JP6343536B2 - 処理装置および処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、処理装置および処理方法に関する。
被処理体、例えば、半導体ウエハにシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）などの薄膜を成膜する処理装置としては、例えば、特許文献１に記載されているようなセミバッチタイプの処理装置が知られている。このような処理装置には、真空に維持された処理容器内に、鉛直軸周りに回転可能に形成された回転テーブルが設けられており、回転テーブル上に、半導体ウエハを載置（収納）するスロットが周方向に沿って複数形成されている。
また、処理容器と、半導体ウエハの搬送容器（ＦＯＵＰ：Front Opening Unified Pod）が置かれるロードポートとの間には、処理容器側から、トランスファーモジュール、ロードロック室、および、ローダモジュールが配置されている。そして、ＦＯＵＰ内の半導体ウエハは、トランスファーモジュール及びローダモジュールにそれぞれ配置された搬送アームを介して、真空容器内の所定のスロットに収容される。その後、回転テーブルにより半導体ウエハを公転させながら半導体ウエハに処理ガスを供給することによって、半導体ウエハに均一な薄膜が形成される。
特開２０１０−２３９１０２号公報
ところで、このような成膜処理では、回転テーブル上の全てのスロットに半導体ウエハが収容されていないと、収容されていない空きスロットから放熱が起こり、収容された半導体ウエハに均一な薄膜を形成することができない。このため、空きスロットにダミーウエハを収容して回転テーブル上に空きスロットがない状態とした後に、半導体ウエハに成膜処理を行っている。
このようなダミーウエハは、ロードポートに載置されたダミーストッカー内に収容されている。ダミーストッカーは、例えば、３つあるロードポートのうちの１つをダミーウエハ用のロードポートとし、所定枚数、例えば、２５枚のダミーウエハが収容可能である。
ここで、ダミーストッカー内のダミーウエハの入れ替え（交換）は、１ＦＯＵＰ２５枚にて行っており、ダミーストッカー内に全てのダミーウエハが収納されている状態でないと行うことができない。また、ダミーウエハの交換の際に半導体ウエハの成膜処理でダミーウエハが必要になると、成膜処理等の処理が停止してしまう、という問題がある。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、処理に影響を与えることなく、ダミーストッカー内のウエハの交換を可能にすることができる処理装置および処理方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる処理装置は、
複数の被処理体を収容した被処理体搬送容器を載置する被処理体搬送容器載置部と、
複数のダミー被処理体を収容したダミー被処理体搬送容器を載置するダミー被処理体載置部と、
前記被処理体または前記ダミー被処理体を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、
前記搬送室に設けられた搬送機構により搬送された前記複数の被処理体およびダミー被処理体を所定の位置に載置した状態で、前記複数の被処理体を処理する処理部と、
装置各部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記ダミー被処理体搬送容器に収容されたダミー被処理体を複数のグループに区分けし、前記搬送機構を制御して、前記区分けしたグループの一つのグループ内のダミー被処理体を優先的に前記処理部に搬送するとともに、前記ダミー被処理体の交換において、前記区分けしたグループ単位でダミー被処理体の交換を行い、前記ダミー被処理体の交換において、前記搬送機構を制御して、交換しないグループのダミー被処理体を前記処理部に搬送し、前記処理部を制御して処理を実行するとともに、前記搬送機構を制御して、前記交換するグループのダミー被処理体の交換を行う、ことを特徴とする。
前記処理部は、例えば、前記複数の被処理体に薄膜を形成する処理を実行し、
前記制御部は、例えば、前記区分けしたグループのダミー被処理体の累積膜厚値に基づいて交換するグループのダミー被処理体を特定する。
前記処理部は、例えば、前記被処理体または前記ダミー被処理体を載置する複数の載置領域がその周方向に沿って形成されるとともに鉛直軸周りに回転自在な回転テーブルと、前記載置領域に前記被処理体を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、を備え、
前記制御部は、例えば、前記回転テーブルを前記鉛直軸周りに回転させるとともに、前記処理ガス供給部を制御して、前記処理ガスを前記載置領域に供給する。
この発明の第２の観点に係る処理方法は、
複数の被処理体を収容した被処理体搬送容器を載置する被処理体搬送容器載置部と、複数のダミー被処理体を収容したダミー被処理体搬送容器を載置するダミー被処理体載置部と、前記被処理体または前記ダミー被処理体を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、前記搬送室に設けられた搬送機構により搬送された前記複数の被処理体およびダミー被処理体を所定の位置に載置した状態で、前記複数の被処理体を処理する処理部と、を備える処理装置を用いた処理方法であって、
前記ダミー被処理体搬送容器に収容されたダミー被処理体を複数のグループに区分けし、該区分けしたグループの一つのグループ内のダミー被処理体を優先的に前記処理部に搬送するとともに、前記ダミー被処理体の交換において、前記区分けしたグループ単位でダミー被処理体の交換を行い、
前記ダミー被処理体の交換において、交換しないグループのダミー被処理体を前記処理部に搬送し、前記処理部を制御して処理を実行するとともに、前記交換するグループのダミー被処理体の交換を行う、ことを特徴とする。
前記処理部では、前記複数の被処理体に薄膜を形成する処理を実行し、
前記区分けしたグループのダミー被処理体の累積膜厚値に基づいて交換するグループのダミー被処理体を特定してもよい。
前記処理部は、前記被処理体または前記ダミー被処理体を載置する複数の載置領域がその周方向に沿って形成されるとともに鉛直軸周りに回転自在な回転テーブルと、前記載置領域に前記被処理体を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、を備え、
前記回転テーブルを前記鉛直軸周りに回転させるとともに前記処理ガスを前記載置領域に供給してもよい。
本発明によれば、処理に影響を与えることなく、ダミーストッカー内のウエハの交換を可能にすることができる処理装置および処理方法を提供することができる。
本発明の処理装置を示す模式図である。 搬送容器の概要を示す図である。 チャンバに収容される機器の一例を示す図である。 制御部の構成を示す図である。 本発明の処理方法を説明するためのフローチャートである。 処理に使用するダミーウエハの特定を説明するための図である。 ダミーウエハ交換処理を説明するためのフローチャートである。 ダミーウエハの交換を説明するための図である。 ダミーウエハの交換を説明するための図である。 ダミーウエハの交換を説明するための図である。 ダミーウエハの交換を説明するための図である。 操作パネルの表示画面の一例を示す図である。
以下、本発明の処理装置および処理方法について図面を参照して説明する。なお、本実施の形態では、本発明の処理装置として、図１に示す処理装置１を用いた場合を例に説明する。
図１に示すように、処理装置１は、複数（本実施の形態では３つ）の被処理体搬送容器載置部としてのロードポート２と、ダミー被処理体載置部としてのダミーウエハ格納エリア３と、常圧搬送室４と、ロードロック室５と、真空搬送室６と、複数（本実施の形態では２つ）のチャンバ７と、を備えている。
ロードポート２は、常圧搬送室４に隣接するように配置され、被処理体、例えば、半導体ウエハを処理装置１に搬入または搬出する空間である。ロードポート２には、複数の半導体ウエハを収容、搬送可能な搬送容器（ＦＯＵＰ：Front Opening Unified Pod）２１が載置されている。本実施の形態では、ロードポート２は、横並びに３つのポートが設けられ、各ポートに搬送容器２１が載置できるように構成されている。
ダミーウエハ格納エリア３は、ロードポート２とは別に常圧搬送室４に隣接するように配置され、ダミーウエハを搬入または搬出する空間である。ダミーウエハ格納エリア３には、複数のダミーウエハを収容して搬送可能な搬送容器３１が載置されている。図２に搬送容器３１の概要を示す。図２に示すように、搬送容器３１は、ダミーウエハが縦方向に複数枚収容できるように形成されている。搬送容器３１は、複数のグループに区分けされており、本実施の形態では、上グループ３１ａに１２枚のダミーウエハが収容され、下グループ３１ｂに１２枚のダミーウエハが収容されるように、２つのグループに区分けされている。
常圧搬送室４は、ロードポート２とロードロック室５とを連結する。また、常圧搬送室４は、ダミーウエハ格納エリア３と、ロードポート２およびロードロック室５とを連結する。常圧搬送室４には、第１搬送アーム８が載置されている。第１搬送アーム８は、例えば、多関節アームからなる搬送アームからなり、半導体ウエハをロードポート２またはロードロック室５に搬入または搬出する。また、第１搬送アーム８は、ダミーウエハをロードポート２、ダミーウエハ格納エリア３またはロードロック室５に搬入または搬出する。
ロードロック室５は、常圧搬送室４と真空搬送室６とを連結し、半導体ウエハを常圧搬送室４または真空搬送室６に搬入または搬出する空間である。ロードロック室５は、常圧搬送室４とゲート１１を介して接続され、真空搬送室６とゲート１２を介して接続されている。また、ロードロック室５は、真空ポンプ、バルブ等から構成された後述する真空制御部１２３に接続されており、その室内雰囲気を大気圧状態、または、真空状態に切り替えることが可能である。このため、ロードロック室５では、半導体ウエハまたはダミーウエハを搬入すると、室内雰囲気を大気圧から真空状態に変化させる。そして、ロードロック室５内を真空状態にさせた後、半導体ウエハまたはダミーウエハをロードロック室５から真空搬送室６に搬入する。また、ロードロック室５では、半導体ウエハまたはダミーウエハが搬出されると、室内雰囲気を真空状態から大気圧に変化させ、ロードロック室５内を大気圧状態にさせた後、半導体ウエハまたはダミーウエハをロードロック室５から常圧搬送室４に搬出する。
真空搬送室６は、ロードロック室５と各チャンバ７とを連結する。真空搬送室６は、各チャンバ７とゲート１３を介して接続されている。また、真空搬送室６は、真空ポンプ、バルブ等から構成された図示しない真空制御部に接続されており、その室内雰囲気が真空状態に維持されている。
また、真空搬送室６には、第２搬送アーム９が載置されている。第２搬送アーム９は、例えば、多関節アームからなる搬送アームからなり、半導体ウエハを各チャンバ７またはロードロック室５に搬入または搬出する。また、第２搬送アーム９は、ダミーウエハを各チャンバ７またはロードロック室５に搬入または搬出する。
チャンバ７には、本発明の処理装置１を用いた処理に対応した各種の機器、例えば、半導体ウエハ上に薄膜を形成する成膜装置などが配置されている。本発明の処理装置１を用いた処理としては、被処理体としての半導体ウエハを複数枚処理するとともに、この処理においてダミーウエハを使用するものをいう。図３にチャンバ７に配置された機器の一例を示す。
図３に示すように、機器７１は、平面形状が略円形の真空容器７２と、真空容器７２の中心に回転中心を有する回転テーブル７３とを備えている。真空容器７２の天板７４の上面側における中央部には、真空容器７２内の中心部領域Ｃにおいて互いに異なる処理ガス同士が混ざり合うことを抑制するために、窒素（Ｎ２）ガスを供給するための分離ガス供給管７５が接続されている。真空容器７２と天板７４とは、例えば、Ｏリングからなるシール部材７６が配置されている。また、真空容器７２の底面部７７と回転テーブル７３との間には、ヒータユニット７８が設けられている。また、ヒータユニット７８の配置空間をパージするためにパージガス供給管７９が設けられている。
回転テーブル７３は、中心部にて概略円筒形状のコア部７３ａに固定されており、コア部７３ａの下面に接続されると共に鉛直方向に伸びる回転軸７３ｂによって鉛直軸周りに回転自在に構成されている。また、回転テーブル７３には、回転軸７３ｂを鉛直軸周りに回転させる駆動部７３ｃが設けられ、回転軸７３ｂ及び駆動部７３ｃを収納するケース体７３ｄが設けられている。ケース体７３ｄには、回転テーブル７３の下方領域に窒素ガスをパージガスとして供給するためのパージガス供給管７３ｅが接続されている。
回転テーブル７３の表面部には、半導体ウエハまたはダミーウエハを保持する凹部状のスロット（載置領域）８０が設けられている。スロット８０は、回転テーブル７３の回転方向（周方向）に沿って複数箇所、例えば、６箇所に形成されている。各スロット８０の通過領域と対向する位置には、図示しない複数のノズルが放射状に配置され、流量調整バルブを介してそれぞれの処理ガス供給源（図示せず）に接続されている。そして、ノズルから供給された処理ガスにより半導体ウエハの表面に薄膜が形成される。
また、処理装置１は、装置各部の制御を行う制御部１００を備えている。図４に制御部１００の構成を示す。図４に示すように、制御部１００には、操作パネル１２１、ゲート開閉部１２２、真空制御部１２３、搬送アーム制御部１２４等が接続されている。
操作パネル１２１は、表示画面と操作ボタンとを備え、オペレータの操作指示を制御部１００に伝え、また、制御部１００からの様々な情報を表示画面に表示する。
ゲート開閉部１２２は、制御部１００からの指示に応答して、ゲート１１〜ゲート１３の開閉状態を制御するとともに、その状態を制御部１００に通知する。
真空制御部１２３は、制御部１００からの指示に応答して、ロードロック室５、真空搬送室６、および、チャンバ７内を真空状態に制御するとともに、その状態を制御部１００に通知する。
搬送アーム制御部１２４は、制御部１００からの指示に応答して、第１搬送アーム８、および、第２搬送アームの動作を制御する。
また、制御部１００は、レシピ記憶部１１１と、累積膜厚部１１２と、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１３と、ＲＡＭ（Random Access Memory）１１４と、Ｉ／Ｏポート（Input/Output Port）１１５と、ＣＰＵ（Central Processing Unit)１１６と、これらを相互に接続するバス１１７とから構成されている。
レシピ記憶部１１１には、複数のプロセス用レシピが記憶されている。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、処理装置１への半導体ウエハのロードから、処理済みの半導体ウエハをアンロードするまでの、各部の温度の変化、圧力変化、各種のガスの供給の開始及び停止のタイミングと供給量などを規定する。
累積膜厚部１１２には、ダミーウエハ格納エリア３の搬送容器３１に収容されている各ダミーウエハの現在の累積膜厚値、ダミーウエハの累積膜厚規定値等が記憶されている。ダミーウエハの現在の累積膜厚値とはダミーウエハに付着する総膜厚をいい、例えば、半導体ウエハに３０ｎｍの薄膜を形成する処理にダミーウエハを３回使用した場合には、３０×３＝９０ｎｍとなる。また、ダミーウエハの累積膜厚規定値とは、使用したダミーウエハの交換時期を示す値であり、この値を超えるとパーティクル等を発生しやすく、成膜処理に不具合が生じる値である。
ＲＯＭ１１３は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ１１６の動作プログラム等を記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ１１４は、ＣＰＵ１１６のワークエリアなどとして機能する。
Ｉ／Ｏポート１１５は、ゲート開閉部１２２、真空制御部１２３、搬送アーム制御部１２４等に接続され、データや信号の入出力を制御する。
ＣＰＵ１１６は、制御部１００の中枢を構成し、ＲＯＭ１１３に記憶された制御プログラムを実行する。また、ＣＰＵ１１６は、操作パネル１２１からの指示に従って、レシピ記憶部１１１に記憶されているレシピ（プロセス用レシピ）に沿って、処理装置１の動作を制御する。
バス１１７は、各部の間で情報を伝達する。
次に、以上のように構成された処理装置１を用いた処理方法について図面を参照して説明する。図５は、本発明の処理方法を説明するためのフローチャートである。なお、以下の説明において、処理装置１を構成する各部の動作は、制御部１００（ＣＰＵ１１６）により制御されている。
まず、ＣＰＵ１１６は、処理内容（レシピ記憶部１１１に記憶されているレシピ）が特定されているか否かを判別する（ステップＳ１）。すなわち、ＣＰＵ１１６は、処理装置１のオペレータが操作パネル１２１を操作して、処理内容を特定したか否かを判別する。
ＣＰＵ１１６は、処理内容が特定されていると判別すると（ステップＳ１：ＹＥＳ）、処理の対象となる半導体ウエハ、および、処理に使用するダミーウエハを特定する（ステップＳ２）。例えば、ＣＰＵ１１６は、ロードポート２の搬送容器２１に収容されている未処理の半導体ウエハから、処理を行う半導体ウエハを特定するとともに、ダミーウエハ格納エリア３の搬送容器３１に収容されているダミーウエハから処理に使用するダミーウエハを特定する。
ここで、本実施の形態では、搬送容器３１に収容されているダミーウエハが２つのグループに区分けされているので、区分けされたグループの一方のグループ、例えば、下グループ３１ｂに収容されているダミーウエハから使用するダミーウエハを特定する。例えば、特定された処理が計５回の処理を行う場合には、図６に示すように、第１回目〜第５回目に使用する各ダミーウエハを特定する。
次に、ＣＰＵ１１６は、特定した半導体ウエハおよびダミーウエハをチャンバ７に配置された機器７１のスロット８０に搬入する（ステップＳ３）。以下、現時点において、ゲート１１〜ゲート１３が閉じ、常圧搬送室４、および、ロードロック室５が常圧状態であり、真空搬送室６、および、チャンバ７が真空状態の場合を例に説明する。
まず、ＣＰＵ１１６は、搬送アーム制御部１２４を制御して、第１搬送アーム８を動作させ、ロードポート２に収納された搬送容器２１内の特定した半導体ウエハを搬送するとともに、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１１を開き、搬送した半導体ウエハをロードロック室５の所定の位置に搬送する。また、ＣＰＵ１１６は、搬送アーム制御部１２４を制御して、第１搬送アーム８を動作させ、ダミーウエハ格納エリア３に収納された搬送容器３１内の特定したダミーウエハを搬送するとともに、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１１を開き、搬送したダミーウエハをロードロック室５の所定の位置に搬送する。
次に、ＣＰＵ１１６は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１１を閉じた後、真空制御部１２３を制御してロードロック室５内を真空状態にする。続いて、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１２、および、ゲート１３を開いた後、搬送アーム制御部１２４を制御して、第２搬送アーム９を動作させ、ロードロック室５に搬送した半導体ウエハをチャンバ７に配置された機器７１の所定位置のスロット８０内に収容する。また、ダミーウエハについても同様にチャンバ７に配置された機器７１の所定位置のスロット８０内に収容する。
続いて、ＣＰＵ１１６は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１３を閉じた後、特定されたプロセス用レシピに沿って、処理装置１の各部を制御することにより、特定した処理を実行する（ステップＳ４）。すなわち、回転テーブル７３により半導体ウエハを公転させながら半導体ウエハに処理ガスを供給することによって、半導体ウエハに均一な薄膜を形成する、半導体ウエハの成膜処理を実行する。
半導体ウエハの成膜処理が終了すると、ＣＰＵ１１６は、成膜された半導体ウエハおよび使用したダミーウエハをチャンバ７に配置された機器７１（スロット８０）から搬出する（ステップＳ５）。具体的には、ＣＰＵ１１６は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１３、および、ゲート１２を開いた後、搬送アーム制御部１２４を制御して、第２搬送アーム９を動作させ、成膜された半導体ウエハをロードロック室５に搬送する。また、使用したダミーウエハについても同様にロードロック室５に搬送する。
次に、ＣＰＵ１１６は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１２を閉じた後、真空制御部１２３を制御してロードロック室５内を常圧状態にする。ロードロック室５内が常圧状態になると、ＣＰＵ１１６は、ゲート開閉部１２２を制御してゲート１１を開いた後、搬送アーム制御部１２４を制御して、第１搬送アーム８を動作させ、ロードロック室５内に搬送された半導体ウエハをロードポート２に収納された搬送容器２１の所定の位置に収容する。
また、ＣＰＵ１１６は、搬送アーム制御部１２４を制御して、第１搬送アーム８を動作させ、ロードロック室５内に搬送されたダミーウエハをダミーウエハ格納エリア３に収納された搬送容器３１の所定の位置に収容する。そして、ダミーウエハ格納エリア３に収納されたダミーウエハの累積膜厚値を算出し、算出したダミーウエハの累積膜厚値を累積膜厚部１１２に記憶（更新）する（ステップＳ６）。
続いて、ＣＰＵ１１６は、全ての処理が完了したか否かを判別する（ステップＳ７）。ＣＰＵ１１６は、全ての処理が完了していないと判別すると（ステップＳ７：ＮＯ）、ステップＳ３に戻り、再び、特定した半導体ウエハおよびダミーウエハをチャンバ７に配置された機器７１のスロット８０に搬入する。一方、ＣＰＵ１１６は、全ての処理が完了したと判別すると（ステップＳ７：ＹＥＳ）、この処理を終了する。
このような処理を複数回繰り返すと、ダミーウエハに薄膜が付着し、成膜処理において、パーティクル等を発生する等の不具合が生じてしまう。このため、使用したダミーウエハが累積膜厚規定値を超える時には、搬送容器３１に収容されたダミーウエハを交換するダミーウエハ交換処理を実行する。図７は、ダミーウエハ交換処理を説明するためのフローチャートである。また、図８〜図１１は、ダミーウエハ交換処理を説明するための図である。本実施の形態では、搬送容器３１の下グループ３１ｂに収容されているダミーウエハを、ロードポート２の搬送容器２１ａに収容されているダミーウエハに交換する場合を例に説明する。
まず、ＣＰＵ１１６は、搬送容器３１に収容されているダミーウエハが累積膜厚規定値を超えるか否かを判別する（ステップＳ１１）。ＣＰＵ１１６は、搬送容器３１に収容されているダミーウエハが累積膜厚規定値を超えていないと判別すると（ステップＳ１１：ＮＯ）、この処理を終了する。
ＣＰＵ１１６は、搬送容器３１に収容されているダミーウエハが累積膜厚規定値を超えると判別すると（ステップＳ１１：ＹＥＳ）、搬送アーム制御部１２４を制御して、第１搬送アーム８を動作させ、累積膜厚規定値を超えるダミーウエハが含まれるグループ（下グループ３１ｂ）のダミーウエハをロードポート２の搬送容器２１ａに搬出する（ステップＳ１２）。すなわち、ＣＰＵ１１６は、第１搬送アーム８により、図８に示す状態から図９の矢印に示すように、下グループ３１ｂのダミーウエハをロードポート２の搬送容器２１ａ内に収容する。
次に、ＣＰＵ１１６は、搬送アーム制御部１２４を制御して、第１搬送アーム８を動作させ、新たなダミーウエハを搬送容器３１に搬入する（ステップＳ１３）。すなわち、ＣＰＵ１１６は、第１搬送アーム８により、図１０の矢印に示すように、ロードポート２の搬送容器２１ａに収容されている新たなダミーウエハを搬送容器３１に搬入する。この結果、図１１に示すように、累積膜厚規定値を超えるダミーウエハを新たなダミーウエハに交換することができる。
ここで、ダミーウエハを収容した搬送容器３１を格納するダミーウエハ格納エリア３をロードポート２とは別に設けたので、半導体ウエハの処理に影響を与えることなく、ダミーウエハの交換を行うことができる。さらに、搬送容器３１内に収納されているダミーウエハをグループ分けしているので、搬送容器３１内にすべてのダミーウエハ収納されていなくても、ダミーウエハの交換を行うことができる。このため、第１搬送アーム８を使用していないとき、例えば、機器７１による処理中にダミーウエハの交換を行うことにより、成膜処理等の処理が停止する等の処理に悪影響を与えることなく、搬送容器３１内のダミーウエハの交換を可能にすることができる。
続いて、ＣＰＵ１１６は、交換（搬入）した各ダミーウエハを累積膜厚部１１２に登録し（ステップＳ１４）、この処理を終了する。
以上説明したように、本実施の形態によれば、ダミーウエハ格納エリア３をロードポート２とは別に設けたので、半導体ウエハの処理に影響を与えることなく、ダミーウエハの交換を行うことができる。
また、本実施の形態によれば、搬送容器３１内に収納されているダミーウエハをグループ分けしているので、さらに、半導体ウエハの処理に影響を与えることなく、ダミーウエハの交換を行うことができる。
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
上記実施の形態では、ダミーウエハ交換処理によりダミーウエハを交換する場合を例に本発明を説明したが、例えば、図１２に示すように、搬送容器３１内に収納されているダミーウエハの現在の状況を操作パネル１２１の表示画面に表示してもよい。この場合、処理装置のオペレータが操作パネル１２１に表示されたダミーウエハの現状を容易に確認することができるので、オペレータが操作パネル１２１を操作することにより、ダミーウエハの交換を行うことができる。
ダミーウエハの現状を表示する操作パネル１２１の表示画面では、累積膜厚規定値を超えるダミーウエハや累積膜厚規定値付近のダミーウエハを色分けしたり、強調表示することが好ましい。また、グループ毎に区分けして示したり、グループ毎に色分けすることが好ましい。これにより、ダミーウエハの交換の判断を容易にすることができる。
上記実施の形態では、累積膜厚規定値に基づいてダミーウエハの交換した場合を例に本発明を説明したが、処理の内容に沿った各種の基準に基づいてダミーウエハの交換することが可能である。なお、処理の内容が半導体ウエハに薄膜を形成するの場合には、累積膜厚規定値に基づいてダミーウエハの交換することが好ましい。
上記実施の形態では、常圧搬送室４と、ロードロック室５と、真空搬送室６とを備える処理装置１を例に本発明を説明したが、ダミーウエハを用いて複数の半導体ウエハに各種の処理を実施することができるものであればよく、各種の処理装置に本発明を適用することが可能である。また、上記実施の形態では、２つのチャンバ７を備える処理装置１を例に本発明を説明したが、チャンバ７の数は１つであっても、３つ以上であってもよい。
上記実施の形態では、被処理体として半導体ウエハを用いた場合を例に本発明を説明したが、被処理体は半導体ウエハに限定されるものではなく、例えば、液晶表示装置用の基板であってもよい。
本発明は、被処理体の処理にダミー被処理体を用いる処理装置および処理方法に好適である。
１ 処理装置
２ ロードポート
３ ダミーウエハ格納エリア
４ 常圧搬送室
５ ロードロック室
６ 真空搬送室
７ チャンバ
８ 第１搬送アーム
９ 第２搬送アーム
１１、１２、１３ ゲート
２１、３１ 搬送容器
３１ａ 上グループ
３１ｂ 下グループ
７１ 機器
８０ スロット
１００ 制御部
１１１ レシピ記憶部
１１２ 累積膜厚部
１１３ ＲＯＭ
１１４ ＲＡＭ
１１５ Ｉ／Ｏポート
１１６ ＣＰＵ
１１７ バス
１２１ 操作パネル
１２２ ゲート開閉部
１２３ 真空制御部
１２４ 搬送アーム制御部

Claims (6)

  1. 複数の被処理体を収容した被処理体搬送容器を載置する被処理体搬送容器載置部と、
    複数のダミー被処理体を収容したダミー被処理体搬送容器を載置するダミー被処理体載置部と、
    前記被処理体または前記ダミー被処理体を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、
    前記搬送室に設けられた搬送機構により搬送された前記複数の被処理体およびダミー被処理体を所定の位置に載置した状態で、前記複数の被処理体を処理する処理部と、
    装置各部を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記ダミー被処理体搬送容器に収容されたダミー被処理体を複数のグループに区分けし、前記搬送機構を制御して、前記区分けしたグループの一つのグループ内のダミー被処理体を優先的に前記処理部に搬送するとともに、前記ダミー被処理体の交換において、前記区分けしたグループ単位でダミー被処理体の交換を行い、前記ダミー被処理体の交換において、前記搬送機構を制御して、交換しないグループのダミー被処理体を前記処理部に搬送し、前記処理部を制御して処理を実行するとともに、前記搬送機構を制御して、前記交換するグループのダミー被処理体の交換を行う、ことを特徴とする処理装置。
  2. 前記処理部は、前記複数の被処理体に薄膜を形成する処理を実行し、
    前記制御部は、前記区分けしたグループのダミー被処理体の累積膜厚値に基づいて交換するグループのダミー被処理体を特定する、ことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
  3. 前記処理部は、前記被処理体または前記ダミー被処理体を載置する複数の載置領域がその周方向に沿って形成されるとともに鉛直軸周りに回転自在な回転テーブルと、前記載置領域に前記被処理体を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、を備え、
    前記制御部は、前記回転テーブルを前記鉛直軸周りに回転させるとともに、前記処理ガス供給部を制御して、前記処理ガスを前記載置領域に供給する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の処理装置。
  4. 複数の被処理体を収容した被処理体搬送容器を載置する被処理体搬送容器載置部と、複数のダミー被処理体を収容したダミー被処理体搬送容器を載置するダミー被処理体載置部と、前記被処理体または前記ダミー被処理体を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、前記搬送室に設けられた搬送機構により搬送された前記複数の被処理体およびダミー被処理体を所定の位置に載置した状態で、前記複数の被処理体を処理する処理部と、を備える処理装置を用いた処理方法であって、
    前記ダミー被処理体搬送容器に収容されたダミー被処理体を複数のグループに区分けし、該区分けしたグループの一つのグループ内のダミー被処理体を優先的に前記処理部に搬送するとともに、前記ダミー被処理体の交換において、前記区分けしたグループ単位でダミー被処理体の交換を行い、
    前記ダミー被処理体の交換において、交換しないグループのダミー被処理体を前記処理部に搬送し、前記処理部を制御して処理を実行するとともに、前記交換するグループのダミー被処理体の交換を行う、ことを特徴とする処理方法。
  5. 前記処理部では、前記複数の被処理体に薄膜を形成する処理を実行し、
    前記区分けしたグループのダミー被処理体の累積膜厚値に基づいて交換するグループのダミー被処理体を特定する、ことを特徴とする請求項４に記載の処理方法。
  6. 前記処理部は、前記被処理体または前記ダミー被処理体を載置する複数の載置領域がその周方向に沿って形成されるとともに鉛直軸周りに回転自在な回転テーブルと、前記載置領域に前記被処理体を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、を備え、
    前記回転テーブルを前記鉛直軸周りに回転させるとともに前記処理ガスを前記載置領域に供給する、ことを特徴とする請求項４または５に記載の処理方法。
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