JP2000340641A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2000340641A JP2000340641A JP14854799A JP14854799A JP2000340641A JP 2000340641 A JP2000340641 A JP 2000340641A JP 14854799 A JP14854799 A JP 14854799A JP 14854799 A JP14854799 A JP 14854799A JP 2000340641 A JP2000340641 A JP 2000340641A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板処理装置で密閉式カセット内のウェーハ又
は処理済ウェーハの自然酸化、或はパーティクル汚染を
防止する。 【解決手段】ウェーハが装填される密閉式カセット１２
を受載するカセット棚を具備する基板処理装置に於い
て、前記カセットがカセット棚２３に受載された状態
で、前記カセット内に不活性ガスを給排する不活性ガス
供給手段３２を設け、密閉式のウェーハカセットに清浄
な不活性ガスを供給し、該ウェーハカセット内を不活性
ガス雰囲気に常に保つことにより、未処理ウェーハ又は
処理済ウェーハの自然酸化或はパーティクル汚染を防止
する。
は処理済ウェーハの自然酸化、或はパーティクル汚染を
防止する。 【解決手段】ウェーハが装填される密閉式カセット１２
を受載するカセット棚を具備する基板処理装置に於い
て、前記カセットがカセット棚２３に受載された状態
で、前記カセット内に不活性ガスを給排する不活性ガス
供給手段３２を設け、密閉式のウェーハカセットに清浄
な不活性ガスを供給し、該ウェーハカセット内を不活性
ガス雰囲気に常に保つことにより、未処理ウェーハ又は
処理済ウェーハの自然酸化或はパーティクル汚染を防止
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコンウェーハ等
の被処理基板に成膜処理等各種プロセス処理を施して半
導体素子を形成する基板処理装置に関するものである。
の被処理基板に成膜処理等各種プロセス処理を施して半
導体素子を形成する基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板処理装置には被処理基板を１枚或は
複数枚ずつ処理する枚葉式のものと１度に多数の被処理
基板を処理するバッチ式のものとがある。バッチ式の基
板処理装置に於いては、通常被処理基板は開放型収納容
器である基板カセット或は密閉型収納容器であるＦＯＵ
Ｐ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｎｉｎｇ ＵｎｉｆｉｅｄＰ
ｏｄ）カセットに２５枚ずつ装填された状態で装置内に
搬送され、１度のプロセス処理で所要数の被処理基板例
えばシリコン製のウェーハが処理される。
複数枚ずつ処理する枚葉式のものと１度に多数の被処理
基板を処理するバッチ式のものとがある。バッチ式の基
板処理装置に於いては、通常被処理基板は開放型収納容
器である基板カセット或は密閉型収納容器であるＦＯＵ
Ｐ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｎｉｎｇ ＵｎｉｆｉｅｄＰ
ｏｄ）カセットに２５枚ずつ装填された状態で装置内に
搬送され、１度のプロセス処理で所要数の被処理基板例
えばシリコン製のウェーハが処理される。
【０００３】前記ウェーハをＦＯＵＰカセットに収納し
て搬送する場合の従来の基板処理装置を図７及び図８に
於いて説明する。
て搬送する場合の従来の基板処理装置を図７及び図８に
於いて説明する。
【０００４】筐体１の内部は前方部分がカセット搬送室
３、後方部分がウェーハ移載室４となっている。
３、後方部分がウェーハ移載室４となっている。
【０００５】前記筐体１内の後方上部には反応炉６が設
けられ、該反応炉６には下方から図示しないボートエレ
ベータによりボート７が装入引出し可能に支持されてい
る。下降状態の該ボート７の前方にはウェーハ移載機８
が設けられ、該ウェーハ移載機８の前方には上下に上カ
セットラック９、下カセットラック１０が設けられてい
る。前記上カセットラック９は、例えば図に示す様に、
２列３段で６個のＦＯＵＰカセット１２を収納可能であ
り、前記下カセットラック１０は２列４段で８個のＦＯ
ＵＰカセット１２を収納可能となっており、前記上カセ
ットラック９と下カセットラック１０とで合計１４個の
ＦＯＵＰカセット１２を収納可能となっている。
けられ、該反応炉６には下方から図示しないボートエレ
ベータによりボート７が装入引出し可能に支持されてい
る。下降状態の該ボート７の前方にはウェーハ移載機８
が設けられ、該ウェーハ移載機８の前方には上下に上カ
セットラック９、下カセットラック１０が設けられてい
る。前記上カセットラック９は、例えば図に示す様に、
２列３段で６個のＦＯＵＰカセット１２を収納可能であ
り、前記下カセットラック１０は２列４段で８個のＦＯ
ＵＰカセット１２を収納可能となっており、前記上カセ
ットラック９と下カセットラック１０とで合計１４個の
ＦＯＵＰカセット１２を収納可能となっている。
【０００６】前記上カセットラック９及び下カセットラ
ック１０の前方にカセットステージ１３が設けられてい
る。該カセットステージ１３の上方にはカセットサブラ
ック１４が設けられ、又前記筐体１の前面には前記カセ
ットステージ１３に隣接してカセット搬入搬出口１５が
設けられている。
ック１０の前方にカセットステージ１３が設けられてい
る。該カセットステージ１３の上方にはカセットサブラ
ック１４が設けられ、又前記筐体１の前面には前記カセ
ットステージ１３に隣接してカセット搬入搬出口１５が
設けられている。
【０００７】ウェーハ１７の搬送は前記ＦＯＵＰカセッ
ト１２に装填され密閉の状態で行われ、該ＦＯＵＰカセ
ット１２は外部搬送装置ＡＧＶ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）（図示せず）により前
記カセット搬入搬出口１５を介して前記カセットステー
ジ１３上に搬送される。カセット搬送機１８は昇降動、
回転動、横行動の協働で前記ＦＯＵＰカセット１２を前
記カセットステージ１３から前記上カセットラック９、
前記下カセットラック１０或は前記カセットサブラック
１４に移載する。
ト１２に装填され密閉の状態で行われ、該ＦＯＵＰカセ
ット１２は外部搬送装置ＡＧＶ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）（図示せず）により前
記カセット搬入搬出口１５を介して前記カセットステー
ジ１３上に搬送される。カセット搬送機１８は昇降動、
回転動、横行動の協働で前記ＦＯＵＰカセット１２を前
記カセットステージ１３から前記上カセットラック９、
前記下カセットラック１０或は前記カセットサブラック
１４に移載する。
【０００８】前記ＦＯＵＰカセット１２のカセット蓋１
９が蓋開閉機構（図示せず）により開放される。
９が蓋開閉機構（図示せず）により開放される。
【０００９】前記ウェーハ移載機８は昇降動、回転動、
進退動の協働により前記下カセットラック１０に収納さ
れた前記ＦＯＵＰカセット１２内のウェーハ１７を下降
状態の前記ボート７に移載する。前記ウェーハ１７の移
載は予定された枚数となる迄複数のＦＯＵＰカセット１
２に対して実行される。前記ボート７に所定数の前記ウ
ェーハ１７が装填されると、前記ボートエレベータ（図
示せず）により前記ボート７が上昇され前記反応炉６内
に装入される。
進退動の協働により前記下カセットラック１０に収納さ
れた前記ＦＯＵＰカセット１２内のウェーハ１７を下降
状態の前記ボート７に移載する。前記ウェーハ１７の移
載は予定された枚数となる迄複数のＦＯＵＰカセット１
２に対して実行される。前記ボート７に所定数の前記ウ
ェーハ１７が装填されると、前記ボートエレベータ（図
示せず）により前記ボート７が上昇され前記反応炉６内
に装入される。
【００１０】該反応炉６内で前記ウェーハ１７に所要の
処理が施されると、前記ボートエレベータ（図示せず）
により前記ボート７が降下され前記反応炉６より引出さ
れる。前記ボート７、ウェーハ１７が炉外で冷却された
後、前記ウェーハ移載機８により前記ウェーハ１７が前
記下カセットラック１０の前記ＦＯＵＰカセット１２へ
移載される。
処理が施されると、前記ボートエレベータ（図示せず）
により前記ボート７が降下され前記反応炉６より引出さ
れる。前記ボート７、ウェーハ１７が炉外で冷却された
後、前記ウェーハ移載機８により前記ウェーハ１７が前
記下カセットラック１０の前記ＦＯＵＰカセット１２へ
移載される。
【００１１】更に、次に処理されるウェーハ１７が前記
ウェーハ移載機８により前記ボート７に装填され、上記
したのと同様の手順で前記ウェーハ１７に所要の処理が
繰返される。又、所要の処理が完了し前記ＦＯＵＰカセ
ット１２に移載された前記各ウェーハ１７は上記した手
順と逆の手順で前記カセット搬送機１８、カセットステ
ージ１３、カセット搬入搬出口１５を介して外部へ搬出
される。
ウェーハ移載機８により前記ボート７に装填され、上記
したのと同様の手順で前記ウェーハ１７に所要の処理が
繰返される。又、所要の処理が完了し前記ＦＯＵＰカセ
ット１２に移載された前記各ウェーハ１７は上記した手
順と逆の手順で前記カセット搬送機１８、カセットステ
ージ１３、カセット搬入搬出口１５を介して外部へ搬出
される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】前記ＦＯＵＰカセット
１２内は前記外部搬送装置ＡＧＶで搬送されている間窒
素ガスで充満されて不活性雰囲気とされているが、該Ｆ
ＯＵＰカセット１２が前記下カセットラック１０に於い
て開口され、前記ＦＯＵＰカセット１２内の未処理ウェ
ーハ１７が前記ウェーハ移載機８により取出され前記ボ
ート７へ装填される間、或は前記ボート７から処理済ウ
ェーハが前記ウェーハ移載機８により前記ＦＯＵＰカセ
ット１２へ移載される間、前記ＦＯＵＰカセット１２内
は筐体１内の雰囲気ガスに置換されてしまう。
１２内は前記外部搬送装置ＡＧＶで搬送されている間窒
素ガスで充満されて不活性雰囲気とされているが、該Ｆ
ＯＵＰカセット１２が前記下カセットラック１０に於い
て開口され、前記ＦＯＵＰカセット１２内の未処理ウェ
ーハ１７が前記ウェーハ移載機８により取出され前記ボ
ート７へ装填される間、或は前記ボート７から処理済ウ
ェーハが前記ウェーハ移載機８により前記ＦＯＵＰカセ
ット１２へ移載される間、前記ＦＯＵＰカセット１２内
は筐体１内の雰囲気ガスに置換されてしまう。
【００１３】前記筐体１は清浄ではあるが、大気雰囲気
であり、従って、前記ＦＯＵＰカセット１２も前記筐体
１内の大気雰囲気に置換される。この為、前記ＦＯＵＰ
カセット１２が前記カセット搬送機１８、カセットステ
ージ１３、カセット搬入搬出口１５を介して外部へ搬出
される間、前記ＦＯＵＰカセット１２内の処理済ウェー
ハは大気中の酸素により自然酸化される或はパーティク
ルにより汚染される可能性が生じる。
であり、従って、前記ＦＯＵＰカセット１２も前記筐体
１内の大気雰囲気に置換される。この為、前記ＦＯＵＰ
カセット１２が前記カセット搬送機１８、カセットステ
ージ１３、カセット搬入搬出口１５を介して外部へ搬出
される間、前記ＦＯＵＰカセット１２内の処理済ウェー
ハは大気中の酸素により自然酸化される或はパーティク
ルにより汚染される可能性が生じる。
【００１４】本発明は斯かる実情に鑑み、密閉式のウェ
ーハカセットに清浄な不活性ガスを供給し、該ウェーハ
カセット内を不活性ガス雰囲気に常に保つことにより、
未処理ウェーハ又は処理済ウェーハの自然酸化、或はパ
ーティクル汚染を防止するものである。
ーハカセットに清浄な不活性ガスを供給し、該ウェーハ
カセット内を不活性ガス雰囲気に常に保つことにより、
未処理ウェーハ又は処理済ウェーハの自然酸化、或はパ
ーティクル汚染を防止するものである。
【００１５】
【課題を解決する為の手段】本発明は、ウェーハが装填
される密閉式カセットを受載するカセット棚を具備する
基板処理装置に於いて、前記カセットがカセット棚に受
載された状態で、前記カセット内に不活性ガスを給排す
る不活性ガス供給手段を設けた基板処理装置に係り、又
前記密閉式カセットの底板に不活性ガス流入ポートとカ
セット内雰囲気流出ポートが設けられ、前記カセット棚
に不活性ガス供給ポートとカセット内雰囲気排出ポート
が設けられ、前記不活性ガス流入ポートと前記不活性ガ
ス供給ポートが嵌合可能とし、前記カセット内雰囲気流
出ポートと前記カセット内雰囲気排出ポートが嵌合可能
とし、前記不活性ガス供給ポートに不活性ガス供給源が
接続された基板処理装置に係り、更に又前記不活性ガス
流入ポート、カセット内雰囲気流出ポートに開閉弁が設
けられ、前記不活性ガス供給ポートと不活性ガス供給源
との間の配管に電磁弁が設けられ、カセットがカセット
棚に載置されることで前記開閉弁、電磁弁がそれぞれ開
放される基板処理装置に係るものである。
される密閉式カセットを受載するカセット棚を具備する
基板処理装置に於いて、前記カセットがカセット棚に受
載された状態で、前記カセット内に不活性ガスを給排す
る不活性ガス供給手段を設けた基板処理装置に係り、又
前記密閉式カセットの底板に不活性ガス流入ポートとカ
セット内雰囲気流出ポートが設けられ、前記カセット棚
に不活性ガス供給ポートとカセット内雰囲気排出ポート
が設けられ、前記不活性ガス流入ポートと前記不活性ガ
ス供給ポートが嵌合可能とし、前記カセット内雰囲気流
出ポートと前記カセット内雰囲気排出ポートが嵌合可能
とし、前記不活性ガス供給ポートに不活性ガス供給源が
接続された基板処理装置に係り、更に又前記不活性ガス
流入ポート、カセット内雰囲気流出ポートに開閉弁が設
けられ、前記不活性ガス供給ポートと不活性ガス供給源
との間の配管に電磁弁が設けられ、カセットがカセット
棚に載置されることで前記開閉弁、電磁弁がそれぞれ開
放される基板処理装置に係るものである。
【００１６】カセットがカセット棚に受載されている状
態で、カセット内部に不活性ガスが供給されることか
ら、カセットを装置内に保管している状態でウェーハに
自然酸化膜が生成するのが抑制され、又カセット搬送中
のウェーハの自然酸化を防止する為に行われるカセット
内部に不活性ガスを充填する工程が省略でき、カセット
搬入搬出時間が短縮される。
態で、カセット内部に不活性ガスが供給されることか
ら、カセットを装置内に保管している状態でウェーハに
自然酸化膜が生成するのが抑制され、又カセット搬送中
のウェーハの自然酸化を防止する為に行われるカセット
内部に不活性ガスを充填する工程が省略でき、カセット
搬入搬出時間が短縮される。
【００１７】又、カセット内への不活性ガスの供給は、
カセットがカセット棚にある場合のみに行われるので、
不活性ガスの供給に無駄がない。
カセットがカセット棚にある場合のみに行われるので、
不活性ガスの供給に無駄がない。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１９】図１〜図５に於いて本発明の第一の実施の
形態を説明する。
形態を説明する。
【００２０】尚、図１〜図５中、図７及び図８中と同等
のものには同符号を付してある。
のものには同符号を付してある。
【００２１】カセットラック２２は棚板２３と中空の支
柱２４，２５，２６とにより構成され、前記カセットラ
ック２２は前記棚板２３に２列４段で８個のＦＯＵＰカ
セット１２を受載可能である。前記支柱２４は給気マニ
ホールド、前記支柱２５は排気マニホールドを夫々兼ね
ている。
柱２４，２５，２６とにより構成され、前記カセットラ
ック２２は前記棚板２３に２列４段で８個のＦＯＵＰカ
セット１２を受載可能である。前記支柱２４は給気マニ
ホールド、前記支柱２５は排気マニホールドを夫々兼ね
ている。
【００２２】前記ＦＯＵＰカセット１２にはウェーハ１
７が水平に且つ多段に装填されており、前記ＦＯＵＰカ
セット１２の底板２７に窒素ガス流入ポート２８及びカ
セット内雰囲気流出ポート２９が夫々設けられ、該窒素
ガス流入ポート２８及びカセット内雰囲気流出ポート２
９は前記各ウェーハ１７の周縁部近傍となる様に配置さ
れている。前記窒素ガス流入ポート２８、カセット内雰
囲気流出ポート２９は常時閉であり、後述する窒素ガス
供給ポート３２、カセット内雰囲気排出ポート３３が嵌
合することで開する様になっている。
７が水平に且つ多段に装填されており、前記ＦＯＵＰカ
セット１２の底板２７に窒素ガス流入ポート２８及びカ
セット内雰囲気流出ポート２９が夫々設けられ、該窒素
ガス流入ポート２８及びカセット内雰囲気流出ポート２
９は前記各ウェーハ１７の周縁部近傍となる様に配置さ
れている。前記窒素ガス流入ポート２８、カセット内雰
囲気流出ポート２９は常時閉であり、後述する窒素ガス
供給ポート３２、カセット内雰囲気排出ポート３３が嵌
合することで開する様になっている。
【００２３】前記棚板２３には前記カセット搬送用切欠
部３１が形成され、該カセット搬送用切欠部３１の近傍
に窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポ
ート３３が夫々設けられている。該窒素ガス供給ポート
３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３は前記窒素ガ
ス流入ポート２８及びカセット内雰囲気排出ポート２９
と上下に重なる位置に夫々配置され、前記窒素ガス供給
ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３は夫々
円筒ノズル状であり、該窒素ガス供給ポート３２及びカ
セット内雰囲気排出ポート３３の上端は前記棚板２３の
上面側に突出し、前記窒素ガス供給ポート３２に前記窒
素ガス流入ポート２８が着脱可能に嵌合すると共に、前
記カセット内雰囲気排出ポート３３に前記カセット内雰
囲気流出ポート２９が着脱可能に嵌合する様になってい
る。
部３１が形成され、該カセット搬送用切欠部３１の近傍
に窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポ
ート３３が夫々設けられている。該窒素ガス供給ポート
３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３は前記窒素ガ
ス流入ポート２８及びカセット内雰囲気排出ポート２９
と上下に重なる位置に夫々配置され、前記窒素ガス供給
ポート３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３は夫々
円筒ノズル状であり、該窒素ガス供給ポート３２及びカ
セット内雰囲気排出ポート３３の上端は前記棚板２３の
上面側に突出し、前記窒素ガス供給ポート３２に前記窒
素ガス流入ポート２８が着脱可能に嵌合すると共に、前
記カセット内雰囲気排出ポート３３に前記カセット内雰
囲気流出ポート２９が着脱可能に嵌合する様になってい
る。
【００２４】前記窒素ガス供給ポート３２の下端には窒
素ガス供給用配管３５の一端が接続され、該窒素ガス供
給用配管３５の他端は前記支柱２４に接続され、該支柱
２４の内部と連通している。該支柱２４は両端が閉塞さ
れており、該支柱２４は下端に於いて図示しない窒素ガ
ス供給源に配管を介して接続されている。
素ガス供給用配管３５の一端が接続され、該窒素ガス供
給用配管３５の他端は前記支柱２４に接続され、該支柱
２４の内部と連通している。該支柱２４は両端が閉塞さ
れており、該支柱２４は下端に於いて図示しない窒素ガ
ス供給源に配管を介して接続されている。
【００２５】前記カセット内雰囲気排出ポート３３の下
端には排出用配管３６の一端が接続され、該排出用配管
３６の他端は前記支柱２５に接続され、前記排出用配管
３６は前記支柱２５の内部と連通しており、該支柱２５
の両端は筐体１内に開放されている。
端には排出用配管３６の一端が接続され、該排出用配管
３６の他端は前記支柱２５に接続され、前記排出用配管
３６は前記支柱２５の内部と連通しており、該支柱２５
の両端は筐体１内に開放されている。
【００２６】以下、作用について説明する。
【００２７】清浄で不活性なガスとして窒素ガスが図示
しない窒素ガス供給源から配管を経てカセットラック２
２の支柱２４に送給され、該支柱２４内、窒素ガス供給
用配管３５を順次通って各窒素ガス供給ポート３２から
筐体１内に流出する。流出する窒素ガスは清浄な不活性
ガスであるので筐体１内の雰囲気を改善する。
しない窒素ガス供給源から配管を経てカセットラック２
２の支柱２４に送給され、該支柱２４内、窒素ガス供給
用配管３５を順次通って各窒素ガス供給ポート３２から
筐体１内に流出する。流出する窒素ガスは清浄な不活性
ガスであるので筐体１内の雰囲気を改善する。
【００２８】図示しないカセット搬送機によりＦＯＵＰ
カセット１２が図示しないカセットステージからカセッ
トラック２２に搬送され、前記ＦＯＵＰカセット１２は
前記カセットラック２２の棚板２３上に載置される。前
記ＦＯＵＰカセット１２の窒素ガス流入ポート２８が前
記窒素ガス供給ポート３２に嵌合し、同時に、前記カセ
ット内雰囲気流出ポート２９が前記カセット内雰囲気排
出ポート３３に嵌合する。該窒素ガス供給ポート３２か
ら窒素ガスが前記窒素ガス流入ポート２８を通って前記
ＦＯＵＰカセット１２内に流入し、前記ＦＯＵＰカセッ
ト１２内の雰囲気は前記カセット内雰囲気流出ポート２
９を通って前記カセット内雰囲気排出ポート３３、前記
排出用配管３６を順次経て前記支柱２５の開口部から前
記筐体内に流出する。而して、前記ＦＯＵＰカセット１
２内は清浄な不活性窒素ガスにより常に充満される。
カセット１２が図示しないカセットステージからカセッ
トラック２２に搬送され、前記ＦＯＵＰカセット１２は
前記カセットラック２２の棚板２３上に載置される。前
記ＦＯＵＰカセット１２の窒素ガス流入ポート２８が前
記窒素ガス供給ポート３２に嵌合し、同時に、前記カセ
ット内雰囲気流出ポート２９が前記カセット内雰囲気排
出ポート３３に嵌合する。該窒素ガス供給ポート３２か
ら窒素ガスが前記窒素ガス流入ポート２８を通って前記
ＦＯＵＰカセット１２内に流入し、前記ＦＯＵＰカセッ
ト１２内の雰囲気は前記カセット内雰囲気流出ポート２
９を通って前記カセット内雰囲気排出ポート３３、前記
排出用配管３６を順次経て前記支柱２５の開口部から前
記筐体内に流出する。而して、前記ＦＯＵＰカセット１
２内は清浄な不活性窒素ガスにより常に充満される。
【００２９】該ＦＯＵＰカセット１２のカセット蓋１９
が開かれ、前記ＦＯＵＰカセット１２内の未処理ウェー
ハ１７がウェーハ移載機によりボート（いずれも図示せ
ず）に移載され、前記ボート内の処理済ウェーハが前記
ウェーハ移載機により前記ＦＯＵＰカセット１２内に装
填される。
が開かれ、前記ＦＯＵＰカセット１２内の未処理ウェー
ハ１７がウェーハ移載機によりボート（いずれも図示せ
ず）に移載され、前記ボート内の処理済ウェーハが前記
ウェーハ移載機により前記ＦＯＵＰカセット１２内に装
填される。
【００３０】斯かるウェーハの移載作業の間前記ＦＯＵ
Ｐカセット１２は開口状態にあるが、前記窒素ガス供給
ポート３２から継続して窒素ガスが前記ＦＯＵＰカセッ
ト１２内に送給され、該ＦＯＵＰカセット１２内は前記
窒素ガスで充満されると共に前記ＦＯＵＰカセット１２
の開口部から前記窒素ガスが流出する。而して、前記Ｆ
ＯＵＰカセット１２の開口部から前記ウェーハ移載室内
の雰囲気が前記ＦＯＵＰカセット１２内へ流入するのが
抑制され、前記雰囲気中の酸素、パーティクル等の混入
が低減され、前記ＦＯＵＰカセット１２内の処理済ウェ
ーハ表面に於ける酸化膜の形成及びパーティクルによる
汚染が抑制される。
Ｐカセット１２は開口状態にあるが、前記窒素ガス供給
ポート３２から継続して窒素ガスが前記ＦＯＵＰカセッ
ト１２内に送給され、該ＦＯＵＰカセット１２内は前記
窒素ガスで充満されると共に前記ＦＯＵＰカセット１２
の開口部から前記窒素ガスが流出する。而して、前記Ｆ
ＯＵＰカセット１２の開口部から前記ウェーハ移載室内
の雰囲気が前記ＦＯＵＰカセット１２内へ流入するのが
抑制され、前記雰囲気中の酸素、パーティクル等の混入
が低減され、前記ＦＯＵＰカセット１２内の処理済ウェ
ーハ表面に於ける酸化膜の形成及びパーティクルによる
汚染が抑制される。
【００３１】前記ＦＯＵＰカセット１２に対するウェー
ハ移載作業が終了した後、該ＦＯＵＰカセット１２は前
記カセット蓋１９が閉じられる。
ハ移載作業が終了した後、該ＦＯＵＰカセット１２は前
記カセット蓋１９が閉じられる。
【００３２】前記窒素ガス流入ポート２８からは窒素ガ
スが継続して前記ＦＯＵＰカセット１２内に流入し、且
つ前記カセット内雰囲気流出ポート２９から前記ＦＯＵ
Ｐカセット１２内の雰囲気が混入した酸素やパーティク
ルと共に前記ＦＯＵＰカセット１２外に流出される。該
ＦＯＵＰカセット１２内は速やかに清浄で不活性な窒素
ガスに再び置換され、前記ＦＯＵＰカセット１２内の処
理済ウェーハ表面に於ける酸化膜の形成及びパーティク
ルによる汚染が更に抑制される。而して、前記ＦＯＵＰ
カセット１２内は前記カセットラック２２に収納された
状態で不活性ガスに置換されるので、別途ＦＯＵＰカセ
ット１２内を不活性ガスに置換する工程が省略できる。
スが継続して前記ＦＯＵＰカセット１２内に流入し、且
つ前記カセット内雰囲気流出ポート２９から前記ＦＯＵ
Ｐカセット１２内の雰囲気が混入した酸素やパーティク
ルと共に前記ＦＯＵＰカセット１２外に流出される。該
ＦＯＵＰカセット１２内は速やかに清浄で不活性な窒素
ガスに再び置換され、前記ＦＯＵＰカセット１２内の処
理済ウェーハ表面に於ける酸化膜の形成及びパーティク
ルによる汚染が更に抑制される。而して、前記ＦＯＵＰ
カセット１２内は前記カセットラック２２に収納された
状態で不活性ガスに置換されるので、別途ＦＯＵＰカセ
ット１２内を不活性ガスに置換する工程が省略できる。
【００３３】前記ウェーハ移載作業の終了した前記ＦＯ
ＵＰカセット１２は図示しない前記カセット搬送機、カ
セットステージ、カセット搬入搬出口を介して外部へ搬
出される。
ＵＰカセット１２は図示しない前記カセット搬送機、カ
セットステージ、カセット搬入搬出口を介して外部へ搬
出される。
【００３４】図６に於いて本発明の第二の実施の形態を
説明する。尚、図６中、図１〜図５中と同等のものには
同符号を付してある。
説明する。尚、図６中、図１〜図５中と同等のものには
同符号を付してある。
【００３５】ＦＯＵＰカセット１２の底板２７に窒素ガ
ス流入ポート３８及びカセット内雰囲気流出ポート３９
が夫々穿設され、該窒素ガス流入ポート３８及びカセッ
ト内雰囲気流出ポート３９は各ウェーハ１７の周縁部と
略重なる様に夫々配置され、前記窒素ガス流入ポート３
８及びカセット内雰囲気流出ポート３９は流入部弁板４
０、流出部弁板４１により開閉可能となっている。
ス流入ポート３８及びカセット内雰囲気流出ポート３９
が夫々穿設され、該窒素ガス流入ポート３８及びカセッ
ト内雰囲気流出ポート３９は各ウェーハ１７の周縁部と
略重なる様に夫々配置され、前記窒素ガス流入ポート３
８及びカセット内雰囲気流出ポート３９は流入部弁板４
０、流出部弁板４１により開閉可能となっている。
【００３６】前記ＦＯＵＰカセット１２は棚板２３に載
置されており、該棚板２３の前記ＦＯＵＰカセット１２
載置部所要位置に窒素ガス供給ポート３２及びカセット
内雰囲気排出ポート３３が夫々貫通して設けられてい
る。該窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排
出ポート３３は前記窒素ガス流入ポート３８及びカセッ
ト内雰囲気流出ポート３９に夫々挿通可能に配置され、
前記窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出
ポート３３はノズル状であり、前記窒素ガス供給ポート
３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３の上端は前記
棚板２３より突出している。
置されており、該棚板２３の前記ＦＯＵＰカセット１２
載置部所要位置に窒素ガス供給ポート３２及びカセット
内雰囲気排出ポート３３が夫々貫通して設けられてい
る。該窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排
出ポート３３は前記窒素ガス流入ポート３８及びカセッ
ト内雰囲気流出ポート３９に夫々挿通可能に配置され、
前記窒素ガス供給ポート３２及びカセット内雰囲気排出
ポート３３はノズル状であり、前記窒素ガス供給ポート
３２及びカセット内雰囲気排出ポート３３の上端は前記
棚板２３より突出している。
【００３７】前記窒素ガス供給ポート３２が前記窒素ガ
ス流入ポート３８に嵌入し、前記窒素ガス供給ポート３
２により前記流入部弁板４０が開かれると共に、前記カ
セット内雰囲気排出ポート３３が前記カセット内雰囲気
流出ポート３９に嵌入し、前記カセット内雰囲気排出ポ
ート３３により前記流出部弁板４１が開かれる様になっ
ている。
ス流入ポート３８に嵌入し、前記窒素ガス供給ポート３
２により前記流入部弁板４０が開かれると共に、前記カ
セット内雰囲気排出ポート３３が前記カセット内雰囲気
流出ポート３９に嵌入し、前記カセット内雰囲気排出ポ
ート３３により前記流出部弁板４１が開かれる様になっ
ている。
【００３８】前記各窒素ガス供給ポート３２の下端に窒
素ガス供給用配管３５の一端が接続されている。該窒素
ガス供給用配管３５の中途部に電磁弁４３が設けられて
いる。前記窒素ガス供給用配管３５の他端は前記支柱２
４に接続され、前記窒素ガス供給用配管３５は前記支柱
２４の内部と連通している。該支柱２４は両端が閉塞さ
れており、下端部に於いて図示しない窒素ガス供給源に
配管を介して接続されている。
素ガス供給用配管３５の一端が接続されている。該窒素
ガス供給用配管３５の中途部に電磁弁４３が設けられて
いる。前記窒素ガス供給用配管３５の他端は前記支柱２
４に接続され、前記窒素ガス供給用配管３５は前記支柱
２４の内部と連通している。該支柱２４は両端が閉塞さ
れており、下端部に於いて図示しない窒素ガス供給源に
配管を介して接続されている。
【００３９】前記棚板２３の各ＦＯＵＰカセット１２載
置部にマイクロスイッチ４４が取付けられ、前記棚板２
３に前記ＦＯＵＰカセット１２が載置された時、前記マ
イクロスイッチ４４がＯＮとなって前記電磁弁４３が開
き、又、前記ＦＯＵＰカセット１２が搬出された時に、
前記マイクロスイッチ４４がＯＦＦとなって前記電磁弁
４３が閉じる様になっている。
置部にマイクロスイッチ４４が取付けられ、前記棚板２
３に前記ＦＯＵＰカセット１２が載置された時、前記マ
イクロスイッチ４４がＯＮとなって前記電磁弁４３が開
き、又、前記ＦＯＵＰカセット１２が搬出された時に、
前記マイクロスイッチ４４がＯＦＦとなって前記電磁弁
４３が閉じる様になっている。
【００４０】以下、作用について説明する。
【００４１】清浄で不活性ガスである窒素ガスが図示し
ない窒素ガス供給源から配管を経て前記カセットラック
２２の各支柱２４に送給されている。前記棚板２３上の
各マイクロスイッチ４４は前記ＦＯＵＰカセット１２が
前記棚板２３上に載置されていない時はＯＦＦとなり、
前記電磁弁４３が閉じられている為窒素ガスは前記各窒
素ガス供給ポート３２から流出されない。
ない窒素ガス供給源から配管を経て前記カセットラック
２２の各支柱２４に送給されている。前記棚板２３上の
各マイクロスイッチ４４は前記ＦＯＵＰカセット１２が
前記棚板２３上に載置されていない時はＯＦＦとなり、
前記電磁弁４３が閉じられている為窒素ガスは前記各窒
素ガス供給ポート３２から流出されない。
【００４２】図示しないカセット搬送機により前記ＦＯ
ＵＰカセット１２が図示しないカセットステージから前
記カセットラック２２に搬送され、前記ＦＯＵＰカセッ
ト１２は前記カセットラック２２の棚板２３上に載置さ
れる。
ＵＰカセット１２が図示しないカセットステージから前
記カセットラック２２に搬送され、前記ＦＯＵＰカセッ
ト１２は前記カセットラック２２の棚板２３上に載置さ
れる。
【００４３】前記ＦＯＵＰカセット１２の重量により前
記棚板２３上のマイクロスイッチ４４がＯＮとなり、前
記電磁弁４３が開かれて窒素ガスは前記各窒素ガス供給
用配管３５を通って窒素ガス供給ポート３２から流出さ
れる。
記棚板２３上のマイクロスイッチ４４がＯＮとなり、前
記電磁弁４３が開かれて窒素ガスは前記各窒素ガス供給
用配管３５を通って窒素ガス供給ポート３２から流出さ
れる。
【００４４】同時に、前記ＦＯＵＰカセット１２の底板
２７に配設された窒素ガス流入ポート３８が前記棚板２
３の窒素ガス供給ポート３２に嵌入し、該窒素ガス供給
ポート３２の先端部により前記流入部弁板４０が開か
れ、前記窒素ガス供給ポート３２から窒素ガスが前記Ｆ
ＯＵＰカセット１２内に流入する。
２７に配設された窒素ガス流入ポート３８が前記棚板２
３の窒素ガス供給ポート３２に嵌入し、該窒素ガス供給
ポート３２の先端部により前記流入部弁板４０が開か
れ、前記窒素ガス供給ポート３２から窒素ガスが前記Ｆ
ＯＵＰカセット１２内に流入する。
【００４５】同様に、前記底板２７のカセット内雰囲気
流出ポート３９が前記棚板２３のカセット内雰囲気排出
ポート３３に嵌入し、該カセット内雰囲気排出ポート３
３の先端部により前記流出部弁板４１が開かれ、前記Ｆ
ＯＵＰカセット１２内の雰囲気は前記カセット内雰囲気
排出ポート３３を通り、該カセット内雰囲気排出ポート
３３に接続された前記排出用配管３６を経て前記支柱２
５の開口部からウェーハ移載室内に流出される。而し
て、前記ＦＯＵＰカセット１２内は窒素ガスで充満され
る。
流出ポート３９が前記棚板２３のカセット内雰囲気排出
ポート３３に嵌入し、該カセット内雰囲気排出ポート３
３の先端部により前記流出部弁板４１が開かれ、前記Ｆ
ＯＵＰカセット１２内の雰囲気は前記カセット内雰囲気
排出ポート３３を通り、該カセット内雰囲気排出ポート
３３に接続された前記排出用配管３６を経て前記支柱２
５の開口部からウェーハ移載室内に流出される。而し
て、前記ＦＯＵＰカセット１２内は窒素ガスで充満され
る。
【００４６】前記ウェーハ移載作業の終了した前記ＦＯ
ＵＰカセット１２は図示しない前記カセット搬送機によ
り前記棚板２３から持上げられる。前記ＦＯＵＰカセッ
ト１２が持上げられると、前記マイクロスイッチ４４が
ＯＦＦとなり、前記電磁弁４３が閉じられる為、窒素ガ
スは前記各窒素ガス供給ポート３２から流出されない。
ＵＰカセット１２は図示しない前記カセット搬送機によ
り前記棚板２３から持上げられる。前記ＦＯＵＰカセッ
ト１２が持上げられると、前記マイクロスイッチ４４が
ＯＦＦとなり、前記電磁弁４３が閉じられる為、窒素ガ
スは前記各窒素ガス供給ポート３２から流出されない。
【００４７】同時に、前記窒素ガス流入ポート３８から
前記窒素ガス供給ポート３２が脱離し、前記流入部弁板
４０が前記窒素ガス流入ポート３８を閉塞する。同様
に、前記カセット内雰囲気流出ポート３９から前記カセ
ット内雰囲気排出ポート３３が脱離し、前記流出部弁板
４１が前記カセット内雰囲気流出ポート３９を閉塞す
る。而して、前記ＦＯＵＰカセット１２内には清浄な不
活性窒素ガスが密封される。
前記窒素ガス供給ポート３２が脱離し、前記流入部弁板
４０が前記窒素ガス流入ポート３８を閉塞する。同様
に、前記カセット内雰囲気流出ポート３９から前記カセ
ット内雰囲気排出ポート３３が脱離し、前記流出部弁板
４１が前記カセット内雰囲気流出ポート３９を閉塞す
る。而して、前記ＦＯＵＰカセット１２内には清浄な不
活性窒素ガスが密封される。
【００４８】尚、本発明の基板処理装置は、上述の実施
の形態に於けるカセットラックに限定されるものではな
く、カセットラックの棚板の幅及び段数は適宜変更して
もよいことは勿論である。
の形態に於けるカセットラックに限定されるものではな
く、カセットラックの棚板の幅及び段数は適宜変更して
もよいことは勿論である。
【００４９】又、上記第一及び第二の実施の形態では、
説明上、カセットに対する不活性ガス供給手段をカセッ
トラック２２に設けた場合を説明したが、前記不活性ガ
ス供給手段は、図７に示す、上カセットラック９、下カ
セットラック１０、カセットサブラック１４のいずれに
設けられてもよく、又、必要に応じ、限られたラックに
のみ設けてもよい。例えば、下カセットラック１０はウ
ェーハ移載機８にてＦＯＵＰカセット１２からウェーハ
を取出す為、ＦＯＵＰカセット１２の蓋を開閉する開閉
機構（図示せず）を設ける必要がある。よって、下カセ
ットラック１０に前記不活性ガス供給手段を設けると機
械的に複雑になるので、前記不活性ガス供給手段を下カ
セットラック１０に設けず、上カセットラック９及び
（又は）カセットサブラック１４に設け、処理済のウェ
ーハを収納したカセット（蓋が開放されカセット内が大
気雰囲気の状態）を下カセットラック１０から一旦上カ
セットラック９（又はカセットサブラック１４）へカセ
ット搬送機１８にて搬送し、上カセットラック９にてカ
セット内を不活性ガス雰囲気に置換し、その後、カセッ
トステージ１３を介し外部へ搬出する様にしてもよい。
説明上、カセットに対する不活性ガス供給手段をカセッ
トラック２２に設けた場合を説明したが、前記不活性ガ
ス供給手段は、図７に示す、上カセットラック９、下カ
セットラック１０、カセットサブラック１４のいずれに
設けられてもよく、又、必要に応じ、限られたラックに
のみ設けてもよい。例えば、下カセットラック１０はウ
ェーハ移載機８にてＦＯＵＰカセット１２からウェーハ
を取出す為、ＦＯＵＰカセット１２の蓋を開閉する開閉
機構（図示せず）を設ける必要がある。よって、下カセ
ットラック１０に前記不活性ガス供給手段を設けると機
械的に複雑になるので、前記不活性ガス供給手段を下カ
セットラック１０に設けず、上カセットラック９及び
（又は）カセットサブラック１４に設け、処理済のウェ
ーハを収納したカセット（蓋が開放されカセット内が大
気雰囲気の状態）を下カセットラック１０から一旦上カ
セットラック９（又はカセットサブラック１４）へカセ
ット搬送機１８にて搬送し、上カセットラック９にてカ
セット内を不活性ガス雰囲気に置換し、その後、カセッ
トステージ１３を介し外部へ搬出する様にしてもよい。
【００５０】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、密閉式
カセットの筐体内搬入後、カセット棚に収納された状態
で、カセット内に不活性ガスが供給されるので、カセッ
ト内での自然酸化膜の生成が抑制され、更に、カセット
搬送中カセット内でのウェーハの自然酸化を防止する為
に行われるカセット内部に不活性ガスを充填する工程が
省略でき、カセット搬入搬出時間が短縮され、搬送効率
が向上し、ひいては生産性が向上する。又、カセット内
への不活性ガスの供給は、カセットがカセット棚にある
場合のみに行われるので、不活性ガスの供給に無駄がな
く、ランニングコストが低く抑えられる等種々の優れた
効果を発揮する。
カセットの筐体内搬入後、カセット棚に収納された状態
で、カセット内に不活性ガスが供給されるので、カセッ
ト内での自然酸化膜の生成が抑制され、更に、カセット
搬送中カセット内でのウェーハの自然酸化を防止する為
に行われるカセット内部に不活性ガスを充填する工程が
省略でき、カセット搬入搬出時間が短縮され、搬送効率
が向上し、ひいては生産性が向上する。又、カセット内
への不活性ガスの供給は、カセットがカセット棚にある
場合のみに行われるので、不活性ガスの供給に無駄がな
く、ランニングコストが低く抑えられる等種々の優れた
効果を発揮する。
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す側面図であ
る。
る。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視図である。
【図３】図１に於けるＦＯＵＰカセットの分解斜視図で
ある。
ある。
【図４】図３のＢ−Ｂ矢視図である。
【図５】図３に於けるＦＯＵＰカセットの底面図であ
る。
る。
【図６】本発明の第二の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図７】従来例の斜視図である。
【図８】該従来例に於けるカセットラックの斜視図であ
る。
る。
３ カセット搬送室 ４ ウェーハ移載室 ６ 反応炉 ７ ボート ８ ウェーハ移載機 １０ 下カセットラック １２ ＦＯＵＰカセット １７ ウェーハ １９ カセット蓋 ２２ カセットラック ２３ 棚板 ２４ 支柱 ２５ 支柱 ２６ 支柱 ２７ 底板 ２８ 窒素ガス流入ポート ２９ カセット内雰囲気流出ポート ３２ 窒素ガス供給ポート ３３ カセット内雰囲気排出ポート ３５ 窒素ガス供給用配管 ３６ 排出用配管 ３８ 窒素ガス流入ポート ３９ カセット内雰囲気流出ポート ４０ 流入部弁板 ４１ 流出部弁板 ４３ 電磁弁 ４４ マイクロスイッチ
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェーハが装填される密閉式カセットを
受載するカセット棚を具備する基板処理装置に於いて、
前記カセットがカセット棚に受載された状態で、前記カ
セット内に不活性ガスを給排する不活性ガス供給手段を
設けたことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14854799A JP4308975B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体素子の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14854799A JP4308975B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体素子の形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340641A true JP2000340641A (ja) | 2000-12-08 |
| JP2000340641A5 JP2000340641A5 (ja) | 2006-07-06 |
| JP4308975B2 JP4308975B2 (ja) | 2009-08-05 |
Family
ID=15455212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14854799A Expired - Lifetime JP4308975B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体素子の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4308975B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2003007813A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Nec Corp | 半導体ウエハの保管ボックス、運搬装置、運搬方法及び保管倉庫 |
| KR20030009763A (ko) * | 2001-07-24 | 2003-02-05 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 보관장치 |
| US6594141B2 (en) | 2001-10-19 | 2003-07-15 | Nec Tokin Toyama, Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for preparing the same |
| JP2008159734A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Asyst Technologies Japan Inc | コンテナの搬送システム及び測定用コンテナ |
| KR100904999B1 (ko) | 2008-12-29 | 2009-06-26 | (주)서울산업기술 | 샘플링캐리어 |
| JP2009541998A (ja) * | 2006-06-19 | 2009-11-26 | インテグリス・インコーポレーテッド | レチクル保管庫をパージするためのシステム |
| JP2010041015A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Kondo Kogyo Kk | 半導体ウエハ収納容器用保管棚 |
| JP2010135355A (ja) * | 2008-12-02 | 2010-06-17 | Sinfonia Technology Co Ltd | ロードポート |
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| JP2013131712A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Daifuku Co Ltd | 不活性ガス注入装置 |
| WO2014030421A1 (ja) * | 2012-08-21 | 2014-02-27 | 村田機械株式会社 | パージ機能を備えたストッカと、ストッカユニット及びクリーンガスの供給方法 |
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| KR20150002481A (ko) | 2013-06-28 | 2015-01-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
| WO2015118782A1 (ja) * | 2014-02-07 | 2015-08-13 | 村田機械株式会社 | パージ装置及びパージ方法 |
| JP2017050425A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 株式会社ダイフク | 保管設備 |
| KR20180030758A (ko) | 2016-09-16 | 2018-03-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 이송 방법 |
| KR20190035522A (ko) | 2017-09-26 | 2019-04-03 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6106501B2 (ja) | 2013-04-12 | 2017-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 収納容器内の雰囲気管理方法 |
-
1999
- 1999-05-27 JP JP14854799A patent/JP4308975B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007813A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Nec Corp | 半導体ウエハの保管ボックス、運搬装置、運搬方法及び保管倉庫 |
| KR20030009763A (ko) * | 2001-07-24 | 2003-02-05 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 보관장치 |
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| JP4670808B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2011-04-13 | ムラテックオートメーション株式会社 | コンテナの搬送システム及び測定用コンテナ |
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| US10090179B2 (en) | 2011-06-28 | 2018-10-02 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor stocker systems and methods |
| US20130000254A1 (en) * | 2011-06-28 | 2013-01-03 | Dynamic Micro Systems, Semiconductor Equipment Gmbh | Semiconductor stocker systems and methods |
| US10453722B2 (en) | 2011-06-28 | 2019-10-22 | Brooks Automation (Germany) Gmbh | Semiconductor stocker systems and methods |
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