JP2010165729A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理の信頼性を大幅に向上させる。
【解決手段】複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作手段と、該操作手段で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御手段と、を備えた基板処理装置であって、前記操作手段は、前記レシピを作成する際に、前記複数のステップの入力値をそれぞれ受け付ける入力画面を表示させる画面表示手段と、前記入力画面上で、前記複数のステップのうち所定のステップにおいて、下限設定値以下の入力値の設定を禁止する入力禁止手段とを有することを特徴とする。
【選択図】図１０

Description

本発明は、基板処理装置に関するものであり、詳しくは、レシピ作成・編集機能を有する基板処理装置に関するものである。

従来の基板処理装置には、複数のステップからなる種々のレシピを実行させる指示を受け付ける操作手段としての操作部と、基板処理装置を制御するための制御部と、操作指示のための画面を表示する表示部が設けられている。
制御部及び操作部は、コンピュータで構成されており、プログラムにより、各種の機能が搭載されている。例えば、操作部には、プロセスレシピの実行を制御部に指示する機能、基板処理装置の運転状態をリアルタイムに表示部に表示させるモニタ機能、プロセスレシピを作成するレシピ作成・編集機能が搭載されている。

例えば、Ｈ_２アニールを行うプロセスレシピには、酸素濃度、水素濃度を検出するステップがチェックステップとして設定されており、各々のステップで酸素濃度と水素濃度をそれぞれ所定時間、検出した後、次のステップに進むようにプロセスレシピが構成されている。ここで酸素濃度、水素濃度を検出するステップにおいて、前記所定時間以下の時間に、下限値以下の検出時間が設定されると、濃度チェックを完了していない状態で次のステップに移行することになり、次のステップでステップが停止してしまう。
本発明は、上述した従来技術の問題点を解消して、基板処理の信頼性を改善することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作手段と、該操作手段で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御手段と、を備えた基板処理装置であって、前記操作手段は、前記レシピを作成する際に、前記複数のステップの入力値をそれぞれ受け付ける入力画面を表示させる画面表示手段と、前記入力画面上で、前記複数のステップのうち所定のステップにおいて、下限設定値以下の入力値の設定を禁止する入力禁止手段とを有することを特徴とする基板処理装置が提供される。

本発明によれば、基板処理の信頼性が大幅に向上するという効果が発揮される。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。 本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の側断面図である。 本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を制御する制御系統のブロック図である。 本発明の一実施の形態に係るプロセスレシピのファイル作成・編集の際に表示される一例である。 本発明の一実施の形態に係る装置コンフィグ装置パラメータ設定画面の一例である。 本発明の一実施の形態に係る装置コンフィグ装置パラメータのＨ_２のＨ_２アニールのインターロックダイアログボックスが開いた表示画面の一例である。 本発明の一実施の形態に係る装置コンフィグ装置パラメータのＨ_２のＨ_２アニールのインターロック画面上に時間入力ダイアログボックスが表示された様子を示す表示画面である。 本発明の一実施の形態に係る装置コンフィグ装置パラメータのＨ_２のＨ_２アニールのダイアログボックスの一例を示す図である。 本発明の一実施の形態に係る装置コンフィグの装置パラメータファイルの保存のためのダイアログボックスの一例を示す図である。 本発明の一実施の形態に係るプロセスレシピファイルのステップ時間入力時のポップアップウインドウの一例を示す図である。 本発明の一実施の形態に係るプロセスレシピファイルの保存時のポップアップウインドウの他例を示す図である。

以下、半導体装置（ＬＳＩやＩＣ等）の製造工程の一工程として、ウエハ等の基板に対して酸化処理、拡散処理、ＣＶＤ処理、または熱処理などの基板処理工程を実施する基板処理装置について説明する。

まず、図１及び図２を参照して本実施形態に係る基板処理装置について説明する。図１及び図２において、１００は基板処理装置を示す。基板処理装置１００は、筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部（図２の左側）には、開口部としての正面メンテナンス口１０３が設けられている。また、正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する２枚の正面メンテナンス扉１０４が設けられている。

基板としてのウエハ２００を筐体１１１内外への搬送には、基板収容容器（ウエハキャリアともいう）としてポッド１１０が使用される。ポッド１１０内には、複数のウエハ２００が格納されるように構成されている。
筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド１１０を筐体１１１内外へ搬送する基板収容器搬入搬出口としてのカセット搬入搬出口１１２が、筐体１１１の内外を連通するように設けられている。カセット搬入搬出口１１２は、開閉機構としてのフロントシャッタ１１３によって開閉されるようになっている。

カセット搬入搬出口１１２の正面前方側には、基板収容器受渡し台としてのロードポート１１４が設けられている。ロードポート１１４上にはポッド１１０が載置され、ロードポート１１４上にてポッド１１０の位置合わせをすることが可能なように構成されている。ポッド１１０は、図示しない工程内搬送装置によってロードポート１１４上に載置され、また、ロードポート１１４上から搬出されるように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部（図２に示す筐体１１１内の略中央部）における上部空間には、基板収容器載置棚としての回転式のカセット棚１０５が設けられている。
回転式のカセット棚１０５は、垂直方向に設けられた間欠回転する支柱１１６と、基板収容器載置台としての複数枚の棚板１１７と、を備えている。複数枚の棚板１１７は、支柱１１６における上中下段の各位置において、水平姿勢で放射状に固定されるようにそれぞれ構成されている。なお、各棚板１１７には、複数個のポッド１１０がそれぞれ載置されるように構成されている。

筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式のカセット棚１０５との間には、基板収容器搬送装置としてのカセット搬送装置１１８が設けられている。カセット搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降移動する基板収容器昇降機構としてのポッドエレベータ１１８ａと、ポッド１１０を保持したまま水平移動する基板収容器搬送機構と
してのポッド搬送機構１１８ｂと、を備えている。
カセット搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの協調動作により、ロードポート１１４、回転式のカセット棚１０５及び後述する載置台１２２との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。

筐体１１１内の下部空間には、筐体１１１内の略中央部から後端部にわたって、サブ筐体１１９が設けられている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａ（筐体１１１内の中央部側）には、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する基板搬入搬出口としての一対のウエハ搬入搬出口１２０が、上下段に設けられている。
上下段のウエハ搬入搬出口１２０には、ポッドオープナ１２１がそれぞれ設けられている。ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する載置台１２２と、ポッド１１０の蓋体であるキャップを着脱する蓋体着脱機構としてのキャップ着脱機構１２３と、をそれぞれ備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することによって、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。

サブ筐体１１９内には、移載室１２４が形成されている。移載室１２４は、カセット搬送装置１１８や回転式のカセット棚１０５等が設けられた筐体１１１内の他の空間から気密に隔離されるように構成されている。移載室１２４内の前側領域（筐体１１１内の中央部側）には、基板移載手段としてのウエハ移載機構１２５が設けられている。
ウエハ移載機構１２５は、基板保持体としてのツイーザ１２５ｃ上にウエハ２００を載置して水平方向に移動させる基板移載装置としてのウエハ移載装置１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降移動させる基板移載装置昇降機構としてのウエハ移載装置エレベータ１２５ｂと、を備えている。ウエハ移載装置１２５ａとウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとの協調動作により、後述する基板保持具としてのボート２１７にウエハ２００を移載（チャージング）し、また、ボート２１７からウエハ２００を取り出す（ディスチャージング）ことが可能なように構成されている。

移載室１２４内の後側領域（筐体１１１内の後端部側）には、基板保持具としてのボート２１７を収容し、待機させる待機部１２６が構成されている。ボート２１７の構成については後述する。待機部１２６の上方には、基板を処理する処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２内には処理室２０１が形成されている。
処理炉２０２の下端部には、処理炉２０２内と移載室１２４内とが連通するように開口が設けられている。処理炉２０２に設けられた開口は、炉口開閉機構としての炉口シャッタ１４７により開閉されるように構成されている。

図１に示すように、筐体１１１内には、ボート２１７を昇降移動させる基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の下端部には連結具としてのアーム１２８が設けられており、アーム１２８上には蓋体としてのシールキャップ１２９が水平姿勢で設けられている。
シールキャップ１２９は、ボート２１７を下方から垂直に支持するとともに、ボートエレベータ１１５が上昇した時に処理炉２０２に設けられた開口を閉塞するように構成されている。
また、移載室１２４内の左側端部には、クリーンユニット１３４が設けられている。クリーンユニット１３４は、供給フアン及び防塵フィルタを備えており、清浄化したガスもしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を移載室１２４内に供給するように構成されている。
また、図示はしないが、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハ２００の周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設けられている。クリーンユニット１３４から移載室１２４内に供給されたクリーンエア１
３３は、ノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を通過した後に、図示しないダクトにより吸引される。
ダクトにより吸引されたガスは、筐体１１１の外部へと排気されるか、もしくは、クリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側にまで循環されて清浄化された後、再び移載室１２４内に供給されるように構成されている。

次に、本実施の形態に係る処理装置１００の動作について説明する。
カセット１１０がロードポート１１４のカセットステージに供給されるに先立って、カセット搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。その後、カセット１１０はカセット搬入搬出口１１２から搬入され、カセットステージ上にウエハ２００が垂直姿勢であって、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージによって、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体後方を向けるように、筐体後方に右周り縦方向９０°回転させられる。

次に、カセット１１０は、カセット棚１０５の指定された棚位置へカセット搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚１０５からカセット搬送装置１１８によって載置台１２２に搬送される。

カセット１１０が載置台１２２に移載されると、ウエハ２００はカセット１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、移載室１２４の後方にあるボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはカセット１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００を保持したボート２１７はシールキャップ１２９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。

ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、上述の逆の手順で、ウエハ２００及びカセット１１０は筐体１１１の外部へ払い出される。

次に、本実施の形態に係る処理装置としての処理炉２０２を用いて半導体デバイスの製造工程の一工程としてウエハ２００に所定の処理を施す方法について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はプロセスレシピに基づいて制御される。

複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図１に示されているように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ１２９は処理炉２０２の開口をシールした状態となる。

処理室２０ｌ内が所望の圧力となるように排気装置によって排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で検出され、この検出された圧力に基づき圧力調節装置がフィードバック制御する。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータによって加熱される。

この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサが検出した温度情報に基づきヒータへの通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構により、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。

上述した熱処理がＨ_２アニールの場合には次のように基板が処理される。Ｈ_２アニールは、例えばデバイス配線を形成するＡｌ膜、Ｃｕ膜の膜還元処理に用いられる。また、ウエハ２００の結晶構造のひずみにも用いられる場合もある。このＨ_２アニール処理の際は、水素（Ｈ_２）ガスは、流量制御弁によって所望の流量に制御されて、処理室２０１に導入される。処理室２０１に導入されたＨ_２ガスは、処理室２０１を排気する減圧排気装置、例えば、真空ポンプの排気により、処理室２０１内を流下し、処理室２０１に連通する排気口を通ってガス排気部から排気される。Ｈ_２ガスは、処理室２０１を流下する際に、ウエハ２００の表面と接触する。これにより、ウエハ２００にはＨ_２アニール処理が施される。処理室２０１の温度、圧力は、水素アニールに適した温度、圧力に保持されている。

上述した基板処理装置の一態様は、複数のステップからなるレシピを実行させる指示を受け付ける操作手段と、この操作手段で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御手段とを備える。さらに、前記複数のステップのうち所定のステップは入力値（設定値）をチェックするためのチェックステップを含み、前記操作手段は、前記レシピを作成する際に、前記複数のステップの入力値をそれぞれ受け付ける入力画面を表示させる画面表示手段と、前記入力画面上で、前記複数のステップのうち所定のステップにおいて、下限設定値以下の入力値の設定を禁止する入力禁止手段とを備える。

基板処理装置は、シリコンウェーハなどの半導体基板を処理する半導体製造装置や、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置が含まれる。基板処理を行うように制御する制御手段は、一般的には基板に所定の処理を行うために動作する複数の動作部を制御する。各動作部は、基板に所定の処理を行うために動作する各種コントローラを備える。各種コントローラは、例えば、温度コントローラ、ガス流量・圧力制御コントローラ、画面表示制御手段、メカニカルコントローラ等を含む。入力値を入力するとは、入力画面に確定前の入力値を入力することをいう。入力値の確定は、一般的には、入力値を固定記憶装置（ＨＤＤ）に格納することにより行われる。また、Ｈ_２アニールを行うプロセスレシピでは、酸素濃度、水素濃度を検出するステップはチェックステップとして設定されている。

本発明の一態様によれば、入力禁止手段を備えたことにより、所定のプロセスレシピのチェックステップにおいて、不正入力値や意味不明な入力値が設定されることがなくなるので、基板処理の信頼性を改善することが可能となる。これをＨ_２アニールレシピでいえば、濃度チェックを完了していない状態で次のステップに移行することが防止され、次のステップでステップが停止してしまう問題を解消できる。

上述したような基板処理の信頼性を改善するためには、具体的には、基板処理装置を制御する制御系に諸機能を持たせることが好ましい。図３は、そのような基板処理装置を制御する制御系のブロック図である。

図３に示すように、制御系は、操作手段としての操作部５４と、画面表示手段としてのタッチパネル６０と、制御手段としての制御部４９とを備える。
操作手段５４は、操作員による操作を受け付けるようになっている。例えば、複数のステップから構成されるレシピを作成し、作成されたレシピを実行させる指示を受け付ける。タッチパネル６０は、操作部５４に設けられる。タッチパネル６０は、例えば、レシピを作成する際に、複数のステップの入力値をそれぞれ入力する入力画面を表示させる。制
御部４９は、操作部５４と通信可能に接続され、操作部５４からの指示を受け付け、レシピに基づいて基板処理を行うように各動作部を制御する。

各動作部は、基板に所定の処理を行うために動作する各種コントローラを備える。各種コントローラは、図示例では、温度コントローラ５２、ガス流量・圧力制御コントローラ５１、メカニカルコントローラ５６等から構成される。これらの各種コントローラは、ネットワークＬＯＮを介して制御部４９に接続されている。特に、ガス流量・圧力制御コントローラ５１にはＲＳ２３２Ｃを介してシーケンサが接続されている。

温度コントローラ５２には、温度センサ、例えば処理室２０１の温度を検出する温度センサ５７、加熱温度を検出する温度センサ５８が接続されている。

ガス流量・圧力制御コントローラ５１には、処理室２０１の圧力を制御する圧力調節弁（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｖａｌｖｅ）、処理室２０１への処理ガス（酸化ガス、アニール用ガス、成膜ガス）の供給流量、外部燃焼装置へ供給する酸素ガス、水素ガスの供給流量を制御する流量制御装置（ＭＦＣ１〜３）及び、処理ガス、酸素ガス、水素ガスを供給するガス供給管（図示せず）をそれぞれ開閉する各バルブ（図示せず）が接続されている。

メカニカルコントローラ５６には、前述したウエハ移載機構１２５、ポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、回転式のカセット棚１０５、キャップ着脱機構１２３、ウエハ移載装置１２５ａ、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ、ボートエレベータ１１５等のウエハ搬送系が接続されている。

また、シーケンサ５０には、処理室２０１内の酸素濃度を検出するＯ_２濃度検知器５９、水素濃度を検出するＨ_２濃度検知器６０、警告ランプ６１及びブザー６２が接続されている。例えば、Ｈ_２アニールにおいて、酸素濃度は、Ｏ_２濃度検知器５９により検出され、水素ガスが爆発する酸素濃度（例えば酸素濃度１％）以下になるよう管理される。また、水素濃度は、Ｈ_２濃度検知器６０により検出され、水素ガス濃度が４％以下になるよう管理される。酸素濃度や水素濃度が既定値以下にならない場合、警告ランプ６１及びブザー６２により警告がなされる。

なお、ＬＯＮネットワークを用いると、メカニカルコントローラ５６、温度コントローラ５２が同一階層で接続されるので、ネットワークを停止することなく、個々のメンテナンスが可能になり、配線の煩雑化を防止することができるが、ハブ、ルータを備えた通常のＬＡＮネットワークとしてもよい。

制御部４９及び操作部５４は、演算制御部（ＣＰＵ）、記憶部、通信制御部を備えたコンピュータで構成されている。制御部４９は、操作部５４からレシピの実行指示を受信すると、レシピの実行指示を、温度コントローラ５２、ガス流量・圧力制御コントローラ５１、メカニカルコントローラ５６にネットワークＬＯＮを介して送信するようになっている。温度コントローラ５２、ガス流量・圧力制御コントローラ５１、メカニカルコントローラ５６は、レシピの実行指示を受信すると、実行すべきレシピを参照してこのレシピのステップ順に水素アニール処理等の基板処理を実行するようになっている。

操作部５４には複数のコンピュータのハードウエア資源を利用するプログラムにより種々の機能が搭載されている。
本実施の形態では、タッチパネル６０に画面を表示させる機能と、固定記憶装置に格納されているプロセスレシピを検索してタッチパネルの画面上に表示させる画面表示機能と、プロセスレシピの作成・編集を可能とするファイル作成・編集機能と、作成・編集したプロセスレシピを固定記憶装置に保存する保存機能と、プロセスレシピ内に指定されてい
るチェックステップの編集の際に、判定値と入力値と比較して下限値以下の入力を禁止する入力禁止機能と、タッチパネル６０からの指示を受ける受付機能と、プロセスレシピの実行を制御部４９に指示する機能と、が搭載されている。なお、固定記憶装置には、操作部５４及び制御部４９の動作、制御、画面表示に必要なプログラムと各種ファイルとが格納されている。

入力禁止機能は次のような働きをする。例えば、Ｈ_２アニールを行うプロセスレシピには、酸素濃度、水素濃度を検出するステップがチェックステップとして設定されている。入力値は、設定前に入力禁止手段により下限設定値を使用してチェックされる。入力値を入力すると、その入力値は下限設定値と照合される。入力値が下限設定値以下の場合は、原則として、その入力値は入力が禁止され、設定できない。入力値の設定を禁止するタイミングは、例えば、入力時または設定時である。

ところで、基板処理装置１００の装置構成の違いに応じて個々に作成ないし調整されたレシピ、例えばプロセスレシピによって、基板処理装置１００が、ウエハ２００に所定の処理を施す。ここでプロセスレシピとは、プロセスシーケンス及び制御パラメータ（以下、プロセス条件という）に関する装置個別の処理プログラムである。なお、制御パラメータには、例えば、温度、圧力、ガスの種類及びガス流量、時間などの制御目標値がある。

また、基板処理装置１００は、プロセスレシピの他に、装置コンフィグレーションによっても定義される。この装置コンフィグレーション（以下、略して単に装置コンフィグともいう）とは、装置構成を決定づける装置固有のパラメータ（装置タイプや膜種、温度帯など、装置の構成、仕様によって決定される定数等）である。

装置コンフィグは、装置画面（タッチパネル６０）から一度設定したら基本的に変更しないものである。

タッチパネル６０には、上述したプロセスレシピを形成するためのプロセスレシピステップ編集画面、または装置コンフィグを設定するための装置コンフィグ装置パラメータ画面が表示される。

プロセスレシピ編集画面を用いて形成した複数のステップで１つのプロセスレシピが完成する。例えば、Ｈ_２アニールのプロセスレシピを例にとれば、各ステップ→「００１：ＢｏａｔＬｏａｄ」→「００２：ＰｒｅＥＶＡＣ」→「００３：ＬｅａｋＣｈｅｃｋ」→「００４：Ｎ_２Ｐｕｒｇｅ」→「００５：Ｈ_２アニール」→「００６：Ｎ_２ＡｆｔｅｒＰｕｒｇｅ」→「００７：ＡｆｔｅｒＥＶＡＣ」→「００８：Ｌｅａｋ」→「００９：ＯｒｉｎｇＬｅａｋ」→「０１０：ＢｏａｔＵｎｌｏａｄ」を、プロセスレシピ編集画面を用いて形成し、Ｈ_２アニールのプロセスレシピを完成する。

［プロセスレシピステップ編集画面］
プロセスレシピを作成・編集する場合は、ファイル作成・編集機能の一つである画面表示ファイル一覧機能とファイル選択機能とを用い、ファイル一覧画面に複数のプロセスセシピを一覧表示させ、表示されたプロセスレシピから編集すべきプロセスレシピを選択する。これらの機能は、起動によって、タッチパネル６０に表示された初期画面（操作画面）上の複数のボタンが押下されることによって起動される。次に、操作画面に表示されたファイル作成・編集機能を起動するボタンを押下して選択したプロセスレシピの編集画面を開き、編集を開始する。プロセスレシピの編集画面には、ステップ名称（ＩＤ）、すなわち、プロセス名称に対応した選択ボタンが表示される。選択ボタンをタッチすると、選択ボタンに割り当てられたステップのプロセスの編集画面が表示される。

図４に、プロセスレシピステップ編集画面を示す。この画面において、プロセスレシピを構成する複数のステップの一ステップである水素濃度チェックステップの一例が示されている。ＲＥＣＩＰＥにはこのプロセスレシピのファイル名称（ＲＥＣＩＰＥ０１）が表示される。画面に、プロセスレシピを構成する一ステップであるステップ名称（ＩＤ）００６：Ｎ_２ＡｆｔｅｒＰｕｒｇｅにおける温度／ガス流量設定／圧力設定等の画面領域等が例示されている。これらの概略を説明する。

図４において、炉内の温度制御用データを設定する画面左側の温度設定画面領域では、加熱モード（ＭＯＤＥ）はヒータコントロール設定とし（ＨＥＡＴＥＲ）、温度補正テーブル（ＴＢＬ）及び比例・積分・微分（ＰＩＤ）制御は共に装置の自動選択を設定し（ＡＵＴＯ）、温度フィードフォワード（ＦＦＣ）制御は行わず（ＮＯＰ）、ＱＴＢコマンドは使用せず（ＮＯＰ）、温度Ｙゼロテーブル（ＹＺＥＲＯ）、サブヒータテーブル（Ｓ．ＨＴ）は共に設定不可である。そして、バリアブルプロセスコンディション（ＶＰＣ）は使用せず（ＮＯＰ）、ＡＬＬでは各ゾーンの温度及びランプレートをそれぞれ一括設定し（ＳＥＴ）、（ＲＡＭＰ）、各ゾーンＵ、ＣＵ、Ｃ、ＣＬ、Ｌ（Ｌについては図示せず）については、各ゾーンの温度とランプレートをそれぞれ数値設定するようになっている。

画面中央のガス流量設定画面領域では、ガス流量設定を行うＭＦＣ機能選択ボタン、バルブ設定の編集を行うＧＡＳ Ｆ機能選択ボタン、バルブの開閉設定を行うガスパターン設定画面のＧＡＳボタンが表示されている。

黒塗り三角形で示すスピンボタンは、設定状態をスクロール表示し、ＭＦＣ個数は例えば最大１６個まで表示される。このＭＦＣ個数は装置コンフィグの設定により変わる。
ＭＦＣガス名称は、ＶＰＣを設定するためのボタンであり、このボタンをタッチすると、ＶＰＣを設定するためのダイアログボックスが表示される。ＶＰＣを設定すると、ガス流量設定値、ランプレートが自動的に設定される。

ガス流量設定値ボックスは、ガス流量をチャネル毎に設定するボックスである。ボックス横のガス流量単位はＳＬＭである。単位は装置コンフィグの名称パラメータで設定されたものが表示される。ランプレートボックスは、ランプレート値を設定するボックスである。図示例では、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）の窒素Ｎ_２−１〜窒素Ｎ_２−２、Ｈ_２、酸素Ｏ_２−１、酸素Ｏ_２−２、ジクロロエチレン（ＤＣＥ）、マスフローメータＭＦＭ１、ＭＦＭ２の流量はここでは全て００．００ＬＭになっている。

画面右側のローダ機能選択ボタンは、ローダ制御設定値を編集するためのボタンである。ＦＵＮＣＴＩＯＮは、ボートロード、ボートアンロード、ボート回転、キャップ等の設定が可能である。

圧力機能選択ボタンは、圧力制御設定値を編集するためのボタンである。ＭＯＤＥは自動圧力制御モード（ＰＲＥＳＳ）等を設定し、ＰＩＤはＰＩＤテーブル番号を設定し、ＶＰＣ、ＳＥＴは自動圧力制御モード時のＶＰＣ値、圧力設定値をそれぞれ設定することが可能である。図示例では、圧力設定画面領域では、モード（ＭＯＤＥ）が圧力（ＰＲＥＳＳ）、ＰＩＤ、ＶＰＣともにＮＯＰ、圧力値（ＳＥＴ）は００００．０Ｐａになっている。

基板処理装置が縦型装置であれば、この編集画面を使って作成されたプロセスレシピに定めたプロセス条件に基づいて、多数枚の基板を収容したボートが縦型炉に挿入され、縦型炉内が所定の温度に加熱されつつ、縦型炉内に反応ガスが供給されて、基板上に所定の薄膜が形成され、薄膜形成後、縦形炉から処理後のボートが取り出されることになる。

一方、上述したプロセスレシピ作成のためには、その条件設定を行う装置コンフィグパラメータを予め設定しておく必要がある。装置コンフィグ装置パラメータ画面を用いて複数のパラメータを編集し、ファイルすることで装置コンフィグの設定データが完成する。
これらの一部の機能を説明すれば、次の通りである。

装置コンフィグ装置パラメータ画面Ｇ１の概略について、図５を用いて本実施の形態に即して説明する。尚、図５は、装置コンフィグ装置パラメータ画面Ｇ１に表示されているＲＥＳＥＴ、ＭＦＣ、ＶＡＬＶＥ、ＡＬＡＲＭ、ＬＥＤ、ＴＩＭＥＲ、Ｈ_２、ＯＰＴＩＯＮボタンのうちＨ_２ボタンを押下したときの画面である。更に、Ｈ_２ボタンの下に、Ｈ_２燃焼、Ｈ_２アニール、希釈Ｈ_２アニール、ＤＣＥガス、Ｈ_２Ｏユニット、ＨＣＬ、Ｏｘ／ＲＩＯボタンが表示され、それぞれのボタンを押下することにより、それぞれのボタンに該当する画面に切り替わる。尚、図５は更に、Ｈ_２アニールボタンを押下した場合の画面である。この画面にて各々のガスについてバルブ番号やＭＦＣ番号を指定することができる。更に、画面左下の排気ボタンを押下すると、図示しない排気バルブ設定ダイアログボックスが表示される。この排気バルブ設定ダイアログボックスには、メイン排気、メイン排気サブ、メイン処理排気などの排気のためのバルブ番号を設定できるようになっている。

因みに、Ｈ_２以外のボタン（ＲＥＳＥＴ、ＭＦＣ、ＶＡＬＶＥ…等のボタン）を押下すると、それぞれのボタンに関する設定画面に切り替わり、Ｈ_２以外のボタンの各ボタンに関して所定の設定を行うことができるようになっている。
これらの一部の機能を説明すれば、次の通りである。

図５に示す例では、Ｈ_２アニールにおけるバルブ＆マスフローコントローラ（ＭＦＣ）／Ｈ_２のパイロットバーナ／インターロック・オプション設定画面等が例示されている。

画面左側のバルブ＆ＭＦＣ設定画面領域では、Ｈ_２、Ｎ_２ガスのバルブの番号設定、ＭＦＣ番号設定、流量チェックＮ_２のバルブ番号設定、メイン排気、Ｏリング排気等各種排気バルブ番号の設定ができるようになっている。ここでＮ_２ガスは、排気系から排気されるＨ_２ガスが爆発しないように、Ｈ_２ガス濃度を希釈するために用いられる。または、Ｈ_２アニール後に、処理室２０１からＨ_２ガスをパージするために用いられる。
Ｈ_２アニール処理は、プログラム中に特殊シーケンスとしてプログラミングされており、図５に示すコンフィグＨ_２アニール画面でバルブ番号等を設定し、レシピでそれらのバルブをＯＰＥＮ／ＣＬＯＳＥすることにより動作する。

パイロットバーナ設定画面領域では、Ｈ_２のバルブ番号設定、ＭＦＣ番号設定、点火シーケンスの設定等ができるようになっている。ここで、パイロットバーナ設定画面領域ないし点火シーケンスは、Ｈ_２アニール処理後の未反応の水素ガスを着火燃焼するために用いられる。

Ｈ_２アニール画面のインターロック・オプション項目では、「Ｎ_２パージ」、「エラー処理」、「圧力センサ」、「オプション」、「インターロック」、「アニール温度チェック」などの各種ボタンが表示され、これらのボタンをタッチすることにより、該当するダイアログボックスを開いて、詳細な設定ができるようになっている。例えば、「インターロック」ボタンをタッチすると、後述する図６に示すインターロックダイアログボックスＤ１が開くようになっている。なお、Ｈ_２アニール処理後の処理室２０１内は、上記したＮ_２パージによりＮ_２ガスに置換される。

このように装置コンフィグ装置パラメータ画面を用いて、各設定画面の各設定項目に装置固有のパラメータを入力していき、固定記憶装置に保存することにより装置コンフィグ
の設定を行う。

基板処理装置１００において、例えば、Ｈ_２アニールのプロセスレシピを作成する際、それに伴うＯ_２濃度チェックとＨ_２濃度チェックの各ステップにおける時間入力に下限値設定の入力禁止機能が無い場合、当該時間入力に所定の値（閾値）以下が設定されていると、濃度チェックを完了していないのに次のステップに移行し、そのステップではＯ_２濃度チェックやＨ_２濃度チェックが正しく動作せず、ステップが進行しなくなり、マニュアル操作によるリカバリが必要になる。本発明の一実施の形態によれば、装置コンフィグにＯ_２濃度チェックやＨ_２濃度チェック時間入力下限設定値を新設して、プロセスレシピ作成・編集時に入力禁止機能を追加することにより、不正な時間入力値は入力できないようにしている。これによりプロセスレシピ実行時にプロセスレシピが途中で止まることが無くなる。

次に、装置コンフィグの設定、プロセスレシピの作成、装置動作確認の順番で、プロセスレシピの作成・編集を具体的に説明する。ここでは、プロセスレシピとしてＨ_２アニールのプロセスレシピを例に挙げて説明する。

［Ｈ_２アニール関連の装置コンフィグの設定］
図６は、Ｈ_２アニールのインターロックダイアログボックスＤ１を示す。このインターロックダイアログボックスＤ１を操作画面上に開くには、図５に示す装置コンフィグ装置パラメータ画面Ｇ１の「インターロック」の操作ボタンをタッチする。インターロックダイアログボックスＤ１は、インターロックを設定するためのダイアログボックスであり、インターロックの項目に対応した複数のボタンから構成される。本実施の形態では、インターロックダイアログボックスＤ１において、特に、「Ｈ_２濃度監視開始遅延時間」（図ではＨ_２検知時間と表記）ボタンｂ２と、「Ｏ_２濃度監視開始遅延時間」（図ではＯ_２検知時間と表記）ボタンｂ３とが設けられている。

「Ｈ_２濃度監視開始遅延時間」ボタンｂ２、「Ｏ_２濃度監視開始遅延時間」ボタンｂ３は、Ｈ_２アニールのプロセスにおいて、酸素濃度、水素濃度を検知する検知時間の設定に用いるボタンであり、酸素濃度、水素濃度を検知する検知時間を設定するステップは、それぞれ、Ｈ_２アニールのプロセスにおいて、Ｈ_２アニール処理を実行できるか否かを検出するための重要なステップとなる。

図６に示すインターロック設定画面Ｄ１上で例えば水素濃度を検出する検出時間を設定する場合は、「Ｈ_２濃度監視開始遅延時間」ボタンｂ２をタッチする。すると、図７に示すように、インターロック画面Ｄ１上に時間入力ダイアログボックスＤ２が表示される。

Ｈ_２濃度監視開始遅延時間の設定には、時間入力ダイアログボックスＤ２に表示された数字キーＫ又はカウントアップボタンＢ１、カウントダウンボタンＢ２を用いる。
例えば、設定時間４０秒を入力し「ＥＮＴＥＲ」ボタンをタッチすると、時間入力ダイアログボックスＤ２が閉じる。時間入力ダイアログボックスＤ２が閉じると、図８に示すように、インターロックダイアログボックスＤ１が現れて、「Ｈ_２検知時間」ボタンの右側のテキストボックスに入力値が反映される。ここでインターロックダイアログボックスＤ１の左下のＳＥＴボタンＢ４をタッチする。
すると、インターロックダイアログボックスＤ１が閉じ、再び図５に示す装置コンフィグ装置パラメータ画面が現れる。ここで画面右上の保存ボタンをタッチする。すると、図９のＳＡＶＥダイアログボックスＤ３が開く。ここでＹＥＳボタンをタッチして、設定したコンフィグデータを固定記憶装置に保存する。保存後、コンピュータをシャットダウン処理をして再立ち上げすることにより、コンフィグデータが有効になる。

酸素濃度を検出する検出時間を設定する場合も、水素濃度を検出する検出時間を設定する場合と同様である。図６〜図８の例では酸素濃度の検出時間は３０秒に設定されている。

［Ｈ_２アニール関連のプロセスレシピの作成］
前述したように、Ｈ_２アニールプロセスを新規に構成するには、「００１：ＢｏａｔＬｏａｄ」→「００２：ＰｒｅＥＶＡＣ」→「００３：ＬｅａｋＣｈｅｃｋ」→「００４：Ｎ_２Ｐｕｒｇｅ」→「００５：Ｈ_２アニール」→「００６：Ｎ_２ＡｆｔｅｒＰｕｒｇｅ」→「００７：ＡｆｔｅｒＥＶＡＣ」→「００８：Ｌｅａｋ」→「００９：ＯｒｉｎｇＬｅａｋ」→「０１０：ＢｏａｔＵｎｌｏａｄ」からなる複数のステップを作成する必要がある。
ここで、
（１）Ｏ_２検知時間（Ｏ_２濃度監視開始遅延時間）：００’００”〜９９’５９”（ｍｍ：ｓｓ）
（２）Ｈ_２検知時間（Ｈ_２濃度監視開始遅延時間）：００’００”〜９９’５９”（ｍｍ：ｓｓ）
の２つの時間を使って、次のような２つの新規ステップを加える。
（３）Ｏ_２濃度チェックステップ（ステップ名称０１０）
（４）Ｈ_２濃度チェックステップ（ステップ名称０２０）
上記（３）はＮ_２Ｐｕｒｇｅステップの次に、また（４）はＮ_２ＡｆｔｅｒＰｕｒｇｅの次にそれぞれ行う。

新規ステップのチェックは、ステップ時間の入力時とファイル保存時（設定時）に行われるようにする。これを説明する。

図４に示すプロセスレシピステップ編集画面において、ステップ名称００６：Ｎ_２ＡｆｔｅｒＰｕｒｇｅを特定し、そのステップ時間、すなわちＨ_２濃度検知ステップのステップ時間の入力値を例えば、
００：００：４７
と作業者がタッチパネル６０から入力する。
すると、操作部５４の機能が働き、この入力値に対して（Ｈ_２検知時間＋５秒＋３秒）にてチェックが実行される。

この例でＨ_２濃度検知時間の設定時間を４０秒としたのは、次の理由による。４０秒はＨ_２の供給を開始した後、濃度が安定する時間であり、経験的に導かれた時間である。Ｈ_２濃度検出時間の下限値の設定では、この４０秒に、濃度検出時間と余裕とを加えた時間が下限値の値とする。濃度監視時間は、Ｈ_２濃度検知器によりＨ_２濃度を検出する時間、マージンは、装置別、機種別の誤差、タイミング（マルチタスク処理におけるタイミング差）を吸収するための値で、いずれも経験的に導かれた値である。濃度監視時間は５秒、マージンは３秒とすると十分である。従って、Ｈ_２濃度の検出時間の下限値は、４０秒＋５秒＋３秒の４８秒となる。

装置コンフィグパラメータのＨ_２濃度チェックステップＩＤに設定したステップ（００６：Ｎ_２ＡｆｔｅｒＰｕｒｇｅ）が、この濃度チェックステップになるようにあらかじめ装置コンフィグに設定しておく。
入力禁止機能は上記の計算により下限値を演算して判定値とし、判定値４８秒と入力値４７秒との比較を行う。入力値が判定値を超える場合、判定結果はＹＥＳ、入力値が判定値以下の場合、判定結果はＮＯとなる。
判定結果がＮＯ、すなわち、例示のように４７秒以下の数値が入力された場合、入力禁止機能は、強制的にその入力をキャンセルする。そして、入力禁止機能は、図１０に示す
ように、下限値を越える数値、すなわち、上述の例の場合は、４８秒以上の数値を入力するように指示するポップアップウインドウＷ１を表示させる。
ポップアップウインドウＷ１には、警告の他、「了解」ボタンが表示される。「了解」ボタンが押下されると、入力禁止機能によってポップアップウインドウＷ１が閉じられ、ポップアップウインドウＷ１に隠されていた図４に示すプロセスレシピステップ編集画面が現れる。操作員が警告に従って、例えば、４８秒を入力すると、ポップアップウインドウＷ１は表示されず、Ｈ_２濃度の検出時間の入力の保存が可能となる。なお、前述した入力禁止機能は、入力値が判定値を超えるまで前記の判定を繰り返す。適正に入力されたら保存ボタンｂ１をタッチしてステップ時間を固定記憶装置に格納する。

なお、上述した実施の形態では、Ｈ_２濃度検知時間入力時の濃度チェックステップについて説明したが、Ｏ_２濃度検知時間入力時の濃度チェックステップについても同様である。

Ｏ_２濃度の検出時間を設定するチェックステップの場合は、図４において、前頁ボタンを２回押し、ステップ名称に００４：Ｎ_２Ｐｕｒｇｅを選択し、ステップ時間に所望値のＯ_２濃度検知時間を入力する。以下の作業は、「Ｈ_２濃度検知時間」を入力した場合と同様である。この場合も前記したように入力禁止機能により、判定値と入力値との比較により、入力されたＯ_２濃度検知時間が下限値以下かどうかの判定が行われる。
判定がＮＯの場合は、入力値の入力が禁止され、前記したように、Ｏ_２濃度検知時間の再設定が要求される。図６〜図８の装置コンフィグ装置パラメータで設定したＯ_２検知時間は３０秒であり、濃度監視時間は５秒、マージンは３秒である。このため、Ｏ_２濃度の検知時間の下限値は、３０秒＋５秒＋３秒の３８秒となり、警告としては、３８秒以上の入力を求める警告が表示される。

［装置動作確認］
上述した手順で、「００４：Ｎ_２Ｐｕｒｇｅ」ステップを含む複数のステップをプロセスレシピステップ編集画面を用いて作成し、Ｈ_２アニールプロセスを作成し、保存ボタンｂ１をタッチすることにより、このファイルを固定記憶装置に格納する。最後にこのＨ_２アニールプロセスファイルを固定記憶装置から呼び出して、装置動作確認を行う。

図１１は入力禁止機能の他の実施の形態を示す。すなわち、前述した実施の形態では、入力禁止機能は、下限値以下の数値が入力された場合に、強制的に、その入力をキャンセルする。しかし、装置の運用上、強制的に保存したいという要求を満足することはできない。例えば、基板処理に影響が無いことを確認した場合がこれに該当する。
そこで、この他の実施の形態では、下限値以下の数値が以前に入力されていた場合でもその入力値を保存可能としている。すなわち、保存時判定値と入力値の判定の結果がＮＯとなる場合に、保存チェック機能が、図１１に示されるポップアップウインドウＷ２を表示させるように構成されている。ポップアップウインドウＷ２には、下限値以上の入力を促し、再入力を求める「中止」ボタンと、保存を可能とする「続行」ボタンとが表示されるので、入力値の変更又は入力値を変更せずに保存することが選択可能となる。

上述した実施の形態では、入力禁止機能をプロセスレシピを新規に作成する場合に適用した場合について説明したが、本実施の形態によれば、入力禁止機能を使って既存のプロセスレシピをチェック編集することも可能である。
すなわち、既に作成されたプロセスレシピを固定記憶装置から呼び出し入力禁止機能にかけると、プロセスレシピのチェックステップにおいての設定値が適切かどうかを自動的に判定するので、既存のプロセスレシピの信頼性を確保することができる。

なお、上述した実施の形態では、Ｈ_２アニールプロセスのチェックステップに適用した
場合について説明したが、水蒸気を用いた酸化処理を行う場合にも適用可能である。
ウエハ２００に対して水蒸気を用いた酸化処理を行う場合は、処理ガスとして水素及び酸素を含有する処理ガスを供給する。水素及び酸素を含有する処理ガスは、流量制御弁ＭＦＣにて所望の流量に制御され、外部燃焼装置（図示せず）に供給される。
外部燃焼装置内で水素と酸素との燃焼反応により水蒸気が生成される。生成された水蒸気（Ｈ_２Ｏ）を含むガスは、処理ガスとして処理室２０１に導入される。処理ガスは、減圧排気装置の排気により、処理室２０１内から排気される。
水蒸気を含む処理ガスは、処理室２０１を流下する際に、ウエハ２００の表面と接触する。これにより、ウエハ２００には酸化又は拡散処理が施される。

（実施形態の効果）
本発明の実施形態は、以下に挙げる一つまたはそれ以上の効果を有する。

（１）チェックステップの編集時に下限値以下の入力が禁止されるので、基板処理の信頼性が大幅に向上する。
（２）また、新規にプロセスレシピを作成する場合も同様に信頼性の高いプロセスレシピとすることができる。特に、アニールのプロセスレシピの場合は、濃度チェックが途中で停止することなく、正しく実行されるので、次のステップでの処理の停止を防止することができる。

（３）既に作成されたプロセスレシピを入力禁止機能にかけると、プロセスレシピのチェックステップにおいての設定値が適切かどうかを自動的に判定するので、既存のプロセスレシピの信頼性を確保することができる。

（４）半導体製造装置のメインコントローラにおいてＨ_２アニールのプロセスレシピを作成する際、Ｏ_２濃度チェックとＨ_２濃度チェックの各ステップにおける時間入力に下限設定値の入力禁止機能が無い場合、装置コンフィグレーションパラメータの設定時間（Ｏ_２検知時間（Ｏ_２濃度監視開始遅延時間）又はＨ_２検知時間（Ｈ_２濃度監視開始遅延時間））を１分とすると、１分＋濃度監視時間（５秒固定）＋マージン（３秒固定）＝１分８秒未満の値が入力される可能性が有り、Ｏ_２濃度チェックやＨ_２濃度チェックを実行中に次のステップに移行し、そこでステップが進行しなくなる。その場合、マニュアル操作によるリカバリが必要になるが、時間入力に下限設定値の入力禁止機能を追加することにより、不正な値は入力できないので、プロセスレシピ実行時、プロセスレシピが途中のステップで止まることが無く、リカバリ作業の時間や手間を省くことができる。又、リカバリを失敗したり手間取ったりすると余計な損失になるが、それが無くなる。

（５）入力禁止機能に、警告メッセージとともに下限値の設定値を教示する機能を含ませると、入力禁止時、警告メッセージにより下限設定値を示すことができるので、すぐに正しい値を入力できる。

（６）下限設定値＝装置コンフィグレーションパラメータの設定時間（Ｏ_２検知時間（Ｏ_２濃度監視開始遅延時間）又はＨ_２検知時間（Ｈ_２濃度監視開始遅延時間））（００’００”〜９９’５９”（ＭＭ’ＳＳ”））＋濃度監視時間（５秒固定）＋マージン（３秒固定）とすると、このマージンを設けることにより、装置間の違いやタイミングの違いによる時間の誤差を吸収できる。

（７）装置の性能が向上してＯ_２やＨ_２の濃度チェック時間が短くてすむようになっても、装置コンフィグレーションパラメータのＯ_２検知時間（Ｏ_２濃度監視開始遅延時間）、Ｈ_２検知時間（Ｈ２濃度監視開始遅延時間）（図１装置コンフィグバラメータ）の変更で対応できる。

（８）Ｈ_２アニールのプロセスレシピを保存する際、Ｏ_２濃度チェックとＨ_２濃度チェックの各ステップの時間が下限設定値に満たない場合、警告メッセージを表示して下限設定値を通知できる。

（９）既存のプロセスレシピにおいて、保存する際に保存ボタンｂ１を押下するタイミングで、Ｏ_２濃度チェックとＨ_２濃度チェックの各ステップの時間が下限設定値に満たないかどうかのチェックを行え、保存もできる。

（１０）また、既存の問題なく動作しているプロセスレシピにおいて保存ボタン押下により時間入力下限値警告メッセージが表示されても時間変更したくない場合、続行ボタンを押下してそのまま保存することもできる。

＜付記＞
以下に、本発明の好ましい態様を付記する。

（１）複数のステップからなるレシピを実行させる指示を受け付ける操作手段と、該操作手段で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御手段と、を備えた基板処理装置であって、前記複数のステップは入力値をチェックするためのチェック処理を含み、前記操作手段は、前記レシピを作成する際に、前記複数のステップの入力値をそれぞれ入力する入力画面を表示させる画面表示手段と、前記入力画面上で、所定のチェックステップにおける入力値を設定する際に、下限設定値以下の入力値の設定を禁止する入力禁止手段とを有することを特徴とする基板処理装置。

（２）前記入力値の設定を禁止する際、又は入力値を保存する際に、前記チェックステップの設定値、例えば時間などが下限値設定値に満たない場合は、警告メッセージとともに、下限値の設定値を教示することが好ましい。これにより、入力値の適正な大きさが分かり、適正値にてチェックステップを実行させることができる。

（３）前記入力値が下限設定値に満たない場合でも、保存を許可するようにしてもよい。基板処理に影響を及ぼしてしまうようなことがない場合、または、意図的に基板処理の状態を再現するような場合に対応できる。

（４）前記チェックステップは、濃度チェックとすることができる。

（５）前記濃度は、Ｈ_２濃度及び／又はＯ_２濃度とすることができる。

（６）複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作手段と、該操作手段で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御手段とを備えた基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記複数のステップは入力値をチェックするためのチェック処理を含み、前記操作手段は、画面表示手段と入力禁止手段を備え、前記画面表示手段が、前記レシピを作成する際に、前記複数のステップの入力値をそれぞれ入力する入力画面を表示させ、前記入力画面上で、所定のチェックステップにおける入力値を設定する際に、前記入力禁止手段が下限設定値未満の入力値の設定を禁止することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

（７）前記入力画面上で、所定のチェックステップにおける入力値を設定する際に、入力値を照合するチェックルールを下限値ではなく、幅を持った領域範囲値とすることにより、入力値がこれらのルールに合致しない場合は、その入力値の設定を禁止する入力禁止手段とすることもできる。

なお、本発明は、アニールのプロセスレシピのチェックステップとして用いるのが好ましいが、他の基板処理装置、例えば、横型の基板処理装置、枚葉式の基板処理装置のプロセスレシピの作成、編集に適用することができる。また、本発明に係る基板処理はシリコン基板だけでなくガラス基板の処理にも適用することが可能である。このように本発明は種々の変形が可能であり、このように変形された発明に本発明が及ぶことは当然である。

４９ 制御部（制御手段）
５４ 操作部（操作手段）
６０ タッチパネル（画面表示手段）
１００ 基板処理装置

Claims (1)

1. 複数のステップから構成されるレシピを実行させる指示を受け付ける操作手段と、該操作手段で受け付けた指示により実行される前記レシピに基づいて基板処理を行うように制御する制御手段と、
   を備えた基板処理装置であって、
   前記操作手段は、
   前記レシピを作成する際に、前記複数のステップの入力値をそれぞれ受け付ける入力画面を表示させる画面表示手段と、
   前記入力画面上で、前記複数のステップのうち所定のステップにおいて、下限設定値以下の入力値の設定を禁止する入力禁止手段と
   を有することを特徴とする基板処理装置。

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