JP2002184790A - 基板加熱用板材、およびテルル化カドミウム膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 太陽電池などの半導体デバイスの作製過程
で、基板を全面に亘り均一な温度分布で加熱するための
基板加熱用板材を提供する。また、均一な膜厚の大面積
ＣｄＴｅ膜の製造を可能にする。 【解決手段】 熱源と基板の間に設置する基板加熱用板
材の厚さ方向の熱伝導熱率を面方向の熱伝導率よりも小
さくする。この基板加熱用板材をソース基板および膜形
成基板の少なくとも一方を面接触させ、熱源により加熱
することにより、近接昇華法によるＣｄＴｅ膜の製造を
行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造過程で、基板を均一に加熱するために用いる基板加
熱用板材と、これを用いたテルル化カドミウム（ＣｄＴ
ｅ）膜の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコン、砒化ガリウムなどの半導体基
板、ガラス、セラミックなどの絶縁性基板、あるいはス
テンレス鋼、銅などの金属基板を用いて半導体デバイス
を製造する過程では、スパッター、蒸着、アニーリング
などの多くの加熱を伴う工程がある。これらの何れの工
程においても、加熱された基板の温度は管理パラメータ
ーとして重要であり、厳密な制御を必要とされる場合が
多い。例えば、均一な膜厚のＣｄＴｅ膜を近接昇華法で
形成するためには、ソース材料（ＣｄＴｅ粉）の層を形
成したソース基板と膜形成用基板を近接させて対向配置
し、ソース基板温度を約７２０℃、膜形成用基板温度を
約６００℃に設定し、これら基板の温度を±５℃程度の
精度で制御する必要がある。また、太陽電池やプラズマ
ディスプレイのような大型化が進む半導体デバイスの製
造工程では、膜形成や熱処理を基板全面に亘って均一に
行うために、大型基板を均一な温度分布に制御すること
が重要な課題である。

【０００３】従来、半導体デバイスの製造過程で使用さ
れる炉の加熱方法としては、放射と対流を併用する加熱
方式、発熱体（導体）に高周波磁界を印加して発生させ
た渦電流で加熱する誘導加熱方式、および赤外線と可視
光線を照射する放射加熱方式などがある。放射と対流を
併用する加熱方式の代表例であるマッフル炉は、比較的
加熱温度の均一性に優れているので、１ｍ角以上の大型
基板の加熱も可能であるが、被加熱基板が所定温度に均
一に加熱されるまでに長時間を要する難点がある。ま
た、この加熱方式は近接配置された二つの被加熱基板の
温度を個別に制御できないので、基板の乾燥や熱処理な
どの工程には用いられが、前述したＣｄＴｅ膜形成など
の場合には用いることはできない。

【０００４】誘導加熱方式の炉は、複数の被加熱基板の
温度を個別に制御できるが、磁界の均一性を得ることが
難しいため、±１０℃程度の温度均一性を得られる基板
の大きさは４００ｍｍ角程度までに限定される問題があ
る。放射加熱方式の炉は、複数の被加熱基板の温度を個
別に制御できるので、上記のＣｄＴｅ膜の形成などにも
用いられている。この炉は線状あるいは点状の光源を熱
源とするので、被加熱箇所によって熱源からの距離が大
きく異なり、そのために均一な温度分布に被加熱基板を
加熱することが困難であった。この問題に対処するた
め、光源数を増やして被加熱基板へ放射される光密度分
布を均一化し、大型基板を均一に加熱する方法が試みら
れている。しかし、光源数を増やした場合は、光源であ
る各ランプヒータの出力のバラツキ、新旧光源の部分的
な交換、あるいは偶発的な断線などの故障のため、稼働
時間中に光源の出力密度が不均一になりやすく、基板を
均一な温度分布で加熱することが出来なかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決し、被加熱基板が大型であっても、これを均一に
加熱できる手段を提供することを目的とする。さらに、
この手段を応用して、基板上に均一なＣｄＴｅ膜を形成
できる方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の基板加熱用板材
は、半導体デバイスの製造過程で、基板とこれを加熱す
るための熱源との間に設置する板材であって、厚さ方向
の熱伝導率が面方向の熱伝導率よりも小さいことを特徴
とするものである。本発明の基板加熱用板材を用いるこ
とによって、被加熱基板が大型であっても、これを均一
な温度分布で加熱することができる。

【０００７】本発明のＣｄＴｅ膜の製造方法は、膜形成
用基板と、ソース材料を配設して前記膜形成用基板と対
向配置したソース基板とをそれぞれ加熱することによ
り、前記ソース材料を気化させ、これを前記膜形成用基
板上に析出させてテルル化カドミウム膜を形成するテル
ル化カドミウム膜の製造方法において、厚さ方向の熱伝
導率が面方向の熱伝導率よりも小さい基板加熱用板材
を、前記膜形成用基板および前記ソース基板の少なくと
も一方に面接触させ、その基板加熱用板材を熱源により
加熱して、前記膜形成用基板およびソース基板の少なく
とも一方を所定温度に加熱することを特徴とするもので
ある。本発明により、膜形成用基板およびソース基板の
少なくとも一方が均一な温度分布で加熱されるので、均
一な膜厚の大面積ＣｄＴｅ膜の形成が可能となる。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の基板加熱用板材は、半導
体デバイス、例えば太陽電池、液晶パネル、およびプラ
ズマディスプレイの蛍光体などを製造する過程での加熱
を伴う様々な工程、例えば、スパッター法、蒸着法、近
接昇華法などによる各種半導体薄膜を形成する工程やア
ニーリング、乾燥、熱処理、焼結などの工程において、
被加熱基板を均一な温度分布で加熱するために、熱源と
被加熱基板の間に設置するものであり、厚さ方向の熱伝
導熱率（Ｔｓ）と面方向の熱伝導率（Ｔｐ）とが、Ｔｓ
＜Ｔｐの関係にあるものである。

【０００９】本発明の基板加熱用板材を用いることによ
り、熱源からの熱が基板加熱用板材を介して被加熱基板
に伝搬して被加熱基板が所定温度に加熱される際に、熱
源から発生する熱量の分布が多少不均一であっても、熱
源からの熱が基板加熱用板材の面方向に優先して拡散す
るので、基板加熱用板材の全面が均一化された温度に加
熱される。このように均一な温度分布で加熱された基板
加熱用板材から厚さ方向に拡散した熱が、基板加熱用板
材に対向配置された被加熱基板の全面に均一な分布で伝
搬する。これにより、被加熱基板の全面が均一な温度分
布に加熱される。

【００１０】従来法による等方性の熱伝導率を有する基
板加熱用板材、例えば高密度カーボン、結晶化セラミッ
クなどの板材、を用いる場合には、肉厚の板材を用いれ
ば、面方向に熱拡散し易くなるので熱源の出力の不均一
性をある程度は緩和できる。しかし、この場合には、板
材の側面からの放熱効果が強くなるため、基板加熱用板
材の周縁部分がやや低温になり、新たな温度分布不均一
化の要因が発生する。これを是正するには、基板加熱用
板材周縁部の加熱を強化する機構を付加したり、側面部
に断熱材を設置するなどの煩雑な対策が必要になる。こ
れらの問題は、厚さ方向よりも面方向に熱が伝わりやす
い異方性の熱伝導率を有する本発明による基板加熱用板
材を用いることにより解決される。即ち、本発明によれ
ば、基板加熱用板材が比較的薄い場合でも面方向に優先
的に熱拡散させることができるので、基板加熱用板材の
側面の面積を小さくできる。そのため、板材の側面から
の放熱は抑制され、周縁部での温度を低下させることな
く、基板加熱用板材が均一な温度分布で加熱される。

【００１１】本発明の基板加熱用板材の材料として、異
方性の熱伝導率を有し、面方向に熱伝導しやすい各種の
材料を用いることができる。中でも特に好ましい材料と
して、カーボン繊維が面方向に配列されて形成された板
材、例えば、カーボン繊維板（例えば、日本カーボン株
式会社製ＣＣＭシリーズ）やカーボン繊維布（松下電器
産業株式会社製：ＰＧＳグラファイト）などが挙げられ
る。

【００１２】板状カーボン材料などからなる上記の基板
加熱用板材の熱伝導率の測定には、例えばレーザフラッ
シュ法を用いることができる。レーザフラッシュ法によ
る熱伝導率の測定は、測定対象の板材の表面に対して極
短時間レーザ光を照射し、その時の板材の裏面の温度変
化を計測することによって行われる。レーザ光によって
加えられるエネルギーをＱ、試料の厚さをＬ、レーザ光
によって試料裏面温度が上昇して最高温度に達するまで
の温度上昇分をΔＴ_max、レーザ光照射開始時から、試
料裏面温度の上昇がΔＴ_maxの半分に到達するまでの時
間をｔ_1/2とすると、熱伝導率Ｔは次式によって求めら
れる。

【００１３】 Ｔ＝１．３７Ｑ・Ｌ／（π²・ｔ_1/2・ΔＴ_max）

【００１４】本発明で云う「厚さ方向の熱伝導率Ｔｓ」
は、上記の方法で求められるＴそのものである。また、
「面方向の熱伝導率Ｔｐ」は、例えば板材を細長に切断
した試料の一方の切断面を板材の表面、他方の切断面を
板材の裏面と見なし、上記の測定方法により測定するこ
とができる。本発明の基板加熱用板材は、特にＴｐ／Ｔ
ｓ≧２の熱伝導率を有するものが好ましく、Ｔｐ／Ｔｓ
≧４の熱伝導率を有するものがさらに好ましい。例え
ば、好ましい基板加熱用板材として例示した上記のカー
ボン繊維板の熱伝導率（単位：Ｗ／ｍ・Ｋ）は、Ｔｓ＝
４、Ｔｐ＝２７（Ｔｐ／Ｔｓ≒８）であり、カーボン繊
維布の熱伝導率は、Ｔｓ＝８〜１２、Ｔｐ＝６００〜８
００である。一方従来の基板加熱用板材の代表例である
高密度カーボン板（日本カーボン株式会社製ＥＲ−３
９）ではＴｓ＝Ｔｐ＝１１１である。

【００１５】本発明のＣｄＴｅ膜の製造方法は、いわゆ
る近接昇華法によるＣｄＴｅ膜の製造方法において、膜
形成用基板およびソース基板の少なくとも一方に対し
て、前記本発明による基板加熱用板材を面接触させ、そ
の基板加熱用板材を熱源によって加熱することにより、
前記膜形成用基板および前記ソース基板の少なくとも一
方をそれぞれの所定温度に加熱するものである。本発明
により、近接配置された二つの被加熱基板（膜形成用基
板およびソース基板）を、個々に設定された所定温度に
均一な温度分布で加熱することができる。これにより、
均一な膜厚の大面積ＣｄＴｅ膜の形成が可能となる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明を実施例により、具体的に説明
する。

【００１７】《実施例１》被加熱基板を基板加熱用板材
に面接触させて設置して加熱し、被加熱基板の温度分布
を測定した。図２によりその測定方法を説明する。ガラ
ス製の被加熱基板２１を載せた基板加熱用板材２２が管
状ランプヒーター２３で加熱される。基板加熱用板材２
２には温度制御用熱電対２４が接続され、温度制御用熱
電対２４は管状ランプヒーター２３の出力を制御する温
度調節器２５に接続されている。温度調節器２５に設定
された温度を温度制御用熱電対２４が感知するように、
ランプヒーター２３の出力が温度調節器２５により調節
される。被加熱基板２１の温度分布は、被加熱基板２１
に装着された温度分布測定用熱電対２６により測定され
る。

【００１８】結晶化ガラス板製の被加熱基板２１の寸法
を１０００ｍｍ×１０００ｍｍ×３ｍｍ、基板加熱用板
材２２の寸法を１４００ｍｍ×１４００ｍｍ×３ｍｍ、
管状ランプヒーター２３と基板加熱用板材２２の距離を
２００ｍｍ、各管状ランプヒーター２３間の距離を４０
０ｍｍ、温度調節器２５の設定温度を７００℃として、
図２の方法により被加熱基板２１を加熱した。基板加熱
用板材２２としてカーボン繊維板（日本カーボン株式会
社製ＣＣＭ１９０Ｃ、厚さ３ｍｍ、Ｔｓ＝４Ｗ／ｍ・
Ｋ、Ｔｐ＝２７Ｗ／ｍ・Ｋ）を用いた。

【００１９】被加熱基板２１の温度分布の測定は、温度
分布測定用熱電対２６と管状ランプヒーター２３を図３
に示す位置関係で設置して行った。図３の●印は、温度
分布測定用熱電対２６であり、Ａ１〜Ａ５、Ｂ１〜Ｂ
５、およびＣ１〜Ｃ５は管状ランプヒーター２３ａ、２
３ｂ、および２３ｃのそれぞれに対向配置された温度分
布測定用熱電対２６の位置を示し、Ｄ１〜Ｄ３およびＥ
１〜Ｅ３は管状ランプヒーター２３ａと２３ｂの中間、
および２３ｂと２３ｃの中間に対向配置された温度分布
測定用熱電対２６の位置を示している。

【００２０】実施例１において、各温度分布測定用熱電
対２６が示した温度を表１に示す。

【００２１】

【表１】

【００２２】表１より、被加熱基板２１のうち、管状ラ
ンプヒーター２３に近い位置（図３のＡ１〜Ａ５、Ｂ１
〜Ｂ５、およびＣ１〜Ｃ５の位置）とそれ以外の位置
（図３のＤ１〜Ｄ３およびＥ１〜Ｅ３の位置）での測定
温度には殆ど差がなく、均一な温度分布で被加熱基板２
１が加熱されていることがわかる。各測定位置の温度の
標準偏差は１．７１であった。

【００２３】《比較例１》基板加熱用板材２２として高
密度カーボン板（日本カーボン株式会社製ＥＲ−３９、
厚さ３ｍｍ、Ｔｓ＝Ｔｐ＝１１１）を用いた以外は、実
施例１と同様にして被加熱基板２１を加熱し、その温度
分布を測定した。

【００２４】比較例１において、各温度分布測定用熱電
対２６が示した温度を表２に示す。

【００２５】

【表２】

【００２６】表２からわかるように、被加熱基板２１の
うち、管状ランプヒーター２３に近い測定位置では、そ
れ以外の測定位置よりも２０〜３０℃程度高い温度が観
測された。各測定位置の温度の標準偏差は１１．６であ
り、実施例１より著しく温度分布が不均一であることが
わかった。

【００２７】《実施例２》被加熱基板を基板加熱用板材
の上方に一定間隔で対向させて設置して加熱し、被加熱
基板の温度分布を測定した。図４によりその測定方法を
説明する。図４は、基板加熱用板材２２と被加熱基板２
１の間に被加熱基板支持棒２７を介在させて、基板加熱
用板材２２と被加熱基板２１とを２０ｍｍの間隔で対向
配置した以外は図２と同様である。基板加熱用板材２２
として、実施例１で用いたと同様のカーボン繊維板を用
いて被加熱基板２１を加熱し、実施例１と同様にしてそ
の温度分布を測定した。

【００２８】実施例２において、各温度分布測定用熱電
対２６が示した温度を表３に示す。

【００２９】

【表３】

【００３０】表３から、被加熱基板２１を基板加熱用板
材２２に面接触させた実施例１の表１と比較して、実施
例２の場合には、温度の絶対値は相対的に低下している
が、管状ランプヒーター２３から離れた測定位置（Ｄ１
〜Ｄ３およびＥ１〜Ｅ３の位置）と近くの測定位置（Ａ
１〜Ａ５、Ｂ１〜Ｂ５、およびＣ１〜Ｃ５の位置）での
測定温度との差が比較例１よりも遙かに少ないことがわ
かる。各測定位置の温度の標準偏差は３．９２であり、
被加熱基板２１の温度分布は比較例１より良好であっ
た。

【００３１】《比較例２》基板加熱用板材２２として比
較例１と同様の高密度カーボン板を用いた以外は、実施
例２と同様にして被加熱基板２１を加熱し、その温度分
布を測定した。

【００３２】比較例２において、各温度分布測定用熱電
対２６が示した温度を表４に示す。

【００３３】

【表４】

【００３４】表４より、管状ランプヒーター２３から離
れた位置の被加熱基板２１の温度は管状ランプヒーター
３３に近い位置の温度より２０〜４０℃程度低くなって
おり、大きな温度差が観測された。これら測定温度の標
準偏差は１２．８９と大きなバラツキを示した。

【００３５】《実施例３》一定の間隔を隔てて対向させ
た二枚の被加熱基板に、個別の基板加熱用板材をそれぞ
れ面接触させ、各々の被加熱基板を個別の熱源で加熱す
る方法の実施例として、近接昇華法によりＣｄＴｅ膜を
形成した。図１は、ＣｄＴｅ膜の形成に用いた装置の縦
断面図である。一方の基板加熱用板材１の上に、ＣｄＴ
ｅ粉からなるソース材料層３を形成したソース基板２を
載せ、その上面の周縁部に設置した耐熱性のスペーサ８
を介して膜形成用基板７を載置する。膜形成用基板７は
ガラス基板４に透明導電膜５（酸化錫膜）と硫化カドミ
ウム膜６（ＣｄＳ膜）を積層して作製したものである。
膜形成用基板７の上に他方の基板加熱用板材９を設置す
る。

【００３６】次いで、基板加熱用板材９および１を、そ
の上下から管状ランプヒーター１１および１０によって
加熱する。管状ランプヒーター１０および１１は、基板
加熱用板材１および９の温度をそれぞれモニターする温
度制御用熱電対１２および１３がそれぞれ接続されたプ
ログラム式温度調節計１４および１５によって出力が調
整される。プログラム式温度調節計１４および１５には
予め温度プログラムが記憶され、このプログラムによっ
て基板加熱用板材１および９の温度が制御される。プロ
グラム式温度調節計１４および１５以外の構成要素は窒
素導入コック１７および放出用コック１８が取り付けら
れた密閉可能なステンレス鋼製容器１６の中に収容され
ている。

【００３７】基板加熱用板材１および９のサイズを１４
００ｍｍ×１４００ｍｍ×３ｍｍ、ソース基板２および
ガラス基板４のサイズを１０００ｍｍ×１０００ｍｍ×
３ｍｍ、管状ランプヒーター１０および１１の各々の間
隔を４００ｍｍ、管状ランプヒーター１０と基板加熱用
板材１との間、および管状ランプヒーター１１と基板加
熱用板材９間の距離をともに２００ｍｍとし、ソース基
板２の材質は結晶化ガラスとして、図１の装置を用いて
ＣｄＴｅ膜の形成を行った。ガラス基板４には硼珪酸ガ
ラス製の板を用い、透明導電膜５は厚さ５００ｎｍの酸
化錫膜、ＣｄＳ膜６の膜厚は１００ｎｍとした。膜形成
中のステンレス鋼製容器１６内の雰囲気は、酸素濃度２
０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気とした。スペーサ８はアルミ
ナ製で厚さ５ｍｍのものを用いた。

【００３８】ソース基板２の表面には、中心粒径５０μ
ｍのＣｄＴｅ粉にエチレングリコールモノフェニルエー
テルを加えたペーストをスクリーン印刷し、これを乾燥
することによってソース材料層３を形成した。プログラ
ム式温度調節計１４および１５にはそれぞれ図５および
図６に示す温度変化を発生させるように予めプログラム
しておき、このプログラムの実行によってＣｄＴｅ膜を
形成した。基板加熱用板材１および９には、実施例１で
用いたと同様のカーボン繊維板を用いた。

【００３９】上記のようにして膜形成用基板７上に形成
されたＣｄＴｅ膜の厚さの分布を測定し、その結果を表
５に示した。ＣｄＴｅ膜の厚さの測定は、実施例１にお
ける被加熱基板の温度の測定位置と同じ位置（図３のＡ
１〜Ａ５、Ｂ１〜Ｂ５、Ｃ１〜Ｃ５、Ｄ１〜Ｄ３、およ
びＥ１〜Ｅ３に相当する位置）で行った。

【００４０】

【表５】

【００４１】表５より、管状ランプヒーター１０および
１１から測定点までの距離に無関係に、ほぼ均一な膜厚
のＣｄＴｅ膜が膜形成用基板７上に形成されていること
が分かる。また、そのＣｄＴｅ膜の膜厚の標準偏差は
０．１２であった。

【００４２】《比較例３》基板加熱用板材１および９と
して比較例１と同様の高密度カーボン板を用いた以外
は、実施例３と同様にして膜形成用基板上にＣｄＴｅ膜
を形成した。

【００４３】形成されたＣｄＴｅ膜の厚さの分布を実施
例３と同様にして測定し、その結果を表６に示した。

【００４４】

【表６】

【００４５】表６より分かるように、管状ランプヒータ
ー１０および１１に近接している位置（Ａ１〜Ａ５、Ｂ
１〜Ｂ５、およびＣ１〜Ｃ５の位置）での膜厚が大き
く、離れた測定位置（Ｄ１〜Ｄ３およびＥ１〜Ｅ３の位
置）とで、著しく膜厚の相違が観測された。また、Ｃｄ
Ｔｅ膜の厚さの標準偏差は１．３３であり、実施例３と
較べて極めて大きな膜厚バラツキを示した。これは、面
方向に大きな熱伝導率を持つカーボン繊維板製の基板加
熱用板材を用いた実施例３では、比較例３よりも被加熱
基板（ソース基板および膜形成用基板）が均一な温度分
布を保ちながら加熱されたことに起因する。

【００４６】

【発明の効果】本発明による基板加熱用板材を、半導体
製造過程での基板の加熱を伴う工程に用いることによ
り、大型の基板でも均一な温度分布で加熱できる。ま
た、この基板加熱用板材を用いて近接昇華法によりＣｄ
Ｔｅ膜を製造することにより、均一な膜厚のＣｄＴｅ膜
の大面積化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例におけるＣｄＴｅ膜形成装置の
構成を示す縦断面図である。

【図２】本発明の一実施例における基板、その加熱装置
および温度分布の測定装置の位置関係を示す縦断面図で
ある。

【図３】本発明の実施例における熱源と温度分布測定用
熱電対との位置関係を示す平面図である。

【図４】本発明の他の実施例における基板、その加熱装
置および温度分布の測定装置の位置関係を示す縦断面図
である。

【図５】本発明の実施例のＣｄＴｅ膜形成におけるソー
ス基板の加熱温度プログラムを示す図である。

【図６】本発明の実施例のＣｄＴｅ膜形成における膜形
成用基板の加熱温度プログラムを示す図である。

【符号の説明】

１、９、２２ 基板加熱用板材 ２ ソース基板 ３ ソース材料層 ４ ガラス基板 ５ 透明導電膜 ６ ＣｄＳ膜 ７ 膜形成用基板 ８ スペーサ １０、１１、２３ 管状ランプヒーター １２、１３、２４ 温度制御用熱電対 １４、１５ プログラム式温度調節計 １６ ステンレス鋼製容器 １７ 窒素導入コック １８ 放出用コック ２１ 被加熱基板 ２５ 温度調節器 ２６ 温度分布測定用熱電対 ２７ 被加熱基板支持棒

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体デバイスの製造過程で、基板とこ
   れを加熱するための熱源との間に設置する板材であっ
   て、厚さ方向の熱伝導率が面方向の熱伝導率よりも小さ
   いことを特徴とする基板加熱用板材。
2. 【請求項２】 カーボン繊維が面方向に配列されて形成
   された板材からなる請求項１に記載の基板加熱用板材。
3. 【請求項３】 膜形成用基板と、ソース材料を配設して
   前記膜形成用基板と対向配置したソース基板とをそれぞ
   れ加熱することにより、前記ソース材料を気化させ、こ
   れを前記膜形成用基板上に析出させてテルル化カドミウ
   ム膜を形成するテルル化カドミウム膜の製造方法におい
   て、厚さ方向の熱伝導率が面方向の熱伝導率よりも小さ
   い基板加熱用板材を、前記膜形成用基板および前記ソー
   ス基板の少なくとも一方に面接触させ、その基板加熱用
   板材を熱源により加熱して、前記膜形成用基板およびソ
   ース基板の少なくとも一方を所定温度に加熱することを
   特徴とするテルル化カドミウム膜の製造方法。
4. 【請求項４】 基板加熱用板材が、カーボン繊維が面方
   向に配列されて形成された板材からなる請求項３に記載
   のテルル化カドミウム膜の製造方法。