JP5921200B2 - 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、縮退運用プログラムおよび生産リストの作成プログラム - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、縮退運用プログラムおよび生産リストの作成プログラム Download PDF

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Description

本発明は、所定枚数の基板を一括で処理する処理室を備えた基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及び縮退運用プログラムに関する。
所定枚数の基板を一括で処理する処理室を備えた基板処理装置において、一括での処理に必要な製品基板の枚数に不足が生じる場合があった。処理室内の基板載置台に不足分の基板が移載されないまま基板処理を実施すると、例えば基板載置台上に生成物が付着し、その基板載置台上でのその後の処理に悪影響を及ぼしかねない。そこで、不足分をダミー基板で補って基板処理を行う運用方法がある。例えば、特許文献１では、ロットの最後に生じてしまう基板載置台の空きスペースをダミー基板で埋めることにより、基板処理の均一化が図られている。
一方、処理室内に基板を所定枚数搬送する際に、基板処理装置の所定箇所で異常が発生する場合がある。その場合、異常が発生した箇所を切り離し、基板処理を続行する縮退運用を行うことがあった。例えば、特許文献２では、異常が発生した処理室から正常な処理室での処理に切り替えて基板処理を続行し、生産効率を向上させている。
所定枚数の基板を一括処理する処理室を備えた基板処理装置において、ロット処理の際、基板を搬送中に異常が発生した場合、搬送中の基板が基板処理装置内の所定位置で滞留する。このため、処理室内での一括処理に必要な基板が不足してしまうことがあった。この不足分はダミー基板で補うようにしているが、何らかの原因でダミー基板による補充ができなければ、処理を停止させるしかなかった。
特開２００１−２５０７８０号公報 特開２００６−３３９６６２号公報
本発明の目的は、基板搬送中の異常が原因で基板が滞留しても、ダミー基板で補充することにより、一括処理に必要な基板を処理室内に搬送して、基板処理を行うことが可能な基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及び縮退運用プログラムを提供することにある。
本発明の一態様によれば、
所定の基板を各室内に搬送するよう制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記基板搬送中に異常を検出したら、
前記異常が発生した箇所を特定し、
前記異常が発生した箇所を含む前記基板処理装置の各部について、前記基板の処理状況に応じて処理内容が定義された縮退運用テーブルを、前記異常が発生した箇所に応じて選択し、
選択した前記縮退運用テーブルに従って前記基板を搬送するよう制御する
基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
基板搬送中に異常を検出する工程と、
前記異常が発生した箇所を特定する工程と、
前記異常が発生した箇所を含む基板処理装置の各部について、前記基板の処理状況に応じて処理内容が定義された縮退運用テーブルを、前記異常が発生した箇所に応じて選択する工程と、
選択した前記縮退運用テーブルに従って前記基板を搬送する工程と、を少なくとも有する
基板処理方法が提供される。
本発明によれば、基板を搬送中に異常が発生し、縮退運用による切り離し箇所に基板が滞留しても、一括処理に必要な基板に不足を生じさせることなく、基板処理を続行することが可能な基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法及び縮退運用プログラムが提供される。
本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の装置コントローラの構成図である。 本発明の第１実施形態に係る制御手段が上位コンピュータからの生産リストの受信時に行う生産リストの再作成のフロー図である。 本発明の第１実施形態に係る制御手段が上位コンピュータからの生産リストの受信時に行う生産リストの再作成の説明図である。 本発明の第１実施形態に係る制御手段が異常発生時に行う縮退運用を含む基板搬送のフロー図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の異常発生箇所がいずれかの処理室である場合の縮退運用テーブルの設定内容を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の異常発生箇所がいずれかの予備室である場合の縮退運用テーブルの設定内容を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の異常発生箇所がいずれかの処理室のゲートバルブである場合の縮退運用テーブルの設定内容を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の異常発生箇所がいずれかの予備室の真空搬送室側のゲートバルブである場合の縮退運用テーブルの設定内容を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る制御手段が異常発生時の縮退運用を開始するときに行う生産リストの再作成のフロー図である。 本発明の第１実施形態に係る制御手段が異常発生時の縮退運用を開始するときに行う生産リストの再作成の説明図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のいずれかの処理室で異常が発生した際に、単数ロットの基板を処理する場合の縮退運用の様子を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のいずれかの処理室で異常が発生した際に、複数ロットの基板を処理する場合の縮退運用の様子を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のいずれかのロードロック室で異常が発生した際に、単数ロットの基板を処理する場合の縮退運用の様子を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のいずれかのロードロック室で異常が発生した際に、複数ロットの基板を処理する場合の縮退運用の様子を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置において、ダミー基板用パラメータを設定するパラメータ設定画面を例示する図である。 本発明の第２実施形態に係る制御手段が、「製品基板先詰め方式」に基づき、ダミー基板を使用した基板の搬送を行う様子を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る制御手段が、「製品基板後詰め方式」に基づき、ダミー基板を使用した基板の搬送を行う様子を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る制御手段が、「任意指定方式」に基づき、ダミー基板を使用した基板の搬送を行う様子を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る制御手段が上位コンピュータからの生産リストの受信時に行う生産リストの再作成のフロー図である。 本発明の第２実施形態に係る制御手段が上位コンピュータからの生産リストの受信時に行う生産リストの再作成の説明図である。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置のいずれかの処理室で異常が発生した際に、ダミー基板を含む基板を処理する場合の縮退運用の様子を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置のいずれかの処理室で異常が発生した際に、ダミー基板を含む基板を処理する場合の縮退運用の様子を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置のいずれかのロードロック室で異常が発生した際に、ダミー基板を含む基板を処理する場合の縮退運用の様子を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置のいずれかのロードロック室で異常が発生した際に、ダミー基板を含む基板を処理する場合の縮退運用の様子を示す図である。
＜本発明の第１実施形態＞
以下に、本発明の第１実施形態について説明する。
（１）基板処理装置の構成
まずは、本実施形態に係る基板処理装置の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る多枚葉式の基板処理装置１０の概略構成図である。
図１に示すように、基板処理装置１０は真空側と大気側とに分れている。
（真空側の構成）
基板処理装置１０の真空側には、真空気密可能な真空搬送室ＴＭ（Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｍｏｄｕｌｅ）と、予備室としてのロードロック室ＬＭ（Ｌｏａｄ Ｌｏｃｋ Ｍｏｄｕｌｅ）１，ＬＭ２と、複数の基板Ｗを一括で処理する処理室としてのプロセスチャンバＰＭ（Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｍｏｄｕｌｅ）１，ＰＭ２と、が設けられる。ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、真空搬送室ＴＭの外周を囲むように配置されている。
真空搬送室ＴＭは、真空状態などの大気圧未満の負圧（減圧）に耐えることが出来る構造に構成されている。なお、本実施形態においては、真空搬送室ＴＭの筐体は、平面視が五角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
真空搬送室ＴＭ内には、搬送手段としての真空ロボットＶＲが例えば１台設けられている。真空ロボットＶＲは、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２との間で、シリコン（Ｓｉ）等からなる製品基板やダミー基板等の基板Ｗの搬送を基板載置部である２本のアームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットＶＲは
、真空搬送室ＴＭの気密性を維持しつつ昇降できるように構成される。また、２本のアームはそれぞれ水平方向に伸縮でき、係る水平面内で回転移動できるように構成されている。また、真空搬送室ＴＭ内であって、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の各手前位置には、図示しない基板有無センサが設置され、アーム上の基板Ｗの存在を検知できるように構成されている。
プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、基板Ｗが載置される基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５およびＳＴ２１〜ＳＴ２５をそれぞれ備え、例えば基板Ｗを５枚ずつ一括で処理する多枚葉式の処理室として構成されている。すなわち、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、それぞれが例えばプラズマ等を用いたエッチングやアッシング、化学反応による成膜（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）など、基板Ｗに付加価値を与える処理室として機能する。
また、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、その機能に応じた各種の構成、例えばガス導入・排気機構や温度制御・プラズマ放電機構（いずれも図示せず）を備えている。これらの機構は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内へ供給する処理ガスの流量を制御する図示しないマスフローコントローラ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）等の圧力コントローラ１５、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の温度を制御する図示しない温度調整器、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ１３、各種スイッチ（ＳＷ）等のオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ１４などを備えている。上記各構成は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐに電気的に接続されている。プロセスチャンバコントローラ２３９ｐを含む装置コントローラとしての主制御部２３９の構成については後述する。
また、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、開閉弁としてのゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２により真空搬送室ＴＭにそれぞれ連接されている。したがって、ゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２を開けることにより、真空搬送室ＴＭとの間で減圧下にて基板Ｗの搬送を行うことが可能である。また、ゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２を閉じることにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の圧力や処理ガス雰囲気を保持したまま、基板Ｗに対して各種の基板処理を行うことが可能である。
ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、真空搬送室ＴＭ内へ基板Ｗを搬入する予備室として、あるいは真空搬送室ＴＭ内から基板Ｗを搬出する予備室として機能する。ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の内部には、基板Ｗを搬入搬出する際、基板Ｗを一時的に支持する基板載置部としての図示しないバッファステージが、それぞれ設けられている。バッファステージは、複数枚（例えば２枚）の基板Ｗを保持する多段型スロットとしてそれぞれ構成されていてもよい。
また、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、開閉弁としてのゲートバルブＬＧＶ１，ＬＧＶ２により真空搬送室ＴＭにそれぞれ連接されており、また、開閉弁としてのゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２により後述する大気搬送室ＥＦＥＭにそれぞれ連接されている。したがって、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＬＧＶ１，ＬＧＶ２を閉じたまま、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空気密を保持したまま、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２と大気搬送室ＥＦＥＭとの間で、大気圧下にて基板Ｗの搬送を行うことが可能である。
また、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、真空状態などの大気圧未満の減圧に耐えることが出来る構造に構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２を閉じてロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の内部を真空排気した後で、真空搬送室ＴＭ側のゲートバル
ブＬＧＶ１，ＬＧＶ２を開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空状態を保持したまま、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２と真空搬送室ＴＭとの間で、減圧下にて基板Ｗの搬送を行うことが可能である。
（大気側の構成）
一方、基板処理装置１０の大気側には、上述の通り、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２に接続されたフロントモジュールである大気搬送室ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）と、大気搬送室ＥＦＥＭに接続され、例えば１ロット分、２５枚の基板Ｗを収納した収納容器としてのキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３を載置する基板収容部としてのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３と、が設けられる。
大気搬送室ＥＦＥＭ内には、搬送手段としての大気ロボットＡＲが例えば１台設けられている。大気ロボットＡＲは、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２とロードポートＬＰ１〜ＬＰ３との間で基板Ｗの搬送を相互に行なう。大気ロボットＡＲも、真空ロボットＶＲと同様に基板載置部である２本のアームを有する。また、大気搬送室ＥＦＥＭ内であって、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の各手前位置には、図示しない基板有無センサが設置され、アーム上の基板Ｗの存在を検知できるように構成されている。
また、大気搬送室ＥＦＥＭ内には、基板位置補正装置として、基板Ｗの結晶方位の位置合わせ等を行うオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）合わせ装置ＯＦＡが設けられている。基板Ｗがノッチタイプであるときは、基板位置補正装置としてのノッチ合わせ装置を設けることも可能である。また、大気搬送室ＥＦＥＭには、大気搬送室ＥＦＥＭの内部にクリーンエアを供給する図示しないクリーンエアユニットが設けられている。
各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３は、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上に、複数枚の基板Ｗを収納する収納容器としてのキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３をそれぞれ載置するように構成される。キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３内には、基板Ｗをそれぞれ収納する収納部としてのスロット（図示せず）が例えば１ロット分、２５スロット設けられている。各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３はキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３が載置されると、キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３に付され、キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３を識別するキャリアＩＤを示すバーコード等を読み取って記憶するよう構成される。
また、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のうち、例えばロードポートＬＰ３にはダミー基板としての基板Ｗを収納する収納容器としてのダミーキャリアＣ３が常駐されている。製品基板としての基板Ｗは、例えばキャリアカセットＣＡ１又はキャリアカセットＣＡ２に収納され、ロードポートＬＰ１又はロードポートＬＰ２に載置され、基板処理装置１０内に搬送されて各種の基板処理を受けることとなる。なお、基板処理装置１０の基板処理能力の向上を図るため、また、多品種小ロット化に伴って製品基板用の搬送スペースを多数確保する必要があるため、基板処理装置１０内に常駐されるダミー基板のキャリアカセットは１つに留めることが望ましい。
以上、本実施形態の基板処理装置１０について説明をしたが、各室の数や構成、組み合わせは上記に限られず、適宜、選択することができる。
（２）装置コントローラの構成
次に、基板処理装置１０を制御する装置コントローラとしての主制御部２３９について、主に図２を用いて説明する。図２は、基板処理装置１０の主制御部（装置コントローラ）２３９の構成図である。
図２に示すように、装置コントローラとしての主制御部２３９には、スイッチングハブ
２３９ｈを介して、操作部コントローラ２３６と、制御手段としての搬送系コントローラ２３９ｔと、他の制御手段としてのプロセスチャンバコントローラ２３９ｐとがＬＡＮ等の通信ネットワーク２０で相互に接続されるように設けられている。また、真空搬送室ＴＭが備える真空ロボットＶＲと、大気搬送室ＥＦＥＭが備える大気ロボットＡＲとを制御するロボットコントローラ１１が、ＬＡＮ等の通信ネットワーク２０によりスイッチングハブ２３９ｈを介して設けられている。また、顧客のホストコンピュータ２３７が接続されている。
装置コントローラとしての主制御部２３９は、例えば基板処理装置１０の内部に設けられ、搬送系コントローラ２３９ｔ、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐを備えることで、基板処理装置１０の各部を制御するよう構成される。搬送系コントローラ２３９ｔとプロセスチャンバコントローラ２３９ｐとは、基板処理装置１０内に設けることに替えて、基板処理装置１０外に設けられていても良い。
操作部コントローラ２３６は、操作員とのインタフェースであり、表示装置２３６ｓや図示しない入力装置等を介して操作員による操作を受け付けるよう構成される。また、操作部コントローラ２３６は、汎用コンピュータとして構成されていてもよい。この場合、各種プログラムを格納した磁気テープやハードディスク、ＣＤやＤＶＤ等、コンピュータ読み取り可能な記録媒体を用いて汎用コンピュータにプログラムをインストールすることにより、後述する搬送系コントローラ２３９ｔやプロセスチャンバコントローラ２３９ｐを構成することができる。また、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、記録媒体を介さずにプログラムがインストールされるように構成されていてもよい。
（プロセスチャンバコントローラ及び搬送系コントローラ）
プロセスチャンバコントローラ２３９ｐ及び搬送系コントローラ２３９ｔは、例えばＣＰＵ等からなる。また、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐ及び搬送系コントローラ２３９ｔには、ＤｅｖｉｃｅＮｅｔ等のデジタル信号回線３０を通じて、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ１３、各種スイッチ（ＳＷ）等のオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ１４が、シーケンサ１２を介してそれぞれ接続されている。また、プロセスレシピや搬送レシピ及び各種プログラムが記憶される記憶手段２４１ｍ，２４２ｍをそれぞれ備える。
プロセスチャンバコントローラ２３９ｐは、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での基板処理を制御するよう構成される。具体的には、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐには、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）等の圧力コントローラ１５が、例えばシリアル回線４０を通じて接続されている。プロセスチャンバコントローラ２３９ｐは、例えば操作部コントローラ２３６を介して操作員により作成又は編集されたプロセスレシピに基づいて、製品基板やダミー基板を処理する際の制御データ（制御指示）を、圧力コントローラ１５や、処理ガスの供給・排気用バルブ、各種スイッチ、マスフローコントローラ、温度調整器等に対して出力し、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内における基板処理の制御を行う。
搬送系コントローラ２３９ｔは、基板Ｗの搬送制御や、操作員から指示された作業の実行を制御するよう構成される。具体的には、搬送系コントローラ２３９ｔには、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３に載置されたキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３を識別するキャリアＩＤを示すバーコード１，２，３・・・等が記憶される記憶部１６が、例えばシリアル回線４０を通じて接続されている。搬送系コントローラ２３９ｔは、例えば操作部コントローラ２３６を介して操作員により作成又は編集された搬送レシピに基づいて、製品基板やダミー基板を搬送する際の制御データ（制御指示）を、真空ロボットＶＲや大気ロボットＡＲ、各種バルブ、スイッチ等に対して出力し、基板処理装置１０内における基板Ｗの搬送
制御を行う。
基板Ｗの搬送制御に際し、搬送系コントローラ２３９ｔは、基板Ｗの搬送順や処理状況等が定義された生産リストの管理や再作成を行い、生産リストに従って基板Ｗの搬送を制御するよう構成される。また、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭＰ２内に基板Ｗを所定枚数搬送する際に異常が発生すると、異常が発生した箇所毎に基板Ｗの処理状況に応じて処理内容が定義された縮退運用テーブルに従って基板Ｗの搬送を続行するよう構成される。これにより、基板Ｗの自動生産の縮退運用が実現される。
（生産リスト及び生産リストの作成プログラム）
搬送系コントローラ２３９ｔが基板Ｗの搬送時に参照する生産リストは、ホストコンピュータ２３７等の上位コンピュータから主制御部２３９へと送信され、搬送系コントローラ２３９ｔが参照可能なように、主制御部２３９が備える記憶手段２４２ｍ等に読み出し可能に格納されている。生産リストには、基板Ｗが収納されるキャリアカセットが載置されるロードポートの位置、基板Ｗのキャリアカセット内のスロット番号、基板Ｗの搬送順、および「未処理」、「処理中」、「処理済」等の処理状況等を示す属性が定義されている。ここで、「未処理」とは所定のプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での基板処理を未だ受けていない状態をいい、「処理中」とは所定のプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内で基板処理中の状態をいい、「処理済」とは所定のプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での基板処理が完了した状態をいう。上記のように、搬送系コントローラ２３９ｔは、必要に応じて生産リストを再作成するよう構成される。
搬送系コントローラ２３９ｔによる生産リストの再作成は、記憶手段２４２ｍに格納されている生産リストの作成プログラムを搬送系コントローラ２３９ｔが実行することにより行われるよう構成される。係る生産リストの再作成は、主にホストコンピュータ２３７からの生産リストの受信時、及び基板Ｗを搬送する際に異常が発生し縮退運用を開始するときに行われるよう構成される。すなわち、搬送系コントローラ２３９ｔは、基板Ｗの搬送開始時に生産リストを受信すると、生産リスト内の製品基板の総数からダミー基板による補充の要否を判断し、必要に応じて生産リストにダミー基板を追加設定するよう構成される。また、搬送系コントローラ２３９ｔは、異常の発生により搬送中の基板Ｗの滞留が起きると、これにより生じた不足分を補うダミー基板を生産リストに追加設定するよう構成される。なお、生産リストの作成プログラムは、後述の縮退運用プログラムの一部に含まれる形態であってもかまわない。
（縮退運用テーブル及び縮退運用プログラム）
搬送系コントローラ２３９ｔが異常発生時に参照する縮退運用テーブル、及び、異常発生時に搬送系コントローラ２３９ｔにより実行され縮退運用テーブルに基づく縮退運用を行う縮退運用プログラムは、搬送系コントローラ２３９ｔが参照可能なよう、主制御部２３９が備える記憶手段２４２ｍ等に読み出し可能に格納されている。縮退運用テーブルは、例えばプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２、ゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２，ＬＧＶ１，ＬＧＶ２，ＬＧＡ１，ＬＧＡ２等の異常発生箇所毎に複数作成されている。各縮退運用テーブルには、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２、真空搬送室ＴＭ内に存在する基板Ｗの「未処理」、「処理中」、「処理済」等の処理状況に応じて異なる搬送手順が定義されている。
（３）基板処理装置の動作
次に、本実施形態に係る基板処理装置１０の動作について、図１、図３及び図４を参照しながら説明する。図３は、本実施形態に係る搬送系コントローラ２３９ｔがホストコンピュータ２３７からの生産リストの受信時に行う生産リストの再作成のフロー図である。図４は、本実施形態に係る搬送系コントローラ２３９ｔがホストコンピュータ２３７から
の生産リストの受信時に行う生産リストの再作成の説明図である。以下の説明において、基板処理装置１０の各部の動作は主制御部２３９により制御される。係る動作及び制御によって行われる基板処理工程は、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。
（大気搬送室内への搬送）
まずは、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＬＧＶ１，ＬＧＶ２を閉じ、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２を開いて、真空搬送室ＴＭ内及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内を真空排気する。併せて、大気搬送室ＥＦＥＭ内には、大気搬送室ＥＦＥＭ内が大気圧近傍になるようにクリーンエアを供給する。
上記各部の準備が整った後に、例えば複数枚の製品基板を収納したキャリアカセットＣＡ１がロードポートＬＰ１に載置（投入）されると、キャリアカセットＣＡ１を識別するキャリアＩＤが読み取られる。また、例えばロードポートＬＰ３には、ダミー基板が収納されたダミーキャリアＣ３が予め載置されている。
続いて、図３に示すように、主制御部２３９は、ホストコンピュータ２３７から生産リストを受信し、記憶手段２４２ｍに格納する（Ｓ１１）。搬送系コントローラ２３９ｔは、生産リストの作成プログラムを実行することにより、記憶手段２４２ｍから生産リストを読み出し、ダミー基板の補充が必要かどうかを判断する。すなわち、生産リスト中の製品基板の総数を、いずれかのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での一括処理に必要な枚数である「５」で割って、商Ｘと余りＮとを求める（Ｓ１２）。余りＮがゼロの場合は、商Ｘを基板処理に必要な回数とするとともにダミー基板の補充は不要と判断し（Ｓ１３→ＹＥＳ）、生産リストの再作成のフローを終了する。余りＮがゼロでない場合は、（Ｘ＋１）を基板処理に必要な回数とするとともにダミー基板の補充が必要と判断し（Ｓ１３→ＮＯ）、生産リストを再作成する以下のフローを行う。
まず、搬送系コントローラ２３９ｔは、カウンタｎを１に設定する（Ｓ１４）。次に、生産リストの（製品基板総数＋ｎ）番目の位置に、搬送元のダミーキャリアＣ３のスロット番号やダミー基板の処理状況等の情報を含むダミー基板の属性を設定し（Ｓ１６）、カウンタｎを１繰り上げる（Ｓ１７）。これ以降、ダミー基板の属性を設定した回数が補充を必要とするダミー基板の枚数（５−Ｎ）になるまでＳ１６及びＳ１７を繰り返す（Ｓ１５）。以上により、生産リストの再作成のフローが終了する。
なお、図４に、係るフローにより再作成された生産リストの一例を示す。図４上段の主制御部２３９が受信した生産リストには、処理レシピ名「レシピＡ」が設定されている。「レシピＡ」には、どのプロセスチャンバでどのような基板処理を行うかが定義されている。また、基板Ｗの搬送順を表わすＮｏ．１〜Ｎｏ．４までの位置には、基板総数４枚の製品基板の搬送元のロードポート及びキャリアカセット内のスロット番号、並びに処理状況を表わす属性が定義されている。
搬送系コントローラ２３９ｔは、上記フローに従い、受信した生産リストを図４下段のように再作成する。すなわち、生産リスト中の製品基板総数４÷５＝０．．．４であるから、基板処理に必要な回数は（０＋１）回、補充すべきダミー基板の枚数は（５−４）枚である。よって、生産リストのＮｏ．５の位置に１枚分のダミー基板の搬送元のロードポート及びダミー基板を収納するダミーキャリアＣ３のスロット番号、並びにダミー基板の処理状況を表わす属性を追加する。
生産リストの再作成のフローを終了すると、搬送系コントローラ２３９ｔは基板処理装置１０の各部を制御し、生産リストに従ってダミー基板と製品基板とを含む基板Ｗの搬送
を開始する。すなわち、図１に示すように、大気ロボットＡＲが、例えばキャリアカセットＣＡ１内の先頭の製品基板を、キャリアカセット内の所定スロットから大気搬送室ＥＦＥＭ内に搬送し、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上に載置し、結晶方位の位置合わせ等を実施する。
（真空搬送室内への搬送）
続いて、大気ロボットＡＲにより、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上の製品基板をピックアップし、少なくとも片側のロードロック室、例えばロードロック室ＬＭ１の大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブＬＧＡ１が開放された状態で、ロードロック室ＬＭ１内に搬送し、図示しないバッファステージ上に載置する。そして、ゲートバルブＬＧＡ１を閉じて、ロードロック室ＬＭ１内部を真空排気する。ロードロック室ＬＭ１内を所定の圧力まで減圧したら、ゲートバルブＬＧＡ１を閉じたまま、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＬＧＶ１を開ける。そして、真空ロボットＶＲにより、ロードロック室ＬＭ１内に載置されている製品基板等の基板Ｗをピックアップし、真空搬送室ＴＭ内へと搬送する。
この間、ロードロック室ＬＭ２を用いた真空搬送室ＴＭ内への基板Ｗの搬送も同時進行で行われる。すなわち、基板Ｗが搬送されたロードロック室ＬＭ１内を減圧している間、例えばキャリアカセットＣＡ１内の２枚目の製品基板等の基板Ｗについても、上記と同様の手順により、ロードロック室ＬＭ２内へ、そして、真空搬送室ＴＭ内へと搬送する。
（プロセスチャンバ内への搬送）
真空搬送室ＴＭ内へと基板Ｗが搬送されると、例えばプロセスチャンバＰＭ１側のゲートバルブＰＧＶ１を開けて、プロセスチャンバＰＭ１内に基板Ｗを搬送し、基板載置台ＳＴ１１上に載置する。上記生産リストに基づく製品基板とダミー基板とを含む基板ＷのプロセスチャンバＰＭ１内への搬送は、例えばプロセスチャンバＰＭ１内での処理に必要な基板枚数の基板Ｗが搬送され、プロセスチャンバＰＭ１内の全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５が埋まるまで繰り返される。
（プロセスチャンバ内での処理）
所定枚数の基板ＷがプロセスチャンバＰＭ１内に搬送された後、プロセスチャンバＰＭ１内に処理ガスを供給したり基板Ｗを加熱したりなどして、基板Ｗに対して所定の処理、例えばプラズマ等を用いた成膜処理等を実施する。このとき、プロセスチャンバＰＭ２内においても、同一の、或いは異なる内容の基板処理が同時進行される場合もある。
ここで、全ての基板載置台を埋めることなく、一括での処理に必要な基板枚数に満たない状態で基板処理を行った場合、基板が載置されなかった基板載置台には、基板処理の内容に応じて、不要の成膜やエッチング処理等が施されてしまう。特にプラズマを用いた基板処理では、プラズマ電極ともなる基板載置台に電気的特性の変化やそれに伴う基板処理性能の変化が生じ、成膜特性やエッチング特性が悪化してしまうことがあった。
本実施形態では、全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５が埋まるよう、必要に応じて生産リストを再作成し、製品基板の不足分をダミー基板で補っている。よって、全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５に基板Ｗが載置され、基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５に不要の基板処理が施されることを抑制できる。よって、成膜特性やエッチング特性等の基板処理特性が安定する。
（ロードロック室内への搬送）
必要な処理が全て完了したら、真空ロボットＶＲにより、例えばプロセスチャンバＰＭ１内部の基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５上に載置されている処理済の基板Ｗをピックアップし、例えばロードロック室ＬＭ１の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＬＧＶ１を開けて
ロードロック室ＬＭ１内に搬送し、バッファステージ上へ載置する。その後、ゲートバルブＬＧＶ１を閉め、ロードロック室ＬＭ１内にクリーンガスを供給してロードロック室ＬＭ１内を大気圧近傍に戻し、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブＬＧＡ１を開ける。
（キャリアカセットへの収納）
続いて、大気ロボットＡＲにより、ロードロック室ＬＭ１内に載置されている処理済みの製品基板をピックアップして、例えばロードポートＬＰ１に載置されたキャリアカセットＣＡ１に搬送して空きスロットに収納する。また、ロードロック室ＬＭ１内に載置されるダミー基板があれば、ダミー基板をピックアップして、例えばロードポートＬＰ３に載置されたダミーキャリアＣ３に搬送して空きスロットに収納する。処理済みの全ての基板Ｗを所定のキャリアカセットＣＡ１、ダミーキャリアＣ３等に収納したら、ダミー基板を収納したダミーキャリアＣ３はロードポートＬＰ３に常駐させたまま、処理済みの製品基板を収納したキャリアカセットＣＡ１をロードポートＬＰ１から搬出して、自動搬送処理を完了する。
以上のように、基板処理装置１０における基板Ｗの搬送は、いずれかのロードポートに製品基板やダミー基板等の基板Ｗを収納するキャリアカセットが載置されたときに開始され、最後の基板Ｗがキャリアカセットへと収納されたときに終了する。つまり、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の昇圧・降圧待ちや、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での基板処理の終了待ち、異常発生時の縮退運用への切り替え待ち等で、真空ロボットＶＲや大気ロボットＡＲ、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ等の搬送に係る各部の動作が一時的に止まっている状態も基板Ｗの搬送中の状態に含まれる。
（４）基板処理装置の縮退運用
上記基板処理装置１０の一連の動作において、例えばプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２、ゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２，ＬＧＶ１，ＬＧＶ２，ＬＧＡ１，ＬＧＡ２等の所定箇所で異常が発生する場合がある。この場合、搬送系コントローラ２３９ｔは、異常箇所を切り離し、縮退運用テーブルに従って基板処理を続行する。以下に、基板処理装置１０の縮退運用について、図５〜図９を用いて説明する。
図５は、本実施形態に係る搬送系コントローラ２３９ｔが異常発生時に行う縮退運用を含む基板搬送のフロー図である。図６〜図９は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１０の異常発生箇所ごとの縮退運用テーブルの設定内容を示す図である。以下の説明においても、基板処理装置１０の各部の動作は主制御部２３９により制御される。
（縮退運用のフロー）
図５に示すように、搬送系コントローラ２３９ｔは、ホストコンピュータ２３７から受信し、必要に応じて再作成（Ｓ１０）した生産リストに従って基板Ｗの搬送を制御する（Ｓ２１）。この基板Ｗの搬送時に異常が発生すると、異常が発生した旨のエラーメッセージが搬送系コントローラ２３９ｔに送信され、搬送系コントローラ２３９ｔが異常を検知する（Ｓ２２）。異常を検知した搬送系コントローラ２３９ｔは、縮退運用プログラムを実行することにより、通知されたエラーメッセージを解読し、異常箇所を特定する（Ｓ２３）。次に、異常箇所に応じた縮退運用テーブルを選択し（Ｓ２４）、選択した縮退運用テーブルに従って少なくとも一部の基板Ｗの搬送を続行する（Ｓ２５）。このとき、搬送系コントローラ２３９ｔは、必要に応じて生産リストを再作成する（Ｓ３０）。生産リストの再作成については後述する。
以下に、異常発生箇所ごとに予め作成された縮退運用テーブルに従って基板Ｗの処理状況に応じて異なる手順で行われる搬送等の処理内容について、いくつかのパターンに分けて説明する。
（異常箇所がプロセスチャンバの場合）
図６に、異常発生箇所がいずれかのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２である場合の縮退運用テーブルの設定内容を示す。この場合においては、異常が発生したプロセスチャンバを切り離し、縮退運用によりそれ以外の各部を用いて基板処理を続行する。
すなわち、図６に示すように、異常が発生したプロセスチャンバ（以下、異常ＰＭという）内に存在する基板Ｗは、そのまま異常ＰＭ内に滞留させる。
異常が発生していないプロセスチャンバ（以下、正常ＰＭという）内に存在する基板Ｗについては、基板Ｗの処理状況に応じて異なる処理内容が適用される。正常ＰＭ内の基板Ｗが「未処理」の場合には、所定の基板処理を施された後、基板Ｗはキャリアカセットへと戻される。「処理中」の基板Ｗは、基板処理の正常終了を待ってキャリアカセットへと戻される。「処理済」の基板Ｗは、キャリアカセットへと戻される。
また、これ以降、正常ＰＭを用いてキャリアカセット内に残った未処理の基板Ｗの処理が続行される。なお、一括処理に必要な未処理の基板に不足が生じてしまうときは、搬送系コントローラ２３９ｔにより生産リストの再作成が行われ、生産リストに不足分のダミー基板の属性が追加される。これにより、ダミー基板による不足分の補充が行われ、基板処理が続行される。
プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２以外の各部、すなわち、真空搬送室ＴＭ内、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内、大気搬送室ＥＦＥＭ内及びオリフラ合わせ装置ＯＦＡ上に位置する基板Ｗについては、生産リストに従って搬送動作が続行される。
（異常箇所がロードロック室の場合）
図７に、異常発生箇所がいずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２である場合の縮退運用テーブルの設定内容を示す。ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の異常には、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２自体に異常が発生した場合のほか、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の大気搬送室ＥＦＥＭ側のいずれかのゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２に異常が発生した場合等を含む。ゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２の異常発生時には例えばロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の減圧制御ができなくなるので、上記いずれの場合もロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は使用不能となり、縮退運用テーブルの設定内容は同一となる。
具体的には、図７の上段がいずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２で異常が発生した場合であり、下段がいずれかのゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２で異常が発生した場合である。これらの場合においては、異常が発生した側のロードロック室を切り離し、縮退運用によりそれ以外の各部を用いて基板処理を続行する。
すなわち、図７に示すように、異常が発生したロードロック室（以下、異常ＬＭという）内に存在する基板Ｗは、基板Ｗの処理状況を表わす基板属性に関係なくそのまま異常ＬＭ内に滞留させる。
異常が発生していないロードロック室（以下、正常ＬＭという）内に存在する基板Ｗについては、処理状況に関係なく生産リストに従って搬送動作が続行される。また、これ以降、正常ＬＭを介して基板Ｗの搬送が続行される。
プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に存在する基板Ｗについては、基板Ｗの処理状況に応じて異なる処理内容が適用される。基板Ｗが「未処理」の場合には、所定の基板処理を施された後、基板Ｗはキャリアカセットへと戻される。「処理中」の基板Ｗは、基板処理
の正常終了を待ってキャリアカセットへと戻される。「処理済」の基板Ｗは、キャリアカセットへと戻される。また、これ以降、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内にて、正常ＬＭを介して搬送される未処理の基板Ｗの処理を続行する。なお、一括での処理に必要な未処理の基板枚数に不足が生じてしまうときは、搬送系コントローラ２３９ｔにより不足分のダミー基板の属性を追加する生産リストの再作成が行われたうえで、搬送を続行する。
その他、真空搬送室ＴＭ内、大気搬送室ＥＦＥＭ内及びオリフラ合わせ装置ＯＦＡにおいても、基板Ｗの処理状況に関係なく生産リストに従って搬送動作が続行される。
（異常箇所がプロセスチャンバのゲートバルブの場合）
図８に、異常発生箇所がいずれかのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２のゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２である場合の縮退運用テーブルの設定内容を示す。この場合においては、基板処理の続行が不可となるため、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２及び真空搬送室ＴＭを切り離し、それ以外の各部から基板Ｗを回収する。
基板処理装置１０においては、パーティクルの拡散抑制等の観点から、真空搬送室ＴＭに連結されるゲートバルブを２つ以上、同時に開放することは禁止されている。したがって、いずれかのゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２に異常が生じた場合、同時開放の状態となるのを避けるため、真空搬送室ＴＭに対する搬入出を停止する。つまり、図８に示すように、真空搬送室ＴＭ内に存在する基板Ｗは、基板Ｗの処理状況を表わす基板属性に関係なくそのまま真空搬送室ＴＭ内に滞留させる。
プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に存在する基板Ｗについては、異常の発生した側、していない側（以下、異常側ＰＭ，正常側ＰＭという）ともに、基板Ｗの処理状況に応じた搬送内容が適用される。「未処理」又は「処理済」の基板Ｗは、そのままプロセスチャンバ内に滞留させる。「処理中」の基板Ｗは、基板処理の正常終了を待ってプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に滞留させる。プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内は、その後、大気圧近傍まで昇圧される。
また、上記のように基板処理の続行は不可であるため、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内、大気搬送室ＥＦＥＭ内及びオリフラ合わせ装置ＯＦＡ上に位置する基板Ｗについては、属性に関係なくキャリアカセットへと回収される。
真空搬送室ＴＭ内およびプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に滞留させた基板Ｗについては、真空搬送室ＴＭとロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２との間で真空状態での回収が行われる。真空状態での回収ができないようであれば、少なくとも真空搬送室ＴＭおよびプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２が大気圧近傍に達するまでは回収されない。真空搬送室ＴＭおよびプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２が大気圧近傍に達した後に、搬送可能な経路を介して回収可能な基板Ｗがあれば、大気圧下で搬送されキャリアカセットへと回収される。このとき、例えば真空搬送室ＴＭ内に大気圧センサを設けておき、センサ値が大気圧近傍等の所定値になったところで、基板Ｗが回収されるよう構成してもよい。
（異常箇所がロードロック室の真空搬送室側のゲートバルブの場合）
図９に、異常発生箇所がいずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブＬＧＶ１，ＬＧＶ２である場合の縮退運用テーブルの設定内容を示す。この場合においては、基板処理の続行が不可となるため、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２、真空搬送室ＴＭ及び異常が発生した側のロードロック室を切り離し、それ以外の各部から基板Ｗを回収する。
すなわち、上述したように、真空搬送室ＴＭに連結される２つ以上のゲートバルブが同
時に開放されることを避けるため、真空搬送室ＴＭに対する搬入出を停止し、図９に示すように、真空搬送室ＴＭ内に存在する基板Ｗは、基板Ｗの処理状況を表わす属性に関係なくそのまま真空搬送室ＴＭ内に滞留させる。
プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に存在する基板Ｗについては、基板Ｗの処理状況に応じた処理内容が適用される。「未処理」又は「処理済」の基板Ｗは、そのままプロセスチャンバ内に滞留させる。「処理中」の基板Ｗは、基板処理の正常終了を待ってプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に滞留させる。プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内は、その後、大気圧近傍まで昇圧される。
異常が発生した側のロードロック室（以下、異常側ＬＭという）内に存在する基板Ｗは、基板属性に関係なくそのまま異常側ＬＭ内に滞留させる。異常側ＬＭ内は、その後、大気圧近傍に戻される。
また、上記のように基板処理の続行は不可であるため、異常が発生していない側のロードロック室（以下、正常側ＬＭという）内、大気搬送室ＥＦＥＭ内及びオリフラ合わせ装置ＯＦＡ上においては、基板Ｗは属性に関係なくキャリアカセットへと回収される。
また、真空搬送室ＴＭと正常側ＬＭとの間では、滞留させた基板Ｗが真空状態で回収される。但し、真空状態での回収が不可能ならば、真空搬送室ＴＭ内、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内および異常側ＬＭ内に滞留させた基板Ｗは、少なくとも真空搬送室ＴＭ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２および異常側ＬＭが大気圧近傍に達するまでは回収されない。真空搬送室ＴＭ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２および異常側ＬＭが大気圧近傍に達した後に、搬送可能な経路を介して回収可能な基板Ｗがあれば、大気圧下で搬送されキャリアカセットへと回収される。このとき、例えば真空搬送室ＴＭ内に大気圧センサを設けておき、センサ値が大気圧近傍等の所定値になったところで、基板Ｗが回収されるよう構成してもよい。
以上のように、本実施形態では、基板処理装置１０内で異常が発生しても、縮退運用により異常が発生した箇所を切り離し、基板処理を続行することができる。これにより、基板処理装置１０の生産性を向上させることができる。また、基板処理が続行されない場合でも、基板処理装置１０内の基板Ｗを速やかに回収し、復旧に向けての対応を素早く開始することができる。よって、基板処理装置１０のダウンタイムを短縮することができる。
（５）縮退運用開始時の生産リストの再作成
次に、基板処理装置１０の縮退運用時に必要に応じて行われる生産リストの再作成について図１０〜図１５を用いて説明する。図１０は、本実施形態に係る搬送系コントローラ２３９ｔが異常発生時の縮退運用を開始するときに行う生産リストの再作成のフロー図である。図１１は、本実施形態に係る搬送系コントローラ２３９ｔが異常発生時の縮退運用を開始するときに行う生産リストの再作成の説明図である。図１２〜図１５は、本実施形態に係る基板処理装置１０の異常発生箇所ごとの縮退運用の様子を示す図である。以下の説明においても、基板処理装置１０の各部の動作は主制御部２３９により制御される。
（生産リストの再作成）
図１０に示すように、基板処理装置１０に異常が発生して縮退運用を開始するときは、搬送系コントローラ２３９ｔは、必要に応じて生産リストの再作成を行う。すなわち、搬送系コントローラ２３９ｔは、生産リストの作成プログラムを実行することにより、記憶手段２４２ｍから生産リストを読み出し、縮退運用により所定箇所に滞留させた基板Ｗを除き、生産リスト中に含まれる未処理の基板Ｗの枚数を特定する（Ｓ３１）。次に、搬送系コントローラ２３９ｔは、未処理の基板Ｗの枚数を一括処理に必要な基板枚数「５」で
割って商Ｘと余りＮとを求める（Ｓ３２）。余りＮがゼロの場合は、商Ｘを残りの基板Ｗの処理に必要な回数とするとともにダミー基板の補充は不要と判断し（Ｓ３３→ＹＥＳ）、生産リストの再作成のフローを終了する。余りＮがゼロでない場合は、（Ｘ＋１）を残りの基板Ｗの処理に必要な回数とするとともにダミー基板の補充が必要と判断し（Ｓ３３→ＮＯ）、生産リストを再作成する以下のフローを行う。
まず、搬送系コントローラ２３９ｔは、カウンタｎを１に設定する（Ｓ３４）。次に、生産リストの（基板総数＋ｎ）番目の位置に、ダミー基板の属性を設定し（Ｓ３６）、カウンタｎを１繰り上げる（Ｓ３７）。これ以降、ダミー基板の属性を設定した回数が補充を必要とするダミー基板の枚数（５−Ｎ）になるまでＳ３６及びＳ３７を繰り返す（Ｓ３５）。以上により、生産リストの再作成のフローが終了する。
なお、図１１に、係るフローにより再作成された生産リストの一例を示す。図１１上段の主制御部２３９が参照中であった生産リストには、使用するプロセスチャンバや基板処理の内容が定義された処理レシピ名「レシピＡ」が設定され、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４までの位置には４枚の製品基板の属性が、Ｎｏ．５の位置には１枚のダミー基板の属性が定義されている。
この生産リストに従い主制御部２３９によりＮｏ．１〜Ｎｏ．３までの製品基板をプロセスチャンバＰＭ１内に搬送したところでプロセスチャンバＰＭ１にて異常が発生し、縮退運用を開始する場合、搬送系コントローラ２３９ｔは、上記フローに従い、図１１下段のように生産リストを再作成する。すなわち、生産リスト中のプロセスチャンバＰＭ１内に滞留させる３枚の製品基板を除くＮｏ．４〜Ｎｏ．５までの未処理の基板枚数２÷５＝０．．．２であるから、基板処理に必要な回数は（０＋１）回、補充すべきダミー基板の数は（５−２）枚である。よって、生産リストのＮｏ．６〜Ｎｏ．８までの位置に３枚分のダミー基板の属性を追加する。
これ以降、搬送系コントローラ２３９ｔは、異常発生箇所に応じて選択した縮退運用テーブル及び必要に応じて再作成した生産リストに従って基板処理を続行する。以下に、生産リストの再作成が必要となる場合の基板Ｗの処理や搬送の手順について、いくつかのパターンに分けて説明する。
（異常箇所がプロセスチャンバの場合）
まずは、図１２及び図１３を用い、単数ロット又は複数ロットの基板Ｗを処理する場合に、いずれかのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２で異常が発生した際の手順について説明する。係る場合、上述の図６に示した縮退運用テーブルが選択される。以下の説明では、図６に示したうち、正常ＰＭにおける基板Ｗの基板属性が「未処理」の場合について述べる。
図１２は、単数ロットの基板Ｗを処理する場合に、いずれかのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２で異常が発生した際の縮退運用の様子を示す図である。図１２では、１０枚の製品基板Ａ１〜Ａ１０を有するロットＡが収納されるキャリアカセットＣＡ１がロードポートＬＰ１に載置されている。当初の生産リストは、ダミー基板Ｄを補充することなく、製品基板Ａ１〜Ａ５をプロセスチャンバＰＭ１内で処理し、製品基板Ａ６〜Ａ１０をプロセスチャンバＰＭ２内で処理する内容であったものとする。また、係る生産リストに従ってロードロック室ＬＭ１内から真空搬送室ＴＭ内へと未処理の製品基板Ａ５を搬送中に、未処理の製品基板Ａ１〜Ａ４までが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１にて異常が発生したものとする。また、ロードロック室ＬＭ２内、大気搬送室ＥＦＥＭ内、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上には、生産リストに従って未処理の製品基板Ａ６〜Ａ８までがそれぞれ搬送されている。
上記の場合、プロセスチャンバＰＭ１内に存在する未処理の製品基板Ａ１〜Ａ４までは、そのままプロセスチャンバＰＭ１内に滞留させる。また、残った未処理の製品基板Ａ５〜Ａ１０は６枚であって、一括処理に必要な基板枚数「５」の倍数ではなく、基板枚数に不足が生じてしまう。このため、搬送系コントローラ２３９ｔによる生産リストの再作成が行われる。
すなわち、搬送系コントローラ２３９ｔは、製品基板Ａ５〜Ａ９までをプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して処理し、続いて、製品基板Ａ１０と４枚のダミー基板ＤとをプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して処理するよう生産リストを再作成する。その後、搬送系コントローラ２３９ｔは、再作成した生産リストに従って基板処理を続行し終了する。ロットＡは異常終了の扱いとなる。
次に、図１３について説明する。
図１３は、複数ロットの基板Ｗを処理する場合に、いずれかのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２で異常が発生した際の縮退運用の様子を示す図である。図１３では、５枚の製品基板Ａ１〜Ａ５を有するロットＡ及び５枚の製品基板Ｂ１〜Ｂ５を有するロットＢが収納されるキャリアカセットＣＡ１がロードポートＬＰ１に載置されている。当初の生産リストは、ダミー基板Ｄを補充することなく、ロットＡの製品基板Ａ１〜Ａ５をプロセスチャンバＰＭ１内で処理し、ロットＢの製品基板Ｂ１〜Ｂ５をプロセスチャンバＰＭ２内で処理する内容であったものとする。また、係る生産リストに従ってロードロック室ＬＭ１内から真空搬送室ＴＭ内へと未処理の製品基板Ａ５を搬送中に、未処理の製品基板Ａ１〜Ａ４までが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１にて異常が発生したものとする。また、ロードロック室ＬＭ２内、大気搬送室ＥＦＥＭ内、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上には、生産リストに従って未処理の製品基板Ｂ１〜Ｂ３までがそれぞれ搬送されている。
上記の場合、プロセスチャンバＰＭ１内に存在する未処理の製品基板Ａ１〜Ａ４までは、そのままプロセスチャンバＰＭ１内に滞留させる。また、残った未処理の製品基板Ａ５，Ｂ１〜Ｂ５はロットが異なるため、生産管理上、同一のプロセスチャンバ内での一括処理は行わない。よって、１枚のみが残ったロットＡの製品基板Ａ５は一括処理に必要な基板枚数「５」に満たず、不足が生じてしまう。そこで、搬送系コントローラ２３９ｔによる生産リストの再作成が行われる。
すなわち、搬送系コントローラ２３９ｔは、製品基板Ａ５と４枚のダミー基板ＤとをプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して処理し、続いて、製品基板Ｂ１〜Ｂ５までをプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して処理するよう生産リストを再作成する。その後、搬送系コントローラ２３９ｔは、再作成した生産リストに従って基板処理を続行する。具体的には、製品基板Ａ５をプロセスチャンバＰＭ２内に搬送するとともに、製品基板Ｂ１〜Ｂ３を一旦、キャリアカセットＣＡ１内へと回収する。続いて、４枚のダミー基板ＤをプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して製品基板Ａ５と共に処理を行い、それぞれダミーキャリアＣ３、キャリアカセットＣＡ１内へと戻した後、プロセスチャンバＰＭ２内に製品基板Ｂ１〜Ｂ３を再搬送し、さらに製品基板Ｂ４，Ｂ５を新たに搬送して基板処理を行う。ロットＡは異常終了の扱いとなり、ロットＢは正常終了の扱いとなる。
（異常箇所がロードロック室の場合）
続いて、図１４及び図１５を用い、単数ロット又は複数ロットの基板Ｗを処理する場合に、いずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２で、つまり、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２自体や大気搬送室ＥＦＥＭ側のいずれかのゲートバルブＬＧＡ１，ＬＧＡ２で異常が発生した際の手順について説明する。係る場合、上述の図７に示した縮退運用テーブルが選
択され、いずれの場合も同一の手順となる。以下の説明では、上述の図７に示したうち、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２における基板Ｗの属性が「未処理」の場合について述べる。
図１４は、単数ロットの基板Ｗを処理する場合に、いずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２で異常が発生した際の縮退運用の様子を示す図である。図１４における処理対象の製品基板の内訳及び生産リストの内容は図１２の場合と同様である。また、図１４では、生産リストに従って、未処理の製品基板Ａ１〜Ａ３までが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１内に真空搬送室ＴＭ内から未処理の製品基板Ａ４を搬送中に、未処理の製品基板Ａ５が搬送されたロードロック室ＬＭ１にて異常が発生したものとする。また、ロードロック室ＬＭ２内、大気搬送室ＥＦＥＭ内、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上には、生産リストに従って未処理の製品基板Ａ６〜Ａ８までがそれぞれ搬送されている。
上記の場合、ロードロック室ＬＭ１内に存在する未処理の製品基板Ａ５は、そのままロードロック室ＬＭ１内に滞留させる。また、残った未処理の製品基板Ａ１〜Ａ４，Ａ６〜Ａ１０は９枚であって、一括処理に必要な基板枚数「５」の倍数ではなく、基板枚数に不足が生じてしまう。このため、搬送系コントローラ２３９ｔによる生産リストの再作成が行われる。
すなわち、搬送系コントローラ２３９ｔは、製品基板Ａ１〜Ａ４までが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１内に、さらに製品基板Ａ６搬送して処理し、続いて、製品基板Ａ７〜Ａ１０と１枚のダミー基板ＤとをプロセスチャンバＰＭ１内に搬送して処理するよう生産リストを再作成する。その後、搬送系コントローラ２３９ｔは、再作成した生産リストに従って基板処理を続行し終了する。ロットＡは異常終了の扱いとなる。
次に、図１５について説明する。
図１５は、複数ロットの基板Ｗを処理する場合に、いずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２で異常が発生した際の縮退運用の様子を示す図である。図１５における処理対象の製品基板の内訳及び生産リストの内容は図１３の場合と同様である。また、図１５では、生産リストに従って、未処理の製品基板Ａ１〜Ａ３までが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１内に真空搬送室ＴＭ内から未処理の製品基板Ａ４を搬送中に、未処理の製品基板Ａ５が搬送されたロードロック室ＬＭ１にて異常が発生したものとする。また、ロードロック室ＬＭ２内、大気搬送室ＥＦＥＭ内、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上には、生産リストに従って未処理の製品基板Ｂ１〜Ｂ３までがそれぞれ搬送されている。
上記の場合、ロードロック室ＬＭ１内に存在する未処理の製品基板Ａ５は、そのままロードロック室ＬＭ１内に滞留させる。また、残った未処理の製品基板Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ５のうち、Ｂ１〜Ｂ５とはロットが異なる４枚の製品基板Ａ１〜Ａ４は一括処理に必要な基板枚数「５」に満たず、搬送系コントローラ２３９ｔによる生産リストの再作成が行われる。
すなわち、搬送系コントローラ２３９ｔは、１枚のダミー基板Ｄを製品基板Ａ１〜Ａ４までが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１内に搬送して一括で処理し、一方、製品基板Ｂ１〜Ｂ５までをプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して処理するよう生産リストを再作成する。その後、搬送系コントローラ２３９ｔは、再作成した生産リストに従って基板処理を続行する。具体的には、製品基板Ｂ１〜Ｂ３を一旦、キャリアカセットＣＡ１内へと回収する。続いて、１枚のダミー基板ＤをプロセスチャンバＰＭ１内に搬送した後、プロセスチャンバＰＭ２内に製品基板Ｂ１〜Ｂ３を再搬送し、さらに製品基板Ｂ４，Ｂ５を新たに搬送する。その後、プロセスチャンバＰＭ１内では製品基板Ａ１〜Ａ４と１枚のダミー基
板Ｄとの処理を行い、プロセスチャンバＰＭ２内では製品基板Ｂ１〜Ｂ５の処理を行う。ロットＡは異常終了の扱いとなり、ロットＢは正常終了の扱いとなる。
なお、上記において、製品基板Ａ１〜Ａ４が搬送済みのプロセスチャンバＰＭ１内へのダミー基板Ｄの搬送を優先させたが、既に搬送が開始されていた製品基板Ｂ１〜Ｂ３のプロセスチャンバＰＭ２内への搬送を優先させてもよい。その後、製品基板Ｂ４，Ｂ５をプロセスチャンバＰＭ２内へと搬送し、１枚のダミー基板ＤをプロセスチャンバＰＭ１内へと搬送し、それぞれ基板処理を行う。これにより、製品基板Ｂ１〜Ｂ３を一旦、キャリアカセットＣＡ１内へと回収する手間を省き、全ての製品基板の搬送を優先的に終了させることができるため、スループットを向上させることができる。
以上のように、本実施形態では、縮退運用時に必要に応じて生産リストの再作成を行う。これにより、一括での処理に必要な基板枚数に不足が生じてしまうことを抑制することができる。
上述のように、従来技術では、縮退運用にて基板を搬送中に異常が発生し、搬送中の基板が基板処理装置内の所定位置で切り離されて滞留すると、一括処理に必要な基板枚数が不足してしまうことがあった。基板載置台に空きが生じたまま、基板処理を実施すると、基板載置台に不要の成膜等が施され、その基板載置台上でのその後の基板処理に悪影響を及ぼしかねない。このような場合は、基板処理を異常停止するしかなかった。
しかしながら、本実施形態では、一括処理に必要な基板枚数に不足が生じた場合、生産リストの再作成を行うことができる。これにより、不足分をダミー基板で補充することができるため、基板枚数に不足が生じてしまうことを抑制し、基板載置台に空きを生じさせることなく基板処理を続行することができる。よって、基板処理への悪影響を抑制しつつ、基板処理装置１０での搬送を続行して生産効率を向上させることができる。
（６）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
（ａ）本実施形態によれば、搬送系コントローラ２３９ｔは、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に基板Ｗを所定枚数搬送する際に基板処理装置１０内の所定箇所に異常が発生したら、異常発生箇所を含む基板処理装置１０の所定箇所に位置する基板Ｗを係る位置に滞留させ、正常箇所にて基板処理を続行する縮退運用により所定枚数の基板Ｗを搬送するよう制御する。これにより、基板Ｗを搬送中に異常が発生し、搬送中の基板Ｗが縮退運用にて基板処理装置１０内の所定位置で滞留しても、基板Ｗを所定枚数として基板載置台に空きが生じることを抑制したうえで、基板処理を続行することができる。よって、基板処理装置１０の生産性を向上させることができる。
（ｂ）また、本実施形態によれば、搬送系コントローラ２３９ｔは、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に基板Ｗを所定枚数搬送する際に、真空搬送室ＴＭに連結するゲートバルブＰＧＶ１，ＰＧＶ２，ＬＧＶ１，ＬＧＶ２のいずれかに異常が発生したら、異常発生箇所を含む基板処理装置１０の所定箇所に位置する基板Ｗを係る位置に滞留させ、少なくともプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内および真空搬送室ＴＭ内が所定圧力値に達した後にキャリアカセット内に基板Ｗを回収する。これにより、基板処理が続行されない場合であっても、基板処理装置１０内の基板Ｗを速やかに回収することができ、基板処理装置１０のダウンタイムを短縮することができる。
（ｃ）また、本実施形態によれば、搬送系コントローラ２３９ｔは、異常が発生した箇所ごとに基板Ｗの処理状況を表わす属性に応じて異なる搬送手順が定義された縮退運用テー
ブルを選択し、係る縮退運用テーブルに従って基板Ｗを搬送するよう制御する。これにより、縮退運用時の基板Ｗの基板処理や搬送を効率化することができる。
（ｄ）また、本実施形態によれば、搬送系コントローラ２３９ｔは、異常が発生したら、未処理の基板Ｗの枚数を特定し、一括での処理に必要な基板枚数に不足が生じるときは不足分のダミー基板を補充して所定枚数の基板Ｗとなるよう生産リストを再作成するように構成される。これにより、基板Ｗを搬送中に異常が発生し、縮退運用による切り離し箇所に基板Ｗが滞留しても、一括での処理に必要な基板枚数に不足を生じさせることなく、基板処理を続行することができる。
＜本発明の第２実施形態＞
以下に、本発明の第２実施形態について説明する。
本実施形態においては、ダミー基板を補充するにあたり、ダミー基板の搬送方式を設定することができる。すなわち、従来技術においては、ダミー基板の搬送方式は、例えば複数の基板載置台の先頭位置から製品基板を載置していき不足分をダミー基板で補う製品先詰め方式等に予め決まっており、操作員が自由に選択することができなかった。
しかしながら、例えば複数の基板載置台の中で基板載置台の消耗度合い等が異なるなどして、基板処理特性に若干の差異が生じることがある。また、保守点検等の際に、所定の基板載置台における特性確認が必要となることがある。
そこで、本実施形態では、ダミー基板の搬送方式等の設定によりプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内でのダミー基板の配置を適宜指定することで、特に優れた基板処理特性の得られる基板載置台に製品基板を優先的に配置し、或いは、特性確認が必要な基板載置台にモニタ基板をより確実に配置する。
（１）ダミー基板用パラメータ
以下に、本実施形態におけるダミー基板の搬送方式等のダミー基板用パラメータの設定について、図１６を用いて説明する。図１６は、本実施形態に係る基板処理装置において、ダミー基板用パラメータを設定するパラメータ設定画面を例示する図である。
ダミー基板用パラメータは、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに設けられており、上述の実施形態と同様の構成を備える装置コントローラとしての主制御部において、制御手段としての搬送系コントローラが参照可能なように、主制御部が備える記憶手段に読み出し可能に格納されている。また、基板Ｗの搬送開始時や異常発生時の縮退運用開始時に、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに個別に設定することが可能なよう構成される。
具体的には、図１６に例示するように、パラメータ設定画面には、例えば各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２に係るダミー基板用パラメータのボックスが上下段にそれぞれ表示されている。表示内容としては、例えば各ボックス内の上側に表示される各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内へのダミー基板の搬送方式を選択するボタンと、例えば各ボックス内の下側に表示される各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の所定の基板載置台を固定位置や優先位置として指定する基板載置台リストと、がある。
ダミー基板の搬送方式には、例えば「製品基板先詰め方式」、「製品基板後詰め方式」、及び「任意指定方式」があり、上記ボタンによりいずれかの搬送方式を選択可能に構成される。「製品基板先詰め方式」は、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５，ＳＴ２１〜ＳＴ２５のうち、先頭の基板載置台（例えば、ＳＴ１１やＳＴ２１）から製品基板を載置していき、不足分をダミー基板で補う搬送方式である。
「製品基板後詰め方式」は、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の後尾の基板載置台（例えば、ＳＴ１５やＳＴ２５）から製品基板を載置していき、不足分をダミー基板で補う搬送方式である。「任意指定方式」は、ダミー基板を載置する任意の基板載置台を指定する搬送方式である。図中、プロセスチャンバＰＭ１に係るダミー基板用パラメータでは、「任意指定方式」が選択されている。また、プロセスチャンバＰＭ２に係るダミー基板用パラメータでは、「製品基板後詰め方式」が選択されている。
また、表形式で表示される基板載置台リスト上では、ダミー基板が基板処理時に毎回載置される固定位置に指定する基板載置台を任意に設定可能に構成される。固定位置は、例えば「（１）ダミー固定」の項目にあるチェックボックスのうち、所定の基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５，ＳＴ２１〜ＳＴ２５のチェックボックスにレ点を付すことによって指定できるよう構成される。図中、プロセスチャンバＰＭ１に係るダミー基板用パラメータでは、基板載置台ＳＴ１１，ＳＴ１３がダミー基板の固定位置として指定されている。また、プロセスチャンバＰＭ２に係るダミー基板用パラメータでは、基板載置台ＳＴ２４，ＳＴ２５がダミー基板の固定位置として指定されている。
また、基板載置台リスト上では、ダミー基板の補充時にダミー基板が優先的に載置される優先位置に指定する基板載置台を自動的に、或いは任意に設定可能に構成される。優先位置は、例えば「（２）ダミー優先Ｎｏ．」の項目の各欄に、最優先でダミー基板が載置される基板載置台から順に「ダミー優先Ｎｏ．１」、「ダミー優先Ｎｏ．２」・・・等のダミー基板の優先順を表わす属性が入力されることによって指定できるよう構成される。このとき、例えば「製品基板先詰め方式」が選択されている場合、先頭の基板載置台側ほど高い優先順となるよう上記ダミー基板の属性が自動的に入力されるよう構成される。また、例えば「製品基板後詰め方式」が選択されている場合、後尾の基板載置台側ほど高い優先順となるよう上記ダミー基板の属性が自動的に入力されるよう構成される。また、例えば「任意指定方式」が選択されている場合、上記ダミー基板の属性を任意の優先順に入力することができるよう構成される。但し、いずれの場合も、上記固定位置に指定された基板載置台には、優先位置の指定がされないよう構成される。また、優先位置の指定は、新たに指定し直すことで取り消すことができるよう構成される。
図中、プロセスチャンバＰＭ１に係るダミー基板用パラメータでは、固定位置に指定されていない基板載置台について、基板載置台ＳＴ１５，ＳＴ１２，ＳＴ１４の優先順で優先位置が任意に指定されている。また、プロセスチャンバＰＭ２に係るダミー基板用パラメータでは、固定位置に指定されていない基板載置台について、基板載置台ＳＴ２３，ＳＴ２２，ＳＴ２１の優先順で優先位置が自動的に指定されている。
搬送系コントローラは、上記のように構成されるダミー基板用パラメータに従って基板Ｗの搬送を行うよう構成される。これにより、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に複数備わる基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５，ＳＴ２１〜ＳＴ２５において、製品基板やモニタ基板とダミー基板との配置を自在に組み合わせることができ、基板処理装置の操作性を向上させることができる。また、基板処理特性の優れた基板載置台を優先的に製品基板の処理に充てたり、モニタ基板による特性確認を効率的に実施したりすることができ、基板処理特性を総じて向上させることができる。
（２）ダミー基板用パラメータに基づく基板処理装置の運用
次に、ダミー基板用パラメータに基づく基板処理装置の運用について、図１７〜図１９を用いて説明する。図１７〜図１９は、本実施形態に係る搬送系コントローラが、それぞれ「製品基板先詰め方式」、「製品基板後詰め方式」、「任意指定方式」に基づき、ダミー基板を使用した基板の搬送を行う様子を示す図である。
（製品基板先詰め方式に基づく運用）
まずは、図１７に示す「製品基板先詰め方式」に基づく運用について説明する。図１７においては、いずれの基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５も固定位置として指定されていない。また、各基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５には、先頭の基板載置台側ほど高い優先順となるよう、優先位置が自動的に指定されている。
搬送系コントローラが、上記のような設定がされたダミー基板用パラメータに従い、例えば３枚の製品基板Ａ１〜Ａ３を搬送する場合、図１７に示すように、先頭の基板載置台ＳＴ１１から順に３番目の基板載置台ＳＴ１３まで、製品基板Ａ１〜Ａ３を順に載置していき、基板載置台ＳＴ１４，ＳＴ１５の不足分をダミー基板Ｄ４，Ｄ５で補う。
（製品基板後詰め方式に基づく運用）
続いて、図１８に示す「製品基板後詰め方式」に基づく運用について説明する。図１８のダミー基板用パラメータは、プロセスチャンバＰＭ２の代わりにプロセスチャンバＰＭ１が対象となっているほかは、上述の図１６に示した「製品基板後詰め方式」の場合と同様の設定となっている。
搬送系コントローラが、例えば「製品基板後詰め方式」に従い、３枚の製品基板Ａ１〜Ａ３を搬送する場合、後尾の基板載置台ＳＴ１５側から順に製品基板Ａ１〜Ａ３が載置されていく。但し、図１８においては、基板載置台ＳＴ１５，ＳＴ１４が固定位置として指定されており、基板処理時、基板載置台ＳＴ１５，ＳＴ１４には毎回、ダミー基板Ｄ５，ＤＤ４がそれぞれ載置される。従って、残りの基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１３のうち、後尾の基板載置台ＳＴ１３から順に先頭の基板載置台ＳＴ１１まで、製品基板Ａ１〜Ａ３を載置していく。
（任意指定方式に基づく運用）
次に、図１９に示す「任意指定方式」に基づく運用について説明する。図１９のダミー基板用パラメータは、上述の図１６に示した「任意指定方式」の場合と同様の設定となっている。
搬送系コントローラが、上記のような設定がされたダミー基板用パラメータに従い、例えば５枚の製品基板Ａ１〜Ａ５を搬送する場合、基板処理時、固定位置として指定されている基板載置台ＳＴ１１，ＳＴ１３には毎回、ダミー基板が載置される。従って、製品基板Ａ１〜Ａ５は２回に亘って処理されることとなる。
具体的には、１回目の処理においては、基板載置台ＳＴ１１，ＳＴ１３にダミー基板Ｄ１，Ｄ３がそれぞれ載置され、それ以外の基板載置台ＳＴ１２，ＳＴ１４，ＳＴ１５に製品基板Ａ１〜Ａ３までがそれぞれ載置され、基板処理が行われる。２回目の処理においては、残りの製品基板Ａ４，Ａ５を所定の基板載置台に載置するにあたり、固定位置として指定されている基板載置台ＳＴ１１，ＳＴ１３、及び、最優先でダミー基板が載置される基板載置台ＳＴ１５にダミー基板Ｄ１，Ｄ３，Ｄ５がそれぞれ載置され、それ以外の基板載置台ＳＴ１２，ＳＴ１４に製品基板Ａ４，Ａ５がそれぞれ載置される。
（３）生産リストの再作成
本実施形態においても、搬送系コントローラにより、基板Ｗの搬送開始時や異常発生時の縮退運用開始時に生産リストの再作成が必要に応じて行われる。係る生産リストの再作成について、図２０〜図２５を用いて説明する。
図２０は、本実施形態に係る搬送系コントローラが図２に示すようなホストコンピュータ２３７からの生産リストの受信時に行う生産リストの再作成のフロー図である。図２１
は、本実施形態に係る搬送系コントローラが上位コンピュータからの生産リストの受信時に行う生産リストの再作成の説明図である。図２２〜図２５は、本実施形態に係る基板処理装置の異常発生箇所ごとの縮退運用の様子を示す図である。以下の説明においても、基板処理装置の各部の動作は主制御部により制御される。
（生産リストの再作成）
図２０に示すように、装置コントローラとしての主制御部は、ホストコンピュータ２３７等の上位コンピュータから生産リストを受信し、記憶手段に格納する（Ｓ４１）。搬送系コントローラは、生産リストの作成プログラムを実行することにより、ダミー基板用パラメータを参照して、固定位置として指定されている基板載置台の数から固定位置のダミー基板として追加が必要な枚数Ｎｆを特定する（Ｓ４２）。Ｎｆがゼロでない場合は（Ｓ４３→ＮＯ）、固定位置に指定されている基板載置台に相当する生産リスト中の位置にＮｆ個のダミー基板の属性を追加し、製品基板の総数にＮｆを加えた数を基板総数とする（Ｓ４４）。Ｎｆがゼロの場合は（Ｓ４３→ＹＥＳ）、Ｓ４４を行わず次のステップに進む。
次に、搬送系コントローラは、上記生産リストの情報から、ダミー基板の補充が必要かどうかを判断する。すなわち、固定位置のダミー基板を含む生産リスト中の基板Ｗの総数を、いずれかのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内で一括での処理に必要な基板枚数「５」で割って（Ｓ４５）、商Ｘと余りＮとを求める。余りＮがゼロの場合は、商Ｘを基板処理に必要な回数とするとともにダミー基板の補充は不要と判断し（Ｓ４６→ＹＥＳ）、生産リストの再作成のフローを終了する。余りＮがゼロでない場合は、（Ｘ＋１）を基板処理に必要な回数とするとともにダミー基板の補充が必要と判断し（Ｓ４６→ＮＯ）、ダミー基板の搬送方式の種別に応じて（Ｓ４７）、生産リストを再作成する以下のフローを行う。
「製品基板先詰め方式」が選択されている場合、搬送系コントローラは、カウンタｎを１に設定する（Ｓ４８ａ）。次に、生産リストの（基板総数＋ｎ）番目の位置にダミー基板の属性を設定し（Ｓ５１ａ）、カウンタｎを１繰り上げる（Ｓ５２ａ）。これ以降、ダミー基板の属性の設定数が、補充が必要なダミー基板の枚数（５−Ｎ）になるまでＳ５１ａ及びＳ５２ａを繰り返す（Ｓ４９ａ）。
「製品基板後詰め方式」が選択されている場合、搬送系コントローラは、生産リストの（基板総数＋（５−Ｎ））番目の位置にダミー基板の属性を設定し（Ｓ５１ｂ）、Ｎを１増加させる（Ｓ５２ｂ）。これ以降、Ｎが「５」になるまでＳ５１ｂ及びＳ５２ｂを繰り返す（Ｓ４９ｂ）。
「任意指定方式」が選択されている場合、搬送系コントローラは、ダミー基板番号ａ（「ａ」は定数）を１に設定する（Ｓ４８ｃ）。次に、ダミー基板番号ａのダミー基板Ｄａが割り当てられた基板載置台の番号（ＳＴ Ｎｏ．）を検索し（Ｓ５０ｃ）、生産リストの係るＳＴ Ｎｏ．に相当する位置にダミー基板の属性を設定し（Ｓ５１ｃ）、ダミー基板番号ａを１増加させる（Ｓ５２ｃ）。これ以降、ａが（５−Ｎ）になるまでＳ５１ｃ及びＳ５２ｃを繰り返す（Ｓ４９ｃ）。
以上により、生産リストの再作成のフローが終了する。
なお、図２１に、係るフローにより再作成された生産リストの一例を示す。図２１上段の主制御部が受信した生産リストには、使用するプロセスチャンバ（例えばＰＭ１）や基板処理の内容が定義された処理レシピ名「レシピＡ」が設定され、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５までの位置には５枚の製品基板の属性が定義されている。
搬送系コントローラは、上記フローに従い、受信した生産リストを図２１下段のように再作成する。ダミー基板用パラメータで「製品基板先詰め方式」が選択され、固定位置として基板載置台ＳＴ１３が選択されている場合であれば、固定位置に指定されている基板載置台に相当する生産リスト中のＮｏ．３，Ｎｏ．８の位置にダミー基板の属性を追加する。また、ダミー基板を追加後の生産リスト中の基板Ｗの総数（５＋２）÷５＝１．．．２であるから、基板処理に必要な回数は（１＋１）回、補充すべきダミー基板の枚数は（５−２）枚である。よって、生産リストのＮｏ．７，Ｎｏ．９，Ｎｏ．１０の位置に３枚分のダミー基板の属性を追加する。
このように、生産リストの再作成のフローを終了すると、搬送系コントローラは、生産リストに従ってダミー基板と製品基板とを含む基板Ｗの搬送を開始する。
また、搬送系コントローラは、異常発生時の縮退運用を開始するときにも必要に応じて生産リストの再作成を行う。このときのフローは、上記の基板Ｗの搬送開始時のフローと略同一である。すなわち、異常が発生したら、未処理の基板Ｗの属性に固定位置のダミー基板の属性を追加しこれを基板総数として、係る基板総数に対して上記図２０のＳ４５以降のフローを行う。これにより、例えば図２１下段の生産リストを更に再作成した生産リストが得られる。
以下に、生産リストの再作成が必要となる場合の基板Ｗの処理や搬送の手順について、いくつかのパターンに分けて説明する。
（異常箇所がプロセスチャンバの場合）
まずは、図２２及び図２３を用い、所定の基板載置台に固定位置が指定され、「製品基板先詰め方式」にて基板Ｗを搬送し処理する場合に、いずれかのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２で異常が発生した際の手順について説明する。
図２２では、９枚の製品基板Ａ１〜Ａ４，Ａ６〜Ａ１０を有するロットＡが収納されるキャリアカセットＣＡ１がロードポートＬＰ１に載置されている。また、プロセスチャンバＰＭ１では「製品基板先詰め方式」が選択され、基板載置台Ｓ１５にのみ固定位置が指定されている。当初の生産リストは、製品基板Ａ１〜Ａ４及び固定位置のダミー基板Ｄ５をプロセスチャンバＰＭ１内で処理し、製品基板Ａ６〜Ａ１０をプロセスチャンバＰＭ２内で処理する内容であったものとする。また、係る生産リストに従ってロードロック室ＬＭ１内から真空搬送室ＴＭ内へと未処理のダミー基板Ｄ５を搬送中に、未処理の製品基板Ａ１〜Ａ４までが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１にて異常が発生したものとする。また、ロードロック室ＬＭ２内、大気搬送室ＥＦＥＭ内、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上には、生産リストに従って未処理の製品基板Ａ６〜Ａ８までがそれぞれ搬送されている。
上記の場合、製品基板Ａ１〜Ａ４までがプロセスチャンバＰＭ１内に滞留となる結果、残った未処理の基板Ｗの総数はダミー基板Ｄ５を含めて６枚であって、基板枚数に不足が生じてしまう。このため、搬送系コントローラによる生産リストの再作成が行われ、ダミー基板Ｄ５と製品基板Ａ６〜Ａ９までをプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して処理し、続いて、製品基板Ａ１０と４枚のダミー基板とをプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して処理する。ロットＡは異常終了の扱いとなる。
次に、図２３について説明する。
図２３では、１０枚の製品基板Ａ１〜Ａ１０を有するロットＡが収納されるキャリアカセットＣＡ１がロードポートＬＰ１に載置されている。また、プロセスチャンバＰＭ２で
は「製品基板先詰め方式」が選択され、基板載置台Ｓ２２，Ｓ２４，Ｓ２５に固定位置が指定されている。当初の生産リストは、製品基板Ａ１〜Ａ５をプロセスチャンバＰＭ１内で処理し、製品基板Ａ６，Ａ７及びダミー基板Ｄ２，Ｄ４，Ｄ５をプロセスチャンバＰＭ２内で処理し、製品基板Ａ８〜Ａ１０及び２枚のダミー基板をプロセスチャンバＰＭ１内で処理する内容であったものとする。また、係る生産リストに従ってロードロック室ＬＭ１内から真空搬送室ＴＭ内へと未処理の製品基板Ａ５を搬送中に、未処理の製品基板Ａ１〜Ａ４までが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１にて異常が発生したものとする。また、ロードロック室ＬＭ２内、大気搬送室ＥＦＥＭ内、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上には、生産リストに従って未処理の製品基板Ａ６，Ａ７及びダミー基板Ｄ２がそれぞれ搬送されている。
上記の場合、製品基板Ａ１〜Ａ４までがプロセスチャンバＰＭ１内に滞留となる結果、これらと共にＰＭ１内で処理されるはずであった製品基板Ａ５が残り、プロセスチャンバＰＭ２の固定位置のダミー基板を含む当初の生産リストの搬送順を維持できなくなる。このため、搬送系コントローラによる生産リストの再作成が行われ、製品基板Ａ５，Ａ６をプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して固定位置が指定されていない基板載置台Ｓ２１，Ｓ２３にそれぞれ載置する。一方、製品基板Ａ７を一旦、キャリアカセットＣＡ１内へと回収する。続いて、搬送が開始されていたダミー基板Ｄ２を含む３枚のダミー基板をプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して固定位置が指定されている基板載置台Ｓ２２，Ｓ２４，Ｓ２５にそれぞれ載置する。これらのダミー基板を製品基板Ａ５，Ａ６と共に処理し、それぞれダミーキャリアＣ３、キャリアカセットＣＡ１内へと戻した後、プロセスチャンバＰＭ２内に製品基板Ａ７を再搬送し、さらに製品基板Ａ８及び固定位置の３枚のダミー基板を新たに搬送して基板処理を行う。その後、製品基板Ａ９，Ａ１０及び３枚のダミー基板を搬送して同様に基板処理を行う。ロットＡは異常終了の扱いとなる。
（異常箇所がロードロック室の場合）
続いて、図２４及び図２５を用い、所定の基板載置台に固定位置が指定され、「製品基板先詰め方式」にて基板Ｗを搬送し処理する場合に、いずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２で異常が発生した際の手順について説明する。
図２４では、ロットＡがＡ１〜Ａ９の９枚の製品基板を有しているほかは、搬送方法や固定位置等のダミー基板用パラメータの設定の内容は、図２２と同様である。当初の生産リストは、製品基板Ａ１〜Ａ４及び固定位置のダミー基板Ｄ５をプロセスチャンバＰＭ１内で処理し、製品基板Ａ５〜Ａ９をプロセスチャンバＰＭ２内で処理する内容であったものとする。また、係る生産リストに従って真空搬送室ＴＭ内から未処理の製品基板Ａ１〜Ａ３が搬送されたプロセスチャンバＰＭ１内へと未処理の製品基板Ａ４を搬送中に、未処理のダミー基板Ｄ５が搬送されたロードロック室ＬＭ１にて異常が発生したものとする。また、ロードロック室ＬＭ２内、大気搬送室ＥＦＥＭ内、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上には、生産リストに従って未処理の製品基板Ａ５〜Ａ７までがそれぞれ搬送されている。
上記の場合、縮退運用によりロードロック室ＬＭ１が切り離され、ダミー基板Ｄ５がロードロック室ＬＭ１内に滞留となる結果、固定位置に指定されている基板載置台Ｓ１５には他のダミー基板を搬送しなければならず、また、これ以降の搬送はロードロック室ＬＭ２を介して行わなければならない。このため、搬送系コントローラによる生産リストの再作成が行われ、製品基板Ａ５〜Ａ７を一旦、キャリアカセットＣＡ１内へと回収する。続いて、ロードロック室ＬＭ２を介して新たなダミー基板１枚をプロセスチャンバＰＭ１内に搬送して固定位置が指定されている基板載置台Ｓ１５に載置し、製品基板Ａ１〜Ａ４と共に処理する。一方、プロセスチャンバＰＭ２内にロードロック室ＬＭ２を介して製品基板Ａ５〜Ａ７を再搬送し、さらに製品基板Ａ８，Ａ９を新たに搬送して基板処理を行う。ロットＡは異常終了の扱いとなる。なお、新たなダミー基板の搬送に先駆けて、既に搬送
が開始されていた製品基板Ａ５〜Ａ７等のプロセスチャンバＰＭ２への搬送を優先させてもよい。
次に、図２５について説明する。
図２５では、処理対象の製品基板の内訳、搬送方式や固定位置等のダミー基板用パラメータの設定、及び生産リストの内容は、図２３の場合と同様である。また、図２５では、生産リストに従って、未処理の製品基板Ａ１〜Ａ３までが搬送されたプロセスチャンバＰＭ１内に真空搬送室ＴＭ内から未処理の製品基板Ａ４を搬送中に、未処理の製品基板Ａ５が搬送されたロードロック室ＬＭ１にて異常が発生したものとする。また、ロードロック室ＬＭ２内、大気搬送室ＥＦＥＭ内、オリフラ合わせ装置ＯＦＡ上には、生産リストに従って未処理の製品基板Ａ６，Ａ７及びダミー基板Ｄ２がそれぞれ搬送されている。
上記の場合、縮退運用によりロードロック室ＬＭ１が切り離され、製品基板Ａ５がプロセスチャンバＰＭ１内に滞留となる結果、これ以降の搬送はロードロック室ＬＭ２を介して行わなければならず、また、固定位置のダミー基板を含む当初の生産リストの搬送順を維持できなくなる。このため、搬送系コントローラによる生産リストの再作成が行われ、製品基板Ａ６をプロセスチャンバＰＭ１内に搬送して製品基板Ａ１〜Ａ４とともに処理し、続いて、製品基板Ａ７とダミー基板Ｄ２とをプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して基板載置台Ｓ２１及び固定位置に指定の基板載置台Ｓ２２にそれぞれ載置し、更に製品基板Ａ８と他のダミー基板２枚を搬送基板載置台Ｓ２３及び固定位置に指定の基板載置台Ｓ２４，Ｓ２５にそれぞれ載置して一括で処理する。係る基板処理が終了した後、製品基板Ａ９，Ａ１０及び固定位置のダミー基板３枚をプロセスチャンバＰＭ２内に搬送して処理する。なお、製品基板Ａ７，Ａ８等をプロセスチャンバＰＭ２内にて処理中に生じるロードロック室ＬＭ２の空き時間を利用して、製品基板Ａ９，Ａ１０及び補充用のダミー基板３枚をプロセスチャンバＰＭ１内に搬送しプロセスチャンバＰＭ２内の処理と平行して処理を行ってもよい。ロットＡは異常終了の扱いとなる。
（４）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、上述の実施形態と同様の効果を奏するほか、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
（ａ）本実施形態によれば、「製品基板先詰め方式」と、「製品基板後詰め方式」と、「任意指定方式」と、のいずれかのダミー基板の搬送方式を設定する。これにより、ダミー基板と製品基板とを含む基板Ｗの搬送順をより柔軟に指定して生産リストを再作成することができ、基板処理装置の操作性が向上する。また、基板処理特性の優れた基板載置台を優先的に製品基板の処理に充てたり、モニタ基板による特性確認を効率的に実施したりすることで、基板処理特性の向上や維持が容易となる。
（ｂ）また、本実施形態によれば、固定位置や優先位置に指定する前記基板載置台を設定する。これにより、基板処理時には所定の基板載置台に毎回、ダミー基板を載置したり、ダミー基板の補充時には所定の基板載置台に優先的にダミー基板を載置したりすることができ、ダミー基板と製品基板とを含む基板Ｗの搬送順やプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での配置をよりいっそう柔軟に指定することができる。
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、上述の実施形態においては、基板処理装置１０における基板処理の内容が、主
に成膜処理である場合について説明したが、基板処理の内容はこれに限られず、例えばエッチング処理等であってもよい。
このように、本発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等による酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜を形成する成膜処理を行う場合に適用できるほか、エッチング処理、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。また、基板処理中のみならず、処理炉２０２内のクリーニングやコンディショニングの際にダミー基板を使用する場合等にも適用できる。さらに、本発明は、薄膜形成装置の他、エッチング装置、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置等の他の基板処理装置にも適用できる。
また、本発明は、本実施形態に係る基板処理装置１０のような半導体ウエハ等の基板を処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置等の基板処理装置にも適用できる。
また、本発明は、操作部コントローラ２３６が基板処理装置１０内に配置される場合に限定されない。例えば、基板処理装置の本体をクリーンルーム内に配置すると共に、主制御部の少なくとも一部を事務所内（クリーンルームとは異なるフロア内）に配置し、基板処理装置の状態を遠隔から監視し解析するようにしてもよい。
＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の望ましい態様について付記する。
本発明の一態様は、
ダミー基板と製品基板とを含む基板を処理室内に搬送するよう制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記処理室内に前記基板を所定枚数搬送する際に前記処理室に異常が発生したら、
前記異常が発生した処理室内の基板を前記処理室内にそのまま滞留させ、
前記異常が発生した処理室内に搬送予定であった他の基板を含む所定枚数の基板を異常が発生していない他の処理室内に搬送するよう制御する
基板処理装置である。
本発明の他の態様は、
ダミー基板と製品基板とを含む基板を、前記ダミー基板または前記製品基板を収納する収納容器から予備室を介して処理室内に搬送するよう制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記処理室内に前記基板を所定枚数搬送する際に前記予備室に異常が発生したら、
前記異常が発生した予備室内の基板を前記予備室内にそのまま滞留させ、
前記処理室内に搬送予定であった他の基板を含む所定枚数の基板を異常が発生していない他の予備室を介して前記処理室内に搬送するよう制御する
基板処理装置である。
本発明のさらに他の態様は、
ダミー基板と製品基板とを含む基板を、前記ダミー基板または前記製品基板を収納する収納容器から大気圧下で予備室内に搬送し、前記予備室内から搬送室を介して減圧下で処理室内に搬送するよう制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記処理室内に前記基板を所定枚数搬送する際に前記処理室及び前記予備室を前記搬送室にそれぞれ連接する開閉弁のいずれかに異常が発生したら、
少なくとも前記処理室内および前記搬送室内の基板を前記処理室内または前記搬送室内にそのまま滞留させ、
少なくとも前記処理室内および前記搬送室内を所定圧力値に昇圧し、
所定圧力値に達した前記処理室内または前記搬送室内から前記収納容器内に前記基板を回収するよう制御する
基板処理装置である。
本発明のさらに他の態様は、
ダミー基板と製品基板とを含む基板を、前記ダミー基板または前記製品基板を収納する収納容器から大気圧下で予備室内に搬送し、前記予備室を介して減圧下で処理室内に搬送するよう制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、
前記制御手段は、
前記処理室内に前記基板を所定枚数搬送する際に前記予備室の前記収納容器側の開閉弁に異常が発生したら、
前記異常が発生した予備室内の基板を前記予備室内にそのまま滞留させ、
前記処理室内に搬送予定であった他の基板を含む所定枚数の基板を異常が発生していない他の予備室を介して前記処理室内に搬送するよう制御する
基板処理装置である。
好ましくは、
更に、前記処理室内で所定枚数の前記基板を一括で処理するよう制御する他の制御手段を備える。
また、好ましくは、
前記制御手段は、
前記基板の搬送順と処理状況とを少なくとも表わす属性が定義された生産リストに従って前記基板を搬送するよう制御し、
前記異常が発生したら、
基板処理を未だ受けていない前記他の基板の枚数を特定し、
一括での処理に必要な基板枚数に不足が生じるときは不足分のダミー基板を補充して前記所定枚数の基板となるよう前記生産リストを再作成し、
再作成した前記生産リストに従って前記基板の少なくとも一部を搬送するよう制御する。
また、好ましくは、
前記制御手段は、
前記処理室内に複数備わる基板載置台のうち、
先頭の前記基板載置台から前記製品基板を載置していき不足分を前記ダミー基板で補う製品基板先詰め方式と、
後尾の前記基板載置台から前記製品基板を載置していき不足分を前記ダミー基板で補う製品基板後詰め方式と、
前記ダミー基板を載置する任意の前記基板載置台を指定する任意指定方式と、のいずれかのダミー基板の搬送方式が設定されたダミー基板用パラメータに従って前記基板を搬送するよう制御する。
本発明のさらに他の態様は、
処理室内に基板を所定枚数搬送する際に異常が発生し、前記異常が発生した箇所を含む
基板処理装置の所定箇所を切り離して前記基板の少なくとも一部の搬送を続行する縮退運用を実行する縮退運用プログラムであって、
前記異常が発生した箇所を特定するステップと、
前記異常が発生した箇所ごとに、前記基板の処理状況に応じて搬送手順を選択するステップと、
選択した前記搬送手順にしたがって前記基板を搬送するよう制御するステップと、を実行する
縮退運用プログラムである。
本発明のさらに他の態様は、
ダミー基板と製品基板とを含む基板の搬送順と処理状況とを少なくとも表わす属性が定義された生産リストに従って前記基板を処理室内に所定枚数搬送するよう制御する制御手段を備えた基板処理装置で実行される生産リストの作成プログラムであって、
前記制御手段に、
基板処理を未だ受けていない前記基板の枚数を特定するステップと、
一括処理に必要な基板に不足が生じるときは不足分のダミー基板を補充して前記所定枚数の基板となるよう前記生産リストを再作成するステップと、を実行させる
生産リストの作成プログラムである。
本発明のさらに他の態様は、
ダミー基板と製品基板とを含む基板を処理室内に搬送し、前記処理室内で所定枚数の前記基板を一括で処理する基板処理装置で行われるダミー基板用パラメータの設定方法であって、
前記処理室内に複数備わる基板載置台のうち、
先頭の前記基板載置台から前記製品基板を載置していき不足分を前記ダミー基板で補う製品基板先詰め方式と、
後尾の前記基板載置台から前記製品基板を載置していき不足分を前記ダミー基板で補う製品基板後詰め方式と、
前記ダミー基板を載置する任意の前記基板載置台を指定する任意指定方式と、のいずれかのダミー基板の搬送方式を設定する
ダミー基板用パラメータの設定方法である。
好ましくは、
前記ダミー基板が基板処理時に毎回載置される固定位置に指定する前記基板載置台と、
前記ダミー基板が前記ダミー基板の補充時に優先的に載置される優先位置に指定する前記基板載置台と、を更に設定する。
本発明のさらに他の態様は、
ダミー基板と製品基板とを含む基板を処理室内に搬送し、前記処理室内で所定枚数の前記基板を一括で処理する基板処理装置で行われるダミー基板を使用した基板搬送方法であって、
前記処理室内に複数備わる基板載置台のうち、
先頭の前記基板載置台から前記製品基板を載置していき不足分を前記ダミー基板で補う製品基板先詰め方式と、
後尾の前記基板載置台から前記製品基板を載置していき不足分を前記ダミー基板で補う製品基板後詰め方式と、
前記ダミー基板を載置する前記基板載置台を任意に指定する任意指定方式と、のいずれかのダミー基板の搬送方式を用いて前記基板を搬送する
ダミー基板を使用した基板搬送方法である。
好ましくは、
前記ダミー基板が基板処理時に毎回載置される固定位置に指定された前記基板載置台に前記ダミー基板を載置し、
前記ダミー基板が前記ダミー基板の補充時に優先的に載置される優先位置に指定された前記基板載置台に前記製品基板の不足分の前記ダミー基板を載置する。
１０ 基板処理装置
２３９ｐ プロセスチャンバコントローラ（他の制御手段）
２３９ｔ 搬送系コントローラ（制御手段）
ＰＭ１，ＰＭ２ プロセスチャンバ（処理室）
Ｗ 基板

Claims (14)

  1. 基板の搬送順と処理状況とを少なくとも表わす属性を定義した生産リスト、及び、前記処理状況に応じて処理内容が定義された縮退運用テーブルを少なくとも格納する記憶部と、前記生産リストに従い、前記基板を室内に搬送するよう制御する制御部と、を備えた基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記基板を搬送中に異常を検出したら、
    前記異常が発生した箇所を特定し、
    前記縮退運用テーブルを、前記異常が発生した箇所に応じて選択し、
    選択した前記縮退運用テーブルに従って前記異常が発生した箇所を切り離して、前記基板の少なくとも一部の搬送を続行するよう前記生産リストを前記縮退運用の生産リストに再作成し、
    前記再作成した前記縮退運用の生産リストに従い、前記基板を搬送するよう制御する
    基板処理装置。
  2. 基板の搬送順と処理状況とを少なくとも表わす属性を定義した生産リスト、及び、前記処理状況に応じて処理内容が定義された縮退運用テーブルを少なくとも格納する記憶部と、前記生産リストに従い、前記基板を室内に搬送するよう制御する制御部と、を備えた基板処理装置により実施される基板処理方法であって、
    基板を搬送中に異常を検出する工程と、
    前記異常が発生した箇所を特定する工程と、
    前記縮退運用テーブルを、前記異常が発生した箇所に応じて選択する工程と、
    選択した前記縮退運用テーブルに従って前記異常が発生した箇所を切り離して、前記基板の少なくとも一部の搬送を続行するよう前記生産リストを前記縮退運用の生産リストに再作成する工程と、
    前記再作成した前記縮退運用の生産リストに従い、前記基板を搬送する工程と、
    を少なくとも有する基板処理方法。
  3. 基板の搬送順と処理状況とを少なくとも表わす属性を定義した生産リスト、及び、前記処理状況に応じて処理内容が定義された縮退運用テーブルを少なくとも格納する記憶部と、前記生産リストに従い、前記基板を処理室内に搬送するよう制御する制御部と、を備えた基板処理装置により実施され、前記基板を前記処理室内で処理する基板処理工程と、少なくとも前記基板を前記処理室内へ搬送する基板搬送工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
    前記基板搬送工程は、更に、
    前記基板搬送中に異常を検出する工程と、
    前記異常が発生した箇所を特定する工程と、
    前記縮退運用テーブルを、前記異常が発生した箇所に応じて選択する工程と、
    選択した前記縮退運用テーブルに従って前記異常が発生した箇所を切り離して、前記基板の少なくとも一部の搬送を続行するよう前記生産リストを前記縮退運用の生産リストに再作成する工程と、
    前記再作成した前記縮退運用の生産リストに従い、前記基板を搬送する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  4. 基板の搬送順と処理状況とを少なくとも表わす属性を定義した生産リスト、及び、前記処理状況に応じて処理内容が定義された縮退運用テーブルを少なくとも格納する記憶部と、前記生産リストに従い、前記基板を処理室内に搬送するよう制御する制御部と、を備えた基板処理装置の前記処理室内に前記基板を所定枚数搬送する際に異常が検出されると実行される縮退運用プログラムであって、
    前記制御部に、
    異常が発生した箇所を特定するステップと、
    前記縮退運用テーブルを、前記異常が発生した箇所に応じて選択するステップと、
    選択した前記縮退運用テーブルに従って前記異常が発生した箇所を切り離して、前記基板の少なくとも一部の搬送を続行するよう前記生産リストを前記縮退運用の生産リストに再作成するステップと、
    前記再作成した前記縮退運用の生産リストに従い、前記基板を搬送するステップと、
    を実行させる縮退運用プログラム。
  5. 基板の搬送順と処理状況とを少なくとも表わす属性を定義した生産リストに従い、前記基板を搬送するよう制御する制御部を備えた基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記基板を搬送中に異常を検出したら、
    前記異常が発生した箇所を特定し、
    前記異常が発生した箇所毎に複数設けられた、前記処理状況に応じて処理内容が定義された縮退運用テーブルを、前記異常が発生した箇所に応じて選択し、
    選択した前記縮退運用テーブルに従って前記異常が発生した箇所を切り離して、前記基板の少なくとも一部の搬送を続行するよう前記生産リストを縮退運用時の生産リストに再作成し、
    前記縮退運用時の生産リストに従い前記基板を搬送するよう制御する基板処理装置。
  6. 前記室が、少なくとも処理室を含む請求項１記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記処理室内に前記基板を所定枚数搬送する際に前記処理室に異常が発生したら、
    前記縮退運用テーブルの処理内容に基づいて、前記異常が発生した処理室内の基板を前記処理室内にそのまま滞留させ、
    前記異常が発生した処理室内に搬送予定であった他の基板を含む所定枚数の基板を異常が発生していない他の処理室内に搬送するよう前記生産リストを再作成し、
    前記生産リストに従い前記基板を搬送するよう制御する基板処理装置。
  7. 前記室が、少なくとも予備室と処理室を含む請求項１記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記処理室内に前記基板を所定枚数搬送する際に前記予備室に異常が発生したら、
    前記縮退運用テーブルの処理内容に基づいて、前記異常が発生した予備室内の基板を前記予備室内にそのまま滞留させ、
    前記処理室内に搬送予定であった他の基板を含む所定枚数の基板を異常が発生していない他の予備室を介して前記処理室内に搬送するよう前記生産リストを再作成し、
    前記生産リストに従い前記基板を搬送するよう制御する基板処理装置。
  8. 前記室が、少なくとも予備室と処理室と搬送室を含む請求項１記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記処理室内に前記基板を所定枚数搬送する際に前記処理室及び前記予備室を前記搬送室にそれぞれ連接させる開閉弁のいずれかに異常が発生したら、
    前記縮退運用テーブルの処理内容に基づいて、少なくとも前記処理室内および前記搬送室内の基板を前記処理室内または前記搬送室内にそのまま滞留させ、少なくとも前記処理室内および前記搬送室内を所定圧力値に昇圧し、
    前記所定圧力値に達した前記処理室内または前記搬送室内から前記基板を回収するよう前記生産リストを再作成し、
    前記生産リストに従い前記基板を搬送するよう制御する基板処理装置。
  9. 前記室が、少なくとも予備室と処理室を含む請求項１記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記処理室内に前記基板を所定枚数搬送する際に前記予備室の開閉弁に異常が発生したら、
    前記縮退運用テーブルの処理内容に基づいて、前記異常が発生した予備室内の基板を前記予備室内にそのまま滞留させ、
    前記処理室内に搬送予定であった他の基板を含む所定枚数の基板を異常が発生していない他の予備室を介して前記処理室内に搬送するよう前記生産リストを再作成し、
    前記生産リストに従い前記基板を搬送するよう制御する基板処理装置。
  10. 前記室が、少なくとも処理室を含む請求項１記載の基板処理装置であって、
    更に、前記処理室内で所定枚数の前記基板を一括で処理するよう制御する他の制御部を備える基板処理装置。
  11. 前記基板が少なくとも製品基板とダミー基板を含み、前記室が少なくとも処理室を含む請求項１記載の基板処理装置であって、
    前記処理室は、前記基板を所定枚数載置する基板載置部を複数備え、
    前記制御部は、
    前記処理室内に複数備わる基板載置部のうち、
    先頭の前記基板載置部から前記製品基板を載置していき不足分を前記ダミー基板で補う製品基板先詰め方式と、
    後尾の前記基板載置部から前記製品基板を載置していき不足分を前記ダミー基板で補う製品基板後詰め方式と、
    前記ダミー基板を載置する任意の前記基板載置部を指定する任意指定方式と、のいずれかのダミー基板の搬送方式が設定されたダミー基板用パラメータに従って前記ダミー基板を搬送するよう前記縮退運用テーブルの処理内容に基づいて、前記生産リストを再作成し、
    前記処理室内に搬送する前記製品基板と前記ダミー基板を含む基板が前記所定枚数になるよう制御する基板処理装置。
  12. 前記基板が少なくとも製品基板とダミー基板を含む請求項５記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記異常が発生したら、前記異常が発生した箇所に応じて選択された前記縮退運用テーブルに従って、
    基板処理がなされていない製品基板の枚数を特定し、
    一括処理に必要な基板枚数に満たないときは、不足分のダミー基板を補充して前記基板枚数となるよう前記生産リストを再作成し、
    再作成した前記生産リストに従って前記製品基板と前記ダミー基板を含む基板を搬送するよう制御する基板処理装置。
  13. ダミー基板と製品基板とを含む基板の搬送順と処理状況とを少なくとも表わす属性が定義された生産リストに従って前記基板を処理室内に所定枚数搬送するよう制御する制御部を備えた基板処理装置で実行される生産リストの作成プログラムであって、
    前記制御部に、
    前記異常が発生した箇所を特定するステップと、
    前記異常が発生した箇所毎に複数設けられた、前記処理状況に応じて処理内容が定義された縮退運用テーブルを、前記異常が発生した箇所に応じて選択するステップと、
    選択した前記縮退運用テーブルに従って、基板処理を未だ受けていない前記製品基板の枚数を特定するステップと、
    一括処理に必要な製品基板が前記所定枚数に不足が生じるときは不足分のダミー基板を補充して前記所定枚数となるよう前記生産リストを縮退運用時の生産リストに再作成するステップと、
    前記縮退運用時の生産リストに従い前記製品基板と前記ダミー基板を含む基板を搬送するステップと、
    を実行させる生産リストの作成プログラム。
  14. ダミー基板と製品基板とを含む基板の搬送順と処理状況とを少なくとも表わす属性が定義された生産リストに従って前記基板を処理室内に所定枚数搬送するよう制御する制御部を備えた基板処理装置であって、
    前記制御部は、
    前記基板を搬送中に異常を検出したら、
    前記異常が発生した箇所を特定し、
    前記異常が発生した箇所毎に複数設けられた、前記処理状況に応じて処理内容が定義された縮退運用テーブルを、前記異常が発生した箇所に応じて選択し、
    選択した前記縮退運用テーブルに従って、基板処理を未だ受けていない前記製品基板の枚数を特定し、
    一括処理に必要な製品基板が前記所定枚数に不足が生じるときは不足分のダミー基板を補充して前記所定枚数となるよう前記生産リストを縮退運用時の生産リストに再作成し、
    前記縮退運用時の生産リストに従い前記製品基板と前記ダミー基板を含む基板を搬送するよう制御する基板処理装置。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5592863B2 (ja) * 2011-11-02 2014-09-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置および被処理体の搬送方法
JP5954108B2 (ja) * 2012-10-23 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6310260B2 (ja) * 2014-01-20 2018-04-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置内の複数の処理ユニットを調整するための調整装置、および該調整装置を備えた基板処理装置
JP2014225707A (ja) * 2014-09-01 2014-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6632234B2 (ja) * 2015-07-14 2020-01-22 キヤノン株式会社 基板処理装置、および、物品製造方法
JP6902379B2 (ja) 2017-03-31 2021-07-14 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP6586440B2 (ja) * 2017-07-11 2019-10-02 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
CN107507788B (zh) * 2017-07-21 2019-11-08 志圣科技（广州）有限公司 晶圆加工机及其加工处理方法
CN109950187B (zh) 2017-12-20 2024-04-12 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质
JP6724120B2 (ja) * 2017-12-20 2020-07-15 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US11164766B2 (en) * 2019-02-07 2021-11-02 Hitachi High-Tech Corporation Operating method of vacuum processing apparatus
JP6766235B2 (ja) * 2019-08-06 2020-10-07 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2021150496A (ja) * 2020-03-19 2021-09-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板処理方法
JP2023103077A (ja) 2022-01-13 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置、被処理体保護方法及びプログラム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0950948A (ja) * 1995-08-08 1997-02-18 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の障害対処システム
JP3824835B2 (ja) * 2000-03-06 2006-09-20 株式会社日立国際電気 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法
JP4294972B2 (ja) 2003-02-26 2009-07-15 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JP2005322762A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US7477956B2 (en) * 2004-07-12 2009-01-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhancing electronic device manufacturing throughput
JP2006278396A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びプログラム
JP4542984B2 (ja) * 2005-11-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
US7596718B2 (en) * 2006-05-07 2009-09-29 Applied Materials, Inc. Ranged fault signatures for fault diagnosis
JP4664868B2 (ja) 2006-06-14 2011-04-06 株式会社日立国際電気 半導体製造装置の障害対処システム
JP5089306B2 (ja) * 2007-09-18 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
US20100203242A1 (en) * 2009-02-06 2010-08-12 Applied Materials, Inc. self-cleaning susceptor for solar cell processing
JP5452349B2 (ja) * 2010-05-11 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送方法、被処理体の搬送装置、及び、プログラム

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