CN114672782B - 薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置及监测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置及监测方法，包括两组适配旗形样品托的样品卡槽组件；衬底加热及控温组件、蒸发源加热及控温组件；用于原位电学监测的电极加热及控温组件；含电极旗形样品托和微型蒸发源组件。该装置在超高真空腔体内实现衬底热处理、薄膜沉积并借助于真空原位电输运测量的方式监测连续膜生长状况，并获得沉积速率、掺杂量和衬底温度等工艺参数对薄膜电学指标的影响。该装置通过一体化设计，不仅用于薄膜生长，且实现了样品工艺指标的真空环境原位实时监测，极大提高了大尺寸连续膜生长的工艺参数的迭代优化效率和精度。

Description

薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置及监测方法
技术领域
本发明属于纳米电子薄膜材料领域，涉及一种在体积约一升的超高真空腔体内实现衬底热处理、薄膜沉积以及以真空原位电输运测量的方式监测连续膜生长状况的一体化样品台。
背景技术
纳米尺度电子薄膜材料的生长是新型半导体器件研发的关键技术之一。超高真空环境中的薄膜生长技术，如分子束外延，可以实现表界面高度清洁及原子级精度膜厚控制，是目前使用广泛的一种制备高品质电子薄膜材料的方法，对于III-V半导体、半导体超晶格以及拓扑绝缘体等高品质先进薄膜材料的制备至关重要。器件制作和电学测量也是电子薄膜材料研究中的关键环节。为提升电极制备的成功率以及保障器件的使用，必须要确保薄膜具有一定的连续性。大面积的连续膜，能够用于整片器件制作，也能大幅提升薄膜的使用效率。因此，连续膜的制备以及薄膜连续性的监测十分重要。
尤其是对于目前纳米尺度的二维材料，晶圆级薄膜的生长以及逻辑器件的制备都备受关注。目前，专利CN 111896521 A公开了一种针对二维材料连续性的检测方法。在薄膜生长结束后，利用微分干涉显微镜确定检测区域，通过拉曼光谱仪获得所测区域的光谱，计算得到薄膜的覆盖率，以此方式来监测薄膜是否连续。此外，通过表面形貌观察法，能够在微分干涉显微镜下观察不同区域的表面形貌，来判定晶畴之间薄膜的连续性。上述方式均需要在薄膜生长结束后移出真空腔体再进行薄膜是否连续的判断，并以此方式对材料生长参数进行反馈，这样的过程将导致时间周期长。此外，对于一些在大气中不稳定的材料，移出真空腔体进行连续性的检测必将使其品质在后续器件工艺环节中严重下降。因此，实现在真空环境中对薄膜生长连续性的判断至关重要，不仅能够避免敏感材料的大气污染，也可以提高迭代优化效率。
发明内容
为解决现有技术中存在的上述缺陷，本发明的目的在于提供一种兼容旗形样品托的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置，兼具衬底热处理、薄膜沉积及以真空原位电输运测量的方式监测连续膜生长状况的一体化样品台。该样品台能够实现衬底在生长前的热处理以及薄膜生长，并在薄膜生长过程中对于其是否连续进行真空原位监测，在导体、半导体薄膜制备的过程中，真空原位测量薄膜的pA级电流信号随厚度的实时演变，并以此监测连续膜生长状况，并获得沉积速率、掺杂量和衬底温度等工艺参数对薄膜电学指标的影响。
本发明是通过下述技术方案来实现的。
本发明一方面，提供了一种薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置，包括：
第一样品卡槽组件，被配置为放置含电极旗形样品托和加热及控温组件；
含电极旗形样品托，被配置为放置用于薄膜生长的衬底；
加热及控温组件，被配置为以直流加热或辐射加热的方式对衬底进行热处理，维持衬底温度并实时原位监测薄膜生长过程中电信号的变化。
第二样品卡槽组件，被配置为放置微型蒸发源组件和蒸发源加热及控温组件；
微型蒸发源组件，被配置为用于放置用于薄膜生长的蒸发源材料；
蒸发源加热及控温组件，被配置为用于蒸发源材料加热，使之在特定温度和真空下达到饱和蒸汽压，对温度进行实时监测；
真空电极法兰，被配置为用于将整个样品台装置与真空腔体进行连接，实现真空及大气中的电学信号的传输；
第一样品卡槽组件和第二样品卡槽组件上放置的含电极旗形样品托和加热及控温组件、微型蒸发源组件和蒸发源加热及控温组件相对设置，位于真空电极法兰上方，进行衬底热处理、薄膜沉积、以真空原位输运测量和连续膜生长状况监测。
作为优选，第一样品卡槽组件上设置有加热及控温组件，包括直流加热电刷、第一辐射加热电阻丝、第一热电偶和电极引线组件，第一辐射加热电阻丝位于第一样品卡槽组件的凹槽中，直流加热电刷位于凹槽边沿上，第一热电偶和电极引线组件位于凹槽上方；含电极旗形样品托插入第一样品卡槽组件凹槽中。
作为优选，含电极旗形样品托上设置有一对固定衬底的金属压片和与电极引线组件配合的金属弹片，含电极旗形样品托固定衬底并插入第一样品卡槽组件中。
作为优选，第二样品卡槽组件上设置有蒸发源加热及控温组件，包括第二辐射加热电阻丝和第二热电偶，第二辐射加热电阻丝位于第二样品卡槽组件的凹槽中，第二热电偶位于凹槽上方；微型蒸发源组件插入第二样品卡槽组件凹槽中。
作为优选，微型蒸发源组件上放置有待沉积材料的坩埚，通过第二辐射加热电阻丝对蒸发源材料加热。
作为优选，真空电极法兰通过固定层依次连接第一样品卡槽组件和第二样品卡槽组件。
作为优选，真空电极法兰上设有真空电极法兰接线柱。
本发明另一方面，提供了所述样品台装置的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化方法，包括：
在衬底上沉积至少两端的底电极；
将已预先沉积两端底电极的衬底置于含电极旗形样品托中，使位于衬底上的电极与含电极旗形样品托上的金属压片接触；
将携带衬底的含电极旗形样品托插入第一样品卡槽组件中，使电极引线组件与含电极旗形样品托上的金属弹片接触；
在微型蒸发源组件上的圆柱状坩埚中放入待沉积材料，并将微型蒸发源组件插入第二样品卡槽组件中；
通过标准电极法兰将整个装置与目标超高真空系统对接，并与外电路连接；
对系统抽真空，并进行烘烤使得室温下真空度提升至10-7Pa；
调节恒流电源对第一辐射加热电阻丝通电，维持薄膜生长过程中的温度，第一热电偶监测温度；
对微型蒸发源组件中待沉积材料除气，调节恒流电源对第二辐射加热电阻丝通电，使微型蒸发源组件中待沉积材料高温下放气，第二热电偶监测温度；
调节恒流电源对第一辐射加热电阻丝通电，维持薄膜生长过程中的温度；
调节恒流电源对第二辐射加热电阻丝进行通电，对蒸发源材料加热，达到在真空下的饱和蒸气压；
外接源表原位测量蒸镀过程中薄膜的pA级电流信号的实时演变，获得沉积速率、掺杂量和衬底温度对薄膜的影响。
作为优选，对整个系统抽真空至10-5Pa，对整个真空系统进行200℃的烘烤，使得室温下真空度提升至10-7Pa。
作为优选，在微型蒸发源组件上的圆柱状坩埚中放入待沉积材料，包括金、银、碲或硫化钼。
作为优选，辐射加热电阻丝、直流加热电刷和金属弹片的材质为钼或坦。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
该装置在超高真空腔体内实现衬底热处理、薄膜沉积并借助于真空原位电输运测量的方式监测连续膜生长状况，并获得沉积速率、掺杂量和衬底温度等工艺参数对薄膜电学指标的影响。
本发明采用真空原位电输运测量的方式，将预先沉积了两端电极的衬底与含电极样品托、金属弹片、电极引线组件与真空外源表之间形成回路，实现于真空腔体内实时监测薄膜生长过程中电信号的变化，达到监测薄膜生长连续的目的，并解决了大气敏感材料监测不准、易受污染的问题。
本发明由于采用了一体化设计，在超高真空环境中通过辐射加热或直流加热的方式对衬底进行热处理，不仅利于衬底的热处理以及薄膜生长，且实现了样品工艺指标的真空环境原位实时监测，极大提高了大尺寸连续膜生长的工艺参数的迭代优化效率和精度。
通过对置于第二样品卡槽组件上的微型蒸发源材料进行辐射加热使材料沉积于衬底上，通过以真空原位电输运测量的方式实时监测薄膜生长连续性，通过连贯的真空材料制备及监测集合，达到了提升薄膜制备效率和精度的目的。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的不当限定，在附图中：
图1是本发明的整体结构示意图；
图2是本发明的第一样品卡槽组件示意图；
图3是本发明的含电极样品托结构示意图；
图4是本发明的第二样品卡槽组件示意图；
图5是本发明的微型蒸发源结构示意图。
说明书附图标记说明：1、真空电极法兰；11、真空电极法兰接线柱；2、第一样品卡槽组件；21、直流加热电刷；22、第一辐射加热电阻丝；23、第一热电偶；24、电极引线组件；3、含电极旗形样品托；31、金属压片；32、金属弹片； 4、第二样品卡槽组件；41、第二辐射加热电阻丝；42、第二热电偶；5、微型蒸发源组件； 51、圆柱状坩埚；6、固定层。
具体实施方式
下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本发明，在此本发明的示意性实施例以及说明用来解释本发明，但并不作为对本发明的限定。
如图1所示，本发明的一种兼容旗形样品托的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置，包括真空电极法兰1、第一样品卡槽组件2、含电极旗形样品托3、第二样品卡槽组件4、微型蒸发源组件5以及起支撑作用的固定层6。
真空电极法兰1通过螺栓与真空腔体连接，真空电极法兰1上均布有真空电极法兰接线柱11；真空电极法兰1用于将整个样品台装置与真空腔体进行连接，并通过真空电极法兰接线柱11与真空腔体外的源表进行连接，实现由真空到大气中的电信号传输。
第一样品卡槽组件2与第二样品卡槽组件4以及真空电极法兰1之间通过一固定层6进行连接。
具体的，固定层6支撑在真空电极法兰1上，第一样品卡槽组件2通过固定层6支撑在真空电极法兰1上方，第一样品卡槽组件2上放置有含电极旗形样品托3；第二样品卡槽组件4设在第一样品卡槽组件2上方，微型蒸发源组件5设在第二样品卡槽组件4底部。
该装置能够置于真空腔体内，在真空环境中实现衬底热处理和导体或半导体薄膜沉积，也可以实现以真空原位电输运测量的方式监测连续膜生长状况。使用的衬底样品要求能适应于超高真空系统、表面平整，并且绝缘或电阻率大于沉积的目标材料。
如图2、图3所示，第一样品卡槽组件2上设置有用于衬底除气及控温组件，包括直流加热电刷21、第一辐射加热电阻丝22、用于测温的第一热电偶23和电极引线组件24，第一辐射加热电阻丝22位于第一样品卡槽组件2的凹槽中，直流加热电刷21位于凹槽边沿上，第一热电偶23和电极引线组件24位于凹槽上方；含电极旗形样品托3插入第一样品卡槽组件2凹槽中，第一辐射加热电阻丝22对蒸发源材料进行加热，并用于维持衬底在材料生长过程中的温度。第一热电偶23监测温度，电极引线组件24用于在真空中完成电信号的传输和用于原位电学监测薄膜在生长过程中的电阻变化。
如图3所示，含电极旗形样品托3，用于放置薄膜生长的已携带两端底电极的衬底和加热及控温组件，被配置为对衬底进行热处理，同时维持衬底在生长材料过程中的温度，控温组件用于在此过程中对温度进行实时监测。
含电极旗形样品托3上设置有一对用于固定衬底的金属压片31和用于与原位电学监测的电极引线组件24之间形成配合的金属弹片32。
含电极旗形样品托3能够固定衬底并插入第一样品卡槽组件2中。
如图4所示，第二样品卡槽组件4上设置有用于蒸发源加热及控温组件，包括第二辐射加热电阻丝41和用于蒸发源测温的第二热电偶42。第二辐射加热电阻丝41位于第二样品卡槽组件4的凹槽中，第二热电偶42位于凹槽上方；微型蒸发源组件5插入第二样品卡槽组件4凹槽中。
如图5所示，微型蒸发源组件5上放置有圆柱状坩埚51，用于放置待沉积材料，微型蒸发源组件5能够插入第二样品卡槽组件4中，并通过位于微型蒸发源组件正下方的第二辐射加热电阻丝41对蒸发源材料进行加热，使之在特定温度及真空度下达到蒸发源材料的饱和蒸汽压。
本发明基于超高真空条件下，利用此装置进行衬底热处理、薄膜沉积以及以真空原位输运测量，监测连续膜生长状况的过程如下：
在衬底上沉积至少两端的底电极，本发明不对沉积底电极的方式做出具体限定。衬底需绝缘或电阻率远大于目标沉积材料。
将已预先沉积两端底电极的衬底置于含电极旗形样品托3中，使位于衬底上的电极与含电极旗形样品托上3的金属压片31之间形成良好接触，能够用于电学信号的传输。
将已携带衬底的含电极旗形样品托3插入第一样品卡槽组件2中，使得电极引线组件24与已携带衬底的旗形样品托3上的金属弹片32之间形成良好接触，能够将电学信号经由位于衬底上的电极传输至金属弹片32，进一步传输至电极引线组件24。
在微型蒸发源组件5上的圆柱状坩埚51中放入待沉积材料，例如：导体或半导体：包括单质及化合物，如：金、银、碲、硫化钼等材料。并将微型蒸发源组件5插入第二样品卡槽组件4中。
通过螺栓将标准电极法兰1将整个装置与目标超高真空系统进行对接。将用于输运测量的源表与标准电极法兰上的接线柱进行连接，完成外电路的连接。
利用机械泵以及分子泵对整个系统抽真空至10-5Pa。而后利用加热带对整个真空系统进行约200℃的烘烤操作，使得室温下真空度提升至10-7Pa，达到超高真空标准。
衬底除气操作。调节恒流电源对所述用于衬底加热的第一辐射加热电阻丝22通电流，第一辐射加热电阻丝向周围辐射焦耳热并发射热电子，含电极旗形样品托3及衬底吸收热辐射和被加速的热电子的动能将升温，进一步在前级泵的作用下将衬底吸附的气体从真空系统中排除。以上过程通过位于第一样品卡槽组件2上的第一热电偶23进行温度的监测。
对微型蒸发源组件5中待沉积材料进行除气。调节恒流电源对微型蒸发源组件5加热的第二辐射加热电阻丝41通电流，该电阻丝向周围辐射焦耳热并发射热电子，微型蒸发源组件5吸收热辐射和被加速的热电子的动能将升温，并通过热传递将使得微型蒸发源组件5中待沉积材料在高温下放气，除去部分杂质。以上过程通过位于第二样品卡槽组件4上的第二热电偶42进行温度的监测。
调节恒流电源对位于第一样品卡槽组件2上的第一辐射加热电阻丝22进行通电流，并通过第一热电偶23进行温度监测，维持在衬底表面进行材料沉积时所需的衬底温度。
调节恒流电源对位于第二样品卡槽组件4上的第二辐射加热电阻丝41进行通电流，并通过位于第二样品卡槽组件4上的第二热电偶42进行温度的监测，维持材料在蒸发时的温度。
在蒸镀过程中，通过外接源表原位测量薄膜的pA级电流信号的实时演变，从而获得沉积速率、掺杂量和衬底温度等工艺参数对薄膜电学指标的影响。
下面通过不同实施例来进一步说明本发明过程。
实施例1
本发明兼容旗形样品托的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置可以在SiO2/Si 衬底表面进行Te连续膜样品沉积，并原位监测薄膜的连续性。
将已预先沉积两端Au电极的SiO2/Si衬底置于含电极旗形样品托3中，使位于衬底上的电极与含电极旗形样品托3上的金属压片31之间形成良好接触，能够用于电学信号的传输。插入第一适配旗形样品托的样品卡槽组件2中，使得电学信号经由位于衬底上的电极传输至含电极旗形样品托3上的金属弹片32，进一步传输至原位电学检测的电极引线组件24。在微型蒸发源组件5上的圆柱状坩埚51中放入待沉积的高纯Te粉，将其插入第二样品卡槽组件4中。
通过标准电极法兰1将整个装置与目标超高真空系统进行对接。将用于输运测量的源表与标准电极法兰1上的接线柱进行连接，完成外电路的连接。
利用机械泵以及分子泵对整个系统抽真空至10-5Pa。而后利用加热带对整个真空系统进行约200℃的烘烤操作，使得室温下真空度提升至10-7Pa，达到超高真空标准。
调节恒流电源对所述用于衬底加热的第一辐射加热电阻丝22通电流，并通过位于第一样品卡槽组件2上的第一热电偶23进行温度的监测，使得SiO2/Si衬底吸附的气体在前级泵的作用下从真空系统中排除，获得干净的衬底表面。
调节恒流电源对所述微型蒸发源组件5加热的第二辐射加热电阻丝41通电流，并通过第二热电偶42进行温度的监测。对微型蒸发源组件5中待沉积的Te粉在100℃进行除气，以除去杂质及吸附气体。
在正式蒸镀时，调节恒流电源的输出电流使得微型蒸发源组件5中的Te粉在300℃下达到其饱和蒸汽压，进一步沉积于SiO2/Si衬底表面。在蒸镀过程中通过外接源表原位测量薄膜的pA级电流信号的实时演变，从而获得沉积速率、掺杂量和衬底温度等工艺参数对薄膜电学指标的影响。通过薄膜电阻率的变化来监测薄膜是否连续。
实施例2
本发明兼容旗形样品托的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置可以在SiO2/Si 衬底表面进行MoS2连续膜样品沉积，并原位监测薄膜的连续性。
将已预先沉积两端Au电极的SiO2/Si衬底置于含电极旗形样品托3中，使位于衬底上的电极与含电极旗形样品托3上的金属压片31之间形成良好接触，能够用于电学信号的传输。插入第一样品卡槽组件2中，使得电学信号经由位于衬底上的电极传输至含电极旗形样品托3上的金属弹片32，进一步传输至电极引线组件24。在微型蒸发源组件5上的圆柱状坩埚51中放入待沉积的MoS2，将其插入第二样品卡槽组件4中。
通过标准电极法兰1接口将整个装置与目标超高真空系统进行对接。将用于输运测量的源表与标准电极法兰1上的接线柱进行连接，完成外电路的连接。
利用机械泵以及分子泵对整个系统抽真空至10-5Pa。而后利用加热带对整个真空系统进行约200℃的烘烤操作，使得室温下真空度提升至10-7Pa，达到超高真空标准。
调节恒流电源对所述用于衬底加热的第一辐射加热电阻丝22通电流，并通过位于第一适配旗形样品托2的样品卡槽组件上的第一热电偶23进行温度的监测使得SiO2/Si衬底吸附的气体在前级泵的作用下从真空系统中排除，获得干净的衬底表面。
调节恒流电源对所述微型蒸发源组件5加热的第二辐射加热电阻丝41通电流，并通过第二热电偶42进行温度的监测。对微型蒸发源组件5中待沉积的MoS2在200℃进行除气，以除去杂质及吸附气体。
而后在正式蒸镀时，调节恒流电源的输出电流使得微型蒸发源组件中的MoS2在500℃下达到其饱和蒸汽压，并维持SiO2/Si衬底温度于约350℃。在蒸镀过程中通过外接源表原位测量薄膜的pA级电流信号的实时演变，从而获得沉积速率、掺杂量和衬底温度等工艺参数对薄膜电学指标的影响。通过薄膜电阻率的变化来监测薄膜是否连续。
本发明并不局限于上述实施例，在本发明公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的技术内容，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征做出一些替换和变形，这些替换和变形均在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置，其特征在于，包括：
第一样品卡槽组件，被配置为放置含电极旗形样品托和加热及控温组件；
含电极旗形样品托，被配置为放置用于薄膜生长的衬底；含电极旗形样品托上设置有一对固定衬底的金属压片和与电极引线组件配合的金属弹片，含电极旗形样品托固定衬底并插入第一样品卡槽组件中；
加热及控温组件，被配置为以直流或辐射加热的方式对衬底进行热处理，采用真空原位电输运测量的方式，将预先沉积了两端电极的衬底与含电极旗形样品托、金属弹片、电极引线组件与真空外源表之间形成回路，维持衬底温度并实时原位监测薄膜生长过程中电信号的变化；
第二样品卡槽组件，被配置为放置微型蒸发源组件和蒸发源加热及控温组件；
微型蒸发源组件，被配置为用于放置用于薄膜生长的蒸发源材料；
蒸发源加热及控温组件，被配置为用于蒸发源材料加热，在温度和真空下达到饱和蒸汽压，并实时监测温度；
真空电极法兰，被配置为用于将整个样品台装置与真空腔体进行连接，实现真空及大气中的电学信号的传输；
放置有含电极旗形样品托和加热及控温组件的第一样品卡槽组件与放置微型蒸发源组件和蒸发源加热及控温组件的第二样品卡槽组件相对设置，位于真空电极法兰上方，实现进行衬底热处理、薄膜沉积、以真空原位电输运测量和连续膜生长状况监测。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置，其特征在于，第一样品卡槽组件上设置有加热及控温组件，包括直流加热电刷、第一辐射加热电阻丝、第一热电偶和电极引线组件，第一辐射加热电阻丝位于第一样品卡槽组件的凹槽中，直流加热电刷位于凹槽边沿上，第一热电偶和电极引线组件位于凹槽上方；含电极旗形样品托插入第一样品卡槽组件凹槽中。
3.根据权利要求2所述的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置，其特征在于，第二样品卡槽组件上设置有蒸发源加热及控温组件，包括第二辐射加热电阻丝和第二热电偶，第二辐射加热电阻丝位于第二样品卡槽组件的凹槽中，第二热电偶位于凹槽上方；微型蒸发源组件插入第二样品卡槽组件凹槽中。
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置，其特征在于，微型蒸发源组件上放置有待沉积材料的坩埚，通过第二辐射加热电阻丝对蒸发源材料加热。
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置，其特征在于，真空电极法兰通过固定层依次连接第一样品卡槽组件和第二样品卡槽组件。
6.根据权利要求1所述的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化样品台装置，其特征在于，真空电极法兰上设有真空电极法兰接线柱。
7.根据权利要求3-6任一项所述样品台装置的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化监测方法，其特征在于，包括：
在衬底上沉积至少两端的底电极；
将已预先沉积两端底电极的衬底置于含电极旗形样品托中，使位于衬底上的电极与含电极旗形样品托上的金属压片接触；
将携带衬底的含电极旗形样品托插入第一样品卡槽组件中，使电极引线组件与含电极旗形样品托上的金属弹片接触；
在微型蒸发源组件上的圆柱状坩埚中放入待沉积材料，并将微型蒸发源组件插入第二样品卡槽组件中；
通过标准电极法兰将整个装置与目标超高真空系统对接，并与外电路连接；
对系统抽真空，并进行烘烤使得室温下真空度提升至10-7Pa；
调节恒流电源对第一辐射加热电阻丝通电，第一热电偶监测温度；
对微型蒸发源组件中待沉积材料除气，调节恒流电源对第二辐射加热电阻丝通电，使微型蒸发源组件中待沉积材料高温下放气，第二热电偶监测温度；
调节恒流电源对第一辐射加热电阻丝通电，维持薄膜生长过程中的温度；
调节恒流电源对第二辐射加热电阻丝通电，对蒸发源材料加热，达到在真空下的饱和蒸气压；
外接源表原位测量蒸镀过程中薄膜的pA级电流信号的实时演变，获得沉积速率、掺杂量和衬底温度对薄膜的影响。
8.根据权利要求7所述的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化监测方法，其特征在于，对整个系统抽真空至10-5Pa，对整个真空系统进行200℃的烘烤，使得室温下真空度提升至10-7Pa。
9.根据权利要求7所述的薄膜沉积与连续膜生长监测一体化监测方法，其特征在于，在微型蒸发源组件上的圆柱状坩埚中放入待沉积材料，包括金、银、碲或硫化钼；
辐射加热电阻丝、直流加热电刷和金属弹片的材质为钼或坦。
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