KR101023364B1 - 기판 처리 장치, 기판 지지체 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 지지체 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

보트(21)의 유지홈(25)의 받이 접시부(26)의 중앙부에 웨이퍼(1)를 받는 지지부(28)를 돌출하여 마련해두고, 웨이퍼(1)이 지지부(28)에 받아들여져 정렬된 보트(21)가 대기실(33)로부터 처리실(14)로 보트 로딩될 때, 대기실(33) 및 처리실(14)의 압력을 200Pa 이상 3000Pa 이하로 설정한다. 웨이퍼를 지지부로 받이 접시부로부터 부상시켜 유지하는 것에 의해, 감압하에서 지지부와 웨이퍼의 피지지면 사이에 큰 마찰력이 발생하여 웨이퍼의 피막이 박리되더라도, 박리에 의한 파티클이 받이 접시부에 의해서 받아내지기 때문에, 받이 접시부 바로 아래의 웨이퍼의 IC가 만들어 넣어지는 면에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판 처리 장치, 기판 지지체 및 반도체 장치의 제조 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS, SUBSTRATE SUPPORTER AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 집적 회로 장치(이하, IC라고 한다.)의 제조 방법으로서, 예를 들면, 반도체 소자를 포함하는 집적 회로가 만들어 넣어지는 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 한다.)에 도프드 폴리 실리콘(doped poly Si)막이나 논 도프드 폴리 실리콘(non doped po1y Si)막이나 질화 실리콘(Si3N4)막이나 산화 실리콘(SiOx)막 등의 막을 열 CVD 장치를 사용하여 퇴적(데포지션)시키는 공정에 이용하기에 유효한 기술에 관한 것이다.
IC의 제조 방법에 있어서는, 웨이퍼에 도프드 폴리 실리콘(doped poly Si)막이나 논도프드 폴리 실리콘(nondoped poly Si)막이나 질화 실리콘막이나 산화 실리콘막 등의 CVD 막을 형성하는 공정에 배치식 종형 핫월형 감압 CVD 장치가 널리 사용되고 있다. 배치식 종형 핫월형 감압 CVD 장치(이하, CVD장치라고 한다.)는 웨이퍼가 수용되는 내부 튜브 및 내부 튜브를 둘러싸는 외부 튜브로 구성되고 종형으로 설치된 프로세스 튜브와, 프로세스 튜브에 의해서 형성된 처리실로 성막 가스 등을 공급하는 가스 공급관과, 처리실을 진공배기하는 배기관과, 프로세스 튜브 외에 부설되고 처리실을 가열하는 히터유닛과, 복수매의 웨이퍼를 복수단의 유지홈에 의해서 유지하고 처리실에 대해 반입 반출하는 보트와, 처리실로의 반입 반출에 대해서 보트가 대기하는 대기실을 구비하고 있고, 대기실에 있어서 복수매의 웨이퍼가 보트에 장전(웨이퍼 챠징)된 후에, 대기실로부터 예열된 처리실에 반입(보트 로딩)되고, 처리실로 성막 가스가 가스 공급관으로부터 공급됨과 동시에, 처리실이 소정의 열처리온도로 히터유닛에 의해서 가열되는 것에 의해, 웨이퍼의 위에 CVD막이 퇴적하도록 구성되어 있다.
종래 이러한 종류의 CVD 장치에 있어서 보트 로딩하는 방법으로서는 처리실 및 대기실이 모두 대기압인 상태에서 보트 로딩하는 방법과, 처리실 및 대기실을 질소(N2) 가스로 치환(퍼지)해서 보트 로딩하는 방법과, 처리실 및 대기실을 진공으로 배기해서 보트 로딩하는 방법이 있다. 처리실 및 대기실이 모두 대기압인 상태에서 보트 로딩하는 방법에 있어서는 보트 로딩시에 자연 산화막이 생성되기 쉽기 때문에 IC의 제조 방법의 제조효율에 악영향이 미친다고 하는 문제점이 있다. 처리실 및 대기실을 질소 가스로 치환해서 보트 로딩하는 방법에 있어서는 대기압의 상태에서 보트 로딩하는경우에 비해 자연 산화막의 생성을 억제할 수 있지만, 치환된 질소 가스로부터 완전히 산소(O2)를 제거하는 것은 불가능하기 때문에 어느 정도 의 자연 산화막은 증가해 버린다. 처리실 및 대기실을 진공으로 배기해서 보트 로딩하는 방법에 있어서는 산소를 거의 완전히 제거할 수 있기 때문에 질소 가스분위기하에서 보트 로딩하는 방법에 비해 자연 산화막의 증가를 더욱 억제할 수 있다.
그러나, 처리실 및 대기실을 진공으로 배기해서 보트 로딩하는 경우에는 파티클이 발생하는 것이 구명되었다. 즉, 웨이퍼가 예열된 처리실에 보트 로딩될 때에는 웨이퍼의 온도가 히터에 가까운 측인 주변부부터 상승하고 먼 측인 중앙부가 늦게 상승하는 것에 의한 웨이퍼면내의 온도차와 웨이퍼의 자중과의 관계에 따라, 웨이퍼는 오목형상으로 휜다는 것이 알려져 있다. 이 웨이퍼의 휘어짐에 수반해서 보트의 웨이퍼 유지홈의 유지면과 웨이퍼의 하면에 있어서의 주변부의 피유지면이 서로 스친다. 이 때, 처리실 및 대기실이 진공으로 배기되어 있으면, 웨이퍼의 피유지면과 보트의 유지면의 마찰력이 커지기 때문에, 전의 공정에서 웨이퍼의 하면에 피착된 피막이 박리된다. 박리된 피막은 파티클로 되어 유지홈의 유지면으로부터 넘쳐 떨어지고, 바로 아래의 웨이퍼에 있어서의 IC가 만들어 넣어지는 면인 상면에 부착되기 때문에, IC의 제조 방법의 제조효율을 저하시킨다.
본 발명의 목적은 감압하에서의 기판의 피유지면으로부터의 파티클에 의한 제조효율의 저하를 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 적어도 1개의 기판을 처리하는 처리실과, 상기 적어도 1개의 기판 을 지지하는 기판 지지체와, 이 기판 지지체를 수용하는 예비실과, 상기 적어도 1개의 기판을 지지한 상기 기판 지지체를 상기 예비실에서 상기 처리실로 반입할 때의 압력이 대기압보다 낮은 압력이 되도록 제어하는 제어 장치를 갖는 기판 처리 장치로서, 상기 기판 지지체는 상기 기판과 접촉하는 지지부와, 이 지지부의 아래쪽에 마련되고 이 지지부의 외주연의 일부에서 바깥쪽으로 연장 돌출된 받이접시부를 갖는 것을 특징으로 한다. 이 기판 처리 장치에 따르면, 기판 지지체의 지지부와 기판의 피유지면 사이에 마찰이 발생하여 기판의 피막이 박리했다고 해도 박리에 의한 파티클은 받이접시부에 의해 받아내어지는 것에 의해 기판에 낙하하는 것을 방지하기 때문에, 기판의 피막의 박리에 의한 제조효율의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 적어도 1개의 기판과 접촉하는 지지부와, 이 지지부의 아래쪽에 마련되고 이 지지부의 외주연으로부터 바깥쪽으로 연장 돌출된 받이접시부를 갖는 기판 지지체에 상기 적어도 1개의 기판을 지지하는 스텝과, 상기 적어도 1개의 기판을 지지한 상기 기판 지지체를 대기압보다 낮은 압력으로 처리실에 반입하는 스텝과, 상기 처리실에 있어서 상기 기판 지지체에 의해서 지지된 상기 적어도 l개의 기판을 처리하는 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법이다. 이 반도체 장치의 제조 방법에 따르면, 기판 지지체의 지지부와 기판의 피유지면 사이에 마찰이 발생하여 기판의 피막이 박리했다고 하더라도 박리에 의한 파티클은 받이 접시부에 의해 받아내어지는 것에 의해 기판에 낙하하는 것을 방지하기 때문에, 기판의 피막의 박리에 의한 제조효율의 저하를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예인 CVD 장치를 도시한 정면 단면도이다.
도 2는 보트 로딩 스텝후의 주요부를 도시한 도면으로서, (a)는 정면 단면도, (b)는 (a)의 b부의 확대 단면도이다.
도 3은 보트의 유지홈을 도시한 사시도이다.
도 4는 유지면의 형상과 파티클의 증가량의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 5는 파티클의 분포도로서, (a)는 볼록부가 없는 경우를 나타내고 있고, (b)는 볼록부가 있는 경우를 나타내고 있다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예인 IC의 제조 방법의 성막공정에 있어서의 압력에 관한 타임 차트이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예인 CVD 장치의 보트의 유지홈의 부분을 도시한 사시도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예인 IC의 제조 방법의 성막공정에 있어서의 압력에 관한 타임 차트이다.
도 9는 받이 접시부의 크기와 파티클의 증가량의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 10은 도 9의 실험에 사용된 받이 접시부의 각각을 나타낸 비교도이다.
도 11은 파티클의 분포도로서, (a)는 종래 예를 나타내고 있고, (b)는 본 실시예에 관한 경우를 나타내고 있다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예인 CVD 장치의 보트의 유지홈의 부분을 도시한 도면으로서, (a)는 사시도, (b)는 평면 단면도, (c)는 정면 단면도이다.
이하, 본 발명의 1실시예를 도면에 의거하여 설명한다.
본 실시예에 있어서는 본 발명에 관한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 성막 공정은 도 1 및 도 2에 도시된 CVD 장치(배치식 종형 핫월형 감압 CVD 장치)에 의해서 실시된다. 도 1 및 도 2에 도시된 CVD 장치는 중심선이 수직으로 되도록 종으로 배치되며 고정적으로 지지된 종형의 프로세스 튜브(11)를 구비하고 있고, 프로세스 튜브(11)는 내부튜브(12)와 외부튜브(13)로 구성되어 있다. 내부튜브(12)는 석영(SiO2) 또는 탄화 실리콘(SiC)이 사용되며 원통형상으로 일체로 성형되고, 외부튜브(13)는 석영 또는 탄화 실리콘이 사용되며 원통형상으로 일체로 성형되어 있다. 내부튜브(12)는 상하 양단이 개구된 원통형상으로 형성되어 있고, 내부튜브(12)의 통중공부는 보트에 의해서 수직 방향으로 정렬된 상태로 유지된 복수개의 웨이퍼가 반입되는 처리실(14)을 형성하고 있다. 내부튜브(12)의 하단개구는 피처리 기판으로서의 웨이퍼를 넣고 빼내기 위한 노구(15)를 구성하고 있다. 따라서, 내부튜브(12)의 내경은 취급할 웨이퍼의 최대외경보다 커지도록 설정되어 있다. 외부튜브(13)는 내경이 내부튜브(12)의 외경보다 크고 상단이 폐쇄되고 하단이 개구된 원통형상으로 형성되어 있으며, 내부튜브(12)에 그의 외측을 둘러싸도록 동심원으로 씌워져 있다. 내부튜브(12)의 하단과 외부튜브(13)의 하단 사이는 원형 링형상으로 형성된 매니폴드(16)에 의해서 기밀 봉지되어 있으며, 매니폴드(16)가 CVD 장치의 하우징(31)에 의해서 지지되는 것에 의해, 프로세스 튜브(11)는 수직으로 거치되어 있다. 매니폴드(16)의 하단 개구는 노구 게이트 밸브(29)에 의해서 개폐되도록 되어 있다.
매니폴드(16)의 측벽의 상부에는 진공 펌프 등으로 이루어지는 배기 장치(41)에 배기라인(42)을 거쳐서 접속된 배기관(17)이 접속되어 있고, 배기라인(42)에는 유량 제어밸브(43) 및 압력계(44)가 설비되어 있다. 유량 제어밸브(43)는 제어 장치(40)에 의해서 제어되도록 구성되어 있으며, 압력계(44)는 계측 결과를 제어 장치(40)로 송신하도록 구성되어 있다. 배기관(17)은 내부튜브(12)와 외부튜브(13) 사이에 형성된 간극으로 이루어지는 배기로(18)와 연통된 상태로 되어 있다. 배기로(18)는 내부튜브(12)와 외부튜브(13)의 간극에 의해서 횡단면형상이 일정 폭인 원형 링형상으로 구성되어 있고, 배기관(17)은 매니폴드(16)에 접속되어 있기 때문에, 배기로(18)의 최하단부에 배치된 상태로 되어 있다. 매니폴드(16)의 측벽의 하부에는 가스 공급관(19)이 내부튜브(12)의 노구(15)에 연통하도록 접속되어 있고, 가스 공급관(19)에는 성막 가스 공급원(50)과 질소 가스 공급원(60)이 성막 가스 공급라인(51)과 질소 가스 공급라인(61)을 거쳐서 각각 접속되어 있다. 성막 가스 공급라인(51)과 질소 가스 공급라인(61)에는 제어 장치(40)에 의해서 각각 제어되는 성막 가스 유량 제어밸브(52)와 질소 가스 유량 제어밸브(62)가 각각 마련되어 있다. 가스 공급관(19)에 의해서 노구(15)로 공급된 가스는 내부튜브(12)의 처리실(14)을 유통해서 배기로(18)를 통해 배기관(17)에 의해서 배기된다. 매니폴드(16)의 하단면에는 처리실(14)을 폐쇄하는 실 캡(20)이 하측으로부터 당접되도록 되어 있다. 실 캡(20)은 매니홀드(16)의 외경과 대략 동일한 원반형상으로 형성되 어 있으며, 보트 엘리베이터(도시하지 않음)에 의해서 수직 방향으로 승강되도록 구성되어 있다.
실 캡(20)의 중심선상에는 피처리 기판으로서의 웨이퍼(1)를 유지하기 위한 보트(21)가 수직으로 입각(立脚)되어 지지되도록 되어 있다. 보트(21)는 전체적으로 석영 또는 탄화 실리콘이 사용되어 구성되어 있고, 상하로 한 쌍의 단판(端板)(22), (23)과, 양 단판(22), (23)사이에 가설되어 수직으로 배치된 복수개(도시예에서는 3개)의 유지 부재(24)를 구비하고 있다. 각 유지 부재(24)에는 다수 조의 유지홈(25)이 길이 방향으로 등간격으로 배치되고 서로 대향하여 개구되도록 새겨져 마련되어 있고, 도 2 및 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 각 유지홈(25)의 상향면으로 구성된 유지면(26)의 외주연변(에지)에는 R모깎기부(27)가 실시되어 있다. R모깎기부(27)의 곡률반경은 1㎜이상으로 설정되어 있다. 또한, 유지면(26)의 중앙부에는 반구형상으로 형성된 볼록부(28)가 돌출되어 마련되어 있다. 웨이퍼(1)는 복수개의 유지 부재(24) 상호간의 동일 단(段)의 유지홈(25)에 외주부가 삽입되고 그의 하면에 있어서의 주변부의 복수개소(본 실시예에 있어서는 3개소)를 유지면(26)의 볼록부(28)에 의해서 받아지는 것에 의해서 유지된다. 따라서, 볼록부(28)는 웨이퍼를 지지하는 지지부를 구성하고 있다. 각 유지홈(25)에 의해서 각각 유지된 상태에 있어서 복수개의 웨이퍼(1)는 보트(21)에 대해 수평이고 또한 서로 중심을 나란히 해서 정렬된 상태로 된다.
외부튜브(13)의 외부에는 프로세스 튜브(11)내를 가열하는 히터유닛(30)이 외부튜브(13)의 주위를 포위하도록 동심원으로 설비되어 있고, 히터유닛(30)은 프 로세스 튜브(11)내를 전체에 걸쳐서 균일 또는 미리 설정된 온도분포로 가열하도록 구성되어 있다. 히터유닛(30)은 CVD 장치의 하우징(31)에 지지되는 것에 의해 수직으로 거치된 상태로 되어 있다. 도 1에 도시되는 바와 같이, 하우징(31)은 히터 유닛 설치실(32)과, 보트(21)가 처리실(14)에 대한 반입 반출에 대기하는 대기실(33)을 구비하고 있고, 대기실(33)은 로드록방식(게이트밸브 등의 격리 밸브를 이용하여 처리실과 반입 반출실을 격리시켜 처리실로의 공기의 유입을 방지하거나 또는 온도나 압력 등의 외란을 작게 하여 처리를 안정화시키는 방식)으로 구축되어 있다. 하우징(31)의 대기실(33)의 측벽에는 대기실(33)을 배기하는 배기관(34)과, 대기실(33)에 퍼지 가스로서의 질소 가스를 공급하는 질소 가스 공급관(35)이 각각 접속되어 있다. 배기관(34)은 유량 제어밸브(46) 및 압력계(47)가 설비된 배기라인(45)을 거쳐서 배기 장치(41)에 접속되어 있다. 유량 제어밸브(46)는 제어 장치(40)에 의해서 제어되도록 구성되어 있고, 압력계(47)는 계측 결과를 제어 장치(40)로 송신하도록 구성되어 있다. 질소 가스 공급관(35)은 유량 제어밸브(64)가 설비된 질소 가스 공급라인(63)을 거쳐서 질소 가스 공급원(60)에 접속되어 있고, 유량 제어밸브(64)는 제어 장치(40)에 의해서 제어되도록 구성되어 있다. 또, 대기실(33)의 다른 측벽에는 게이트밸브에 의해서 개폐되는 웨이퍼 반입 반출구가 개설(開設)되어 있다. 대기실(33)의 내부에는 실 캡(20)을 승강시키는 보트 엘리베이터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
다음에, 상기 구성에 관한 CVD 장치를 사용한 본 발명의 1실시예인 IC의 제조 방법의 성막공정을, 웨이퍼에 도프드 폴리 실리콘(doped poly Si)막을 형성하는 경우에 대해서 설명한다.
복수개의 웨이퍼(1)가 보트(21)에 장전되는 웨이퍼 챠징 스텝에 있어서는 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 보트(21)가 대기실(33)에 대기된 상태에서 복수개의 웨이퍼(1)가 보트(21)에 웨이퍼 이송 장치(wafer transfer equipment)에 의해서 장전되어 간다. 이 때, 대기실(33)은 질소 가스 공급관(35)에 의해 공급된 질소 가스에 의해서 퍼지된다. 즉, 제어 장치(40)는 질소 가스유량 제어밸브(64)를 제어하는 것에 의해서 질소 가스 공급원(60)의 질소 가스를 질소 가스 공급라인(63)을 통해서 질소 가스 공급관(35)으로부터 대기실(33)로 공급시키고, 도 6(a)에 도시되어 있는 바와 같이, 대기실(33)의 압력을 대기압(약 1013hPa)으로 유지한다. 이 대기실(33)의 질소 가스 퍼지에 의해서, 웨이퍼(1)에 있어서의 자연 산화막의 생성을 방지하면서 대기압하에서의 웨이퍼 장전 작업을 실시할 수 있다. 이 때, 노구 게이트밸브(29)는 닫혀져 있다.
소정 매수의 웨이퍼(1)가 장전된 보트(21)가 처리실(14)에 보트 로딩되는 보트 로딩 스텝에 있어서는 노구 게이트밸브(29)가 열려지고 노구(15)가 개구된 후에 보트(21)는 보트 엘리베이터에 의해서 들어 올려져 내부 튜브(12)의 노구(15)에서 처리실(14)로 보트 로딩되어 가고, 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 노구(15)를 기밀 밀봉한 실 캡(20)에 지지된 채의 상태에서 처리실(14)에 존치된다. 이 보트 로딩시에, 대기실(33) 및 처리실(14)은 각각 200Pa로 되도록 질소 가스 공급관(35) 및 가스 공급관(19)에서 질소 가스를 공급하면서, 배기관(34) 및 배기관(17)에 의해서 각각 배기된다. 즉, 제어 장치(40)는 질소 가스 유량 제어밸브(64)를 제어하 는 것에 의해서 질소 가스 공급관(35)에서 대기실(33)로의 질소가스 유량을 제어하고, 유량 제어 밸브(46)를 제어하는 것에 의해서 대기실(33)을 배기하고, 도 6(a)에 도시되어 있는 바와 같이 대기실(33)을 200Pa까지 감압하여 유지한다. 또한, 제어 장치(40)는 질소 가스 유량 제어밸브(62)를 제어하는 것에 의해서 가스 공급관(19)에서 처리실(14)로의 질소 가스유량을 제어하고, 유량 제어밸브(43)를 제어하는 것에 의해서 처리실(14)을 배기하고, 도 6(b)에 도시되어 있는 바와 같이 처리실(14)의 압력을 200Pa로 유지한다. 이 때, 노구 게이트밸브(29)는 닫혀져 있어 노구(15)가 기밀하게 밀봉되어 있다. 또한, 처리실(14)의 온도는 열 처리온도(예를 들면, 530℃)를 유지하도록 제어되어 있다. 이 상태 즉 대기실(33)과 처리실(14)의 압력이 거의 동일하게 된 상태에서 노구 게이트밸브(29)가 열려지는 것에 의해 처리실(14)과 대기실(33)이 연통하며, 200Pa의 압력하에서 로딩이 실행된다.
처리실(14)에 있어서 보트(21)에 의해서 유지된 웨이퍼(1)를 처리하는 처리스텝에 있어서는 처리실(14)의 내부가 소정의 진공도(110㎩)로 되도록 가스 공급관(19)으로부터 질소 가스를 흘리면서 배기관(17)에 의해서 배기된다. 즉, 제어 장치(40)는 질소 가스 유량 제어밸브(62)를 제어하는 것에 의해서 가스 공급관(19)에서 처리실(14)로의 질소 가스 유량을 제어하고, 유량 제어밸브(43)를 제어하는 것에 의해서 처리실(14)을 배기하고, 도 6(b)에 도시되어 있는 바와 같이 처리실(14)의 압력을 110㎩로 감압한다. 계속해서, 처리 가스(36)가 처리실(14)로 가스 공급관(19)에 의해서 공급되고, 웨이퍼(1)의 표면에 원하는 성막으로서의 도프드 폴리 실리콘막(2)이 열 CVD 법에 의해 퇴적(데포지션)된다. 즉, 제어 장치(40)는 성막 가스 유량 제어밸브(52)를 제어하는 것에 의해서 처리 가스(36)로서의 모노실란(SiH4) 가스 및 포스핀(PH3) 가스를 처리실(14)로 가스 공급관(19)에 의해서 공급한다. 공급된 처리 가스(36)는 내부튜브(12)의 처리실(14)을 상승하여 상단 개구로부터 내부튜브(12)와 외부튜브(13)의 간극에 의해서 형성된 배기로(18)로 유출되고 배기관(17)으로부터 배기된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과하면, 실 캡(20)이 하강되어 처리실(14)의 노구(15)가 개구됨과 동시에, 보트(21)에 유지된 상태에서 웨이퍼(1)군이 노구(15)에서 프로세스 튜브(11)의 외부로 반출(보트 언로딩)된다. 이 보트언로딩 스텝에 있어서는 도 6에 도시되어 있는 바와 같이 처리실(14)의 압력은 200㎩로 증압되어 200㎩로 유지되어 있는 대기실(33)의 압력과 대략 동일하게 된다. 즉, 제어 장치(40)는 질소 가스 유량 제어밸브(62)를 제어하는 것에 의해서 가스 공급관(19)에서 처리실(14)로의 질소 가스 유량을 제어하고, 유량 제어밸브(43)를 제어하는 것에 의해서 도 6(b)에 도시되어 있는 바와 같이, 처리실(14)의 압력을 200Pa로 증압하여 유지한다. 이와 같이 해서, 보트 언로딩 스텝이 200Pa와 같은 저압하에서 실시되면, 처리종료의 웨이퍼(1)의 자연 산화막의 생성을 극히 효과적으로 방지할 수 있다.
대기실(33)에 보트 언로딩된 보트(21)로부터 처리완료의 웨이퍼(1)이 장전 해제되는 웨이퍼 디스챠징 스텝에 있어서는 도 6(a)에 도시되어 있는 바와 같이 대기실(33)은 질소 가스 공급관(35)에 의해서 공급된 질소 가스에 의해서 퍼지된다. 즉, 제어 장치(40)는 질소 가스 유량 제어밸브(64)를 제어하는 것에 의해서, 질소 가스 공급원(60)의 질소 가스를 질소 가스 공급라인(63)을 통해 질소 가스 공급관(35)에서 대기실(33)로 공급시키고, 도 6(a)에 도시되어 있는 바와 같이 대기실(33)의 압력을 대기압까지 증압하여 유지한다. 이 대기실(33)의 질소 가스 퍼지에 의해서 고온으로 된 처리종료의 웨이퍼(1)를 강제적으로 냉각시킬 수 있다. 처리완료의 웨이퍼(1)의 온도가 웨이퍼 이송장치의 취급 가능 온도까지 저하하면, 처리완료의 웨이퍼(1)군이 보트(21)로부터 웨이퍼 이송 장치에 의해서 장전 해제된다. 이 때, 대기실(33)은 질소 가스 퍼지되어 있으므로, 처리완료의 웨이퍼(1)에 있어서의 자연 산화막의 생성을 방지하면서, 대기압하에서의 웨이퍼 디스챠징 작업을 실시할 수 있다. 이하, 상술한 각 스텝이 반복되는 것에 의해 성막공정이 반복 실시되어 간다.
이상의 성막공정에 있어서, 웨이퍼(1)가 처리온도로 유지된 처리실(14)에 보트 로딩될 때에는 웨이퍼(1)의 온도는 히터유닛(30)에 가까운 측인 주변부부터 상승하고 먼 측인 중앙부가 늦게 상승하는 상태로 되며, 이 웨이퍼(1)의 면내의 온도차와 웨이퍼(1)의 자중과의 관계에 따라 웨이퍼(1)는 오목형상(중앙부가 내려가고 주변부가 올라간 형상)으로 휘는 현상이 발생한다. 이 웨이퍼(1)의 휨에 수반해서 보트(21)의 유지홈(25)의 유지면(26)과 웨이퍼(1)의 하면에 있어서의 주변부의 피유지면이 서로 스치기 때문에, 전의 성막공정에서 보트(21)에 피착된 취약한 막이 박리된다. 박리된 막은 파티클로 되어 유지홈(25)의 유지면(26)으로부터 넘쳐 떨어져 바로 아래의 웨이퍼(1)에 있어서의 IC가 만들어 넣어지는 면인 상면에 부착되 기 때문에, IC의 제조 방법의 제조효율을 저하시키는 원인으로 된다.
그러나, 본 실시예에 있어서는 웨이퍼(1)는 유지홈(25)의 유지면(26)의 중앙부에 돌출 마련된 볼록부(28)에 의해서 유지면(26)으로부터 부상된 상태로 유지되어 있기 때문에, 보트(21)의 볼록부(28)와 웨이퍼(1)의 피유지면 사이에 마찰이 발생하여 막이 박리했다고 해도, 박리에 의한 파티클은 보트(21)의 유지면(26)에 낙하해서 받아내어지는 것에 의해 웨이퍼에 낙하하는 것을 방지한다. 즉, 보트(21)의 볼록부(28)와 웨이퍼(1)의 피유지면 사이에 마찰이 발생해서 막이 박리했다고 해도 박리에 의한 파티클은 바로 아래의 웨이퍼(1)에 있어서의 IC가 만들어 넣어지는 면인 상면에 부착되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 파티클의 발생에 따른 IC의 제조 방법의 제조효율의 저하를 방지할 수 있다. 따라서, 유지면(26)은 웨이퍼(1)를 지지하는 지지부인 볼록부(28)에 의해서 발생하는 파티클을 받아내는 받이 접시부를 구성하고 있다.
도 4는 유지면의 형상과 파티클의 증가량의 관계를 나타내는 그래프이다. 여기서, 파티클의 증가량이라는 것은 처리전의 파티클량에 대한 처리후의 파티클의 증가량을 의미한다. 도 4에 있어서, 종축에는 0.16㎛의 파티클의 증가 개수가 취해져 있고, 횡축에는 볼록부가 없는 종래의 경우와 볼록부가 있는 본 실시예의 경우가 표시되어 있다. 각 경우에 있어서의 막대 톱(TOP)은 보트의 톱부에 있어서의 파티클의 증가 개수를 나타내고, 막대 보틈(BOTTOM)은 보트의 보틈부에 있어서의 파티클의 증가 개수를 나타내고 있다. 또, 실험 조건은 각 경우 서로에 있어서 동일하며, 보트 로딩 스텝에 있어서의 처리실(14)의 온도는 530℃로 설정하고, 대기실(33) 및 처리실(14)의 압력은 200㎩로 설정하였다. 도 4에 따르면, 본 실시예에 있어서는 톱부 및 보틈부 중의 어느 하나에 대해서도 파티클의 증가 개수를 20개 이하로 저감하는 것이 이해된다.
도 5는 파티클의 분포도로서, (a)는 볼록부가 없는 종래의 경우를 나타내고 있고, (b)는 볼록부가 있는 본 실시예의 경우를 나타내고 있다. 도 5(a)에 도시된 볼록부가 없는 종래 예의 경우에 있어서는 파티클이 유지 부재(24)에 대응하는 부위에 편재되어 있다. 이에 비해, 도 5(b)에 도시된 볼록부가 있는 본 실시예의 경우에 있어서는 파티클이 유지 부재(24)에 대응하는 부위에 편재되어 있지 않고 전체적으로 산재되어 있다. 이것은 파티클이 유지면(26)에 의해서 받아내어지는 것에 의해 웨이퍼(1)의 상면에 낙하하고 있지 않다는 것을 나타내고 있는 것으로 고찰된다.
그런데, 보트 로딩 스텝에 있어서의 대기실 및 처리실의 압력이 낮아질수록 파티클의 발생량이 많아지고, 높아질수록 파티클의 발생량이 적어진다. 도 4의 경우에 있어서는 보트 로딩 스텝에 있어서의 대기실(33) 및 처리실(14)의 압력은 200㎩로 낮게 설정되어 있지만, 파티클의 증가 개수는 20개 이하로 억제되어 있다. 따라서, 본 실시예에 관한 보트 로딩 스텝에 있어서의 대기실(33) 및 처리실(14)의 압력은 200㎩이상으로 설정하는 것이 바람직하다.
단, 보트 로딩 스텝에 있어서의 대기실(33) 및 처리실(14)의 압력을 쓸데없이 높게 하면, 처리 스텝에 있어서의 처리압력(본 실시예에 있어서는 110㎩)과의 차가 커지는 것에 의해, 압력 조정 시간이 길어져 버린다. 또한, 압력을 너무 높 게 설정하면, 자연 산화막의 증가를 충분히 억제할 수 없게 되어 버린다. 예를 들면, 보트 로딩 스텝에 있어서의 압력을 비교적 높은 압력인 대기압(약 1013h㎩)로 설정하면, 압력조정에 시간이 걸려 스루풋에 악영향이 미치게 되고 또한 자연 산화막의 억제도 불충분하게 된다. 그 때문에, 보트 로딩 스텝에 있어서의 대기실(33) 및 처리실(14)의 압력은 대기압보다 낮은 압력, 예를 들면 3000㎩이하로 하는 것이 바람직하다. 대기압보다 낮은 압력 바람직하게는 3000㎩이하로 설정하면, 보트 로딩 스텝에서 처리 스텝으로의 이후시의 압력조정 시간을 스루풋에 영향을 미치지 않을 정도의 시간으로 할 수 있고, 또한 자연 산화막의 생성을 충분히 방지할 수 있다. 요컨대, 보트 로딩 스텝에 있어서의 대기실 및 처리실의 압력은 200㎩ 이상이고 대기압 미만, 바람직하게는 200㎩이상이고 3000㎩이하로 설정하는 것이 바람직하다.
상기한 실시예에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
[1] 웨이퍼를 유지홈의 유지면의 중앙부에 돌출해서 마련한 볼록부에 의해서 유지면에서 부상한 상태로 유지하는 것에 의해, 보트의 볼록부와 웨이퍼의 피유지면 사이에 마찰이 발생하여 전에 피착된 피막이 박리했다고 해도, 박리에 의한 파티클을 보트의 유지면에 의해서 받아내는 것에 의해 파티클이 웨이퍼에 낙하하는 것을 방지할 수 있다.
[2] 보트의 볼록부와 웨이퍼의 피유지면 사이에 마찰이 발생해서 피막이 박리했다고 해도, 박리에 의한 파티클이 바로 아래의 웨이퍼에 있어서의 IC가 만들어 넣어지는 면인 상면에 부착되는 것을 방지할 수 있기 때문에, 파티클의 발생에 따 른 IC의 제조 방법의 제조효율의 저하를 방지할 수 있다.
[3] 보트 로딩 스텝에 있어서의 대기실 및 처리실의 압력을 200㎩이상으로 대기압 미만, 바람직하게는 200㎩이상이고 3000㎩이하로 설정하는 것에 의해, 보트 로딩 스텝에서 처리 스텝으로의 이후시의 압력조정 시간을 스루풋에 영향을 미치지 않을 정도의 시간으로 할 수 있고, 또한 자연 산화막의 생성을 충분히 방지할 수 있으므로 스루풋의 저하를 방지하면서 자연 산화막의 생성을 확실하게 방지할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예인 CVD 장치의 보트의 유지홈의 부분을 도시한 사시도이다. 도 8은 본 발명의 제2 실시예인 IC의 제조 방법의 성막공정에 있어서의 압력에 관한 타임 차트이다. 도 9는 받이 접시부의 크기와 파티클의 증가량의 관계를 나타낸 그래프이고, 도 10은 그 실험에 사용된 받이 접시부의 각각을 도시한 비교도이다. 도 11은 파티클의 저감 효과를 나타낸 분포도이다.
도 7에 도시되어 있는 바와 같이, 본 실시예에 관한 보트(21)의 유지 부재(24)에 있어서의 유지홈(25)의 부분에는 웨이퍼(1)의 하면과 접촉해서 지지하는 지지부(28A)가 웨이퍼(1)의 직경방향 내향으로 수평으로 돌출되어 마련되어 있음과 동시에, 지지부(28A)의 아래에는 지지부(28A)에서 발생하는 파티클을 받아내는 받이 접시부(26A)가, 지지부(28A)의 외주연의 일부 즉 지지부(28A)의 외주연 중 유지 부재(24)의 지주 부분과 접하고 있지 않은 부분의 세방향으로부터 외측으로 연장하여 돌출하도록 웨이퍼(1)의 직경 방향 내향으로 수평으로 돌출되어 마련되어 있다. 지지부(28A)는 유지 부재(24)와 동질의 재료가 사용되며 평면에서 보아 직사각형의 직육면체형상으로 형성되어 있다. 받이 접시부(26A)는 지지부(28A)와 동질의 재료가 사용되며 평면에서 보아 직사각형의 평판형상으로 형성되어 있다. 받이 접시부(26A)의 지지부(28A)의 외주연의 유지 부재(24)의 지주 부분과 접하고 있지 않은 부분의 세방향으로부터 외측으로의 연장 돌출량 L(도 7에 도시된 지지부(28A)의 에지에서 받이 접시부(26A)의 에지까지의 거리 L)은 6㎜이상, 바람직하게는 6㎜∼15㎜로 설정하는 것이 바람직하다.
다음에, 상기 구성에 관한 보트를 갖는 CVD 장치를 사용한 본 발명의 제2 실시예인 IC의 제조 방법의 성막공정을, 웨이퍼상에 질화 실리콘(Si3N4)막을 형성하는 경우를 예로 들어 도 8에 대해서 설명한다.
복수개의 웨이퍼(1)가 보트(21)에 장전되는 웨이퍼 챠징 스텝에 있어서는 도 8(a)에 도시되어 있는 바와 같이, 대기실(33)이 질소 가스에 의해서 퍼지되는 것에 의해, 대기실(33)의 압력은 대기압(약 1013hPa)으로 유지된다. 이 대기실(33)의 질소 가스 퍼지에 의해서 웨이퍼(1)에 있어서의 자연 산화막의 생성을 방지하면서, 대기압하에서의 웨이퍼 챠징 작업을 실시할 수 있다.
소정 매수의 웨이퍼(1)가 장전된 보트(21)가 처리실(14)에 보트 로딩되는 보트 로딩 스텝에 있어서는 도 8(a)에 도시되어 있는 바와 같이 대기실(33)은 200Pa까지 감압되어 유지되고, 또한 도 8(b)에 도시되어 있는 바와 같이 처리실(14)의 압력은 200Pa로 유지된다. 이 때, 처리실(14)의 온도는 열처리온도인 750℃를 유지하도록 제어되어 있지만, 보트(21)의 반입에 수반해서 약간 저하한다.
보트(21)에 의해서 유지된 웨이퍼(1)군을 처리하는 처리 스텝에 있어서는 도 8(b)에 도시되어 있는 바와 같이 처리실(14)의 압력은 30Pa로 감압된다. 이 때, 대기실(33)의 압력은 200Pa로 유지된다. 계속해서, 처리 가스로서의 디크롤실란(SiH2C12) 가스 및 암모니아(NH3)가 처리실(14)로 공급되고, 질화 실리콘(Si 3N4)막이 웨이퍼(1)상에 퇴적된다.
미리 설정된 처리 시간이 경과한 후의 보트 언로딩 스텝에 있어서는 도 8(a)에 도시되어 있는 바와 같이 처리실(14)의 압력은 200Pa로 증압되어 200Pa로 유지되어 있는 대기실(33)의 압력과 거의 동일하게 된다. 이와 같이 해서, 보트 언로딩 스텝이 200Pa와 같은 저압하에 있어서 실시되면, 처리완료의 웨이퍼(1)의 자연 산화막의 생성을 극히 효과적으로 방지할 수 있다.
대기실(33)에 보트 로딩된 보트(21)로부터 처리완료의 웨이퍼(1)가 장전 해제되는 웨이퍼 디스챠징 스텝에 있어서는 도 8(a)에 도시되어 있는 바와 같이 대기실(33)이 질소 가스에 의해서 퍼지되는 것에 의해, 대기실(33)의 압력은 대기압으로 증압되어 유지된다. 이 대기실(33)의 질소 가스 퍼지에 의해서, 고온으로 된 처리완료의 웨이퍼(1)를 강제적으로 냉각시킬 수 있다. 처리완료의 웨이퍼(1)의 온도가 웨이퍼 이송 탑재 장치의 취급 가능온도까지 저하하면, 처리완료의 웨이퍼(1)군이 보트(21)로부터 웨이퍼 이송 탑재 장치에 의해서 장전 해제된다. 이 때, 대기실(33)은 질소 가스 퍼지되어 있으므로, 처리완료의 웨이퍼(1)에 있어서의 자연 산화막의 생성을 방지하면서, 대기압하에서의 웨이퍼 디스챠징 작업을 실시할 수 있다. 이후, 상술한 스텝이 반복되는 것에 의해, 성막공정이 반복 실시되어 간다.
이상의 성막공정에 있어서 웨이퍼(1)가 처리온도로 유지된 처리실(14)에 보트 로딩될 때에는 웨이퍼(1)의 온도는 히터유닛(30)에 가까운 측인 주변부부터 상승하고 먼측인 중앙부가 늦게 상승하는 상태로 되며, 이 웨이퍼(1)의 면내의 온도차와 웨이퍼(1)의 자중의 관계에 따라, 웨이퍼(1)는 오목형상(중앙부가 내려가고 주변부가 올라간 형상)으로 휘는 현상이 일어난다. 이 웨이퍼(1)의 휨에 수반해서 보트(21)의 지지부(28A)와 웨이퍼(1)의 하면에 있어서의 주변부의 피유지면이 서로 스치기 때문에 전의 성막공정에서 보트(21)에 피착된 취약한 막이 박리되어 낙하하지만, 낙하된 파티클은 지지부(28A)의 아래의 받이 접시부(26A)에 받아내어지는 것에 의해, 웨이퍼에 낙하하는 것을 방지한다. 즉, 보트(21)의 지지부(28A)와 웨이퍼(1)의 피유지면 사이에 마찰이 발생하여 막이 박리했다고 해도, 박리에 의한 파티클은 바로 아래의 웨이퍼(1)에 있어서의 IC가 만들어 넣어지는 면인 상면에 부착되는 것을 방지할 수 있으므로, 파티클의 발생에 의한 IC의 제조 방법의 제조효율의 저하를 방지할 수 있다.
도 9는 받이 접시부의 크기와 파티클의 증가량의 관계를 나타내는 그래프이다. 여기서, 파티클의 증가량이라는 것은 처리전의 파티클량에 대한 처리후의 파티클의 증가량을 의미한다. 도 9에 있어서, 종축에는 0.2㎛ 초과의 파티클의 증가 개수가 취해져 있고, 횡축에는 도 10에 도시된 비교예 및 실시예가 취해져 있다. 또, 실험 조건은 각 경우 서로에 있어 동일하며, 보트 로딩 스텝에 있어서의 처리실(14)의 온도는 750℃로 설정하고, 대기실(33) 및 처리실(14)의 압력은 200Pa로 설정하였다.
도 9에 따르면, 종래예의 경우, 파티클의 증가량은 133개인 것에 반해, 실시예1, 실시예2, 실시예3, 실시예4의 경우에는 파티클의 증가량은 각각 45개, 22개, 10개, 11개로 되고, 어느 경우에 있어서도 45개 이하로 저감할 수 있는 것이 이해된다. 즉, 받이 접시부(26A)의 지지부(28A)의 선단의 한 쪽의 코너로부터의 연장 돌출량 L을 2㎜이상으로 설정하는 것에 의해, 파티클의 증가량을 45개 이하로 저감할 수 있다. 또한, 받이 접시부(26A)의 연장 돌출량 L을 6㎜이상으로 설정하면, 파티클의 증가량을 20개 정도 이하로 저감할 수 있다. 또한, 받이 접시부(26A)의 연장 돌출량 L을 10㎜이상으로 설정하면, 파티클의 증가량을 l0개 정도 이하로 저감시킬 수 있다. 또한, 실시예3와 실시예4의 비교로부터 명확한 바와 같이, 받이 접시부(26A)의 연장 돌출량 L이 15㎜인 실시예4의 경우에 있어서 파티클의 저감의 효과는 포화한다. 즉, 받이 접시부(26A)의 지지부(28A)의 외주연으로부터의 연장 돌출량 L은 2㎜∼15㎜로 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 바람직하게는 6㎜∼15㎜로 설정하는 것이 좋다.
도 11은 파티클의 분포도로서, (a)는 받이 접시부가 없는 도 10의 종래예의 경우를 나타내고 있고, (b)는 도 10의 실시예4의 경우를 나타내고 있다. 도 11(a)에 도시된 종래예의 경우에 있어서는 파티클이 유지 부재(24)에 대응하는 부위에 편재되어 있다. 이것에 비해, 도 11(b)에 도시된 실시예4의 경우에 있어서는 파티클이 유지 부재(24)에 대응하는 부위에 편재되어 있지 않고, 전체적으로 산재하고 있다. 이것은 파티클이 받이 접시부(26A)에 의해서 받아내어지는 것에 의해, 웨이 퍼(1)의 상면에 낙하하고 있지 않은 것을 나타내고 있는 것으로 고찰된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 있어서도 상기 실시예와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예인 CVD 장치의 보트의 유지홈의 부분을 나타내고 있고, (a)는 사시도, (b)는 평면 단면도, (c)는 정면 단면도이다.
본 실시예에 있어서는 제 1실시예 및 제 2실시예와 마찬가지로, 보트는 유지 부재를 복수개 예를 들면 3개 구비하고 있다. 도 12에 도시되어 있는 바와 같이, 본 실시예에 관한 보트(21)의 유지 부재(24B)는 원주형상으로 형성되어 있으며, 유지홈(25B)은 유지 부재(24B)의 외주면에 있어서의 웨이퍼(1)의 중심을 향한 부분에 절삭가공에 의해서 형성되어 있다. 유지홈(25B)에는 웨이퍼(1)의 하면과 접촉해서 지지하는 지지부(28B)가 웨이퍼(1)의 직경 방향 내향으로 수평으로 형성되어 있음과 동시에, 지지부(28B)에서 발생하는 파티클을 받아내는 받이 접시부(26B)가 지지부(28B)보다 낮은 위치(지지부(28B)의 아래쪽)에 지지부(28B)의 에지 전체에 걸쳐서 형성되어 있다. 지지부(28B)는 평면에서 본 형상이 산형, 정확하게는 사다리꼴의 평판형상으로 형성되어 있고, 산의 정상부 즉 사다리꼴의 상부바닥(짧은쪽의 변)이 웨이퍼(1)의 중심을 향하고, 산의 바닥부 즉 사다리꼴 하부바닥(긴 쪽의 변)이 웨이퍼(1)의 중심측과 반대측을 향한 형상으로 형성되어 있다. 즉, 지지부(28B)는 평면에서 보아 도 12(b)에 빗금으로 나타낸 유지 부재(24B)의 지주의 부분측에서 웨이퍼(1)의 중심 방향을 향함에 따라, 그 폭이 좁아지는 형상으로 형성되어 있다. 또한 지지부(28B)의 사다리꼴의 상부바닥부의 웨이퍼를 탑재하는 부분에는 R모깎기 부가 실시되어 있다. 이 사다리꼴형상의 지지부(28B)는 유지홈(25B)의 절삭가공시에 동시에 형성할 수 있다. 받이 접시부(26B)의 평면에서 본 형상은 유지 부재(24B)의 받이 접시부(26B)의 부분의 원형단면으로부터 유지 부재(24B)의 도 12(b)의 빗금으로 나타낸 지주의 부분의 단면형상과 지지부(28B)의 사다리꼴형상을 잘라 낸 형상으로 되어 있고, 받이 접시부(26B)는 유지 부재(24B)의 지주의 부분에서 지지부(28B)의 에지(사다리꼴의 2개의 사변과 상부바닥)에 걸쳐 이들을 따르도록 연속적으로 마련된다. 받이 접시부(26B)는 유지 부재(24B)에 유지홈(25B)과 지지부(28B)를 절삭가공할 때에 동시에 형성할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상술한 실시예에 관한 효과에 부가해서 다음과 같은 효과가 얻어진다. 받이 접시부(26B) 및 지지부(28B)는 유지홈(25B)의 유지 부재(24B)로의 절삭가공에 의해서만 동시에 형성할 수 있으므로 가공 공정수를 저감할 수 있고, 또한 지지부(28B)와 받이 접시부(26B)와 유지 부재(24B)를 일체의 것으로서 형성할 수 있으므로 부품점수를 줄일 수 있고, 보트 더 나아가서는 CVD 장치의 제조비용을 저감할 수 있다. 지지부(28B)는 평면에서 보아 사다리꼴의 평판형상으로 형성되어 있고, 웨이퍼(1)의 중심을 향하는 방향으로 감에 따라 폭이 좁아지도록 형성되어 있으므로, 유지 부재(24B)의 절삭가공이 용이하게 되고, 또한 유지 부재(24B)의 기계적강도를 유지하면서 웨이퍼와의 접촉면적을 작게 할 수 있다. 즉, 보트의 가공이 용이하게 될 뿐만 아니라, 보트가 웨이퍼의 중량을 지지할 때의 구조강도를 충분히 확보함과 동시에, 웨이퍼와의 접촉면적을 작게 하여 웨이퍼의 이면에 대한 접촉에 의한 오염(contamination)의 정도를 저감시킬 수 있다.
또, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 각종 변경이 가능한 것은 물론이다.
예를 들면, 도프드 폴리 실리콘막이나 질화 실리콘막의 성막공정에 한정되지 않고, 논도프프 폴리 실리콘(nondoped poly Si)막, 논도프 아몰퍼스 실리콘막, 도프드 아몰퍼스 실리콘막, 산화 실리콘막, 더 나아가서는 산화 탄탈막, 산화 지르코늄막 등의 금속 산화막 등, CVD에 의한 성막공정 전반에 적용할 수 있다. 특히, CVD에 의한 성막공정의 경우에는 전의 공정에서 보트에 피착된 막의 지지부에 있어서의 박리에 의한 영향을 방지할 수 있으므로 바람직하다.
반도체 장치의 제조 방법의 특징을 실시하는 반도체 제조 장치는 외부 튜브와 내부튜브로 이루어지는 프로세스 튜브를 구비한 배치식 종형 핫월형 감압 CVD 장치에 한정되지 않고, 외부 튜브만의 프로세스 튜브를 구비한 것이나 낱장식 CVD 장치 등의 다른 CVD 장치, 더 나아가서는 각종의 열처리공정을 실시하는 열처리 장치(furnace)라도 좋다.
상기 실시예에서는 웨이퍼에 처리가 실시되는 경우에 대해서 설명했지만, 처리 대상은 포토 마스크나 프린트 배선 기판, 액정 패널, 컴팩트 디스크 및 자기 디스크 등이라도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 감압하에서의 기판의 피유지면으로부터의 파티클에 의한 제조효율의 저하를 방지할 수 있다.

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  9. 기판을 처리하는 처리실과,
    상기 처리실 내에서 기판을 지지하는 기판 지지체를 갖고,
    상기 기판 지지체는, 수직으로 설치된 복수의 유지 부재를 갖고, 상기 각 유지 부재에는 복수의 유지홈이 마련되고, 상기 각 유지홈에는 기판과 접촉하는 지지부와, 이 지지부의 아래쪽에 마련되어 이 지지부의 외주연의 일부로부터 바깥쪽으로 돌출된, 위쪽에서 보았을 때 직사각형의 평판 형상인 받이 접시부가 형성되어 있고, 상기 받이 접시부는 상기 지지부의 외주연의 일부로부터 6mm 이상 15mm 이하만큼 바깥쪽으로 돌출되어 있는
    것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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  21. 제 9 항에 있어서,
    상기 받이 접시부는 상기 지지부의 외주연의 일부로부터 10mm 이상, 15mm 이하만큼 바깥쪽으로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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  23. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지부는 위쪽에서 보았을 때 직사각형의 직육면체 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  24. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지부는 위쪽에서 보았을 때, 상기 받이 접시부의 외주연보다 안쪽에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  25. 기판을 열처리할 때에 상기 기판을 지지하는 기판 지지체로서,
    상기 기판 지지체는, 수직으로 설치된 복수의 유지 부재를 갖고, 상기 각 유지 부재에는, 복수의 유지홈이 마련되고, 상기 각 유지홈에는 기판과 접촉하는 지지부와, 이 지지부의 아래쪽에 마련되어 이 지지부의 외주연의 일부로부터 바깥쪽으로 돌출된, 위쪽에서 보았을 때 직사각형의 평판 형상인 받이 접시부가 형성되어 있고, 상기 받이 접시부는 상기 지지부의 외주연의 일부로부터 6mm 이상 15mm 이하만큼 바깥쪽으로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 지지체.
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  28. 제 25 항에 있어서,
    상기 받이 접시부는 상기 지지부의 외주연의 일부로부터 10mm 이상, 15mm 이하만큼 바깥쪽으로 돌출되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 지지체.
  29. 삭제
  30. 제 25 항에 있어서,
    상기 지지부는 위쪽에서 보았을 때 직사각형의 직육면체 형상인 것을 특징으로 하는 기판 지지체.
  31. 제 25 항에 있어서,
    상기 지지부는 위쪽에서 보았을 때, 상기 받이 접시부의 외주연보다 안쪽에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 지지체.
  32. 수직으로 설치된 복수의 유지 부재를 갖고, 상기 각 유지 부재에는, 복수의 유지홈이 마련되고, 상기 각 유지홈에는 기판과 접촉하는 지지부와, 이 지지부의 아래쪽에 마련되어 이 지지부의 외주연의 일부로부터 바깥쪽으로 돌출된, 위쪽에서 보았을 때 직사각형의 평판 형상인 받이 접시부가 형성되어 있고, 상기 받이 접시부가 상기 지지부의 외주연의 일부로부터 6mm 이상 15mm 이하만큼 바깥쪽으로 돌출되어 있는 기판 지지체에 의해 기판을 지지하는 단계와,
    상기 기판을 지지한 상기 기판 지지체를 처리실 내에 반입하는 단계와,
    상기 처리실 내에서 상기 기판 지지체에 의해서 지지된 상기 기판을 처리하는 단계와,
    처리 완료된 상기 기판을 지지한 상기 기판 지지체를 상기 처리실 내로부터 반출하는 단계
    를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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