KR20100059712A - 기판의 보관 장치 및 기판의 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 기판의 오염을 억제하면서 기판을 장시간 보관한다.
보관 장치(3)는 복수의 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 다단으로 수용하여, 내부를 밀폐 가능한 수용 용기(110)를 갖고 있다. 수용 용기(110) 내에는 복수의 웨이퍼(W)의 상방을 덮도록 확산판(120)이 설치되어 있다. 확산판(120)에는 당해 확산판(120)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(121)이 복수 형성되어, 확산판(120)은 급기구(130)로부터 공급된 불활성 가스를 수평면 내에서 균일하게 확산시킬 수 있다. 유로(R)에 있어서의 수용 용기(110)의 하면에는 급기 영역(A1)에 불활성 가스를 공급하는 급기구(130)가 형성되어 있다. 배기 영역(A3)에 있어서의 수용 용기(110)의 하면에는 배기 영역(A3)으로부터 수용 용기(110) 내의 분위기를 배기하는 배기구(132)가 형성되어 있다.
기판 처리 시스템, 웨이퍼, 수용 용기, 확산판, 보관 장치

Description

기판의 보관 장치 및 기판의 처리 장치 {SUBSTRATE HOUSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판을 보관하는 보관 장치 및 기판의 처리 장치에 관한 것이다.
예를 들어, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들어 웨이퍼 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등의 일련의 처리가 순차적으로 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성되고 있다.
이들 레지스트 도포 처리, 노광 처리, 현상 처리 등의 처리는, 통상, 레지스트 도포 장치, 노광 장치, 현상 장치 등의 처리 유닛에서 각각 행해진다. 그러나, 이들 처리 유닛은 각각의 처리 능력이 상이하므로, 처리 능력이 낮은 처리 유닛에서 처리 대기의 웨이퍼가 체류되어 버린다.
처리 대기의 웨이퍼를 그대로 방치하면, 당해 웨이퍼 상에 입자 형상의 오염 물질(파티클)이나 기체 상태의 오염 물질이 부착된다. 또한, 레지스트막 중의 산과 공기 중의 아민의 중화 반응에 의해 레지스트막 표면에 부동체의 층이 형성되 어, 최종적으로 소정의 레지스트 패턴이 형성되지 않는 경우가 있다. 이로 인해, 처리 대기의 웨이퍼를 적절한 환경에서 보관할 필요가 있다.
또한, 처리 능력이 다른 처리 유닛이 각종 처리를 행하는 자유도를 확보하여, 일련의 웨이퍼 처리를 효율적으로 행하기 위해, 처리 대기의 웨이퍼를 가능한 한 장시간 보관하는 것이 바람직하다.
따라서, 종래부터 처리 대기의 웨이퍼를 불활성 가스로 충전된 수용 용기 내에 수용하여 보관하는 것이 제안되어 있다. 구체적으로는, 도 16에 도시한 바와 같이, 복수의 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 다단으로 수납하는 수용 용기(500)의 하면에 있어서, 수용 용기(500) 내에 불활성 가스를 공급하는 급기 포트(501)와, 수용 용기(500) 내의 분위기를 배기하는 배기 포트(502)가 접속되어 있다. 그리고, 급기 포트(501)로부터 불활성 가스를 공급하여, 수용 용기(500) 내를 불활성 가스로 충전하고 있다(특허 문헌 1).
[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 제2007-5604호 공보
그러나, 급기 포트(501)로부터 공급되는 불활성 가스를 순수한 불활성 가스로 하는 것은 기술적으로 곤란하여, 당해 불활성 가스 중에는 미량의 아민이 포함되어 있다. 그리고, 급기 포트(501)와 배기 포트(502)는, 예를 들어 도 17에 도시한 바와 같이 수용 용기(500)의 하나의 측면측에 접속되어 있어, 최상단의 웨이퍼(W)의 단부(도 17 중의 사선부) 상을 불활성 가스가 통과한다. 그렇게 되면, 웨이퍼(W)의 단부에서는 그 밖의 부분에 비해 불활성 가스 중의 아민이 충돌할 확률이 높아지므로, 웨이퍼(W)의 단부에 부동체의 층이 형성되어 오염되기 쉬워진다. 이로 인해, 웨이퍼(W)를 장시간 보관할 수 없었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 오염을 억제하면서 기판을 장시간 보관하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 복수의 기판을 보관하는 보관 장치이며, 복수의 기판을 상하 방향으로 다단으로 수용하여, 내부를 밀폐 가능한 수용 용기와, 상기 수용 용기 내에 있어서, 상기 복수의 기판의 상방 또는 하방을 덮도록 설치된 확산판을 갖고, 상기 수용 용기에는 상기 확산판을 통해 상기 복수의 기판측의 영역에 소정의 기체를 공급하는 급기 영역과, 상기 수용 용기 내에 복수의 기판이 배치되는 기판 영역과, 상기 기판 영역의 하류측의 배기 영역과, 상기 급기 영역에 소정의 기체를 공급하기 위한 급기구와, 상기 배기 영역으로부터 상기 수용 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구가 형성되고, 상기 확산판은 상기 급기 영역으로부터 흐르는 소정의 기체를 균일하게 확산시키는 통기부를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 수용 용기 내에는 확산판이 설치되어 있으므로, 급기구로부터 수용 용기 내로 공급된 소정의 기체는 확산판을 통과할 때에 수평면 내에서 균일하게 확산되어, 복수의 기판측으로 유입된다. 이러한 경우, 소정의 기체 중에 미량의 아민이 함유되어 있는 경우라도, 이 아민이 기판에 충돌할 확률이 낮아진다. 그렇게 하면, 기판 상에 있어서의 부동체의 층의 형성을 억제할 수 있다. 또한, 수용 용기의 내부는 밀폐 가능하므로, 외부로부터 오염 물질이 침입하는 일이 없어, 기판 상에 있어서의 오염 물질의 부착도 억제할 수 있다. 따라서, 기판의 오염을 억제하면서 기판을 장시간 보관할 수 있다.
상기 수용 용기 내의 측벽부에는 상기 기판 영역으로부터 격리되어, 상기 급기 영역에 통하는 유로를 형성하는 구획벽이 설치되고, 상기 급기구는 상기 유로 내에 개방되어 있어도 좋다.
상기 확산판이 상기 복수의 기판의 상방에 설치되어 있는 경우에는, 상기 급기구와 상기 배기구는 각각 상기 수용 용기의 하면에 형성되어 있어도 좋다. 또한, 상기 확산판이 상기 복수의 기판의 하방에 설치되어 있는 경우에는, 상기 급기구와 상기 배기구는 각각 상기 수용 용기의 상면에 형성되어 있어도 좋다.
상기 배기구는 상기 급기 영역측으로부터 상기 배기 영역측으로 연신되는 배기관에 형성되어 있어도 좋다.
상기 통기부는 상기 확산판을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이며, 상기 관통 구멍은 상기 확산판에 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있어도 좋다.
상기 소정의 기체는 불활성 가스인 것이 바람직하다.
상기 급기구로부터 공급되는 소정의 기체의 공급 시간 또는 공급량을 제어하는 제어 장치를 갖고, 상기 제어 장치는 상기 소정의 기체의 공급이 소정의 공급 시간 또는 소정의 공급량에 도달했을 때에 당해 소정의 기체의 공급을 정지하도록 해도 좋다. 또한, 소정의 공급 시간 또는 소정의 공급량은, 예를 들어 급기구로부터 소정의 기체가 공급되어, 수용 용기 내의 분위기가 소정의 기체로 치환되는 공급 시간 또는 공급량으로 설정된다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 기판의 처리 장치이며, 기판 상에 도포액을 도포하는 도포 처리 및 기판 상의 노광된 도포막을 현상하는 현상 처리를 행하는 처리부와, 기판 상의 도포막을 노광하는 노광 장치와 상기 처리부 사이에서, 기판의 전달을 행하는 반송부를 갖고, 상기 반송부는 복수의 기판을 상하 방향으로 다단으로 수용하고, 상기 처리부측과 상기 노광 장치측의 측면이 각각 개방된 수용 용기와, 상기 수용 용기의 상면으로부터 수평 방향으로 상기 처리부측으로 돌출된 확산판을 갖고, 상기 반송부에는 상기 확산판을 통해 상기 복수의 기판측의 영역에 소정의 기체를 공급하는 급기 영역과, 상기 수용 용기 내에 복수의 기판이 배치되는 기판 영역과, 상기 기판 영역의 하류측의 배기 영역이 형성되고, 상기 확산판은 상기 급기 영역으로부터 흐르는 소정의 기체를 균일하게 확산시키는 통기부를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 통기부는 상기 확산판을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이며, 상기 관통 구멍은 상기 확산판에 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있어도 좋다.
상기 반송부는 상기 수용 용기의 상면으로부터 수평 방향으로 상기 노광 장치측으로 돌출된 다른 확산판을 갖고, 상기 다른 확산판은 상기 급기 영역으로부터 흐르는 소정의 기체를 균일하게 확산시키는 다른 통기부를 갖고 있어도 좋다.
상기 다른 통기부는 상기 다른 확산판을 두께 방향으로 관통하는 다른 관통 구멍이며, 상기 다른 관통 구멍은 상기 다른 확산판에 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있어도 좋다.
또한, 다른 관점에 의한 본 발명은, 기판의 처리 장치이며, 기판을 처리하는 처리부와, 상기 처리부에 대해 기판을 반입출하는 반입출부를 갖고, 상기 반입출부는 복수의 기판을 상하 방향으로 다단으로 수용하고, 상기 처리부측의 측면에 기판을 반입출하기 위한 반입출구가 형성된 수용 용기와, 상기 수용 용기의 반입출구측의 상면으로부터 수평 방향으로 상기 처리부측으로 돌출된 확산판을 갖고, 상기 반입출부에는 상기 확산판을 통해 상기 복수의 기판측의 영역에 소정의 기체를 공급하는 급기 영역과, 상기 수용 용기 내에 복수의 기판이 배치되는 기판 영역과, 상기 기판 영역의 하류측의 배기 영역이 형성되고, 상기 확산판은 상기 급기 영역으로부터 흐르는 소정의 기체를 균일하게 확산시키는 통기부를 갖는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 수용 용기에는 상하 방향으로 이동하여 상기 반입출구를 개폐하는 덮개와, 상기 덮개의 동작을 제어하는 제어 장치가 설치되고, 상기 제어 장치는 상기 수용 용기로 기판이 순차적으로 반입출되는 것에 수반하여, 당해 수용 용기 내의 기판과 대향하는 위치의 상기 반입출구를 상기 덮개가 덮도록 당해 덮개의 동작을 단계적으로 제어하도록 해도 좋다.
상기 통기부는 상기 확산판을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이며, 상기 관통 구멍은 상기 확산판에 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있어도 좋다.
본 발명에 따르면, 기판의 오염을 억제하면서 기판을 장시간 보관할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 관한 기판의 보관 장치를 갖는 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시하는 설명도이다. 도 2 및 도 3은 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
기판 처리 시스템(1)은 기판의 처리 장치로서의 도포 현상 처리 장치(2)와 보관 장치(3)를 구비하고 있다.
도포 현상 처리 장치(2)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 예를 들어 외부와의 사이에서 카세트(C)가 반입출되는 반입출부로서의 카세트 스테이션(4)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 유닛을 구비한 처리부로서의 처리 스테이션(5)과, 처리 스테이션(5)에 인접하는 노광 장치(6)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송부로서의 인터페이스 스테이 션(7)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(4)은, 예를 들어 카세트 반입출부(10)와 웨이퍼 반송부(11)로 나뉘어져 있다. 예를 들어, 카세트 반입출부(10)는 도포 현상 처리 장치(2)의 Y방향 부방향(도 1의 좌측 방향)측의 단부에 설치되어 있다. 카세트 반입출부(10)에는 카세트 적재대(12)가 설치되어 있다. 카세트 적재대(12)의 웨이퍼 반송부(11)측에는 카세트(C)를 개폐하기 위한 오프너(13)가, 카세트(C)에 대향하여 설치되어 있다. 카세트 적재대(12) 상에는, 복수, 예를 들어 4개의 적재판(14)이 설치되어 있다. 적재판(14)은 수평 방향의 X방향(도 1의 상하 방향)으로 일렬로 배열하여 설치되어 있다. 이들 적재판(14)에는 도포 현상 처리 장치(2)의 외부에 대해 카세트(C)를 반입출할 때에, 카세트(C)를 적재할 수 있다. 또한, 적재판(14)은, 예를 들어 Y방향으로 슬라이드 가능하여, 적재한 카세트(C)의 웨이퍼 취출구를 웨이퍼 반송부(11)측으로 이동시킬 수 있다. 또한, 도포 현상 처리 장치(2)와 그 외부 사이의 카세트(C)의 반입출은, 공장 내의 처리 장치 사이에서 카세트(C)를 반송하는 도 2에 도시하는 외부 카세트 반송 장치(B)에 의해 행해진다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 카세트 스테이션(4)의 웨이퍼 반송부(11)는 분위기 제어를 행하기 위한 케이싱(11a)에 의해 덮여 있다. 또한, 웨이퍼 반송부(11)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 X방향으로 연장되는 반송로(20) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(21)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(21)는 상하 방향 및 연직축 주위(θ방향)로도 이동 가능하여, 각 적재판(14) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(5)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반 송할 수 있다.
처리 스테이션(5)에는 각종 유닛을 구비한 복수, 예를 들어 4개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예를 들어, 처리 스테이션(5)의 정면측(도 1의 X방향 부방향측)에는 제1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(5)의 배면측(도 1의 X방향 정방향측)에는 제2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(5)의 카세트 스테이션(4)측(도 1의 Y방향 부방향측)에는 제3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(5)의 인터페이스 스테이션(7)측(도 1의 Y방향 정방향측)에는 제4 블록(G4)이 설치되어 있다.
예를 들어, 제1 블록(G1)에는, 도 3에 도시한 바와 같이 복수의 액처리 유닛, 예를 들어 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 유닛(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하, 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 유닛(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 유닛(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하, 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 유닛(33)이 하부로부터 순서대로 4단으로 포개어져 있다.
예를 들어, 제1 블록(G1)의 각 유닛(30 내지 33)은 처리 시에 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수 갖고, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다.
예를 들어, 제2 블록(G2)에는, 도 2에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 유닛(40)이나, 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 어드히젼 유닛(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 유닛(42)이 상하 방향과 수평 방향으로 배열하여 설치되어 있다. 열처리 유닛(40)은 웨이퍼(W)를 적재하여 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 적재하여 냉각하는 냉각판을 갖고, 가열 처리와 냉각 처리의 양쪽을 행할 수 있다. 또한, 열처리 유닛(40), 어드히젼 유닛(41) 및 주변 노광 유닛(42)의 수나 배치는 임의로 선택할 수 있다.
예를 들어, 제3 블록(G3)에는 복수의 전달 유닛(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)이 하부로부터 순서대로 설치되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는 복수의 전달 유닛(60, 61, 62)이 하부로부터 순서대로 설치되어 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 제1 블록(G1) 내지 제4 블록(G4)에 둘러싸인 영역에는 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들어 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.
웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들어 Y방향, 전후 방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위의 제1 블록(G1), 제2 블록(G2), 제3 블록(G3) 및 제4 블록(G4) 내의 소정의 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들어 도 2에 도시한 바와 같이 상하에 복수대 배치되고, 예를 들어 각 블록(G1 내지 G4)의 동일한 정도의 높이의 소정의 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.
셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들어 Y방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y방향으로 이동하여, 제3 블록(G3)의 전달 유닛(52)과 제4 블록(G4)의 전달 유닛(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 제3 블록(G3)의 X방향 정방향측에는 웨이퍼 반송 장치(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예를 들어 전후 방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(7)은 케이싱(7a)에 의해 덮여 있다. 또한, 인터페이스 스테이션(7)에는 웨이퍼 반송 장치(100)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 전후 방향, θ방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 반송 아암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 유닛, 노광 장치(6) 및 도포 현상 처리 장치(2)의 외부에 설치된 보관 장치(3)로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
다음에, 상술한 보관 장치(3)의 구성에 대해 설명한다. 보관 장치(3)는, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이 복수, 예를 들어 25매의 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 다단으로 수용하여, 내부를 밀폐 가능한 수용 용기(110)를 갖고 있다. 수용 용기(110)의 일측면에는 웨이퍼(W)를 출입시키기 위한 반입출구가 형성되고, 이 반입출구에는 덮개(111)가 설치되어 있다. 덮개(111)는 오프너(도시하지 않음)에 의해 상하 방향으로 이동하여, 반입출구가 개폐된다.
수용 용기(110) 내에는, 도 4 및 도 6에 도시한 바와 같이 수용 용기(110) 내를 수평 방향으로 구획하는 구획벽(112)이 설치되어 있다. 구획벽(112)은 폐쇄된 상태의 덮개(111)와 덮개(111)에 대향하는 수용 용기(110)의 측면 사이를 수평 방향으로 연신하여, 수용 용기(110) 내를 구획하고 있다. 또한, 구획벽(112)은 그 상단부와 수용 용기(110)의 상면과의 사이에 소정 간격의 개구부(113)를 형성하도록 수용 용기(110)의 하면으로부터 상방향으로 연신되어 있다.
수용 용기(110) 내에는, 도 4에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 상방을 덮도록 확산판(120)이 설치되어 있다. 확산판(120)은 구획벽(112)의 상부에 배치되고, 도 6에 도시한 바와 같이 구획벽(112)과 수용 용기(110)의 측벽에 둘러싸여 배치되어 있다. 확산판(120)에는 통기부로서, 확산판(120)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(121)이 형성되어 있다. 관통 구멍(121)은 확산판(120)의 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있다. 이 확산판(120)에 의해, 후술하는 급기 영역(A1)으로부터 흐르는 소정의 기체로서의 불활성 가스를 수평면 내에서 균일하게 확산시킬 수 있다.
이와 같이 웨이퍼(W), 구획벽(112) 및 확산판(120)이 수용 용기(110) 내에 배치되고, 도 4에 도시한 바와 같이, 수용 용기(110)에는 확산판(120)을 통해 웨이퍼(W)측의 영역에 소정의 기체를 공급하는 급기 영역(A1)과, 복수의 웨이퍼(W)가 배치되는 기판 영역으로서의 웨이퍼 영역(A2)과, 웨이퍼 영역(A2)의 하류측의 배기 영역(A3)이 형성되어 있다. 또한, 수용 용기(110)의 측벽부에는 웨이퍼 영역(A2) 으로부터 격리되어, 급기 영역(A1)에 통하는 유로(R)가 형성되어 있다.
유로(R)에 있어서의 수용 용기(110)의 하면에는 수용 용기(110)의 급기 영역(A1)에 불활성 가스를 공급하는 급기구(130)가 형성되어 있다. 급기구(130)에는 급기관(131)이 접속되어 있다. 급기관(131)은 불활성 가스를 저류하는 불활성 가스 공급원(도시하지 않음)에 연통하고 있다. 불활성 가스로서는, 예를 들어 질소 가스가 사용된다. 또한, 본 실시 형태에서는 수용 용기(110) 내에 공급하는 기체로서 불활성 가스를 사용하였지만, 그 밖의 기체, 예를 들어 공기를 사용해도 좋다.
배기 영역(A3)에 있어서의 수용 용기(110)의 하면에는 배기 영역(A3)으로부터 수용 용기(110) 내의 분위기를 배기하는 배기구(132)가 형성되어 있다. 배기구(132)에는 배기관(133)이 접속되어 있다. 배기관(133)은 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있어, 수용 용기(110) 내의 분위기를 강제적으로 배기할 수 있다.
수용 용기(110)는 수용 용기(110)의 하방에 설치된 대차(140)에 지지되어 있다. 대차(140)는 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이 제어 장치(150)가 설치되어 있다. 제어 장치(150)는, 예를 들어 컴퓨터이고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는 보관 장치(3) 내의 분위기를 제어하는, 즉 급기구(130)로부터 수용 용기(110) 내로의 불활성 가스의 공급과, 배기구(132)로부터의 수용 용기(110) 내의 분위기의 배기를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 이에 추가하여, 프로그램 저장부에는 상술한 각종 처리 유닛이나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 후술하는 기판 처리 시스템(1)의 소정의 작용, 즉 웨이퍼(W)로의 레지스트액의 도포, 현상, 가열 처리, 웨이퍼(W)의 전달, 각 유닛의 제어 등을 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그네트 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있었던 것으로, 그 기억 매체로부터 제어 장치(150)로 인스톨된 것이라도 좋다.
다음에, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서 행해지는 웨이퍼 처리에 대해 설명한다.
우선, 1로트의 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가, 외부 카세트 반송 장치(B)에 의해 도 1에 도시하는 카세트 스테이션(4)의 소정의 적재판(14)에 적재된다. 그리고, 적재판(14)에 의해 카세트(C)가 웨이퍼 반송부(11)측으로 이동하여, 오프너(13)에 의해 카세트(C)가 개방된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차적으로 취출되어, 처리 스테이션(5)의 제3 블록(G3)의, 예를 들어 전달 유닛(53)으로 반송된다.
다음에, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 열처리 유닛(40)으로 반송되어 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해, 예를 들어 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 유닛(31)으로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 제2 블 록(G2)의 열처리 유닛(40)으로 반송되어 가열되고, 온도 조절되어, 그 후 제3 블록(G3)의 전달 유닛(53)으로 복귀된다.
다음에, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 동일한 제3 블록(G3)의 전달 유닛(54)으로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 어드히젼 유닛(41)으로 반송되어, 어드히젼 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 레지스트 도포 유닛(32)으로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)으로 반송되어, 프리베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(55)으로 반송된다.
다음에, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 유닛(33)으로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)으로 반송되고, 가열되어, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 주변 노광 유닛(42)으로 반송되어, 주변 노광 처리된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(56)으로 반송된다.
다음에, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 전달 유닛(52)으로 반송되어, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 유닛(62)으로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(7)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해, 도포 현상 처리 장치(2)의 외부에 배치된 보관 장치(3)로 반송된다. 보관 장치(3)에 서는 후속의 노광 처리를 행하는 노광 장치(6)의 처리 능력에 따라서, 소정 매수의 웨이퍼(W)가 소정 시간 보관된다.
보관 장치(3)의 수용 용기(110) 내에 소정의 매수의 웨이퍼(W)가 수용되면, 덮개(111)를 폐쇄하여 수용 용기(110)의 내부를 밀폐한다. 그 후, 급기구(130)로부터 수용 용기(110) 내로 불활성 가스가 공급되는 동시에, 배기구(132)로부터 수용 용기(110) 내의 분위기가 배기된다. 이때, 급기구(130)로부터 공급된 불활성 가스는 유로(R)와 개구부(113)를 순차적으로 통과하여 급기 영역(A1)으로 흐른다. 급기 영역(A1)으로 유입된 불활성 가스는 확산판(120)의 관통 구멍(121)을 통과하여 수평면 내에 균일하게 확산되어, 복수의 웨이퍼(W)가 배치된 웨이퍼 영역(A2)으로 유입된다. 그 후, 배기 영역(A3)으로부터 처리 용기(110) 내의 분위기가 배기구(132)로부터 배기된다. 이와 같이 하여, 수용 용기(110) 내의 분위기가 불활성 가스 분위기로 치환된다.
그 후, 소정 시간이 경과하면, 보관 장치(3) 내의 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(7)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(6)로 반송되어, 노광 처리된다. 또한, 본 실시 형태에서는 노광 처리 전에 보관 장치(3)에서 웨이퍼(W)를 일단 보관하였지만, 노광 장치(6)의 처리 능력에 여유가 있는 경우에는, 제4 블록(G4)의 전달 유닛(62)의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(6)로 직접 반송해도 좋다.
다음에, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 유닛(60)으로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)으로 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 처리 유닛(30)으로 반송되어, 현상된다. 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)으로 반송되어, 포스트베이크 처리된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(50)으로 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(4)의 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 소정의 적재판(14)의 카세트(C)로 반송된다. 이와 같이 하여, 일련의 처리(포토리소그래피 처리)가 종료되어, 웨이퍼(W) 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.
이상의 실시 형태에 따르면, 수용 용기(110) 내에는 확산판(120)이 설치되어 있으므로, 급기구(130)로부터 유로(R)를 통해 급기 영역(A1)으로 공급된 불활성 가스는 확산판(120)을 통과할 때에 수평면 내에서 균일하게 확산되어, 웨이퍼 영역(A2)으로 유입된다. 이러한 경우, 급기구(130)로부터 공급된 불활성 가스 중에 미량의 아민이 함유되어 있는 경우라도, 이 아민이 웨이퍼 영역(A2)의 웨이퍼(W)에 충돌할 확률이 낮아진다. 그렇게 하면, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 부동체의 층의 형성을 억제할 수 있다. 또한, 수용 용기(110)의 내부는 밀폐 가능하므로, 외부로부터 오염 물질이 침입하지 않아, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 오염 물질의 부착도 억제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 오염을 억제하면서 웨이퍼(W)를 장시간 보관할 수 있다.
이와 같이 웨이퍼(W)의 오염을 억제할 수 있으므로, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 웨이퍼(W) 상에 소정의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)의 현상 처리에 있어서의 현상 결함을 억제하는 동시에 해상 불량을 억제하여, 레지스트 패턴의 상부 형상을 소정 형상으로 형성하고, 레지스트 패턴의 선 폭을 소정의 치수로 형성할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)를 장시간 보관할 수 있으므로, 각종 처리를 행하는 자유도를 확보할 수 있어, 각 처리 유닛의 처리 능력이 다른 경우라도 일련의 웨이퍼 처리를 효율적으로 행할 수 있다. 예를 들어, 본 실시 형태에서는 노광 장치(6)의 처리 능력이 도포 현상 처리 장치(2)의 처리 능력보다도 낮지만, 도포 현상 처리 장치(2)에서 소정의 처리를 행한 후, 노광 장치(6)에서 노광 처리를 행하기 전에, 웨이퍼(W)를 보관 장치(3)에서 보관하고 있으므로, 노광 장치(6)의 처리 능력에 율측되어 도포 현상 처리 장치(2)에 있어서의 각종 처리를 정지할 필요가 없다. 이로 인해, 도포 현상 처리 장치(2)와 노광 장치(6)의 처리 능력을 최대한으로 살릴 수 있어, 기판 처리 시스템(1)의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 수용 용기(110)의 측벽부에는 웨이퍼 영역(A2)으로부터 격리되어, 급기 영역(A1)에 통하는 유로(R)가 형성되어 있으므로, 급기구(130)로부터 공급된 불활성 가스는 복수의 웨이퍼(W)가 배치된 웨이퍼 영역(A2)으로 직접 유입되지 않고, 확실하게 확산판(120)을 통과한다. 따라서, 웨이퍼(W)에 충돌하는 불활성 가스를 확실하게 확산시킬 수 있다.
또한, 급기구(130)로부터 불활성 가스를 공급하여 수용 용기(110) 내의 분위기를 불활성 가스 분위기로 치환하고 있으므로, 수용 용기(110) 내의 아민의 함유량을 최소한으로 억제할 수 있어, 웨이퍼(W)를 보다 장시간 보관할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에서는 노광 장치(6)에서의 노광 처리 전에 보관 장 치(3)에서 웨이퍼(W)를 보관하고 있었지만, 노광 장치(6)에서의 노광 처리 후에 인터페이스 스테이션(7)으로 반송된 웨이퍼(W)를 보관 장치(3)에서 소정의 시간 보관해도 좋다. 이러한 경우라도, 각종 처리를 행하는 자유도를 확보할 수 있어, 각 처리 유닛의 처리 능력이 다른 경우라도 일련의 웨이퍼 처리를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 예를 들어 기판 처리 시스템(1) 내에 보관 장치(3)를 복수 설치하여, 노광 처리(6)에서의 노광 처리 전과 노광 처리 후의 양쪽의 공정에서 웨이퍼(W)를 보관 장치(3)에서 보관해도 좋다.
이상의 실시 형태에서는, 수용 용기(110) 내에 있어서, 확산판(120)은 웨이퍼(W)의 상방을 덮도록 설치되어 있었지만, 도 7에 도시한 바와 같이 확산판(120)은 웨이퍼(W)의 하방을 덮도록 설치되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 구획벽(112)은 그 하단부와 수용 용기(110)의 하면 사이에 소정의 간격의 개구부(113)를 형성하도록 수용 용기(110)의 상면으로부터 하방향으로 연신되어 있다. 확산판(120)은 구획벽(112)의 하부에 배치되어 있다. 또한, 급기구(130)는 유로(R)에 있어서의 수용 용기(110)의 상면에 형성되고, 배기구(132)는 배기 영역(A3)에 있어서의 수용 용기(110)의 상면에 형성되어 있다. 또한, 이들 부재의 구성에 대해서는 상기 실시 형태에서 설명한 구성과 동일하므로, 설명을 생략한다. 또한, 기판 처리 시스템(1)의 그 밖의 부재의 구성에 대해서도, 상기 실시 형태에서 설명한 구성과 동일하므로, 설명을 생략한다. 본 실시 형태에 의해서도, 급기구(130)로부터 공급된 불활성 가스는 유로(R)와 급기 영역(A1)을 순차적으로 통과하여, 확산판(120)에 의해 수평면 내에 균일하게 확산되어, 복수의 웨이퍼(W)가 배치된 웨이퍼 영역(A2)으 로 유입된다. 따라서, 불활성 가스 중의 미량의 아민이 웨이퍼(W)에 충돌할 확률이 낮아지므로, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 부동체의 층의 형성을 억제할 수 있어, 웨이퍼(W)를 장시간 보관할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 수용 용기(110) 내에 구획벽(112)을 설치하고 있었지만, 이 구획벽(112)을 설치하지 않고, 배기구를 급기 영역(A1)으로부터 배기 영역(A3)으로 연신되는 배기관에 형성해도 좋다. 도 8에 도시한 바와 같이, 확산판(200)은 수용 용기(110) 내를 상하 방향으로 구획하도록, 복수의 웨이퍼(W)의 하방에 설치된다. 이와 같이 확산판(200)이 수용 용기(110) 내에 배치되고, 수용 용기(110)에는 확산판(200)을 통해 웨이퍼(W)측의 영역에 소정의 기체를 공급하는 급기 영역(A1)과, 복수의 웨이퍼(W)가 배치되는 기판 영역으로서의 웨이퍼 영역(A2)과, 웨이퍼 영역(A2)의 하류측의 배기 영역(A3)이 형성되어 있다. 또한, 확산판(200)에는 통기부로서, 확산판(200)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(201)이 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있다.
수용 용기(110)의 하면에는 수용 용기(110) 내에 불활성 가스를 공급하는 급기구(210)가 형성되어 있다. 급기구(210)에는 급기관(211)이 접속되어 있다. 급기관(211)은 불활성 가스를 저류하는 불활성 가스 공급원(도시하지 않음)에 연통하고 있다.
수용 용기(110) 내에는 수용 용기(110)의 하면[급기 영역(A1)]으로부터 확산판(200)을 관통하여 웨이퍼(W)의 상방[배기 영역(A3)]까지 상하 방향으로 연신되는 배기관(212)이 설치되어 있다. 배기관(212)의 상단부는 개방되어, 배기구(213)를 형성하고 있다. 배기관(213)의 타단부는 수용 용기(110) 내에 설치된 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있고, 수용 용기(110) 내의 분위기를 강제적으로 배기할 수 있다. 또한, 기판 처리 시스템(1)의 그 밖의 부재의 구성에 대해서는, 상기 실시에서 설명한 구성과 동일하므로, 설명을 생략한다.
이러한 경우, 급기구(210)로부터 급기 영역(A1)으로 공급된 불활성 가스는 확산판(200)에 의해 수평면 내에 균일하게 확산되어, 복수의 웨이퍼(W)가 배치된 웨이퍼 영역(A2)으로 유입된다. 그 후, 배기 영역(A3)으로부터 수용 용기(110) 내의 분위기가 웨이퍼(W)의 상방의 배기구(213)로부터 배기된다. 그리고, 수용 용기(110) 내의 분위기가 불활성 가스로 치환된다. 이와 같이 웨이퍼 영역(A2)으로 유입되는 불활성 가스는 확산되어 있으므로, 불활성 가스 중의 미량의 아민이 웨이퍼(W)에 충돌할 확률이 낮아진다. 그렇게 하면, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 부동체의 층의 형성을 억제할 수 있어, 웨이퍼(W)를 장시간 보관할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 수용 용기(110) 내에 있어서, 확산판(200)은 웨이퍼(W)의 하방에 설치되어 있었지만, 도 9에 도시한 바와 같이 확산판(200)은 웨이퍼(W)의 상방에 설치되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 급기구(210)는 수용 용기(110)의 상면에 형성된다. 또한, 배기관(212)은 수용 용기(110)의 상면[급기 영역(A1)]으로부터 확산판(200)을 관통하여 웨이퍼(W)의 하방[배기 영역(A3)]까지 상하 방향으로 연신되어 있다. 배기관(212)의 하단부는 개방되어 배기구(213)를 형성하고 있다. 또한, 이들 부재의 구성에 대해서는 상기 실시 형태에서 설명한 구성과 동일하므로, 설명을 생략한다. 또한, 기판 처리 시스템(1)의 그 밖의 부재의 구성에 대해서도, 상기 실시 형태에서 설명한 구성과 동일하므로, 설명을 생략한다. 본 실시 형태에 의해서도, 급기구(210)로부터 급기 영역(A1)으로 공급된 불활성 가스는 확산판(200)에 의해 수평면 내에 균일하게 확산되어, 복수의 웨이퍼(W)가 배치된 웨이퍼 영역(A2)으로 유입된다. 따라서, 불활성 가스 중의 미량의 아민이 웨이퍼(W)에 충돌할 확률이 낮아지므로, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 부동체의 층의 형성을 억제할 수 있어, 웨이퍼(W)를 장시간 보관할 수 있다.
이상의 실시 형태에 있어서, 제어 장치(150)는 급기구(130)로부터 수용 용기(110) 내로의 불활성 가스의 공급 시간이 소정의 공급 시간에 도달했을 때에, 당해 불활성 가스의 공급을 정지해도 좋다. 이 소정의 공급 시간은 급기구(130)로부터 불활성 가스가 공급되어, 수용 용기(110) 내의 분위기가 불활성 가스로 치환되는 시간으로 설정되어, 예를 들어 5리터/분의 공급 속도로 15분간으로 설정된다. 이러한 경우, 수용 용기(110) 내의 분위기가 불활성 가스로 치환되면 불활성 가스의 공급이 정지되므로, 불활성 가스 중의 아민이 웨이퍼(W)에 충돌할 확률이 보다 낮아진다. 따라서, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 부동체의 층의 형성을 보다 확실하게 억제할 수 있어, 웨이퍼(W)를 장시간 보관할 수 있다. 또한, 불활성 가스를 항상 공급하는 경우에 비해, 운용 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 제어 장치(150)에서는 불활성 가스의 공급을 공급 시간으로 제어하고 있었지만, 공급량으로 제어해도 좋다. 즉, 불활성 가스의 공급량이 소정의 공급량에 도달했을 때에, 당해 불활성 가스의 공급을 정지해도 좋다. 이 소정의 공급량도, 수용 용기(110) 내의 분위기가 불활성 가스로 치환되는 공급량으로 설정되어, 예를 들어 300㎜ 직경의 웨이퍼(W)를 25매 수용 가능한 수용 용기(110)의 용적과 거의 동량인 30리터로 설정된다. 또한, 이들 공급 시간이나 공급량의 제어는 불활성 가스의 농도 등을 고려하여 설정된다.
이상의 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 보관은 도포 현상 처리 장치(2)의 외부에 설치된 보관 장치(3)에서 행해지고 있었지만, 도 10에 도시한 바와 같이 도포 현상 처리 장치(2)의 내부에서 행해져도 좋다. 도포 현상 처리 장치(2)의 인터페이스 스테이션(7)에는 웨이퍼(W)를 수용하여 보관하는 수용 용기(300)가 설치되어 있다. 수용 용기(300)에는, 도 11에 도시한 바와 같이 복수의 웨이퍼(W)가 상하 방향으로 다단으로 수용된다. 수용 용기(300)의 처리 스테이션(5)측의 측면은 개방되어, 제1 개구부(301)를 형성하고 있다. 또한, 수용 용기(300)의 노광 장치(6)측의 측면은 각각 개방되어, 제2 개구부(302)를 형성하고 있다. 수용 용기(300)에는 웨이퍼 반송 장치(100)를 액세스할 수 있어, 수용 용기(300)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
수용 용기(300)의 상면(303)에는, 상면(303)으로부터 수평 방향으로 처리 스테이션(5)측으로 돌출된 제1 확산판(310)과, 상면(303)으로부터 수평 방향으로 노광 장치(6)측으로 돌출된 제2 확산판(311)이 설치되어 있다. 이와 같이 제1 확산판(310)과 제2 확산판(311)이 배치되어, 인터페이스 스테이션(7)에는 제1 확산판(310)을 통해 웨이퍼(W)측의 영역에 소정의 기체를 공급하는 급기 영역(A1)과, 복수의 웨이퍼(W)가 배치되는 기판 영역으로서의 웨이퍼 영역(A2)과, 웨이퍼 영역(A2)의 하류측의 배기 영역(A3)이 형성되어 있다. 또한, 제1 확산판(310)에는 통기부로서, 제1 확산판(310)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(320)이 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있다. 또한, 제2 확산판(311)에도 통기부로서, 제2 확산판(311)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(321)이 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있다. 또한, 기판 처리 시스템(1)의 그 밖의 부재의 구성에 대해서는, 상기 실시에서 설명한 구성과 동일하므로, 설명을 생략한다.
여기서, 통상 작업을 행할 때, 처리 스테이션(5)의 내부에는 다운 플로우라고 불리는 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있다. 또한, 처리 스테이션(5)의 내부는 인터페이스 스테이션(7)의 내부보다도 고압으로 설정되어 있다. 그렇게 하면, 처리 스테이션(5) 내의 기체는 하방향으로 흐르면서 인터페이스 스테이션(7)으로 유입되어, 인터페이스 스테이션(7) 내를 노광 장치(6)를 향해 흐른다.
본 실시 형태에서는 처리 스테이션(5)으로부터 인터페이스 스테이션(7)으로 유입된 기체의 일부는 급기 영역(A1)을 수평 방향으로 흐르고, 남은 기체는 급기 영역(A1)으로부터 하방향으로 흐른다. 하방향으로 흐르는 기체는 제1 확산판(310)에 의해 수평면 내에서 균일하게 확산되어, 복수의 웨이퍼(W)가 배치된 웨이퍼 영역(A2)으로 유입한다. 또한, 만일 노광 장치(6)측으로부터 기체가 역류된 경우라도, 이 기체는 제2 확산판(311)에 의해 수평면 내에서 균일하게 확산되어, 웨이퍼 영역(A2)으로 유입된다. 이러한 경우, 처리 스테이션(5)으로부터 유입되는 기체 중에 아민이 함유되어 있는 경우라도, 이 아민이 수용 용기(300) 내에 수용된 웨이퍼(W)에 충돌할 확률이 낮아진다. 그렇게 하면, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 부동체의 층의 형성을 억제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 오염을 억제하면서, 웨이 퍼(W)를 장시간 보관할 수 있다.
이상의 실시 형태의 도포 현상 처리 장치(2)에 있어서, 카세트 스테이션(4)의 카세트 반입출부(10)에 적재되는 수용 용기로서의 카세트(C)의 상면에는, 도 12에 도시한 바와 같이 웨이퍼 반송부(11)측[처리 스테이션(5)측]으로 돌출된 확산판(400)이 설치되어 있어도 좋다. 이와 같이 확산판(400)이 배치되어, 카세트 스테이션(4)에는 확산판(400)을 통해 웨이퍼(W)측의 영역에 소정의 기체를 공급하는 급기 영역(A1)과, 복수의 웨이퍼(W)가 배치되는 기판 영역으로서의 웨이퍼 영역(A2)과, 웨이퍼 영역(A2)의 하류측의 배기 영역(A3)이 형성되어 있다. 또한, 확산판(400)에는 통기부로서, 확산판(400)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(401)이 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있다.
카세트(C)는 복수의 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 다단으로 수용하여, 내부를 밀폐 가능하게 구성되어 있다. 카세트(C)의 웨이퍼 반송부(11)측[처리 스테이션(5)측]에는 웨이퍼(W)를 반입출하기 위한 반입출구(410)가 형성되고, 이 반입출구(410)에는 덮개(411)가 설치되어 있다. 덮개(411)는 상술한 오프너(13)에 의해 상하 방향으로 이동하여, 반입출구(410)가 개폐된다. 또한, 기판 처리 시스템(1)의 그 밖의 부재의 구성에 대해서는, 상기 실시에서 설명한 구성과 동일하므로, 설명을 생략한다.
여기서, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C)로 웨이퍼(W)를 반입출할 때, 통상, 웨이퍼 반송부(11)의 내부에 있어서 다운 플로우라고 불리는 하방향을 향하는 기류를 발생시키고 있다. 이때, 덮개(411)를 반입출구(410)로부터 이동시 킴으로써, 반입출구(410)는 개방되어 있다. 그렇게 하면, 웨이퍼 반송부(11) 내의 기체는 하방향을 흐르면서 그 일부가 카세트(C) 내로 흐른다.
본 실시 형태에서는, 웨이퍼 반송부(11) 내의 급기 영역(A1)을 하방향으로 흐르는 기체는 확산판(400)에 의해 수평면 내에서 균일하게 확산되어, 복수의 웨이퍼(W)가 배치된 웨이퍼 영역(A2)으로 유입된다. 이러한 경우, 웨이퍼 반송부(11)로부터 유입되는 기체 중에 아민이 함유되어 있는 경우라도, 이 아민이 카세트(C) 내에 수용된 웨이퍼(W)에 충돌할 확률이 낮아진다. 그렇게 하면, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 부동체의 층의 형성을 억제할 수 있어, 웨이퍼(W)를 장시간 보관할 수 있다.
이상의 실시 형태에 있어서, 제어 장치(150)는, 다음에 서술하는 바와 같이 덮개(411)의 동작을 제어해도 좋다. 우선, 도 13에 도시한 바와 같이 복수의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 소정의 적재판(14)에 적재된다. 이때, 덮개(411)에 의해 반입출구(410)는 폐쇄되어 있다. 그 후, 도 14에 도시한 바와 같이 오프너(13)에 의해 덮개(411)가 하방으로 이동하여 반입출구(410)가 개방되고, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 웨이퍼(W)가 상부로부터 순차적으로 처리 스테이션(5)으로 반송된다. 이때, 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)가 반출되는 것에 수반하여, 카세트(C) 내에 잔존하는 웨이퍼(W)와 대향하는 위치의 반입출구(410)를 덮개(411)가 덮도록, 덮개(411)가 단계적으로 하방향으로 이동한다. 그 후, 처리 스테이션(5) 및 노광 장치(6)에서 소정의 처리가 종료된 웨이퍼(W)는, 도 15에 도시한 바와 같이 카세트(C)로 하방으로부터 순서대로 반송된다. 이때, 카세트(C) 내 에 웨이퍼(W)가 반입되는 것에 수반하여, 반입된 웨이퍼(W)와 대향하는 위치의 반입출구(410)를 덮개(411)가 덮도록 덮개(411)가 단계적으로 상방향으로 이동한다. 이와 같이 하여, 소정의 처리가 종료된 웨이퍼(W)가 카세트(C) 내에 수용된다.
이러한 경우, 카세트(C)에 웨이퍼(W)를 반입출할 때, 덮개(411)가 반입출구(410)를 단계적으로 개폐하고 있으므로, 반입출구(410)를 개방한 채로 카세트(C)로 웨이퍼(W)를 반입출하는 경우에 비해, 급기 영역(A1)으로부터 웨이퍼 영역(A2)으로 흐르는 기체의 유량을 소량으로 할 수 있다. 그렇게 하면, 기체 중의 아민이 카세트(C) 내에 수용된 웨이퍼(W)에 충돌할 확률이 낮아져, 웨이퍼(W) 상에 있어서의 부동체의 층의 형성을 더욱 억제할 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않는다. 당업자라면 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하므로, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 양해된다. 본 발명은 본 예로 한정되지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼 등의 기판을 보관할 때에 유용하다.
도 1은 본 실시 형태에 관한 기판의 보관 장치를 갖는 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 설명도.
도 2는 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 3은 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도.
도 4는 보관 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 5는 보관 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 6은 보관 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
도 7은 다른 실시 형태에 관한 보관 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 8은 다른 실시 형태에 관한 보관 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 9는 다른 실시 형태에 관한 보관 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 10은 다른 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 설명도.
도 11은 기판 처리 시스템의 인터페이스 스테이션 부근의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 12는 기판 처리 시스템의 카세트 스테이션 부근의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 13은 카세트가 적재판에 적재된 모습을 도시하는 설명도.
도 14는 카세트로부터 웨이퍼(W)가 순차적으로 반출되는 모습을 도시하는 설명도.
도 15는 카세트 내에 웨이퍼(W)가 순차적으로 반입되는 모습을 도시하는 설명도.
도 16은 종래의 기판을 보관하는 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도.
도 17은 종래의 기판을 보관하는 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 기판 처리 시스템
2 : 도포 현상 처리 장치
3 : 보관 장치
4 : 카세트 스테이션
5 : 처리 스테이션
6 : 노광 장치
7 : 인터페이스 스테이션
110 : 수용 용기
112 : 구획벽
113 : 개구부
120 : 확산판
121 : 관통 구멍
130 : 급기구
131 : 급기관
132 : 배기구
133 : 배기관
150 : 제어 장치
A1 : 급기 영역
A2 : 웨이퍼 영역
A3 : 배기 영역
R : 유로
W : 웨이퍼

Claims (15)

  1. 복수의 기판을 보관하는 보관 장치이며,
    복수의 기판을 상하 방향으로 다단으로 수용하여, 내부를 밀폐 가능한 수용 용기와,
    상기 수용 용기 내에 있어서, 상기 복수의 기판의 상방 또는 하방을 덮도록 설치된 확산판을 갖고,
    상기 수용 용기에는,
    상기 확산판을 통해 상기 복수의 기판측의 영역에 소정의 기체를 공급하는 급기 영역과,
    상기 수용 용기 내에 복수의 기판이 배치되는 기판 영역과,
    상기 기판 영역의 하류측의 배기 영역과,
    상기 급기 영역에 소정의 기체를 공급하기 위한 급기구와,
    상기 배기 영역으로부터 상기 수용 용기 내의 분위기를 배기하기 위한 배기구가 형성되고,
    상기 확산판은 상기 급기 영역으로부터 흐르는 소정의 기체를 균일하게 확산시키는 통기부를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판의 보관 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수용 용기 내의 측벽부에는 상기 기판 영역으로부터 격리되어, 상기 급기 영역에 통하는 유로를 형성하는 구획벽이 설치되고,
    상기 급기구는 상기 유로 내에 개방되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판의 보관 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 확산판은 상기 복수의 기판의 상방에 설치되고,
    상기 급기구와 상기 배기구는 각각 상기 수용 용기의 하면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판의 보관 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 확산판은 상기 복수의 기판의 하방에 설치되고,
    상기 급기구와 상기 배기구는 각각 상기 수용 용기의 상면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판의 보관 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 배기구는 상기 급기 영역측으로부터 상기 배기 영역측으로 연신되는 배기관에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판의 보관 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 통기부는 상기 확산판을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이며,
    상기 관통 구멍은 상기 확산판에 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판의 보관 장치.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소정의 기체는 불활성 가스 인 것을 특징으로 하는, 기판의 보관 장치.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 급기구로부터 공급되는 소정의 기체의 공급 시간 또는 공급량을 제어하는 제어 장치를 갖고,
    상기 제어 장치는 상기 소정의 기체의 공급이 소정의 공급 시간 또는 소정의 공급량에 도달했을 때에 당해 소정의 기체의 공급을 정지하는 것을 특징으로 하는, 기판의 보관 장치.
  9. 기판의 처리 장치이며,
    기판 상에 도포액을 도포하는 도포 처리 및 기판 상의 노광된 도포막을 현상하는 현상 처리를 행하는 처리부와,
    기판 상의 도포막을 노광하는 노광 장치와 상기 처리부 사이에서, 기판의 전달을 행하는 반송부를 갖고,
    상기 반송부는,
    복수의 기판을 상하 방향으로 다단으로 수용하여, 상기 처리부측과 상기 노광 장치측의 측면이 각각 개방된 수용 용기와,
    상기 수용 용기의 상면으로부터 수평 방향으로 상기 처리부측으로 돌출된 확산판을 갖고,
    상기 반송부에는,
    상기 확산판을 통해 상기 복수의 기판측의 영역에 소정의 기체를 공급하는 급기 영역과,
    상기 수용 용기 내에 복수의 기판이 배치되는 기판 영역과,
    상기 기판 영역의 하류측의 배기 영역이 형성되고,
    상기 확산판은 상기 급기 영역으로부터 흐르는 소정의 기체를 균일하게 확산시키는 통기부를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판의 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 통기부는 상기 확산판을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이며,
    상기 관통 구멍은 상기 확산판에 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판의 처리 장치.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 반송부는 상기 수용 용기의 상면으로부터 수평 방향으로 상기 노광 장치측으로 돌출된 다른 확산판을 갖고,
    상기 다른 확산판은 상기 급기 영역으로부터 흐르는 소정의 기체를 균일하게 확산시키는 다른 통기부를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판의 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 다른 통기부는 상기 다른 확산판을 두께 방향으로 관통하는 다른 관통 구멍이며,
    상기 다른 관통 구멍은 상기 다른 확산판에 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판의 처리 장치.
  13. 기판의 처리 장치이며,
    기판을 처리하는 처리부와,
    상기 처리부에 대해 기판을 반입출하는 반입출부를 갖고,
    상기 반입출부는,
    복수의 기판을 상하 방향으로 다단으로 수용하여, 상기 처리부측의 측면으로 기판을 반입출하기 위한 반입출구가 형성된 수용 용기와,
    상기 수용 용기의 반입출구측의 상면으로부터 수평 방향으로 상기 처리부측으로 돌출된 확산판을 갖고,
    상기 반입출부에는,
    상기 확산판을 통해 상기 복수의 기판측의 영역에 소정의 기체를 공급하는 급기 영역과,
    상기 수용 용기 내에 복수의 기판이 배치되는 기판 영역과,
    상기 기판 영역의 하류측의 배기 영역이 형성되고,
    상기 확산판은 상기 급기 영역으로부터 흐르는 소정의 기체를 균일하게 확산시키는 통기부를 갖는 것을 특징으로 하는, 기판의 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 수용 용기에는 상하 방향으로 이동하여 상기 반입출구를 개폐하는 덮개와, 상기 덮개의 동작을 제어하는 제어 장치가 설치되고,
    상기 제어 장치는 상기 수용 용기에 기판이 순차적으로 반입출되는 것에 수 반하여, 당해 수용 용기 내의 기판과 대향하는 위치의 상기 반입출구를 상기 덮개가 덮도록, 당해 덮개의 동작을 단계적으로 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판의 처리 장치.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 통기부는 상기 확산판을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍이며,
    상기 관통 구멍은 상기 확산판에 수평면 내에 균일하게 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판의 처리 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140047099A (ko) * 2011-06-28 2014-04-21 다이나믹 마이크로시스템즈 세미컨덕터 이큅먼트 게엠베하 반도체 스토커 시스템들 및 방법들
CN112289718A (zh) * 2019-07-13 2021-01-29 家登精密工业股份有限公司 基板载具及其气体扩散模块

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6052469B2 (ja) * 2014-04-28 2016-12-27 村田機械株式会社 パージ装置及びパージ方法
JP6874303B2 (ja) * 2016-08-31 2021-05-19 Tdk株式会社 ロードポート装置
KR102172073B1 (ko) * 2018-09-28 2020-10-30 세메스 주식회사 기판 수납 장치 및 상기 기판 수납 장치를 이용한 기판 처리 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321714A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Sony Corp 密閉コンテナ並びに密閉コンテナ用雰囲気置換装置及び雰囲気置換方法
JP3839555B2 (ja) * 1997-06-05 2006-11-01 高砂熱学工業株式会社 局所密閉型清浄装置
JPH11147051A (ja) * 1997-11-17 1999-06-02 Ebara Corp 収納空間の清浄化方法及びその装置
JP4286991B2 (ja) * 1999-08-06 2009-07-01 大日本印刷株式会社 ケース
US20030157727A1 (en) * 2000-02-28 2003-08-21 Tetsuo Nagano Measuring method using long life fluorescence of excitation type
JP2003007799A (ja) 2001-06-21 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 処理システム
JP2003092345A (ja) * 2001-07-13 2003-03-28 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 基板収納容器、基板搬送システム、保管装置及びガス置換方法
JP2006032869A (ja) * 2004-07-22 2006-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウエハ保管装置、ウエハ保管方法、ウエハ搬送装置、およびウエハ搬送方法
JP2006114761A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Renesas Technology Corp ウェーハ収納容器
US7375791B2 (en) 2005-06-30 2008-05-20 Asml Holding N.V. Laminar flow gas curtains for lithographic applications
JP2007227619A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Kondo Kogyo Kk 半導体ウエハ収納容器内へのドライエアまたは窒素ガス充填装置並びに該装置を用いたウエハ静電除去装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140047099A (ko) * 2011-06-28 2014-04-21 다이나믹 마이크로시스템즈 세미컨덕터 이큅먼트 게엠베하 반도체 스토커 시스템들 및 방법들
US10453722B2 (en) 2011-06-28 2019-10-22 Brooks Automation (Germany) Gmbh Semiconductor stocker systems and methods
US10872796B2 (en) 2011-06-28 2020-12-22 Brooks Automation (Germany) Gmbh Semiconductor stocker systems and methods
US11024526B2 (en) 2011-06-28 2021-06-01 Brooks Automation (Germany) Gmbh Robot with gas flow sensor coupled to robot arm
US11107715B2 (en) 2011-06-28 2021-08-31 Brooks Automation (Germany) Gmbh Semiconductor stocker systems and methods
CN112289718A (zh) * 2019-07-13 2021-01-29 家登精密工业股份有限公司 基板载具及其气体扩散模块

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JP2010129634A (ja) 2010-06-10
KR101482281B1 (ko) 2015-01-14

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