている前記基板の当該露光処理を完了させる処理、移動している移動部材を停止させる処理、前記移動部材を固定させる処理、搬送されている前記基板を搬送先に回収させる処理、搬送されている前記基板を載置する処理及び前記基板を搬送する搬送部材を固定する処理のうち少なくとも１つの処理を含む
    ことを特徴とする請求項１７又は請求項１８に記載の露光方法。
20. 前記情報は、前記地震が到来するまでの時間に関する時間情報である
    ことを特徴とする請求項１７から請求項１９のいずれか一項に記載の露光方法。
21. 前記情報は、前記地震の強度に関する強度情報である
    ことを特徴とする請求項１７から請求項２０のいずれか一項に記載の露光方法。
22. 前記情報は、震源に近い地震計でとらえた観測データに基づいて、各地での到達時刻や震度を推定した情報である
    ことを特徴とする請求項１７から請求項２１のいずれか一項に記載の露光方法。
23. 前記制御装置は、前記第１処理又は前記第２処理を行った後に前記露光に関する処理を停止させる
    ことを特徴とする請求項１７から請求項５のいずれか一項に記載の露光方法。
24. 前記第１処理又は前記第２処理は、前記露光に関する処理を停止させる処理である
    ことを特徴とする請求項１７から請求項２３のいずれか一項に記載の露光方法。
25. 請求項１７から２４のいずれか一項に記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。

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