JP5954108B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、処理容器内において複数の基板を回転テーブル上にて各々公転させながら、当該処理容器内にて基板の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体ウエハ（以下「ウエハ」と言う）に例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜などの薄膜を成膜する装置として、例えば特許文献１に記載のセミバッチタイプの装置が知られている。具体的には、この装置には、真空容器内にて鉛直軸周りに回転自在に構成された回転テーブルが設けられており、この回転テーブル上には、ウエハを載置（収納）するための凹部がスロットとして周方向に沿って複数箇所例えば５箇所に形成されている。

また、真空容器とウエハの搬送容器（ＦＯＵＰ：Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）が置かれるロードポートとの間には、トランスファーモジュール、ロードロック室及びローダモジュールが真空容器側からこの順番で配置されている。そして、ＦＯＵＰ内の例えば５枚のウエハは、トランスファーモジュール及びローダモジュールに各々配置された搬送アームを介して、回転テーブルを間欠的に回転させながら真空容器内に順次搬入される。その後、回転テーブルにより各ウエハを公転させると共に、各々のウエハに対して処理ガスを供給することによって、各ウエハ間において均一性の高い薄膜が形成される。

ここで、このような成膜装置において、５つのスロットのうちある一のスロットについて、当該一のスロットにて成膜される薄膜の特性を評価したいという要請がある。即ち、既述のようにいずれのスロットでも同様の特性を持つ薄膜が得られるが、例えば特定のスロットにて薄膜の特性の再現性を確認する場合がある。このような場合には、前記一のスロット以外の他の４つのスロットにおいても同様にウエハの成膜処理を行うと、前記他の４つのスロットに置かれるウエハの分だけコストアップに繋がってしまう。一方、前記他のスロットにウエハを置かずに前記一のスロットだけにウエハを載置して成膜処理を行うと、前記他のスロットの底面に薄膜が形成されて、後続の処理において別のウエハの裏面の汚染が生じたり、あるいはパーティクルの発生の原因となったりしてしまう。
既述の特許文献１には、このような特定のスロットにて成膜される薄膜の特性を評価する技術については記載されていない。

特開２０１０−２３９１０２

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を載置する載置領域が処理容器の周方向に沿って複数設けられた回転テーブルを備えた基板処理装置を用いて処理を行うにあたり、コストアップ及びパーティクルの発生を抑えながら、複数の載置領域のうちある任意の載置領域において製品用の基板に対して処理を行うことのできる技術を提供することにある。

本発明の基板処理装置は、
処理容器と、この処理容器内に設けられ、各々基板を載置する複数の載置領域がその周方向に沿って形成されると共に鉛直軸周りに回転自在な回転テーブルと、基板を処理するために前記載置領域に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、を備えたプロセスモジュールと、
製品基板が収納された搬送容器を載置するためのロードポートと、
ダミー基板が収納されたダミー基板収納部と、
前記ロードポート上の搬送容器または前記ダミー基板収納部と前記回転テーブルとの間で製品基板またはダミー基板の受け渡しを行うための搬送機構が設けられた搬送室と、
前記搬送容器内の少なくとも１枚の製品基板について前記複数の載置領域のうちいずれの載置領域に搬送するかを設定するための設定部と、
前記設定部にて設定された製品基板が搬入される載置領域以外の他の載置領域には、ダミー基板を搬入するように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記制御部は、プロセスモジュールにおける一の処理が終了して続く他の処理を開始する時、これら一の処理と他の処理とにおいて前記回転テーブル上におけるダミー基板の配置レイアウトが揃っている場合には、前記一の処理における製品基板を前記処理容器から搬出した後、当該一の処理におけるダミー基板については前記回転テーブルに載置したまま、前記他の処理における製品基板を前記処理容器に搬入するように制御信号を出力することを特徴とする。

前記基板処理装置としては、以下のように構成しても良い。
第１の搬送モードと第２の搬送モードとを選択するためのモード選択部を備え、
前記第１の搬送モードは、前記設定部を用いずに搬送容器内の製品基板を順次前記載置領域に搬送し、製品基板の数が載置領域の数に満たない時にダミー基板により載置領域を満たすように制御信号を出力するモードであり、
前記第２の搬送モードは、前記設定部に相当する設定画面が表示され、この設定画面により設定された設定事項が有効になるモードである構成。

前記制御部は、複数の前記載置領域について前記処理容器の周方向に沿って順番に製品基板あるいはダミー基板を搬入するように制御信号を出力する構成。
前記搬送室には、処理容器と、この処理容器内に設けられ、各々基板を載置する複数の載置領域がその周方向に沿って形成されると共に鉛直軸周りに回転自在な回転テーブルと、基板を処理するために前記載置領域に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、を備えた、前記プロセスモジュールとは別のプロセスモジュールが接続され、
前記設定部は、前記少なくとも一枚の製品基板について、前記プロセスモジュール及び前記別のプロセスモジュールの一方のプロセスモジュールにおける複数の前記載置領域のうちいずれか一つの載置領域を対応付けて設定するものである構成。

前記設定部は、プロセスモジュールにおける一の処理と当該一の処理に続く他の処理において前記回転テーブル上におけるダミー基板の配置レイアウトが揃っている場合には、前記一の処理における製品基板を前記処理容器から搬出した後、当該一の処理におけるダミー基板については前記回転テーブルに載置したまま、前記他の処理における製品基板を前記処理容器に搬入する機能の有効及び無効を切り替える切り替え部を備えている構成であってもよい。

本発明は、基板の載置領域が処理容器の周方向に沿って複数箇所に設けられた回転テーブルを備えた基板処理装置を用いて処理を行うにあたり、複数の載置領域のうち少なくとも一つの載置領域について、製品基板の搬送先の載置領域として予め指定している。また、製品基板の搬送先として載置領域を指定するにあたり、搬送容器内のどの収納位置における製品基板を搬送するかについても指定している。そして、前記少なくとも一つの載置領域には製品基板を載置し、残りの全ての載置領域にはダミー基板を載置している。そのため、複数の載置領域のうち処理が必要な載置領域には製品基板を載置すると共に、残りの処理が不要な載置領域にはダミー基板を載置できる。従って、製品基板の不要な消費を抑制すると共に、載置領域への成膜を抑えながら、任意の位置における載置領域にて成膜処理を行うことができる。

本発明の基板処理装置を示す模式図である。 前記基板処理装置におけるプロセスモジュールを示す縦断面図である。 前記プロセスモジュールを示す斜視図である。 前記プロセスモジュールを示す横断平面図である。 前記プロセスモジュールを周方向に沿って切断して展開した縦断面図である。 前記基板処理装置における入力部を示す概略図である。 前記入力部に表示される画面の一例を示す模式図である。 前記基板処理装置における基板に対する処理の流れを示すフロー図である。 前記基板処理装置の作用を示す模式図である。 前記基板処理装置の作用を示す模式図である。 前記基板処理装置の作用を示す模式図である。 前記基板処理装置の作用を示す模式図である。 前記基板処理装置における基板に対する処理の流れを示すフロー図である。 前記入力部に表示される画面の一例を示す概略図である。 前記入力部に表示される画面の一例を示す概略図である。 前記入力部に表示される画面の一例を示す概略図である。 前記入力部に表示される画面の一例を示す概略図である。 前記入力部に表示される画面の一例を示す概略図である。 前記入力部に表示される画面の一例を示す概略図である。 前記入力部に表示される画面の一例を示す概略図である。 前記入力部に表示される画面の一例を示す概略図である。 前記基板処理装置における作用を示す模式図である。 前記基板処理装置の他の例において入力部に表示される画面の一例を示す概略図である。 前記他の例における処理の流れを示すフロー図である。 前記他の例における作用を示す模式図である。 前記他の例における作用を示す模式図である。 前記基板処理装置の別の例における処理の流れを示すフロー図である。 前記別の例における作用を示す模式図である。 前記別の例における作用を示す模式図である。 前記基板処理装置の他の例において入力部に表示される画面の一例を示す概略図である。

［装置構成］
本発明の基板処理装置の実施の形態の一例について、図１〜図７を参照して説明する。始めに基板処理装置の概略について簡単に説明すると、この装置は、ウエハＷを載置する載置領域が処理容器の周方向に沿って複数箇所に配置された回転テーブルを備えたプロセスモジュール１を備えており、このプロセスモジュール１にて各ウエハＷに対して成膜処理を行うように構成されている。そして、この装置は、処理容器にウエハＷを搬送するにあたり、載置領域の各々について、製品用ウエハＷ及びダミーウエハＷのうち任意の種別のウエハＷを載置できる機能を備えている。以下に、前記機能について詳述する前に、基板処理装置及びプロセスモジュール１の構成について説明する。

プロセスモジュール１は、図１に示すように、左右に横並びに２箇所に設けられており、互いに同じ構成となっている。これらプロセスモジュール１、１の並びに対して手前側に離間した位置には、内部が真空雰囲気に維持される真空搬送室２が気密に接続されている。この真空搬送室２の内部には、ウエハＷを搬送するために、例えば多関節アームからなる真空搬送アーム２ａが搬送機構として２枚配置されている。これら真空搬送室２及び真空搬送アーム２ａは、トランスファーモジュールをなしている。図１中Ｇはゲートバルブである。

真空搬送室２の手前側には、大気雰囲気と真空雰囲気との間で内部の圧力を切り替え自在に構成されたロードロック室３が横並びに例えば３箇所に気密に接続されている。また、これらロードロック室３の並びの手前側には、内部が大気雰囲気に保たれた大気搬送室４が接続されており、この大気搬送室４にはウエハＷを搬送する搬送機構である大気搬送アーム４ａが配置されている。これら大気搬送室４及び大気搬送アーム４ａは、ローダモジュールをなしている。

この大気搬送室４の手前側には、搬送容器（ＦＯＵＰ）５が載置される領域であるロードポート６が配置されており、このロードポート６は、搬送容器５が横並びに例えば３箇所に載置されるように構成されている。そして、ロードポート６において搬送容器５が載置される３つ領域のうち、例えば２つの領域については製品ウエハＷが収納された搬送容器５が載置され、残りの１つの領域についてはダミーウエハＷが収納された搬送容器５が載置されるように構成されている。

ここで、前記３つの領域（ポート）について右側から左側に向かって順番に「ＬＰ１」、「ＬＰ２」及び「ＬＰ３」と呼ぶ。また、製品ウエハＷが収納された搬送容器５及びダミーウエハＷが収納された搬送容器５に夫々「Ｐ」及び「Ｄ」の符号を付すと、この例では搬送容器５Ｐは右側２箇所のポートＬＰ１、ＬＰ２に配置され、ダミー基板収納部をなす搬送容器５Ｄは左端のポートＬＰ３に配置されている。そして、「製品ウエハＷ」とは、半導体装置を実際に製造する時、デバイスを形成するために使用される通常のウエハＷである。一方、「ダミーウエハＷ」とは、製品ウエハＷを用いる必要のない処理を行う場合であって、後述のスロット２０を空のままにしないために使用されるウエハＷである。従って、製品ウエハＷについては、成膜処理が施されると、搬送容器５Ｐ内に戻されると共に、次の処理を行うために搬送されていく。一方、ダミーウエハＷは、製品ウエハＷと共に成膜処理が施されると、搬送容器５Ｄ内に戻された後、後続の処理に使用される場合がある。

続いて、プロセスモジュール１について説明する。このプロセスモジュール１は、図２〜図４に示すように、平面形状が概ね円形である処理容器をなす真空容器１０と、この真空容器１０内に設けられ、当該真空容器１０の中心に回転中心を有する回転テーブル１２とを備えている。真空容器１０の天板１１の上面側における中央部には、真空容器１０内の中心部領域Ｃにおいて互いに異なる処理ガス同士が混ざり合うことを抑制するために、窒素（Ｎ2）ガスを供給するための分離ガス供給管１５が接続されている。図２中１３は、シール部材例えばＯリングであり、１７は真空容器１０の底面部１４と回転テーブル１２との間に設けられたヒータユニットである。また、図２中１８は、ヒータユニット１７の配置空間をパージするためのパージガス供給管である。

回転テーブル１２は、中心部にて概略円筒形状のコア部１２ａに固定されており、このコア部１２ａの下面に接続されると共に鉛直方向に伸びる回転軸１２ｂによって、鉛直軸周りに回転自在に構成されている。図２中１２ｃは回転軸１２ｂを鉛直軸周りに回転させる駆動部であり、１２ｄは回転軸１２ｂ及び駆動部１２ｃを収納するケース体である。ケース体１２ｄには、回転テーブル１２の下方領域に窒素ガスをパージガスとして供給するためのパージガス供給管１２ｅが接続されている。

回転テーブル１２の表面部には、図２〜図４に示すように、ウエハＷを落とし込んで保持するために、円形の凹部がスロット（載置領域）２０として設けられており、このスロット２０は、当該回転テーブル１２の回転方向（周方向）に沿って複数箇所例えば５箇所に形成されている。スロット２０の通過領域と各々対向する位置には、４本のノズル３１、３２、４１、４２が真空容器１０の周方向に互いに間隔をおいて放射状に配置されている。これら各ノズル３１、３２、４１、４２は、例えば真空容器１０の外周壁から中心部領域Ｃに向かってウエハＷに対向して水平に伸びるように各々取り付けられている。この例では、後述の搬送口１９から見て時計周り（回転テーブル１２の回転方向）に第２の処理ガスノズル３２、分離ガスノズル４１、第１の処理ガスノズル３１及び分離ガスノズル４２がこの順番で配列されている。

各ノズル３１、３２、４１、４２は、流量調整バルブを介して夫々以下の各ガス供給源（図示せず）に夫々接続されている。即ち、第１の処理ガスノズル３１は、Ｓｉ系の原料ガス（例えばＢＴＢＡＳ：ビスターシャルブチルアミノシラン）の貯留部に接続されている。また、第２の処理ガスノズル３２は、例えばオゾン（Ｏ3）ガスの貯留部（詳しくはオゾナイザーの設けられた酸素（Ｏ2）ガス源）に接続されている。分離ガスノズル４１、４２は、分離ガスである窒素ガスのガス供給源に各々接続されている。これらガスノズル３１、３２、４１、４２の例えば下面側には、図５に示すように、ガス吐出孔３３が回転テーブル１２の半径方向に沿って複数箇所に形成されている。尚、図５は、回転テーブル１２の回転方向に沿って真空容器１０を切断して展開した縦断面を示している。

分離ガスノズル４１、４２が配置された領域における真空容器１０の天板１１には、図４及び図５に示すように、概略扇形の凸状部３４が設けられており、従って当該分離ガスノズル４１、４２は、この凸状部３４内に収められている。こうして分離ガスノズル４１、４２における回転テーブル１２の周方向両側には、各処理ガス同士の混合を阻止するために、前記凸状部３４の下面である低い天井面が配置され、この天井面の前記周方向両側には、当該天井面よりも高い天井面が配置されている。

回転テーブル１２と真空容器１０の内壁面との間における底面部１４には、２つの排気口６１、６２が形成されている。これら２つの排気口６１、６２のうち一方及び他方を夫々第１の排気口６１及び第２の排気口６２と呼ぶと、第１の排気口６１は、第１の処理ガスノズル３１と、当該第１の処理ガスノズル３１よりも回転テーブル１２の回転方向下流側における凸状部３４との間に形成されている。第２の排気口６２は、第２の処理ガスノズル３２と、当該第２の処理ガスノズル３２よりも回転テーブル１２の回転方向下流側における凸状部３４との間に形成されている。これら第１の排気口６１及び第２の排気口６２は、図２に示すように、各々バタフライバルブなどの圧力調整部６５の介設された排気管６３により、真空排気機構である真空ポンプ６４に接続されている。

真空容器１０の側壁面におけるある一部例えば既述の分離ガスノズル４２から見て回転テーブル１２の回転方向下流側且つ第２の処理ガスノズル３２から見て回転テーブル１２の回転方向上流側には、ウエハＷの搬送口１９が形成されている。既述の真空搬送アーム２ａによって、この搬送口１９を介して真空容器１０に対してウエハＷの搬入出が行われる。この搬送口１９を臨む位置における回転テーブル１２の下方側には、回転テーブル１２の貫通口を介してウエハＷを裏面側から持ち上げるための昇降ピン（いずれも図示せず）が設けられている。

ここで、真空容器１０内にウエハＷを搬入する時の回転テーブル１２の位置及び動作について説明する。このプロセスモジュール１は、既述のように回転テーブル１２を鉛直軸周りに回転させながら成膜処理を行うように構成されており、従ってウエハＷ間における処理の均一性が高い。そのため、真空容器１０内に５枚のウエハＷを搬入するにあたり、５つのスロット２０のうちどのスロット２０から搬入動作を始めても、成膜後の薄膜の特性については大きな影響がない。

しかしながら、成膜処理が終了した時、例えば各々のウエハＷにおける薄膜の特性と当該ウエハＷが処理されたスロット２０との相関を調べるために、各ウエハＷについてどのスロット２０で処理を行ったかをトレースできるようにしておく必要がある。また、各ロット間において、各スロット２０への搬送の順番をできるだけ揃えておくことが好ましい。そこで、５つのスロット２０について、仮想的に順番を付けておき、どのロットでもこれらスロット２０に対して順番にウエハＷが搬送されるようにしている。言い換えると、回転テーブル１２について、ウエハＷの搬入を開始する時の初期位置を設定していると言える。

ここで、５つのスロット２０について、以降の説明を簡略化するために、仮想的に番号を付しておく。具体的には、後述の図１１に示すように、回転テーブル１２が前記初期位置に設定された時において、搬送口１９を臨む位置におけるスロット２０に「２１」の符号を付す。また、この初期位置から回転テーブル１２を時計周りに３６０°÷５だけ回転させた時に当該搬送口１９を臨むスロット２０に「２２」の符号を付す。こうして５つのスロット２０に順番に２１〜２５の符号を付すと、各スロット２０には回転テーブル１２の回転方向とは逆周り（反時計周り）に番号が振られる。

そして、これらスロット２１〜２５に対してウエハＷの搬送を行うにあたり、スロット２１〜２５に対して飛び飛びでウエハＷの搬送動作を行った場合には、具体的にはスロット２１にウエハＷを搬入した後、スロット２３にウエハＷを搬入する場合には、回転テーブル１２が余分に回転する分だけスループットの低下に繋がってしまう。そこで、５枚のウエハＷを真空容器１０内に例えば搬入する時には、初期位置におけるスロット２１にウエハＷを搬入し、続いてスロット２２、２３、２４、２５の順番でウエハＷの搬入動作を行っている。従って、後述の「ＰＭスロット選択モード」において成膜処理を行う場合であっても、以上説明した通常の処理との間でできるだけウエハＷの搬送手順や成膜プロセスを揃えるために、当該処理と同じ順番でウエハＷの搬送動作が行われる。

以上説明したプロセスモジュール１を備えた既述の基板処理装置には、図１に示すように、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部７１が設けられており、この制御部７１は、ＣＰＵ７２及び作業用のメモリ７３を備えている。また、制御部７１には、ウエハＷに対して成膜処理を行うためのプログラム７４が設けられており、このプログラム７４は、通常処理プログラム７４ａと、スロット指定処理プログラム７４ｂとを備えている。通常処理プログラム７４ａは、例えば多数枚のウエハＷに対して連続して成膜処理を行う時に用いられるプログラムである。スロット指定処理プログラム７４ｂは、任意のスロット２０だけについて、製品ウエハＷを用いて、成膜される薄膜の特性を評価する時に使用されるプログラムである。

即ち、例えば特定のスロット２０について成膜処理の再現性を確認する時など、当該特定のスロット２０以外の他のスロット２０についても製品ウエハＷを使用すると、前記他のスロット２０にて処理される製品ウエハＷについてはいわば無駄になり、コストアップに繋がってしまう。一方、前記他のスロット２０にウエハＷを載置せずに成膜処理を行うと、当該他のスロット２０の例えば底面（回転テーブル１２の表面）に薄膜が成膜されて、後続の処理において別のウエハＷの裏面を汚染したり、パーティクルの原因となったりしてしまう。そこで、このプログラム７４ｂは、特定のスロット２０については製品ウエハＷを収納し、他のスロット２０についてはダミーウエハＷを収納して成膜処理を行うように構成されている。これらプログラム７４ａ、７４ｂは、後述の装置の動作を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体である記憶部７５から制御部７１内にインストールされる。

ここで、以上のプログラム７４ａ、７４ｂにおいて製品ウエハＷとダミーウエハＷとを使い分けるにあたり、既述の制御部７１には、３つの搬送容器５の各々について、製品ウエハＷと、ダミーウエハＷとのいずれのウエハＷが収納されているかの情報が格納される記憶領域７６が設けられている。そして、基板処理装置には、プログラム７４ａ、７４ｂの切り替えや、記憶領域７６への前記情報の入力を行うために、例えばディスプレイ（表示部）、キーボードやマウス（入力装置）を備えたコンピュータからなる入力部７７が設けられている。この入力部７７について、前記ディスプレイに表示される画面を参照しながら図６を用いて以下に説明する。

ディスプレイの上段には、左側から右側に向かって「ＬＰ１ロットスタート」及び他の各ボタン８０がこの順番で配置されている。これらボタン８０は、ディスプレイ上においてマウスポインタを当該ボタン８０に合わせてマウスのボタンをクリックすることにより、あるいはディスプレイを作業者が直接触ることにより選択できるようになっている。以下に説明する他のボタンなどについても同様にマウスボタンのクリックや作業者が触ることで選択できるように構成されている。尚、以降の説明において、ボタン８０を「選択する」ことについて、ボタン８０を「押す」と表記する場合がある。

「ＬＰ１ロットスタート」は、このディスプレイに表示されている各項目に対して必要な情報を入力したり、ウエハＷに対するレシピなどを選択したりした後、ポートＬＰ１に載置された搬送容器５の各ウエハＷに対して、プロセスモジュール１を用いて実際の処理をスタートさせる時に押すためのボタンである。

そして、各ボタン８０の下側におけるディスプレイの中段には、ポートＬＰ１に載置される搬送容器５内の各ウエハＷに対して行われる処理の詳細が表示されている。即ち、前記中段の左端には、搬送容器５内の例えば２５枚の各ウエハＷの収納位置に対応する番号が下から上に向かって付された領域８１が表示されている。この「収納位置」は、通常「スロット」と呼ばれるが、プロセスモジュール１における「スロット２０」と用語の混在を避けるために、この明細書では「収納位置」と呼ぶことにする。尚、この収納位置については、ディスプレイの上下方向における表示領域をできるだけ狭く抑えるため、奇数の番号については右側寄りに記載され、偶数の番号については左寄りに記載されている。

これらウエハＷの収納位置の奇数の番号の並び８２と、偶数の番号の並び８３とに挟まれる領域には、各々のウエハＷについて、処理を行うロットを選択した時に付される当該ロットの番号と、当該ロットを選択した順番に付される番号とが表示される表示窓８４が各ウエハＷ（番号）毎に個別に設けられている。即ち、この表示窓８４には、２つの数字とこれら２つの数字の間におけるハイフン（−）とが表示されており、例えばロット１における１番目のウエハＷについては「１−１」が表示され、例えばロット５における３番目のウエハＷについては「５−３」が表示されている。そして、ロット指定されていない（未入力の）ウエハＷについては、「０−０」が表示されている。

図６では、最下段の（１枚目）のウエハＷについてはロット１の１番目の表示「１−１」がなされており、下から２枚目のウエハＷについてはロット１の２番目の表示「１−２」がなされている。また、下から３枚目のウエハＷについてはロット２の１番目（「２−１」）であり、下から４枚目のウエハＷについてはロット２の２番目（「２−２」）である。そして、下から５枚目よりも上段側のウエハＷについては、ロット指定されておらず（「０−０」）、従って図６はポートＬＰ１におけるロット設定の途中の段階を示している。このロット指定の手法については、後で詳述する。尚、表示窓８４における後段側の数字については、既述のようにあるロットにおいて何番目にロット指定を行ったかを示す番号であり、後述のスロット２０の番号とは無関係である。

そして、前記領域８１の右側には、搬送容器５の内部を模式的に横から見た様子を示す模式図８５が表示されており、この模式図８５における各ウエハＷは、当該模式図８５の左側における領域８１における各ウエハＷについての表示（番号及び表示窓８４）に対応するように配置されている。そして、既述のロット指定が終了したウエハＷについては、表示窓８４にロット番号が表示されると共に、この模式図８５についてもウエハＷの表示が現れるように構成されている。従って、図６では、既述のように最下段から４枚のウエハＷについてはロット指定が終了していることから、これら４枚のウエハＷに対応する位置における模式図８５には、各々ウエハＷ（横に伸びる棒状の図）が表示されている。

模式図８５の右側には、「スロット選択モード」、「ＰＭスロット選択モード」、「ＰＪＩＤ設定」及び「ロット設定クリア」の４つのボタン８０と、各ロットの名称や具体的な処理内容が表示されたレシピ表８６とが夫々上下に分かれて並んでいる。「スロット選択モード」とは、搬送容器５内の各ウエハＷに対して個別にロット指定するためのボタン８０である。「ＰＭスロット選択モード」とは、後で詳述するように、各ウエハＷについて、ロットの設定に加えて、搬送先のスロット２０についても設定するための設定部をなすボタン８０である。「ＰＪＩＤ設定」とは、各ロットに対して名称を付すためのボタン８０である。「ロット設定クリア」とは、現在設定しているロットについて設定した内容を消去するためのボタン８０である。尚、図６は、「ＰＭスロット選択モード」をオフにした状態を表している。

レシピ表８６の上段側には、左側から右側に向かって順番に「ロット１」、「ロット２」、、、「ロットｎ（ｎ：自然数）」が並んでおり、各ロットの番号を選択する（押す）ことによって、当該ロットの内容が選択状態（編集状態）となるように構成されている。また、各ロット番号の下側には、ＰＪＩＤ、ウエハＷの搬送経路、レシピ名及び２つのプロセスモジュール１、１のうちどちらのプロセスモジュール１で処理を行うかなどといった情報が各々のロット番号に対応して表示されている。「ウエハＷの搬送経路」とは、例えば３つのロードロック室３のうちどのロードロック室３を使用するか、あるいは２枚の真空搬送アーム２ａのうちどちらを使用するかなどといった情報となっている。「レシピ名」とは、プロセスモジュール１にて行われる具体的な処理内容であり、例えば処理ガスの流量、処理圧力、回転テーブル１２の回転数、処理時間あるいは処理温度などが対応付けられている。レシピ表８６の下段には、スクロールボタン８７が配置されており、このスクロールボタン８７を押すことによって、ディスプレイに表示されるロット番号が左右にずれるように構成されている。

ディスプレイの下段には、「終了」、「中止」及び「レシピ設定」の各ボタン８０が横並びに配置されており、ロット設定の終了や中止、あるいはレシピの具体的な編集を行うように構成されている。

そして、このディスプレイにおける例えば既述の「セレクトスクリーン」を押すことにより、図７に示すように、各ポートＬＰ１〜ＬＰ３に載置される各搬送容器５について、製品ウエハＷ及びダミーウエハＷのどちらのウエハＷが収納されているかを選択する選択画面８８が表示される。そして、この選択画面８８で選択した情報が既述の記憶領域７６に記憶される。尚、このような選択画面８８を設けずに、例えばポートＬＰ３には必ずダミーウエハＷを収納した搬送容器５を載置するものとして基板処理装置を運用しても良い。

以上説明した制御部７１から装置の各部位に制御信号を出力するにあたり、既述の図１に示すように、当該装置には、当該制御部７１と同様に装置の各部位に制御信号を出力できるように構成された、入力部７７とは別の表示部や入力装置を備えたホストコンピュータ７８が設けられている。即ち、既述の入力部７７は基板処理装置の製造メーカ側が使用する端末であり、一方ホストコンピュータ７８は当該装置が納入される納入先にて使用される端末である。従って、ホストコンピュータ７８の表示部についても、以上説明した入力部７７と同様の操作画面が表示されるように構成されると共に、後述の第１の搬送モード及び第２の搬送モードを実行できるように構成されている。言い換えると、ホストコンピュータ７８は、制御部７１を介してプログラム７４に各項目を直接設定できるように構成されており、前記納入先から見ると入力部７７がホストコンピュータ７８をなしていても良い。

（装置の作用：連続処理時）
続いて、入力部７７におけるレシピの設定方法と共に、上述の基板処理装置における作用について、図８〜図１２を参照して説明する。始めに、「ＰＭスロット選択モード」をオフにした状態、即ち例えば製品ウエハＷに対して連続して処理を行う時（半導体装置の生産時）の第１の搬送モードについて説明する。先ず、既述の図７の選択画面８８において、例えばポートＬＰ１、ＬＰ２については製品ウエハＷが収納された搬送容器５が載置され、ポートＬＰ３についてはダミーウエハＷが収納された搬送容器５が載置されるものと設定する。このように各ポートＬＰ１〜ＬＰ３に載置されるウエハＷの種別を設定するにあたり、ロードポート６に搬送容器５が実際に載置される前に設定しても良いし、各搬送容器５をロードポート６に載置した後で設定しても良い。

次いで、ポートＬＰ１の各製品ウエハＷについて処理レシピを設定する（ステップＳ１１）。具体的には、図６のレシピ表８６における「ロット１」を押すと共に、表示窓８４における最下段のウエハＷ（ウエハ１）を押すと、当該ウエハＷがロット１として設定される。次いで、表示窓８４における下側から２枚目のウエハＷについても同様にロット１に組み込む。こうして複数枚のウエハＷに対して順次ロット１に設定すると共に、レシピ表８６においてＰＪＩＤや具体的なレシピの内容を設定する。この例では、ロット１として、９枚の製品ウエハＷを設定したものとする。続いて、同様にロット２以降の他のロットについてもレシピや処理対象となるウエハＷの番号を設定すると共に、ポートＬＰ２の各製品ウエハＷについても同様にレシピを設定する。尚、入力部７７におけるディスプレイでは、編集中の（選択中の）ロットにおけるレシピ表８６や表示窓８４について、他の編集済みあるいは未編集のロットとは異なる表示色となっている。

そして、図６における「ＬＰ１ロットスタート」を押すと、ポートＬＰ１における各製品ウエハＷに対して実際の搬送動作及び成膜処理が開始される。具体的には、回転テーブル１２を初期位置に設定する（ステップＳ１２）。即ち、５つのスロット２０（２１〜２５）のうち、スロット２１が搬送口１９に臨むように回転テーブル１２の位置を設定する。次いで、図９に示すように、大気搬送アーム４ａを用いてロードポート６（詳しくはポートＬＰ１）から製品ウエハＷを取り出して、大気雰囲気に設定されたロードロック室３に搬入する。続いて、ロードロック室３を気密に閉じると共に、当該ロードロック室３内を真空引きした後、真空搬送室２側のゲートバルブＧを開放する。そして、真空搬送アーム２ａを用いて、図１０に示すように、ウエハＷを２つのプロセスモジュール１、１のうち例えば右側のプロセスモジュール１の回転テーブル１２におけるスロット２１に載置する（ステップＳ１３）。

このようにあるウエハＷの搬入が終了した時、当該ウエハＷが含まれるロットにまだ未搬送のウエハＷが残っている場合には、具体的にはロット１にはまだ８枚のウエハＷが残っているので、別のウエハＷの搬入を行う（ステップＳ１４）。そして回転テーブル１２に５枚のウエハＷが載置されるまで、回転テーブル１２を間欠的に回転させながら、ウエハＷの搬入を繰り返す（ステップＳ１５、Ｓ１６）。
次いで、真空容器１０を気密に閉じると共に、真空容器１０内を成膜圧力に設定する。また、回転テーブル１２を例えば２ｒｐｍ〜２４０ｒｐｍで時計周りに回転させながら、ヒータユニット１７によりウエハＷを加熱する。

続いて、処理ガスノズル３１、３２から夫々Ｓｉ系ガス及びオゾンガスを吐出すると共に、分離ガスノズル４１、４２から分離ガスを所定の流量で吐出し、分離ガス供給管１５及びパージガス供給管１８からも窒素ガスを所定の流量で吐出する。回転テーブル１２上のウエハＷが第１の処理ガスノズル３１の下方側に到達すると、ウエハＷの露出面にはＳｉ系の原子層あるいは分子層が吸着層として形成される。また、この吸着層が形成されたウエハＷが第２の処理ガスノズル３２の下方側に到達すると、当該吸着層が酸化されて反応層が形成される。こうして回転テーブル１２を多数回に亘って回転させることにより、各々のウエハＷにおいて、反応層が多層に亘って積層されて薄膜が形成される。

処理が終了した各ウエハＷについては、搬入時と逆の順番で搬送容器５に戻されて、こうしてロット１における９枚のウエハＷのうち５枚の処理が終了する。次いで、残りの４枚の製品ウエハＷについても同様にスロット２１から順番に真空容器１０内に搬入すると、５番目のスロット２５は空になっている（ステップＳ１６）。このようにウエハＷを載置しない空のスロット２５が残ったままで成膜処理を開始すると、当該スロット２５の下面には、ウエハＷの表面と同様に薄膜が形成されてしまう。その場合には、後続の成膜処理を行う時、別のウエハＷの裏面が薄膜と接触し、当該裏面が汚染されたり、あるいはこの薄膜がパーティクルとして飛散したりするおそれがある。そこで、図１１に示すように、ポートＬＰ３からダミーウエハＷを取り出して、図１２に示すようにスロット２５に載置する（ステップＳ１７）。こうして５つのスロット２０の全てにウエハＷが載置されたので（ステップＳ１８）、既述の例と同様に成膜処理を開始する。その後、後続の他のロットについても同様に成膜処理が行われる。

（装置の作用：ＰＭスロット選択モード）
次に、既述の「ＰＭスロット選択モード」をオンにした場合の第２の搬送モードの作用について、図１３〜図２２を参照して説明する。始めに、このような「ＰＭスロット選択モード」を設けた理由について説明する。既述のように、例えば成膜試験を行う時、５つのスロット２０のうちある特定のスロット２０にて成膜処理の再現性を確認する場合がある。具体的には、１番目のスロット２１及び４番目のスロット２４だけで製品ウエハＷに対して成膜処理を行う場合がある。このような成膜試験を行うにあたり、これら１番目のスロット２１及び４番目のスロット２４以外の他のスロット２０にウエハＷを載置しないで成膜処理を行うと、既述のように後続の処理において別のウエハＷの裏面の汚染やパーティクルの発生が起こるおそれがある。一方、製品ウエハＷを前記他のスロット２０に載置して成膜処理を行うと、これら３つのスロット２０に載置されるウエハＷの分だけコストアップに繋がってしまう。

そのため、１番目のスロット２１及び４番目のスロット２４以外については、ダミーウエハＷを載置して処理を行うことが好ましい。しかしながら、既述の図８に示したフローでは、ダミーウエハＷは、あくまでも製品ウエハＷに対して連続的に処理を行う中で、真空容器１０内で一度に処理される製品ウエハＷが５枚に満たない時に使用される運用方法となっている。従って、このフローに基づいて１番目のスロット２１及び４番目のスロット２４に製品ウエハＷを載置し、残りのスロット２０についてはダミーウエハＷを載置しようとしても、１番目から４番目のスロット２１〜２４については製品ウエハＷが載置され、５番目のスロット２５だけにダミーウエハＷが載置されることになる。そのため、ダミーウエハＷを用いる場合であっても、通常の成膜処理用のフローではスロット２２、２３に載置される２枚のウエハＷの分だけコストアップになってしまう。

更に、プロセスモジュール１にて実際に多数枚の製品ウエハＷに対して成膜処理を連続的に行う場合、ウエハＷの搬送順序として、スループットの観点から、回転テーブル１２の周方向に沿って順番に搬送している。従って、ある特定のスロット２０だけに製品ウエハＷを載置して成膜試験を行う場合であっても、成膜条件だけでなく、ウエハＷの搬送順序についても、連続的に成膜処理を行う時と揃える必要がある。そのため、前記特定のスロット２０に始めに製品ウエハＷを搬送し、次いで残りのスロット２０にダミーウエハＷを搬送するという手法は採りづらい。

そこで、以下に説明する「ＰＭスロット選択モード」では、回転テーブル１２の周方向に沿って順番にウエハＷを搬送しながら、１番目のスロット２１及び４番目のスロット２４だけに製品ウエハＷを載置し、残りのスロット２０の全てについてはダミーウエハＷを載置できるように構成されている。言い換えると、回転テーブル１２の周方向に沿って順番にウエハＷを回転テーブル１２に積載する中で、当該ウエハＷを製品ウエハＷとダミーウエハＷとで順次切り替えている。即ち、この「ＰＭスロット選択モード」では、始めに各製品ウエハＷに対して、既述の例で説明したロットや処理レシピを設定する時に、搬送先のスロット２０についても指定している（ステップＳ２１）。具体的には、既述の図６において「ＰＭスロット選択モード」を押すと、図１４に示すように、当該モードの有効及び無効を切り替えるための選択窓９１が表示される。尚、図１４では入力部７７におけるディスプレイについて簡略化している。以降の各図についても同様である。

この選択窓９１において「有効」を選択すると、図１５に示すように、入力部７７のディスプレイにおける模式図８５と各ウエハＷの収納位置の番号などを表示する領域８１との間に、スロット番号が表示されるスロット表示部９２が現れる。次いで、表示窓８４における最下段の「ウエハ１」を選択すると、図１６に示すように、スロット２１〜２５のいずれかを選択できるスロット選択表示９３が現れる。この選択表示９３において例えば「スロット２１」を選択すると、図１７に示すように、スロット選択表示９３におけるウエハ１に対応する部位に、「２１」が表示される。即ち、ウエハ１と、当該ウエハ１の搬送先のスロット２１とが対応付けられる。尚、図１６において選択した表示窓８４についてはハッチングを付している。

次いで、図１８に示すように、同様にして下から２番目の「ウエハ２」を選択すると、スロット選択表示９３が現れるが、ウエハ１に対して既にスロット２１を選択済みであることから、当該スロット選択表示９３にはスロット２１は表示されない。そして、このスロット選択表示９３で「スロット２４」を選択すると、同様にスロット表示部９２におけるウエハ２に対応する部位に、「２４」が表示される。また、表示窓８４におけるウエハ１、２に対応する部位には、夫々「１−１」及び「１−２」が表示されると共に、模式図８５にはこれらウエハ１、２が現れる。

こうして例えば以上設定したロット１に続いて、ロット２についても同様に設定する。具体的には、図２０に示すように、レシピ表８６における上段側の「ロット２」を選択すると共に、図２１に示すように、下から３番目及び４番目のウエハ３、４について、同様に以上説明したスロット２１、２４の指定を行う。表示窓８４におけるウエハ３、４に対応する部位には、夫々「２−１」及び「２−２」が表示され、模式図８５にはウエハ３、４が現れる。

続いて、「ＬＰ１ロットスタート」を押すと、既述の例と同様に、回転テーブル１２が初期位置となるように、即ち搬送口１９にスロット２１が向くように当該回転テーブル１２の姿勢が設定される（ステップＳ２２）。この時点では回転テーブル１２にはまだウエハＷが搬入されておらず（ステップＳ２３）、従って１番目のスロット２１について、製品ウエハＷが指定されているか否かが判断される（ステップＳ２４）。既述のように、この１番目のスロット２１には製品ウエハＷが指定されているので（ステップＳ２５）、即ちスロット表示部９２におけるウエハ１に対応する部位には「２１」が表示されているので、既述の図９に示したように、ポートＬＰ１から製品ウエハＷを取り出して、当該スロット２１にウエハＷ（ウエハ１）を搬送する（ステップＳ２６）。

続いて、ウエハＷの搬送枚数がまだ１枚であることから（ステップＳ２４、Ｓ２５）、次のスロット２２が搬送口１９を向くように、回転テーブル１２を回転させる。この２番目のスロット２２には製品ウエハＷが指定されていないので、既述の図１１に示したように、ポートＬＰ３からダミーウエハＷを取り出して、当該スロット２２に載置する（ステップＳ２８）。次いで、同様にスロット２３についても製品ウエハＷが指定されていないので、ダミーウエハＷが載置される。そして、スロット２４には製品ウエハＷ（ウエハ２）が指定されているので、ポートＬＰ１からウエハ２を取り出してスロット２４に載置する。しかる後、スロット２５についてはスロット２２、２３と同様にダミーウエハＷが載置される。こうして図２２に示すように、各スロット２１〜２５が搬送口１９を臨むように順番に位置させる中で、スロット２１、２４には製品ウエハＷが各々載置され、スロット２２、２３、２５にはダミーウエハＷが載置される。

その後、ロット１について成膜処理が行われた後、各々の５枚のウエハＷが元の搬送容器５に戻されて、ロット２について同様に処理が行われる。尚、製品ウエハＷの搬送先のスロット２０を指定するにあたり、搬送容器５内において当該製品ウエハＷに対応する位置にウエハＷが収納されていない場合には、入力部７７におけるディスプレイには、ウエハＷの有無を判別する機構（例えば図示しないカメラや赤外線の発受光部など）を介してエラー表示がなされる。

上述の実施の形態によれば、５つのスロット２０のうち特定のスロット２０だけで製品ウエハＷに成膜処理を行う時、当該特定のスロット２０については予め製品ウエハＷが搬送されるように、また他のスロット２０についてはダミーウエハＷが搬送されるように設定している。そして、前記特定のスロット２０について、搬送容器５のどの収納位置における製品ウエハＷを搬送するかについても指定している。そのため、スロット２０の下面への成膜を抑制しながら、処理が必要なスロット２０だけに任意の製品ウエハＷを搬送できるので、製品ウエハＷの不要な消費（コストアップ）を抑制できる。

従って、ＰＭスロット選択モードを用いることにより、以下のように装置を運用できる。具体的には、例えば多数回に亘って連続的に成膜処理を行った後、装置のメンテナンスを行う前に、緊急でウエハＷに対して処理を行う必要が生じたとしても、当該ウエハＷに対して良好に且つ速やかに成膜処理を行うことができる。即ち、メンテナンスを行う前に、５つのスロット２０のうちいずれかのスロット２０にて例えば膜厚に異常が見られたとしても、この異常が見られるスロット２０を避けて既述の緊急のウエハＷに対して処理を行うことができる。

（他の例）
以下に、本発明の他の例について説明する。図２３〜図２６は、ダミーウエハＷを連続使用する例を示している。即ち、既述の図１３などで説明した例では、一の成膜処理（ロット１）と、当該一の成膜処理に続いて行われる他の成膜処理（ロット２）とでは、ダミーウエハＷはいずれもスロット２１、２４に載置される設定となっている。このダミーウエハＷは、既述のように、薄膜がスロット２０の下面に付着しないようにするためのものであり、複数の成膜処理で流用しても良い。そして、これら一の成膜処理及び他の成膜処理ではダミーウエハＷの配置場所（配置レイアウト）が揃っているため、一の成膜処理が終了した後、他の成膜処理を開始する時にはダミーウエハＷを取り出す必要がないと言える。しかし、既述の例では、一の成膜処理が終了すると、ダミーウエハＷは、一旦ポートＬＰ３の搬送容器５に戻されて、その後他の成膜処理を開始する時、再度搬送容器５から当該ダミーウエハＷあるいは別のダミーウエハＷが取り出される運用となっていた。そこで、この例では、ダミーウエハＷを連続使用できるようにしている。

具体的には、入力部７７には、図２３に示すように、ダミーウエハＷの連続使用機能の有効及び無効を切り替えるための切り替え部１００が設けられている。始めに、図２４に示すように、この切り替え部１００を「有効」に切り替える（ステップＳ３１）。既述の例では、一の成膜処理でダミーウエハＷが使用されていて（ステップＳ３２）、続く他の成膜処理でもダミーウエハＷが使用される（ステップＳ３３）。更に、これら一の成膜処理及び他の成膜処理でダミーウエハＷのスロット２０が全て同じになっていて（ステップＳ３４）、切り替え部１００が有効になっている（ステップＳ３５）ので、以下の運用がなされる。

即ち、図２５に示すように、一の成膜処理が終了した時、当該一の成膜処理で使用したダミーウエハＷについては回転テーブル１２に残したまま、製品ウエハＷについては元の搬送容器５に戻す。そして、図２６に示すように、続く他の成膜処理の製品ウエハＷを真空容器１０に搬入する。従って、前記他の成膜処理では、ダミーウエハＷを真空容器１０に搬入しなくても良いので、スループットの向上を図ることができる。尚、一の成膜処理及び他の成膜処理のいずれか一方でダミーウエハＷが使用されていない場合、これら成膜処理の間でダミーウエハＷの配置レイアウトが違っている場合、更には切り替え部１００が無効になっている場合には、既述の図１３で説明した運用法がなされる（ステップＳ３７）。

更に、ダミーウエハＷを一の成膜処理と他の成膜処理において連続して使用する機能について、これら成膜処理の間でダミーウエハＷの配置レイアウトが揃っている場合だけでなく、ダミーウエハＷの枚数が揃っている場合に適用しても良い。このような例について、図２７〜図２９を参照して説明する。始めに、ダミーウエハＷは、前記一の成膜処理ではスロット２１、２３、２４で使用され、前記他の成膜処理ではスロット２１、２２、２４で使用されるものとする。即ち、これら成膜処理では、スロット２１、２４ではダミーウエハＷの位置が共通しているが、スロット２２、２３についてはダミーウエハＷの位置がずれている。尚、図２７では、既述の図２４と同じステップには同じ符号を付して説明を省略する。

既述のステップＳ３４において、前記一の成膜処理と前記他の成膜処理においてダミーウエハＷのスロット２０が異なっている時、ダミーウエハＷの連続使用機能が有効な場合（ステップＳ４０）には、以下の態様が採られる。即ち、これら成膜処理間でダミーウエハＷの使用枚数が同じ場合（ステップＳ４１）には、始めに先の成膜処理の製品ウエハＷを搬送容器５に戻す（ステップＳ４２）。次いで、ダミーウエハＷについて、前記他の成膜処理におけるスロット２０に移し替える。

具体的には、図２８に示すように、スロット２３におけるダミーウエハＷについて、真空搬送アーム２ａを用いて真空容器１０から取り出して、当該ダミーウエハＷを真空搬送室２で待機させる。そして、図２９に示すように、スロット２２が搬送口１９を臨むように回転テーブル１２を回転させて、真空搬送アーム２ａ上の既述のダミーウエハＷを当該スロット２２に載置する（ステップＳ４３）。その後、前記他の成膜処理における製品ウエハＷの搬送を開始する（ステップＳ４４）。尚、ダミーウエハＷを移し替えるにあたって、各々のダミーウエハＷについて、先の成膜処理と配置位置が同じか違っているかが個別に判断され、配置位置が同じ場合には既述のようにダミーウエハＷの搬入出作業は行われない。一方、ダミーウエハＷの配置位置が異なっている場合には、例えば当該ダミーウエハＷが置かれているスロット２０に最も近いスロット２０にダミーウエハＷが移載される。

このような運用方法では、ダミーウエハＷを真空搬送室２から搬送容器５に戻すまでの時間及び搬送容器５から真空搬送室２に搬入するまでの時間が不要になるので、同様にスループットの向上に繋がる。
以上の図２４及び図２７においてダミーウエハＷを一の成膜処理と次の成膜処理との間で連続して使用するにあたり、切り替え部１００を設けずに、このような機能を自動で有効にしても良い。

また、これら図２４及び図２７において、一の成膜処理と当該一の成膜処理に続く別の成膜処理のいずれについてもダミーウエハＷを使用する場合には、これら成膜処理間でダミーウエハＷの配置レイアウトや使用枚数が違っていても、同様の運用方法を採っても良い。
具体的には、一の成膜処理で２枚のダミーウエハＷを使用し、他の成膜処理で３枚のダミーウエハＷを使用する場合が挙げられる。この場合には、一の成膜処理の２枚のダミーウエハＷについては搬送容器５に戻さずに、回転テーブル１２上に残したまま、あるいは真空搬送室２にて待機させると共に他の成膜処理の配置レイアウトとなるように位置を調整する。そして、搬送容器５から１枚のダミーウエハＷを回転テーブル１２に載置する。
また、一のロットで３枚のダミーウエハＷを使用し、他の成膜処理で２枚のダミーウエハＷを使用する場合については、一の成膜処理の３枚のダミーウエハＷのうち１枚を搬送容器５に戻す。そして、一の成膜処理の残りの２枚のダミーウエハＷについては、搬送容器５に戻さずに、回転テーブル１２上に残したまま、あるいは他の成膜処理の配置レイアウトとなるように位置を調整しても良い。

以上の説明において、入力部７７にて各製品ウエハＷの搬送先のスロット２０を指定するにあたり、ロードポート６に搬送容器５が置かれる前に行うようにしたが、ロードポート６に搬送容器５を載置した後行っても良い。この場合には、図示しないカメラや赤外線の照射部及び受光部などを用いた判別機構を用いて、搬送容器５内のウエハＷの有無を判別した時、ウエハＷが収納されていない場合には、空の位置については搬送先のスロット２０を指定できないようにしても良い。図３０では、下側から１２番目、１５番目及び２１番目については搬送容器５内にウエハＷが収納されておらず、従ってこれら３箇所については搬送先のスロット２０を指定できないようにした例を示している。

また、以上の例では、始めにスロット２１に対してウエハＷの搬送を行ったが、例えばスロット２２からウエハＷの搬送を開始して、その後回転テーブル１２の周方向に沿って順番にウエハＷを搬送しても良い。更に、回転テーブル１２が停止している時、搬送口１９を臨む位置におけるスロット２０からウエハＷの搬送を開始しても良い。具体的には、あるロットに対して処理が終了した時、スロット２１〜２５から順番にウエハＷを取り出すと、回転テーブル１２が空になった時にはスロット２５が搬送口１９側を向いている。従って、このロットの次のロットについては、スロット２５からウエハＷの搬送を開始しても良い。

更にまた、ウエハＷの搬送順序をランダムに設定しても良く、具体的には例えばスロット２２にウエハＷを搬送し、次いでスロット２４、２１、２５、２３の順番でウエハＷを搬送しても良い。従って、このようにウエハＷの搬送順序をランダムにすることにより、例えば搬送容器５内における例えば最下段のウエハＷを始めに搬送し、次いで当該最下段の上側に配置しているウエハＷを搬送し、こうして順次上側のウエハＷを搬送しても良い。

更に、以上の例において、製品ウエハＷを特定のスロット２０に搬送すると共に、当該特定のスロット２０以外のスロット２０にはダミーウエハＷを搬送する手法に本発明を適用したが、５枚の製品ウエハＷに対して成膜処理を行う場合に適用しても良い。具体的には、５枚の製品ウエハＷに対して各々薄膜を成膜した後、例えばスロット２２、２５における製品ウエハＷには更に厚膜となるように成膜処理を行っても良い。この場合には、５枚の製品ウエハＷに対して薄膜を成膜した後、続く成膜処理を行う前に、スロット２１、２３、２４における製品ウエハＷを搬出すると共に、これらスロット２１、２３、２４にはダミーウエハＷを搬送する。このような運用方法では、同じプロセスモジュール１を使用しながら、複数のウエハＷに対して互いに膜厚の異なる薄膜を成膜出来る。

また、既述の例では、プロセスモジュール１にて真空雰囲気において成膜処理を行ったが、大気雰囲気にて成膜処理を行っても良い。この場合には、プロセスモジュール１は、大気搬送室４に接続される。更に、プロセスモジュール１にて行う処理として、成膜処理を例に挙げたが、プラズマ処理を行っても良い。具体的には、各ノズル３１、３２、４１、４２に代えて、プラズマ発生用ガス（例えばアルゴンガス）を供給するためのノズルと、当該ノズルから吐出されるガスをプラズマ化するための一対の平行電極とを配置しても良い。そして、例えば薄膜が既に形成されたウエハＷに対して、プラズマを供給することによって当該薄膜のプラズマ改質処理を行っても良い。この場合であっても、製品ウエハＷが載置されないスロット２０にはダミーウエハＷを載置することによって、各スロット２０の下面にプラズマダメージが加わることを抑制できる。

Ｗ 製品ウエハ、ダミーウエハ
１ プロセスモジュール
２ 真空搬送室
５ 搬送容器
６ ロードポート
１０ 真空容器
１２ 回転テーブル
１９ 搬送口
２０ スロット

Claims (5)

1. 処理容器と、この処理容器内に設けられ、各々基板を載置する複数の載置領域がその周方向に沿って形成されると共に鉛直軸周りに回転自在な回転テーブルと、基板を処理するために前記載置領域に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、を備えたプロセスモジュールと、
   製品基板が収納された搬送容器を載置するためのロードポートと、
   ダミー基板が収納されたダミー基板収納部と、
   前記ロードポート上の搬送容器または前記ダミー基板収納部と前記回転テーブルとの間で製品基板またはダミー基板の受け渡しを行うための搬送機構が設けられた搬送室と、
   前記搬送容器内の少なくとも１枚の製品基板について前記複数の載置領域のうちいずれの載置領域に搬送するかを設定するための設定部と、
   前記設定部にて設定された製品基板が搬入される載置領域以外の他の載置領域には、ダミー基板を搬入するように制御信号を出力する制御部と、を備え、
   前記制御部は、プロセスモジュールにおける一の処理が終了して続く他の処理を開始する時、これら一の処理と他の処理とにおいて前記回転テーブル上におけるダミー基板の配置レイアウトが揃っている場合には、前記一の処理における製品基板を前記処理容器から搬出した後、当該一の処理におけるダミー基板については前記回転テーブルに載置したまま、前記他の処理における製品基板を前記処理容器に搬入するように制御信号を出力することを特徴とする基板処理装置。
2. 第１の搬送モードと第２の搬送モードとを選択するためのモード選択部を備え、
   前記第１の搬送モードは、前記設定部を用いずに搬送容器内の製品基板を順次前記載置領域に搬送し、製品基板の数が載置領域の数に満たない時にダミー基板により載置領域を満たすように制御信号を出力するモードであり、
   前記第２の搬送モードは、前記設定部に相当する設定画面が表示され、この設定画面により設定された設定事項が有効になるモードであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記制御部は、複数の前記載置領域について前記処理容器の周方向に沿って順番に製品基板あるいはダミー基板を搬入するように制御信号を出力することを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記搬送室には、処理容器と、この処理容器内に設けられ、各々基板を載置する複数の載置領域がその周方向に沿って形成されると共に鉛直軸周りに回転自在な回転テーブルと、基板を処理するために前記載置領域に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、を備えた、前記プロセスモジュールとは別のプロセスモジュールが接続され、
   前記設定部は、前記少なくとも一枚の製品基板について、前記プロセスモジュール及び前記別のプロセスモジュールの一方のプロセスモジュールにおける複数の前記載置領域のうちいずれか一つの載置領域を対応付けて設定するものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記設定部は、プロセスモジュールにおける一の処理と当該一の処理に続く他の処理において前記回転テーブル上におけるダミー基板の配置レイアウトが揃っている場合には、前記一の処理における製品基板を前記処理容器から搬出した後、当該一の処理におけるダミー基板については前記回転テーブルに載置したまま、前記他の処理における製品基板を前記処理容器に搬入する機能の有効及び無効を切り替える切り替え部を備えていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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