CN109950187B - 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质，该基板处理装置具备：基板保持架，其保持包含产品基板和仿真基板的多个基板；存储部，其存储装置参数，该装置参数至少包含能够载置于上述基板保持架的基板个数、以及载置于基板保持架的产品基板的个数；控制部，其根据该装置参数来生成基板移载数据，该基板移载数据包含表示输送基板的顺序的输送顺序信息、载置于基板保持架的基板的输送源信息、以及表示处理基板的处理室的输送目的地信息，控制部读取所生成的基板移载数据，使仿真基板移载到基板保持架上的基板保持区域中的均热区域以外的基板保持区域，使产品基板移载到剩余的基板保持架上的基板保持区域中的均热区域。

Description

基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质
技术领域
本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质。
背景技术
以往，在作为基板处理装置的一种的半导体制造装置中，在通过作为加热单元的加热器加热到规定温度的炉内，装入了作为基板的晶圆的基板保持架即晶舟被装入到炉内，对炉内进行抽真空，从反应气体导入管导入反应气体而对晶圆表面进行处理，废气从排气管排出。另外，晶舟具有多个支柱，通过刻设于该支柱的沟槽(以后，还称为槽)水平地保持多个晶圆。
近年来，小批量(例如，产品基板为50个、75个)的处理成为主流。为了应对该小批量，在专利文献1中公开了一种半导体制造装置，其通过一次小批量处理对50个以下的产品基板进行处理。另外，在专利文献2中公开了一种多晶圆装置，其将产品基板分配输送到按规定个数(例如5个)分别进行处理的多个处理室，并对该产品基板进行处理。然而，近来，无法充分应对量少品种多、集成密度提高要求、质量提高要求。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-246432号
专利文献2：日本特开2013-102125号
发明内容
本公开的目的在于，提供一种结构，其能够决定输送基板的处理室的顺序。
根据本公开的一个方式，提供一种结构，其具备：基板保持架，其保持包含产品基板和仿真基板的多个基板；存储部，其存储装置参数，该装置参数至少包含能够载置于上述基板保持架的基板个数、以及载置于上述基板保持架的产品基板的个数；控制部，其根据该装置参数来生成基板移载数据，该基板移载数据包含表示输送上述基板的顺序的输送顺序信息、载置于上述基板保持架的上述基板的输送源信息、以及表示处理上述基板的处理室的输送目的地信息，读取所生成的基板移载数据，使仿真基板移载到上述基板保持架上的基板保持区域中的均热区域以外的基板保持区域，使产品基板移载到剩余的上述基板保持架上的基板保持区域中的均热区域。
根据本公开，可以决定输送基板的处理室的顺序。
附图说明
图1是表示优选使用于本公开的一个实施方式的基板处理装置的横截面图的一例。
图2是表示优选使用于本公开的一个实施方式的基板处理装置的纵截面图的一例。
图3是表示优选使用于本公开的一个实施方式的基板处理装置的处理炉的纵截面图的一例。
图4是说明优选使用于本公开的一个实施方式的控制器的功能结构的图。
图5是表示优选使用于本公开的一个实施方式的基板处理装置中的基板处理流程的图。
图6A是表示本公开的实施方式所涉及的装置参数的图。
图6B是表示本公开的实施方式所涉及的装置参数的图。
图6C是表示本公开的实施方式所涉及的装置参数的图。
图6D是表示本公开的实施方式所涉及的装置参数的图。
图7是表示本公开的实施方式所涉及的载体信息的图。
图8A是从本公开的实施方式所涉及的用户信息中判别加工模块PM的流程图。
图8B是从本公开的实施方式所涉及的载体信息中判别加工模块PM的流程图。
图9A是表示本公开的实施方式所涉及的作业生成处理流程的图。
图9B是表示本公开的实施方式所涉及的材料使用确定处理流程的图。
图10A是表示本公开的实施方式所涉及的处理模块确定流程的图。
图10B是表示本公开的实施方式所涉及的处理模块确定流程的图。
图11A是表示本公开的实施方式所涉及的使用对象载体选定工序的图。
图11B是表示本公开的实施方式所涉及的使用优先顺序排序工序的图。
图12是表示本公开的实施方式所涉及的基板移载数据的图。
图13是生成本公开的实施方式所涉及的基板移载数据的流程图。
附图标记说明
200：晶圆(基板)；217：晶舟(基板保持架)。
具体实施方式
(基板处理装置的概要)
接着，根据图1、图2说明本公开的实施方式。在应用本公开的实施方式中，作为一例，基板处理装置构成为实施半导体装置(IC)的制造方法中的处理装置的基板处理装置。此外，在以下说明中，说明作为基板处理装置而应用对基板进行氧化、扩散处理、CVD处理等的立式装置(以下，简称为处理装置)的情况。
如图1、图2所示，基板处理装置10具备相邻的两个后述的作为处理炉202的处理模块PM(Process Module)。处理模块PM为对作为几十个基板的晶圆200统一进行处理的立式处理模块PM。例如在每个处理模块PM中能够对20个～100个(优选25个～75个)左右的基板200进行处理。
在处理炉202的下方配置有作为准备室的输送室6A、6B。在输送室6A、6B的正面侧与输送室6A、6B相邻地配置有移载室8，该移载室8具有移载晶圆200的移载机即晶圆移载机构125。此外，在本实施方式中，说明在输送室6A、6B的上方分别设置有后述的处理炉202的结构。
在移载室8的正面侧设置有收纳室9(晶圆盒输送空间)，该收纳室9收纳收容多个晶圆200的收容容器(载体)即晶圆盒(FOUP)110。在收纳室9的整面上设置有作为I/O端口的装卸部22，经由装卸部22在处理装置2内外搬入搬出晶圆盒110。晶圆盒110上设置有25个载置晶圆200的保持部(以后，称为槽)。
在输送室6A、6B与移载室8的边界壁(相邻面)上设置有作为隔离部的闸阀90A、90B。在移载室8内和输送室6A、6B内分别设置有压力检测器，移载室8内的压力设定为低于输送室6A、6B内的压力。另外，在移载室8内和输送室6A、6B内分别设置有氧浓度检测器，移载室8A内和输送室6A、6B内的氧浓度维持为低于大气中的氧浓度。优选维持为30ppm以下。
在移载室8的顶部构成为，设置有向移载室8内提供净化空气的净化单元(未图示)，在移载室8内作为净化空气，例如使惰性气体进行循环。在移载室8内通过惰性气体进行循环吹扫，由此能够使移载室8内处于洁净气氛。
通过这种结构，能够抑制在移载室8内输送室6A、6B的微粒等混入到未图示的处理炉202这一情况，能够抑制在移载室8内和输送室6A、6B内在晶圆200上形成自然氧化膜这一情况。
在收纳室9的后方、收纳室9与移载室8的边界壁上配置有多台例如三台用于开闭晶圆盒110的盖的开盒器21。开盒器21打开晶圆盒110的盖，由此晶圆盒110内的晶圆200被搬入搬出到移载室8内外。
如图2所示，收容由硅等构成的多个晶圆200，使用晶圆盒110的基板处理装置10具备用作基板处理装置主体的框体111。
在框体111的正面壁的正面前方部处开设了以能够维护的方式设置的开口部即正面维护口(未图示)，分别设置有开闭该正面维护口的正面维护门。另外，在正面壁处以与框体111内外连通的方式开设晶圆盒搬入搬出口。晶圆盒搬入搬出口也可以构成为通过前闸门(未图示)开闭。
在晶圆盒搬入搬出口设置有用作搬入搬出部的装卸部22，装卸部22构成为对晶圆盒110进行载置并对位。晶圆盒110在装卸部22上由工序内输送装置搬入，并且从装卸部22上搬出。
在框体111的正面后方侧在晶圆盒搬入搬出口周边的上下左右呈矩阵状设置有收纳架(晶圆盒架))105。晶圆盒架105设置有作为载置晶圆盒的收纳部的载置部140。收纳部由该载置部140以及使载置部140在收纳晶圆盒110的待机位置与交接晶圆盒110的交接位置之间进行水平移动的水平移动机构(收容架水平移动机构)构成。由水平方向的同一直线上排列的多个独立的载置部140构成晶圆盒架105的一层，该晶圆盒架在垂直方向上设置有多层。各载置部140并不与上下或左右相邻的载置部140和其它任何载置部140同步而能够独立地进行水平移动。而且，晶圆盒输送装置130构成为在装卸部22、晶圆盒架105、开盒器21之间输送晶圆盒110。
在框体111内即子框体119的正面侧，在上下左右呈矩阵状设置有作为收纳部的晶圆盒架(收容架)105。与框体111的正面后方侧的晶圆盒架105同样地载置各晶圆盒架105的晶圆盒的载置部140能够进行水平移动，并不与上下或左右相邻的载置部140同步而能够独立地进行水平移动。晶圆盒架105构成为在多个载置部140上分别各载置一个晶圆盒110的状态下进行保持。
在子框体119的正面壁119a上沿水平方向左右两个排列地开设用于将晶圆200搬入搬出到子框体119内的一对晶圆搬入搬出口120，在该晶圆搬入搬出口120分别设置有一对开盒器21。开盒器21具备载置晶圆盒110的载置台122、以及对用作密封部件的晶圆盒110的盖进行拆装的盖拆装机构123。开盒器21构成为，通过盖拆装机构123对载置于载置台122的晶圆盒110的盖进行拆装，由此开闭晶圆盒110的晶圆出入口。此外，载置台122也有时被称为载置部140。
子框体119构成从晶圆盒输送装置130、晶圆盒架105的设置空间以流体的方式进行隔离的移载室8。在移载室8的前侧区域设置有晶圆移载机构125，晶圆移载机构125由能够使晶圆200在水平方向上旋转或平移的晶圆移载装置125a、以及用于使晶圆移载装置125a升降的晶圆移载装置升降机125b构成。构成为，通过这些晶圆移载装置升降机125b和晶圆移载装置125a的连续动作，将晶圆移载装置125a的臂(基板保持体)125c作为晶圆200的载置部，对晶舟217装入(charging)和取出(discharging)晶圆200。
在移载室8的后侧区域构成作为经由闸阀90收容晶舟217并待机的待机部即输送室6。在输送室6的上方处设置有在内部构成处理室的处理炉202。处理炉202的下端部构成为通过炉口闸门147来进行开闭。
晶舟217由晶舟升降机115(未图示)升降而被导入到处理炉内。在与晶舟升降机115的升降台相连结的连结件(未图示)上水平地安装了作为盖体的密封盖219，盖体219构成为垂直地支承晶舟217，能够将处理炉202的下端部封闭。晶舟217具备多个加固部件，在使多个晶圆200以其中心对齐并在垂直方向上排列的状态下分别水平地进行保持。
接着，说明基板处理装置10的动作。说明使用上述基板处理装置10作为半导体装置(设备)的制造工序的一个工序而进行基板处理的示例。在本实施方式中，当执行后述的时序制程方法时，控制器121对构成基板处理装置10的各部动作进行控制而开始进行基板处理。
当晶圆盒110被提供给装卸部22时，装卸部22上的晶圆盒110通过晶圆盒搬入装置从晶圆盒搬入搬出口搬入到框体111内部。被搬入的晶圆盒110通过晶圆盒输送装置130自动地输送并交接到晶圆盒架105的指定的载置部140而暂时保管之后，从晶圆盒架105输送并交接到一个开盒器21而移载到载置台122、或者直接被输送到开盒器21并移载到载置台122。
载置于载置台122的晶圆盒110的开口侧端面被由子框体119的正面壁119a上的晶圆搬入搬出口120的开口缘边部推压，并且由盖拆装机构123取下其盖，从而打开晶圆出入口。当由开盒器21打开晶圆盒110时，晶圆200从晶圆盒110通过晶圆移载装置125a的臂125c并通过晶圆出入口而被保持，经由闸阀90搬入到处于移载室8后方的输送室6，并装入(charging)到晶舟217。将晶圆200交接到晶舟217的晶圆移载装置125a返回至晶圆盒110，将下一晶圆200装入到晶舟217。
在将预先指定个数的晶圆200装入到晶舟217时，继续执行预处理，当预处理结束时，执行主处理(在此，加工制程方法)。当开始进行该加工制程方法时，由炉口闸门147关闭的处理炉202的下端部通过炉口闸门147打开。接着，由晶舟升降机115使保持了晶圆200群的晶舟217的密封盖219上升，由此搬入(加载)到处理炉202内。
在加载之后，在处理炉202中对晶圆200实施任意处理。在进行处理之后，通过与上述过程相反的过程将晶圆200和晶圆盒110搬出到框体外部。
(基板处理装置的处理炉)
如图3所示，处理炉202具有作为加热机构的加热器207。加热器207呈圆筒形状，通过由保持板(未图示)支承从而被垂直地安装。加热器207还作为通过加热使处理气体激活的激活机构而发挥功能。
在加热器207的内侧配置有与加热器207呈同心圆状地构成反应容器(处理容器)的反应管203。反应管203例如由石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成。反应管203形成为下端部打开而上端部由平坦状的壁体封闭的天花板形状。在反应管203的内部具备形成为圆筒状的筒部209、在筒部209与反应管203之间分隔的喷嘴配置室222、作为形成于筒部209的气体供给口的气体供给切缝235、形成于筒部209的第一气体排出口236、以及形成于筒部209并形成于第一气体排出口236的下方的第二气体排出口237。筒部209形成为下端部打开而上端部由平坦状的壁体封闭的天花板的形状。另外，筒部209被设置成在晶圆200的近处围绕晶圆200。在反应管203的筒部209的内部形成有处理室201。处理室201构成为能够对晶圆200进行处理。另外，处理室201构成为能够收容作为基板保持架的晶舟217，该晶舟217能够在以水平姿势在垂直方向上多层排列的状态下保持晶圆200。
反应管203的下端由圆筒体状的歧管226支承。歧管226例如由镍合金、不锈钢等金属构成或由石英或SiC等耐热性材料构成。在歧管226的上端部形成有凸缘，在该凸缘上设置并支承反应管203的下端部。在该凸缘与反应管203的下端部之间插入O型环等气密部件220而在反应管203内保持气密状态。
在歧管226的下端开口部，经由O型环等气密部件220气密地安装有密封盖219，气密地堵塞反应管203的下端开口部侧、即歧管226的开口部。
晶舟217竖立在晶舟支承台218上。晶舟217例如由石英、SiC等耐热性材料构成。晶舟217具有以下结构：具有固定于晶舟支承台218的底板以及配置于其上方的顶板，并在底板与顶板之间架设了多个支柱。在晶舟217上保持有多个晶圆200。多个晶圆200在彼此一边隔着一定间隔一边保持水平姿势且彼此中心对齐的状态下，在反应管203的管轴方向上堆叠成多层，并由晶舟217的支柱支承。
在与密封盖219的处理室201相反侧设置有使晶舟旋转的晶舟旋转机构267。晶舟旋转机构267的旋转轴265贯通密封盖而与晶舟支承台218相连接，通过晶舟旋转机构267经由晶舟支承台218使晶舟217旋转，由此使晶圆200旋转。
密封盖219通过作为设置于反应管203的外部的升降机构的晶舟升降机115在垂直方向上升降，由此能够将晶舟217相对于处理室201内进行搬入搬出。
在歧管226上以贯通歧管226的方式设置有喷嘴支承部350a～350d，该喷嘴支承部350a～350d支承作为将处理气体提供给处理室201内的气体喷嘴的喷嘴340a～340d。在此，设置有四个喷嘴支承部350a～350d。喷嘴支承部350a～350d例如由镍合金、不锈钢等材料构成。将气体提供给处理室201内的供气管310a～310c分别与喷嘴支承部350a～350c的反应管203侧的一端相连接。另外，将气体提供给在反应管203与筒部209之间形成的间隙S的供气管310d与喷嘴支承部350d的反应管203侧的一端相连接。另外，喷嘴340a～340d分别与喷嘴支承部350a～350d的另一端相连接。喷嘴340a～340d例如由石英或SiC等耐热性材料构成。
在供气管310a上从上游方向起依次分别设置有提供第一处理气体的第一处理气体供给源360a、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)320a以及作为开闭阀的阀330a。在供气管310b上从上游方向起依次分别设置有提供第二处理气体的第二处理气体供给源360b、MFC 320b以及阀330b。在供气管310c上从上游方向起依次分别设置有提供第三处理气体的第三处理气体供给源360c、MFC 320c以及阀330c。在供气管310d上从上游方向起依次分别设置有提供惰性气体的惰性气体供给源360d、MFC 320d以及阀330d。在相较于供气管310a、310b的阀330a、330b的更下游侧处分别连接有提供惰性气体的供气管310e、310f。在供气管310e、310f上从上游方向起依次分别设置有MFC 320e、320f以及阀330e、330f。
主要由供气管310a、MFC 320a、阀330a构成第一处理气体供给系统。还可以考虑将第一处理气体供给源360a、喷嘴支承部350a、喷嘴340a包含在第一处理气体供给系统中。另外，主要由供气管310b、MFC 320b、阀330b构成第二处理气体供给系统。还可以考虑将第二处理气体供给源360b、喷嘴支承部350b、喷嘴340b包含在第二处理气体供给系统中。另外，主要由供气管310c、MFC 320c、阀330c构成第三处理气体供给系统。还可以考虑将第三处理气体供给源360c、喷嘴支承部350c、喷嘴340c包含在第三处理气体供给系统中。另外，主要由供气管310d、MFC 320d、阀330d构成惰性气体供给系统。还可以考虑将惰性气体供给源360d、喷嘴支承部350d、喷嘴340d包含在惰性气体供给系统中。
在反应管203上形成有排气口230。排气口230形成在相比于第二气体排出口237更下方处，与排气管231相连接。在排气管231上经由作为检测处理室201内的压力的压力检测器的压力传感器245以及作为压力调整部的APC(Auto Pressure Controller：汽车压力控制器)阀244连接有作为真空排气装置的真空泵246，构成为能够进行真空排气使得处理室201内的压力变为规定压力。真空泵246的下游侧的排气管231与废气处理装置(未图示)等相连接。此外，APC阀244为以下开闭阀：其对阀进行开闭而能够进行处理室201内的真空排气以及停止真空排气，进而调节阀开度并调整电导从而能够对处理室201内进行压力调整。主要由排气管231、APC阀244、压力传感器245构成作为排气部而发挥功能的排气系统。此外，也可以使真空泵246包含在排气系统中。
在反应管203内设置有作为温度检测器的温度传感器(未图示)，根据由温度传感器检测出的温度信息来调整向加热器207的供电，由此处理室201内的温度变为期望的温度分布。
在上述处理炉202中，在批量处理过的多个晶圆200对晶舟217堆叠多层的状态下，晶舟217由晶舟支承台218支承并且被插入到处理室201，加热器207将插入到处理室201的晶圆200加热到规定温度。
(控制器结构)
如图4所示，作为控制部(控制单元)的控制器121构成为具备作为执行部的CPU(Central Processing Unit：中央处理器)121a、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)121b、作为存储部的存储装置121c、I/O端口121d的计算机。构成为暂时保持由CPU121a读取的程序、数据等的存储器区域(工件区域)的RAM 121b、存储装置121c、I/O端口121d经由内部总线121e能够与CPU 121a进行数据更换。例如构成为触摸面板等的操作部即输入输出装置122与控制器121相连接。
存储装置121c例如由快闪存储器、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等构成。在存储装置121c内可读取地存储有对基板处理装置的动作进行控制的控制程序、记载了基板处理的过程、条件等的加工制程方法等。加工制程方法构成为使控制器121执行后述的基板处理工序中的各过程并能够得到规定的结果，另外，在存储装置121c中存储有通过执行包含该加工制程方法的后述的时序加工方法而使构成装置的各部件进行动作而产生的装置数据。通过控制器121的时间戳功能对这些装置数据附加了时刻数据。
另外，在存储装置121c中存储有本实施方式中的控制程序等。CPU 121a构成为根据来自输入输出装置122的操作命令的输入等来执行这些程序。另外，在存储装置121c中存储有实现本实施方式中的基板处理序列、作业等各种流程图得程序，存储有包含用于执行这些程序的各种设定参数、各种设定画面文件的画面文件。
此外，在本说明书中使用程序这种语言的情况下，有时仅包含加工制程方法单体、有时仅包含控制程序单体、或者有时包含它们两者。
I/O端口121d与上述MFC 320a～320f、阀330a～330f、压力传感器245、APC阀244、真空泵246、加热器207、温度传感器、晶舟旋转机构267、晶舟升降机115等相连接。
CPU 121a构成为从存储装置121c读取并执行控制程序等，并且根据来自输入输出装置122的操作输入从存储装置121c读取加工制程方法。CPU 121a构成为按照经由I/O端口121d读取的加工制程方法的内容，控制MFC 320a～320f对各种气体的流量调整动作、阀330a～330f的开闭动作、APC阀244的开闭动作和基于压力传感器245的APC阀244的压力调整动作、真空泵246的启动和停止、基于温度传感器的加热器207的温度调整动作、晶舟旋转机构267对晶舟217的旋转和转速调节动作、晶舟升降机115对晶舟217的升降动作等。
接着，使用图3说明相当于加工作业的主处理的基板处理工序。在本实施方式中，控制器121执行加工制程方法，由此进行基板处理工序。另外，加工制程方法为用于处理在该主处理中执行的基板的制程方法，由控制器121进行控制。以下，控制器121对构成基板处理装置10的各部的动作进行控制而对晶圆200进行规定处理。
(基板处理工序)
载置了规定个数的晶圆200的晶舟217被插入到反应管203内，通过密封盖219对反应管203气密地密封。在被气密地密封的反应管203内对晶圆200进行加热，并且处理气体被提供给反应管203内，对晶圆200进行规定处理。
作为规定处理，例如将作为第一处理气体的NH3气体、作为第二处理气体的HCDS气体、作为第三处理气体的N2气体交替地提供，由此在晶圆200上形成SiN膜。
首先，从第二处理气体供给系统的供气管310b经由喷嘴340b的气体供给孔234b、气体供给切缝235对处理室201内提供HCDS气体。具体地说，通过打开阀330b、330f，与载气一起开始从供气管310b向HCDS气体的处理室201内的供给。此时，调整APC阀244的开度而将处理室201内的压力维持为规定压力。如果经过规定时间，则关闭阀330b而使HCDS气体停止供给。
提供给处理室201内的HCDS气体被提供给晶圆200，在晶圆200上平行地流过之后，通过第一气体排出口236在间隙S中从上部流向下部，经由第二气体排出口237、排气口230从排气管231排出。
此外，在将HCDS气体提供给处理室201内期间，当打开与供气管310a相连接的惰性供气管的阀330e和供气管310c、310d的阀330c、330d而使N2等惰性气体流动时，能够防止HCDS气体返回至供气管310a、310c、310d内。
在关闭阀330b并停止向处理室201内提供HCDS气体之后，对处理室201内进行排气，排除残留在处理室201内的HCDS气体、反应生成物等。此时，当从供气管310a、310b、310c、310d将N2等惰性气体分别提供给处理室201内和间隙S并进行吹扫时，能够进一步提高从处理室201内和间隙S排除残留气体的效果。
接着，从第一处理气体供给系统的供气管310a经由喷嘴340a的气体供给孔234a、气体供给切缝235将NH3气体提供给处理室201内。具体地说，通过打开阀330a、330e，与载气一起开始从供气管310a将NH3气体提供给处理室201内。此时，调整APC阀244的开度并将处理室201内的压力维持为规定压力。如果经过规定时间，则关闭阀330a而停止提供NH3气体。
在提供给处理室201内的NH3气体被提供给晶圆200并在晶圆200上平行地流动之后，通过第一气体排出口236在间隙S中从上部流向下部，经由第二气体排出口237、排气口230从排气管231排出。
此外，在处理室201内提供NH3气体期间，当打开与供气管310b相连接的惰性供气管的阀330f和阀330c、330d而使N2等惰性气体流动时，能够防止NH3气体返回至供气管310b、310c、310d内。
在关闭阀330a并停止将NH3气体提供给处理室201内之后，对处理室201内进行排气，排除残留在处理室201内的NH3气体、反应生成物等。此时，当从供气管310a、310b、310c、310d将N2等惰性气体分别提供给处理室201内和间隙S并进行吹扫时，能够进一步提高从处理室201内和间隙S排除残留气体的效果。
当晶圆200完成处理时，通过与上述动作相反的过程，将晶舟217从反应管203内搬出。
在上述实施方式中，说明了交替地提供第一处理气体和第二处理气体的情况，但是，本发明还能够应用于同时提供第一处理气体和第二处理气体的情况。
接着，使用图5说明本实施方式中的基板处理的流程。此外，本实施方式中的基板处理序列构成为控制部121从后述的S300起执行。
(S100)事先准备各种参数设定、使用的制程方法的工序(事先准备工序)。在该工序中，预先存储于存储部121c的基板处理序列以及在基板处理序列中执行的流程(子序列)、使用于制程方法的参数(以后，还称为装置参数)通过在操作画面上指定和选择等来设定。另外，也可以在操作画面上进行指定和选择等，生成各流程、制程方法，存储到存储部121c。
根据图6A示出的维护项目选定参数，在本实施方式中，在各处理模块处于待机状态时，根据维护编号来设定优先使用的处理模块PM。维护编号“00”是将本次使用的处理模块PM(PM1或PM2中的任一个)存储于控制器121内部并在下次使用并非该存储的处理模块PM的处理模块PM这样的标准。维护编号“01”“02”分别为处理模块PM1、处理模块PM2。
而且，在维护编号为上述以外的情况下，与相当于维护编号的维护项目有关的当前值在各处理模块PM中进行比较，选定值小的处理模块PM。如图6A所示，维护项目为常驻仿真晶圆使用次数、膜厚值、制程方法膜厚值、制程方法执行次数、制程方法步骤执行次数、执行时间等。该维护项目选定参数作为装置参数而存储到存储部121c。
图6B示出的登入用户指定参数为预先设定每个登入用户能够使用的处理模块PM的参数，在未图示的设定画面上事先设定。事先登记能够由登入用户进行操作的处理模块PM的范围，由此能够根据登入的用户信息来确定处理对象的处理模块PM。由此，控制部121能够自动地选定处理对象模块PM。
如图6B所示，“PM1”表示能够使用加工模块PM1，“PM2”表示能够使用加工模块PM2，“ALL”表示加工模块PM1和加工模块PM2都能够共通使用。该登入用户指定参数作为装置参数而存储到存储部121c。
图6C示出的载体ID登记参数为按每个载体类型来对能够使用于载体ID的接头词的处理模块PM进行设定的参数，在未图示的设定画面上事先进行设定。在此，图6C示出的“SD”表示存储侧面仿真晶圆的载体110，“M1”“M2”表示存储监控晶圆的载体110，“PD”表示存储产品基板的载体110，“FD”表示存储补充仿真晶圆的载体110，“R1”“R2”分别表示监控晶圆的回收专用载体110。
在“SD”行的“PM1”列的单元中定义的DA、在“PM2”列的单元中定义的DB分别表示作为反应器信息的载体ID的接头词。该接头词的定义能够最大到四个字符。另外，如“M1”行等那样在“PM1”“PM2”列的单元中并未定义的各种载体表示作为默认而加工模块PM1和加工模块PM2都能够共通使用。该载体ID登记参数作为装置参数而存储到存储部121c。
图6D表示载体输入判断参数。如图6D所示，输入操作存在登入用户在画面上进行操作而输入载体的画面输入(手动输入)方式、以及HOST等上级计算机进行输入指示的HOST输入(自动输入)方式。
载体输入判断参数为在用户载体输入操作中表示登入用户能够使用的处理模块PM的自动判断、能够使用的处理模块PM的用户任意选择、以及能够使用的处理模块PM的装置自动判别之间的关系的参数。在此，装置自动判别是指获取针对以载体类型单位来登记的处理模块PM1和处理模块PM2的反应器信息来作为上述载体ID登记参数的信息，选定(判断)能够使用的处理模块PM。
在画面输入方式中，如图6D所示，如果处理模块PM1与处理模块PM2为不同膜种类，则作为登入用户的用户信息而根据图6B示出的登入用户指定参数来选定(判断)能够使用的处理模块PM。该载体输入判断参数也被事先进行设定，作为装置参数而存储到存储部121c。
除了上述四个装置参数以外，还可以根据对能够指定为装置参数的一个可变参数的晶舟217上的晶圆配置指定进行定义的晶圆排列参数(WAP)，事先计算所使用的每个晶圆类型，根据与装置结构有关的装置配置参数，能够指定以晶圆单位或者载体单位将产品基板200输送到选定的处理模块PM。这些也同样地，作为装置参数而存储到存储部121c。
另外，在操作画面上显示加工制程方法、序列制程方法等制程方法设定画面，能够选择期望的制程方法。在该情况下，显示在制程方法设定画面上的制程方法构成为显示能够以预先指定的加工模块PM来进行执行的制程方法。另外，也可以构成为，还显示加工制程方法的总时间，提供给使用者。
(S200)例如在使用者(登入用户)专门使用的情况下等，输入显示在操作画面上的用户ID、密码，进行登入处理。
(S300)当输入至少将规定个数的产品基板200收纳于基板处理装置10的载体110时，控制部121构成为获取表示该载体110能够使用于哪个处理模块PM的反应器信息。另外，控制部121也可以构成为获取该反应器信息并且使操作画面进行显示。
此外，如后文中所述，控制部121能够使对登入用户登记的反应器信息与从输入的载体110获取的反应器信息相关联。例如在图7示出的反应器信息中，“PM1”表示能够使用加工模块PM1，“PM2”表示能够使用加工模块PM2，“AUTO”表示加工模块PM1和加工模块PM2都能够共通使用。
(由登入用户判断的方法)
构成为，通过事先登记能够由登入用户进行操作的加工模块PM的范围，由此以根据所登入的用户信息来能够确定可使用的加工模块PM的方式自动地进行选定。例如可以根据在S200中进行登入处理时获取的用户信息来选定处理对象模块PM。另外，也可以构成为在输入载体110时，显示设定画面而能够使用户选择。
具体地说，构成为由控制部121执行图8A示出的流程。
控制部121从操作部122接受使用于处理的载体110的类型和个数的选择。
控制部121判断在各加工模块PM中执行的膜种类是否为相同，如果是相同膜种类，则将各载体110设定为“AUTO”。而且，构成为显示使用者用于选择加工模块PM的设定画面。
当判断为在各加工模块PM中执行的膜种类并不相同时，控制部121获取登入用户信息，获取能够使用的反应器信息。关于各载体110，控制部121根据从登入用户信息获取的反应器信息来设定所使用的加工模块PM，如果并不是“AUTO”设定则直接确定。另外，构成为如果是“AUTO”设定则以作业员能够选择的方式显示设定画面。
这样，在决定由登入用户使用的加工模块PM的情况下，控制部121判断从载体信息获取的反应器信息与由登入用户设定的反应器信息是否一致，登入用户能够使用处理对象模块PM来对晶圆200进行处理。这里，载体信息的基本信息除了反应器信息以外，还具有载体ID(FOUP ID)信息、载体种类(FOUP种类)信息、载体内晶圆图信息(FOUP内晶圆图信息)、晶圆个数、晶圆ID信息等。这里晶圆图信息是表示晶圆存在于哪个槽的信息。
根据所登入的用户信息来确定能够使用的加工模块PM，由此能够防止错误操作。例如为了不错误地输入载体110，可以将载体输入到具有使用权限的加工模块PM。另外，还能够期望消减操作次数。
根据所登入的用户信息来确定能够使用的加工模块PM的方法在加工模块PM1与加工模块PM2为不同膜种类的情况下有效。这能够预防使用者将当前要处理的材料错误地输入到基板处理装置10、或者在错误的加工模块PM中进行处理这一情况，另外能够节省使用者始终选择处理模块PM这样的工时。
(从载体识别信息进行自动判别的方法)
从顾客主计算机输入时且进行载体ID自动判别的时机是根据基板处理装置10的装卸部22来输送载体110并控制部121读取并确定载体110的载体ID的信息的时刻。图8B表示根据载体ID的载体识别信息来进行自动判别的流程。
(S310)当由顾客主计算机输入载体110时，控制部121启动本流程。(S311)控制部121获取载体类型信息、包含载体ID的接头词的载体ID信息等的载体识别信息。
(S312)控制部121对获取到的载体识别信息与设定为装置参数的载体ID指定参数(以后，还称为PM指定参数)进行比较。(S313)当载体识别信息与PM指定参数一致时，控制部121根据从载体识别信息获取的反应器信息来设定对象处理模块PM。
(S314)控制部121确认处理对象的加工模块PM数量的对象处理模块PM的设定是否结束。在未结束的情况下，重复进行S311至S313的工序。此外，在本实施方式中，由于加工模块为PM1和PM2这两个，因此进行两次。
(S315)控制部121确认是否存在对象处理模块PM的设定。如果已经在S313中进行了设定(否的情况下)，则(S317)输出OK响应并结束本流程。
(S315)控制部121确认是否存在对象处理模块PM的设定，如果并未在S313中进行设定(在“是”的情况下)，转移到下一工序(S316)，确认被输入的载体110是否为作业指定载体。在此，作业指定载体是指通过后述的作业登记(作业生成)而登记的处理对象材料。此外，处理对象材料是仿真晶圆200的载体110以外的产品基板200、监视器基板200的载体110，处理对象晶圆200是指除了仿真晶圆200的产品晶圆200或监视器晶圆200。以后，晶圆种类为产品晶圆200、仿真晶圆200、监视器晶圆200，在对它们汇总统称的情况下，有时仅称为晶圆200。
在S316中，控制部121确认被输入的载体110是否为作业指定载体，如果是作业指定载体，则(S319)将被输入的载体110设定为AUTO，输出OK响应而结束本流程。在本实施方式中，即使在不是作业指定载体的情况下，(S318)也将被输入的载体110设定为AUTO，输出OK响应而结束本流程。
在本实施方式中，以可以在加工模块PM1和加工模块PM2这两者中使用存储有仿真晶圆200的载体110的膜种类为前提，在本流程的S318中，作为AUTO设定，加工模块PM1和加工模块PM2均能够使用。
例如如果加工模块PM1与加工模块PM2为不同膜种类且不能共通使用仿真晶圆，则成为NG响应而被拒绝。此外，可共通使用(OK)或不可共通使用(NG)根据装置参数的一种即装置结构参数来设定。
另外，根据本实施方式，通过提供反应器信息作为载体110的信息，也能够对存在于该载体110内的晶圆200提供反应器信息作为晶圆信息。根据本实施方式，通过将该反应器信息用作输送互锁，仅能够将晶圆200使用于对象加工模块PM，从而能够进行更精确的加工处理。这里，晶圆信息除了上述反应器信息以外，作为基本信息还具有晶圆ID信息、晶圆种类信息、当前位置信息、当前处理状态、以及当前移动状态。
控制部121构成为通过载体110内的插槽图对照来输出OK(无异常)响应，并且获取反应器信息来作为晶圆信息。另外，构成为取得上述基本信息。此外，构成为，即使要将晶圆200输送到非预期的加工模块PM，控制部121仍控制为发出报警并且不输送晶圆200。
(作业登记处理)
(S400)控制部121构成为，在指定了加工标准和材料标准时、即从操作员或顾客主计算机接受成膜处理请求，在登记作业队列之后，以一秒钟周期开始进行图9A示出的作业登记(生成)处理。此外，成膜处理请求中通知的信息为成膜时使用的时序制程方法、与该时序制程方法对应的加工参数、成为处理对象的产品晶圆200以及监视器晶圆200的载体110、和用于将晶圆200载置于该载体110内的保持部(槽)的项目号(号)等。
另外，将该槽的项目号(以后称为槽号)与晶舟217同样地，从下方按顺序附加。进而，控制部121按成膜处理请求中通知的接受顺序来确定载置于载体110或槽的晶圆200的优先顺序。即，按控制部121的信息获取顺序标记优先顺序，因此例如晶圆200按槽号顺序来决定优先顺序。
(S401)控制部121确认加工标准。具体地说，将指定的制程方法存储于存储部121c，确认使用于该制程方法的参数设定为正确这一情况。(S402)以加工模块单位来整理加工标准。也就是说，控制部121从预先存储于存储部121c的制程方法中选择本次指定的制程方法，确定期望加工标准。
(S403)接着，控制部121确认材料标准。具体地说，确认并未处理过的载体110内的晶圆200即该载体110是否在其它作业中预约了处理。
(S404)确认在所有处理模块PM中能够处理的晶圆处理能力。具体地说，为了事先掌握处理模块PM的处理晶圆能力，控制部121根据预先存储于存储部121c的晶圆排列参数WAP来事先计算所使用的每个晶圆类型的晶圆个数。
控制部121计算出使用于本次处理的所有基板数量，对基板处理装置10所对应的所有晶圆类型，根据晶舟217上的晶圆布局来计算各自的个数。接着，控制部121对相对于在加工模块PM1和加工模块PM2的各自的加工模块中使用的晶圆类型的基板个数的最大值和最小值为相同这一情况进行确认。
(S405)控制部121根据在S404中计算出的加工模块PM1以及加工模块PM2的处理晶圆能力，执行图9B示出的材料标准确定处理序列。以下，详细说明图9B示出的材料标准确定处理序列。
(S410)如果加工模块PM1(或PM2)的最大处理晶圆个数为小于处理对象晶圆总个数，则将所有处理对象晶圆收集在加工模块PM1(或PM2)中(S411)，按以作业生成表示的顺序(S400中获取到的优先顺序)来排列处理对象晶圆200(S412)。这里，处理对象晶圆200以载体110的编号顺序和载体110的槽号顺序来决定处理顺序，并将其结果存储到材料处理顺序1(S413)。
(S410)如果加工模块PM1(或PM2)的最大处理晶圆个数为处理对象晶圆总个数以上，则将处理对象晶圆200分配到多个加工模块PM(S414)。首先，判断是否设定为晶圆单位均等分配(S415)。如果设定为晶圆单位均等分配，则按以作业生成表示的顺序(在S400中获取到的优先顺序)来排列处理对象晶圆200，按比例分配处理对象晶圆200(S416)。将其结果分别存储到与存储部121c内的材料处理顺序1、材料处理顺序2相当的区域(S417)，尤其是，处理对象晶圆200以加工模块PM的编号顺序、载体110的编号顺序、以及载体110的槽号顺序来决定处理顺序。
在设定为载体单位均等分配的情况下(S418)，计算出(2N-2)/2的模式(N：载体数)的载体组合(S419)。在计算出的组合中提取最大值为总个数以上的组合(S420)，选择按比例分配的差最小的组合(S421)。将其结果分别存储到与存储部121c内的材料处理顺序1、材料处理顺序2相当的区域(S417)。
这样，如果加工模块PM1(或PM2)的最大处理晶圆个数为处理对象晶圆总个数以上，则控制部121将所有处理对象晶圆200输送到加工模块PM1(或PM2)而实施处理。尤其是，如果处理对象晶圆总个数小于载体110中的最大收纳个数(本实施方式中为25个)，则优选在加工模块PM1(或PM2)中输送所有处理对象晶圆200并实施处理。
另外，构成为，如果加工模块PM1(或PM2)的最大处理晶圆个数小于处理对象晶圆总个数，则控制部121向加工模块PM1、PM2进行分配输送，分为两次加工处理而实施。此外，如果处理对象晶圆总个数为载体110中的最大收纳个数(本实施方式中为25个)以上，则也可以向加工模块PM1、PM2进行分配输送，来对处理对象晶圆200进行处理。
(作业执行处理)
(S501)控制部121在作业登记(生成)之后周期性地(在本实施方式中每隔一秒)监视是否存在作业执行指示。而且，构成为当从上级控制器或操作部122接受作业执行指示时，开始进行用于选定图10A示出的处理模块的处理。
(S502)控制部121拾取能够使用的处理模块PM。该拾取的条件为处理模块PM处于材料处理待机状态而不是处于执行禁止状态。
在不存在拾取的处理模块PM的情况下(S503)控制部121直接变为待机状态(选定等待状态)，在一种情况下(S504)，确定能够使用的处理模块PM的选定，结束主处理(S505)。
控制部121在拾取的处理模块PM为多种的情况下(S506)，确认是否仅使用一种处理模块PM(S507)。在S507中“否”的情况下，按着图6A示出的维护项目选定参数，选定能够使用的处理模块PM，结束主处理(S512)。此外，对选定S512中的能够使用的处理模块予以后述。另一方面，在S507中“是”的情况下，包括仿真晶圆数量在内再次进行处理模块的拾取(S508)。
控制部121在拾取到的处理模块PM为多种的情况下(S506)或不存在的情况下(S503)，选定后述的S512中的能够使用的处理模块PM，结束主处理(S512)。控制部121在拾取的处理模块PM为一种的情况下(S504)，确定能够使用的处理模块PM的选定，结束主处理(S505)。
图10B示出选定S512中的处理模块PM的流程。(S520)控制部121从预先存储于存储部121c的图6A示出的装置参数(维护项目选定参数)中获取处理模块PM选定方式。具体地说，获取维护项目中定义的维护编号。
(S521)控制部121确认维护编号是否为“00”。在“是”的情况下，(S522)参照最后使用的处理模块PM，选择并非该处理模块PM的处理模块PM，确定所使用的处理模块。在“否”的情况下，确认维护编号为“01”还是“02”(S523)。
在维护编号为“01”或“02”的情况下，如果是“01”，则控制部121选择处理模块PM1，确定所使用的处理模块。如果“02”，则控制部121选择处理模块PM2，确定所使用的处理模块(S524)。
在维护编号并非“01”或“02”的情况下，(S525)获取各处理模块的维护项目的当前值，(S526)选择当前值小的处理模块，确定所使用的处理模块。此外，在当前值相同的情况下，选择处理模块PM1，确定所使用的处理模块。
当确定所使用的处理模块PM(PM-1)时，接着，控制部121进行批量组。这里，批量组(群)是指，可以在1个处理模块PM中1次处理的处理对象晶圆200块，作为原则，将处理对象晶圆200设为对象。这里，对应于存储部121c内的材料处理顺序号1区域的数据。由此，生成处理模块PM-1中处理的处理对象晶圆200的批量组。
由于在处理模块PM内插入的晶舟217的全槽(基板保持区域)的两端部(上端部和下端部)仅稍微存在无法保持均热的部分，因此始终每几个仿真晶圆200保持于该部分(槽)，并且在温度稳定的槽的保持部保持产品晶圆200。
即，由于在无法保持该均热的基板保持区域中配置仿真晶圆200，因此批量组为包含仿真晶圆200的结构。
接着，进行使用对象的仿真晶圆200的载体110的选定以及仿真晶圆200的选定。使用图11A，针对控制部121选定使用仿真晶圆200的载体110以及选定仿真晶圆200的工序进行说明。
(S621)根据载体信息，拾取使用仿真晶圆200的载体110。判断在拾取的载体110内的槽号1是否存在仿真晶圆200。如果不存在则判断下一槽号2是否存在仿真晶圆200。
(S622)在载体110内的槽号1存在仿真晶圆200的情况下，判断该仿真晶圆200是否处于可使用状态。在并非可使用状态的情况下，判断下一槽号2是否存在仿真晶圆200。
(S623)在槽号1的仿真晶圆200处于能够使用状态的情况下，判断本次的加工处理是否通过处理模块PM1执行。如果为“是”，则从仿真晶圆200的晶圆信息中选定处理模块PM1或“AUTO”指定的仿真晶圆200。如果为“否”，则选定处理模块PM2或“AUTO”指定的仿真晶圆200。
(S624)将选定数(默认为0)加上1，(S625)存储该仿真晶圆200的晶圆信息，判断下一槽号2是否存在仿真晶圆200。然后，对从S622至S625为止的工序仅执行槽号数。
之后，对下一仿真载体(存储仿真晶圆200的载体)110，对从S622至S625为止的工序仅执行槽号数。然后，当针对所有仿真晶圆200，与在S621中拾取的仿真载体110的数量相对应地将晶圆信息存储与存储部121c时，结束主处理流程。
然后，控制部121确认对于构成包含仿真晶圆200的批量组来说晶圆200的个数是否充足。
(S600)接着，控制部121构成为执行包括预处理(等待步骤)、主处理(主步骤)、后处理(结束步骤)这三个步骤的时序制程方法。在预处理中，进行从载体110向晶舟217的晶圆200的输送。控制部121根据在存储部121c内的材料处理顺序1区域以及材料处理顺序2区域定义的基板配置，进而除此之外，使用存储部121c中存储的仿真晶圆200的选定材料信息，生成基板移载参数，将各种晶圆200依次输送到设置于处理模块PM的下方的晶舟217。这里，控制部121在生成基板移载参数之前，使用图11B来决定最终使用的选定和移载仿真晶圆200的顺序。
接着，使用图11B说明控制部121对所使用的仿真晶圆200的选定和按优先使用仿真晶圆200的顺序来进行排序的工序。
控制部121根据处理对象加工模块PM的信息来获取存储于存储部121c的选定材料信息，根据获取到的选定材料信息来判断是否为“AUTO”指定的仿真晶圆200。控制部121分别存储到仅存储“AUTO”指定的仿真晶圆200的AUTO区域以及存储指定除了“AUTO”以外的仿真晶圆200的PM指定区域，当与选定材料信息中获取到的选定数量相对应地结束对这些AUTO区域和PM指定区域的存储处理时，存储到本次可使用的材料信息区域，以便形成在存储到AUTO区域的仿真晶圆200之前使用存储到PM指定区域的仿真晶圆200的顺序。
这样，根据本实施方式，使用特定处理模块专用的仿真晶圆200，在无论如何都不足的情况下，使用处理模块共享的仿真晶圆200，由此能够有效地运用仿真晶圆200。因此，在基板处理装置10中实施材料处理时，能够高效地使用所使用的仿真晶圆200。并且，为了使仿真晶圆200的更换更容易，通过从特定仿真晶圆200使用，还能够容易地更换收纳了仿真晶圆200的载体110。在此重申，仿真晶圆200包括侧仿真基板和补充仿真基板两者。
图12A表示基板移载参数的一例。基板移载数据包含表示对晶圆200进行处理的顺序的信息、载置于晶舟217的晶圆200的输送源信息、以及表示对晶圆200进行处理的处理室201的输送目的地信息。基板移载参数包含以下信息作为输送源信息：表示存储载置于晶舟217的各种基板200的载体110的信息、以及表示各种基板200被载置于载体110内的槽号的信息。虽然图12A中该基板移载参数仅公开了处理模块PM1，但是与处理模块PM2也是同样的结构。接着，使用图13，针对图12A所示的基板移载参数的生成进行说明。具体地，(S611)设定与所选择的处理模块PM-1有关的用于向晶舟217输送晶圆200的晶舟217上的晶圆200的配置。(S612)控制部121根据在S611中得到的晶圆200的配置来确定输送晶圆200的顺序。(S613)控制部121根据晶圆200的输送顺序，确定将晶圆200的载体110向开盒器21运送的顺序。
(S611)由于在晶舟217的全槽(基板保持区域)的两端部(上端部和下端部)无法均热保持，因此无法载置产品晶圆200，从而在该无法保持均热的基板保持区域中配置仿真晶圆200。具体地，控制部121针对所选择的处理模块PM-1，在该输送目的地的晶舟217的全槽(图12中，槽为46个)中，对全槽中、无法保持均热的两端部(上部为从上端部起到第2个为止的槽，下部为从下端部起到第3个为止的槽)配置仿真晶圆200。并且，控制部121构成为将监视器晶圆200配置于该全槽的中心部(24槽)、无法保持均热的两端部、以及在边界保持均热的槽(4槽、44槽)这3处。最后，控制部121设定为在这些仿真晶圆200以及监视器晶圆200以外的槽配置产品晶圆200。
(S612)控制部121基于至此的各种晶圆200的载体110信息等，从晶圆200的配置决定输送晶圆200的顺序。具体地，为了抑制晶圆200的输送时的颗粒，首先将仿真晶圆200输送至晶舟217。接着，决定输送顺序(图12A中记载为输送Priority)，以便移载产品晶圆200和监视器晶圆200。另外，在图12A中，在先移载了产品晶圆200之后，决定输送顺序，以便移载监视器晶圆200。即，按仿真晶圆200、产品晶圆200、监视器晶圆200的顺序决定向晶舟217进行的输送。
另外，控制部121使载体110内的取出槽号的顺序与输送顺序(输送Priority)相关联并适当决定。此外，在本实施方式中，处理对象晶圆200、仿真晶圆200的载体110内的取出顺序分别为槽号顺序。其结果是，控制部121生成图12A所示的基板移载参数。
(S613)控制部121根据S612中各种晶圆200的顺序，决定向开盒器21输送的各载体110的顺序。这里，载体(D01)110首先载置于开盒器21，接着，决定为将载体(P01)110、载体(P02)110按照该顺序载置于开盒器21，最后，将载体(D01)110载置于开盒器21。
接着，在从加工制程方法内的任意步骤接受向晶舟217的晶圆200的移载命令时，控制部121读出所生成的基板移载参数，使仿真晶圆200移载至晶舟217上的槽中均热区域以外的该槽，一边上下移动晶圆移载机构125，一边将产品晶圆200和监视器晶圆200移载至相当于剩余的晶舟217上的均热区域的槽。
控制部121向晶圆盒输送装置130和晶圆移载机构125进行载体110的输送和晶圆200的移载。具体地，通过晶圆盒输送装置130，载体(D01)110首先载置于开盒器21，通过晶圆移载机构125，按输送顺序(输送Priority)将仿真晶圆200向晶舟217进行输送。接着，通过晶圆盒输送装置130，载体(P01)110、载体(P02)110按照该顺序载置于开盒器21，通过晶圆移载机构125，按照输送顺序(输送Priority)将产品晶圆200输送至晶舟217。最后，通过晶圆盒输送装置130，将载体(D01)110载置于开盒器21，通过晶圆移载机构125，按照输送顺序(输送Priority)将监视器晶圆200输送至晶舟217。
这里，如果能够在开盒器21上载置2个载体110，且若载置载体(P01)110和载体(M01)110，则可以不用将产品晶圆200和监视器晶圆200分开而连续地对搬送输送顺序进行设置顺位，因此可以缩短搬送输送时间。此外，如果可以在1个载体110上混合设置监视器晶圆200和产品晶圆200，则同样地可以不用将产品晶圆200和监视器晶圆200分开而连续地设置顺位，从而能够缩短搬送输送时间。
当向晶舟217移载晶圆200结束时，进行晶圆200的输送位置的错位确认，如无异常，则执行时序制程方法所定义的加工制程方法。控制部121通过执行加工制程方法，来实施前述的基板处理工序。
此外，当然，针对处理模块PM-2也与处理模块PM-1同样地进行。
(其他实施方式)
图12B示出了其他实施方式中的基板移载参数的一例。该基板移载参数表示存储部121c内存储的材料处理顺序1、材料处理顺序2。即，不使用仿真晶圆200的非仿真的基板移载参数，与图12A的产品晶圆200为相同个数。同样地，包含表示对处理对象晶圆200进行处理的顺序的信息、以及载置于晶舟217的处理对象晶圆200的输送源信息。另外，输送元信息包含表示存储处理对象晶圆200的载体110的信息、以及表示处理对象晶圆200在载体110内载置的槽号的信息。
与本实施方式不同的是，由于不使用仿真晶圆200，因此只使用产品晶圆200，从而将缩短将晶圆200输送至晶舟217的时间。进一步地，由于无需向基板处理装置10内输入仿真晶圆200，因此不会成为一个污染源，从而可以保持基板处理装置10内的清洁。
在上述实施方式中，在由一个(左侧或右侧)载置台122上的晶圆移载机构125将晶圆装入到晶舟217的装入作业中，通过晶圆盒输送装置130将其它晶圆盒110从晶圆盒架105输送并移载到另一个(左侧或右侧)载置台122，开盒器21对晶圆盒110的打开作业同时进行。
另外，在上述实施方式中，说明使用具有热壁式处理炉的基板处理装置将薄膜进行成膜的示例，但是本发明并不限定于此，在使用具有冷壁式处理炉的基板处理装置将薄膜进行成膜的情况下也能够优选应用。
另外，并不限定于本实施例所涉及的基板处理装置那样对半导体晶圆进行处理的半导体制造装置等，还能够应用于对玻璃基板进行处理的LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示)制造装置。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
基板保持架，其保持多个基板；
存储部，其存储至少包含能够载置于上述基板保持架的基板个数的装置参数和分别定义维护项目和维护编号的装置参数；
控制部，其根据该装置参数来生成基板移载数据，该基板移载数据包含表示输送上述基板的顺序的输送顺序信息、载置于上述基板保持架的上述基板的输送源信息、以及表示处理上述基板的处理室的输送目的地信息，
上述控制部对各处理室中的、以相当于上述维护编号的上述维护项目定义的项目的当前值分别进行比较，并决定输送上述基板的上述处理室的顺序，
其中，上述基板移载数据包含以下信息作为上述输送源信息：表示存储载置于上述基板保持架的基板的载体的信息、以及表示被载置于上述载体的槽号的信息，
该基板处理装置还分别具有按每个登入用户设定能够使用的处理室的登入参数、或按每个上述载体的种类设定能够使用的处理室的载体参数，
上述控制部在按每个上述处理室而对上述基板进行处理的膜种类不同的情况下，根据上述登入参数的内容来决定输送各种基板的上述处理室，在对上述基板进行处理的膜种类分别相同的情况下，根据上述载体参数的内容来决定输送上述各种基板的上述处理室，以防止用户错误操作。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述基板处理装置还具备监视器基板，
上述基板移载数据将上述输送顺序信息设定成输送上述监视器基板。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在载置于上述基板保持架的基板的个数被设定为能够载置于上述基板保持架的基板个数以下时，上述控制部生成上述基板移载数据使得输送到从多个处理室中选择的一个处理室。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在载置于上述基板保持架的基板的个数被设定为多于能够载置于上述基板保持架的基板的最大个数时，上述控制部生成上述基板移载数据使得进行分配输送。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在载置于上述基板保持架的基板的个数被设定为多于能够载置于上述载体的基板个数时，上述控制部生成上述基板移载数据使得进行分配输送。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在载置于上述基板保持架的基板的个数被设定为能够载置于上述载体的基板个数以下时，上述控制部生成上述基板移载数据使得输送到从多个处理室选择的一个处理室。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具有按每个膜种类对上述载体进行定义的装置参数，
上述控制部在上述载体被输入到装置时获取上述装置参数，并根据输入操作来决定对存储到上述载体内的基板进行处理的上述处理室。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还具备：操作部，其具有设定上述登入参数的设定画面，
上述操作部还具有能够分别设定所使用的载体的类型和个数的设定画面，
上述控制部在上述操作部的输入操作时显示在上述设定画面上设定的上述载体。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
上述基板为25个以上100个以下。
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该方法具有以下工序：
根据至少包含能够载置于保持多个基板的基板保持架的基板个数的装置参数和分别定义维护项目和维护编号的装置参数来生成基板移载数据，上述基板移载数据包含以下信息：表示输送上述基板的顺序的输送顺序信息、载置于上述基板保持架的上述基板的输送源信息、以及表示处理上述基板的处理室的输送目的地信息；
根据上述基板移载数据将上述基板移载到上述基板保持架；以及
将上述基板保持架装入到炉内来对上述基板进行处理，
在生成上述基板移载数据的工序中，对各处理室中的、以相当于上述维护编号的上述维护项目定义的项目的当前值分别进行比较，并决定输送上述基板的上述处理室的顺序，
其中，上述基板移载数据包含以下信息作为上述输送源信息：表示存储载置于上述基板保持架的基板的载体的信息、以及表示被载置于上述载体的槽号的信息，
该基板处理装置还分别具有按每个登入用户设定能够使用的处理室的登入参数、或按每个上述载体的种类设定能够使用的处理室的载体参数，
在按每个上述处理室而对上述基板进行处理的膜种类不同的情况下，根据上述登入参数的内容来决定输送各种基板的上述处理室，在对上述基板进行处理的膜种类分别相同的情况下，根据上述载体参数的内容来决定输送上述各种基板的上述处理室，以防止用户错误操作。
11.一种计算机能够读取的记录介质，其存储有由基板处理装置执行的程序，该基板处理装置具备：
基板保持架，其保持多个基板；
移载机构，其将上述基板装填至上述基板保持架；以及
控制部，其使上述移载机构将上述基板移载到上述基板保持架，
其特征在于，
上述程序使上述控制部执行以下步骤：
根据至少包含能够载置于上述基板保持架的基板个数的装置参数和分别定义维护项目和维护编号的装置参数来生成基板移载数据的步骤，其中，上述基板移载数据包含以下信息：表示输送上述基板的顺序的输送顺序信息、载置于上述基板保持架的上述基板的输送源信息、以及表示处理上述基板的处理室的输送目的地信息；
根据所生成的上述基板移载数据，使上述移载机构移载上述基板的步骤；以及
对各处理室中的、以相当于上述维护编号的上述维护项目定义的项目的当前值分别进行比较，并决定输送上述基板的上述处理室的顺序的步骤，
其中，上述基板移载数据包含以下信息作为上述输送源信息：表示存储载置于上述基板保持架的基板的载体的信息、以及表示被载置于上述载体的槽号的信息，
该基板处理装置还分别具有按每个登入用户设定能够使用的处理室的登入参数、或按每个上述载体的种类设定能够使用的处理室的载体参数，
在按每个上述处理室而对上述基板进行处理的膜种类不同的情况下，根据上述登入参数的内容来决定输送各种基板的上述处理室，在对上述基板进行处理的膜种类分别相同的情况下，根据上述载体参数的内容来决定输送上述各种基板的上述处理室，以防止用户错误操作。
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