JP2011071165A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】工程管理を正しく行うためのレシピ処理時間を正確に予測することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のステップにより構成されるレシピを実行することで、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、この基板処理装置は、各ステップを終了する時間を満たすまでに所定時間を越えて保持する待機時間を考慮してレシピの終了時刻又は終了までの時間を予測する制御手段を備えた。
【選択図】図５

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

基板処理装置は、複数のステップによって構成されたレシピを実行することで、半導体製造に必要な処理を進めて、所望の成膜処理を基板に行う。成膜処理は、材料の搬送や、温度・ガス・圧力など物理的な現象を基板に加えることで行われる。

特許文献１は、レシピを実行することでウエハを処理する基板処理装置を開示する。

特開２００８−００４７３７号公報

上記ステップは期待した条件が揃わないと次のステップに進めることができない。そのため条件待ちをする間、一時的にレシピのステップ進行を止めることが一般に行われている。
しばしば、基板処理装置内へ材料搬送と基板の反応室への搬送が競合し、搬送ステップに時間が掛かったり、反応室の圧力が期待する圧力に達しないために待たされたりする場合があり、各ステップでホールドする時間が延びて、当初予定した終了時間と大幅にずれてしまうことがある。終了時間がずれると、次のレシピ処理に必要な材料の準備や次工程の準備に影響が出てしまい、生産ラインの工程管理が困難になってしまう。

本発明は、工程管理を正しく行うためのレシピ処理時間を正確に予測することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の特徴とするところは、複数のステップにより構成されるレシピを実行することで、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、各ステップを終了する時間を満たすまでに所定時間を越えて保持する待機時間を考慮して前記レシピの終了時刻又は終了までの時間を予測する制御手段を備えた基板処理装置にある。

本発明によれば、工程管理を正しく行うためのレシピ処理時間を正確に予測することができる。

本発明の実施形態に係る基板処理装置を含む基板処理システムを示すシステム構成図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す側面断面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置のハードウェア構成図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置が実行するプログラムを示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る基板処理装置において、ホールド要因管理テーブルを示す表図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置において、ステップホールド管理テーブルを示す表図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置において、ホールド時間管理テーブルを示す表図である。

図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０を含む基板処理システム１の構成を示す図である。
図１に示すように、基板処理システム１は、基板処理装置１０及びホスト装置２０を有する。基板処理装置１０及びホスト装置２０は、例えばＬＡＮなどのネットワーク１２を介して接続されている。したがって、ホスト装置２０からの指示は、基板処理装置１０に対してネットワーク１２を介して送信される。なお、基板処理システム１には、複数の基板処理装置１０が含まれてもよい。

ホスト装置２０は、基板処理装置１０から報告される状態によって、次の材料の搬送や次工程の決定などの処理を行う。

基板処理装置１０において、入出力装置１６は、基板処理装置１０と一体に、又はネットワーク１２を介して接続して設けられており、操作画面１８を有する。操作画面１８には、ユーザ（オペレータ）により所定のデータが入力される入力画面及び装置の状況等を示す表示画面が表示される。また、基板処理装置１０内には、プロセスモジュールコントローラ（ＰＭＣ：Process module controller）１４が設けられ、該ＰＭＣ１４により、基板処理装置１０内の各装置が制御される。

基板処理装置１０は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理装置を実施する半導体製造装置として構成されている。なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置を適用した実施例について述べる。
図２は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の斜視図を示す。
また、図３は、図２に示す基板処理装置１０の側面透視図を示す。
図２及び図３に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が使用されている本発明の実施形態に係る基板処理装置１０は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。

筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。

筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。

サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図２に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部との間に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。

図２に模式的に示されているように、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。

図２に模式的に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。

クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５及びウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。

次に、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の動作について説明する。
図２及び図３に示されているように、ポッド１１０がロードポット１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。

搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。

載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。

ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、図示しないノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。

この一方（上段又は下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。

ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、図示しないノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体の外部へ払出される。

次に、基板処理装置１０の構成要素を制御するＰＭＣ１４について説明する。
図４は、ＰＭＣ１４を中心としたハードウェア構成を示す。
ＰＭＣ１４は、制御手段を構成するＣＰＵ１４０、ハードディスク等の記憶部１４４、入出力装置１６との間でのデータの送受信を行う送受信処理部１４６、温度制御部１５０、ガス制御部１５２、圧力制御部１５４、搬送制御部（図示せず）、温度制御部１５０、搬送制御部４００等とのＩ／Ｏ制御を行うＩ／Ｏ制御部１４８を有する。ＣＰＵ１４０は、上述した入出力装置１６の操作画面１８で作成又は編集され、記憶部１４４に記憶されているレシピに基づいて、基板を処理するための制御データ（制御指示）を、温度制御部１５０、ガス制御部１５２、圧力制御部１５４及び搬送制御部４００に対して出力する。

記憶部１４４には、シーケンスプログラム、複数のレシピ、入出力装置１６より入力される入力データ（入力指示）、レシピのコマンド及びレシピの履歴データ等が格納される。また、後述するように、レシピ終了時刻を予測するために、ホールド要因管理テーブル、ステップホールド管理テーブル、ホールド時間管理テーブル等が記憶されている。

入出力装置１６は、操作画面１８からのオペレータ（ユーザ）の入力データ（入力指示）を受け付ける入力部１６０、記憶部１４４等に格納されているデータ等を表示する表示部１６２、入力部１６０に受け付けられた入力データが後述する表示制御部１６４により送受信処理部１４６に送信されるまでの間記憶する一時記憶部１６６、入力部１６０からの入力データ（入力指示）を受け付け、該入力データを表示部１６２もしくは送受信処理部１４６に送信する表示制御部１６４を有する。

温度制御部１５０は、上述した処理炉２０２の外周部に設けられたヒータ３３８により該処理室２０２内の温度を制御する。ガス制御部１５２は、処理炉２０２のガス配管３４０に設けられたＭＦＣ（マスフローコントローラ）３４２からの出力値に基づいて処理炉２０２内に供給する反応ガスの供給量等を制御する。圧力制御部１５４は、処理炉２０２の排気配管３４４に設けられた圧力センサ３４６の出力値に基づいてバルブ３４８を開閉することにより処理室２０２内の圧力を制御する。このように、温度制御部１５０等は、ＣＰＵ１４０からの制御指示に基づいて基板処理装置１０の各部（ヒータ３３８、ＭＦＣ３４２及びバルブ３４８等）の制御を行う。

例えば、入出力装置１６の入力部１６０により、レシピを設定する為のデータが入力されると、該入力データ（入力指示）は、記憶部１６６に格納されると共に表示制御部１６４を介して表示部１６２に表示され、さらに表示制御部１６４によりＰＭＣ１４の送受信処理部１４６に送信される。ＣＰＵ１４０は、該入力データをＲＡＭ１４４に格納し、例えばＲＯＭ１４２に格納されたレシピの設定入力を確定させる。ＣＰＵ１４０は、シーケンスプログラムを起動し、該シーケンスプログラムに従って、記憶部１４４に格納されたレシピのコマンドを呼び込み実行することで、ステップが逐次実行され、Ｉ／Ｏ制御部１４８を介して温度制御部１５０、ガス制御部１５２、圧力制御部１５４、及び搬送制御部に対して基板を処理するための制御指示が送信される。温度制御部１５０等は、主制御指示からの制御指示に従って基板処理装置１０内の各部（ヒータ３３８、ＭＦＣ３４２及びバルブ３４８等）の制御を行う。これにより、上述したウエハ２００の処理が行われる。
また、搬送制御部４００は、ポッド搬送装置１１８やウエハ移載装置１２５ａ等の搬送機構４０２を制御する。

次に、基板処理装置１０のレシピの終了予定時刻の予測について述べる。
基板処理装置１０内へのポッド１１０によるウエハ２００の搬送と、ボート２１７を介して行うウエハ２００の処理炉２０２への搬送が競合し、搬送ステップに時間が掛かる場合がある。また、温度制御部１５０やガス制御部１５２による処理炉２０２内の温度や圧力が当初期待する値に予定時間内に達せず、各ステップでホールドする時間が延びて、当初予定した終了時間と大幅にすれてしまうことがある。
この実施形態においては、上記ホールド時間を予測し、その予測結果を表示部１５２に表示したり、ホスト装置２０に報告したりする。

図５は、基板処理装置１０のＣＰＵが実行するプログラムのフローチャートを示す。
まず、処理１において、図６に示すように、ホールド要因管理テーブルにホールド要因毎のホールド時間が設定される。ホールド要因管理テーブルは、記憶部１４４に記憶される。

ステップがホールドする要因としては、材料搬送を含む場合や、ポンプや配管リークなどの内外の動作状況の要因が考えられる。以下に示すようにホールド要因を分類し、それぞれ発生した場合のホールド時間が決定され、ホールド要因管理テーブルに登録される。

（ア）材料搬送要因
材料搬送同士の競合により一方が待たされることにより発生する。材料の搬送は、スループットを向上させるため、ＣＰＵ１４０によりなるべく競合しないように計算され、この計算結果に基づいて搬送制御部４００により制御されるが、どうしても競合してしまう場合がいくつか生じる。この競合時間は材料の量（搬送するポッド１１０又はウエハ２００の量）に比例するモデルとして考えられる。ステップの中で実行する指令に搬送競合に関するものがある場合で、実際に搬送競合が発生することが予測されるときに、搬送ホールド時間（ＴｒａｎｓｆｅｒＨｏｌｄＴｉｍｅ）を固定時間（ＴｒａｎｓｆｅｒＷａｉｔＴｉｍｅ）と材料の量（ＭａｔｅｒｉａｌＡｍｏｕｎｔ）に比例するとして計算する。
搬送ホールド時間（ＴｒａｎｓｆｅｒＨｏｌｄＴｉｍｅ）＝固定時間（ＴｒａｎｓｆｅｒＷａｉｔＴｉｍｅ）＊材料の量（ＭａｔｅｒｉａｌＡｍｏｕｎｔ）・・・・（１）
なお、ここで、固定時間（ＴｒａｎｓｆｅｒＷａｉｔＴｉｍｅ）とは、１つの搬送が競合した場合に待ちが発生するため、競合しない場合と比べて余計にかかる、所定材料量当たりの時間である。図６に示すホールド時間は、この固定時間（ＴｒａｎｓｆｅｒＷａｉｔＴｉｍｅ）である。

（イ）内外部要因
内外部要因により、条件に達しない、あるいは、到達が遅れることにより発生する条件ホールド時間（ＣｏｎｄｉｔｉｏｎＨｏｌｄＴｉｍｅ）を、その要因発生確率Ｐ（ｊ）（後述する）によって予測する。この内外部要因は、材料搬送要因とは異なり、材料の量には依存せず、単純なモデル化が困難である。そのため、過去の実績である要因発生確率Ｐ（ｊ）から割り出す。
発生条件ホールド時間（ＣｏｎｄｉｔｉｏｎＨｏｌｄＴｉｍｅ）＝条件ホールド時間（ＣｏｎｄｉｔｉｏｎＷａｉｔＴｉｍｅ）＊要因発生確率（Ｐ（ｊ））・・・・・（２）
なお、ここで、条件ホールド時間とは、処理炉内の条件成立を待つ時間などレシピの設定などによってその状態が起きた場合に発生する待ち時間である。

次の処理２においては、図７に示すように、ステップホールド管理テーブルとしてレシピ毎のステップＩＤに対する要因を登録する。例えばレシピＡ１において実行されるステップＩＤ１のホールド要因は「搬送１」であり、その要因発生確率Ｐ（ｊ）が０．１であることが登録される。このステップホールド管理テーブルは記憶部１４４に記憶される。前述した（ア）の材料搬送要因と（イ）の内外部要因との両方が予想される場合は、要因発生確率が高い方が選択される。

次の処理３においては、ステップ時間の予測が行われる。ここで、予測ステップ時間は、レシピのステップの設定時間（ＳｔｅｐＴｉｍｅ）にホールド予測時間（ＥｓｔｉｍａｔｅｄＨｏｌｄＴｉｍｅ）を加算して計算する。
予測ステップ時間＝レシピの設定時間（ＳｔｅｐＴｉｍｅ）＋ホールド予測時間（ＥｓｔｉｍａｔｅｄＨｏｌｄＴｉｍｅ）・・・・（３）
ＥｓｔｉｍａｔｅｄＨｏｌｄＴｉｍｅは、前述したＴｒａｎｓｆｅｒＨｏｌｄＴｉｍｅ又はＣｏｎｄｉｔｉｏｎＨｏｌｄＴｉｍｅである。
なお、ＣｏｎｄｉｔｉｏｎＨｏｌｄＴｉｍｅとしては、次の（ア）と（イ）の場合のように過去の最大時間や平均時間などを選択可能とする。
（ア）ＣｏｎｄｉｔｉｏｎＨｏｌｄＴｉｍｅに過去Ｎ回分のホールド時間の最大時間を使用する場合
ＣｏｎｄｉｔｉｏｎＨｏｌｄＴｉｍｅ＝過去Ｎ回分のホールド時間の最大時間を使用する。
（イ）ＣｏｎｄｉｔｉｏｎＨｏｌｄＴｉｍｅに過去Ｎ回分の平均時間を使用する場合
ＣｏｎｄｉｔｉｏｎＨｏｌｄＴｉｍｅ＝過去Ｎ回分の平均時間を使用する。

次の処理４においては、レシピが解析される。レシピはジャンプ、スキップするなどして実行されない場合や、同一ステップを繰返し実行する場合もあるため、一旦、レシピの構成を解析してステップの実行順序を求める。ステップ実行順に、処理３で求めた予測ステップ時間を加算して予測レシピ時間を計算する。
予測レシピ時間＝Σステップ予測時間・・・・・（４）

次の処理５においては、処理４で解析した結果に基づいて、ＣＰＵ１４０は、ステップ毎にＩ／Ｏ制御部１４８を介して温度制御部１５０、ガス制御部１５２、圧力制御部１５４、及び搬送制御部に対してウエハを処理するための制御指示を送信する。そして、各部に設置されたセンサからの入力を監視しながら、ステップを進めて行く。各ステップには次に進む条件が設定されており、条件が揃うと、次のステップに移行するが、揃わない場合に、条件成立を待つか、エラーを報告して、エラー処理を実行する。

次の処理６においては、レシピ終了時刻を周期的に予測する。レシピ終了時刻は、現在時刻に、現在実行中ステップの残時間と未実行ステップの予測時間の合計を加算したものである。
予測レシピ終了時刻（ＥｓｔｉｍａｔｅｄＲｅｃｉｐｅＥｎｄＴｉｍｅ）＝現在の時刻（ＣｕｒｅｎｔＴｉｍｅ）＋現在実行中ステップの残時間（ＥｓｔｉｍａｔｅｄＳｔｅｐＴｉｍｅ（Ｃｕｒｒｅｎｔ））＋Σ未実行ステップ予測時間（ＥｓｔｉｍａｔｅｄＳｔｅｐＴｉｍｅ）・・・・・（５）
ここで、現在実行中ステップの残時間＝予測ステップ時間−当該ステップの実行時間である。

次の処理７においては、処理６において周期的に計算される予測レシピ終了時刻を表示部１６２に表示すると共に、ホスト装置２０に報告する。
なお、予測レシピ終了時刻を表示部１６２に表示するか、ホスト装置２０に報告するかのいずれか一方だけであってもよい。

次の処理８においては、実行した各ステップのホールド時間を取得する。ＣＰＵ１４０は、レシピでステップ開始から条件を判定するまでの最大時間を指定しておき、その判定で条件が未完成の場合にステップをホールド中と認識する。条件判定時間以降に条件が成立するまでのホールドした時間をホールド時間（ＨｏｌｄＴｉｍｅ）として測定する。

次の処理９においては、処理８で取得したホールド時間を図８に示すホールド時間管理テーブルに登録する。このホールド時間管理テーブルは記憶部１４４に記憶される。このホールド時間管理テーブルは、各レシピにより実際に実行されたステップ（ステップＩＤとしてはＩＤ１であったり、ＩＤ２であったりする）毎に測定した時間が登録される。このホールド時間管理テーブルは、各レシピ毎にそれぞれのレシピが最新のＮ回分となるように保存される。

次の処理１０においては、処理８で求めたホールド時間管理テーブルを検索してホールド要因管理テーブル（図６）のホールド時間と要因発生確率Ｐ（ｊ）の更新が行われ、その後処理を終了する。ホールド時間は、当初は経験則に基づいた値が登録されるが、逐次更新され、Ｎ回を超えるようになると、処理３で選択的に用いることができるように、過去Ｎ回分の最大時間と過去Ｎ回分の平均時間とのそれぞれが更新される。また、要因発生確率Ｐ（ｊ）も同様に、当初は経験則に基づいた値が登録されるが、逐次更新され、Ｎ回を超えるようになると、次のようにして求められる。
要因発生確率Ｐ（Ｊ）＝Ｈｏｌｄ発生回数／同一レシピ実行回数・・・・（６）
ただし、ｊはステップホールド条件Ｎｏである。

なお、本発明に係る基板処理装置は、半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置などのガラス基板を処理する装置にも適用されうる。また、本発明に係る基板処理装置は、炉内の処理を限定せず、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化散を形成する処理、及び金属を含む膜を形成する処理を含む成膜処理を行うことができる。また、本発明に係る基板処理装置は、縦型装置だけでなく、枚葉装置にも適用されうる。
また、上記実施形態においては、レシピ終了時間又は終了までの時間は基板処理装置１０内の制御手段により演算するようにしているが、基板処理装置１０以外の制御手段、例えばホスト装置２０において演算するようにしてもよく、その場合は基板処理システムを基板処理装置と読み替えるものである。

本発明の特徴は、特許請求の範囲に記載した通りであるが、さらに次の特徴を有する。
（１）前記制御手段は、前記レシピを解析して各ステップの実行順を割り出し、前記各ステップの終了予測時間に基づいて前記レシピの終了時刻を算出する請求項１記載の基板処理装置。
（２）請求項１記載の基板処理装置において、前記レシピ終了時刻は次式で求められることを特徴とする基板処理装置。
予測レシピ終了時刻＝現在の時刻＋現在実行中ステップの残時間＋Σ未実行ステップ予測時間
ここで、現在実行中ステップの残時間＝予測ステップ時間−当該ステップの実行時間
（３）（２）記載の基板処理装置において、予測ステップ時間は次式で求められることを特徴とする基板処理装置。
ここで、予測ステップ時間＝レシピステップの設定時間＋ホールド予測時間（搬送ホールド時間又は条件ホールド時間）である。

１０ 基板処理装置
２０ ホスト装置
１１０ ポッド
１４０ ＣＰＵ（制御手段）
２００ ウエハ
４００ 搬送制御部

Claims (1)

1. 複数のステップにより構成されるレシピを実行することで、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、各ステップを終了する時間を満たすまでに所定時間を越えて保持する待機時間を考慮して前記レシピの終了時刻又は終了までの時間を予測する制御手段を備えた基板処理装置。

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