JP2001257153A

JP2001257153A - 荷電粒子線露光装置

Info

Publication number: JP2001257153A
Application number: JP2000068468A
Authority: JP
Inventors: Kazunari Hata; 一成秦; Kazuaki Aoto; 和明青砥
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2000-03-13
Filing date: 2000-03-13
Publication date: 2001-09-21

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の荷電粒子線露光装置には、緊急に停止し
ている状態から、露光動作を再開できる状態まで復帰す
る装置がなかったので、一旦緊急停止すると、復帰する
のに時間がかかり、スループットが低いという問題点が
あった。本発明は、このような問題点を解決し、緊急停
止状態から露光可能な状態に復帰する装置を設けること
で、スループットと高い荷電粒子線露光装置を提供する
ことを目的とする。【解決手段】請求項１の荷電粒子線露光装置は、複数の
サブフィールドが設けられた試料に、パターンを露光す
る露光手段と、外部磁界の変動が予め定められた値より
小さくなる場合に、復帰信号を出力する復帰信号出力手
段とを有する荷電粒子線露光装置であって、前記露光手
段は、前記復帰信号に基づいて、未露光の前記サブフィ
ールドから前記パターンの露光を再開することを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハなどの試料
に電子ビームなどでパターンを露光する荷電粒子線露光
装置に関するもので、特に、外部磁界の変動によって緊
急に停止した露光動作を、復帰させる装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来の荷電粒子線露光装置７は、図１４
に示すように、パターンの形に整形された電子ビーム
を、ウェハ７４に露光する装置である。図１４は、従来
の荷電粒子線露光装置７を表わすブロック図である。露
光する位置は、磁界で電子ビームを偏向することによっ
て、制御される。この磁界を偏向磁界と称す。偏向磁界
は、７２投影コイルが発生する。

【０００３】一方、荷電粒子線露光装置７の真空チャン
バ７１の外部の空間には、外部磁界が存在する。外部磁
界の主成分は、地磁気である。外部磁界は、荷電粒子線
露光装置７の内部まで侵入して、偏向磁界と合成され、
合成磁界を形成する。電子ビームは、この合成磁界によ
って、偏向される。

【０００４】従って、偏向磁界か外部磁界の何れかが変
動すると、電子ビームの露光する位置が変動するので、
荷電粒子線露光装置７には、外部磁界の大きさが所定の
大きさより大きくなる場合に、露光動作を緊急に停止す
る装置が設けられている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の荷電粒
子線露光装置には、緊急に停止している状態から、露光
動作を再開できる状態まで復帰する装置がなかったの
で、一旦緊急停止すると、復帰するのに時間がかかり、
スループットが低いという問題点があった。

【０００６】本発明は、このような問題点を解決し、緊
急停止状態から露光可能な状態に復帰する装置を設ける
ことで、スループットと高い荷電粒子線露光装置を提供
することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の荷電粒子線露
光装置は、複数のサブフィールドが設けられた試料に、
パターンを露光する露光手段と、外部磁界の変動が予め
定められた値より小さくなる場合に、復帰信号を出力す
る復帰信号出力手段とを有する荷電粒子線露光装置であ
って、前記露光手段は、前記復帰信号に基づいて、未露
光の前記サブフィールドから前記パターンの露光を再開
することを特徴とする。

【０００８】請求項２の荷電粒子線露光装置は、前記外
部磁界の変動が前記予め定められた値より大きくなる場
合に、緊急停止信号を出力する緊急停止信号出力手段を
更に有し、前記露光手段は、前記緊急停止信号に基づい
て、前記パターンの露光を緊急に停止する緊急停止動作
を実行することを特徴とする。

【０００９】請求項３の荷電粒子線露光装置は、前記露
光手段は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段
と、前記荷電粒子線を偏向する偏向手段と、前記試料を
移動可能に保持する保持手段とを備え、前記緊急停止動
作は、前記荷電粒子線発生手段が前記荷電粒子線をブラ
ンキングする動作、又は、前記保持手段が緊急に停止す
る動作であることを特徴とする。

【００１０】請求項４の荷電粒子線露光装置は、露光の
終了した前記サブフィールドを、履歴ファイルに記録す
る履歴記録手段を更に有し、前記露光手段は、前記履歴
ファイルに基づいて、前記未露光のサブフィールドを特
定することを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】荷電粒子線露光装置は、荷電粒子
で試料を露光する装置である。荷電粒子には、イオンビ
ームと電子ビームとがある。試料には、ウェハがある。
イオンビームでウェハを露光する装置が、イオンビーム
露光装置である。電子ビームでウェハを露光する装置
が、電子ビーム露光装置である。電子ビーム露光装置に
は、細い電子ビームでウェハを露光する電子ビーム直接
露光装置と、原板のパターンをウェハに投影する電子ビ
ーム投影露光装置とがある。原板には、レチクルとマス
クとがある。

【００１２】レチクルのパターンをウェハに投影する電
子ビーム投影露光装置を例に挙げて、図１〜図１３を参
照しながら、本荷電粒子線露光装置１を説明する。

【００１３】尚、荷電粒子線露光装置１は、電子ビーム
投影露光装置に限らず、電子ビーム直接露光装置及びイ
オンビーム露光装置にも、適用できる。また、荷電粒子
線露光装置１は、レチクルに限らず、マスクを使用する
こともできる。

【００１４】先ず、荷電粒子線露光装置１の機能を説明
する。

【００１５】図１は、荷電粒子線露光装置１を表わす機
能ブロック図である。図１に示すように、荷電粒子線露
光装置１には、本体２と判定装置３と露光制御装置４と
が、設けられている。

【００１６】本体２は、レチクルＲとウェハＷとが取り
付けられる装置である。本体２には、真空チャンバ２１
と照明装置２２と照明コイル２３とレチクルステージ２
４と投影コイル２５とウェハステージ２６と磁気センサ
２７とが、設けられている。

【００１７】真空チャンバ２１は、その内部の空間をほ
ぼ真空に保つ装置である。真空チャンバ２１の外部の空
間には、外部磁界が存在する。外部磁界の主成分は、地
磁気である。外部磁界の一部は、真空チャンバ２１の内
部空間に侵入する。

【００１８】照明装置２２は、電子ビームを放射する装
置である。ブランキング信号Ｓ１０は、電子ビームのブ
ランキングを制御する信号である。照明装置２２は、ブ
ランキング信号Ｓ１０を入力している場合には、電子ビ
ームをブランキングする。照明装置２２は、ブランキン
グ信号Ｓ１０を入力していない場合には、電子ビームは
ウェハＷまで到達する。放射された電子ビームは、照明
コイル２３に向かう。

【００１９】照明コイル２３は、照明装置２２からの電
子ビームを偏向する装置である。照明コイル２３は、照
明信号Ｓ１１に対応する照明磁場Ｈｉ（図示せず）を、
発生する。照明信号Ｓ１１は、電子ビームを偏向するレ
チクルＲ上の位置を表わす信号である。真空チャンバ２
１の内部空間に侵入した外部磁界は、照明磁場Ｈｉと合
成されて、合成照明磁場Ｈｉｃ（図示せず）を形成す
る。合成照明磁場Ｈｉｃは、照明信号Ｓ１１の表わす位
置に、電子ビームを偏向する。合成照明磁場Ｈｉｃは、
レチクルＲ上に電子ビームを結像する。

【００２０】レチクルステージ２４は、レチクルＲを移
動可能に保持する装置である。レチクルステージ２４
は、照明コイル２３からの電子ビームが、レチクルＲの
パターンを照明可能な位置に、レチクルＲを保持する。
レチクルステージ２４は、レチクルステージ信号Ｓ１２
が表わす位置に、レチクルＲを移動する。レチクルステ
ージ信号Ｓ１２は、レチクルステージ２４が保持するレ
チクルＲの位置を表わす信号である。

【００２１】ここで、図２を参照しながら、レチクルＲ
を詳細に説明する。図２は、電子ビームが照明する方向
から見た、レチクルＲを表わす図である。

【００２２】図２に示すように、レチクルＲには、２つ
のパターン領域５０Ａ、５０Ｂが設けられている。パタ
ーン領域５０Ａ、５０Ｂは、ウェハＷに投影されるパタ
ーンが設けられる領域である。

【００２３】尚、レチクルＲには、２つのパターン領域
５０Ａ、５０Ｂに限らず、１つ或いは３つ以上のパター
ン領域が、設けられていてもよい。

【００２４】パターン領域５０Ａとパターン領域５０Ｂ
とは、そこに設けられるパターンが異なるだけで、それ
以外は同じなので、パターン領域５０Ｂの説明を省略す
る。

【００２５】パターン領域５０Ａには、９個のレチクル
メインフィールドＭＦｒ１〜ＭＦｒ９が設けられてい
る。それぞれのレチクルメインフィールドＭＦｒ１〜Ｍ
Ｆｒ９は、パターン領域５０Ａに設けられるパターンの
一部が設けられている領域（この領域を総称してレチク
ルメインフィールドＭＦｒと称す）である。レチクルメ
インフィールドＭＦｒ２〜ＭＦｒ９は、レチクルメイン
フィールドＭＦｒ１とパターンが異なるだけで、それ以
外は同機能なので、その説明を省略する。

【００２６】尚、パターン領域５０Ａには、９個のレチ
クルメインフィールドＭＦｒ１〜ＭＦｒ９に限らず、い
くつのレチクルメインフィールドＭＦｒを設けてもよ
い。

【００２７】レチクルメインフィールドＭＦｒ１には、
６個のレチクルサブフィールドＳＦｒ１〜ＳＦｒ６が設
けられている。それぞれのレチクルサブフィールドＳＦ
ｒ１〜ＳＦｒ６は、ウェハＷに投影されるパターンが、
設けられている領域（この領域を総称してレチクルサブ
フィールドＳＦｒと称す）である。

【００２８】従って、ウェハＷに投影される全てのパタ
ーンは、パターン領域５０Ａ、５０Ｂに設けられる各レ
チクルサブフィールドＳＦｒに、分割されて設けられて
いる。

【００２９】尚、レチクルメインフィールドＭＦｒ１に
は、６個のレチクルサブフィールドＳＦｒ１〜ＳＦｒ６
に限らず、いくつのレチクルサブフィールドＳＦｒを設
けてもよい。

【００３０】レチクルサブフィールドＳＦｒに電子ビー
ムが照明されると、電子ビームは、レチクルサブフィー
ルドＳＦｒに設けられているパターンの形に整形され
て、レチクルＲを通過する。

【００３１】図１に戻って、本体２の説明を続ける。

【００３２】レチクルＲを照明した電子ビームは、レチ
クルサブフィールドＳＦｒのパターンの形に整形され
て、投影コイル２５に向かう。

【００３３】投影コイル２５は、レチクルＲからの電子
ビームをウェハＷに投影する装置である。投影コイル２
５は、投影信号Ｓ１３に対応する投影磁場Ｈｐ（図示せ
ず）を、発生する。投影信号Ｓ１３は、電子ビームを投
影するウェハＷ上の位置を表わす信号である。真空チャ
ンバ２１の内部空間に侵入した外部磁界は、投影磁場Ｈ
ｐと合成されて、合成投影磁場Ｈｐｃ（図示せず）を形
成する。合成投影磁場Ｈｐｃは、投影信号Ｓ１３の表わ
す位置に、電子ビームを偏向する。合成投影磁場Ｈｐｃ
は、レチクルサブフィールドＳＦｒのパターンの電子ビ
ーム像を、ウェハＷ上に結像する。

【００３４】ウェハステージ２６は、ウェハＷを移動可
能に保持する装置である。ウェハステージ２６は、投影
コイル２５からの電子ビームが、ウェハＷを投影可能な
位置に、ウェハＷを保持する。ウェハステージ２６は、
ウェハステージ信号Ｓ１４が表わす位置に、ウェハＷを
移動する。ウェハステージ信号Ｓ１４は、ウェハステー
ジ２６がウェハＷを保持する位置を表わす信号である。
投影コイル２５からの電子ビームは、投影信号Ｓ１３の
表わすウェハＷ上の位置に投影される。

【００３５】ここで、図３を参照しながら、ウェハＷを
更に詳しく説明する。図３は、電子ビームが露光する方
向から見た、ウェハＷを表わす図である。

【００３６】図３の上方に示すように、ウェハＷには、
３２個のチップＣｈ１、Ｃｈ２、・・・、Ｃｈ３２（こ
れらを総称してチップＣｈと称す）が形成される。

【００３７】尚、チップＣｈの数は、３２個に限らず、
ウェハＷに形成可能な数なら、いくつでもよい。

【００３８】各チップＣｈは、１つの素子が形成される
ウェハＷ上の領域である。後述のように、各チップに
は、チップ番号Ｎｃ１、Ｎｃ２、・・・、Ｎｃ３２が付
されている。各チップは、チップ番号で管理される。こ
れらのチップＣｈは、露光されるウェハＷ上の位置が異
なるだけで、それ以外は同じなので、以降は、チップＣ
ｈ１について説明し、チップＣｈ２、・・・、Ｃｈ３２
の説明は、省略する。

【００３９】レチクルＲの全部のパターンは、チップＣ
ｈ１に露光される回路のパターンである。従って、レチ
クルＲのパターンは、チップＣｈの数である３２回だ
け、繰り返しウェハＷ上に投影される。

【００４０】図３中央に示すように、チップＣｈ１は、
ストライプ５１Ａとストライプ５１Ｂとに分けて、露光
される。ストライプ５１Ａは、レチクルＲのパターン領
域５０Ａが投影される領域である。ストライプ５１Ｂ
は、レチクルＲのパターン領域５０Ｂが投影される領域
である。ストライプ５１Ｂは、パターン領域５０Ｂが投
影される以外、ストライプ５１Ａと同じなので、ストラ
イプ５１Ｂの説明を省略する。

【００４１】ストライプ５１Ａの広さは、チップＣｈ１
の半分よりやや広い。

【００４２】図３下方に示すように、ストライプ５１Ａ
には、９個のウェハメインフィールドＭＦｗ１〜ＭＦｗ
９が設けられている。ウェハメインフィールドＭＦｗ１
は、レチクルメインフィールドＭＦｒ１が投影される領
域（この領域を総称してウェハメインフィールドＭＦｗ
と称す）である。同様に、ウェハメインフィールドＭＦ
ｗ２〜ＭＦｗ９のそれぞれは、レチクルメインフィール
ドＭＦｒ２〜ＭＦｒ９のそれぞれが投影される領域であ
る。

【００４３】尚、ウェハメインフィールドＭＦｗの数
は、レチクルメインフィールドＭＦｒの数と一致するの
で、レチクルメインフィールドＭＦｒの数が９個以外の
場合には、ウェハメインフィールドＭＦｗの数も、９個
以外になる。

【００４４】ウェハメインフィールドＭＦｗ２〜ＭＦｗ
９は、ウェハメインフィールドＭＦｗ１と投影されるレ
チクルメインフィールドＭＦｒが異なるだけで、それ以
外は同じなので、ウェハメインフィールドＭＦｗ２〜Ｍ
Ｆｗ９の説明を省略する。

【００４５】図３右下に示すように、ウェハメインフィ
ールドＭＦｗ１には、６個のウェハサブフィールドＳＦ
ｗ１〜ＳＦｗ６（これらを総称して、ウェハサブフィー
ルドＳＦｗと称す）が設けられている。ウェハサブフィ
ールドＳＦｗ１は、レチクルサブフィールドＳＦｒ１が
投影される領域（この領域を総称して、ウェハサブフィ
ールドＳＦｗと称す）である。同様に、ウェハサブフィ
ールドＳＦｗ２〜ＳＦｗ９のそれぞれは、レチクルサブ
フィールドＳＦｒ２〜ＳＦｒ９のそれぞれが投影される
領域である。

【００４６】尚、ウェハサブフィールドＳＦｗの数は、
レチクルサブフィールドＳＦｒの数と一致するので、レ
チクルサブフィールドＳＦｒの数が６個以外の場合に
は、ウェハサブフィールドＳＦｗの数も、６個以外にな
る。

【００４７】ウェハサブフィールドＳＦｗ２〜ＳＦｗ９
は、ウェハサブフィールドＳＦｗ１に対して投影される
レチクルサブフィールドＳＦｒが異なるだけで、それ以
外は同じなので、ウェハサブフィールドＳＦｗ２〜ＳＦ
ｗ９の説明を省略する。

【００４８】ウェハサブフィールドＳＦｗ１は、１回で
露光される。従って、ウェハサブフィールドＳＦｗ１〜
ＳＦｗ６がそれぞれ１回づつ露光されると、ウェハメイ
ンフィールドＭＦｗ１は、露光され終わる。

【００４９】従って、１つのチップＣｈは、そのチップ
ＣｈのウェハサブフィールドＳＦｗがそれぞれ１回づつ
露光されると、露光され終わる。１つのウェハＷには、
１つのチップＣｈが繰り返し露光されるので、１つのウ
ェハＷは、そのウェハＷのウェハサブフィールドＳＦｗ
がそれぞれ１回づつ露光されると、露光され終わる。

【００５０】図１に戻って、本体２の説明を続ける。

【００５１】磁気センサ２７は、真空チャンバ２１の外
部の空間に分布する外部磁界の磁界強度を検出するセン
サーである。磁気センサ２７は、真空チャンバ２１の外
側に設けられている。

【００５２】図４に示すように、磁気センサ２７は、検
出した磁界強度に対応する値を有する磁気信号Ｓ１５
を、出力する。図４は、磁気信号Ｓ１５の波形を表わす
図である。図４は、時刻ｔ１と時刻ｔ２とにしきい値を
越える磁気信号Ｓ１５の波形の例を、表わしている。し
きい値は、判定装置３が磁気信号Ｓ１５の大きさを判定
する基準となる、磁気信号Ｓ１５の大きさである。

【００５３】レチクルＲを照明する電子ビームの位置精
度を、予め定められた電子ビームの位置精度より悪化さ
せる外部磁場の変動が発生する場合、磁気センサ２７
は、しきい値を越える大きさの磁気信号Ｓ１５を、出力
する。また、ウェハＷを露光する電子ビームの位置精度
を、予め定められた電子ビームの位置精度より悪化させ
る外部磁場の変動が発生する場合、磁気センサ２７は、
しきい値を越える大きさの磁気信号Ｓ１５を、出力す
る。

【００５４】次に、図４〜図６を参照しながら、判定装
置３を説明する。

【００５５】判定装置３は、磁気信号Ｓ１５がしきい値
を越えたことと、磁気信号Ｓ１５がしきい値を越えなく
なったこととを、判定する装置である。

【００５６】図５は、緊急停止信号Ｓ１６の波形を表わ
す図である。図４及び図５に示すように、時刻ｔ１にお
いて、磁気信号Ｓ１５がしきい値を越えると、判定装置
３は時刻ｔ１において、緊急停止信号Ｓ１６を出力す
る。緊急停止信号Ｓ１６は、緊急停止信号Ｓ１６は、磁
気信号Ｓ１５がしきい値を越えたことを表わす信号であ
る。

【００５７】判定装置３は、時刻ｔ１において、ひとた
び磁気信号Ｓ１５がしきい値を越えたことを検出する
と、時刻ｔ３まで緊急停止信号Ｓ１６を出力し続ける。
時刻ｔ１から時刻ｔ３までの時間間隔を、不感時間Ｔ１
と称す。不感時間Ｔ１の間の時刻ｔ２において、時刻ｔ
１に続いて磁気信号Ｓ１５がしきい値を越えても、不感
時間Ｔ１の開始時刻は、時刻ｔ１である。同様に、不感
時間Ｔ１の間に、複数回、磁気信号Ｓ１５がしきい値を
越えても、不感時間Ｔ１の開始時刻は、時刻ｔ１であ
る。

【００５８】尚、不感時間Ｔ１の長さは、数ミリ秒で
も、数秒でも、数分であってもよい。

【００５９】判定装置３は、不感時間Ｔ１の間、緊急停
止信号Ｓ１６を出力し続けると、時刻ｔ３において、警
戒時間Ｔ２の計測を開始する。警戒時間Ｔ２は、磁気信
号Ｓ１５がしきい値を越えなくなったことを判定する期
間である。警戒時間Ｔ２の間に、磁気信号Ｓ１５がしき
い値を越えると、判定装置３は、その時点から不感時間
Ｔ１の計測をし直す。

【００６０】尚、警戒時間Ｔ２の長さは、数ミリ秒で
も、数秒でも、数分であってもよい。

【００６１】警戒時間Ｔ２の間に、磁気信号Ｓ１５がし
きい値を越えなければ、判定装置３は、警戒時間Ｔ２が
終了する時刻ｔ４において、緊急停止信号Ｓ１６の出力
を中止する。また、判定装置３は、時刻ｔ４において緊
急停止信号Ｓ１６の出力を中止すると、図６に示すよう
に、時刻ｔ４において復帰信号Ｓ１７を出力する。図６
は、復帰信号Ｓ１７の波形を表わす図である。復帰信号
Ｓ１７は、磁気信号Ｓ１５がしきい値を越えなくなった
と判定装置３が判定したことを表わす、信号である。

【００６２】次に、図１及び図７〜図９を参照しなが
ら、露光制御装置４を説明する。

【００６３】露光制御装置４は、本体２の動作を制御す
る装置である。図７は、露光制御装置４の機能を表わす
ブロック図である。

【００６４】図７に示すように、露光制御装置４には、
中央制御装置４１とハードディスク４２とが設けられて
いる。

【００６５】中央制御装置４１は、本体２の動作を制御
する回路である。中央制御装置４１は、ＣＰＵや演算回
路など（図示せず）が、設けられている。中央制御装置
４１は、ブランキング信号Ｓ１０と照明信号Ｓ１１とレ
チクルステージ信号Ｓ１２と投影信号Ｓ１３とウェハス
テージ信号Ｓ１４とを出力し、緊急停止信号Ｓ１６と復
帰信号Ｓ１７とを入力する。

【００６６】中央制御装置４１には、本体２を制御する
プログラムが、格納されている。中央制御装置４１は、
ハードディスク４２に対して、読み書きを行なう。

【００６７】ハードディスク４２は、データを記憶し、
記憶しているデータを出力する装置である。図７に示す
ように、ハードディスク４２には、シーケンスファイル
Ｆ１と履歴ファイルＦ２とが設けられている。

【００６８】シーケンスファイルＦ１は、ウェハＷを露
光する順番を記述するファイルである。図８は、シーケ
ンスファイルＦ１の内容を表わすブロック図である。図
８に示すように、シーケンスファイルＦ１には、チップ
シーケンスファイルＦ１１とストライプシーケンスファ
イルＦ１２とメインフィールドシーケンスファイルＦ１
３とサブフィールドシーケンスファイルＦ１４とが、設
けられている。

【００６９】尚、シーケンスファイルＦ１には、ウェハ
Ｗの露光の順番を記述するウェハシーケンスファイル
を、設けてもよい。この場合は、露光するウェハＷの順
番を、中央制御装置４１が管理できる。

【００７０】チップシーケンスファイルＦ１１は、１枚
のウェハＷの中で、チップＣｈを露光する順番を記述す
るファイルである。チップシーケンスファイルＦ１１で
は、露光する順番に、チップ番号Ｎｃ１〜Ｎｃ３２（こ
れらを総称してチップ番号Ｎｃと称す）が並んでいる。
図８は、チップ番号Ｎｃ１〜Ｎｃ３２の昇順に、チップ
Ｃｈ１から始まって、チップＣｈ３２で終わる順番を表
わしている。

【００７１】尚、チップＣｈを露光する順番は、昇順に
限らず、どのような順番であってもよい。

【００７２】ストライプシーケンスファイルＦ１２は、
チップＣｈ１の中で、ストライプ５１Ａとストライプ５
１Ｂとを露光する順番を記述するファイルである。スト
ライプシーケンスファイルＦ１２では、露光する順番
に、ストライプ番号Ｎｓ１、Ｎｓ２が並んでいる。図８
は、ストライプ番号Ｎｓ１、Ｎｓ２の昇順に、ストライ
プ５１Ａから始まって、ストライプ５１Ｂで終わる順番
を表わしている。

【００７３】尚、ストライプ５１Ａ、５１Ｂを露光する
順番は、昇順に限らず、どのような順番であってもよ
い。

【００７４】メインフィールドシーケンスファイルＦ１
３は、ストライプ５１Ａの中で、ウェハメインフィール
ドＭＦｗを露光する順番を記述するファイルである。メ
インフィールドシーケンスファイルＦ１３では、露光す
る順番に、ウェハメインフィールド番号Ｎｍｆ１〜Ｎｍ
ｆ９が並んでいる。図８は、ウェハメインフィールド番
号Ｎｍｆ１、Ｎｍｆ２の昇順に、ウェハメインフィール
ドＭＦｗ１から始まって、ウェハメインフィールドＭＦ
ｗ９で終わる順番を表わしている。

【００７５】尚、ウェハメインフィールドＭＦｗ１〜Ｍ
Ｆｗ９を露光する順番は、連続する順番ならば昇順に限
らず、降順であってもよい。

【００７６】サブフィールドシーケンスファイルＦ１４
は、ウェハメインフィールドＭＦｗ１の中で、ウェハサ
ブフィールドＳＦｗ１〜ＳＦｗ６を露光する順番を記述
するファイルである。サブフィールドシーケンスファイ
ルＦ１４では、露光する順番に、ウェハサブフィールド
番号Ｎｓｆ１〜Ｎｓｆ６が並んでいる。図８は、ウェハ
サブフィールド番号Ｎｓｆ１、Ｎｓｆ６の昇順に、ウェ
ハサブフィールドＳＦｗ１から始まって、ウェハサブフ
ィールドＳＦｗ９で終わる順番を表わしている。

【００７７】尚、ウェハサブフィールドＳＦｗ１〜ＳＦ
ｗ６を露光する順番は、連続する順番ならば昇順に限ら
ず、降順であってもよい。

【００７８】履歴ファイルＦ２は、露光の終了したウェ
ハサブフィールドＳＦｗのウェハサブフィールド番号Ｎ
ｓｆを記述するファイルである。図９は、履歴ファイル
Ｆ２の内容を表わすブロック図である。図９に示すよう
に、履歴ファイルＦ２には、終了ファイルＦ２１とカレ
ントファイルＦ２２とが設けられている。

【００７９】終了ファイルＦ２１は、最後に露光の終了
したウェハサブフィールドＳＦｗを、記述するファイル
である。終了ファイルＦ２１には、最後に露光の終了し
たウェハサブフィールドＳＦｗのウェハサブフィールド
番号Ｎｓｆと、そのウェハサブフィールドＳＦｗが設け
られているウェハメインフィールドＭＦｗのウェハメイ
ンフィールド番号Ｎｍｆと、そのウェハメインフィール
ドＭＦｗが設けられているストライプ５１Ａ或いは５１
Ｂのストライプ番号Ｎｓ１或いは２と、そのストライプ
５１Ａ或いは５１Ｂが設けられているチップＣｈのチッ
プ番号Ｎｃとが、記述されている。

【００８０】従って、終了ファイルＦ２１に記述されて
いる内容から、ウェハＷ上の露光が終了したチップＣｈ
の中で、最後に露光が終了したチップＣｈを、特定でき
る。

【００８１】カレントファイルＦ２２は、露光中のウェ
ハサブフィールドＳＦｗを、記述するファイルである。
カレントファイルＦ２２には、露光中のウェハサブフィ
ールドＳＦｗのウェハサブフィールド番号Ｎｓｆと、そ
のウェハサブフィールドＳＦｗが設けられているウェハ
メインフィールドＭＦｗのウェハメインフィールド番号
Ｎｍｆと、そのウェハメインフィールドＭＦｗが設けら
れているストライプ５１Ａ或いは５１Ｂのストライプ番
号Ｎｓ１或いはＮｓ２と、そのストライプ５１Ａ或いは
５１Ｂが設けられているチップＣｈのチップ番号Ｎｃと
が、記述されている。

【００８２】従って、カレントファイルＦ２２に記述さ
れている内容から、ウェハＷ上の露光中のチップＣｈ
を、特定できる。

【００８３】次に、図１０〜図１３を参照しながら、荷
電粒子線露光装置１の動作を説明する。

【００８４】荷電粒子線露光装置１の動作には、露光動
作と履歴記録動作と緊急停止動作と復帰動作とがある。
これらの動作の概要は、以下の通りである。

【００８５】露光動作は、レチクルＲのパターンをウェ
ハＷに投影する動作である。履歴記録動作は、どのウェ
ハサブフィールドＳＦｗまで露光が終了したかを、履歴
ファイルＦ２に記録する動作である。緊急停止動作は、
露光動作を緊急に停止する動作である。

【００８６】露光動作中に、外部磁界が大きく変動する
と、磁気センサ２７がその大きな変動を表わす磁気信号
Ｓ１５（図４の時刻ｔ１〜ｔ２）を出力する。大きな変
動を表わす磁気信号Ｓ１５が出力されると、判定装置３
は、緊急停止信号Ｓ１６を出力する。緊急停止信号Ｓ１
６が出力されると、露光制御装置４は、緊急停止動作を
実行する。露光制御装置４は、緊急停止動作の実行を終
了すると、復帰信号Ｓ１７が出力されるのを、待つ。

【００８７】外部磁界の変動が収まると、磁気センサ２
７が変動の小さいことを表わす磁気信号Ｓ１５（図４の
時刻ｔ３〜ｔ４）を出力する。小さな変動を表わす磁気
信号Ｓ１５が出力されると、判定装置３は、緊急停止信
号Ｓ１６の出力を終了して、復帰信号Ｓ１７を出力す
る。

【００８８】復帰信号Ｓ１７が出力されると、露光制御
装置４は、復帰動作を実行する。露光制御装置４は、復
帰動作を実行し終えると、直ちに、露光動作を再開す
る。

【００８９】次に露光動作と履歴記録動作と緊急停止動
作と復帰動作との詳細を説明する。

【００９０】先ず、図１０を参照しながら、露光動作を
説明する。図１０は、露光動作を表わすフローチャート
である。図１０に示すフローチャートの動作の主体は、
中央制御装置４１である。

【００９１】荷電粒子線露光装置１の露光開始操作がさ
れると、中央制御装置４１は、図１０に示す露光動作を
実行する。

【００９２】step1において、中央制御装置４１は、終
了ファイルＦ２１からストライプ番号ＮＳ１或いはＮＳ
２を読み出す。中央制御装置４１は、そのストライプ番
号ＮＳ１或いはＮＳ２の次に露光する、ストライプ５１
Ａ或いは５１Ｂのストライプ番号ＮＳ１或いはＮＳ２
を、ストライプシーケンスファイルＦ１２から読み出
す。中央制御装置４１は、ストライプシーケンスファイ
ルＦ１２から読み出したストライプ番号ＮＳ１或いはＮ
Ｓ２が表わすストライプ５１Ａ或いは５１Ｂに投影され
るレチクルＲのパターン領域５０Ａ或いは５０Ｂを、特
定する。

【００９３】そして、中央制御装置４１は、特定された
パターン領域５０Ａ或いは５０Ｂを照明する位置にレチ
クルステージ２４を移動させるレチクルステージ信号Ｓ
１２を、出力する。レチクルステージ２４は、このレチ
クルステージ信号Ｓ１２を入力すると、このレチクルス
テージ信号Ｓ１２の表わす位置に、移動する。中央制御
装置４１は、step1に続いて、step２を実行する。

【００９４】step２において、中央制御装置４１は、メ
インフィールドシーケンスファイルＦ１３とサブフィー
ルドシーケンスファイルＦ１４とから、次に露光するウ
ェハメインフィールドＭＦｗのメインフィールド番号Ｎ
ｍｆとウェハサブフィールドＳＦｗのサブフィールド番
号Ｎｓｆとを、読み出す。中央制御装置４１は、読み出
したメインフィールド番号Ｎｍｆとサブフィールド番号
Ｎｓｆとが表わすウェハサブフィールドＳＦｗを、特定
する。この特定されたウェハサブフィールＳＦｗが、次
に露光されるウェハサブフィールドＳＦｗである。中央
制御装置４１は、特定されたウェハサブフィールドＳＦ
ｗに投影されるレチクルサブフィールドＳＦｒを特定す
る。

【００９５】そして、中央制御装置４１は、この特定さ
れたレチクルサブフィールドＳＦｒを照明する照明信号
Ｓ１１を、step1において出力するレチクルステージ信
号Ｓ１２に同期させて、出力する。照明コイル２３は、
この照明信号Ｓ１１を入力すると、この照明信号Ｓ１１
に対応する照明磁場Ｈｉを発生する。上述のように、照
明磁場Ｈｉは合成照明磁場Ｈｉｃを形成する。中央制御
装置４１は、step２に続いて、step３を実行する。

【００９６】step３において、中央制御装置４１は、チ
ップシーケンスファイルＦ１１から次に露光するチップ
Ｃｈのチップ番号Ｎｃを読み出す。中央制御装置４１
は、この読み出したチップ番号Ｎｃと、step１において
読み出したストライプ番号Ｎｓ１或いはＮｓ２と、step
２において読み出したメインフィールド番号Ｎｍｆとが
表わすウェハメインフィールドＭｆｗの位置を、特定す
る。中央制御装置４１は、この特定したウェハメインフ
ィールドＭＦｗの位置に、ウェハステージ２６を移動さ
せるウェハステージ信号Ｓ１４を、出力する。

【００９７】ウェハステージ２６は、このウェハステー
ジ信号Ｓ１４を入力すると、このウェハステージ信号Ｓ
１４の表わす位置に、移動する。中央制御装置４１は、
step３に続いて、step４を実行する。

【００９８】step４において、中央制御装置４１は、st
ep２において特定されたレチクルサブフィールドＳＦｒ
から、同じくstep２において特定されたウェハサブフィ
ールドＳＦｗに、パターンを投影する投影信号Ｓ１３
を、出力する。投影コイル２５は、この投影信号Ｓ１３
を入力すると、この投影信号Ｓ１３に対応する投影磁場
Ｈｐを発生する。上述のように、投影磁場Ｈｐは合成投
影磁場Ｈｐｃを形成する。中央制御装置４１は、step４
に続いて、step５を実行する。

【００９９】step５において、中央制御装置４１は、照
明信号Ｓ１１とレチクルステージ信号Ｓ１２と投影信号
Ｓ１３とウェハステージ信号Ｓ１４とに同期して、ブラ
ンキング信号Ｓ１０の出力を露光時間の長さだけ、中断
する。露光時間は、ウェハサブフィールドを電子ビーム
で最適に露光する時間である。ブランキング信号Ｓ１０
の出力が中断すると、照明装置２２は、電子ビームを放
射する。照明装置２２が放射する電子ビームは、合成照
明磁場Ｈｉによって、step２において特定したレチクル
サブフィールドＳＦｒを照明する。レチクルサブフィー
ルドＳＦｒを照明した電子ビームは、レチクルサブフィ
ールドＳＦｒのパターンの形に整形される。整形された
電子ビームは、合成投影磁場Ｈｐｃによって、step２に
おいて特定されたウェハサブフィールドＳＦｗを、露光
する。

【０１００】中央制御装置４１は、露光時間の長さだけ
ブランキング信号Ｓ１０の出力を中断し終わると、再び
ブランキング信号Ｓ１０を、出力する。ブランキング信
号Ｓ１０が出力されると、電子ビームの放射が中断し
て、step２において特定されたウェハサブフィールドＳ
Ｆｗの露光が、終了する。

【０１０１】ウェハサブフィールドＳＦｗを露光する電
子ビームは、レチクルサブフィールドＳＦｒのパターン
の形に整形されているので、レチクルサブフィールドＳ
ＦｒのパターンがウェハサブフィールドＳＦｗに投影さ
れる。中央制御装置４１は、step５に続いて、step６を
実行する。

【０１０２】step６において、中央制御装置４１は、シ
ーケンスファイルＦ１に記述されている全てのチップ番
号Ｎｃ１〜Ｎｃ３２が表わすチップＣｈの露光が、終了
したかどうかを判断する。中央制御装置４１は、全ての
チップＣｈの露光が、終了していないと判断すると、st
ep１に戻って、step１からstep６のループを繰り返し実
行する。

【０１０３】中央制御装置４１は、全てのチップＣｈの
露光が、終了したと判断すると、露光動作を終了する。

【０１０４】次に、図１１を参照しながら、履歴記録動
作を説明する。

【０１０５】図１１は、履歴記録動作を表わすフローチ
ャートである。図１１のフローチャートの動作の主体
は、中央制御装置４１である。

【０１０６】履歴記録動作は、中央制御装置４１がstep
１〜step４を実行するのとほぼ同時に実行される、動作
である。

【０１０７】step１１において、中央制御装置４１は、
step１において読み出したストライプ番号Ｎｓ１或いは
Ｎｓ２と、step２において読み出したメインフィールド
番号Ｎｍｆ及びサブフィールド番号Ｎｓｆと、step３に
おいて読み出したチップ番号Ｎｃとを、カレントファイ
ルＦ２２に上書きする。中央制御装置４１がこれらの番
号をカレントファイルＦ２２に上書きすると、それまで
カレントファイルＦ２２に記憶されていた内容は消され
るので、カレントファイルＦ２２は更新される。中央制
御装置４１は、step１１に続いて、step１２を実行す
る。

【０１０８】step１２において、中央制御装置４１は、
カレントファイルＦ２２に記憶されているチップ番号Ｎ
ｃとストライプ番号Ｎｓ１或いは２とメインフィールド
番号Ｎｍｆとサブフィールド番号Ｎｓｆとを、終了ファ
イルＦ２１に複写する。中央制御装置４１がこれらの番
号を終了ファイルＦ２１に複写すると、それまで終了フ
ァイルＦ２１に記憶されていた内容は消されるので、終
了ファイルＦ２１は更新される。中央制御装置４１は、
step１２の実行を終了すると、履歴記録動作を終了す
る。

【０１０９】次に、図１２を参照しながら、緊急停止動
作を説明する。

【０１１０】図１２は、緊急停止動作を表わすフローチ
ャートである。図１２のフローチャートの動作の主体
は、中央制御装置４１である。中央制御装置４１は、緊
急停止信号Ｓ１６を入力すると、緊急停止動作を実行す
る。

【０１１１】step２１において、中央制御装置４１は、
ブランキング信号Ｓ１０を連続して出力する。ブランキ
ング信号Ｓ１０が出力され続けると、照明装置２２は、
電子ビームの放射を中断し続ける。電子ビームの放射が
中断し続けると、ウェハＷの露光が中断し続ける。中央
制御装置４１は、step２１に続いて、step２２を実行す
る。

【０１１２】step２２において、中央制御装置４１は、
レチクルステージ２４をその場に停止させるレチクルス
テージ信号Ｓ１２を、出力する。移動しているレチクル
ステージ２４が停止する場合には、移動している速度が
ゼロになるまで、レチクルステージ２４は制動距離だけ
移動する。このレチクルステージ信号Ｓ１２が出力され
ると、レチクルステージ２４は、レチクルステージ信号
Ｓ１２が出力された時点のレチクルステージ２４の位置
から、最も制動距離の短い位置に停止する。中央制御装
置４１は、step２２に続いて、step２３を実行する。

【０１１３】step２３において、中央制御装置４１は、
ウェハステージ２６をその場に停止させるウェハステー
ジ信号Ｓ１４を、出力する。移動しているウェハステー
ジ２６が停止する場合には、移動している速度がゼロに
なるまで、ウェハステージ２６は制動距離だけ移動す
る。このウェハステージ信号Ｓ１４が出力されると、ウ
ェハステージ２６は、ウェハステージ信号Ｓ１４が出力
された時点のウェハステージ２６の位置から、最も制動
距離の短い位置に停止する。中央制御装置４１は、step
２３の実行を終了すると、緊急停止動作を終了する。

【０１１４】次に、図１３を参照しながら、復帰動作を
説明する。

【０１１５】図１３は、復帰動作を表わすフローチャー
トである。図１３のフローチャートの動作の主体は、中
央制御装置４１である。復帰動作は、緊急停止状態から
露光動作を再開する動作である。中央制御装置４１は、
復帰信号Ｓ１７を入力すると、復帰動作を実行する。

【０１１６】step３１において、中央制御装置４１は、
カレントファイルＦ２２とシーケンスファイルＦ１と
を、ハードディスク４２から読み出す。中央制御装置４
１は、カレントファイルＦ２２の内容を、終了ファイル
Ｆ２１に上書きする。

【０１１７】中央制御装置４１は、上書きされた終了フ
ァイルＦ２１に記録されているウェハサブフィールド番
号Ｎｓｆの次に露光する順番の、チップ番号Ｎｃとスト
ライプ番号Ｎｓ１或いはＮｓ２とメインフィールド番号
Ｎｍｆとウェハサブフィールド番号Ｎｓｆとを、シーケ
ンスファイルＦ１を参照して、特定する。

【０１１８】中央制御装置４１は、これら特定したチッ
プ番号Ｎｃとストライプ番号Ｎｓ１或いはＮｓ２とメイ
ンフィールド番号Ｎｍｆとウェハサブフィールド番号Ｎ
ｓｆとを、カレントファイルＦ２２に上書きする。即
ち、中央制御装置４１は、カレントファイルＦ２２を更
新する。

【０１１９】この更新されたカレントファイルＦ２２
は、復帰動作の実行の終了後に直ちに実行される露光動
作において、参照される。

【０１２０】このように、露光の終了したウェハサブフ
ィールドＳＦｗの次に露光されるウェハサブフィールド
ＳＦｗを特定するので、荷電粒子線露光装置１には、１
つのウェハサブフィールドＳＦｗに、パターンを重複し
て投影することを、防止できる利点がある。

【０１２１】そして、中央制御装置４１は、この上書き
されたカレントファイルＦ２２が表わすウェハサブフィ
ールドＳＦｗを露光する場合の、ウェハステージ２６の
位置を求める。

【０１２２】また、中央制御装置４１は、この上書きさ
れたカレントファイルＦ２２が表わすウェハサブフィー
ルドＳＦｗに、パターンを投影するレチクルサブフィー
ルドＳＦｒを、特定する。そして、中央制御装置４１
は、このレチクルサブフィールドＳＦｒを照明する場合
の、レチクルステージ２４の位置を求める。中央制御装
置４１は、step３１に続いて、step３２を実行する。

【０１２３】step３２において、中央制御装置４１は、
step３１において求めたウェハステージ２６の位置か
ら、ウェハステージ２６の助走開始位置Ｐｗを、求め
る。助走開始位置Ｐｗは、静止しているウェハステージ
２６が、安定した速度まで加速する助走を、開始する位
置である。

【０１２４】また、中央制御装置４１は、step３１にお
いて求めたレチクルステージ２４の位置から、レチクル
ステージ２４の助走開始位置Ｐｒを、求める。助走開始
位置Ｐｒは、静止しているレチクルステージ２４が、安
定した速度まで加速する助走を、開始する位置である。
中央制御装置４１は、step３２に続いて、step３３を実
行する。

【０１２５】step３３において、中央制御装置４１は、
助走開始位置Ｐｗから、ウェハステージ２６に助走を開
始させるウェハステージ信号Ｓ１４を、出力する。この
ウェハステージ信号Ｓ１４が出力されると、ウェハステ
ージ２６は、助走開始位置Ｐｗから助走を開始し、step
３２において求めたウェハステージ２６の位置におい
て、定常速度に達する。中央制御装置４１は、step３３
に続いて、step３４を実行する。

【０１２６】step３４において、中央制御装置４１は、
助走開始位置Ｐｒから、レチクルステージ２４に助走を
開始させるレチクルステージ信号Ｓ１２を、出力する。
このレチクルステージ信号Ｓ１２が出力されると、レチ
クルステージ２４は、助走開始位置Ｐｒから助走を開始
し、step３２において求めたレチクルステージ２４の位
置において、定常速度に達する。

【０１２７】中央制御装置４１は、step３４の実行を終
了すると、復帰動作の実行を終了する。

【０１２８】中央制御装置４１は、復帰動作の実行を終
了すると、直ちに露光動作の実行を再開する。前述のよ
うに、復帰動作の実行が終了した時点のカレントファイ
ルＦ２２は、復帰動作のstep31において、露光動作を再
開するウェハサブフィールドＳＦｗを表わす内容に、更
新されているので、中央制御装置４１は、露光動作を中
断したウェハサブフィールドＳＦｗの次のウェハサブフ
ィールドＳＦｗから、露光動作を再開できる。

【０１２９】このように、荷電粒子線露光装置１には、
外部磁界の変動が収まると、直ちに露光動作を再開でき
る利点がある。

【０１３０】

【発明の効果】請求項１の荷電粒子線露光装置は、複数
のサブフィールドが設けられた試料に、パターンを露光
する露光手段と、外部磁界の変動が予め定められた値よ
り小さくなる場合に、復帰信号を出力する復帰信号出力
手段とを有する荷電粒子線露光装置であって、前記露光
手段は、前記復帰信号に基づいて、未露光の前記サブフ
ィールドから前記パターンの露光を再開することを特徴
とする。

【０１３１】従って、スループットの低下を最小限にで
きる。

【０１３２】請求項２の荷電粒子線露光装置は、前記外
部磁界の変動が前記予め定められた値より大きくなる場
合に、緊急停止信号を出力する緊急停止信号出力手段を
更に有し、前記露光手段は、前記緊急停止信号に基づい
て、前記パターンの露光を緊急に停止する緊急停止動作
を実行することを特徴とする。

【０１３３】従って、歪んだパターンの露光を最小限に
できる。

【０１３４】請求項３の荷電粒子線露光装置は、前記露
光手段は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段
と、前記荷電粒子線を偏向する偏向手段と、前記試料を
移動可能に保持する保持手段とを備え、前記緊急停止動
作は、前記荷電粒子線発生手段が前記荷電粒子線をブラ
ンキングする動作、又は、前記保持手段が緊急に停止す
る動作であることを特徴とする。

【０１３５】従って、スループットの低下を最小限にで
きる。

【０１３６】請求項４の荷電粒子線露光装置は、露光の
終了した前記サブフィールドを、履歴ファイルに記録す
る履歴記録手段を更に有し、前記露光手段は、前記履歴
ファイルに基づいて、前記未露光のサブフィールドを特
定することを特徴とする。

【０１３７】従って、重複して露光することを防止でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】荷電粒子線露光装置１の機能ブロック図

【図２】電子ビームが照明する方向から見た、レチク
ルＲを表わす図

【図３】電子ビームが露光する方向から見た、ウェハ
Ｗを表わす図

【図４】磁気信号Ｓ１５の波形を表わす図

【図５】緊急停止信号Ｓ１６の波形を表わす図

【図６】復帰信号Ｓ１７の波形を表わす図

【図７】露光制御装置４の機能を表わすブロック図

【図８】シーケンスファイルＦ１の内容を表わすブロ
ック図

【図９】履歴ファイルＦ２の内容を表わすブロック図

【図１０】露光動作を表わすフローチャート

【図１１】履歴記録動作を表わすフローチャート

【図１２】緊急停止動作を表わすフローチャート

【図１３】復帰動作を表わすフローチャート

【図１４】従来の荷電粒子線露光装置７を表わすブロッ
ク図

【符号の説明】

１荷電粒子線露光装置２本体３判定装置４露光制御装置２７磁気信号５１Ａ，ＢストライプＣｈチップＦ１シーケンスファイルＦ２履歴ファイルＭＦｒレチクルメインフィールドＭＦｗウェハメインフィールドＲレチクルＳＦｒレチクルサブフィールドＳＦｗウェハサブフィールドＳ１０ブランキング信号Ｓ１１照明信号Ｓ１２レチクルステージ信号Ｓ１３投影信号Ｓ１４ウェハステージ信号Ｓ１５磁気信号Ｓ１６緊急停止信号Ｓ１７復帰信号Ｔ１不感時間Ｔ２警戒時間Ｗウェハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のサブフィールドが設けられた試料
に、パターンを露光する露光手段と、外部磁界の変動が
予め定められた値より小さくなる場合に、復帰信号を出
力する復帰信号出力手段とを有する荷電粒子線露光装置
であって、前記露光手段は、前記復帰信号に基づいて、
未露光の前記サブフィールドから前記パターンの露光を
再開することを特徴とする荷電粒子線露光装置
【請求項２】前記外部磁界の変動が前記予め定められた
値より大きくなる場合に、緊急停止信号を出力する緊急
停止信号出力手段を更に有し、前記露光手段は、前記緊
急停止信号に基づいて、前記パターンの露光を緊急に停
止する緊急停止動作を実行することを特徴とする請求項
１の荷電粒子線露光装置
【請求項３】前記露光手段は、荷電粒子線を発生する荷
電粒子線発生手段と、前記荷電粒子線を偏向する偏向手
段と、前記試料を移動可能に保持する保持手段とを備
え、前記緊急停止動作は、前記荷電粒子線発生手段が前
記荷電粒子線をブランキングする動作、又は、前記保持
手段が緊急に停止する動作であることを特徴とする請求
項２の荷電粒子線露光装置
【請求項４】露光の終了した前記サブフィールドを、履
歴ファイルに記録する履歴記録手段を更に有し、前記露
光手段は、前記履歴ファイルに基づいて、前記未露光の
サブフィールドを特定することを特徴とする請求項１の
荷電粒子線露光装置