JP3754855B2

JP3754855B2 - 基板処理装置及び基板処理方法

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Publication number: JP3754855B2
Application number: JP2000000267A
Authority: JP
Inventors: 公一朗森山; 博和大利; 直人岡田; 直芳里; 寛嗣下田; 裕之尾▲崎▼; 正博金井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1999-01-07
Filing date: 2000-01-05
Publication date: 2006-03-15
Anticipated expiration: 2020-01-05
Also published as: JP2000260722A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。本発明は、堆積膜形成装置、堆積膜形成方法、プラズマ処理装置、プラズマ処理方法を包含する。より具体的には、本願発明は、堆積膜連続形成装置、堆積膜連続形成方法、プラズマＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング装置、スパッタンリング法、光起電力素子用の堆積膜形成装置、光起電力素子用の堆積膜形成方法を包含する。
【従来の技術】
従来、帯状基板の表面上に薄膜を連続して形成する機能性薄膜の製造装置としては、例えば、ロール・ツー・ロール（ＲｏｌｌｔｏＲｏｌｌ）方式を採用した連続堆積膜形成方法による製造装置が、米国特許第４，４００，４０９号明細書に開示されている。この製造装置では、複数の成膜空間を設け、所望の幅で充分に長い帯状の基板を、前記成膜空間を順次貫通する経路に沿って、帯状基板の長手方向に連続的に搬送せしめることによって、半導体接合を有する素子等を連続形成することができると記載されている。また、前記成膜空間は減圧状態を保つ複数の成膜室内に設置されるが、各薄膜層形成時に用いる成膜ガスやドーパントガスが他の成膜空間へ拡散、混入するのを防止するために、各成膜室の間にガスゲートが設けてある。ガスゲートとは、各成膜室をスリット状の分離通路によって接続し、更に該分離通路に、例えば、Ａｒ、Ｈ₂等の分離用ガスの流れを形成させたものである。また、前記複数の成膜室には、成膜空間を構成する部材や帯状基板を所望の温度に加熱して堆積膜を形成させるために、例えば成膜空間を構成する部材にシースヒータを接触させて加熱したり、連続して搬送される帯状基板を非接触で加熱するためにランプヒータからの熱輻射で加熱する手段が設置されている。特に、ランプヒータは容易に高温化、高密度化できて輻射エネルギー強度が大きく、帯状基板を短時間で昇温することができるため、ロール・ツー・ロール方式の装置構成の場合には装置の全長を短縮できるという利点がある。
これらの構成により、ロール・ツー・ロール方式による堆積膜形成装置は、光起電力素子などの半導体素子や機能性薄膜の量産に適するものとなっている。しかし、特に光起電力素子を大量に普及させるためには、さらなる光電変換効率、特性安定性や特性均一性の向上、および製造コストの低減が望まれる。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
前述したように帯状基板の加熱方法として、ランプヒータを用いたときには帯状基板を短時間で昇温することができるため装置を小型化できる利点があった。しかしながら、例えばプラズマＣＶＤ装置の成膜室内において、石英管等に電熱線が封入された構造のランプヒータを高温で作動させた場合、成膜室内に存在する原料ガスが熱分解されてランプヒータ表面に膜が堆積してしまうことがある。その結果としてランプヒータの熱放射効率が低下するような場合は、ランプヒータを定期的に清掃または交換する必要がある。さらに、ランプヒータが石英管で構成されていることから機械的強度が弱く、清掃時に石英管が破損したり、加熱動作中に堆積した膜との熱応力などによっても破損することがあり、このような場合は装置を停止してメンテナンスする必要があるため、特に生産装置では稼働率の低下を招くことになる。また、成膜温度の均一性という面において、成膜空間において帯状基板を複数のランプヒータで加熱した場合にはランプヒータに近接した部分と離れた部分では温度差が発生するため、搬送される帯状基板の温度が上下することにより、堆積膜の特性を低下させる一因となっていた。
また、帯状基板の予備加熱および加熱方法として機械的強度が強いシースヒータのみを用いた場合、シースヒータは比較的高温にはできないため、プラズマＣＶＤで要求される３００℃程度の温度にまで帯状基板を加熱するためには長時間かかり、装置の全長が増大してしまう。
【０００３】
このような問題は堆積膜形成装置に限ったものではない。例えばランプヒータの清掃時の破損の問題やランプヒータを用いた場合の温度差の問題は、ランプヒータを用いた基板処理装置全てに共通するものである。
【０００４】
そこで、本発明はこのような問題を解決し、加熱手段の破損等の障害を伴うことなく、短時間で昇温することができ、安価なコストで生産性が高く、特性の良好な処理済み基板が得られる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、処理室と、該処理室内に設けられた処理空間と、少なくとも該処理室内で基板を搬送する機構と、該処理空間内で基板処理を行う機構と、該基板を加熱する機構と、を有する基板処理装置において、前記基板の前記処理空間内に搬入された部分を加熱するプレートヒータ又はシースヒータからなる本加熱手段を有し、かつ、前記本加熱手段の前記基板側と反対側の面に対向する反射板を有し、該反射板は前記本加熱手段の搬送方向と垂直な方向の基板両端部に対向する領域に設けられていることを特徴とする基板処理装置を提供する。
また、本発明は、処理室と、該処理室内に設けられた処理空間と、少なくとも該処理室内で基板を搬送する機構と、該処理空間内で基板処理を行う機構と、該基板を加熱する機構と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法において、
前記基板の前記処理空間内に搬入された部分をプレートヒータ又はシースヒータからなる本加熱手段によって加熱する工程を少なくとも有し、前記本加熱手段の前記基板と反対側に反射板を設けて前記基板を加熱し、かつ、前記反射板を前記基板の搬送方向と垂直な方向の基板端部に対向する領域に設け、基板中央部に対向する領域には設けないことを特徴とする基板処理方法を提供する。
本発明の基板処理装置及び基板処理方法において、前記基板が前記処理空間内に搬入される前に該基板を加熱するランプヒータからなる予備加熱手段を有する構成とすることが好ましい。
また、本発明の基板処理装置及び基板処理方法において、予備加熱手段は処理室内に設けられ、処理室内で基板を加熱することが好ましい。
また、前記予備加熱手段によって前記基板が加熱される領域の終端と前記本加熱手段によって前記基板が加熱される領域の始端との間の前記基板の搬送方向の距離を、前記予備加熱手段によって前記基板が加熱される領域の前記基板の搬送方向の距離よりも短くすることが好ましい。
本発明の基板処理としては、プラズマ生起を伴うものが好ましい。また、堆積膜形成を伴う基板処理に本発明を適用するとランプヒータヘの膜堆積の問題も解決できる点で効果的である。本発明は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法による成膜処理装置及び成膜処理方法に好適に適用できる。さらに、基板として帯状基板を用い、帯状基板をその長手方向に搬送する場合に本発明は好適に用いられる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の好適な態様では、基板はまず処理空間近傍以外に設けられている予備加熱手段によって加熱されるため、予備加熱手段における石英管等を用いたランプヒータの破損等の障害を伴うことなく、該基板を基板処理に必要とされる基板温度に近い温度まで急速に加熱することができ、このように予備加熱された基板を、引き続き搬送して、処理空間内においては金属管に電熱線を電気的に絶縁して封入する等してなるシースヒータもしくはシースヒータ等のヒータを金属プレートに固定した構造のプレートヒータからなる本加熱手段によって、均一的に安定した温度で加熱することが可能となる。また、予備加熱手段の出口と本加熱手段の入口との距離を、予備加熱手段の加熱領域の距離よりも短く配置することにより、両者の加熱手段間にて基板温度が低下することなく該基板が処理空間へ搬送されるため、安定した基板温度が得られ、特性の良好な処理済基板を得ることができる。
【０００７】
本発明の基板処理装置は、プラズマＣＶＤ装置、熱ＣＶＤ装置、蒸着装置、スパッタリング装置、気相エピタキシャル成長装置、等の成膜装置、エッチング装置、ラミネーション装置、アニール装置、塗布装置、を包含する。また、本発明の基板処理方法は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法、気相エピタキシャル法、等の成膜法、エッチング法、ラミネーション法、アニール法、塗布法、を包含する。
【０００８】
なお、以下では、本発明の効果が大変良く現れる基板処理の一例であるプラズマＣＶＤを例にとって、本発明の基板処理装置の一例であるプラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成装置及び本発明の基板処理方法の一例であるプラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成法について説明する。以下では、本発明の装置における「処理室」を「成膜室」、「処理空間」を「成膜空間」に言いかえて説明する場合があるが、成膜以外の基板処理に本発明を適用する場合には、以下の説明中の「成膜室」を「処理室」に、「成膜空間」を「処理空間」に読みかえるべきである。
【０００９】
以下に、本発明の実施の形態について、添付図面を用いて説明する。
本発明の基板処理装置の一例である堆積膜連続形成装置としては、ロール・ツー・ロール方式の装置があげられる。この装置では、帯状基板が複数の成膜室の中を帯状基板の長手方向に連続的に搬送されて、素子が形成される。前記装置の膜堆積方法としては、プラズマＣＶＤやスパッタ等が挙げられる。また、薄膜素子としては、例えば半導体集積回路や各種半導体センサー、太陽電池などの各種光起電力素子が挙げられる。特に、本発明の装置は、大面積な受光部を必要とする太陽電池の製造に好適である。光起電力素子は、例えば図７に示した層構成、すなわち帯状基板からなる基板７００の表面上に、裏面反射層７０１、透明導電膜７０２、ｎ型半導体層７０３、ｉ型半導体層７０４、ｐ型半導体層７０５、透明導電膜７０６という各層を順次堆積した層構成からなり、その上に集電電極７０７を形成してある。
【００１０】
次に、このような素子を形成することができるロール・ツー・ロール方式の装置の模式的断面図を図２に示す。
図２において、２０１、２０２、２０３はプラズマＣＶＤ法による成膜室、１００は帯状基板の送出し室、２０４は巻取り室である。それぞれの成膜室はガスゲート２０６によって接続されている。１００は帯状基板であり、送出し室から巻取り室に搬送されるまでに３つの成膜室を通過して、その表面に三層の機能性堆積膜、例えばｐｉｎ構造の光起電力層が形成される。
２０１〜２０３の各成膜室には、図１に示される各手段が設けられ、プラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成が行われる。また、同様のロール・ツー・ロール方式の装置構成を用いることによってスパッタリング法による堆積膜の形成もおこなうことができる。
図１において、１００は帯状基板、１０１は成膜室、１０２はガスゲート、１０３は分離用ガス導入管、１０４はマグネットローラー、１０５は成膜空間、１０６はガス供給手段（図示せず）から供給される成膜ガスを成膜室に導入する成膜ガス導入管、１０７は排気手段（図示せず）によって成膜室を排気するための排気管、１０８は成膜室内の圧力を調整する排気調整バルブ、１０９は成膜室内の成膜ガスにエネルギーを与えてプラズマ放電を生成する高周波電力を供給する高周波電極、１１０は成膜空間を形成する部材を加熱するウォールヒータ、１１１は熱電対、１１２は成膜空間１０５の圧力を測定する圧力計、１１３は予備加熱手段であるところのランプヒータユニット、１１４は本加熱手段であるところのプレートヒータ、１１５は反射板である。
【００１１】
ロール・ツー・ロール方式の装置では、送出し室２００に配置された送出しコア２０５に巻かれた帯状基板１００は、複数の成膜空間内を通して、巻取り室２０４に設けた巻取りコア２０８にコイル状に巻き付けられて搬送させられる。巻き付けの際に、同時に合紙２０７を巻き込むことで、帯状基板の成膜面を保護することができる。前記合紙の材質としては、耐熱性樹脂であるポリイミド系、テフロン系およびグラスウールなどが好適に用いられる。前記帯状基板が、一定速度で、その面内にシワ、ねじれ、反りなどを生じることなく、前記複数の成膜空間を搬送されることが大切である。帯状基板が着磁性である場合、例えば、図１に示すような回転可能な磁性体のマグネットローラー１０４を用いて帯状基板１００を支持することによって、該帯状基板１００を所望の経路に沿って一定の形状に保って搬送することが可能となる。搬送速度は、成膜条件（半導体膜の膜厚や形成速度など）によって、適宜選択されるが、好ましくは２００ｍｍ／ｍｉｎ〜５０００ｍｍ／ｍｉｎである。
成膜室を連続して複数個設けることにより、異なる材質の薄膜を複数層形成する場合もあるが、この時には図１（図２）のように各成膜室の間に後述するガスゲート１０２（２０６）を設けて、隣合う成膜室の影響を防止する手段が用いられる。ガスゲート１０２は、前記帯状基板の送出し室および巻取り室と成膜室とを分離独立させ、かつ、前記帯状基板をそれらの中を貫通させて連続的に搬送する目的で設けたものである。ガスゲート１０２は、スリット状の空間に帯状基板１００を貫通させた構造で、帯状基板の堆積面との間には、所定の間隙が設けられている。この間隙は、コンダクタンスを小さくし、各成膜室間でのガスの拡散、混入を防ぐ目的から、例えば１〜５ｍｍの幅に設定するのが好ましい。更に、ガスゲート内へは、分離用ガス導入管１０３から分離用ガスが導入され、成膜室からガスゲート内に侵入する成膜ガスを押し戻すような構成となっている。分離用ガスとしては、例えば、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ等の希ガスまたはＨ₂等の半導体膜作製用希釈ガスがあげられる。分離用ガスの流量は、ガスゲート全体のコンダクタンスなどによって適宜決定されるが、例えば、ガスゲートのほぼ中央部に圧力の最大となるポイントを設ければ、分離用ガスはガスゲートの中央部から両サイドの成膜室側へ流れ、両サイドの成膜室間での相互のガス拡散を最小限に抑えることができる。
【００１２】
本発明において帯状基板は、堆積膜製作時に必要とされる温度において変形、歪みが少なく、所望の強度を有し、また、導電性を有するものであることが好ましい。具体的にはステンレススチール、アルミニウム及びその合金、鉄及びその合金、銅及びその合金等の金属の薄板やその複合体、などが挙げられる。また、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ等の耐熱性樹脂性シートなどの表面に金属単体または合金、及び透明導電性酸化物（ＴＣＯ）等をスパッタ、蒸着、鍍金、塗布等の方法で導電性処理をおこなったものがあげられる。また、前記帯状基板の厚さとしては、前記搬送手段による搬送時に形成される経路および形状が維持される強度を発揮する範囲内であれば、コスト、収納スペース等を考慮して可能な限り薄い方が望ましい。具体的には、好ましくは０．０１ｍｍ〜１ｍｍ、最適には０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍであることが望ましいが、金属等の薄板を用いる場合、厚さを比較的薄くしても所望の強度が得られやすい。前記帯状基板の幅については、特に制限されることはなく、堆積膜作製手段、あるいはその容器等のサイズによって決定される。前記帯状基板の長さについては、特に制限されることはなく、ロール状に巻きとられる程度の長さであれば良く、長尺のものを溶接等によって更に長尺化したものであっても良い。
【００１３】
次に、本発明の帯状基板の加熱手段について、図１を用いて説明する。まず、帯状基板１００が送出し室から搬送されて、ガスゲート１０２を通過した後、成膜室１０１内に入るが、この時点では帯状基板はおよそ室温状態である。成膜空間１０５に入る前に、例えばプラズマＣＶＤ法で必要とされる１５０℃〜６００℃前後の温度にまで帯状基板を加熱する必要があるが、成膜空間に入るまでの間にランプヒータユニット１１３を用いて予備加熱することで帯状基板は前記温度にまで急速に加熱される。ランプヒータユニット１１３の構造を図３に示す。ランプヒータ３００としては石英管３０１に電熱線３０２が封入された構造のものを好適に用いることができる。好ましくは、ランプヒータ３００を基板搬送方向に複数並ベて反射板３０３にヒータ固定治具３０４で固定してランプヒータユニット１１３を構成する。基板幅方向の温度均一性を向上させるために、ランプヒータ３００の長手方向と直交する方向に反射板３０３を設置することが有効である。電熱線３０２に加える電力とランプヒータ３００から輻射される熱量の応答が速いため、ランプヒータ３００の温度制御方法としては、例えば交流電力を用いる場合は電力を連続的に変化させることができるサイリスタを用いた電力制御を行うことが望ましい。これによって帯状基板１００の長手方向の温度が均一化できる。
次に、帯状基板１００はランプヒータユニット１１３の加熱領域の外部へ搬送され、ランプヒータユニット１１３とプレートヒータ１１４との間に運ばれるが、このとき帯状基板自身からの熱輻射によって基板温度は低下する。この温度低下によって、成膜空間１０５に搬送されたときに適正な基板温度が得られない場合がある。これを防ぐために、帯状基板１００がランプヒータユニットの加熱領域を出てからプレートヒータの加熱領域に入るまでの距離を、ランプヒータユニットの搬送方向の加熱領域に相当する距離よりも短くし、適正な基板温度を得ることができる。また、分離用ガス等による冷却を防ぐためには、ランプヒータは本加熱手段と同じ成膜室に設けられている方がよい。
【００１４】
次に、帯状基板１００が成膜空間１０５に搬送されるが、基板温度は、プレートヒータ１１４からの輻射熱や、基板周囲にある部材からの輻射熱、雰囲気ガスによる熱伝導、プラズマからの熱伝導、基板表面反応による熱の出入りによって決定される。また、搬送することで帯状基板は一定の速度で移動しているため、成膜空間を移動する間の基板温度が所望の分布となるように、与える熱量分布の制御を精密に行う必要がある。望ましい基板温度分布は、プラズマの生成方法や堆積膜の層構成によって様々であるが、一般的には基板温度を一定にするか、あるいは意図的に温度勾配を持たせる場合がある。
【００１５】
本発明では、成膜空間１０５における帯状基板１００の加熱手段にはプレートヒータ１１４を用いている。本例のプレートヒータ１１４の構造を図４を用いて説明する。金属管に電熱線が電気的に絶縁して封入された構造のシースヒータ４００を金属プレート４０１で両面から挟んだ構造であり、前記ユニットは成膜空間にある帯状基板と対面する部分に配置される。金属プレート４０１内部の熱伝導により前記プレート表面の温度は均一化される。このため、搬送されている帯状基板は一定の輻射熱を受けるために基板温度は安定し、この部分の加熱手段として複数のランプヒータを用いた場合のように帯状基板１００の長手方向の基板温度にムラが生じることはなくなる。シースヒータ４００に加える電力とプレートヒータ１１４から輻射される熱量の応答が遅いため、シースヒータ４００の温度制御方法としては、シースヒータ４００の電力制御として簡便なＯＮ／ＯＦＦ制御を用いたとしても安定な基板温度を得ることができる。例えば、電力制御に高価なサイリスタではなく安価な固体リレーなどを用いて装置のコストを低減できる。
プレートヒータ１１４の基板搬送方向に対する両端部は中心部と比較して熱放散が大きいために、これを補償する手段として、単一または複数の金属板を積層した構造の反射板４０２を、帯状基板の幅方向両端部に対応する部分（図中の斜線部）のみに設置することで、帯状基板の幅方向の温度の均一性はさらに向上できる。
【００１６】
なお、温度の均一性をさほど問題にしなくてよい場合には、反射板を金属プレートに対向する面の全面に設けたり、金属プレートをシースヒータの一方にのみ設けたり、プレートヒータの代わりにシースヒータをそのまま設けたりしてもよい。また、シースヒータを金属板に埋め込んだプレートヒー夕や、金属板の裏にランプヒータを設けたプレートヒータを設けてもよい（成膜空間とランプヒータとの間に金属板を設けることでランプへの膜堆積が防げるからである）。以上述べた例で、金属板は他の熱伝導率の高い材料からなる板で代用することもできる。
【００１７】
また、図５に示すように、成膜空間１０５上に設置するプレートヒータ１１４を搬送方向に複数個に分割し、熱電対１１１を用いてそれぞれを個別に温度制御することによって、帯状基板の搬送方向の温度分布を均一化することができる。あるいは基板温度を意図的に温度勾配を持たせることが容易に実現でき、堆積膜の素子としての特性向上を図ることができる。基板の幅方向に温度勾配をもたせる場合には、基板の幅方向にプレートヒータを分割すればよい。
成膜空間においては、帯状基板はすでに成膜温度付近にまで加熱されていることと、帯状基板はプラズマからも熱量を受けるために、プレートヒータ１１４の温度は、成膜に必要な基板温度に近い温度で充分であり、およそ１５０℃から４００℃の範囲とすることが好ましい。この温度範囲においては原料ガスの熱分解は促進されず、プレートヒータ１１４の表面に堆積膜が付着することはないため、メンテナンスする必要がなく装置の稼働率が低下することがなくなる。また、プレートヒータ１１４は石英管を用いたランプヒータよりも機械的強度が強いため、破損の恐れが減少して稼働率の低下が防止できる。
【００１８】
【実施例】
以下に、本発明の実施例として、堆積膜形成装置による光起電力素子の形成装置を、図１〜図７を参照して説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
［実施例１］
図２に示したロール・ツー・ロール方式のプラズマＣＶＤ装置を用い、以下の条件で帯状基板の表面上に、ｐｉｎ型アモルファスシリコンの光起電力素子を作製した。以下、図１〜図４を参照して説明する。
帯状基板１００としては、予め不図示のロール・ツー・ロール方式のスパッタ式膜形成装置で帯状基板１００上に裏面反射層としてアルミニウムの薄膜（厚さ０．１μｍ）と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の薄膜（厚さ１．０μｍ）を堆積してある幅３５０ｍｍ、長さ３００ｍ、厚さ０．２ｍｍのＳＵＳ４３０を使用した。
【００１９】
本実施例では、成膜空間に入る前の帯状基板の予備加熱手段として、図３に示す構造の、出力１ｋＷの石英管ランプヒータ×６本を内蔵するランプヒータユニット１１３（加熱領域：基板幅方向５００ｍｍ×搬送方向１５０ｍｍの中にランプヒータを等間隔に配置）を設置し、成膜空間における帯状基板の加熱手段として、図４に示す構造の、出力２ｋＷ、シース径φ１０ｍｍ、長さ４ｍのシースヒータ×１本を用い、これを厚さ５ｍｍのアルミニウム板２枚で挟み込んだプレートヒータ１１４（加熱領域：基板幅方向５００ｍｍ×搬送方向９００ｍｍ）を設置した。搬送方向に対するランプヒータユニット加熱領域終端とプレートヒータ加熱領域始端との距離は、５０ｍｍの間隔が開くようにそれぞれのヒータを設置した。また、厚さ０．３ｍｍのステンレス板５枚を１ｍｍの間隔をあけて重ねたフィン型の構造の反射板２組（サイズ：基板幅方向１５０ｍｍ×搬送方向９００ｍｍ）を、プレートヒータ１１３の帯状基板と対面しない面で、かつ帯状基板幅方向の両端部に対応する部分それぞれに設置した。ヒータの温度制御については、ランプヒータは石英管の管面から５ｍｍ離れた位置に熱電対１１１を設置し、シースヒータはシースの管面に熱電対１１１を接触させて温度を測定し、印加電力にフィードバックさせて温度を制御した。
【００２０】
また、帯状基板の温度測定は、搬送される基板にシース熱電対を一定の圧力で接触させて測定し、帯状基板の幅方向中心部が所望の予備加熱温度、加熱温度となるように各ヒータの温度制御を行った。成膜空間における帯状基板の幅方向の温度分布を測定したところ、５％以内のばらつきであり、幅方向に均一に加熱されていることが判った。
まず、帯状基板１００を、送出し室２００から送出させて、ガスゲート１０２で接続された３つの成膜室２０１〜２０３を通過して、巻取り室２０６で巻き取られるようにセットした。
【００２１】
次に、各成膜室２０１〜２０３の各室に設けられた図１に示す排気調整バルブ１０８を通して不図示の排気手段により、これらの各室を１Ｔｏｒｒ台まで排気した後、引き続き排気しながら成膜ガス導入管１０６からＨｅガスをそれぞれ１００ｓｃｃｍづつ流し、排気調整バルブ１０８を制御して、各成膜室２０１〜２０３の圧力を図１に示す圧力計１１５で測定して１．０Ｔｏｒｒに保った。さらに、ヒータ１１０、１１３、１１４をそれぞれ３００℃に加熱して、この状態のまま５時間ベーキングを行って不純物ガスを脱離させた。
次に、成膜ガス導入管１０６から流していたＨｅガスを停止し、不図示のガス混合器から表１に示す組成の原料ガスを、成膜ガス導入管１０６から各成膜室２０１〜２０３へ導入した。各ガスゲートには分離用ガス導入管１０３からＨ₂ガスをそれぞれ１０００ｓｃｃｍ流した。帯状基板１００の搬送速度は１０００ｍｍ／ｍｉｎであった。また、不図示の高周波発振器から各成膜室２０１〜２０３内の高周波電極１０９に電力を印加して、成膜空間１０５にプラズマ放電を生成し、帯状基板上にｎ，ｉ，ｐ型のアモルファスシリコン膜を連続的に形成した。各成膜室の安定成膜時の作製条件を表１に示す。
成膜工程として連続的に膜形成を約５時間おこない、全長３００ｍの帯状基板のうち、２５０ｍに半導体膜を形成することができた。以後、半導体膜が得られた２５０ｍの部分を有効部分と呼ぶことにする。
【００２２】
上記の手順で得られたアモルファスシリコン膜を堆積した帯状基板を巻取り室２０４から取り出し、不図示のスパッタ方式の膜形成装置でＩＴＯ透明導電膜（膜厚８００Å）を形成した後、帯状基板１００を不図示の切断機によって送り出しながら搬送方向に１００ｍｍごとに切断してサンプルとし、Ａｇのペーストをスクリーン印刷することにより集電電極を形成して、図７の模式断面図に示す光起電力素子を作製した。
形成された光起電力素子の特性評価を、ＡＭ値１．５、エネルギー密度１００ｍＷ／ｃｍ²の擬似太陽光を照射したときの光電変換率ηを測定し、さらに各サンプルの光電変換効率を平均することで評価をおこなった。その評価結果を表２に示す。
また、ヒータヘの膜付着状況を調べるために、前記と同じ全長３００ｍの帯状基板２０ロット分を成膜したのち、各成膜室２０１〜２０３を大気に開放して、成膜空間１０５において帯状基板１００を加熱するプレートヒータ１１４への膜付着状況を観察した。
【００２３】
（比較例１）
比較例１では、図６に示すように、成膜空間１０５における帯状基板１００の加熱手段として、出力２００Ｗの石英管ランプヒータ×１０本を内蔵するランプヒータユニット１１３（加熱領域：基板幅方向５００ｍｍ×搬送方向９００ｍｍの中にランプヒータを等間隔に配置）を用いて、実施例１と同様の成膜をおこなった。その他の成膜条件は表１と同様である。
成膜空間における帯状基板の幅方向の温度分布を、実施例１と同じ方法で測定したところ、８％以内のばらつきであり、実施例１よりも均一性は劣ることが判った。
評価方法は実施例１と同様で、評価結果を表２に示す。
【００２４】
【表１】

【００２５】
【表２】

表２に示すとおり、比較例１に対して、実施例１では光電変換効率が向上した。また、帯状基板２０ロット分の成膜を、実施例１、比較例１それぞれについて行った後に加熱手段への膜堆積状況を観祭した結果、比較例１では原料ガスが熱分解されて石英管面にシリコン膜が堆積したが、実施例１では膜堆積はなかった。このため、比較例１では石英管に堆積した膜が剥がれて落下したり、赤外線の透過を妨げていたためランプヒータ３００を交換し、コストがかかった。実施例１ではそのようなことはなかったため、メンテナンスをする必要がなくなった。
【００２６】
［実施例２］
実施例２では、図５に示すように、成膜空間における帯状基板の加熱手段として、出力１ｋＷ、シース径φ１０ｍｍ、長さ２ｍのシースヒータ×１本を厚さ５ｍｍのアルミニウム板２枚で挟み込んだプレートヒータ１１４（加熱領域：基板幅方向５００ｍｍ×搬送方向４５０ｍｍ）を、搬送方向に２台並列して設置して、実施例１と同様の成膜をおこなった。それぞれのプレートヒータ１１４は、熱電対１１１を用いて独立に温度制御ができ、成膜空間１０５の入口側における帯状基板の温度を加熱温度１、出口側の温度を加熱温度２とした。このときの成膜条件を表３に示す。評価方法は実施例１と同様で、評価結果を表４に示す。
（比較例２）
比較例２では、比較例１と同様の成膜を再度おこなった。成膜条件は表１と同様である。評価方法は実施例１と同様で、評価結果を表４に示す。
【００２７】
【表３】

【００２８】
【表４】

以上の実験から、実施例２の光電変換効率は高くなり、加熱温度２を加熱温度１よりも低く設定することで、成膜時の帯状基板１００の基板温度はさらに最適化されたといえる。また、帯状基板２０ロット分の成膜を、実施例２について行った後に成膜空間での帯状基板の加熱手段への膜堆積状況を観察した結果、実施例２ではプレートヒータ１１４を用いたがこれの表面に膜堆積はなかった。比較例２ではランプヒータユニット１１３を用いたが石英管３０１の表面にシリコン膜が堆積し、その結果として１３ロット目を成膜中に石英管３０１が破損するトラブルが発生した。このため、装置を停止して成膜室を大気に開放して、メンテナンスをおこなう必要が発生したため、装置の稼働率が低下した。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、加熱手段の破損等の障害を伴うことなく短時間で昇温することができ、安価なコストで生産性が高く、特性の良好な処理済基板が得られる基板処理装置及び基板処理方法、特に堆積膜連続形成装置および堆積膜連続形成方法、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法により帯状基板の表面上に光起電力素子などの堆積膜を連続的に形成する装置またはその形成方法を実現することができる。
すなわち、本発明によると、基板を処理空間近傍以外に設けられている予備加熱手段によって加熱することができるため、予備加熱手段における石英管によるランプヒータに破損等の障害を伴うことなく、該基板を処理に必要とされる基板温度に近い温度まで短時間に加熱することができ、装置のメンテナンスの頻度を下げて稼働率を向上させることで、安価な生産コストで生産性の高い基板処理装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板処理装置の一例の一部を示す模式的な断面図である。
【図２】帯状基板を用いた基板処理装置の一例を示す模式的な断面図である。
【図３】本発明で用いられる予備加熱手段の一例を示す模式的な側面図及び模式的な上面図である。
【図４】本発明で用いられる本加熱手段の一例を示す模式的な側面図及び模式的な上面図である。
【図５】本発明の基板処理装置の一例の一部を示す模式的な断面図である。
【図６】従来の基板処理装置の一例の一部を示す模式的な断面図である。
【図７】光起電力素子の層構成の一例を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
１００：帯状基板
１０１：成膜室
１０２：ガスゲート
１０３：分離用ガス導入管
１０４：マグネットローラー
１０５：成膜空間
１０６：成膜ガス導入管
１０７：排気管
１０８：排気調整バルブ
１０９：高周波電極
１１０：ウォールヒータ
１１１：熱電対
１１２：圧力計
１１３：ランプヒータユニット
１１４：プレートヒータ
１１５：反射板
２００：送出し室
２０１〜２０３：成膜室
２０４：巻取り室
２０５：送出しコア
２０６：ガスゲート
２０７：合紙
２０８：巻取りコア
３００：ランプヒータ
３０１：石英管
３０２：電熱線
３０３：反射板
３０４：ヒータ固定治具
４００：シースヒータ
４０１：金属プレート
４０２：反射板
７００：基板
７０１：裏面反射層
７０２：透明導電膜
７０３：ｎ型層
７０４：ｉ型層
７０５：ｐ型層
７０６：透明導電膜
７０７：集電電極

Claims

処理室と、該処理室内に設けられた処理空間と、少なくとも該処理室内で基板を搬送する機構と、該処理空間内で基板処理を行う機構と、該基板を加熱する機構と、を有する基板処理装置において、
前記基板の前記処理空間内に搬入された部分を加熱するプレートヒータ又はシースヒータからなる本加熱手段を有し、かつ、
前記本加熱手段の前記基板側と反対側の面に対向する反射板を有し、該反射板は前記本加熱手段の搬送方向と垂直な方向の基板両端部に対向する領域に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
前記基板が前記処理空間内に搬入される前に該基板を加熱するランプヒータからなる予備加熱手段を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記予備加熱手段が前記処理室内で前記基板を加熱する手段であることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記予備加熱手段によって前記基板が加熱される領域の終端と前記本加熱手段によって前記基板が加熱される領域の始端との間の前記基板の搬送方向の距離が、前記予備加熱手段によって前記基板が加熱される領域の前記基板の搬送方向の距離よりも短いことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。
前記基板処理を行う機構がプラズマ生起機構を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記基板処理を行う機構が堆積膜形成を行う機構であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記基板処理を行う機構がプラズマＣＶＤによる成膜を行う機構であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記基板処理を行う機構がスパッタリングによる成膜を行う機構であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
処理室と、該処理室内に設けられた処理空間と、少なくとも該処理室内で基板を搬送する機構と、該処理空間内で基板処理を行う機構と、該基板を加熱する機構と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法において、
前記基板の前記処理空間内に搬入された部分をプレートヒータ又はシースヒータからなる本加熱手段によって加熱する工程を少なくとも有し、
前記本加熱手段の前記基板と反対側に反射板を設けて前記基板を加熱し、
かつ、
前記反射板を前記基板の搬送方向と垂直な方向の基板端部に対向する領域に設け、基板中央部に対向する領域には設けないことを特徴とする基板処理方法。
前記基板が前記処理空間内に搬入される前に該基板をランプヒータからなる予備加熱手段によって加熱する工程を有することを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
前記予備加熱手段によって前記処理室内で前記基板を加熱することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
前記予備加熱手段によって前記基板が加熱される領域の終端と前記本加熱手段によって前記基板が加熱される領域の始端との間の前記基板の搬送方向の距離を、前記予備加熱手段によって前記基板が加熱される領域の前記基板の搬送方向の距離よりも短くすることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の基板処理方法。
前記基板処理がプラズマ生起を伴う処理であることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記基板処理が堆積膜形成を含むことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記基板処理がプラズマＣＶＤによる成膜を含むことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記基板処理がスパッタリングによる成膜を含むことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記基板として帯状基板を用い、該帯状基板をその長手方向に搬送することを特徴とする請求項９〜１６のいずれか１項に記載の基板処理方法。