JP5478033B2 - 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、条件設定プログラム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板やガラス基板等を処理する基板処理装置に関する。

この種の基板処理装置は、設定された動作条件に基づいて生成されるジョブに従って動作する。ユーザは、基板処理装置の操作画面を確認しつつ、この操作画面上で動作条件を設定する。例えば、ユーザは、キャリア選択画面でキャリアを選択した後、ジョブスペック入力画面で基板を処理するためのファイルや基板の移載に関するパラメータを選択する。

しかしながら、このような基板処理装置は、動作条件が設定されるとすぐにジョブをスタートできるため、誤った設定のまま、基板が処理されることがある。

本発明は、ユーザによる設定ミスの発生を抑止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る第１の基板処理装置は、基板を処理するためのレシピの選択及び当該レシピで用いられる基板の移載に関するパラメータの指定を行うための第１の設定画面と、当該第１の設定画面で選択されたレシピで用いられる基板の選択を行うための第２の設定画面とを表示する表示手段と、第１の設定画面が前記表示手段に表示された後に第２の画面が前記表示手段に表示されるように制御する制御手段とを有する。

好適には、前記表示手段は、設定の確認を行うための確認画面をさらに表示し、前記制御手段は、前記第１の設定画面及び前記第２の設定画面が前記表示手段に表示された後に前記確認画面が前記表示手段に表示されるように制御する。
また、好適には、前記パラメータは、前記レシピと関連付けられている。

本発明に係る第２の基板処理装置は、上端側及び下端側に保持されたダミー基板の間に処理対象の基板を保持するボートを処理室に装入し、当該処理室の温度及び圧力を制御して、前記処理対象の基板を処理する基板処理装置であって、基板を処理するためのレシピの選択及び当該レシピで用いられる基板の移載に関するパラメータの指定を行うための第１の設定画面と、当該第１の設定画面で選択されたレシピで用いられる基板の選択を行うための第２の設定画面とを表示する表示手段と、第１の設定画面が前記表示手段に表示された後に第２の画面が前記表示手段に表示されるように制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記第２の設定画面において基板が選択されないことを許容する。

本発明に係る基板処理装置の動作条件設定方法は、コンピュータを含む基板処理装置において、前記コンピュータが、基板を処理するためのレシピの選択及び当該レシピで用いられる基板の移載に関するパラメータの指定を行うための第１の設定画面を表示し、前記コンピュータが、第１の設定画面が表示された後に、前記第１の設定画面で選択されたレシピで用いられる基板の選択を行うための第２の画面が表示されるように制御する。

本発明に係る基板処理装置よれば、ユーザによる設定ミスの発生を抑止することができる。

図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０を含む基板処理システム１の構成を示す図である。
図１に示すように、基板処理システム１は、基板処理装置１０及びホスト装置２０を有する。基板処理装置１０及びホスト装置２０は、例えばＬＡＮやＷＡＮなどのネットワーク１２を介して接続されている。したがって、基板処理装置１０及びホスト装置２０は、ネットワーク１２を介してデータの送信及び受信を行う。なお、基板処理システム１には、複数の基板処理装置１０が含まれてもよい。

基板処理装置１０において、入出力装置１６は、基板処理装置１０と一体に、又はネットワーク１２を介して接続して設けられており、操作画面１８を表示する。操作画面１８には、ユーザにより所定のデータが入力される入力画面及び装置の状況等を示す表示画面などが表示される。また、基板処理装置１０内には、プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ：Process module controller）１４が設けられ、該ＰＭＣ１４により、基板処理装置１０内の各装置が制御される。

基板処理装置１０は、一例として、半導体装置の製造方法における処理装置を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置を適用した実施例について述べる。

図２は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の斜視図を示す。
また、図３は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の側面透視図を示す。
図２及び図３に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が使用されている本発明の実施形態に係る基板処理装置１０は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４がそれぞれ建て付けられている。

筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。

筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０には一対のポッドオープナ１２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。

サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図２に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部との間に設置されている。ウエハ移載装置１２５ａ及びウエハ移載装置エレベータ１２５ｂの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理室２０２が設けられている。処理室２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。

図２に模式的に示されているように、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理室２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。

図２に模式的に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置されている。

クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、図示しないノッチ合わせ装置及びウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。

次に、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の動作について説明する。
図２及び図３に示されているように、ポッド１１０がロードポット１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。

搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。

載置台１２２に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。

ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、図示しないノッチ合わせ装置にてウエハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。

この一方（上段又は下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理室２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理室２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。

ローディング後は、処理室２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、図示しないノッチ合わせ装置でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体の外部へ払出される。

次に、基板処理装置１０の構成要素を制御するＰＭＣ１４について説明する。
図４は、ＰＭＣ１４を中心としたハードウェア構成を示す。
ＰＭＣ１４は、ＣＰＵ１４０、ＲＯＭ（read-only memory）１４２、ＲＡＭ（random-access memory）１４４、入出力装置１６との間でのデータの送受信を行う送受信処理部１４６、温度制御部１５０、ガス制御部１５２、圧力制御部１５４、搬送制御部１５６、及び温度制御部１５０等とのＩ／Ｏ制御を行うＩ／Ｏ制御部１４８を有する。ＣＰＵ１４０は、上述した入出力装置１６の操作画面１８で作成又は編集され、ＲＡＭ１４４等に記憶されているレシピに基づいて、基板を処理するための制御データ（制御指示）を、温度制御部１５０、ガス制御部１５２及び圧力制御部１５４に対して出力する。なお、ＣＰＵ１４０は、搬送制御部１５６に対しても同様に制御指示を出力する。

ＲＯＭ１４２又はＲＡＭ１４４には、種々のシーケンスプログラム、複数のレシピ、複数のパラメータ等が記述された各種ファイル、入出力装置１６より入力される入力データ、レシピのコマンド及びレシピ実行時の履歴データ等が格納される。なお、ＰＭＣ１４には、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等により実現される記憶装置（不図示）が含まれてもよく、この場合、該記憶装置には、ＲＡＭ１４４に格納されるデータと同様のデータ等が格納される。このように、ＲＯＭ１４２又はＲＡＭ１４４は基板を処理する手順が記載されているレシピ等を記憶する記憶手段として用いられる。入力指示（入力データ）は、入出力装置１６の操作画面１８からの指示をいう。入力指示（入力データ）は、レシピを実行させる指示のほか、各ユーザの操作権限を設定する指示などがその一例として挙げられるが、これに限定されない。

入出力装置１６は、操作画面１８からのユーザの入力指示を受け付ける入力部１６０、ＲＡＭ１４４等に格納されているデータ等を表示する表示部１６２、入力部１６０によって受け付けられた入力指示が後述する表示制御部１６４により送受信処理部１４６に送信されるまでの間記憶する記憶部１６６、入力部１６０からの入力指示を受け付け、該入力指示を表示部１６２もしくは送受信処理部１４６に送信する表示制御部１６４を有する。なお、後述するように、表示制御部１６４は、送受信処理部１４６を介してＲＯＭ１４２又はＲＡＭ１４４に格納された複数のレシピのうち任意のレシピをＣＰＵ１４０により実行させる指示（制御指示）を受け付けるようになっている。また、表示部１６２は、表示制御部１６４からの指示により指示された任意のレシピを操作画面１８に表示するようになっている。さらに、表示部１６２は、後述するように、ユーザの操作権限を設定するための権限設定画面やレシピを編集するための編集画面等を操作画面１８に表示する。

温度制御部１５０は、上述した処理室２０２の外周部に設けられたヒータ３３８により該処理室２０２内の温度を制御する。ガス制御部１５２は、処理室２０２のガス配管３４０に設けられたＭＦＣ（マスフローコントローラ）３４２からの出力値に基づいて処理室２０２内に供給する反応ガスの供給量等を制御する。圧力制御部１５４は、処理室２０２の排気配管３４４に設けられた圧力センサ３４６の出力値に基づいて、バルブ３４８を開閉することにより処理室２０２内の圧力を制御する。このように、温度制御部１５０等のサブコントローラは、ＣＰＵ１４０からの制御指示に基づいて基板処理装置１０の各部（ヒータ３３８、ＭＦＣ３４２及びバルブ３４８等）の制御を行う。

例えば、入出力装置１６の操作画面１８を介して、入力部１６０により、レシピを設定する為のデータや該レシピに対するユーザの操作権限等のデータ（入力データ）が入力されると、該入力データ（入力指示）は、記憶部１６６に格納されると共に表示制御部１６４を介して表示部１６２に表示され、さらに表示制御部１６４によりＰＭＣ１４の送受信処理部１４６に送信される。ＣＰＵ１４０は、該入力データをＲＡＭ１４４に格納し、例えばＲＯＭ１４２に格納されたレシピや該レシピに対するユーザの操作権限等の設定入力を確定させる。ＣＰＵ１４０は、シーケンスプログラムを起動し、該シーケンスプログラムに従って、例えばＲＡＭ１４４に格納されたレシピのコマンドを呼び出して実行することで、ステップを逐次実行し、Ｉ／Ｏ制御部１４８を介して温度制御部１５０、ガス制御部１５２、圧力制御部１５４、及び搬送制御部１５６に対して基板を処理するための制御指示を送信する。温度制御部１５０等のコントローラは、ＣＰＵ１４０からの制御指示に従って基板処理装置１０内の各部（ヒータ３３８、ＭＦＣ３４２及びバルブ３４８等）の制御を行う。これにより、上述したウエハ２００の処理が行われる。

次に、図５乃至図９を参照して、基板処理装置１０の動作条件を設定するための設定画面を説明する。なお、これらの画面は、入出力装置１６に表示される操作画面１８の一例である。
本発明の実施形態に係る基板処理装置１０のＣＰＵ１４０は、レシピ・ＷＡＰ設定画面４００（第１の設定画面）、材料選択画面４１０（第２の設定画面）及び設定確認画面４２０を入出力装置１６に表示する。また、ＣＰＵ１４０は、対話形式で、入出力装置１６を介して入力される設定を受け付け、この設定に基づいてジョブを生成する。

図５は、基板を処理するために各ステップに処理条件を設定するプロセスレシピ、及び、基板をボートのどの位置にどのような手順で搬送するかを指定するウエハアレンジパラメータ（ＷＡＰ）を指定するための操作画面であるレシピ・ＷＡＰ設定画面４００を例示する図である。
図５（Ａ）に例示するように、レシピ・ＷＡＰ設定画面４００は、遷移画面表示部４０２、レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ａ，４０４ｂ、次へボタン４０６、基板搭載有無表示部４２８及び移載ＶＰボタン４３０を有する。レシピ・ＷＡＰ設定画面４００において、遷移画面表示部４０２は、現在表示されている画面がレシピ・ＷＡＰ設定画面４００、材料選択画面４１０及び設定確認画面４２０のいずれかであるかを表示する。例えば、ＣＰＵ１４０は、現在の画面を、他の画面とは異なる色で表示する。

レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ａは、プロセスレシピの選択を行うための設定手段である。レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ａが例えばマウスなどにより指定されると、プロセスレシピを選択可能に表示する画面（不図示）が表示され、当該画面でプロセスレシピが選択されると、選択されたプロセスレシピがレシピ・ＷＡＰ設定部４０４ａに表示される。

レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ｂは、レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ａで選択されたプロセスレシピで用いられる基板の移載に関するパラメータ（ＷＡＰ）の指定を行うための設定手段である。レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ｂが例えばマウスなどにより指定されると、ＷＡＰを選択可能に表示する画面（不図示）が表示され、当該画面でＷＡＰが選択されると、選択されたＷＡＰがレシピ・ＷＡＰ設定部４０４ｂに表示される。
基板搭載有無表示部４２８は、基板がボート２１７に移載されるか否かを表示する。移載ＶＰボタン４３０は、モニタウェーハをボート２１７に移載する方法を個別的に設定するためのボタンである。例えば、移載ＶＰボタン４３０は、モニタ基板を移載するか否か、モニタ基板を移載しない場合にダミー基板で代替するか否かなどを設定する。

ＷＡＰは、プロセスレシピに予め関連付けられている場合がある。ＷＡＰがプロセスレシピに関連付けられており、この関連付けられたプロセスレシピがレシピ・ＷＡＰ設定部４０４ａで選択された場合、ＷＡＰが当該選択されたプロセスレシピに関連付けられたＷＡＰに変更されることを確認するＷＡＰ変更確認画面４０８が表示される。図５（Ｂ）は、ＷＡＰ変更確認画面４０８を例示する図である。図５（Ｂ）に例示するように、ＷＡＰ変更確認画面４０８には、ＷＡＰの変更に同意する「はいボタン」及びＷＡＰの変更を拒否する「いいえボタン」が含まれる。レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ａで所定のプロセスレシピが設定された後、レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ｂにおいて、あらかじめプロセスレシピに関連付けられているＷＡＰのみを表示するようにしてもよい。

ＷＡＰ変更確認画面４０８で、はいボタンが押された場合、レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ａで選択されたプロセスレシピに関連付けられたＷＡＰが選択され、レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ｂに表示される。即ち、ユーザがＷＡＰを選択することなく、ＷＡＰが設定される。一方、ＷＡＰ変更確認画面４０８で、いいえボタンが押された場合、レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ｂには、ＷＡＰは設定されない。この場合、ユーザは、ＷＡＰがプロセスレシピに関連付けられていない場合と同様にして、レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ｂでＷＡＰを選択する必要がある。

次へボタン４０６は、レシピ・ＷＡＰ設定画面４００から材料選択画面４１０に遷移するためのボタンである。次へボタン４０６が押されると、ＣＰＵ１４０は、材料選択画面４１０を表示する。ここで、レシピ・ＷＡＰ設定部４０４ａ，４０４ｂにおける設定を省略して、次へボタン４０６を押下した場合には、材料選択画面４１０へ遷移しないよう、チェック機能が設けられてもよい。

図６は、材料（基板）を選択するための操作画面である材料選択画面４１０を例示する図である。
図６（Ａ）に例示するように、材料選択画面４１０は、遷移画面表示部４０２、材料設定部４１２ａ，４１２ｂ及び次へボタン４０６を有する。なお、図６（Ａ）に示された各構成のうち、図５に示された構成と実質的に同一のものには同一の符号が付されている。

材料選択画面４１０において、材料設定部４１２ａ，４１２ｂは、材料の選択を行うための選択手段である。材料設定部４１２ａ，４１２ｂは、各キャリア内の基板を模式的に表示する。このように、材料は、キャリア単位で選択可能である。
図６（Ａ）に例示するように、材料設定部４１２ａ，４１２ｂには、製品ウェーハを搭載したキャリア４個、及び、モニタウェーハを搭載したキャリア１個が表示されている。これは、基板処理装置１０内に、キャリア４個分の製品ウェーハ及びキャリア１個分のモニタウェーハが投入されていることを示す。

図６（Ｂ）は、材料設定部４１２ａ，４１２ｂに表示される基板イメージの詳細を示す図である。図６（Ｂ）に例示するように、基板イメージでは、材料として選択された基板と選択されていない基板とが、異なる色で表示される。例えば、背景はピンク色で表示され、選択された基板は水色で表示される。図６（Ｂ）に例示するように、キャリアのスロット番号１〜５に相当する基板が選択されている場合には、下から５枚目までの基板が異なる色で表示される。

図６（Ｃ）は、材料としての基板を選択するための基板選択画面４１４を例示する。基板選択画面４１４は、材料選択画面４１０の材料設定部４１２ａ，４１２ｂが例えばマウスなどにより指定されると表示される操作画面である。基板選択画面４１４は、複数の基板選択ボタン４１６を有する。各基板選択ボタン４１６は、キャリア内のいずれかの基板に対応する。例えば、基板選択ボタン４１６「１」は１番目の基板に対応し、基板選択ボタン４１６「２」は２番目の基板に対応する。図６（Ｃ）の例では、１〜５番目の基板が選択されている。基板選択画面４１４において、「全て選択」ボタンが押されると、全ての基板が選択され、「全てクリア」ボタンが押されると、全ての基板の選択が解除される。このように、材料は、基板単位で選択可能である。

基板選択画面４１４において、ＯＫボタンが押されると、材料選択画面４１０が再び表示される。この材料選択画面４１０は、基板選択画面４１４で選択された基板が反映された内容となっている。材料選択画面４１０で次へボタン４０６が押されると、ＣＰＵ１４０は、設定確認画面４２０を表示する。

図７は、レシピ・ＷＡＰ設定画面４００及び材料選択画面４１０で設定された内容を確認するための操作画面である設定確認画面４２０を例示する図である。
図７に例示するように、設定確認画面４２０は、遷移画面表示部４０２、レシピ・ＷＡＰ表示部４２２、材料表示部４２４、ジョブ生成ボタン４２６、基板搭載有無表示部４２８及び移載ＶＰボタン４３０を有する。なお、図７に示された各構成のうち、図５に示された構成と実質的に同一のものには同一の符号が付されている。

設定確認画面４２０において、レシピ・ＷＡＰ表示部４２２は、レシピ・ＷＡＰ設定画面４００（図５）を介して設定された内容を表示する。材料表示部４２４は、材料選択画面４１０（図６）を介して設定された内容を表示する。ジョブ生成ボタン４２６は、ジョブの生成を行うためのボタンである。ジョブ生成ボタン４２６が押されると、ＣＰＵ１４０は、レシピ・ＷＡＰ設定画面４００及び材料選択画面４１０を介して設定された内容に基づいて、ジョブの生成を行う。

次に、ダミー基板のみを移載して運転する場合の設定を説明する。
図８は、材料が投入されていない状態の材料選択画面４１０を例示する。
図８（Ａ）に例示するように、材料が投入されていない状態では、材料選択画面４１０には、基板イメージなどは表示されない。この状態で、次へボタン４０６が押されると、ＣＰＵ１４０は、図８（Ｂ）に示されるダミー基板移載の確認画面４４０を表示する。なお、図６（Ａ）に例示される材料選択画面４１０においても、キャリアが選択されていない状態で次へボタン４０６が押下された場合には、図８（Ｂ）に例示されるダミー基板移載の確認画面４２０が表示される。

図９は、図８（Ｂ）に例示するダミー基板移載の確認画面４４０において、はいボタンが押下された場合、ダミー基板のみを移載する設定を反映する設定確認画面４２０を例示する図９（Ａ）、及び、図８（Ｂ）に例示するダミー基板移載の確認画面４４０において、いいえボタンが押下された場合、ダミー基板が移載されない設定を反映する設定確認画面４２０を例示する図９（Ｂ）を示す。
図９（Ａ）に例示するように、ダミー基板のみが移載される場合、設定確認画面４２０のレシピ・ＷＡＰ表示部４２２には、設定されたレシピ及びＷＡＰが表示される。材料表示部４２４には、ダミー基板のみが移載されることを示すメッセージが表示される。また、ダミー基板に関する設定については、移載ＶＰボタン４３０が押下されることにより、ダミー基板のみが移載されるか否かを確認できる。

図９（Ｂ）に例示するように、ダミー基板を移載しない場合、設定確認画面４２０のレシピ・ＷＡＰ表示部４２２には、設定されたレシピのみが表示され、ＷＡＰは表示されない。材料表示部４２４には、基板（材料）が移載されないことを示すメッセージが表示される。また、設定確認画面４２０には、移載ＶＰボタン４３０は表示されない。

次に、基板処理装置１０が上述した画面の表示及び当該画面を介した入力の受付を行う動作を説明する。なお、当該動作において、画面は入出力装置１６の表示部１６２に表示され、設定の受付は入出力装置１６の入力部１６０を介して行われるものとする。

図１０は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０により実行される条件設定動作（Ｓ１０）を示すフローチャートである。
図１０に示すように、ステップ１００（Ｓ１００）において、基板処理装置１０のＣＰＵ１４０は、レシピ・ＷＡＰ設定画面４００（図５（Ａ））を表示する。
ステップ１０２（Ｓ１０２）において、ＣＰＵ１４０は、レシピ・ＷＡＰ設定画面４００を介してプロセスレシピの設定を受け付ける。

ステップ１０４（Ｓ１０４）において、ＣＰＵ１４０は、受け付けられたプロセスレシピに対していずれかのＷＡＰが関連付けられているか否かを判定する。ＣＰＵ１４０は、いずれかのＷＡＰが当該プロセスレシピに関連付けられている場合にはステップ１０６（Ｓ１０６）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１１２（Ｓ１１２）の処理に進む。

ステップ１０６（Ｓ１０６）において、ＣＰＵ１４０は、ＷＡＰ変更確認画面４０８（図５（Ｂ））を表示する。
ステップ１０８（Ｓ１０８）において、ＣＰＵ１４０は、ＷＡＰの変更が許可されたか否か、即ち、はいボタンが押されたか又はいいえボタンが押されたかを判定する。ＣＰＵ１４０は、はいボタンが押されてＷＡＰの変更が許可された場合にはステップ１１０（Ｓ１１０）の処理に進み、いいえボタンが押されてＷＡＰの変更が許可されなかった場合にはステップ１１２（Ｓ１１２）の処理に進む。

ステップ１１０（Ｓ１１０）において、ＣＰＵ１４０は、選択されたプロセスレシピ及びこのプロセスレシピに関連付けられたＷＡＰを含むレシピ・ＷＡＰ設定画面４００を表示する。
一方、ステップ１１２（Ｓ１１２）においては、ＣＰＵ１４０は、選択されたプロセスレシピを含むレシピ・ＷＡＰ設定画面４００を表示し、さらに、ＷＡＰの設定を受け付ける。ＣＰＵ１４０は、受け付けられたＷＡＰをさらに含むレシピ・ＷＡＰ設定画面４００を表示する。

ステップ１１４（Ｓ１１４）において、ＣＰＵ１４０は、レシピ・ＷＡＰ設定画面４００で次へボタン４０６が押されたか否かを判定する。ＣＰＵ１４０は、次へボタン４０６が押された場合にはステップ１１６（Ｓ１１６）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１１４（Ｓ１１４）の処理に戻る。

ステップ１１６（Ｓ１１６）において、ＣＰＵ１４０は、材料選択画面４１０（図６（Ａ））を表示する。
ステップ１１８（Ｓ１１８）において、ＣＰＵ１４０は、材料選択画面４１０を介して材料の設定を受け付ける。

ステップ１２０（Ｓ１２０）において、ＣＰＵ１４０は、材料選択画面４１０で次へボタン４０６が押されたか否かを判定する。ＣＰＵ１４０は、次へボタン４０６が押された場合にはステップ１２２（Ｓ１２２）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１２０（Ｓ１２０）の処理に戻る。

ステップ１２２（Ｓ１２２）において、ＣＰＵ１４０は、材料選択画面４１０で材料が選択されているか否かを判定する。ＣＰＵ１４０は、材料が選択されている場合にはステップ１３０（Ｓ１３０）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１２４（Ｓ１２４）の処理に進む。

ステップ１２４（Ｓ１２４）において、ＣＰＵ１４０は、ダミー基板移載の確認画面４４０（図８（Ｂ））を表示する。
ステップ１２６（Ｓ１２６）において、ＣＰＵ１４０は、ダミー基板の移載が指定されるか否か、即ち、はいボタンが押されたか又はいいえボタンが押されたかを判定する。ＣＰＵ１４０は、はいボタンが押されてダミー基板の移載が指定される場合にはステップ１２８（Ｓ１２８）の処理に進み、いいえボタンが押されてダミー基板の移載が指定されない場合にはステップ１３０（Ｓ１３０）の処理に進む。

ステップ１２８（Ｓ１２８）において、ＣＰＵ１４０は、ダミー基板のみの移載を指定する。
ステップ１３０（Ｓ１３０）において、ＣＰＵ１４０は、上記の処理で設定された内容を反映する設定確認画面４２０（図７，図９）を表示する。

ステップ１３２（Ｓ１３２）において、ＣＰＵ１４０は、設定確認画面４２０でジョブ生成ボタン４２６が押されたか否かを判定する。ＣＰＵ１４０は、ジョブ生成ボタン４２６が押された場合にはステップ１３４（Ｓ１３４）の処理に進み、そうでない場合にはステップ１３２（Ｓ１３２）の処理に戻る。

ステップ１３４（Ｓ１３４）において、ＣＰＵ１４０は、設定された内容に基づいてジョブの生成を行う。基板処理装置１０は、このようにして生成されたジョブに従って動作して基板処理を行う。

なお、本発明に係る基板処理装置１０は、半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置などのガラス基板を処理する装置にも適用される。また、本発明に係る基板処理装置１０は、他の基板処理装置である露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置などにも適用される。また、本発明に係る基板処理装置１０は、炉内の処理を限定せず、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化散を形成する処理、及び金属を含む膜を形成する処理を含む成膜処理を行うことができる。さらに、本発明に係る基板処理装置１０は、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等を行うことができる。

本発明の実施形態に係る基板処理装置１０を含む基板処理システム１の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の斜視図を示す。 本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の側面透視図を示す。 本発明の実施形態に係る基板処理装置１０のＰＭＣ１４を中心としたハードウェア構成を示す。 プロセスレシピとウエハアレンジパラメータ（ＷＡＰ）を設定するための操作画面であるレシピ・ＷＡＰ設定画面４００を例示する図である。 材料を選択するための操作画面である材料選択画面４１０を例示する図である。 レシピ・ＷＡＰ設定画面４００及び材料選択画面４１０で設定された内容を確認するための操作画面である設定確認画面４２０を例示する図である。 材料が選択されていない状態の材料選択画面４１０を例示する。 設定確認画面４２０を例示する図であって、（Ａ）はダミー基板のみを移載する設定が反映された場合を示し、（Ｂ）はダミー基板を移載しない設定が反映された場合を示す。 本発明の実施形態に係る基板処理装置１０により実行される条件設定動作（Ｓ１０）を示すフローチャートである。

符号の説明

１ 基板処理システム
１０ 基板処理装置
１２ ネットワーク
１４ ＰＭＣ
１６ 入出力装置
１８ 操作画面
１４０ ＣＰＵ
１６０ 入力部
１６２ 表示部
１６４ 表示制御部
４００ レシピ・ＷＡＰ設定画面
４０８ ＷＡＰ変更確認画面
４１０ 材料選択画面
４１４ 基板選択画面
４２０ 設定確認画面
４４０ ダミー基板移載の確認画面

Claims (20)

1. 基板を処理するためのレシピの選択及び当該レシピで用いられる基板の移載に関するパラメータの指定を行うための第１の設定画面と、当該第１の設定画面で選択されたレシピで用いられる基板の選択を行うための第２の設定画面と、前記第１の設定画面から前記第２の設定画面に遷移するための次ボタンを表示する表示手段と、
   前記第１の設定画面が前記表示手段に表示された後に前記第２の設定画面が前記表示手段に表示されるように制御する制御手段と
   を有する基板処理装置であって、
   前記制御手段は、
   前記パラメータが前記レシピに関連付けられている場合、前記レシピを設定すると、前記レシピに関連付けられたパラメータも設定されるように構成され、前記パラメータが前記レシピに関連付けられていない場合に、前記レシピ及び前記パラメータの設定を省略して前記次ボタンを押下しても、前記第２の設定画面に遷移しないように制御することを特徴とする基板処理装置。
2. 更に、前記制御手段は、前記レシピの選択を行うためのレシピ設定手段と、前記レシピで用いられる基板の移載に関するパラメータの指定を行うためのパラメータ設定手段をそれぞれ前記第１の設定画面に表示させて、前記レシピ及び前記パラメータを選択可能に構成され、
   前記パラメータが前記レシピに関連付けられている場合、前記レシピが設定されると、前記レシピに関連付けられた前記パラメータが、前記パラメータ設定手段に表示されることを確認する変更確認画面を、前記表示手段に表示させる請求項１記載の基板処理装置。
3. 更に、前記制御手段は、前記基板の移載の有無を表示する基板搭載有無表示部を表示させて、
   前記基板の移載がある場合、更に、特定の基板の移載方法を設定する移載ボタンを表示し、前記特定の基板の移載方法を個別に設定可能に制御し、
   前記基板の移載がない場合、前記移載ボタンを表示しないように制御する請求項１記載の基板処理装置。
4. 更に、前記制御手段は、前記第１の設定画面及び前記第２の設定画面で設定された内容を確認するための設定確認画面を前記表示手段に表示させる請求項１記載の基板処理装置。
5. 更に、前記制御手段は、前記次ボタンが押下されると、基板処理装置内に投入されたキャリアを示す材料設定部を前記第２の設定画面に表示させて、
   前記材料設定部は、基板の種別毎に設けられる請求項１記載の基板処理装置。
6. 更に、前記制御手段は、基板を選択するための基板選択画面への移行を、前記材料設定部に表示されたキャリア単位で可能に構成される請求項５記載の基板処理装置。
7. 更に、前記制御手段は、前記材料設定部が選択されると、前記キャリアのスロット番号に対応した基板選択ボタンと、全て基板を選択する全て選択ボタンと、基板の選択を全て解除する全てクリアボタンと、を有する基板選択画面を前記表示手段に表示させて、
   前記基板選択ボタン、前記全て選択ボタン又は前記全てクリアボタンの少なくともいずれかに応じて前記基板を選択可能に構成される請求項５記載の基板処理装置。
8. 更に、前記制御手段は、前記キャリアのスロット番号に対応した基板選択ボタンで設定された後、ＯＫボタンが押下されると、前記基板選択画面から前記第２の設定画面を再度表示させる際、
   選択された基板と選択されていない基板とを異なる色で前記材料設定部に表示させる請求項７記載の基板処理装置。
9. 更に、前記制御手段は、前記第２の設定画面上で次ボタンが押下されると、前記第１の設定画面を介して設定された内容を表示する第１の表示部と、前記第２の設定画面を介して設定された内容を表示する第２の表示部と、を少なくとも有する設定確認画面を前記表示手段に表示させる請求項１記載の基板処理装置。
10. 更に、前記設定確認画面は、ジョブ生成ボタンを有し、
    前記制御手段は、前記ジョブ生成ボタンが押下されると、前記第１の設定画面及び前記第２の設定画面で設定された内容に基づいて、ジョブの生成を行う請求項９記載の基板処理装置。
11. 更に、前記制御手段は、前記基板が基板処理装置内に投入されていない状態で前記第２の設定画面を表示させる際、前記材料設定部を表示させないように構成する請求項５記載の基板処理装置。
12. 更に、前記制御手段は、前記キャリアが全く選択されていない状態で前記第２の設定画面を表示させる際、前記材料設定部を表示させないように構成する請求項５記載の基板処理装置。
13. 更に、前記第２の設定画面は、次ボタンを有し、
    前記制御手段は、前記基板が基板処理装置内に投入されていない状態または前記キャリアが全く選択されていない状態で、前記次ボタンが押下されると、ダミー基板移載の確認画面を表示するように構成される請求項１１又は請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 更に、前記ダミー基板移載の確認画面は、ダミー基板の移載の有無を示すボタンを有し、
    前記制御手段は、
    ダミー基板移載を行うボタンが押下されると、ダミー基板のみを移載する設定を反映する設定確認画面を表示させ、
    ダミー基板移載を行わないボタンが押下されると、ダミー基板の移載を行わない設定を反映する設定確認画面を表示させる請求項１３記載の基板処理装置。
15. 更に、前記制御手段は、ダミー基板移載を行う場合、前記第１の設定画面を介して設定された内容を表示する第１の表示部と、前記第２の設定画面を介して設定された内容を表示する第２の表示部と、を少なくとも有する設定確認画面を表示させ、
    前記第１の表示部には、設定されたレシピ及び前記レシピに関する基板を移載するパラメータを表示させ、前記第２の表示部には、ダミー基板のみが移載されることを示すメッセージを表示させる請求項１４記載の基板処理装置。
16. 更に、前記制御手段は、ダミー基板移載を行わない場合、前記第１の設定画面を介して設定された内容を表示する第１の表示部と、前記第２の設定画面を介して設定された内容を表示する第２の表示部と、を少なくとも有する設定確認画面を表示させ、
    前記第１の表示部には、設定されたレシピのみを表示させ、前記レシピに関する基板を移載するパラメータは表示させず、前記第２の表示部には、基板が移載されないことを示すメッセージを表示させる請求項１４記載の基板処理装置。
17. 更に、前記制御手段は、前記第１の設定画面及び前記第２の設定画面で設定された内容を確認するための設定確認画面を表示させ、
    前記第１の設定画面、前記第２の設定画面及び前記設定確認画面の各画面の所定の位置に、現在表示されている画面が前記第１の設定画面、前記第２の設定画面及び前記設定確認画面のうちどの画面であるかを色で識別して示す遷移画面表示部を、前記表示手段に表示させる請求項１記載の基板処理装置。
18. 基板を処理するためのレシピの選択及び当該レシピで用いられる基板の移載に関するパラメータの指定を行うための第１の設定画面と、当該第１の設定画面で選択されたレシピで用いられる基板の選択を行うための第２の設定画面と、前記第１の設定画面から前記第２の設定画面に遷移するための次ボタンを表示する表示手段と、前記第１の設定画面が前記表示手段に表示された後に前記第２の設定画面が前記表示手段に表示されるように制御する制御手段と、を有する基板処理装置の制御方法であって、
    前記制御手段は、
    前記パラメータが前記レシピに関連付けられている場合、前記レシピを設定すると、前記レシピに関連付けられたパラメータも設定されるように構成され、前記パラメータが前記レシピに関連付けられていない場合に、前記レシピ及び前記パラメータの設定を省略して前記次ボタンを押下しても、前記第２の設定画面に遷移しないように制御することを特徴とする基板処理装置の制御方法。
19. 基板を処理するためのレシピの選択及び当該レシピで用いられる基板の移載に関するパラメータの指定を行うための第１の設定画面を表示させて、前記レシピ及び前記パラメータを選択するステップと、
    当該第１の設定画面で選択されたレシピで用いられる基板の選択を行うための第２の設定画面を表示させて、処理対象の基板を選択するステップと、を有する条件設定プログラムであって、
    前記レシピ及び前記パラメータを選択するステップでは、前記パラメータが前記レシピに関連付けられている場合、前記レシピを設定すると、前記レシピに関連付けられたパラメータも設定されるよう構成され、前記パラメータが前記レシピに関連付けられていない場合に、前記レシピ及び前記パラメータの設定を省略して、前記第１の設定画面から前記第２の設定画面に遷移するための次ボタンを押下しても前記第２の設定画面に遷移しないように制御される条件設定プログラム。
20. 基板を処理するためのレシピの選択及び当該レシピで用いられる基板の移載に関するパラメータの指定を行うための第１の設定画面を表示させて、前記レシピ及び前記パラメータを選択する第１選択工程と、
    当該第１の設定画面で選択されたレシピで用いられる基板の選択を行うための第２の設定画面を表示させて、処理対象の基板を選択する第２選択工程と、
    前記第１の設定画面及び前記第２の設定画面で設定された内容に基づいてジョブを生成する工程と、
    前記ジョブに従って基板を処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
    前記第１選択工程では、前記パラメータが前記レシピに関連付けられている場合、前記レシピを設定すると、前記レシピに関連付けられたパラメータも設定されるよう構成され、前記パラメータが前記レシピに関連付けられていない場合に、前記レシピ及び前記パラメータの設定を省略して、前記第１の設定画面から前記第２の設定画面に遷移するための次ボタンを押下しても前記第２の設定画面に遷移しないように制御されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
    
    

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