KR101924677B1 - 처리 장치 및 처리 방법 - Google Patents

처리 장치 및 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101924677B1
KR101924677B1 KR1020150126970A KR20150126970A KR101924677B1 KR 101924677 B1 KR101924677 B1 KR 101924677B1 KR 1020150126970 A KR1020150126970 A KR 1020150126970A KR 20150126970 A KR20150126970 A KR 20150126970A KR 101924677 B1 KR101924677 B1 KR 101924677B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dummy
processing
processed
objects
transfer
Prior art date
Application number
KR1020150126970A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160036481A (ko
Inventor
나오히데 이토
다이스케 모리사와
게이지 오사다
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20160036481A publication Critical patent/KR20160036481A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101924677B1 publication Critical patent/KR101924677B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H01L21/6779—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks the workpieces being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Robotics (AREA)

Abstract

처리에 영향을 미치지 않고, 더미 스토커 내의 웨이퍼의 교환을 가능하게 할 수 있는 처리 장치 및 처리 방법을 제공한다.
처리 장치(1)는, 복수의 반도체 웨이퍼를 수용한 반송 용기(21)를 배치하는 로드 포트(2)와, 복수의 더미 웨이퍼를 수용한 반송 용기(31)를 배치하는 더미 웨이퍼 저장 영역(3)과, 제1 반송 아암(8)이 설치된 상압 반송실(4)과, 반송된 복수의 반도체 웨이퍼 및 더미 웨이퍼를 슬롯(80)에 배치한 상태로, 복수의 반도체 웨이퍼를 처리하는 기기(71)와, 장치 각 부를 제어하는 제어부(100)를 구비하고 있다. 제어부(100)는, 반송 용기(31)에 수용된 더미 웨이퍼를 복수의 그룹으로 구분하고, 제1 반송 아암(8)을 제어하여, 구분한 그룹 중 하나의 그룹 내의 더미 웨이퍼를 우선적으로 기기(71)에 반송함과 함께, 더미 웨이퍼의 교환에 있어서, 구분한 그룹 단위로 더미 웨이퍼의 교환을 행한다.

Description

처리 장치 및 처리 방법{PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD}
본 발명은, 처리 장치 및 처리 방법에 관한 것이다.
피처리체, 예컨대 반도체 웨이퍼에 실리콘 산화막(SiO2막) 등의 박막을 성막하는 처리 장치로는, 예컨대 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같은 세미 배치 타입의 처리 장치가 알려져 있다. 이러한 처리 장치에는, 진공으로 유지된 처리 용기 내에, 수직축 둘레에 회전 가능하게 형성된 회전 테이블이 설치되어 있고, 회전 테이블 상에, 반도체 웨이퍼를 배치(수납)하는 슬롯이 둘레 방향을 따라서 복수 형성되어 있다.
또한, 처리 용기와, 반도체 웨이퍼의 반송 용기(FOUP : Front Opening Unified Pod)가 놓이는 로드 포트의 사이에는, 처리 용기측으로부터, 트랜스퍼 모듈, 로드록실 및 로더 모듈이 배치되어 있다. 그리고, FOUP 내의 반도체 웨이퍼는, 트랜스퍼 모듈 및 로더 모듈에 각각 배치된 반송 아암을 통해, 진공 용기 내의 소정의 슬롯에 수용된다. 그 후, 회전 테이블에 의해 반도체 웨이퍼를 공전시키면서 반도체 웨이퍼에 처리 가스를 공급함으로써, 반도체 웨이퍼에 균일한 박막이 형성된다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2010-239102호 공보
그런데, 이러한 성막 처리에서는, 회전 테이블 상의 모든 슬롯에 반도체 웨이퍼가 수용되어 있지 않으면, 수용되어 있지 않은 빈 슬롯으로부터 방열이 발생하고, 수용된 반도체 웨이퍼에 균일한 박막을 형성할 수 없다. 이 때문에, 빈 슬롯에 더미 웨이퍼를 수용하여 회전 테이블 상에 공간 슬롯이 없는 상태로 한 후에, 반도체 웨이퍼에 성막 처리를 행하고 있다.
이러한 더미 웨이퍼는, 로드 포트에 배치된 더미 스토커 내에 수용되어 있다. 더미 스토커는, 예컨대 3개의 로드 포트 중의 하나를 더미 웨이퍼용의 로드 포트로 하고, 소정 매수, 예컨대 25장의 더미 웨이퍼가 수용 가능하다.
여기서, 더미 스토커 내의 더미 웨이퍼의 교체(교환)는, 1 FOUP 25장으로 행하고 있고, 더미 스토커 내에 모든 더미 웨이퍼가 수납되어 있는 상태가 아니면 행할 수 없다. 또한, 더미 웨이퍼의 교환시에 반도체 웨이퍼의 성막 처리에서 더미 웨이퍼가 필요해지면, 성막 처리 등의 처리가 정지해 버린다는 문제가 있다.
본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 처리에 영향을 미치지 않고, 더미 스토커 내의 웨이퍼의 교환을 가능하게 할 수 있는 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 관점에 따른 처리 장치는,
복수의 피처리체를 수용한 피처리체 반송 용기를 배치하는 피처리체 반송 용기 배치부와,
복수의 더미 피처리체를 수용한 더미 피처리체 반송 용기를 배치하는 더미 피처리체 배치부와,
상기 피처리체 또는 상기 더미 피처리체를 반송하는 반송 기구가 설치된 반송실과,
상기 반송실에 설치된 반송 기구에 의해 반송된 상기 복수의 피처리체 및 더미 피처리체를 소정의 위치에 배치한 상태로, 상기 복수의 피처리체를 처리하는 처리부와,
장치 각 부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 더미 피처리체 반송 용기에 수용된 더미 피처리체를 복수의 그룹으로 구분하고, 상기 반송 기구를 제어하여, 상기 구분한 그룹 중 하나의 그룹 내의 더미 피처리체를 우선적으로 상기 처리부에 반송함과 함께, 상기 더미 피처리체의 교환에 있어서, 상기 구분한 그룹 단위로 더미 피처리체의 교환을 행하는 것을 특징으로 한다.
상기 제어부는, 예컨대 상기 더미 피처리체의 교환에 있어서, 상기 반송 기구를 제어하여, 교환하지 않는 그룹의 더미 피처리체를 상기 처리부에 반송하고, 상기 처리부를 제어하여 처리를 실행함과 함께, 상기 반송 기구를 제어하여, 상기 교환하는 그룹의 더미 피처리체의 교환을 행한다.
상기 처리부는, 예컨대 상기 복수의 피처리체에 박막을 형성하는 처리를 실행하고,
상기 제어부는, 예컨대 상기 구분한 그룹의 더미 피처리체의 누적 막 두께치에 기초하여 교환하는 그룹의 더미 피처리체를 특정한다.
상기 처리부는, 예컨대 상기 피처리체 또는 상기 더미 피처리체를 배치하는 복수의 배치 영역이 그 둘레 방향을 따라서 형성됨과 함께 수직축 둘레에 회전 가능한 회전 테이블과, 상기 배치 영역에 상기 피처리체를 처리하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 구비하고,
상기 제어부는, 예컨대 상기 회전 테이블을 상기 수직축 둘레에 회전시킴과 함께, 상기 처리 가스 공급부를 제어하여, 상기 처리 가스를 상기 배치 영역에 공급한다.
본 발명의 제2 관점에 따른 처리 방법은,
복수의 피처리체를 수용한 피처리체 반송 용기를 배치하는 피처리체 반송 용기 배치부와, 복수의 더미 피처리체를 수용한 더미 피처리체 반송 용기를 배치하는 더미 피처리체 배치부와, 상기 피처리체 또는 상기 더미 피처리체를 반송하는 반송 기구가 설치된 반송실과, 상기 반송실에 설치된 반송 기구에 의해 반송된 상기 복수의 피처리체 및 더미 피처리체를 소정의 위치에 배치한 상태로, 상기 복수의 피처리체를 처리하는 처리부를 구비하는 처리 장치를 이용한 처리 방법으로서,
상기 더미 피처리체 반송 용기에 수용된 더미 피처리체를 복수의 그룹으로 구분하고, 그 구분한 그룹 중 하나의 그룹 내의 더미 피처리체를 우선적으로 상기 처리부에 반송함과 함께, 상기 더미 피처리체의 교환에 있어서, 상기 구분한 그룹 단위로 더미 피처리체의 교환을 행하는 것을 특징으로 한다.
상기 더미 피처리체의 교환에 있어서, 교환하지 않은 그룹의 더미 피처리체를 상기 처리부에 반송하고, 상기 처리부를 제어하여 처리를 실행함과 함께, 상기 교환하는 그룹의 더미 피처리체의 교환을 행해도 좋다.
상기 처리부에서는, 상기 복수의 피처리체에 박막을 형성하는 처리를 실행하고,
상기 구분한 그룹의 더미 피처리체의 누적 막 두께치에 기초하여 교환하는 그룹의 더미 피처리체를 특정해도 좋다.
상기 처리부는, 상기 피처리체 또는 상기 더미 피처리체를 배치하는 복수의 배치 영역이 그 둘레 방향을 따라서 형성됨과 함께 수직축 둘레에 회전 가능한 회전 테이블과, 상기 배치 영역에 상기 피처리체를 처리하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 구비하고,
상기 회전 테이블을 상기 수직축 둘레에 회전시킴과 함께 상기 처리 가스를 상기 배치 영역에 공급해도 좋다.
본 발명에 의하면, 처리에 영향을 미치지 않고, 더미 스토커 내의 웨이퍼의 교환을 가능하게 할 수 있는 처리 장치 및 처리 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 처리 장치를 나타내는 모식도이다.
도 2는 반송 용기의 개요를 나타내는 도면이다.
도 3은 챔버에 수용되는 기기의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는 제어부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 처리 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 6은 처리에 사용하는 더미 웨이퍼의 특정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 더미 웨이퍼 교환 처리를 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 8은 더미 웨이퍼의 교환을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 더미 웨이퍼의 교환을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 더미 웨이퍼의 교환을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 더미 웨이퍼의 교환을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 조작 패널의 표시 화면의 일례를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 처리 장치 및 처리 방법에 관해 도면을 참조하여 설명한다. 또, 본 실시형태에서는, 본 발명의 처리 장치로서, 도 1에 나타내는 처리 장치(1)를 이용한 경우를 예를 들어 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 처리 장치(1)는, 복수(본 실시형태에서는 3개)의 피처리체 반송 용기 배치부로서의 로드 포트(2)와, 더미 피처리체 배치부로서의 더미 웨이퍼 저장 영역(3)과, 상압 반송실(4)과, 로드록실(5)과, 진공 반송실(6)과, 복수(본 실시형태에서는 2개)의 챔버(7)를 구비하고 있다.
로드 포트(2)는, 상압 반송실(4)에 인접하도록 배치되고, 피처리체, 예컨대 반도체 웨이퍼를 처리 장치(1)에 반입 또는 반출하는 공간이다. 로드 포트(2)에는, 복수의 반도체 웨이퍼를 수용, 반송 가능한 반송 용기(FOUP : Front Opening Unified Pod)(21)가 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 로드 포트(2)는, 가로로 나란히 3개의 포트가 설치되고, 각 포트에 반송 용기(21)를 배치할 수 있도록 구성되어 있다.
더미 웨이퍼 저장 영역(3)은, 로드 포트(2)와는 별도로 상압 반송실(4)에 인접하도록 배치되고, 더미 웨이퍼를 반입 또는 반출하는 공간이다. 더미 웨이퍼 저장 영역(3)에는, 복수의 더미 웨이퍼를 수용하여 반송 가능한 반송 용기(31)가 배치되어 있다. 도 2에 반송 용기(31)의 개요를 나타낸다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 반송 용기(31)는, 더미 웨이퍼를 세로 방향으로 복수매 수용할 수 있도록 형성되어 있다. 반송 용기(31)에 수용된 더미 웨이퍼는, 복수의 그룹으로 구분되어 있고, 본 실시형태에서는, 상부 그룹(31a)에 12장의 더미 웨이퍼가 수용되고, 하부 그룹(31b)에 12장의 더미 웨이퍼가 수용되도록, 2개의 그룹으로 구분되어 있다.
상압 반송실(4)은, 로드 포트(2)와 로드록실(5)을 연결한다. 또한, 상압 반송실(4)은, 더미 웨이퍼 저장 영역(3)과, 로드 포트(2) 및 로드록실(5)을 연결한다. 상압 반송실(4)에는 제1 반송 아암(8)이 배치되어 있다. 제1 반송 아암(8)은, 예컨대 다관절 아암으로 이루어진 반송 아암으로 이루어지며, 반도체 웨이퍼를 로드 포트(2) 또는 로드록실(5)에 반입 또는 반출한다. 또한, 제1 반송 아암(8)은, 더미 웨이퍼를 로드 포트(2), 더미 웨이퍼 저장 영역(3) 또는 로드록실(5)에 반입 또는 반출한다.
로드록실(5)은, 상압 반송실(4)과 진공 반송실(6)을 연결하여, 반도체 웨이퍼를 상압 반송실(4) 또는 진공 반송실(6)에 반입 또는 반출하는 공간이다. 로드록실(5)은, 상압 반송실(4)과 게이트(11)를 통해 접속되고, 진공 반송실(6)과 게이트(12)를 통해 접속되어 있다. 또한, 로드록실(5)은, 진공 펌프, 밸브 등으로 구성된 후술하는 진공 제어부(123)에 접속되어 있고, 그 실내 분위기를 대기압 상태 또는 진공 상태로 전환하는 것이 가능하다. 이 때문에, 로드록실(5)에서는, 반도체 웨이퍼 또는 더미 웨이퍼를 반입하면, 실내 분위기를 대기압으로부터 진공 상태로 변화시킨다. 그리고, 로드록실(5) 내를 진공 상태로 한 후, 반도체 웨이퍼 또는 더미 웨이퍼를 로드록실(5)로부터 진공 반송실(6)에 반입한다. 또한, 로드록실(5)에서는, 반도체 웨이퍼 또는 더미 웨이퍼가 반출되면, 실내 분위기를 진공 상태로부터 대기압으로 변화시켜, 로드록실(5) 내를 대기압 상태로 한 후, 반도체 웨이퍼 또는 더미 웨이퍼를 로드록실(5)로부터 상압 반송실(4)에 반출한다.
진공 반송실(6)은, 로드록실(5)과 각 챔버(7)를 연결한다. 진공 반송실(6)은, 각 챔버(7)와 게이트(13)를 통해 접속되어 있다. 또한, 진공 반송실(6)은, 진공 펌프, 밸브 등으로 구성된 도시하지 않은 진공 제어부에 접속되어 있고, 그 실내 분위기가 진공 상태로 유지되어 있다.
또한, 진공 반송실(6)에는 제2 반송 아암(9)이 배치되어 있다. 제2 반송 아암(9)은, 예컨대 다관절 아암으로 이루어진 반송 아암으로 이루어지며, 반도체 웨이퍼를 각 챔버(7) 또는 로드록실(5)에 반입 또는 반출한다. 또한, 제2 반송 아암(9)은, 더미 웨이퍼를 각 챔버(7) 또는 로드록실(5)에 반입 또는 반출한다.
챔버(7)에는, 본 발명의 처리 장치(1)를 이용한 처리에 대응한 각종 기기, 예컨대 반도체 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 성막 장치 등이 배치되어 있다. 본 발명의 처리 장치(1)를 이용한 처리로는, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼를 복수매 처리함과 함께, 이 처리에 있어서 더미 웨이퍼를 사용하는 것을 말한다. 도 3에 챔버(7)에 배치된 기기의 일례를 나타낸다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 기기(71)는, 평면형상이 대략 원형인 진공 용기(72)와, 진공 용기(72)의 중심에 회전 중심을 갖는 회전 테이블(73)을 구비하고 있다. 진공 용기(72)의 상부판(74)의 상면측에서의 중앙부에는, 진공 용기(72) 내의 중심부 영역(C)에 있어서 서로 다른 처리 가스끼리 혼합되는 것을 억제하기 위해, 질소(N2) 가스를 공급하기 위한 분리 가스 공급관(75)이 접속되어 있다. 진공 용기(72)와 상부판(74) 사이에는, 예컨대 O링으로 이루어진 시일 부재(76)가 배치되어 있다. 또한, 진공 용기(72)의 저면부(77)와 회전 테이블(73) 사이에는 히터 유닛(78)이 설치되어 있다. 또한, 히터 유닛(78)의 배치 공간을 퍼지하기 위해 퍼지 가스 공급관(79)이 설치되어 있다.
회전 테이블(73)은, 중심부에서 개략 원통형상의 코어부(73a)에 고정되어 있고, 코어부(73a)의 하면에 접속됨과 함께 수직 방향으로 신장되는 회전축(73b)에 의해 수직축 둘레에 회전 가능하게 구성되어 있다. 또한, 회전 테이블(73)에는, 회전축(73b)을 수직축 둘레에 회전시키는 구동부(73c)가 설치되고, 회전축(73b) 및 구동부(73c)를 수납하는 케이스체(73d)가 설치되어 있다. 케이스체(73d)에는, 회전 테이블(73)의 하측 영역에 질소 가스를 퍼지 가스로서 공급하기 위한 퍼지 가스 공급관(73e)이 접속되어 있다.
회전 테이블(73)의 표면부에는, 반도체 웨이퍼 또는 더미 웨이퍼를 유지하는 오목부형의 슬롯(배치 영역)(80)이 설치되어 있다. 슬롯(80)은, 회전 테이블(73)의 회전 방향(둘레 방향)을 따라서 복수 개소, 예컨대 6개소에 형성되어 있다. 각 슬롯(80)의 통과 영역과 대향하는 위치에는, 도시하지 않은 복수의 노즐이 방사형으로 배치되고, 유량 조정 밸브를 통해 각각의 처리 가스 공급원(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 그리고, 노즐로부터 공급된 처리 가스에 의해 반도체 웨이퍼의 표면에 박막이 형성된다.
또한, 처리 장치(1)는, 장치 각 부의 제어를 행하는 제어부(100)를 구비하고 있다. 도 4에 제어부(100)의 구성을 나타낸다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 제어부(100)에는, 조작 패널(121), 게이트 개폐부(122), 진공 제어부(123), 반송 아암 제어부(124) 등이 접속되어 있다.
조작 패널(121)은, 표시 화면과 조작 버튼을 구비하고, 오퍼레이터의 조작 지시를 제어부(100)에 전달하고, 또한, 제어부(100)로부터의 여러가지 정보를 표시 화면에 표시한다.
게이트 개폐부(122)는, 제어부(100)로부터의 지시에 응답하여, 게이트(11)∼게이트(13)의 개폐 상태를 제어함과 함께, 그 상태를 제어부(100)에 통지한다.
진공 제어부(123)는, 제어부(100)로부터의 지시에 응답하여, 로드록실(5), 진공 반송실(6) 및 챔버(7) 내를 진공 상태로 제어함과 함께, 그 상태를 제어부(100)에 통지한다.
반송 아암 제어부(124)는, 제어부(100)로부터의 지시에 응답하여, 제1 반송 아암(8) 및 제2 반송 아암의 동작을 제어한다.
또한, 제어부(100)는, 레시피 기억부(111)와, 누적 막 두께부(112)와, ROM(Read Only Memory)(113)와, RAM(Random Access Memory)(114)와, I/O 포트(Input/Output Port)(115)와, CPU(Central Processing Unit)(116)과, 이들을 서로 접속하는 버스(117)로 구성되어 있다.
레시피 기억부(111)에는, 복수의 프로세스용 레시피가 기억되어 있다. 프로세스용 레시피는, 사용자가 실제로 행하는 처리(프로세스)마다 준비되는 레시피이며, 처리 장치(1)에 대한 반도체 웨이퍼의 로드로부터, 처리가 끝난 반도체 웨이퍼를 언로드하기까지의, 각 부의 온도의 변화, 압력 변화, 각종 가스의 공급 개시 및 정지의 타이밍과 공급량 등을 규정한다.
누적 막 두께부(112)에는, 더미 웨이퍼 저장 영역(3)의 반송 용기(31)에 수용되어 있는 각 더미 웨이퍼의 현재의 누적 막 두께치, 더미 웨이퍼의 누적 막 두께 규정치 등이 기억되어 있다. 더미 웨이퍼의 현재의 누적 막 두께치란 더미 웨이퍼에 부착되는 총막 두께를 말하며, 예컨대 반도체 웨이퍼에 30 nm의 박막을 형성하는 처리에 더미 웨이퍼를 3회 사용한 경우에는, 30×3=90 nm가 된다. 또한, 더미 웨이퍼의 누적 막 두께 규정치란, 사용한 더미 웨이퍼의 교환 시기를 나타내는 값이며, 현재의 누적 막 두께치가 이 값을 초과하면 파티클 등이 발생하기 쉽고, 성막 처리에 문제가 생기는 값이다.
ROM(113)은, EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), 플래시메모리, 하드디스크 등으로 구성되며, CPU(116)의 동작 프로그램 등을 기억하는 기록 매체이다.
RAM(114)은, CPU(116)의 워크 에어리어 등으로서 기능한다.
I/O 포트(115)는, 게이트 개폐부(122), 진공 제어부(123), 반송 아암 제어부(124) 등에 접속되어, 데이터나 신호의 입출력을 제어한다.
CPU(116)는, 제어부(100)의 중추를 구성하며, ROM(113)에 기억된 제어 프로그램을 실행한다. 또한, CPU(116)는, 조작 패널(121)로부터의 지시에 따라, 레시피 기억부(111)에 기억되어 있는 레시피(프로세스용 레시피)를 따라서 처리 장치(1)의 동작을 제어한다.
버스(117)는, 각 부의 사이에서 정보를 전달한다.
다음으로, 이상과 같이 구성된 처리 장치(1)를 이용한 처리 방법에 관해 도면을 참조하여 설명한다. 도 5는, 본 발명의 처리 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다. 또, 이하의 설명에 있어서, 처리 장치(1)를 구성하는 각 부의 동작은, 제어부(100)(CPU(116))에 의해 제어되어 있다.
우선, CPU(116)는, 처리 내용(레시피 기억부(111)에 기억되어 있는 레시피)이 특정되어 있는지 아닌지를 판별한다(단계 S1). 즉, CPU(116)는, 처리 장치(1)의 오퍼레이터가 조작 패널(121)을 조작하여, 처리 내용을 특정했는지 아닌지를 판별한다.
CPU(116)는, 처리 내용이 특정되어 있다고 판별하면(단계 S1 : YES), 처리의 대상이 되는 반도체 웨이퍼, 및, 처리에 사용하는 더미 웨이퍼를 특정한다(단계 S2). 예컨대, CPU(116)는, 로드 포트(2)의 반송 용기(21)에 수용되어 있는 미처리의 반도체 웨이퍼로부터, 처리를 행하는 반도체 웨이퍼를 특정함과 함께, 더미 웨이퍼 저장 영역(3)의 반송 용기(31)에 수용되어 있는 더미 웨이퍼로부터 처리에 사용하는 더미 웨이퍼를 특정한다.
여기서, 본 실시형태에서는, 반송 용기(31)에 수용되어 있는 더미 웨이퍼가 2개의 그룹으로 구분되어 있기 때문에, 구분된 그룹의 한쪽 그룹, 예컨대 하부 그룹(31b)에 수용되어 있는 더미 웨이퍼로부터 사용하는 더미 웨이퍼를 특정한다. 예컨대, 특정된 처리가 총 5회의 처리를 해하는 경우에는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 제1회째∼제5회째에 사용하는 각 더미 웨이퍼를 특정한다.
다음으로, CPU(116)는, 특정한 반도체 웨이퍼 및 더미 웨이퍼를 챔버(7)에 배치된 기기(71)의 슬롯(80)에 반입한다(단계 S3). 이하, 현시점에서, 게이트(11)∼게이트(13)가 폐쇄되고, 상압 반송실(4) 및 로드록실(5)이 상압 상태이고, 진공 반송실(6) 및 챔버(7)가 진공 상태인 경우를 예를 들어 설명한다.
우선, CPU(116)는, 반송 아암 제어부(124)를 제어하여 제1 반송 아암(8)을 동작시켜, 로드 포트(2)에 수납된 반송 용기(21) 내의 특정한 반도체 웨이퍼를 반송함과 함께, 게이트 개폐부(122)를 제어하여 게이트(11)를 개방하여, 반송한 반도체 웨이퍼를 로드록실(5)의 소정의 위치에 반송한다. 또한, CPU(116)는, 반송 아암 제어부(124)를 제어하여 제1 반송 아암(8)을 동작시켜, 더미 웨이퍼 저장 영역(3)에 수납된 반송 용기(31) 내의 특정한 더미 웨이퍼를 반송함과 함께, 게이트 개폐부(122)를 제어하여 게이트(11)를 개방하여, 반송한 더미 웨이퍼를 로드록실(5)의 소정의 위치에 반송한다.
다음으로, CPU(116)는, 게이트 개폐부(122)를 제어하여 게이트(11)를 폐쇄한 후, 진공 제어부(123)를 제어하여 로드록실(5) 내를 진공 상태로 한다. 계속해서, 게이트 개폐부(122)를 제어하여 게이트(12) 및 게이트(13)를 개방한 후, 반송 아암 제어부(124)를 제어하여 제2 반송 아암(9)을 동작시켜, 로드록실(5)에 반송한 반도체 웨이퍼를 챔버(7)에 배치된 기기(71)의 소정 위치의 슬롯(80) 내에 수용한다. 또한, 더미 웨이퍼에 관해서도 마찬가지로 챔버(7)에 배치된 기기(71)의 소정 위치의 슬롯(80) 내에 수용한다.
계속해서, CPU(116)는, 게이트 개폐부(122)를 제어하여 게이트(13)를 폐쇄한 후, 특정된 프로세스용 레시피를 따라서 처리 장치(1)의 각 부를 제어함으로써, 특정한 처리를 실행한다(단계 S4). 즉, 회전 테이블(73)에 의해 반도체 웨이퍼를 공전시키면서 반도체 웨이퍼에 처리 가스를 공급함으로써, 반도체 웨이퍼에 균일한 박막을 형성하는 반도체 웨이퍼의 성막 처리를 실행한다.
반도체 웨이퍼의 성막 처리가 종료하면, CPU(116)는, 성막된 반도체 웨이퍼 및 사용한 더미 웨이퍼를 챔버(7)에 배치된 기기(71)(슬롯(80))로부터 반출한다(단계 S5). 구체적으로는, CPU(116)는, 게이트 개폐부(122)를 제어하여 게이트(13) 및 게이트(12)를 개방한 후, 반송 아암 제어부(124)를 제어하여 제2 반송 아암(9)을 동작시켜, 성막된 반도체 웨이퍼를 로드록실(5)에 반송한다. 또한, 사용한 더미 웨이퍼에 관해서도 마찬가지로 로드록실(5)에 반송한다.
다음으로, CPU(116)는, 게이트 개폐부(122)를 제어하여 게이트(12)를 폐쇄한 후, 진공 제어부(123)를 제어하여 로드록실(5) 내를 상압 상태로 한다. 로드록실(5) 내가 상압 상태가 되면, CPU(116)는, 게이트 개폐부(122)를 제어하여 게이트(11)를 개방한 후, 반송 아암 제어부(124)를 제어하여 제1 반송 아암(8)을 동작시켜, 로드록실(5) 내에 반송된 반도체 웨이퍼를 로드 포트(2)에 수납된 반송 용기(21)의 소정의 위치에 수용한다.
또한, CPU(116)는, 반송 아암 제어부(124)를 제어하여 제1 반송 아암(8)을 동작시켜, 로드록실(5) 내에 반송된 더미 웨이퍼를 더미 웨이퍼 저장 영역(3)에 수납된 반송 용기(31)의 소정의 위치에 수용한다. 그리고, 더미 웨이퍼 저장 영역(3)에 수납된 더미 웨이퍼의 누적 막 두께치를 산출하고, 산출한 더미 웨이퍼의 누적 막 두께치를 누적 막 두께부(112)에 기억(갱신)한다(단계 S6).
계속해서, CPU(116)는, 모든 처리가 완료되었는지 아닌지를 판별한다(단계 S7). CPU(116)는, 모든 처리가 완료되지 않았다고 판별하면(단계 S7 : NO), 단계 S3으로 되돌아가, 다시, 특정한 반도체 웨이퍼 및 더미 웨이퍼를 챔버(7)에 배치된 기기(71)의 슬롯(80)에 반입한다. 한편, CPU(116)는, 모든 처리가 완료되었다고 판별하면(단계 S7 : YES), 이 처리를 종료한다.
이러한 처리를 복수회 반복하면, 더미 웨이퍼에 박막이 부착되고, 성막 처리에 있어서 파티클 등이 발생하는 등의 문제가 생겨 버린다. 이 때문에, 사용한 더미 웨이퍼가 누적 막 두께 규정치를 초과할 때에는, 반송 용기(31)에 수용된 더미 웨이퍼를 교환하는 더미 웨이퍼 교환 처리를 실행한다. 도 7은, 더미 웨이퍼 교환 처리를 설명하기 위한 플로우차트이다. 또한, 도 8∼도 11은, 더미 웨이퍼 교환 처리를 설명하기 위한 도면이다. 본 실시형태에서는, 반송 용기(31)의 하부 그룹(31b)에 수용되어 있는 더미 웨이퍼를, 로드 포트(2)의 반송 용기(21a)에 수용되어 있는 더미 웨이퍼로 교환하는 경우를 예를 들어 설명한다.
우선, CPU(116)는, 반송 용기(31)에 수용되어 있는 더미 웨이퍼가 누적 막 두께 규정치를 초과하는지 아닌지를 판별한다(단계 S11). CPU(116)는, 반송 용기(31)에 수용되어 있는 더미 웨이퍼가 누적 막 두께 규정치를 초과하지 않았다고 판별하면(단계 S11 : NO), 이 처리를 종료한다.
CPU(116)는, 반송 용기(31)에 수용되어 있는 더미 웨이퍼가 누적 막 두께 규정치를 초과한다고 판별하면(단계 S11 : YES), 반송 아암 제어부(124)를 제어하여 제1 반송 아암(8)을 동작시켜, 누적 막 두께 규정치를 초과하는 더미 웨이퍼가 포함되는 그룹(하부 그룹(31b))의 더미 웨이퍼를 로드 포트(2)의 반송 용기(21a)에 반출한다(단계 S12). 즉, CPU(116)는, 제1 반송 아암(8)에 의해, 도 8에 나타내는 상태로부터 도 9의 화살표에 나타낸 바와 같이, 하부 그룹(31b)의 더미 웨이퍼를 로드 포트(2)의 반송 용기(21a) 내에 수용한다.
다음으로, CPU(116)는, 반송 아암 제어부(124)를 제어하여 제1 반송 아암(8)을 동작시켜, 새로운 더미 웨이퍼를 반송 용기(31)에 반입한다(단계 S13). 즉, CPU(116)는, 제1 반송 아암(8)에 의해, 도 10의 화살표에 나타낸 바와 같이, 로드 포트(2)의 반송 용기(21a)에 수용되어 있는 새로운 더미 웨이퍼를 반송 용기(31)에 반입한다. 그 결과, 도 11에 나타낸 바와 같이, 누적 막 두께 규정치를 초과하는 더미 웨이퍼를 새로운 더미 웨이퍼로 교환할 수 있다.
여기서, 더미 웨이퍼를 수용한 반송 용기(31)를 저장하는 더미 웨이퍼 저장 영역(3)을 로드 포트(2)와는 별도로 설치했기 때문에, 반도체 웨이퍼의 처리에 영향을 미치지 않고, 더미 웨이퍼의 교환을 행할 수 있다. 또한, 반송 용기(31) 내에 수납되어 있는 더미 웨이퍼를 그룹으로 나누고 있기 때문에, 반송 용기(31) 내에 모든 더미 웨이퍼 수납되어 있지 않더라도, 더미 웨이퍼의 교환을 행할 수 있다. 이 때문에, 제1 반송 아암(8)을 사용하지 않았을 때, 예컨대 기기(71)에 의한 처리중에 더미 웨이퍼의 교환을 행함으로써, 성막 처리 등의 처리가 정지하는 등의 처리에 악영향을 미치지 않고, 반송 용기(31) 내의 더미 웨이퍼의 교환을 가능하게 할 수 있다.
계속해서, CPU(116)는, 교환(반입)한 각 더미 웨이퍼를 누적 막 두께부(112)에 등록하고(단계 S14), 이 처리를 종료한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 더미 웨이퍼 저장 영역(3)을 로드 포트(2)와는 별도로 설치했기 때문에, 반도체 웨이퍼의 처리에 영향을 미치지 않고, 더미 웨이퍼의 교환을 행할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의하면, 반송 용기(31) 내에 수납되어 있는 더미 웨이퍼를 그룹으로 나누고 있기 때문에, 또한 반도체 웨이퍼의 처리에 영향을 미치지 않고, 더미 웨이퍼의 교환을 행할 수 있다.
또, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러가지 변형, 응용이 가능하다. 이하, 본 발명에 적용 가능한 다른 실시형태에 관해 설명한다.
상기 실시형태에서는, 더미 웨이퍼 교환 처리에 의해 더미 웨이퍼를 교환하는 경우를 예를 들어 본 발명을 설명했지만, 예컨대 도 12에 나타낸 바와 같이, 반송 용기(31) 내에 수납되어 있는 더미 웨이퍼의 현재의 상황을 조작 패널(121)의 표시 화면에 표시해도 좋다. 이 경우, 처리 장치의 오퍼레이터가 조작 패널(121)에 표시된 더미 웨이퍼의 현상황을 용이하게 확인할 수 있기 때문에, 오퍼레이터가 조작 패널(121)을 조작함으로써 더미 웨이퍼의 교환을 행할 수 있다.
더미 웨이퍼의 현상황을 표시하는 조작 패널(121)의 표시 화면에서는, 누적 막 두께 규정치를 초과하는 더미 웨이퍼나 누적 막 두께 규정치 부근의 더미 웨이퍼를 색으로 구분하거나, 강조 표시하는 것이 바람직하다. 또한, 그룹마다 구분하여 나타내거나, 그룹마다 색으로 구분하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 더미 웨이퍼의 교환 판단을 용이하게 할 수 있다.
상기 실시형태에서는, 누적 막 두께 규정치에 기초하여 더미 웨이퍼를 교환한 경우를 예를 들어 본 발명을 설명했지만, 처리의 내용을 따른 각종 기준에 기초하여 더미 웨이퍼를 교환하는 것이 가능하다. 또, 처리 내용이 반도체 웨이퍼에 박막을 형성하는 경우에는, 누적 막 두께 규정치에 기초하여 더미 웨이퍼를 교환하는 것이 바람직하다.
상기 실시형태에서는, 상압 반송실(4)과, 로드록실(5)과, 진공 반송실(6)을 구비하는 처리 장치(1)를 예를 들어 본 발명을 설명했지만, 더미 웨이퍼를 이용하여 복수의 반도체 웨이퍼에 각종 처리를 실시할 수 있는 것이면 좋으며, 각종 처리 장치에 본 발명을 적용하는 것이 가능하다. 또한, 상기 실시형태에서는, 2개의 챔버(7)를 구비하는 처리 장치(1)를 예를 들어 본 발명을 설명했지만, 챔버(7)의 수는 1개이어도 좋고, 3개 이상이어도 좋다.
상기 실시형태에서는, 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 이용한 경우를 예를 들어 본 발명을 설명했지만, 피처리체는 반도체 웨이퍼에 한정되는 것이 아니라, 예컨대 액정 표시 장치용의 기판이어도 좋다.
본 발명은, 피처리체의 처리에 더미 피처리체를 이용하는 처리 장치 및 처리 방법에 적합하다.
1 : 처리 장치
2 : 로드 포트
3 : 더미 웨이퍼 저장 영역
4 : 상압 반송실
5 : 로드록실
6 : 진공 반송실
7 : 챔버
8 : 제1 반송 아암
9 : 제2 반송 아암
11, 12, 13 : 게이트
21, 31 : 반송 용기
31a : 상부 그룹
31b : 하부 그룹
71 : 기기
80 : 슬롯
100 : 제어부
111 : 레시피 기억부
112 : 누적 막 두께부
113 : ROM
114 : RAM
115 : I/O 포트
116 : CPU
117 : 버스
121 : 조작 패널
122 : 게이트 개폐부
123 : 진공 제어부
124 : 반송 아암 제어부

Claims (8)

  1. 처리 장치에 있어서,
    복수의 피처리체를 수용한 피처리체 반송 용기를 배치하는 피처리체 반송 용기 배치부와,
    복수의 더미 피처리체를 수용한 더미 피처리체 반송 용기를 배치하는 더미 피처리체 배치부와,
    상기 피처리체 또는 상기 더미 피처리체를 반송하는 반송 기구가 설치된 반송실과,
    상기 반송실에 설치된 반송 기구에 의해 반송된 상기 복수의 피처리체 및 더미 피처리체를 미리 정해진 위치에 배치한 상태로, 상기 복수의 피처리체를 처리하는 처리부와,
    장치 각 부를 제어하는 제어부
    를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 더미 피처리체 반송 용기에 수용된 더미 피처리체를 복수의 그룹으로 구분하고, 상기 반송 기구를 제어하여, 상기 구분한 그룹 중 하나의 그룹 내의 더미 피처리체를 우선적으로 상기 처리부에 반송함과 함께, 상기 더미 피처리체의 교환에 있어서, 상기 구분한 그룹 단위로 더미 피처리체의 교환을 행하며,
    상기 제어부는, 상기 더미 피처리체의 교환에 있어서, 상기 반송 기구를 제어하여, 교환하지 않는 그룹의 더미 피처리체를 상기 처리부에 반송하고, 상기 처리부를 제어하여 처리를 실행함과 함께, 상기 반송 기구를 제어하여, 상기 교환하는 그룹의 더미 피처리체의 교환을 행하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 처리부는, 상기 복수의 피처리체에 박막을 형성하는 처리를 실행하고,
    상기 제어부는, 상기 구분한 그룹의 더미 피처리체의 누적 막 두께치에 기초하여 교환하는 그룹의 더미 피처리체를 특정하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 처리부는, 상기 피처리체 또는 상기 더미 피처리체를 배치하는 복수의 배치 영역이 그 둘레 방향을 따라서 형성됨과 함께 수직축 둘레에 회전 가능한 회전 테이블과, 상기 배치 영역에 상기 피처리체를 처리하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 회전 테이블을 상기 수직축 둘레에 회전시킴과 함께, 상기 처리 가스 공급부를 제어하여, 상기 처리 가스를 상기 배치 영역에 공급하는 것을 특징으로 하는 처리 장치.
  5. 처리 방법에 있어서,
    복수의 피처리체를 수용한 피처리체 반송 용기를 배치하는 피처리체 반송 용기 배치부와, 복수의 더미 피처리체를 수용한 더미 피처리체 반송 용기를 배치하는 더미 피처리체 배치부와, 상기 피처리체 또는 상기 더미 피처리체를 반송하는 반송 기구가 설치된 반송실과, 상기 반송실에 설치된 반송 기구에 의해 반송된 상기 복수의 피처리체 및 더미 피처리체를 미리 정해진 위치에 배치한 상태로, 상기 복수의 피처리체를 처리하는 처리부를 포함하는 처리 장치를 이용하며,
    상기 더미 피처리체 반송 용기에 수용된 더미 피처리체를 복수의 그룹으로 구분하고, 그 구분한 그룹 중 하나의 그룹 내의 더미 피처리체를 우선적으로 상기 처리부에 반송함과 함께, 상기 더미 피처리체의 교환에 있어서, 상기 구분한 그룹 단위로 더미 피처리체의 교환을 행하며,
    상기 더미 피처리체의 교환에 있어서, 교환하지 않는 그룹의 더미 피처리체를 상기 처리부에 반송하고, 상기 처리부를 제어하여 처리를 실행함과 함께, 상기 교환하는 그룹의 더미 피처리체의 교환을 행하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    상기 처리부에서는, 상기 복수의 피처리체에 박막을 형성하는 처리를 실행하고,
    상기 구분한 그룹의 더미 피처리체의 누적 막 두께치에 기초하여 교환하는 그룹의 더미 피처리체를 특정하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 처리부는, 상기 피처리체 또는 상기 더미 피처리체를 배치하는 복수의 배치 영역이 그 둘레 방향을 따라서 형성됨과 함께 수직축 둘레에 회전 가능한 회전 테이블과, 상기 배치 영역에 상기 피처리체를 처리하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 포함하고,
    상기 회전 테이블을 상기 수직축 둘레에 회전시킴과 함께 상기 처리 가스를 상기 배치 영역에 공급하는 것을 특징으로 하는 처리 방법.
KR1020150126970A 2014-09-25 2015-09-08 처리 장치 및 처리 방법 KR101924677B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-194917 2014-09-25
JP2014194917A JP6343536B2 (ja) 2014-09-25 2014-09-25 処理装置および処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160036481A KR20160036481A (ko) 2016-04-04
KR101924677B1 true KR101924677B1 (ko) 2018-12-03

Family

ID=55585253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150126970A KR101924677B1 (ko) 2014-09-25 2015-09-08 처리 장치 및 처리 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9828675B2 (ko)
JP (1) JP6343536B2 (ko)
KR (1) KR101924677B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6338989B2 (ja) * 2014-09-19 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法
KR101992825B1 (ko) * 2016-12-14 2019-06-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치의 에이징 기판 교체 방법
JP6948916B2 (ja) 2017-11-06 2021-10-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び通知方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010123733A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びその処理方法、並びに記憶媒体
WO2013133101A1 (ja) * 2012-03-07 2013-09-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4673548B2 (ja) * 2003-11-12 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその制御方法
JP5310283B2 (ja) 2008-06-27 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置、基板処理装置及び記憶媒体
JP5463066B2 (ja) * 2009-04-30 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 ロット処理開始判定方法及び制御装置
JP6026801B2 (ja) * 2011-10-19 2016-11-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板搬送方法及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010123733A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びその処理方法、並びに記憶媒体
WO2013133101A1 (ja) * 2012-03-07 2013-09-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6343536B2 (ja) 2018-06-13
JP2016066714A (ja) 2016-04-28
US9828675B2 (en) 2017-11-28
US20160093520A1 (en) 2016-03-31
KR20160036481A (ko) 2016-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8443484B2 (en) Substrate processing apparatus
JP4642619B2 (ja) 基板処理システム及び方法
JP6688850B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および、プログラム
CN102157420A (zh) 真空处理装置和真空处理装置的运行方法
JP5334261B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置における表示方法及び半導体装置の製造方法
KR101924677B1 (ko) 처리 장치 및 처리 방법
JP4673548B2 (ja) 基板処理装置及びその制御方法
KR101672577B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101942613B1 (ko) 처리 장치 및 처리 방법
JP2000340641A (ja) 基板処理装置
JP2016207767A (ja) 基板処理システム
CN112151411A (zh) 基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质
CN110783243A (zh) 基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
JP2011243677A (ja) 基板処理装置
JP7018370B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及びプログラム
JP2014120618A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP5997542B2 (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
KR100781417B1 (ko) 열처리장치 및 열처리방법
JP2005260108A (ja) 基板処理システム
JP2008053603A (ja) 基板処理システム
KR20150027732A (ko) 기판 처리 방법
JP2013183130A (ja) 基板処理装置
CN115244662A (zh) 半导体器件的制造方法、基板处理装置及程序
JP2012104702A (ja) 基板処理装置
JP2008078351A (ja) 基板処理システム

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant