JP2013038145A - 半導体製造システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】地震情報を受信する受信装置と、電子ビーム描画装置とを含む半導体製造システムであって、上記受信装置が、緊急地震情報を受信する受信部と、震度と到達時間を計算する計算部と、一定の震度以上の主要動を予測検出した際のみに電子ビーム描画装置へ地震対策指示の信号を出力する信号出力部と、を備え、上記電子ビーム描画装置が、出力信号を受信する信号受信部と、出力信号に基づいて一定の震度以上の主要動到達前に所定の動作を完了してから、装置の運転を一時停止する地震対策実行部と、一定時間経過後に、運転動作を再開する復帰実行部と、を備えることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
11 緊急地震情報
12 受信装置
13 電子ビーム描画装置
21 受信部
22 計算部
23 信号出力部
24 メモリ
31 信号受信部
32 地震対策実行部
33 復帰実行部
34 メモリ
81 電子銃
82 照射レンズ
83 第1アパーチャ
84 成形レンズ
85 第2アパーチャ
86 成形偏向器
87 縮小レンズ
88 対物レンズ
89 基板(被描画材料)
90 位置決め偏向器
91 制御CPU
92 パターンデータメモリ
93 データ転送回路
94 成形偏向器制御回路
95 位置決め偏向器制御回路
96 対物レンズ制御回路
97 ブランカー
98 ブランカー制御回路
100 ステージ
101 ステージ駆動回路
Claims (5)
- 地震情報を受信する受信装置と、基板上に半導体素子のパターンを形成する電子ビーム描画装置とを少なくとも含む半導体製造システムであって、
前記受信装置が、通信回線を介して配信される地震の初期微動に基づく緊急地震情報を受信する受信部と、前記受信した地震情報から震度と到達時間を計算する計算部と、一定の震度以上の主要動を予測検出した際のみに前記電子ビーム描画装置へ地震対策指示の信号を出力する信号出力部と、を備え、
前記電子ビーム描画装置が、前記出力信号を受信する信号受信部と、前記出力信号に基づいて前記一定の震度以上の主要動到達前に所定の動作を完了してから、前記電子ビーム描画装置の運転を一時停止する地震対策実行部と、前記一時停止して一定時間経過した後に、前記電子ビーム描画装置の運転動作を再開する復帰実行部と、
を備えることを特徴とする半導体製造システム。 - 前記電子ビーム描画装置がステップアンドリピート方式の装置であり、
前記所定の動作が、地震検知時にすでに電子ビーム描画していたフィールドの描画は停止せずに該フィールドの最後まで描画し、続いて次の描画フィールドまでステージを移動させてから、前記電子ビーム描画を一時停止することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造システム。 - 前記電子ビーム描画装置が連続移動方式の装置であり、
前記所定の動作が、地震検知時にすでに電子ビーム描画していたサブフィールドの描画は停止せずに該サブフィールドの最後まで描画してから、前記電子ビーム描画を一時停止することを特徴とする請求項1に記載の半導体製造システム。 - 前記電子ビーム描画装置の運転動作の再開が、前記電子ビーム描画装置のステージ上のアライメントマークを検出し、装置較正をしてから電子ビーム描画を再開することを特徴とする請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載の半導体製造システム。
- 前記受信装置が、前記緊急地震情報とともに、地震の初期微動の検知が可能な地震検知器からの地震情報を併用することを特徴とする請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載の半導体製造システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011171450A JP5849505B2 (ja) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 半導体製造システム |
TW101127968A TWI557496B (zh) | 2011-08-05 | 2012-08-03 | 半導體製造系統 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011171450A JP5849505B2 (ja) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 半導体製造システム |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015186779A Division JP6123861B2 (ja) | 2015-09-24 | 2015-09-24 | 半導体製造システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013038145A true JP2013038145A (ja) | 2013-02-21 |
JP5849505B2 JP5849505B2 (ja) | 2016-01-27 |
Family
ID=47887497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011171450A Active JP5849505B2 (ja) | 2011-08-05 | 2011-08-05 | 半導体製造システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5849505B2 (ja) |
TW (1) | TWI557496B (ja) |
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---|---|
TW201324028A (zh) | 2013-06-16 |
JP5849505B2 (ja) | 2016-01-27 |
TWI557496B (zh) | 2016-11-11 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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