JP3985925B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体デバイスの基板に所定の処理を施すための基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体デバイスを製造するためには、半導体デバイスのウェーハに所定の処理を施すためのウェーハ処理装置が必要になる。
【0003】
このウェーハ処理装置としては、ウェーハの表面にシリコン酸化膜などの薄膜を形成する薄膜形成装置がある。
【0004】
この薄膜形成装置としては、例えば、密閉された反応空間で化学反応を使って所定の薄膜を形成するCVD(Chemical Vapor Deposition)装置がある。
【0005】
このCVD装置としては、複数のウェーハを1枚または数枚ずつ処理する枚葉式のCVD装置がある。
【0006】
この枚葉式のCVD装置は、通常、成膜処理を行うための反応室と、反応室の内部(反応空間)が大気に触れるのを防止するためのロードロック室と、反応室とロードロック室との間でウェーハを搬送するための搬送ロボットと、この搬送ロボットを収容する搬送室とを有する。
【0007】
従来のCVD装置においては、搬送室の圧力がウェーハの処理圧力より低くなるように設定されていた。ここで、ウェーハの処理圧力とは、ウェーハの表面に所定の薄膜を形成する場合の反応室の圧力である。
【0008】
しかしながら、このような構成では、反応室と搬送室との間で、ウェーハの入替え処理を行う場合、反応室から搬送室に反応ガスが回り込んでしまうという問題があった。ここで、ウェーハの入替え処理とは、成膜処理の済んだウェーハを反応室から搬送室に搬送するとともに、成膜処理の済んでいないウェーハを搬送室から反応室に搬送する処理をいう。
【0009】
この問題を解決するために、従来の枚葉式のCVD装置では、各ウェーハの成膜処理が終了するたびに、反応室の内部の圧力を到達圧力まで戻すようになっていた。すなわち、従来の装置では、各ウェーハの成膜処理が終了するたびに、反応室に対するすべてのガスの供給を止め、反応室の排気のみを行うことにより、この反応室の内部の圧力を排気ポンプによって規定される圧力まで戻すようになっていた。
【0010】
これを図5を用いて説明する。この図5は、反応室の内部の圧力と搬送室の内部の圧力との変化を示すタイミングチャートである。
【0011】
図5において、縦軸は圧力を示し、横軸は時間を示す。また、縦軸において、P11は、反応室の内部の到達圧力を示し、P12は、ウェーハの処理圧力を示す。到達圧力P11は、処理圧力P12より低い。P13は、搬送室の内部の圧力を示す。この圧力は、到達圧力P11より高く、処理圧力P12より低い。P14は、ウェーハ入替え期間における反応室の内部の圧力と搬送室の内部の圧力を示す。この圧力P14は、2つの圧力P12,P13のほぼ中間値を示す。
【0012】
さらに、横軸において、T11は、装置の動作モードが非運転モードに設定されている期間を示し、T12は、同じく、運転モードに設定されている期間を示す。ここで、運転モードとは、装置の電源がオン状態に設定され、かつ、装置が成膜処理のために実際に稼働している動作モードをいう。運転モード期間T12において、T21,T22,…,T2Nは、それぞれ各ウェーハの成膜期間を示す。図には、連続してN枚のウェーハを処理する場合を示す。同様に、T31,T32,…,T3(N+1)は、それぞれウェーハ入替え期間を示す。ウェーハ入替え期間の数が成膜期間の数より1だけ多いのは、各ウェーハごとに反応室への搬入処理と、反応室からの搬出処理が必要だからである。
【0013】
さらにまた、図において、太い特性曲線C11は、反応室の内部の圧力の変化を示し、細い特性曲線C12は、搬送室の内部の圧力の変化を示す。但し、両者が重なる部分は、太線で示す。
【0014】
図5の特性曲線C11に示すごとく、従来のCVD装置では、反応室の内部の圧力は、各ウェーハの成膜処理が終了するたびに、処理圧力P12から到達圧力P11に戻される。
【0015】
このような構成によれば、ウェーハ入替え処理を行う場合、反応室の内部の圧力を搬送室の内部の圧力より小さくすることができる。これにより、ウェーハ入替え処理に伴って反応室の内部から搬送室の内部に反応ガスが回り込むのを防止することができる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成では、コールドウォール型のCVD装置において、ウェーハの成膜順位(ウェーハが何枚目に成膜されたかを示す順位)によって、ウェーハの膜特性が変化するという問題があった。これは、この装置では、ウェーハの温度が反応室の内部の圧力の変化に大きく依存するからである。
【0017】
すなわち、コールドウォール型のCVD装置では、反応室の内部の圧力が変化すると、この変化に連動して、ウェーハ加熱用のヒータと、ウェーハ載置用のサセプタと、ウェーハとの熱伝導率が変化する。これにより、反応室の内部の圧力が変化すると、ウェーハの温度が変化する。これは、ウェーハの温度が、主に、分子を媒体とした熱拡散によって支配されているからである。
【0018】
この場合、ウェーハの温度は、昇圧とともに上昇し、降圧とともに低下する。これにより、各ウェーハの温度は、各ウェーハの成膜順位によって異なる値を示すようになる。
【0019】
図6は、この様子を示すタイミングチャートである。図において、縦軸は、ウェーハの温度を示し、横軸は時間を示す。なお、図6において、先の図5に示す期間と同一期間には、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【0020】
図6に示すごとく、従来のコールドウォール型のCVD装置では、各ウェーハの温度が各ウェーハの成膜順位によって異なる。これにより、この装置では、各ウェーハの膜特性が各ウェーハの成膜順位によって異なってしまう。
【0021】
この問題を解決するためには、ヒータの加熱温度を制御することによって、反応室の内部の温度を一定温度に保持することが考えられる。
【0022】
しかしながら、コールドウォール型のCVD装置では、ホットウォール型のCVD装置と異なり、ヒータがサセプタの下方に設けられているにすぎない。これにより、この装置では、ヒータの加熱温度を制御することにより、反応室の内部の温度を一定温度に保持することが困難である。
【0023】
また、ウェーハの成膜枚数が増えると、圧力変化に伴って変化した温度を元の温度に戻そうとする温度リカバリー速度が変わってしまう。これにより、反応室の内部の温度を一定温度に保持することが困難となる。
【0024】
そこで、本発明は、基板の処理順位(基板が何枚目に処理されたかを示す順位)によって基板の処理特性が異なってしまうことを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0025】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項1記載の基板処理装置は、基板処理用の第1の空間の圧力を基板処理用の圧力に保持し、且つ第2の空間の圧力を基板処理用圧力よりも高い圧力に保持するようにしたものである。
【0026】
すなわち、請求項1記載の基板処理装置は、第1の空間形成手段と、第2の空間形成手段と、ゲートバルブと、圧力制御手段とを備えたことを特徴とする。
【0027】
ここで、第1の空間形成手段とは、処理ガスを使って基板に所定の処理を施すための密閉された第1の空間を形成する手段である。また、第2の空間形成手段とは、第1の空間との間で、所定の処理が施された基板とこの処理が施されていない基板との入替えが行われる密閉された第2の空間を形成する手段である。また、ゲートバルブとは、第1の空間と第2の空間との間で基板を搬送するための基板搬入・搬出口を開閉するためのバルブである。さらに、圧力制御手段は、基板を第2の空間から第1の空間へ搬入するためにゲートバルブを開く際、第1の空間に反応ガス又は不活性ガスを供給しつつ第1の空間を一定流量で真空排気することにより、基板が第1の空間にて所定の処理が施される時の処理圧力に保持し、且つ第2の空間の圧力を処理圧力よりも高い圧力に保持するように、第1と第2の空間の圧力を制御する手段である。
【0028】
この請求項1記載の基板処理装置では、複数枚の基板に対する処理が順次実行される際、第1の空間の圧力は、基板に所定の処理が施される時の処理圧力に保持される。また、第2の空間の圧力は、処理圧力よりも高い圧力に保持される。これにより、各基板の処理順位によって各基板の温度が異なってしまうことを防止することができる。その結果、各基板の処理順位によって各基板の処理特性が異なってしまうことを防止することができる。また、ゲートバルブを開く際、第1の空間から第2の空間へガスが回り込むのを防止することができる。
【0029】
また、請求項2記載の基板処理装置は、請求項1記載の装置において、圧力制御手段は、基板が第2の空間から第1の空間へ搬入され、ゲートバルブを閉じた後に、第1の空間の圧力を処理圧力まで下降させ、第2の空間の圧力を上昇させるように、第1と第2の空間の圧力を制御し、この状態で、第1の空間にて基板の処理が実行されることを特徴とする。
この請求項2記載の基板処理装置では、第1の空間の圧力を処理圧力まで下降させ、第2の空間の圧力を上昇させた状態で、第1の空間にて基板の処理が実行される。これにより、各基板の処理順位によって各基板の温度が異なってしまうことを防止することができる。その結果、各基板の処理順位によって各基板の処理特性が異なってしまうことを防止することができる。また、ゲートバルブを開く際、第1の空間から第2の空間へガスが回り込むのを防止することができる。
【0030】
また、請求項3記載の基板処理装置は、請求項2記載の装置において、圧力制御手段は、基板の処理が終了した後、ゲートバルブを閉じた状態で、第1の空間の圧力を処理圧力のまま保持し、且つ第2の空間の圧力を処理圧力よりも高い圧力に保持するように、第1と第2の空間の圧力を制御し、この状態で、ゲートバルブを開けて、次の基板との入替えが行われることを特徴とする。
この請求項3記載の基板処理装置では、基板の処理が終了した後、第1の空間の圧力を処理圧力のまま保持し、且つ第2の空間の圧力を処理圧力よりも高い圧力に保持した状態で、ゲートバルブを開けて、次の基板との入替えが行われる。これにより、基板の入替え処理に伴って第1の空間から第2の空間へガスが回り込むのを防止することができる。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
【0032】
[1]一実施の形態
[1−1]構成
(1)全体的な構成
図1は、本発明の一実施の形態の構成を示す側断面図である。なお、図には、本発明をコールドウォール型のCVD装置に適用した場合を代表として示す。
【0033】
図示のCVD装置は、反応室11と、ロードロック室12と、搬送室13と、ゲートバルブ14,15,16と、圧力制御部18,19,20とを有する。
【0034】
ここで、反応室11は、反応ガスを使ってウェーハWの表面に所定の薄膜を形成するための密閉された成膜空間を形成する部屋である。ロードロック室12は、反応室11の内部が大気に触れるのを防止するための密閉されたロードロック空間を形成する部屋である。搬送室13は、ロードロック室12と反応室11との間でウェーハを搬送するための密閉された搬送空間を形成する部屋である。
【0035】
ゲートバルブ14は、ロードロック室12に設けられたカセット搬入・搬出口を開閉するためのバルブである。ゲートバルブ15は、ロードロック室12と搬送室13との間でウェーハを搬送するためのウェーハ搬入・搬出口を開閉するためのバルブである。ゲートバルブ16は、搬送室13と反応室11との間でウェーハを搬送するためのウェーハ搬入・搬出口を開閉するためのバルブである。
【0036】
圧力制御部18は、反応室11の内部(反応空間)の圧力を制御する制御部である。この圧力制御部18は、装置の運転モード期間、反応室11の内部の圧力が処理圧力になるようにこの圧力を制御する。また、圧力制御部20は、ロードロック室12の内部の圧力を制御する制御部である。この圧力制御部20は、装置の非運転モード期間と運転モード期間、ロードロック室12の内部の圧力が搬送室13の内部(搬送空間)の圧力と同じになるようにこの圧力を制御する。圧力制御部19は、搬送室13の内部の圧力を制御する制御部である。この圧力制御部19は、装置の非運転モード期間と運転モード期間、搬送室13の内部の圧力が上記処理圧力より高い一定圧力になるようにこの圧力を制御する制御部である。
【0037】
反応室11の内部には、サセプタ23と、ヒータ24と、ガス分散板25が設けられている。これらの機能や配置関係等については、後で、図2を参照しながら詳細に説明する。ロードロック室12の内部には、複数のウェーハが収容されたカセット28が搬入される。搬送室13の内部には、ウェーハWを搬送するためのウェーハ搬送ロボット31が収容されている。図には、このウェーハ搬送ロボット31として、2つのウェーハ保持アーム311,312を備えたロボットを代表として示す。
【0038】
図2は、反応室11の構成を示す図である。図示のごとく、反応室11の内部の中央部には、ウェーハWが載置されるサセプタ23が設けられている。このサセプタ23の下面には、サセプタ23に載置されたウェーハWを加熱するためのヒータ24が設けられている。
【0039】
また、反応室11の天板111には、反応室11の内部に反応ガスを導入するためのガス導入部34が設けられている。さらに、反応室11の内部の上部には、このガス導入部34から導入された反応ガスをサセプタ23に載置されたウェーハWの上面に均一に分散するためのガス分散板25が設けられている。さらにまた、反応室11の底板112には、反応室11の内部の圧力を排出するための排気部35が設けられている。
【0040】
[2]動作
上記構成において、動作を説明する。
【0041】
(1)全体的な動作
まず、成膜処理を行う場合の全体的な動作を説明する。
【0042】
成膜処理を行う場合は、まず、ロードロック室12に複数のウェーハが収容されたカセット28を搬入するカセット搬入処理が実行される。このカセット搬入処理においては、まず、ゲートバルブ14が開かれる。これにより、カセット搬入・搬出口が開かれる。次に、このカセット搬入・搬出口を介してロードロック室12の内部にカセット28が搬入される。このカセット28には、成膜すべき複数のウェーハWが収容されている。最後に、ゲートバルブ14が閉じられる。これにより、カセット搬入・搬出口が閉じられる。以上により、カセット搬入処理が終了する。
【0043】
このカセット搬入処理が終了すると、ロードロック室12の真空排気処理が実行される。これにより、カセット28の搬入に伴ってロードロック室12の内部に侵入した大気が排出される。
【0044】
この真空排気処理が終了すると、カセット28からウェーハWを取り出すための1回目のウェーハ取出し処理が実行される。このウェーハ取出し処理においては、まず、ゲートバルブ15が開かれる。これにより、ロードロック室12と搬送室13との間のウェーハ搬入・搬出口が開かれる。その結果、このウェーハ搬入・搬出口を介してカセット28に収容されているウェーハWが1枚だけ取り出される。この取出し処理は、ウェーハ搬送ロボット31の一方のウェーハ保持アーム311により行われる。最後に、ゲートバルブ15が閉じられる。これにより、ロードロック室12と搬送室13との間のウェーハ搬入・搬出口が閉じられる。以上により、1回目のウェーハ取出し処理が実行される。
【0045】
このウェーハ取出し処理が終了すると、成膜処理の済んだウェーハWと成膜処理の済んでいないウェーハWとを入れ替えるための1回目のウェーハ入替え処理が実行される。このウェーハ入替え処理においては、まず、ゲートバルブ16が開かれる。これにより、搬送室13と反応室11との間のウェーハ搬入・搬出口が開かれる。次に、このウェーハ搬入・搬出口を介して成膜処理の終了したウェーハWが反応室11の内部から搬出される。但し、今の場合、まだ成膜処理が実行されていないため、成膜処理の終了したウェーハWは存在しない。これにより、この場合は、ウェーハWの搬出処理は実行されない。次に、ウェーハ搬送ロボット31の一方のウェーハ保持アーム311に保持されているウェーハWが反応室11の内部に搬入される。最後に、ゲートートバルブ16が閉じられる。これにより、搬送室13と反応室11との間のウェーハ搬入・搬出口が閉じられる。以上により、ウェーハ入替え処理が終了する。
【0046】
このウェーハ入替え処理が終了すると、1回目の成膜処理が実行される。これにより、ウェーハWの表面に所定の薄膜が形成される。なお、この成膜処理が実行されている期間、搬送室13では、2回目のウェーハ取出し処理が実行される。この処理は、ウェーハ搬送ロボット31の他方のウェーハ保持アーム312を使って行われる。
【0047】
この成膜処理が終了すると、2回目のウェーハ入替え処理が実行される。これにより、成膜処理の済んだ1枚目のウェーハWが反応室11の内部から搬出され、成膜処理の済んでいない2枚目のウェーハWが反応室11の内部に搬入される。
【0048】
この2回目のウェーハ入替え処理が終了すると、2回目の成膜処理が実行される。また、この成膜処理と並行して、1回目のウェーハ戻し処理と3回目のウェーハ取出し処理とが順次実行される。ウェーハ戻し処理においては、まず、ゲートバルブ15が開かれる。これにより、搬送室13とロードロック室12との間のウェーハ搬入・搬出口が開かれる。次に、成膜処理の終了した1枚目のウェーハWがカセット28に戻される。この処理は、ウェーハ搬送ロボット31の一方のウェーハ保持アーム311により行われる。
【0049】
以下、同様に、各ウェーハWの成膜処理が終了するたびに、ウェーハ入替え処理と、ウェーハ戻し処理と、ウェーハ取出し処理が実行される。そして、カセット28に収容されているすべてのウェーハWの成膜処理が終了すると、カセット28をロードロック室12から搬出するカセット搬出処理が実行される。このカセット搬出処理においては、まず、ゲートバルブ14が開かれる。これにより、カセット搬入・搬出口が開かれる。次に、ロードロック室12からカセット28が搬出される。以上により、カセット搬出処理が終了する。
【0050】
このカセット搬出処理が終了すると、次のカセット28の搬入処理が実行される。これにより、このカセット28に収容されている複数のウェーハWに再び上述した処理が実行される。
【0051】
(2)圧力制御動作
次に、図3を参照しながら、反応室11と搬送室13の圧力制御動作を説明する。
【0052】
図3は、本実施の形態の圧力制御動作を示すタイミングチャートである。図において、縦軸は圧力を示し、横軸は時間を示す。
【0053】
また、縦軸において、P21は、反応室11の内部の到達圧力を示し、P22は、ウェーハWの処理圧力を示す。この処理圧力P22は、到達圧力P21より高い。P23は、搬送室13の内部の圧力を示す。この圧力P23は、処理圧力P22より高い。また、P24は、ウェーハ入替え時の反応室11の内部の圧力と搬送室13の内部の圧力を示す。この圧力P24は、処理圧力P22と搬送室13の内部の圧力P23とのほぼ中間値を示す。
【0054】
さらに、横軸において、T41は、非運転モード期間を示し、T42は、運転モード期間を示す。T51,T52,…,T5Nは、それぞれ各ウェーハWの成膜期間を示す。図には、連続してN枚のウェーハWの成膜処理を行う場合を示す。T61,T62,…,T6(N+1)は、各ウェーハWの入替え期間を示す。
【0055】
さらにまた、図において、太い特性曲線C21は、反応室11の内部の圧力の変化を示し、細い特性曲線C22は、搬送室13の内部の圧力の変化を示す。但し、両者が重なる部分は、太線で示す。
【0056】
非運転モード期間T41においては、反応室11と搬送室13の内部の圧力は、それぞれP21,P23に設定されている。この状態で、動作モードが運転モードに切り替えられると、反応室11に反応ガスまたは不活性ガスが供給される。これにより、反応室11の圧力が上昇する。この場合、不活性ガスとしては、例えば、N2ガスが用いられる。
【0057】
反応室11の圧力が処理圧力P22に達すると、この圧力は、処理圧力P22に保持される。この保持は、例えば、次のようにして行われる。すなわち、反応室11の圧力が処理圧力P22に達すると、反応室11の内部が一定流量で真空排気される。また、反応室11に供給される反応ガスまたは不活性ガスの単位時間当たりの流量が、反応室11の圧力が処理圧力P22となるように制御される。これにより、反応室11の圧力が処理圧力P22に保持される。以上の圧力制御は、圧力制御部18により行われる。
【0058】
反応室11の圧力が処理圧力P22に設定されると、カセット搬入処理が実行される。これにより、ゲートバルブ14が開かれる。その結果、ロードロック室12に例えば大気が侵入する。これにより、ロードロック室12の圧力が大気圧に設定される。このカセット搬入処理が終了すると、ロードロック室12の真空排気処理が実行される。これにより、ロードロック室12の圧力が搬送室13の圧力P23に設定される。
【0059】
この真空排気処理が終了すると、1回目のウェーハ取出し処理が実行される。これにより、ゲートバルブ15が開かれる。その結果、ロードロック室12の内部と搬送室13の内部とが導通状態に設定される。しかし、この場合、ロードロック室12の内部と搬送室13の内部の圧力は変化しない。これは、この場合、両者の圧力が同じだからである。
【0060】
1回目のウェーハ取出し処理が終了すると、1回目のウェーハ入替え処理が実行される(図3のウェーハ入替え期間T61参照)。これにより、ゲートバルブ16が開かれる。その結果、反応室11の内部と搬送室13の内部とが導通状態に設定される。これにより、反応室11の内部の圧力が上昇し、搬送室13の内部の圧力が下降する。これは、この場合、搬送室13の圧力P23が反応室11の圧力(処理圧力P22)より高いからである。この圧力変化は、両者の圧力が同じになるまで続く。これにより、両者の圧力はP24となる。なお、この場合、搬送室13の真空排気処理は停止される。これは、反応室11から搬送室12へのガスの回込みを防止するためである。
【0061】
この1回目のウェーハ入替え処理が終了すると、ゲートバルブ16が閉じられる。これにより、反応室11の圧力は処理圧力P22に戻され、搬送室12の圧力は圧力P23に戻される。また、この入替え処理が終了すると、搬送室13の真空排気処理が再開される。
【0062】
このあと、1回目の成膜処理が実行される(図3の成膜期間T51参照)。この場合、反応室11には、昇圧用のガスとして反応ガスが供給されていたのであれば、そのまま反応ガスが供給される。これに対し、不活性ガスが供給されていたのであれば、供給ガスが反応ガスに切り替えられる。
【0063】
1回目の成膜処理が終了すると、2回目のウェーハ入替え処理が実行される(図3のウェーハ入替え期間T62参照)。この場合も、反応室11と搬送室12の圧力は圧力P24に設定される。
【0064】
この2回目のウェーハ入替え処理が終了すると、2回目の成膜処理が実行される(図3の成膜期間T52参照)。この場合も、反応室11と搬送室12の圧力は、それぞれP22,P23に設定される。また、この場合は、2回目の成膜処理と並行して、1回目のウェーハ戻し処理と、3回目のウェーハ取出し処理が順次実行される。
【0065】
以下、動作モードが非運転モードに切り替えられるまで、反応室11の内部の圧力が処理圧力P22に保持され、搬送室13の内部の圧力がP23に保持される。そして、動作モードが非運転モードに切り替えられると、反応室11に対する反応ガスの供給処理が停止され、真空排気処理だけが続行される。これにより、反応室11の圧力が到達圧力P21に戻される。
【0066】
[1−3]効果
以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果を得ることができる。
【0067】
(1)まず、本実施の形態によれば、装置の運転モード期間、この反応室11の圧力は、処理圧力P22に保持される。これにより、各ウェーハWの成膜順位によって各ウェーハWの温度が異なること防止することができる。
【0068】
図4は、この様子を示すタイミングチャートである。図4において、縦軸は、ウェーハWの温度を示し、横軸は時間を示す。なお、図4において、先の図3に示す期間と同一期間には、同一符号を付して詳細な説明を省略する。
【0069】
図4に示すごとく、本実施の形態では、各ウェーハWの温度が各ウェーハWの成膜順位に関係なくほぼ一定である。これにより、各ウェーハWの成膜順位によって各ウェーハWの膜特性が異なってしまうことを防止することができる。
【0070】
(2)また、本実施の形態によれば、搬送室13の圧力が処理圧力P22より高い一定の圧力P24に保持される。これにより、ウェーハ入替え処理に伴って、反応室11から搬送室13へ反応ガスまたは不活性ガスが回り込むのを防止することができる。
【0071】
(3)さらに、本実施の形態によれば、ウェーハ入替え処理の実行時、搬送室13の真空排気処理が停止される。これにより、反応室11から搬送室13への反応ガスまたは不活性ガスの回込みを防止する効果をさらに高めることができる。
【0072】
(4)さらにまた、本実施の形態によれば、反応室11の内部の圧力が処理圧力P22に保持される。これにより、反応室11の内部の圧力の切替え処理を無くすことができる。その結果、装置のスループットを高めることができる。
【0073】
[3]そのほかの実施の形態
以上、本発明の一実施の形態を詳細に説明した。しかしながら、本発明は、上述したような実施の形態に限定されるものではない。
【0074】
(1)例えば、先の実施の形態では、装置の非運転モード期間と運転モード期間に、搬送室13の内部の圧力を処理圧力P22より高い一定圧力P23に設定する場合を説明した。しかしながら、本発明では、少なくとも反応室11の内部と搬送室13の内部との間でウェーハWの入替えを行う期間、このような制御を行うようなものであればよい。
【0075】
(2)また、先の実施の形態では、搬送室13の内部の圧力を一定圧力P23に設定する場合を説明した。しかしながら、本発明では、処理圧力P22より高い圧力であれば、必ずしも一定圧力でなくてもよい。
【0076】
(3)さらに、先の実施の形態では、反応室11の内部の圧力を、装置の運転モード期間だけ、処理圧力P22に設定する場合を説明した。しかしながら、本発明では、少なくともこの運転モード期間に処理圧力P22に設定するものであればよい。したがって、非運転モード期間にも、処理圧力P22に設定するようにしてもよい。
【0077】
(4)さらにまた、先の実施の形態では、本発明を、コールドウォール型のCVD装置に適用する場合を説明した。しかしながら、本発明は、ホットウォール型のCVD装置にも適用することができる。
【0078】
(5)また、本発明は、反応室11の内部の温度を一定にするための制御を行わないCVD装置だけでなく、行う装置にも適用することができる。これは、このような装置においても、各ウェーハWの成膜順位によって各ウェーハWの温度が異なってしまうことを防止することができない場合等があるからである。
【0079】
(6)さらに、本発明は、枚葉式のCVD装置だけでなく、バッチ式のCVD装置にも適用することができる。さらにまた、本発明は、CVD装置以外の薄膜形成装置にも適用することができる。また、本発明は、薄膜形成装置以外のウェーハ処理装置にも適用することができる。さらに、本発明は、ウェーハ処理装置以外の基板処理装置にも適用することができる。例えば、本発明は、液晶表示デバイスのガラス基板に所定の処理を施すガラス基板処理装置にも適用することができる。要は、本発明は、半導体デバイスや液晶表示デバイス等の固体デバイスの基板に所定の処理を施す基板処理装置一般に適用することができる。
【0080】
(7)このほかにも、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論である。
【0081】
【発明の効果】
以上詳述したように請求項1記載の基板処理装置によれば、装置の運転モード期間、第1の空間の圧力は、基板に所定の処理を施すための圧力に保持される。これにより、装置の運転モード期間、各基板の処理順位によって各基板の温度が異なってしまうことを防止することができる。その結果、各基板の処理順位によって各基板の処理特性が異なってしまうことを防止することができる。
【0082】
また、請求項2記載の装置によれば、少なくとも第1の空間と第2の空間との間で基板の入替えを行う期間、第2の空間の圧力が処理圧力より高い圧力に保持される。これにより、基板の入替え処理に伴って第1の空間から第2の空間へガスが回り込むのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態の構成を示す側面図である。
【図2】本発明の一実施の形態における反応室の構成を示す側面図である。
【図3】本発明の一実施の形態の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図4】本発明の一実施の形態の効果を説明するためのタイミングチャートである。
【図5】従来のCVD装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図6】従来のCVD装置の効果を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
11…反応室、111…天板、112…底板、12…ロードロック室、13…搬送室、14〜16…ゲートバルブ、18〜20…圧力制御部、23…サセプタ、24…ヒータ、25…ガス分散板、28…カセット、31…ウェーハ搬送ロボット、311,312…ウェーハ保持アーム、34…ガス導入部、35…排気部。
Claims (3)
- 処理ガスを使って基板に所定の処理を施すための密閉された第1の空間を形成する第1の空間形成手段と、
前記第1の空間との間で、前記所定の処理を施された基板とこの処理が施されていない基板との入替えが行われる密閉された第2の空間を形成する第2の空間形成手段と、
前記第1の空間と前記第2の空間との間で基板を搬送するための基板搬入・搬出口を開閉するためのゲートバルブと、
前記第1と第2の空間の圧力を制御する圧力制御手段と、
を少なくとも備え、前記第1の空間にて複数枚の基板に対する処理が順次実行される基板処理装置であって、
前記圧力制御手段は、
前記基板を前記第2の空間から前記第1の空間へ搬入するために前記ゲートバルブを開く際、
前記第1の空間に反応ガス又は不活性ガスを供給しつつ前記第1の空間を一定流量で真空排気することにより、前記基板が前記第1の空間にて前記所定の処理が施される時の処理圧力に保持し、且つ前記第2の空間の圧力を前記処理圧力よりも高い圧力に保持するように、前記第1と第2の空間の圧力を制御するものである
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記圧力制御手段は、
前記基板が前記第2の空間から前記第1の空間へ搬入され、前記ゲートバルブを閉じた後に、
前記第1の空間の圧力を前記処理圧力まで下降させ、前記第2の空間の圧力を上昇させるように、前記第1と第2の空間の圧力を制御し、
この状態で、前記第1の空間にて前記基板の処理が実行されることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記圧力制御手段は、
前記基板の処理が終了した後、前記ゲートバルブを閉じた状態で、前記第1の空間の圧力を前記処理圧力のまま保持し、且つ前記第2の空間の圧力を前記処理圧力よりも高い圧力に保持するように、前記第1と第2の空間の圧力を制御し、
この状態で、前記ゲートバルブを開けて、次の基板との入替えが行われることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
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