WO2004003995A1 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

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WO2004003995A1
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Takashi Ozaki
Kenichi Suzaki
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Hitachi Kokusai Electric Inc
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter, referred to as an IC), for example, a semiconductor device in which an integrated circuit including a semiconductor element is manufactured.
  • IC semiconductor integrated circuit device
  • y Si film a technique that is effective in the process of depositing a film such as a silicon nitride (S i 3 N 4 ) film or a silicon oxide (S i O x) film using a thermal CVD apparatus.
  • a film such as a silicon nitride (S i 3 N 4 ) film or a silicon oxide (S i O x) film using a thermal CVD apparatus.
  • a batch-type vertical hot-wall decompression CVD device (hereinafter referred to as a CVD device) consists of an inner tube in which a wafer is accommodated, an outer tube surrounding the inner tube, and a vertically installed process tube.
  • the wafers After the wafers are loaded into the boat (wafer charging), they are transferred from the standby room to the preheated processing room (port loading) and A deposition film is supplied from a gas supply pipe, and a processing unit is heated to a predetermined heat treatment temperature by a heater unit, so that a CVD film is deposited on a wafer (for example, see Patent Document 1). See).
  • this type of conventional CVD apparatus there are two methods of port opening: a method in which the processing chamber and the standby chamber are both loaded under atmospheric pressure, and a method in which the processing chamber and the standby chamber are filled with nitrogen (N 2 ).
  • the processing chamber and the standby chamber are evacuated to a vacuum, the frictional force between the wafer holding surface and the port holding surface increases, so that the coating applied to the lower surface of the wafer in the previous process is increased. Is peeled off.
  • the peeled-off film becomes particles and overflows from the holding surface of the holding groove, and adheres to the upper surface of the wafer directly below, where the IC is formed, thereby lowering the yield of the IC manufacturing method.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device, which can prevent a decrease in yield due to particles from a held surface of a substrate under reduced pressure. Disclosure of the invention
  • the present invention provides a processing chamber for processing at least one substrate, a substrate support for supporting the at least one substrate, a spare chamber for accommodating the substrate support, and supporting the at least one substrate.
  • a control device for controlling a pressure at which the substrate support is carried into the processing chamber from the preliminary chamber so as to be lower than an atmospheric pressure, the substrate processing apparatus comprising: The support has a support portion that comes into contact with the substrate, and a receiving portion that is provided below the support portion and extends outward from a part of the outer peripheral edge of the support portion. According to this substrate processing apparatus, even if friction occurs between the supporting portion of the substrate support and the held surface of the substrate and the coating on the substrate is peeled off, the particles due to the peeling are received by the tray portion. As a result, it is possible to prevent the substrate from dropping onto the substrate, thereby preventing a decrease in yield due to peeling of the coating film on the substrate.
  • the present invention provides a substrate support having at least one support portion in contact with a substrate, and a receiving portion provided below the support portion and extending outward from an outer peripheral edge of the support portion.
  • a step of supporting the at least one substrate a step of loading the substrate support supporting the at least one substrate into a processing chamber at a pressure lower than atmospheric pressure, and a step of supporting the substrate support in the processing chamber.
  • a step of processing at least one substrate supported by the semiconductor device According to this method of manufacturing a semiconductor device, even if friction occurs between the support portion of the substrate support and the held surface of the substrate, and the coating on the substrate is released, the particles due to the release remain in the tray. Since it is prevented from falling onto the substrate by being received by the portion, it is possible to prevent a decrease in yield due to peeling of the coating film on the substrate.
  • FIG. 1 is a front sectional view showing a CVD device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 shows a main part after the boat loading step, where (a) is a front sectional view and (b) is an enlarged sectional view of a part b of (a).
  • FIG. 3 is a perspective view showing a holding groove of the port.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the shape of the holding surface and the amount of particle increase.
  • FIG. 5 is a particle distribution diagram, and (a) shows a case without a convex portion. b) shows the case where there is a convex portion.
  • FIG. 6 is a time chart relating to the pressure in the film forming step of the IC manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a perspective view showing a portion of a holding groove of a boat of a CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a time chart relating to a pressure in a film forming step of an IC manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the size of the pan and the amount of increase in particles.
  • FIG. 10 is a comparison diagram showing each of the saucer portions used in the experiment of FIG.
  • FIG. 11 is a distribution diagram of particles, in which (a) shows a conventional example and (b) shows a case according to the present embodiment.
  • FIG. 12 shows a portion of a holding groove of a boat of a CVD apparatus according to a third embodiment of the present invention, wherein (a) is a perspective view, (b) is a plan sectional view, and (c) is a plan view. Front sectional view. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the film forming step in the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is performed by the CVD apparatus (batch type vertical hot wall type reduced pressure CVD apparatus) shown in FIGS. 1 and 2.
  • the CVD apparatus shown in FIG. 1 and FIG. 2 includes a vertical process tube 11 fixedly supported and arranged vertically so that the center line is vertical. It is composed of an inner tube 12 and an outer tube 13.
  • Inner tube 1 2 is quartz (Si 2 ) Or silicon carbide (SiC) is used to be integrally formed into a cylindrical shape.
  • the outer tube 13 is integrally formed into a cylindrical shape using quartz or silicon carbide.
  • the inner tube 12 is formed in a cylindrical shape with both upper and lower ends open, and a plurality of wafers held in a state where the hollow portion of the inner tube 11 is vertically aligned by a port are loaded.
  • a processing chamber 14 is formed.
  • the lower end opening of the inner tube 12 constitutes a furnace 15 for taking in and out a wafer as a substrate to be processed. Therefore, the inner diameter of the inner tube 12 is set to be larger than the maximum outer diameter of the wafer to be handled.
  • the outer tube 13 is formed in a cylindrical shape whose inner diameter is larger than the outer diameter of the inner tube 12 and whose upper end is closed and whose lower end is open.
  • the inner tube 12 is concentrically covered with the inner tube 12 so as to surround the inner tube. ing.
  • the space between the lower end of the inner tube 12 and the lower end of the outer tube 13 is hermetically sealed by a manifold 16 formed in a circular ring shape, and the manifold 16 is a casing of the CVD apparatus.
  • the process tube 11 is installed vertically.
  • the lower end opening of the manifold 16 is opened and closed by a furnace rogate valve 29.
  • An exhaust pipe 17 connected to an exhaust device 41 such as a vacuum pump via an exhaust line 42 is connected to the upper part of the side wall of the manifold 16, and a flow control valve is connected to the exhaust line 42. 4 3 and pressure gauge 4 4 are provided.
  • the flow control valve 43 is configured to be controlled by the control device 40, and the pressure gauge 44 is configured to transmit the measurement result to the control device 40.
  • the exhaust pipe 17 is in communication with an exhaust path 18 formed by a gap formed between the inner tube 12 and the outer tube 13.
  • the exhaust passage 18 has a circular ring shape with a constant width in cross section due to the gap between the inner tube 12 and the outer tube 13 .
  • the exhaust pipe 17 is connected to the manifold 16. Therefore, it is located at the lowermost end of the exhaust passage 18.
  • a gas supply pipe 19 is connected to the lower part of the side wall of the manifold 16 so as to communicate with the furnace B 15 of the inner tube 12, and the film supply gas supply source 19 is connected to the gas supply pipe 19.
  • 50 and a nitrogen gas supply source 60 are connected via a film formation gas supply line 51 and a nitrogen gas supply line 61, respectively.
  • the deposition gas supply line 51 and the nitrogen gas supply line 61 are controlled by a controller 40, respectively.
  • a membrane gas flow control valve 52 and a nitrogen gas flow control valve 62 are provided, respectively.
  • the gas supplied to the furnace B 15 by the gas supply pipe 19 flows through the processing chamber 14 of the inner tube 11, passes through the exhaust path 18, and is exhausted by the exhaust pipe 17.
  • a seal cap 20 for closing the processing chamber 14 is brought into contact with the lower end surface of the manifold 16 from below.
  • the seal cap 20 is formed in a disk shape substantially equal to the outer diameter of the manifold 16 and is configured to be vertically moved up and down by a port elevator (not shown).
  • a boat 21 for holding the wafer 1 as a substrate to be processed is vertically supported and supported.
  • the port 21 is made entirely of quartz or silicon carbide, and is vertically disposed between the pair of end plates 22 and 23 and the end plates 22 and 23 at the top and bottom.
  • three (in the illustrated example, three) holding members 24 are provided with a plurality of holding grooves 25 arranged at regular intervals in the longitudinal direction so as to be open to face each other, as shown in FIGS. 2 and 3.
  • an R-chamfered portion 27 is formed on the outer peripheral edge of the holding surface 26 composed of the upward surface of each holding groove 25.
  • the radius of curvature of the R chamfer 27 is set to 1 mm or more.
  • a convex portion 28 formed in a hemispherical shape protrudes from a central portion of the holding surface 26.
  • the outer periphery of the wafer 1 is inserted into the holding groove 25 of the same step between the plurality of holding members 24 and holds a plurality of peripheral portions (three positions in the present embodiment) on the lower surface thereof. It is retained by being received by the protrusion 28 on the surface 26. Therefore, the convex portion 28 forms a supporting portion for supporting the wafer. In a state where the wafers 1 are held by the respective holding grooves 25, the plurality of wafers 1 are aligned horizontally with the port 21 and with their centers aligned.
  • a heater unit 30 for heating the inside of the process tube 11 is provided concentrically so as to surround the outer periphery of the outer tube 13, and the heater unit 30 is provided inside the process tube 11. It is configured to heat to a uniform or predetermined temperature distribution throughout.
  • the heater unit 30 is vertically installed by being supported by the casing 31 of the CVD apparatus. As shown in FIG. 1, the housing 3 1 is located in the installation room 3 2 And a waiting room 33 in which the boat 21 stands by for loading and unloading to and from the processing room 14.
  • the waiting room 33 is provided with a load lock system (using a separation valve such as a gate valve, etc.
  • An exhaust pipe 34 for exhausting the standby chamber 33 and a nitrogen gas supply pipe 35 for supplying nitrogen gas as a purge gas to the standby chamber 33 are provided on the side wall of the standby chamber 33 of the housing 31. It is connected.
  • the exhaust pipe 34 is connected to an exhaust device 41 via an exhaust line 45 provided with a flow control valve 46 and a pressure gauge 47.
  • the flow control valve 46 is configured to be controlled by the control device 40, and the pressure gauge 47 is configured to transmit the measurement result to the control device 40.
  • the nitrogen gas supply pipe 35 is connected to a nitrogen gas supply source 60 via a nitrogen gas supply line 63 equipped with a flow control valve 64, and the flow control valve 64 is controlled by a control device 40. It is configured to be controlled.
  • the other side wall of the standby chamber 33 is provided with a wafer loading / unloading port which is opened and closed by a gate valve.
  • a port elevator (not shown) for raising and lowering the seal cap 20 is installed inside the waiting room 33.
  • the standby chamber 33 is purged by the nitrogen gas supplied through the nitrogen gas supply pipe 35. That is, the control device 40 controls the nitrogen gas flow control valve 64 so that the nitrogen gas from the nitrogen gas supply source 60 is passed through the nitrogen gas supply line 63 from the nitrogen gas supply pipe 35 to the standby chamber 33. Then, as shown in FIG. 6 (a), the pressure in the standby chamber 33 is maintained at the atmospheric pressure (about 10 13 hF a).
  • the furnace rogate valve 29 is closed.
  • the furnace log valve 29 is opened and the furnace log 15 is opened.
  • the port 21 is provided by the boat elevator, and is then ported from the furnace B 15 of the inner tube 12 to the processing chamber 14 as shown in FIG.
  • the furnace 15 is placed in the processing chamber 14 while being supported by a seal cap 20 that hermetically seals the furnace 15.
  • the standby chamber 33 and the processing chamber 14 supply nitrogen gas from the nitrogen gas supply pipe 35 and the gas supply pipe 19 so as to be 20 OPa, respectively. And by the trachea 17 respectively. That is, the control device 40 controls the nitrogen gas flow rate from the nitrogen gas supply pipe 35 to the waiting room 33 by controlling the nitrogen gas flow rate control valve 64, and controls the flow rate control valve 46. As a result, the waiting room 33 is evacuated, and as shown in FIG. 6 (a), the waiting room 33 is depressurized and maintained at 20 OFa. The control device 40 controls the nitrogen gas flow rate from the gas supply pipe 19 to the processing chamber 14 by controlling the nitrogen gas flow rate control valve 62, and controls the flow rate by controlling the flow rate control valve 43.
  • the chamber 14 is evacuated, and the pressure in the processing chamber 14 is maintained at 20 OPa as shown in FIG. 6 (b). At this time, the furnace log valve 29 is closed, and the furnace log 15 is hermetically sealed.
  • the temperature of the processing chamber 14 is controlled so as to maintain the heat treatment temperature (for example, 530 ° C.). In this state, that is, in a state where the pressures in the standby chamber 33 and the processing chamber 14 are substantially equal, the furnace log valve 19 is opened, so that the processing chamber 14 and the standby chamber 33 communicate with each other. Port opening is performed under the pressure of 0 Fa.
  • the gas supply pipe 19 is set so that the inside of the processing chamber 14 has a predetermined degree of vacuum (11 OP a). It is exhausted by the exhaust pipe 17 while flowing nitrogen gas. That is, the control device 40 controls the nitrogen gas flow rate from the gas supply pipe 19 to the processing chamber 14 by controlling the nitrogen gas flow rate control valve 62, and controls the flow rate control valve 43.
  • the processing chamber 14 is evacuated to reduce the pressure in the processing chamber 14 to 110 Pa, as shown in FIG. 6 (b).
  • a processing gas 36 is supplied to the processing chamber 14 by a gas supply pipe 19, and a doped film as a desired film is formed on the surface of the wafer 1.
  • a silicon film 2 is deposited (deposited) by a thermal CVD method.
  • the control device 40 controls the film forming gas flow control valve 52 so that the monosilane (SiH 4 ) gas and the phosphine (PH 3 ) gas as the processing gas 36 are processed in the processing chamber 14.
  • the supplied processing gas 36 rises in the processing chamber 14 of the inner tube 12 and flows out of the upper end opening into the exhaust path 18 formed by the gap between the inner tube 12 and the heater tube 13. It is exhausted from the exhaust pipe 17.
  • the seal cap 20 is lowered to open the furnace 15 of the processing chamber 14, and the wafer 1 group is held in the port 21 while the wafer 1 group is held in the furnace 15. From the process tube 11 to the outside (port unloading).
  • the pressure in the processing chamber 14 is kept at 200 Pa: t and maintained at 200 Pa. It is almost the same as the pressure in the standby chamber 33. That is, the control device 40 controls the nitrogen gas flow rate from the gas supply pipe 19 to the processing chamber 14 by controlling the nitrogen gas flow rate control valve 62, and controls the flow rate control valve 43, 6
  • the pressure in the processing chamber 14 is increased to 200 Pa and maintained. In this manner, when the boat unloading step is performed under a low pressure such as 200 Pa, formation of a natural oxide film on the processed wafer 1 can be prevented very effectively.
  • the standby chamber 3 3 Is purged with nitrogen gas supplied by a nitrogen gas supply pipe 35. That is, the controller 40 controls the nitrogen gas flow control valve 64 to supply the nitrogen gas from the nitrogen gas supply source 60 from the nitrogen gas supply pipe 35 to the standby chamber 33 through the nitrogen gas supply line 63. As shown in FIG. 6 (a), the pressure in the standby chamber 33 is increased to and maintained at the atmospheric pressure. By the nitrogen gas purge of the standby chamber 33, the processed wafer 1 which has become high in temperature can be forcibly cooled.
  • the group of processed wafers 1 is removed from the boat 21 by the wafer transfer device. Is done.
  • the standby chamber 33 is purged with nitrogen gas, it is possible to perform a wafer disposing operation under atmospheric pressure while preventing the formation of a natural oxide film on the processed wafer 1. Thereafter, by repeating the above-described steps, the film forming process is repeatedly performed.
  • the temperature of the wafer 1 rises from the peripheral portion closer to the heater unit 30.
  • the distant central portion rises with a delay, and the relationship between the in-plane temperature difference of the wafer 1 and the weight of the wafer 1 causes the wafer 1 to have a concave shape (the central portion decreases and the peripheral portion decreases). (Curved shape) occurs.
  • the holding surface 26 of the holding groove 25 of the boat 21 rubs against the surface to be held in the peripheral portion of the lower surface of the wafer 1, so that the port 21 is covered in the previous film forming step.
  • the fragile film is peeled off.
  • the peeled film overflows from the holding surface 26 of the holding groove 5 as a single particle and adheres to the upper surface of the wafer 1 immediately below, where the IC is formed. It causes the yield to decrease.
  • the wafer 1 is held in a state of being lifted from the holding surface 26 by a projection 28 protruding from the center of the holding surface 26 of the holding groove 25. Therefore, even if friction occurs between the convex portion 28 of the boat 21 and the held surface of the wafer 1 and the film is separated, the particles due to the separation fall on the holding surface 26 of the port 21. By being received, it is prevented from dropping on the wafer. In other words, even if friction occurs between the convex portion 28 of the boat 21 and the surface to be held of the wafer 1 and the film is separated, the particles due to the separation remain on the surface of the wafer 1 directly below where ICs are formed.
  • the holding surface 26 constitutes a receiving portion for receiving particles generated by the convex portion 28 which is a support portion for supporting the wobbler 1.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the shape of the holding surface and the amount of increase in particles.
  • the amount of increase in particles means the amount of increase in particles after processing with respect to the amount of particles before processing.
  • the vertical axis shows the increase in the number of particles of 0.16 / m
  • the horizontal axis shows the conventional case without a convex part and the conventional case without a convex part.
  • the case of the present embodiment is shown.
  • the rod TOP indicates the increased number of particles at the top of the boat
  • the rod B 0 TT 0 M indicates the increased number of particles at the port of the port.
  • the temperature of the processing chamber 14 during the loading step was set at 530 ° C
  • the pressure of the standby chamber 33 and the processing chamber 14 was 20 ° C.
  • Set to OP a it is understood that, in the present embodiment, the number of increased particles is reduced to 20 or less for both the top part and the bottom part.
  • FIG. 5 is a particle distribution diagram, in which (a) shows a conventional case having no convex portion, and (b) shows a case of the present embodiment having a convex portion.
  • the conventional example having no convex portion shown in FIG. 5 (a) particles are unevenly distributed at a portion corresponding to the holding portion # 24.
  • the particles are not unevenly distributed at the portion corresponding to the holding member 24 but are scattered as a whole. ing. This is considered to indicate that the particles are not dropped onto the upper surface of the wafer 1 because the particles are received by the holding surface 26.
  • the pressure in the standby chamber 33 and the processing chamber 14 in the boat opening step is set to 20 OPa, but the number of particles increased to 20 or less. Is suppressed. Therefore, it is desirable that the pressure in the standby chamber 33 and the processing chamber 14 in the podding step according to the present embodiment be set to 200 Pa or more.
  • the pressure in the standby chamber 33 and the processing chamber 14 in the boat loading step is excessively increased, the difference from the processing pressure in the processing step (11 OP a in the present embodiment) increases. As a result, the pressure adjustment time becomes longer. If the pressure is set too high, the increase in the natural oxide film cannot be sufficiently suppressed. For example, if the pressure in the boat loading step is set to a relatively high pressure, atmospheric pressure (approximately 10 13 hF a), This takes time to adjust and has an adverse effect on the throughput, and the natural oxide film is not sufficiently suppressed. Therefore, the waiting room in the port loading step 3
  • the pressure of 3 and the processing chamber 14 be lower than the atmospheric pressure, for example, 300 Pa or less. If the pressure is set to a pressure lower than the atmospheric pressure, and preferably 300 Pa or less, the pressure adjustment time from the boat opening step to the processing step should be set to a time that does not affect the throughput. In addition, the formation of a natural oxide film can be sufficiently prevented. In short, it is desirable to set the pressure in the standby port and the processing chamber in the boat port—the loading step to be 200 Pa or more and less than the atmospheric pressure, and preferably set to 200 Pa or more and 300 Pa or less. New
  • Friction occurs between the convex portion of the boat and the surface to be held by holding the wafer in a state of being lifted from the holding surface by the convex portion protruding from the center of the holding surface of the holding groove. Even if the previously applied coating is peeled off, the particles by the peeling are received by the holding surface of the port, so that the particles can be prevented from falling onto the wafer.
  • FIG. 7 is a perspective view showing a portion of a holding groove of a boat of a CVD apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a time chart relating to pressure in a film forming step of an IC manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a graph showing the relationship between the size and the amount of increase in particles
  • FIG. 10 is a comparative diagram showing each of the saucer portions used in the experiment.
  • FIG. 11 is a distribution diagram showing the effect of reducing particles.
  • a portion of the holding groove 25 of the holding member 24 of the boat 21 includes a support portion 28 A that contacts and supports the lower surface of the wafer 1. Is projected horizontally inward in the radial direction of the wafer 1, and below the support portion 28A is a tray portion 26A for receiving particles generated by the support portion 28A.
  • the support portion 28A is made of the same material as the holding member 24 and is formed in a rectangular parallelepiped shape in a plan view.
  • the tray portion 26A is made of the same material as the support portion 28A, and is formed in a rectangular flat plate shape in plan view.
  • Receiving part 26 A Supporting part of 26 A Amount of extension L of the part not in contact with the support part of the outer peripheral edge of 28 A from three sides to the outside L (the supporting part 28 shown in FIG. 7) It is desirable that the distance L) from the edge of A to the edge of the tray # 326A be set to 6 mm or more, preferably 6 mm to 5 mm.
  • the film forming step of the IC manufacturing method according to the second embodiment of the present invention using the CVD apparatus having the boat having the above-described structure includes a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film on the wafer.
  • Si 3 N 4 silicon nitride
  • the standby chamber 33 is purged with nitrogen gas as shown in FIG. 8 (a).
  • the pressure in the standby chamber 33 is maintained at the atmospheric pressure (about 10 13 hPa).
  • a boat loading step in which a port 21 loaded with a predetermined number of wafers 1 is loaded into a processing chamber 14, as shown in FIG. 33 is maintained at a reduced pressure to 200 Pa, and as shown in FIG. 8 (b), the pressure in the processing chamber 14 is maintained at 200 Pa.
  • the temperature of the processing chamber 14 is controlled so as to maintain the heat treatment temperature of 750 ° C., but slightly decreases as the boat 21 is loaded.
  • the pressure in the processing chamber 14 is reduced to 30 Pa as shown in FIG. 8 (b). At this time, the pressure in the standby chamber 33 is maintained at 20 OFa. Next, dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ) gas and ammonia (NH 3 ) as a processing gas are supplied to the processing chamber 14, and a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film is formed on the wafer 1. Deposited on
  • the pressure in the processing chamber 14 is increased to 200 Pa.
  • the pressure in the standby chamber 33 maintained at 20 OPa is substantially equal to the pressure. In this way, when the boat fan loading step is performed under a low pressure such as 200 Fa, the formation of a natural oxide film on the processed wafer 1 can be prevented very effectively. .
  • the waiting room 33 is purged with nitrogen gas, it is possible to perform a wafer disposing operation under atmospheric pressure while preventing a natural oxide film from being formed on the processed wafer 1. Thereafter, the film forming process is repeatedly performed by repeating the steps described above.
  • the temperature of the wafer 1 rises from the peripheral portion on the side closer to the heater unit 30 and is farther away.
  • the central part which is the side, rises with a delay, and the wafer 1 has a concave shape (medium) due to the relationship between the in-plane temperature difference of the wafer 1 and the weight of the wafer 1.
  • a phenomenon occurs in which the central part falls and the peripheral part rises). Due to the warpage of the wafer 1, the support portion 28 A of the boat 21 rubbed against the peripheral holding surface on the lower surface of the nozzle 1, so that the wafer 2 was attached to the port 21 in the previous film forming step.
  • the fragile film peels off and falls, but the dropped particles are received by the tray 26A below the support 28A, thereby preventing the particles from falling onto the wafer.
  • the particles due to the separation form the IC in the wafer 1 immediately below. Since it can be prevented from adhering to the upper surface, which is a surface, it is possible to prevent the yield of the IC manufacturing method from lowering due to the generation of particles.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the size of the receiving portion and the amount of increase in particles.
  • the amount of increase in particles means the amount of increase in particles after processing with respect to the amount of particles before processing.
  • the vertical axis indicates the number of particles increased by more than 0.0
  • the horizontal axis indicates the comparative example and the example shown in FIG.
  • the experimental conditions were the same in each case.
  • the temperature of the processing chamber 14 during the port loading step was set at 750 ° C, and the pressure of the waiting chamber 33 and the processing chamber 14 was 200 F. Set to a.
  • the number of particles increased in the case of the conventional example is 133
  • the amount of particles increased in the case of Examples 1, 2, 3, and 4. are 45, 22, 22, 10 and 11 respectively, and it can be understood that in any case, the number can be reduced to 45 or less. That is, by setting the extension L of the tip of the support portion 28 A of the receiving portion 26 A from one corner on one side to 1 mm or more, the amount of increase in particles can be reduced to 45 or less. Can be. Further, if the extension amount L of the tray portion 26A is set to 6 mm or more, the amount of added particles can be reduced to about 20 particles or less.
  • the extension amount L of the tray portion 26A is set to 1 O mm or more, the increase amount of particles can be reduced to about 10 or less. Further, as is clear from the comparison between the third embodiment and the fourth embodiment, the effect of reducing particles is saturated in the case of the fourth embodiment in which the extension L of the tray 26A is 15 mm. In other words, the extension L from the outer periphery of the support portion 28 A of the tray portion 26 A is 2 mn! It is desirable to set it to ⁇ 15 mm. In addition, Preferably, it should be set between 6 mm and l5 mm.
  • Fig. 11 is a particle distribution diagram, (a) shows the case of the conventional example of Fig. 10 without the pan 35, and (b) shows the case of the embodiment 4 of Fig. 10. ing.
  • the particles are unevenly distributed in a portion corresponding to the holding member 24.
  • Example 4 shown in FIG. 11 (b) the particles are not eccentrically distributed at the portion corresponding to the holding member 24 but are scattered as a whole. This is considered to indicate that the particles are not dropped on the upper surface of the wafer 1 because the particles are received by the receiving portion 26A.
  • FIG. 11 shows a portion of a holding groove of a port of a CVD apparatus according to a third embodiment of the present invention, where (a) is a perspective view, (b) is a plan sectional view, and (c) is a plan view. It is front sectional drawing.
  • the boat similarly to the first and second embodiments, the boat includes a plurality of, for example, three holding members.
  • the holding member 24B of the boat 21 according to the present embodiment is formed in a cylindrical shape, and the holding groove 25B is formed on the outer peripheral surface of the holding member 24B. Is formed by cutting at the part of the wafer 1 facing the center.
  • a support portion 28 B for supporting and contacting the lower surface of the wafer 1 is formed horizontally inward in the radial direction of the wafer 1, and is generated at the support portion 28 B.
  • a receiving portion 26B for receiving particles is formed at a position lower than the supporting portion 28B (below the supporting portion 8B) and extends over the entire edge of the supporting portion 28B.
  • the support portion 28B is formed in a planar shape in a plan view, more precisely, in a trapezoidal shape, and the top of the mountain, that is, the upper base (short side) of the trapezoid faces the center of the wafer 1,
  • the bottom of the mountain, that is, the bottom of the trapezoid (longer side) is formed in a shape facing the center of the wafer 1 and the opposite side. That is, the support portion 28B has a shape in which the width becomes narrower from the part of the column of the holding member 24B shown by hatching in FIG. 12 (b) in the plan view toward the center of the wafer 1. It is formed in.
  • the trapezoidal support portion 28B can be formed simultaneously with the cutting of the holding groove 25B.
  • the shape of the tray portion 26B in plan view is based on the circular cross section of the tray portion 26B of the holding member 24B and the shape of the support member 2448 shown by hatching in FIG. 12 (13).
  • the cross-sectional shape of the portion and the trapezoidal shape of the support portion 28B are cut out, and the pan portion 26B extends from the column of the support member 24B to the edge of the support portion 28B (trapezoidal shape). (The two hypotenuses and the upper base) are continuously provided along these.
  • the saucer portion 26B can be formed simultaneously when the holding groove 25B and the support portion 28B are cut in the holding member 24B.
  • the following effects can be obtained in addition to the effects according to the above-described embodiment.
  • the tray 26B and the support 28B can be formed simultaneously only by cutting the holding groove 24B into the holding member 24B, the number of processing steps can be reduced.
  • the tray portion 16 B and the holding member 24 B can be formed as a single body, the number of parts can be reduced, and the manufacturing cost of the port and, consequently, the CVD apparatus can be reduced.
  • the support portion 28B is formed in a trapezoidal flat plate shape in plan view, and is formed so as to become narrower in a direction toward the center of the wafer 1, so that the holding member 24B is cut.
  • Processing becomes easy, and the contact area with the wafer can be reduced while maintaining the mechanical strength of the holding member 24B. In other words, it not only facilitates the processing of the boat, but also ensures sufficient structural strength when the port supports the weight of the wafer, and at the same time, reduces the contact area with the wafer to reduce the contact area with the backside of the wafer. The degree of contamination (concentration) can be reduced.
  • the process is not limited to the process of forming a doped polysilicon film and a silicon nitride film, but also includes a non-doped polysilicon film, a non-doped amorphous silicon film, a doped amorphous silicon film, a silicon oxide film, and an acid oxide film. It can be applied to all film forming processes by CVD, such as a metal oxide film such as a tantalum film and a zirconium oxide film. In particular, in the case of the film forming step by CVD, it is preferable because the influence of peeling of the film adhered to the boat on the supporting portion in the previous step can be prevented.
  • Semiconductor manufacturing equipment that implements the features of the semiconductor device manufacturing method is not limited to a batch-type vertical hot-wall decompression CVD apparatus having a process tube composed of an outer tube and an inner tube, but may be one having a process tube having only an outer tube. It may be another CVD apparatus such as a single-wafer CVD apparatus, or a heat treatment apparatus (furnace) for performing various heat treatment steps.
  • CVD apparatus such as a single-wafer CVD apparatus, or a heat treatment apparatus (furnace) for performing various heat treatment steps.
  • the processing target may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.

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Abstract

ボート（２１）の保持溝（２５）の受け皿部（２６）の中央部にウエハ（１）を受ける支持部（２８）を突設しておき、ウエハ（１）が支持部（２８）に受けられて整列されたボート（２１）が待機室（３３）から処理室（１４）へボートローディングされる際に、待機室（３３）と処理室（１４）の圧力を２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下に設定する。ウエハを支持部で受け皿部から浮き上げて保持することで、減圧下で支持部とウエハの被保持面との間に大きな摩擦力が発生してウエハの被膜が剥離しても、剥離によるパーティクルは受け皿部で受け止められるため、受け皿部直下のウエハのＩＣ作り込み面にパーティクルが付着するのを防止できる。

Description

基板処理装置および半導体装置の製造方法 技術分野
本発明は、 基板処理装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、 半導体集 積回路装置 （以下、 I Cという。 ） の製造方法であって、例えば、 半導体素子を 含む集積回路が作り込まれる半導体明ウェハ （以下、 ウェハという。 ） にド一プド ポリシリコン （Doped - Poly Si ) 膜やノンド一プドボリシリコン （NonDoped-Pol 田
y Si ) 膜ゃ窒化シリコン （S i 3 N4 ) 膜や酸化シリコン （S i O x ) 膜等の膜 を熱 C V D装置を使用して堆積（デポジション） させる工程に利用して有効な技 術に関する。 背景技術
I Cの製造方法においては、 ウェハにド一プドポリシリコン膜やノンドープド ポリシリコン膜ゃ窒化シリコン膜ゃ酸化シリコン膜等の C V D膜を形成する工程 にバッチ式縦形ホットウオール形減圧 C V D装置が、 広く使用されている。 バッ チ式縦形ホットウォール形減圧 C V D装置 （以下、 C V D装置という。 ） は、 ゥ ェハが収容されるィンナチューブおよびィンナチューブを取り囲むァウタチュー ブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、 プロセスチューブによ つて形成された処理室に成膜ガス等を供給するガス供給管と、処理室を真空排気 する排気管と、 プロセスチュ一ブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータュニッ トと、 複数枚のウェハを複数段の保持溝によって保持して処理室に対して搬入搬 出するボートと、処理室への搬入搬出に対してポートが待機する待機室とを備え ており、待機室において複数枚のウェハがボートに装填 （ウェハチヤ一ジング） された後に、待機室から予熱された処理室に搬入 （ポートローデイング） され、 処理室に成膜ガスがガス供給管から供給されるとともに、処理室が所定の熱処理 温度にヒータュニットによって加熱されることにより、 ウェハの上に C V D膜が 堆積するように構成されている （例えば、 特許文献 1参照） 。 従来のこの種の C V D装置においてポート口一ディングする方法としては、 処 理室および待機室が共に大気圧の状態でボ一トロ一ディングする方法と、処理室 および待機室を窒素 （N 2 ) ガスに置換 （パージ） してポ一トロ一デイングする 方法と、 処理室および待機室を真空に排気してボート口一ディングする方法とが ある。 処理室および待機室が共に大気圧の状態でボート口一ディングする方法に おいては、 ボ一トロ一デイング時に自然酸化膜が生成し易いため、 I Cの製造方 法の歩留りに悪影響が及ぶという問題点がある。 処理室および待機室を窒素ガス に置換してボート口一ディングする方法においては、大気圧の状態でポート口一 ディングする場合に比べて自然酸化膜の生成を抑制することができるが、 置換さ れた窒素ガスから完全に酸素 （02 ) を除去することはできないために、 ある程 度の自然酸化膜は増加してしまう。 処理室およぴ待機室を真空に排気してポート 口一ディングする方法においては、 酸素を略完全に除去することができるため、 窒素ガス雰囲気下でポートローディングする方法に比べて、 自然酸化膜の増加を さらに抑制することができる。
しかしながら、処理室および待機室を真空に排気してポ一ト口一ディングする 場合には、 パーティクルが発生することが究明された。 すなわち、 ウェハが予熱 された処理室にボート口一ディングされる際には、 ウェハの温度がヒータに近い 側である周辺部から上昇し遠い側である中央部が遅れて上昇することによるゥェ ノ、面内の温度差とウェハの自重との関係により、 ウェハは凹形状に反ることが知 られている。 このウェハの反りに伴って、 ポートのウェハ保持溝の保持面とゥェ 八の下面における周辺部の被保持面とが擦れ合う。 この際、処理室および待機室 が真空に排気されていると、 ウェハの被保持面とポートの保持面との摩擦力が大 きくなるため、 前の工程でウェハの下面に被着された被膜が剥離される。 剥離さ れた被膜はパーティクルとなって保持溝の保持面から溢れ落ちて、 直下のウェハ における I Cが作り込まれる面である上面に付着するため、 I Cの製造方法の歩 留りを低下させる。
本発明の目的は、減圧下での基板の被保持面からのパーティクルによる歩留り の低下を防止することができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供 することにある。 発明の開示
本発明は、 少なくとも 1枚の基板を処理する処理室と、前記少なくとも 夂の 基板を支持する基板支持体と、 この基板支持体を収容する予備室と、前記少なく とも 1枚の基板を支持した前記基板支持体を前記予備室から前記処理室へ搬入す る際のの圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する制御装置と、 を有す る基板処理装置であって、 前記基板支持体は前記基板と接触する支持部と、 この 支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿 部とを有することを特徴とする。 この基板処理装置によれば、基板支持体の支持 部と基板の被保持面との間に摩擦が発生して基板の被膜が剥離したとしても、 剥 離によるパ一テイクルは受け皿部で受け止められることにより基板に落下するの を防止されるため、基板の被膜の剥離による歩留りの低下を防止することができ る。
また、本発明は、少なくとも 1枚の基板と接触する支持部と、 この支持部の下 方に設けられてこの支持部の外周縁から外方に延び出た受け皿部とを有する基板 支持体に前記少なくとも 1枚の基板を支持するステップと、前記少なくとも 1枚 の基板を支持した前記基板支持体を大気圧よりも低い圧力で処理室に搬入するス テツプと、前記処理室において前記基板支持体によって支持された前記少なくと も 1枚の基板を処理するステップと、 を有することを特徴とする半導体装置の製 造方法、 である。 この半導体装置の製造方法によれば、基板支持体の支持部と基 板の被保持面との間に摩擦が発生して基板の被膜が剥離したとしても、 剥離によ るパ一テイクルは受け皿部で受け止められることにより基板に落下するのを防止 されるため、 基板の被膜の剥離による歩留りの低下を防止することができる。 図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明の第一の実施の形態である C V D装置を示す正面断面図であ る。
第 2図は、 ボートローデイングステップ後の主要部を示しており、 （a ) は正 面断面図、 （b ) は （a ) の b部の拡大断面図である。 第 3図は、 ポートの保持溝を示す斜視図である。
第 4図は、保持面の形状とパーティクルの増加量との関係を示すグラフである 第 5図は、 パーティクルの分布図であり、 （a ) は凸部の無い場合を示してお り、 （b ) は凸部の有る場合を示している。
第 6図は、本発明の第一の実施の形態である I Cの製造方法の成膜工程におけ る圧力に関するタイムチャートである。
第 7図は、 本発明の第二の実施の形態である C V D装置のボートの保持溝の部 分を示す斜視図である。
第 8図は、 本発明の第二の実施の形態である I Cの製造方法の成膜工程におけ る圧力に関するタイムチャートである。
第 9図は、 受け皿部の大きさとパーティクルの増加量との関係を示すグラフで める。
第 1 0図は、第 9図の実験に使用された受け皿部のそれぞれを示す比較図であ る。
第 1 1図は、 パーティクルの分布図であり、 （a ) は従来例を示しており、 （ b ) は本実施の形態に係る場合を示している。
第 1 2図は、 本発明の第三の実施の形態である C V D装置のボートの保持溝の 部分を示しており、 （a ) は斜視図、 （b ) は平面断面図、 （c ) は正面断面図 でめる。 発明を実施するために最良の形態
以下、 本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態においては、 本発明に係る半導体装置の製造方法における成膜ェ 程は、 第 1図および第 2図に示された C V D装置 （バッチ式縦形ホットウオール 形減圧 C V D装置） によって実施される。 第 1図および第 2図に示された C V D 装置は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセ スチューブ 1 1を備えており、 プロセスチューブ 1 1はインナチュ一ブ 1 2とァ ウタチューブ 1 3とから構成されている。 インナチューブ 1 2は石英 （S i〇2 ) または炭化シリコン （S i C ) が使用されて円筒形状に一体成形され、 ァウタ チューブ 1 3は石英または炭化シリコンが使用されて円筒形状に一体成形されて いる。 インナチューブ 1 2は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、 ィ ンナチューブ 1 1の筒中空部はポ一トによって垂直方向に整列した状態に保持さ れた複数枚のウェハが搬入される処理室 1 4を形成している。 インナチューブ 1 2の下端開口は被処理基板としてのウェハを出し入れするための炉ロ 1 5を構成 している。 したがって、 インナチュ一ブ 1 2の内径は取り扱うウェハの最大外径 よりも大きくなるように設定されている。 ァウタチューブ 1 3は内径がインナチ ュ一ブ 1 2の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成され ており、 インナチューブ 1 2にそのタト側を取り囲むように同心円に被せられてい る。 インナチューブ 1 2の下端とァゥ夕チューブ 1 3の下端との間は円形リング 形状に形成されたマ二ホールド 1 6によって気密封止されており、 マニホ一ルド 1 6が C V D装置の筐体 3 1によって支持されることにより、 プロセスチューブ 1 1は垂直に据え付けられている。 マ二ホールド 1 6の下端開口は炉ロゲートバ ルブ 2 9によって開閉されるようになっている。
マ二ホールド 1 6の側壁の上部には真空ポンプ等からなる排気装置 4 1に排気 ライン 4 2を介して接続された排気管 1 7が接続されており、排気ライン 4 2に は流量制御弁 4 3および圧力計 4 4が設備されている。 流量制御弁 4 3は制御装 置 4 0によつて制御されるように構成されており、 圧力計 4 4は計測結果を制御 装置 4 0に送信するように構成されている。 排気管 1 7はインナチューブ 1 2と ァウタチューブ 1 3との間に形成された隙間からなる排気路 1 8に連通した状態 になっている。 排気路 1 8はインナチューブ 1 2とァゥ夕チューブ 1 3との隙間 によって横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されており、排気管 1 7は マ二ホールド 1 6に接続されているため、排気路 1 8の最下端部に配置された状 態になっている。 マニホ一ルド 1 6の側壁の下部にはガス供給管 1 9がインナチ ュ一ブ 1 2の炉ロ 1 5に連通するように接続されており、 ガス供給管 1 9には成 膜ガス供給源 5 0と窒素ガス供給源 6 0とが、 成膜ガス供給ライン 5 1と窒素ガ ス供給ライン 6 1とを介してそれぞれ接続されている。 成膜ガス供給ライン 5 1 と窒素ガス供給ライン 6 1とには、 制御装置 4 0によってそれぞれ制御される成 膜ガス流量制御弁 5 2と窒素ガス流量制御弁 6 2とがそれぞれ設けられている。 ガス供給管 1 9によって炉ロ 1 5に供給されたガスは、 ィンナチューブ 1 1の処 理室 1 4を流通して排気路 1 8を通って排気管 1 7によって排気される。 マニホ —ルド 1 6の下端面には処理室 1 4を閉塞するシールキャップ 2 0が下側から当 接されるようになつている。 シールキャップ 2 0はマニホ一ルド 1 6の外径と略 等しい円盤形状に形成されており、 ポートエレべ一夕 （図示せず） によって垂直 方向に昇降されるように構成されている。
シールキャップ 2 0の中心線上には被処理基板としてのウェハ 1を保持するた めのボート 2 1が垂直に立脚されて支持されるようになっている。 ポート 2 1は 全体的に石英または炭化シリコンが使用されて構成されており、上下で一対の端 板 2 2、 2 3と、 両端板 2 2、 2 3間に架設されて垂直に配設された複数本 （図 示例では三本） の保持部材 2 4とを備えている。 各保持部材 2 4には多数条の保 持溝 2 5が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設され ており、第 2図および第 3図に示されているように、各保持溝 2 5の上向き面か ら構成された保持面 2 6の外周縁辺 （エッジ） には R面取り部 2 7が施されてい る。 R面取り部 2 7の曲率半径は 1 mm以上に設定されている。 さらに、 保持面 2 6の中央部には半球形状に形成された凸部 2 8が突設されている。 ウェハ 1は 複数本の保持部材 2 4相互間の同一の段の保持溝 2 5に外周部を挿入されて、 そ の下面における周辺部の複数箇所 （本実施の形態においては三箇所） を保持面 2 6の凸部 2 8によって受けられることによって保持される。 したがって、 凸部 2 8はウェハを支持する支持部を構成している。 各保持溝 2 5によってそれぞれ保 持された状態において、 複数枚のウェハ 1はポート 2 1に水平にかつ互いに中心 を揃えて整列された状態になる。
ァウタチューブ 1 3の外部にはプロセスチューブ 1 1内を加熱するヒータュニ ット 3 0が、 ァウタチューブ 1 3の周囲を包囲するように同心円に設備されてお り、 ヒータュニット 3 0はプロセスチューブ 1 1内を全体にわたって均一または 予め設定された温度分布に加熱するように構成されている。 ヒータュニット 3 0 は C V D装置の筐体 3 1に支持されることにより垂直に据え付けられた状態にな つている。 第 1図に示されているように、筐体 3 1はヒ一夕ュニット設置室 3 2 と、 ボート 2 1が処理室 1 4に対しての搬入搬出に待機する待機室 3 3とを備え ており、待機室 3 3はロードロック方式 （ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて 処理室と搬入搬出室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、 温度や圧 力等の外乱を小さくして処理を安定ィヒさせる方式） に構築されている。 筐体 3 1 の待機室 3 3の側壁には待機室 3 3を排気する排気管 3 4と、待機室 3 3にパ一 ジガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給管 3 5とがそれぞれ接続されて いる。 排気管 3 4は流量制御弁 4 6および圧力計 4 7が設備された排気ライン 4 5を介して排気装置 4 1に接続されている。 流量制御弁 4 6は制御装置 4 0によ つて制御されるように構成されており、圧力計 4 7は計測結果を制御装置 4 0に 送信するように構成されている。 窒素ガス供給管 3 5は流量制御弁 6 4が設備さ れた窒素ガス供給ライン 6 3を介して窒素ガス供給源 6 0に接続されており、 流 量制御弁 6 4は制御装置 4 0によって制御されるように構成されている。 なお、 待機室 3 3の他の側壁にはゲ一トバルブによって開閉されるウェハ搬入搬出口が 開設されている。 待機室 3 3の内部にはシールキャップ 2 0を昇降させるポート エレべ一夕 （図示せず） が設置されている。
次に、前記構成に係る C V D装置を使用した本発明の一実施の形態である I C の製造方法の成膜工程を、 ウェハにド一プドポリシリコン膜を形成する場合につ いて説明する。
複数枚のウェハ 1がボート 2 1に装填されるウェハチヤ一ジングステップにお いては、 第 1図に示されているように、 ボート 2 1が待機室 3 3に待機された状 態で、 複数枚のウェハ 1がボート 1にウェハ移載装置 （wafer transfer equip merit )によって装填されて行く。 この際、 待機室 3 3は窒素ガス供給管 3 5によ つて供給された窒素ガスによってパージされる。 すなわち、 制御装置 4 0は窒素 ガス流量制御弁 6 4を制御することによつて窒素ガス供給源 6 0の窒素ガスを窒 素ガス供給ライン 6 3を通じて窒素ガス供給管 3 5から待機室 3 3に供給させ、 第 6図 （a ) に示されているように、待機室 3 3の圧力を大気圧 （約 1 0 1 3 h F a ) に維持する。 この待機室 3 3の窒素ガスパージによって、 ウェハ 1におけ る自然酸化膜の生成を防止しつつ、 大気圧下でのウェハチヤ一ジング作業を実施 することができる。 この際、炉ロゲートバルブ 2 9は閉じられている。 所定の枚数のウェハ 1が装填されたポ一ト 1が処理室 1 4にポ一トローディ ングされるボ一トロ一ディングステツプにおいては、炉ロゲ一トバルブ 2 9が開 けられ炉ロ 1 5が開口された後に、 ポート 2 1はボートエレベータによって差し 上げられてィンナチューブ 1 2の炉ロ 1 5から処理室 1 4にボ一ト口一ディング されて行き、第 2図に示されているように、炉ロ 1 5を気密シールしたシールキ ャッフ ° 2 0に支持されたままの状態で、処理室 1 4に存置される。 このポート口 —デイングに際して、待機室 3 3および処理室 1 4はそれぞれ 2 0 O P aとなる ように窒素ガス供給管 3 5およびガス供給管 1 9から窒素ガスを供給しつつ、 排 気管 3 4およびお気管 1 7によってそれぞれ排気される。 すなわち、制御装置 4 0は窒素ガス流量制御弁 6 4を制御することによつて窒素ガス供給管 3 5から待 機室 3 3への窒素ガス流量を制御し、 流量制御弁 4 6を制御することによって待 機室 3 3を排気し、 第 6図 （a ) に示されているように、待機室 3 3を 2 0 O F aまで減圧して維持する。 また、制御装置 4 0は窒素ガス流量制御弁 6 2を制御 することによってガス供給管 1 9から処理室 1 4への窒素ガス流量を制御し、 流 量制御弁 4 3を制御することによって処理室 1 4を排気し、 第 6図 （b ) に示さ れているように、処理室 1 4の圧力を 2 0 O P aに維持する。 この際、炉ロゲ一 トバルブ 2 9は閉じられており、炉ロ 1 5が気密にシールされている。 また、 処 理室 1 4の温度は熱処理温度 （例えば、 5 3 0 °C ) を維持するように制御されて いる。 この状態すなわち待機室 3 3と処理室 1 4との圧力が略等しくなつた状態 で、 炉ロゲ一トバルブ 1 9が開けられることにより、 処理室 1 4と待機室 3 3が 連通し、 2 0 0 F aの圧力のもとポート口一ディングが行われる。
処理室 1 4においてポート 2 1によって保持されたウェハ 1を処理する処理ス テツプにおいては、処理室 1 4の内部が所定の真空度 ( 1 1 O P a ) となるよう にガス供給管 1 9から窒素ガスを流しつつ、 排気管 1 7によって排気される。 す なわち、 制御装置 4 0は窒素ガス流量制御弁 6 2を制御することによってガス供 給管 1 9から処理室 1 4への窒素ガス流量を制御し、 流量制御弁 4 3を制御する ことによって処理室 1 4を排気し、 第 6図 （b ) に示されているように、処理室 1 4の圧力を 1 1 0 P aに減圧する。 次いで、処理ガス 3 6が処理室 1 4にガス 供給管 1 9によって供給され、 ウェハ 1の表面に所望の成膜としてのドープドポ リシリコン膜 2が熱 C V D法により堆積 （デポジション） される。 すなわち、制 御装置 4 0は成膜ガス流量制御弁 5 2を制御することによつて処理ガス 3 6とし てのモノシラン （S i H 4 ) ガスおよびホスフィン （P H 3 ) ガスを処理室 1 4 へガス供給管 1 9によって供給する。 供給された処理ガス 3 6はインナチューブ 1 2の処理室 1 4を上昇し、 上端開口からインナチューブ 1 2とァゥ夕チューブ 1 3との隙間によって形成された排気路 1 8に流出して排気管 1 7から排気され る。
予め設定された処理時間が経過すると、 シールキャップ 2 0が下降されて処理 室 1 4の炉ロ 1 5が開口されるとともに、 ポート 2 1に保持された状態でウェハ 1群が炉ロ 1 5からプロセスチューブ 1 1の外部に搬出 （ポートアン口一ディン グ） される。 このポートアン口一ディングステップにおいては、 第 6図に示され ているように、処理室 1 4の圧力は 2 0 0 P aに： t曽圧され、 2 0 0 P aに維持さ れている待機室 3 3の圧力と略同一となる。 すなわち、制御装置 4 0は窒素ガス 流量制御弁 6 2を制御することによってガス供給管 1 9から処理室 1 4への窒素 ガス流量を制御し、 流量制御弁 4 3を制御することによって、 第 6図 （b ) に示 されているように、処理室 1 4の圧力を 2 0 0 P aに増圧し維持する。 このよう にして、 ボートアンローデイングステップが 2 0 0 P aのような低圧下において 実施されると、処理済のウェハ 1の自然酸化膜の生成をきわめて効果的に防止す ることができる。
待機室 3 3にボートアン口一ディングされたボート 1 1から処理済のウェハ 1 が脱装されるウェハデイスチヤ一ジングステップにおいては、 第 6図 （a ) に示 されているように、待機室 3 3は窒素ガス供給管 3 5によって供給された窒素ガ スによってパージされる。 すなわち、 制御装置 4 0は窒素ガス流量制御弁 6 4を 制御することによって窒素ガス供給源 6 0の窒素ガスを窒素ガス供給ライン 6 3 を通じて窒素ガス供給管 3 5から待機室 3 3に供給させ、 第 6図 （a ) に示され ているように、待機室 3 3の圧力を大気圧まで増圧して維持する。 この待機室 3 3の窒素ガスパージによって、高温になった処理済のウェハ 1を強制的に冷却す ることができる。 処理済のウェハ 1の温度がウェハ移載装置の取扱可能温度まで 低下すると、処理済のウェハ 1群がボート 2 1からウェハ移載装置によって脱装 される。 この際、待機室 3 3は窒素ガスパージされているので、 処理済のウェハ 1における自然酸化膜の生成を防止しつつ、 大気圧下でのウェハデイスチヤ一ジ ング作業を実施することができる。 以降、 前述した各ステップが反復されること により、 成膜工程が繰り返し実施されて行く。
以上の成膜工程において、 ウェハ 1が処理温度に維持された処理室 1 4にボ一 トロ一デイングされる際には、 ウェハ 1の温度はヒータュニット 3 0に近い側で ある周辺部から上昇し遠い側である中央部が遅れて上昇する状態になり、 このゥ ェハ 1の面内の温度差とウェハ 1の自重との関係により、 ウェハ 1は凹形状 （中 央部が下がり周辺部が上がった形状） に反る現象が起こる。 このウェハ 1の反り に伴って、 ボート 2 1の保持溝 2 5の保持面 2 6とウェハ 1の下面における周辺 部の被保持面とが擦れ合うため、 前の成膜工程でポート 2 1に被着された脆弱な 膜が剥離する。 剥離した膜はノ、"一ティクルとなつて保持溝 5の保持面 2 6から 溢れ落ちて、 直下のウェハ 1における I Cが作り込まれる面である上面に付着す るため、 I Cの製造方法の歩留りを低下させる原因になる。
しかし、 本実施の形態においては、 ウェハ 1は保持溝 2 5の保持面 2 6の中央 部に突設された凸部 2 8によつて保持面 2 6から浮き上げられた状態で保持され ているため、 ボート 2 1の凸部 2 8とウェハ 1の被保持面との間に摩擦が発生し て膜が剥離したとしても、剥離によるパーティクルはポート 2 1の保持面 2 6に 落下して受け止められることによりウェハに落下するのを防止される。 つまり、 ボート 2 1の凸部 2 8とウェハ 1の被保持面との間に摩擦が発生して膜が剥離し たとしても、 剥離によるパーティクルは直下のウェハ 1における I Cが作り込ま れる面である上面に付着するのを防止することができるため、 パーティクルの発 生による I Cの製造方法の歩留りの低下を防止することができる。 したがって、 保持面 2 6はウエノ、 1を支持する支持部である凸部 2 8によって発生するパーテ ィクルを受け止める受け皿部を構成している。
第 4図は保持面の形状とパーティクルの増加量との関係を示すグラフである。 ここで、パ一ティクルの増加量とは処理前のパーティクル量に対する処理後のパ —ティクルの増加量を意味する。 第 4図において、縦軸には 0 . 1 6 / mのパ一 ティクルの増加個数が取られており、 横軸には凸部の無い従来の場合と、 凸部の 有る本実施の形態の場合とが示されている。 各場合における棒 T O Pはボートの トップ部におけるパ一ティクルの増加個数を示し、棒 B 0 T T 0 Mはポートのポ トム部におけるパーティクルの増加個数を示している。 なお、実験条件は各場合 相互において同一であり、 ボ一トローデイングステップにおける処理室 1 4の温 度は 5 3 0 °Cに設定し、待機室 3 3および処理室 1 4の圧力は 2 0 O P aに設定 した。 第 4図によれば、 本実施の形態においては、 トップ部およびボトム部のい ずれについてもパーティクルの増加個数を 2 0個以下に低減することが理解され る。
第 5図はパーティクルの分布図であり、 （a ) は凸部の無い従来の場合を示し ており、 （b ) は凸部の有る本実施の形態の場合を示している。 第 5図 （a ) に 示された凸部の無い従来例の場合においては、 パーティクルが保持部衬 2 4に対 応する部位に偏在している。 これに対して、第 5図 （b ) に示された凸部の有る 本実施の形態の場合においては、パ一ティクルが保持部材 2 4に対応する部位に 偏在せず、 全体的に散在している。 これはパーティクルが保持面 2 6に受け止め られることにより、 ウェハ 1の上面に落下していないことを示しているものと、 考察される。
ところで、 ポート口一ディングステップにおける待機室および処理室の圧力が 低くなるほどパーティクルの発生量が多くなり、高くなるほどパーティクルの発 生量が少なくなる。 第 4図の場合においては、 ボート口一ディングステツプにお ける待機室 3 3および処理室 1 4の圧力は 2 0 O P aと低く設定されているが、 パーティクルの増加個数は 2 0個以下に抑制されている。 したがって、 本実施の 形態に係るポ一トロ一デイングステップにおける待機室 3 3および処理室 1 4の 圧力は、 2 0 0 P a以上に設定することが望ましい。
但し、 ボートローデイングステップにおける待機室 3 3および処理室 1 4の圧 力をむやみに高くすると、処理ステップにおける処理圧力 （本実施の形態におい ては、 1 1 O P a ) との差が大きくなることにより、 圧力調整時間が長くなつて しまう。 また、 圧力を高く設定し過ぎると、 自然酸化膜の増加を充分に抑制する ことができなくなってしまう。 例えば、 ボートローデイングステップにおける圧 力を比較的に高い圧力である大気圧 （約 1 0 1 3 h F a ) に設定すると、 圧力調 整に時間がかかりスループッ トに悪影響が及ぶことになり、 また、 自然酸化膜の 抑制も不充分になる。 そのため、 ポートローデイングステップにおける待機室 3
3および処理室 1 4の圧力は大気圧よりも低い圧力、 例えば、 3 0 0 0 P a以下 とすることが好ましい。 大気圧よりも低い圧力、好ましくは 3 0 0 0 P a以下に 設定すれば、 ボート口一ディングステップから処理ステップへの以降に際しての 圧力調整時間をスループットに影響を及ぼさない程度の時間とすることができ、 しかも、 自然酸化膜の生成を充分に防止することができる。 要するに、 ボート口 —ディングステップにおける待機室および処理室の圧力は、 2 0 0 F a以上で大 気圧未満、好ましくは 2 0 0 P a以上で 3 0 0 0 P a以下に設定することが望ま しい。
前記した実施の形態によれば、 次の効果が得られる。
① ウェハを保持溝の保持面の中央部に突設した凸部によつて保持面から浮き上 げた状態で保持することにより、 ボートの凸部とウェハの被保持面との間に摩擦 が発生して先に被着された被膜が剥離したとしても、 剥離によるパ一ティクルを ポートの保持面によって受け止めることにより、パーティクルがウェハに落下す るのを防止することができる。
② ボ一トの凸部とゥェハの被保持面との間に摩擦が発生して被膜が剥離したと しても、剥離によるパーティクルが直下のウェハにおける I Cが作り込まれる面 である上面に付着するのを防止することができるため、 パーティクルの発生によ る I Cの製造方法の歩留りの低下を防止することができる。
③ ポ一トローデイングステップにおける待機室および処理室の圧力を、 2 0 0 P a以上で大気圧未満、 好ましくは 2 0 0 P a以上で 3 0 0 0 P a以下に設定す ることにより、 ボ一トロ一ディングステップから処理ステップへの以降に際して の圧力調整時間をスループットに影響を及ぼさない程度の時間とすることができ るし、 かつ、 自然酸ィ匕膜の生成を充分に防止することができるため、 スループッ トの低下を防止しつつ、 自然酸化膜の生成を確実に防止することができる。 第 7図は本発明の第二の実施の形態である C V D装置のボートの保持溝の部分 を示す斜視図である。 第 8図は本発明の第二の実施の形態である I Cの製造方法 の成膜工程における圧力に関するタイムチャートである。 第 9図は受け皿部の大 きさとパーティクルの増加量との関係を示すグラフであり、 第 1 0図はその実験 に使用された受け皿部のそれぞれを示す比較図である。 第 1 1図はパーティクル の低減効果を示す分布図である。
第 7図に示されているように、 本実施の形態に係るボート 2 1の保持部材 2 4 における保持溝 2 5の部分には、 ウェハ 1の下面に接触して支持する支持部 2 8 Aがウェハ 1の径方向内向きに水平に突設されているとともに、 支持部 2 8 Aの 下には支持部 2 8 Aで発生するパーティクルを受け止める受け皿部 2 6 Aが、 支 持部 2 8 Aの外周縁の一部すなわち支持部 2 8 Aの外周縁のうち保持部材 1 4の 支柱部分と接していない部分の三方から外方に延び出るようにウェハ 1の径方向 内向きに水平に突設されている。 支持部 2 8 Aは保持部材 2 4と同質の材料が使 用されて平面視が長方形の直方体形状に形成されている。 受け皿部 2 6 Aは支持 部 2 8 Aと同質の材料が使用されて平面視が長方形の平板形状に形成されている 。 受け皿部 2 6 Aの支持部 2 8 Aの外周縁の保持部材 2 4の支柱部分と接してい ない部分の三方から外方への延び出し量 L (第 7図に示された支持部 2 8 Aのェ ッジから受け皿 ¾3 2 6 Aのエッジまでの距離 L ) は、 6 mm以上、好ましくは 6 mm〜 5 mmに設定することが望ましい。
次に、前記構成に係るボートを有する C V D装置を使用した本発明の第二の実 施の形態である I Cの製造方法の成膜工程を、 ウェハ上に窒化シリコン （S i 3 N 4 ) 膜を形成する場合を例にして、 第 8図について説明する。
複数枚のウェハ 1がポート 2 1に装填されるウェハチヤ一ジングステップにお いては、 第 8図 （a ) に示されているように、待機室 3 3が窒素ガスによってパ —ジされることにより、待機室 3 3の圧力は大気圧 （約 1 0 1 3 h P a ) に維持 される。 この待機室 3 3の窒素ガスパージによって、 ウェハ 1における自然酸化 膜の生成を防止しつつ、 大気圧下でのゥェハチヤージング作業を実施することが できる。
所定の枚数のウェハ 1が装填されたポ一ト 2 1が処理室 1 4にボ一トローディ ングされるボートローデイングステップにおいては、第 8図 （a ) に示されてい るように、待機室 3 3は 2 0 0 P aまで減圧されて維持され、 また、第 8図 （b ) に示されているように、 処理室 1 4の圧力は 2 0 0 P aに維持される。 この際 、処理室 1 4の温度は熱処理温度である 7 5 0°Cを維持するように制御されてい るが、 ボート 2 1の搬入に伴って若干低下する。
ポート 2 1によって保持されたウェハ 1群を処理する処理ステップにおいては 、 第 8図 （b) に示されているように、処理室 1 4の圧力は 3 0 P aに減圧され る。 この際、待機室 3 3の圧力は 20 O F aに維持される。 次いで、処理ガスと してのジクロルシラン （S i H2 C l 2 ) ガスおよびアンモニア （NH3 ) が処 理室 1 4へ供給され、窒化シリコン （S i 3 N4 ) 膜がウェハ 1の上に堆積され る。
予め設定された処理時間が経過した後のボートアン口一ディングステツプにお いては、第 8図 （a) に示されているように、処理室 1 4の圧力は 2 0 0 P aに 増圧され、 20 O P aに維持されている待機室 3 3の圧力と略等しくされる。 こ のようにして、 ボートァンロ一ディングステツプが 2 0 0 F aのような低圧下に おいて実施されると、処理済のウェハ 1の自然酸化膜の生成をきわめて効果的に 防止することができる。
待機室 3 3にポ一ト口一ディングされたボート 2 1から処理済のウェハ 1が脱 装されるウェハデイスチヤ一ジングステツプにおいては、 第 8図 (a) に示され ているように、待機室 3 3は窒素ガスによってパージされることにより、 待機室 3 3の圧力は大気圧に増圧されて維持される。 この待機室 3 3の窒素ガスパージ によって、 高温になった処理済のウェハ 1を強制的に冷却することができる。 処 理済のウェハ 1の温度がウェハ移載装置の取扱可能温度まで低下すると、 処理済 のウェハ 1群がボート 2 1からウェハ移載装置によって脱装される。 この際、 待 機室 3 3は窒素ガスパージされているので、 処理済のウェハ 1における自然酸化 膜の生成を防止しつつ、 大気圧下でのウェハデイスチヤ一ジング作業を実施する ことができる。 以降、 前述したステップが反復されることにより、 成膜工程が繰 り返し実施されて行く。
以上の成膜工程において、 ウェハ 1が処理温度に維持された処理室 1 4にボー トロ一ディングされる際には、 ウェハ 1の温度はヒータュニット 3 0に近い側で ある周辺部から上昇し遠い側である中央部が遅れて上昇する状態になり、 このゥ ェハ 1の面内の温度差とウェハ 1の自重との関係により、 ウェハ 1は凹形状 （中 央部が下がり周辺部が上がった形状） に反る現象が起こる。 このウェハ 1の反り に伴って、 ボート 2 1の支持部 2 8 Aとゥ ノヽ 1の下面における周辺部の被保持 面とが擦れ合うため、前の成膜工程でポート 2 1に被着された脆弱な膜が剥離し て落下するが、 落下したパーティクルは支持部 2 8 Aの下の受け皿部 2 6 Aに受 け止められることにより、 ウェハに落下するのを防止される。 つまり、 ポート 2 1の支持部 2 8 Aとウェハ 1の被保持面との間に摩擦が発生して膜が剥離したと しても、 剥離によるパーティクルは直下のウェハ 1における I Cが作り込まれる 面である上面に付着するのを防止することができるため、 パーティクルの発生に よる I Cの製造方法の歩留りの低下を防止することができる。
第 9図は受け皿部の大きさとパーティクルの増加量との関係を示すグラフであ る。 ここで、パーティクルの増加量とは処理前のパーティクル量に対する処理後 のパ一ティクルの増加量を意味する。 第 9図において、 縦軸には 0 . 超の パーティクルの増加個数が取られており、 横軸には第 1 0図に示された比較例お よび実施例が取られている。 なお、実験条件は各場合相互において同一であり、 ポートローディングステップにおける処理室 1 4の温度は 7 5 0 °Cに設定し、待 機室 3 3および処理室 1 4の圧力は 2 0 0 F aに設定した。
第 9図によれば、従来例の場合にパーティクルの増加量は 1 3 3個であるのに 対し、 実施例 1、実施例 2、実施例 3、実施例 4の場合にはパーティクルの増加 量は、 それぞれ 4 5個、 2 2個、 1 0ィ固、 1 1個となり、 いずれの場合において も 4 5個以下に低減し得ることが、 理解される。 すなわち、受け皿部 2 6 Aの支 持部 2 8 Aの先端の片側のコーナ一からの延び出し量 Lを 1 mm以上に設定する ことにより、パーティクルの増加量を 4 5個以下に低減することができる。 また 、 受け皿部 2 6 Aの延び出し量 Lを 6 mm以上に設定すれば、 パーティクルの増 加量を 2 0個程度以下に低減することができる。 さらに、受け皿部 2 6 Aの延び 出し量 Lを 1 O mm以上に設定すれば、 パーティクルの増加量を 1 0個程度以下 に低減することができる。 また、実施例 3と実施例 4との比較から明らかな通り 、 受け皿部 2 6 Aの延び出し量 Lが 1 5 mmの実施例 4の場合においてパーティ クルの低減の効果は飽和する。 つまり、 受け皿部 2 6 Aの支持部 2 8 Aの外周縁 からの延び出し量 Lは 2 mn！〜 1 5 mmに設定することが望ましい。 さらに、望 ましくは 6 mm〜 l 5 mmに設定するのがよい。
第 1 1図はパーティクルの分布図であり、 （a ) は受け皿 35の無い第 1 0図の 従来例の場合を示しており、 （b ) は第 1 0図の実施例 4の場合を示している。 第 1 1図 （a ) に示された従来例の場合においては、 パーティクルが保持部材 2 4に対応する部位に偏在している。 これに対して、 第 1 1図 （b ) に示された実 施例 4の場合においては、 パーティクルが保持部材 2 4に対応する部位に偏在せ ず、 全体的に散在している。 これはパーティクルが受け皿部 2 6 Aに受け止めら れることにより、 ウェハ 1の上面に落下していないことを示しているものと、考 察される。
以上説明したように、本実施の形態においても、前記実施の形態と同様の効果 を得ることができる。
第 1 1図は本発明の第三の実施の形態である C V D装置のポートの保持溝の部 分を示しており、 （a ) は斜視図、 （b ) は平面断面図、 （c ) は正面断面図で ある。
本実施の形態においては、第一実施の形態および第二実施の形態と同様に、 ボ —トは保持部材を複数本例えば 3本備えている。 第 1 2図に示されているように 、本実施の形態に係るボート 2 1の保持部材 2 4 Bは円柱形状に形成されており 、保持溝 2 5 Bは保持部材 2 4 Bの外周面におけるウェハ 1の中心に向いた部分 に切削加工によって形成されている。 保持溝 2 5 Bにはウェハ 1の下面に接触し て支持する支持部 2 8 Bがウェハ 1の径方向内向きに水平に形成されているとと もに、 支持部 2 8 Bで発生するパーティクルを受け止める受け皿部 2 6 Bが支持 部 2 8 Bよりも低い位置 （支持部 8 Bの下方） に支持部 2 8 Bのエツジ全体に わたって形成されている。 支持部 2 8 Bは平面視の形状が山形、 正確には台形の 平板形状に形成されており、 山の頂部すなわち台形の上底 （短い方の辺） がゥェ ハ 1の中心を向き、 山の底部すなわち台形の下底 （長い方の辺） がウェハ 1の中 心側と反対側を向いた形状に形成されている。 すなわち、 支持部 2 8 Bは平面視 において第 1 2図 （b ) にハッチングで示された保持部材 2 4 Bの支柱の部分側 からウェハ 1の中心方向に向かうに従い、 その幅が狭くなる形状に形成されてい る。 また支持部 2 8 Bの台形の上底部のウェハを載置する部分には、 R面取りが 施されている。 この台形形状の支持部 2 8 Bは保持溝 2 5 Bの切削加工に際して 同時に形成することができる。 受け皿部 2 6 Bの平面視の形状は保持部材 2 4 B の受け皿部 2 6 Bの部分の円形断面から保持部材 2 4 8の第1 2図 （13 ) のハッ チングで示された支柱の部分の断面形状と支持部 2 8 Bの台形形状とを切り欠い た形状になっており、 受け皿部 2 6 Bは保持部材 2 4 Bの支柱の部分から支持部 2 8 Bのエッジ （台形の二つの斜辺と上底） にかけてこれらに沿うように連続的 に設けられる。 受け皿部 2 6 Bは保持部材 2 4 Bに保持溝 2 5 Bと支持部 2 8 B とを切削加工する際に、 同時に形成することができる。
本実施の形態によれば、前述した実施の形態に係る効果に加えて次のような効 果が得られる。 受け皿部 2 6 Bおよび支持部 2 8 Bは保持溝 2 5 Bの保持部材 2 4 Bへの切削加工のみにより同時に形成することができるので、 加工工数を低減 することができ、 また、 支持部 2 8 Bと受け皿部 1 6 Bと保持部材 2 4 Bとを一 体ものとして形成できるので部品点数を減らすことができ、 ポートひいては C V D装置の製造コストを低減することができる。 支持部 2 8 Bは平面視が台形の平 板形状に形成されており、 ウェハ 1の中心に向かう方向に行くに従って幅が狭く なるように形成されているので、.保持部材 2 4 Bの切削加工が容易となり、 さら に、 保持部材 2 4 Bの機械的強度を維持しつつウェハとの接触面積を小さくする ことができる。 すなわち、 ボートの加工が容易となるだけでなく、 ポートがゥェ 八の重量を支持する際の構造強度を充分に確保すると同時に、 ウェハとの接触面 積を小さくしてウェハの裏面に対する接触による汚染 （コン夕ミネ一シヨン） の 度合いを低減することができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、 その要旨を逸脱し ない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、 ド一プドポリシリコン膜ゃ窒化シリコン膜の成膜工程に限らず、 ノン ド一プポリシリコン膜、 ノンド一プアモルファスシリコン膜、 ド一プドアモルフ ァスシリコン膜、酸化シリコン膜、 さらには、酸ィ匕タンタル膜、 酸化ジルコユウ ム膜等の金属酸化膜等、 C V Dによる成膜工程全般に適用することができる。 特 に、 C V Dによる成膜工程の場合には前の工程で、 ボ一トに被着した膜の支持部 における剥離による影響を防止できるので好ましい。 半導体装置の製造方法の特徴を実施する半導体製造装置は、 ァウタチューブと ィンナチューブとからなるプロセスチューブを備えたバッチ式縦形ホットウォー ル形減圧 C V D装置に限らず、 ァウタチューブだけのプロセスチューブを備えた ものや枚葉式 C V D装置等の他の C V D装置、 さらには、各種の熱処理工程を実 施する熱処理装置 (furnace ) であってもよい。
前記実施の形態ではウェハに処理が施される場合について説明したが、処理対 象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、 コンパクトディスクおよび磁 気ディスク等であってもよい。 産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明によれば、減圧下での基板の被保持面からのパー ティクルによる歩留りの低下を防止することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
. 少なくとも 1枚の基板を処理する処理室と、 前記少なくとも 1枚の基板を支 持する基板支持体と、 この基板支持体を収容する予備室と、前記少なくとも 1枚の基板を支持した前記基板支持体を前記予備室から前記処理室へ搬入す る際の圧力が大気圧よりも低い圧力となるように制御する制御装置とを有す る基板処理装置であって、 前記基板支持体は前記基板と接触する支持部と、 この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出 た受け皿部とを有することを特徴とする基板処理装置。
, 前記制御装置は前記搬入時の圧力が前記搬入前に前記予備室内を一旦真空引 きする時の圧力よりも高く、 大気圧よりも低い圧力になるように制御するこ とを特徴とする請求の範囲第 1項記載の基板処理装置。
. 前記制御装置は前記搬入時の圧力が前記基板処理時の圧力よりも高く、 大気 圧よりも低い圧力になるように制御することを特徴とする請求の範囲第 1項 記載の基板処理装置。
. 前記制御装置は前記搬入時の圧力が 2 0 0 F a以上、 3 0 0 0 P a以下の圧 力になるように制御することを特徴とする請求の範囲第 1項記載の基板処理 . 少なくとも 1枚の基板を処理する処理室と、 この処理室内で前記少なくとも 1枚の基板を支持する基板支持体と、 前記処理室内の前記少なくとも 1枚の 基板を加熱するヒータとを有し、 C V D法によって前記少なくとも 1枚の基 板の上に薄膜を堆積させる処理を実施する基板処理装置であつて、 前記基板 支持体は前記少なくとも 1枚の基板と接触する支持部と、 この支持部の下方 に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有 し、 前記受け皿部は前記支持部で発生したパーティクルを受け止めるように 構成されていることを特徴とする基板処理装置。
. 前記処理温度が 8 0 0 °C以下の温度となるように制御する制御手段を有する ことを特徴とする請求の範囲第 5項記載の棊板処理装置。
. 前記処理温度が 4 0 0 °C以上、 8 0 0 °C以下の温度となるように制御する制 御手段を有することを特徴とする請求の範囲第 5項記載の基板処理装置。 前記薄膜とはシリコン膜または窒ィヒシリコン膜であることを特徴とする請求 の範囲第 5項記載の基板処理装置。
少なくとも 1枚の基板を処理する処理室と、 この処理室内で前記少なくとも
1枚の基板を支持する基板支持体とを有する基板処理装置であつて、 前記基 板支持体は前記基板と接触する支持部と、 この支持部の下方に設けられてこ の支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有し、 前記受け皿 部は前記支持部の外周縁の一部から 6 mm以上、 1 5 mm以下だけ外方に延 び出ていることを特徴とする基板処理装置。
. 少なくとも 1枚の基板を処理する処理室と、 この処理室内で前記少なくと も 1枚の基板を支持する基板支持体とを有する基板処理装置であって、前記 基板支持体は本体部と、前記基板と接触する支持部と、 この支持部の下方に 設けられてこの支持部の外周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有し 、 前記本体部と前記支持部と前記受け皿部とは一体のものとして構成されて いることを特徴とする基板処理装置。
. 基板と接触する支持部と、 この支持部の下方に設けられてこの支持部の外 周縁の一部から外方に延び出た受け皿部とを有する基板支持体に少なくとも
1枚の基板を支持するステップと、 前記少なくとも 1枚の基板を支持した前 記基板支持体を大気圧よりも低い圧力で処理室に搬入するステップと、 前記 処理室において前記基板支持体によつて支持された前記基板を処理するステ ップと、 前記基板を支持した基板支持体を前記処理室から搬出するステツプ とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
. 前記搬入ステップでの圧力を、前記搬入前に前記予備室内を一旦真空引き する時の圧力よりも高く、 大気圧よりも低い圧力とする請求の範囲第 1 1項 記載の半導体装置の製造方法。
. 前記搬入ステップでの圧力を、前記基板処理時の圧力よりも高く、 大気圧 よりも低い圧力とする請求の範囲第 1 1項記載の半導体装置の製造方法。 . 前記搬入ステップでの圧力を、 2 0 0 P a以上、 3 0 0 0 P a以下の圧力 とする請求の範囲第 1 1項記載の半導体装置の製造方法。
. 少なくとも 1枚の基板を処理室内に搬入するステップと、 基板と接触する 支持部と、 この支持部の下方に設けられてこの支持部の外周縁の一部から外 方に延び出た受け皿部とを有し、 前記受け皿部は前記支持部で発生したパー ティクルを受け止めるように構成された基板支持体により前記少なくとも 1 枚の基板を支持するステップと、 前記処理室で前記少なくとも 1枚の基板を 前記基板支持体によって支持した状態で C V D法によって前記少なくとも 1 枚の基板の上に薄膜を堆積させるステップと、 前記基板を前記処理室から搬 出するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
. 前記堆積ステップでの温度を 8 0 0 °C以下とすることを特徴とする請求の 範囲第 1 5項記載の半導体装置の製造方法。
. 前記堆積ステップでの温度を 4 0 0 °C以上、 8 0 0 °C以下とすることを特 徴とする請求の範囲第 1 5項記載の半導体装置の製造方法。
. 前記堆積ステップで前記基板の上に堆積させる薄膜は、 シリコン膜または 窒化シリコン膜であることを特徴とする請求の範囲第 1 5項記載の半導体装 置の製造方法。 '
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008311254A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Covalent Materials Corp 縦型ウエハボート
CN114672782A (zh) * 2022-04-14 2022-06-28 西安交通大学 薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置及监测方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100765681B1 (ko) * 2003-09-19 2007-10-12 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP2006079800A (ja) * 2004-08-11 2006-03-23 Showa Denko Kk 磁気記録媒体用シリコン基板及びその製造方法並びに磁気記録媒体
JP2006114198A (ja) * 2004-09-17 2006-04-27 Showa Denko Kk 磁気記録媒体用シリコン基板及び磁気記録媒体
KR100588217B1 (ko) * 2004-12-31 2006-06-08 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법
JP2008091761A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5222652B2 (ja) 2008-07-30 2013-06-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2011119644A (ja) * 2009-10-30 2011-06-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
KR101150850B1 (ko) * 2010-01-22 2012-06-13 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 세정장비용 카세트 지그 및 이를 구비한 카세트 어셈블리
US8383428B2 (en) * 2011-04-15 2013-02-26 J-Solution Co., Ltd. Exhaust pressure detector
US8785303B2 (en) 2012-06-01 2014-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for depositing amorphous silicon
JP6560767B2 (ja) * 2016-02-10 2019-08-14 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、基板保持具及び半導体装置の製造方法
JP6469046B2 (ja) * 2016-07-15 2019-02-13 クアーズテック株式会社 縦型ウエハボート
CN109003928B (zh) * 2018-07-21 2021-03-09 江苏德尔科测控技术有限公司 一种硅片承载装置
CN113327884B (zh) * 2020-02-29 2023-10-17 长鑫存储技术有限公司 晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07109574A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Ulvac Japan Ltd 窒化ケイ素膜の形成方法
JPH11186247A (ja) * 1997-12-17 1999-07-09 Toshiba Corp 汚染金属の除去方法及び結合生成物の処理方法
JP2000091406A (ja) * 1998-09-08 2000-03-31 Mitsubishi Materials Silicon Corp ウェーハ保持具
JP2000106349A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Technisco:Kk ウエーハ支持装置
JP2000182979A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Tokyo Electron Ltd 被処理体支持具
US6099302A (en) * 1998-06-23 2000-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor wafer boat with reduced wafer contact area
JP2002217275A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd 縦型ボート

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0645333A (ja) 1992-07-24 1994-02-18 Ricoh Co Ltd 半導体装置
JP3507975B2 (ja) * 1997-04-15 2004-03-15 東芝セラミックス株式会社 縦型ウエハボート
US6872636B2 (en) * 2001-03-21 2005-03-29 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method for fabricating a semiconductor device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07109574A (ja) * 1993-10-12 1995-04-25 Ulvac Japan Ltd 窒化ケイ素膜の形成方法
JPH11186247A (ja) * 1997-12-17 1999-07-09 Toshiba Corp 汚染金属の除去方法及び結合生成物の処理方法
US6099302A (en) * 1998-06-23 2000-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor wafer boat with reduced wafer contact area
JP2000091406A (ja) * 1998-09-08 2000-03-31 Mitsubishi Materials Silicon Corp ウェーハ保持具
JP2000106349A (ja) * 1998-09-28 2000-04-11 Technisco:Kk ウエーハ支持装置
JP2000182979A (ja) * 1998-12-11 2000-06-30 Tokyo Electron Ltd 被処理体支持具
JP2002217275A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Shin Etsu Handotai Co Ltd 縦型ボート

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008311254A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Covalent Materials Corp 縦型ウエハボート
CN114672782A (zh) * 2022-04-14 2022-06-28 西安交通大学 薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置及监测方法

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