JP2014120618A - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理チャンバー内に処理が終了した基板が長時間取り残されることを防止できるとともに、基板の搬送の効率化を図ることのできる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】制御部は、基板収容具から次に処理を行う基板の搬送を開始する際に、複数の処理チャンバーのうち、残処理時間が最も少ない処理チャンバーに基板を搬送するように設定し、かつ、残処理時間が最も少ない処理チャンバーにメンテナンスの実行が必要になった場合は、搬送先の処理チャンバーを、残処理時間が次に少ない処理チャンバーに変更して前記基板を搬送する。
【選択図】図２

Description

本発明は、真空処理装置及び真空処理方法に関する。

半導体装置の製造工程では、真空雰囲気下で半導体ウエハ等の基板に処理を施す真空処理、例えば、成膜処理やエッチング処理が実施されている。また、このような真空処理では、複数の処理チャンバーを具備したマルチチャンバー型の真空処理装置が使用されている。

マルチチャンバー型の真空処理装置では、例えば、内部に搬送機構が配設され真空雰囲気下で基板を搬送する真空搬送室が中央部に配設され、その周囲に、ゲートバルブ等からなる開閉機構を介して複数の処理チャンバー及びロードロック室が配設された構成等となっている。また、ロードロック室の外の大気雰囲気中には、複数の基板を収容可能とされた基板収容具（例えば、カセット又はフープ等）を複数載置可能とされた基板収容具載置部、及び、基板収容具載置部に載置された基板収容具と、ロードロック室との間で基板を常圧雰囲気下で搬送する搬送機構が配設された構成等となっている（例えば、特許文献１参照。）。

マルチチャンバー型の真空処理装置の真空搬送室内に配置された搬送機構は、複数、例えば２つの基板保持部を具備し、２枚の基板を同時に保持可能に構成されたものが多い。そして、一方の基板保持部に次に処理を行う基板を保持し、他方の基板保持部によって処理が終了した基板を処理チャンバーからアンロードし、一方の基板保持部に保持した基板を処理チャンバー内にロードするよう構成されたものが多い。

上記構成のマルチチャンバー型の真空処理装置では、各処理チャンバーに基板がロードされて処理中となり、基板をロードできる処理チャンバーが無い場合であっても、基板収容具から次に処理を行う基板の搬送を開始し、処理チャンバーの前で待機して処理が終了した処理チャンバーに基板をロードしたり、搬送中に処理が終了した処理チャンバーに基板をロードすることによって、スループットの向上を図ることが行われている。

特開２０１２−１１９６２６号公報

上述したように、従来のマルチチャンバー型の真空処理装置では、各処理チャンバーに基板がロードされて処理中となり、基板をロードできる処理チャンバーが無い場合であっても、基板収容具から次に処理を行う基板の搬送を開始し、処理が終了した処理チャンバーにこの基板をロードすることが行われていた。

この場合、次に処理を行う基板の搬送を開始した時点では、その基板がロードされる処理チャンバーは決定されていない。例えば、４つの処理チャンバーの何れかで基板の処理を行う場合、次に処理を行う基板の搬送を開始した時点では、制御部は、４つの処理チャンバーのうち、処理が可能なものにロードすると認識する。

このため、例えば、基板の搬送中に複数の処理チャンバーにおける処理が終了すると、処理が終了した順によらず、どちらか一方の処理チャンバーが使用される。このため、他方の処理チャンバー内に処理が終了した基板が長時間取り残された状況となる場合があった。なお、このような事象は、特にあるロットのうち先に開始された先発処理と、後から開始する後発処理とを切り換える場合等に発生する。そして、処理チャンバー内は通常高温となっているので、成膜処理等が終了した基板が高温下に長時間置かれると、例えば、成膜された膜の膜質が変化する等の不具合が発生する可能性があった。

また、従来のマルチチャンバー型の真空処理装置では、真空搬送機構の一方の基板保持部が、次に処理を行う基板によって長時間占有されるため、効率的な基板の搬送が妨げられる場合があるという問題もあった。

本発明は、上記従来の事情に対処してなされたものであり、処理チャンバー内に処理が終了した基板が長時間取り残されることを防止できるとともに、基板の搬送の効率化を図ることのできる真空処理装置及び真空処理方法を提供することを目的とする。

本発明の真空処理装置の一態様は、真空雰囲気下で基板に処理を施す真空処理装置であって、内部に真空搬送機構が配設され、真空雰囲気下で前記基板を搬送する真空搬送室と、前記真空搬送室に開閉機構を介して接続され、内部で前記基板を処理する複数の処理チャンバーと、前記真空搬送室と開閉機構を介して接続されたロードロックチャンバーと、複数の前記基板を収容可能な基板収容具を複数載置可能とされた基板収容具載置部と、前記基板収容具載置部に載置された前記基板収容具と前記ロードロックチャンバーとの間で前記基板を搬送する搬送機構と、装置全体の動作を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、前記基板収容具から次に処理を行う前記基板の搬送を開始する際に、複数の前記処理チャンバーのうち、残処理時間が最も少ない前記処理チャンバーに前記基板を搬送するように設定し、かつ、残処理時間が最も少ない前記処理チャンバーにメンテナンスの実行が必要になった場合は、搬送先の前記処理チャンバーを、残処理時間が次に少ない前記処理チャンバーに変更して前記基板を搬送することを特徴とする。

本発明の真空処理方法の一態様は、内部に真空搬送機構が配設され、真空雰囲気下で基板を搬送する真空搬送室と、前記真空搬送室に開閉機構を介して接続され、内部で前記基板を処理する複数の処理チャンバーと、前記真空搬送室と開閉機構を介して接続されたロードロックチャンバーと、複数の前記基板を収容可能な基板収容具を複数載置可能とされた基板収容具載置部と、前記基板収容具載置部に載置された前記基板収容具と前記ロードロックチャンバーとの間で前記基板を搬送する搬送機構と、装置全体の動作を制御する制御部とを具備した真空処理装置を用いた真空処理方法であって、前記制御部は、前記基板収容具から次に処理を行う前記基板の搬送を開始する際に、複数の前記処理チャンバーのうち、残処理時間が最も少ない前記処理チャンバーに前記基板を搬送するように設定し、かつ、残処理時間が最も少ない前記処理チャンバーにメンテナンスの実行が必要になった場合は、搬送先の前記処理チャンバーを、残処理時間が次に少ない前記処理チャンバーに変更して前記基板を搬送することを特徴とする。

本発明によれば、処理チャンバー内に処理が終了した基板が長時間取り残されることを防止できるとともに、基板の搬送の効率化を図ることのできる真空処理装置及び真空処理方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る真空処理装置の平面構成を模式的に示す図。 図１の真空処理装置の動作を説明するためのフローチャート。 図１の真空処理装置の動作を説明するための図。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係るマルチチャンバー型の真空処理装置の概略構成を模式的に示す図である。

真空処理装置１００は、真空雰囲気下で半導体ウエハＷを搬送するための真空搬送室１０１を備えており、この真空搬送室１０１内には、搬送ロボット１０２が配設されている。搬送ロボット１０２は、２つのウエハ保持部１０２ａを具備しており、同時に２枚の半導体ウエハＷを保持可能とされている。

真空搬送室１０１は、その平面形状が略六角形とされており、真空搬送室の周囲には、真空雰囲気下で半導体ウエハＷに所定の真空処理、例えば、成膜処理又はエッチング処理等を施す複数（本実施形態では４つ）のプロセスモジュール（処理チャンバー）ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４が配設されている。

すなわち、これらの４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４は、平面形状が略六角形の真空搬送室１０１の４つの辺に沿って夫々配設されている。また、４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４と真空搬送室１０１との間には、これらの間を気密に閉塞する開閉機構、例えばゲートバルブ１１０が夫々配設されている。これらのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４は、その内部で半導体ウエハＷに所定の真空処理、例えば、ＣＶＤ等による成膜処理又はプラズマエッチング処理等を実施できるように構成されている。そして、各プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４は、ゲートバルブ１１０を開くことによって真空搬送室１０１と連通され、ゲートバルブ１１０を閉めることによって、真空搬送室１０１と気密に隔離された状態となる。

平面形状が略六角形の真空搬送室１０１の残りの２つの辺の部分には、夫々ロードロック室１２１、１２２が配設されている。これらのロードロック室１２１、１２２と真空搬送室１０１との間の開口部（図１中上側）、及びロードロック室１２１、１２２の大気側の開口部（図１中下側）には、夫々これらの間を気密に閉塞する開閉機構、例えばゲートバルブ１１０が夫々配設されている。ロードロック室１２１、１２２は、真空搬送室１０１側のゲートバルブ１１０を開閉することによって真空搬送室１０１と連通及び隔離され、大気側（図１中下側）のゲートバルブ１１０を開閉することによって大気雰囲気と連通及び隔離されるようになっている。

ロードロック室１２１、１２２の、真空搬送室１０１とは反対側（図１中下側）には、搬入搬出室１３０が設けられており、搬入搬出室１３０内には、大気雰囲気下で半導体ウエハＷ等を搬送するための搬送ロボット１３１が配設されている。搬送ロボット１３１は、２つのウエハ保持部１３１ａを具備しており、同時に２枚の半導体ウエハＷを保持可能とされている。

搬入搬出室１３０の手前側（図１中下側）には、半導体ウエハＷを収容する基板収容具としてのフープＦ（又はカセット）を載置するための基板収容具載置部としてのポート１３２、１３３、１３４が複数、本実施形態では３つ配設されている。また、搬入搬出室１３０の側方（図１中左側）には、半導体ウエハＷ等のノッチ等を検出して位置決めを行うための位置決め機構１３５が配設されている。

上記の３つのポート１３２、１３３、１３４のうちのいずれか、例えば、ポート１３４には、通常の半導体ウエハＷではなく、ダミーウエハＤＷを収容したフープＦが載置されている。ポート１３２、１３３、１３４の搬入搬出室１３０側には、夫々が図示しないシャッターが設けられており、ポート１３２、１３３、１３４にフープＦが載置されると、フープＦの蓋が外されるとともに、シャッターが開き、外気の侵入を防止しつつ搬入搬出室１３０内とフープＦ内とが連通されるようになっている。

搬入搬出室１３０内に配設された搬送ロボット１３１は、３つのポート１３２、１３３、１３４と、位置決め機構１３５と、ロードロック室１２１、１２２との間で半導体ウエハＷ（及びダミーウエハＤＷ）を搬送する。

また、真空処理装置１００には、制御部６０が配設されており、この制御部６０によってその動作が統括的に制御される。制御部６０には、ＣＰＵを備え、真空処理装置１００の各部を制御するプロセスコントローラ６１と、ユーザインターフェース部６２と、記憶部６３とが設けられている。

ユーザインターフェース部６２は、真空処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。

記憶部６３には、真空処理装置１００で実行される半導体ウエハＷの搬送及び各種処理をプロセスコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部６２からの指示等にて任意のレシピを記憶部６３から呼び出してプロセスコントローラ６１に実行させることで、プロセスコントローラ６１の制御下で、真空処理装置１００での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能な記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。

次に、以上のように構成された真空処理装置１００における処理の流れについて説明する。ポート１３２、１３３、１３４にフープＦが載置されると、載置されたフープＦから、搬送ロボット１３１によって半導体ウエハＷ等を取り出し、位置決め機構１３５に搬入する。そして、位置決め機構１３５により半導体ウエハＷ等のノッチの位置等を検出してその位置合わせを行った後、搬送ロボット１３１によって半導体ウエハＷ等を取り出し、ロードロック室１２１又はロードロック室１２２内に搬入する。

ロードロック室１２１又はロードロック室１２２では、搬送ロボット１３１が退避した後、半導体ウエハＷ等を搬入するために開いていた大気側（搬入搬出室１３０側）のゲートバルブ１１０を閉じ、室内を所定の真空度となるまで真空排気する。そして、室内が所定の真空度となった後、真空搬送室１０１側のゲートバルブ１１０を開き、真空搬送室１０１内の搬送ロボット１０２によって、半導体ウエハＷ等を、ロードロック室１２１又はロードロック室１２２内から搬出する。

次に、搬送ロボット１０２によって、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４のうちの所定のプロセスモジュール（例えばプロセスモジュールＰＭ１）のゲートバルブ１１０を開き、ここに半導体ウエハＷ等を搬入し、ここで所定の処理、例えば、成膜処理、エッチング処理等を施す。また、複数のプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４を用いて１つのロットの半導体ウエハＷの処理を行う場合は、残りのプロセスモジュールＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４についても半導体ウエハＷを搬入する。

そして、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４における処理が終了すると、ゲートバルブ１１０を開き、搬送ロボット１０２によって、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４から半導体ウエハＷ等を搬出し、この後、ロードロック室１２１又はロードロック室１２２のゲートバルブ１１０を開き、ここに搬入する。

次に、ロードロック室１２１又はロードロック室１２２のゲートバルブ１１０を閉じ、内部の圧力を大気圧とし、この後、大気側（搬入搬出室１３０側）のゲートバルブ１１０を開き、搬送ロボット１３１によって半導体ウエハＷ等を搬出して、ポート１３２、１３３、１３４の何れかに載置されているフープＦに収容する。

ここで例えば、２つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２のみを使用する先発のロットの処理ＣＪ１を実施している際に、４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４を使用する後発のロットの処理ＣＪ２を実施する場合がある。このような場合、先発の処理ＣＪ１が完全に終了した後に後発の処理ＣＪ２を開始すると、処理の効率が低下する。このため、処理ＣＪ１の処理中に、処理ＣＪ２を開始する。

この場合、処理ＣＪ２では、最初のうちは処理ＣＪ１で使用していないプロセスモジュールＰＭ３、ＰＭ４を用いて処理を行うが、処理ＣＪ１が終了すると、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２も使用するようになる。この際、処理ＣＪ１における処理時間と、処理ＣＪ２における処理時間が通常相違しており、処理ＣＪ２を実施するにあたり、どのような順で半導体ウエハＷをどのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４にロードするかが問題となる。

例えば、半導体ウエハＷを真空搬送室１０１内の搬送ロボット１０２によって受け取った際に、内部での半導体ウエハＷの処理が終了し、次の半導体ウエハＷの処理可能となっているプロセスモジュールが複数（例えば、ＰＭ２とＰＭ３）あった場合、一方のプロセスモジュール（例えば、ＰＭ２）に次の半導体ウエハＷをロードするが、この場合、他方のプロセスモジュール（ＰＭ３）内には、処理済みの半導体ウエハＷが残された状態となる。そして、次に処理を行う半導体ウエハＷをプロセスモジュールにロードする際に、次の半導体ウエハＷの処理可能となっているプロセスモジュールが複数（例えば、ＰＭ１とＰＭ３）あった場合、一方のプロセスモジュール（例えば、ＰＭ１）に次の半導体ウエハＷをロードすると、プロセスモジュール（ＰＭ３）内には、処理済みの半導体ウエハＷが長時間取り残されるような場合が生じる可能性がある。

本実施形態では、制御部６０が次のようにして半導体ウエハＷの搬送を実施することによって、処理済みの半導体ウエハＷがプロセスモジュール内で長時間取り残されるような事態が発生することを防止する。以下、図２を参照して制御部６０による半導体ウエハＷの搬送工程について説明する。

図２に示すように、制御部６０は、半導体ウエハＷの搬送を行う際に、処理に使用する４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４の残処理時間をモニタする（図２のステップ３０１）。

そして、搬送ロボット１３１によって次に処理を行う半導体ウエハＷの搬送が可能となると（図２のステップ３０２）、処理に使用する４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４の内、残処理時間が最も少ないプロセスモジュールを搬送先に設定する（図２のステップ３０３）。

次に、搬送先に設定されたプロセスモジュールの残処理時間と、半導体ウエハＷをフープＦからプロセスモジュールまで搬送するのに要する時間つまり搬送時間とを比較し、残処理時間と搬送時間との差が、予め設定された設定値以下であるか否か、すなわち、
残処理時間―搬送時間≦設定値
であるか否かを判断する（図２のステップ３０４）。

なお、上記設定値は、例えば、数秒から数十秒程度、例えば、５秒から３０秒程度の間等に設定される。残処理時間―搬送時間は、直ちに次に処理を行う半導体ウエハＷの搬送を開始した場合に、搬送ロボット１０２が次に処理を行う半導体ウエハＷを保持した状態で、搬送先ＰＭの前で待機する待機時間に相当する。このため、例えば、設定値＝０とすれば、実質的に待機時間をゼロとすることができる。このように、設定値を設けることによって、搬送ロボット１０２が待機状態の半導体ウエハＷに長時間占有され、搬送の自由度が低下して効率的な半導体ウエハＷの搬送が妨げられることを抑制することができる。

そして、残処理時間と搬送時間との差が、予め設定された設定値以下となると、搬送ロボット１３１によって、次に処理を行う半導体ウエハＷの搬送先ＰＭに対する搬送を開始する（図２のステップ３０５）。

搬送先ＰＭに対する半導体ウエハＷの搬送を開始すると、搬送先ＰＭにトラブル等が発生してメンテナンスが実行されているか否かを判定する（図２のステップ３０６）。

上記判定の結果、搬送先ＰＭでメンテナンスが実行されていない場合は、搬送先ＰＭへの半導体ウエハＷの搬送を継続し、搬送先ＰＭへの半導体ウエハＷの搬送が終了すると（図２のステップ３０７）、次にそのロットの全ての半導体ウエハＷの搬送が終了したか否かを判定し（図２のステップ３０８）、全ての半導体ウエハＷの搬送が終了した場合は処理を終了する。一方、全ての半導体ウエハＷの搬送が終了していない場合は、ステップ３０１からの処理を繰り返す。

また、ステップ３０６において、搬送先ＰＭでメンテナンスが実行されている場合は、残処理時間が次に少ないＰＭに搬送先ＰＭを変更してこの変更した搬送先ＰＭに対する半導体ウエハＷの搬送を継続する。これによって、搬送先ＰＭに対して搬送を開始した後にトラブル等が発生し、搬送先ＰＭでメンテナンスが実行されている場合も、円滑に処理を継続することができる。

以上のように、本実施形態では、制御部６０は、半導体ウエハＷの搬送を行う際に、処理に使用する４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４の残処理時間をモニタし、処理に使用する４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４の内、残処理時間が最も少ないプロセスモジュールを搬送先に設定する。これによって、効率的にプロセスモジュールを利用することができ、また処理が終了したプロセスモジュール内に、処理が終了した半導体ウエハＷが長時間取り残された状態となること等を防止することができる。

ここで、例えば、先発処理ＣＪ１が、３枚の半導体ウエハ１２３、１２４、１２５を、２つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２を用いて処理する場合で、後発処理ＣＪ２が、５枚の半導体ウエハ２０１、２０２、２０３、２０４、２０５を４つのプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４を用いて処理する場合についての半導体ウエハＷの搬送工程を説明する。

図３に示すように、先発処理ＣＪ１の半導体ウエハ１２３は、プロセスモジュールＰＭ１に搬入され、半導体ウエハ１２４は、搬送ロボット１０２に保持されてプロセスモジュールＰＭ２に搬入される前であり、半導体ウエハ１２５は、位置決め機構１３５に配置された状態となっている。また、後発処理ＣＪ２の半導体ウエハ２０１は、ロードロック室１２２に搬入された状態となっており、残りの半導体ウエハ２０２、２０３、２０４、２０５は、フープＦ内に収容された状態となっている。

すなわち、
ＣＪ１：半導体ウエハ１２３をプロセスモジュールＰＭ１に搬送
した状態となっており、この後、
ＣＪ１：半導体ウエハ１２４をプロセスモジュールＰＭ２に搬送
ＣＪ２：半導体ウエハ２０１をプロセスモジュールＰＭ３に搬送
ＣＪ１：半導体ウエハ１２５をプロセスモジュールＰＭ１に搬送
と搬送が実行される。そして、これ以降ＣＪ２の半導体ウエハ２０２、２０３、２０４、２０５は以下のように搬送される。

まず、各プロセスモジュールにおける残処理時間は、
ＰＭ１：半導体ウエハ１２３の処理時間＋半導体ウエハ１２５の処理時間
ＰＭ２：半導体ウエハ１２４の処理時間
ＰＭ３：半導体ウエハ２０１の処理時間
ＰＭ４：空いている

ここで、上記の各残処理時間が以下のとおりであると仮定する。
ＰＭ１：３０＋６０＝９０秒
ＰＭ２：６０秒
ＰＭ３：１２０秒
ＰＭ４：０秒

この場合、半導体ウエハＷは以下のように搬送される
半導体ウエハ２０２→プロセスモジュールＰＭ４
半導体ウエハ２０３→プロセスモジュールＰＭ２
半導体ウエハ２０４→プロセスモジュールＰＭ１
半導体ウエハ２０５→プロセスモジュールＰＭ３

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１００……真空処理装置、１０１……真空搬送室、１０２……搬送ロボット、１１０……ゲートバルブ、１２１，１２２……ロードロック室、１３０……搬入搬出室、１３１……搬送ロボット、１３２，１３３，１３４……ポート、１３５……位置決め機構、ＰＭ１〜ＰＭ４……プロセスモジュール、Ｗ……半導体ウエハ、ＤＷ……ダミーウエハ、Ｆ……フープ。

Claims (4)

1. 真空雰囲気下で基板に処理を施す真空処理装置であって、
   内部に真空搬送機構が配設され、真空雰囲気下で前記基板を搬送する真空搬送室と、
   前記真空搬送室に開閉機構を介して接続され、内部で前記基板を処理する複数の処理チャンバーと、
   前記真空搬送室と開閉機構を介して接続されたロードロックチャンバーと、
   複数の前記基板を収容可能な基板収容具を複数載置可能とされた基板収容具載置部と、
   前記基板収容具載置部に載置された前記基板収容具と前記ロードロックチャンバーとの間で前記基板を搬送する搬送機構と、
   装置全体の動作を制御する制御部と
   を具備し、
   前記制御部は、
   前記基板収容具から次に処理を行う前記基板の搬送を開始する際に、複数の前記処理チャンバーのうち、残処理時間が最も少ない前記処理チャンバーに前記基板を搬送するように設定し、かつ、残処理時間が最も少ない前記処理チャンバーにメンテナンスの実行が必要になった場合は、搬送先の前記処理チャンバーを、残処理時間が次に少ない前記処理チャンバーに変更して前記基板を搬送する
   ことを特徴とする真空処理装置。
2. 請求項１記載の真空処理装置であって、
   前記処理チャンバー内で前記基板に成膜処理またはエッチング処理を行うことを特徴とする真空処理装置。
3. 請求項１又は２記載の真空処理装置であって、
   前記制御部は、基板を前記処理チャンバーの入口の前まで搬送する搬送時間より、残処理時間が最も少ない前記処理チャンバーの当該残処理時間が長い場合、残処理時間と搬送時間との差が設定時間以下になった際に、次に処理を行う基板の搬送を開始する
   ことを特徴とする真空処理装置。
4. 内部に真空搬送機構が配設され、真空雰囲気下で基板を搬送する真空搬送室と、
   前記真空搬送室に開閉機構を介して接続され、内部で前記基板を処理する複数の処理チャンバーと、
   前記真空搬送室と開閉機構を介して接続されたロードロックチャンバーと、
   複数の前記基板を収容可能な基板収容具を複数載置可能とされた基板収容具載置部と、
   前記基板収容具載置部に載置された前記基板収容具と前記ロードロックチャンバーとの間で前記基板を搬送する搬送機構と、
   装置全体の動作を制御する制御部と
   を具備した真空処理装置を用いた真空処理方法であって、
   前記制御部は、
   前記基板収容具から次に処理を行う前記基板の搬送を開始する際に、複数の前記処理チャンバーのうち、残処理時間が最も少ない前記処理チャンバーに前記基板を搬送するように設定し、かつ、残処理時間が最も少ない前記処理チャンバーにメンテナンスの実行が必要になった場合は、搬送先の前記処理チャンバーを、残処理時間が次に少ない前記処理チャンバーに変更して前記基板を搬送する
   ことを特徴とする真空処理方法。

Images