KR20140051791A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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게이지 오사다
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 기판을 적재하는 적재 영역이 처리 용기의 둘레 방향을 따라 복수 설치된 회전 테이블을 구비한 기판 처리 장치를 사용하여 성막 처리를 행함에 있어서, 비용 상승 및 파티클의 발생을 억제하면서, 복수의 적재 영역 중 어느 임의의 적재 영역만으로 제품용 기판에 대해 성막 처리를 행한다. 5개의 슬롯(20) 중 특정한 슬롯(20)에만 제품 웨이퍼(W)에 성막 처리를 행할 때, 당해 특정한 슬롯(20)에 대해서는 미리 제품 웨이퍼(W)가 반송되도록, 또 다른 슬롯(20)에 대해서는 더미 웨이퍼(W)가 반송되도록 설정한다. 그리고, 제품 웨이퍼(W)의 반송처의 슬롯(20)을 지정함에 있어서, 반송 용기(5) 내에서의 웨이퍼(W)의 수납 위치의 어느 웨이퍼(W)를 반송할지에 대해서도 지정한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 처리 용기 내에서 복수의 기판을 회전 테이블 상에서 각각 공전시키면서, 상기 처리 용기 내에서 기판의 처리를 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라 함)에, 예를 들어 산화실리콘(SiO2)막 등의 박막을 성막하는 장치로서, 예를 들어 특허문헌 1에 기재된 세미 배치 타입의 장치가 알려져 있다. 구체적으로는, 이 장치에는, 진공 용기 내에서 연직축 주위로 회전 가능하게 구성된 회전 테이블이 설치되어 있으며, 이 회전 테이블 상에는, 웨이퍼를 적재(수납)하기 위한 오목부가 슬롯으로서 둘레 방향을 따라 복수 개소 예를 들어 5개소에 형성되어 있다.
또한, 진공 용기와 웨이퍼의 반송 용기(FOUP: Front-Opening Unified Pod)가 놓이는 로드 포트 사이에는, 트랜스퍼 모듈, 로드 로크실 및 로더 모듈이 진공 용기측으로부터 이 순서로 배치되어 있다. 그리고, FOUP 내의, 예를 들어 5매의 웨이퍼는, 트랜스퍼 모듈 및 로더 모듈에 각각 배치된 반송 암을 통해, 회전 테이블을 간헐적으로 회전시키면서 진공 용기 내에 순차 반입된다. 그 후, 회전 테이블에 의해 각 웨이퍼를 공전시킴과 함께, 각각의 웨이퍼에 대해 처리 가스를 공급함으로써, 각 웨이퍼 간에 있어서 균일성이 높은 박막이 형성된다.
여기서, 이러한 성막 장치에 있어서, 5개의 슬롯 중 어느 하나의 슬롯에 대해, 당해 하나의 슬롯에서 성막되는 박막의 특성을 평가하고 싶다고 하는 요청이 있다. 즉, 전술한 바와 같이 어느 슬롯에서도 마찬가지의 특성을 갖는 박막이 얻어지지만, 예를 들어 특정한 슬롯에서 박막 특성의 재현성을 확인하는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 상기 하나의 슬롯 이외의 다른 4개의 슬롯에서도 마찬가지로 웨이퍼의 성막 처리를 행하면, 상기 다른 4개의 슬롯에 놓이는 웨이퍼의 분만큼 비용 상승으로 이어지게 된다. 한편, 상기 다른 슬롯에 웨이퍼를 두지 않고 상기 하나의 슬롯에만 웨이퍼를 적재하여 성막 처리를 행하면, 상기 다른 슬롯의 저면에 박막이 형성되고, 후속 처리에서 다른 웨이퍼의 이면 오염이 생기거나, 또는 파티클 발생의 원인으로 된다.
전술한 특허문헌 1에는, 이러한 특정한 슬롯에서 성막되는 박막의 특성을 평가하는 기술에 대해서는 기재되어 있지 않다.
일본 특허 공개 제2010-239102
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판을 적재하는 적재 영역이 처리 용기의 둘레 방향을 따라 복수 설치된 회전 테이블을 구비한 기판 처리 장치를 이용하여 처리를 행함에 있어서, 비용 상승 및 파티클의 발생을 억제하면서, 복수의 적재 영역 중 어느 임의의 적재 영역에서 제품용 기판에 대해 처리를 행할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 기판 처리 장치는,
처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 설치되고, 각각 기판을 적재하는 복수의 적재 영역이 그 둘레 방향을 따라 형성됨과 함께 연직축 주위로 회전 가능한 회전 테이블과, 기판을 처리하기 위해 상기 적재 영역에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 구비한 프로세스 모듈과,
제품 기판이 수납된 반송 용기를 적재하기 위한 로드 포트와,
더미 기판이 수납된 더미 기판 수납부와,
상기 로드 포트 상의 반송 용기 또는 상기 더미 기판 수납부와 상기 회전 테이블 사이에서 제품 기판 또는 더미 기판의 전달을 행하기 위한 반송 기구가 설치된 반송실과,
상기 반송 용기 내의 적어도 1매의 제품 기판에 대해 상기 복수의 적재 영역 중 어느 적재 영역에 반송할지를 설정하기 위한 설정부와,
상기 설정부에서 설정된 제품 기판이 반입되는 적재 영역 이외의 다른 적재 영역에는, 더미 기판을 반입하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 처리 장치로서는, 이하와 같이 구성하여도 된다.
제1 반송 모드와 제2 반송 모드를 선택하기 위한 모드 선택부를 구비하고,
상기 제1 반송 모드는, 상기 설정부를 이용하지 않고 반송 용기 내의 제품 기판을 순차 상기 적재 영역에 반송하고, 제품 기판의 수가 적재 영역의 수에 충족하지 않을 때 더미 기판에 의해 적재 영역을 충족하도록 제어 신호를 출력하는 모드이며,
상기 제2 반송 모드는, 상기 설정부에 상당하는 설정 화면이 표시되고, 이 설정 화면에 의해 설정된 설정 사항이 유효하게 되는 모드인 구성.
상기 제어부는, 복수의 상기 적재 영역에 대해 상기 처리 용기의 둘레 방향을 따라 순서대로 제품 기판 또는 더미 기판을 반입하도록 제어 신호를 출력하는 구성.
상기 반송실에는, 처리 용기와, 이 처리 용기 내에 설치되고, 각각 기판을 적재하는 복수의 적재 영역이 그 둘레 방향을 따라 형성됨과 함께 연직축 주위로 회전 가능한 회전 테이블과, 기판을 처리하기 위해 상기 적재 영역에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 구비한, 상기 프로세스 모듈과는 다른 프로세스 모듈이 접속되고,
상기 설정부는, 상기 적어도 1매의 제품 기판에 대해, 상기 프로세스 모듈 및 상기 다른 프로세스 모듈의 한쪽 프로세스 모듈에서의 복수의 상기 적재 영역 중 어느 하나의 적재 영역을 대응시켜 설정하는 구성.
상기 제어부는, 프로세스 모듈에서의 하나의 처리가 종료하고 계속되는 다른 처리를 개시할 때, 이들 하나의 처리와 다른 처리에 있어서 상기 회전 테이블 상에서의 더미 기판의 배치 레이아웃이 일치되어 있는 경우에는, 상기 하나의 처리에서의 제품 기판을 상기 처리 용기로부터 반출한 후, 당해 하나의 처리에서의 더미 기판에 대해서는 상기 회전 테이블에 적재한 채, 상기 다른 처리에서의 제품 기판을 상기 처리 용기에 반입하도록 제어 신호를 출력하는 구성. 상기 설정부는, 프로세스 모듈에서의 하나의 처리와 당해 하나의 처리에 계속되는 다른 처리에 있어서 상기 회전 테이블 상에서의 더미 기판의 배치 레이아웃이 일치되어 있는 경우에는, 상기 하나의 처리에서의 제품 기판을 상기 처리 용기로부터 반출한 후, 당해 하나의 처리에서의 더미 기판에 대해서는 상기 회전 테이블에 적재한 채, 상기 다른 처리에서의 제품 기판을 상기 처리 용기에 반입하는 기능의 유효 및 무효를 전환하는 전환부를 구비하고 있는 구성.
본 발명은 기판의 적재 영역이 처리 용기의 둘레 방향을 따라 복수 개소에 설치된 회전 테이블을 구비한 기판 처리 장치를 이용하여 처리를 행함에 있어서, 복수의 적재 영역 중 적어도 하나의 적재 영역에 대해, 제품 기판의 반송처의 적재 영역으로서 미리 지정하고 있다. 또한, 제품 기판의 반송처로서 적재 영역을 지정함에 있어서, 반송 용기 내의 어느 수납 위치에서의 제품 기판을 반송할지에 대해서도 지정하고 있다. 그리고, 상기 적어도 하나의 적재 영역에는 제품 기판을 적재하고, 나머지 모든 적재 영역에는 더미 기판을 적재하고 있다. 그로 인해, 복수의 적재 영역 중 처리가 필요한 적재 영역에는 제품 기판을 적재함과 함께, 나머지 처리가 불필요한 적재 영역에는 더미 기판을 적재할 수 있다. 따라서, 제품 기판의 불필요한 소비를 억제함과 함께, 적재 영역에의 성막을 억제하면서, 임의의 위치에서의 적재 영역에서 성막 처리를 행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 나타내는 모식도이다.
도 2는 상기 기판 처리 장치에서의 프로세스 모듈을 나타내는 종단면도이다.
도 3은 상기 프로세스 모듈을 나타내는 사시도이다.
도 4는 상기 프로세스 모듈을 나타내는 횡단 평면도이다.
도 5는 상기 프로세스 모듈을 둘레 방향을 따라 절단하여 전개한 종단면도이다.
도 6은 상기 기판 처리 장치에서의 입력부를 나타내는 개략도이다.
도 7은 상기 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 8은 상기 기판 처리 장치에서의 기판에 대한 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 9는 상기 기판 처리 장치의 작용을 나타내는 모식도이다.
도 10은 상기 기판 처리 장치의 작용을 나타내는 모식도이다.
도 11은 상기 기판 처리 장치의 작용을 나타내는 모식도이다.
도 12는 상기 기판 처리 장치의 작용을 나타내는 모식도이다.
도 13은 상기 기판 처리 장치에서의 기판에 대한 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 14는 상기 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 15는 상기 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 16은 상기 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 17은 상기 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 18은 상기 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 19는 상기 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 20은 상기 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 21은 상기 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 22는 상기 기판 처리 장치에서의 작용을 나타내는 모식도이다.
도 23은 상기 기판 처리 장치의 다른 예에 있어서 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 24는 상기 다른 예에서의 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 25는 상기 다른 예에서의 작용을 나타내는 모식도이다.
도 26은 상기 다른 예에서의 작용을 나타내는 모식도이다.
도 27은 상기 기판 처리 장치의 다른 예에서의 처리의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 28은 상기 다른 예에서의 작용을 나타내는 모식도이다.
도 29는 상기 다른 예에서의 작용을 나타내는 모식도이다.
도 30은 상기 기판 처리 장치의 다른 예에 있어서 입력부에 표시되는 화면의 일례를 나타내는 개략도이다.
[장치 구성]
본 발명의 기판 처리 장치의 실시형태의 일례에 대해, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한다. 우선, 기판 처리 장치의 개략에 대해 간단히 설명하면, 이 장치는, 웨이퍼(W)를 적재하는 적재 영역이 처리 용기의 둘레 방향을 따라 복수 개소에 배치된 회전 테이블을 구비한 프로세스 모듈(1)을 구비하고 있으며, 이 프로세스 모듈(1)에서 각 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리를 행하도록 구성되어 있다. 그리고, 이 장치는, 처리 용기에 웨이퍼(W)를 반송함에 있어서, 적재 영역 각각에 대해, 제품용 웨이퍼(W) 및 더미 웨이퍼(W) 중 임의의 종별 웨이퍼(W)를 적재할 수 있는 기능을 구비하고 있다. 이하에, 상기 기능에 대해 상세히 설명하기 전에, 기판 처리 장치 및 프로세스 모듈(1)의 구성에 대해 설명한다.
프로세스 모듈(1)은 도 1에 도시한 바와 같이, 좌우로 횡 배열로 2개소에 설치되어 있으며, 서로 동일한 구성으로 되어 있다. 이들 프로세스 모듈(1, 1)의 배열에 대해 근방측으로 이격된 위치에는, 내부가 진공 분위기로 유지되는 진공 반송실(2)이 기밀하게 접속되어 있다. 이 진공 반송실(2)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 반송하기 위해서, 예를 들어 다관절 암으로 이루어지는 진공 반송 암(2a)이 반송 기구로서 2개 배치되어 있다. 이들 진공 반송실(2) 및 진공 반송 암(2a)은 트랜스퍼 모듈을 이루고 있다. 도 1 중 도면부호 G는 게이트 밸브이다.
진공 반송실(2)의 근방측에는, 대기 분위기와 진공 분위기 사이에서 내부 압력을 전환 가능하게 구성된 로드 로크실(3)이 횡 배열로 예를 들어 3개소에 기밀하게 접속되어 있다. 또한, 이들 로드 로크실(3)의 배열의 근방측에는, 내부가 대기 분위기로 유지된 대기 반송실(4)이 접속되어 있으며, 이 대기 반송실(4)에는 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 기구인 대기 반송 암(4a)이 배치되어 있다. 이들 대기 반송실(4) 및 대기 반송 암(4a)은 로더 모듈을 이루고 있다.
이 대기 반송실(4)의 근방측에는, 반송 용기(FOUP)(5)가 적재되는 영역인 로드 포트(6)가 배치되어 있으며, 이 로드 포트(6)는 반송 용기(5)가 횡 배열로, 예를 들어 3개소에 적재되도록 구성되어 있다. 그리고, 로드 포트(6)에 있어서 반송 용기(5)가 적재되는 3개 영역 중, 예를 들어 2개의 영역에 대해서는 제품 웨이퍼(W)가 수납된 반송 용기(5)가 적재되고, 나머지 1개의 영역에 대해서는 더미 웨이퍼(W)가 수납된 반송 용기(5)가 적재되도록 구성되어 있다.
여기서, 상기 3개의 영역(포트)에 대해 우측부터 좌측을 향해 순서대로 「LP1」, 「LP2」 및 「LP3」으로 한다. 또한, 제품 웨이퍼(W)가 수납된 반송 용기(5) 및 더미 웨이퍼(W)가 수납된 반송 용기(5)에 각각 「P」 및 「D」의 부호를 부여하면, 본 예에서는 반송 용기(5P)는 우측 2개소의 포트(LP1, LP2)에 배치되고, 더미 기판 수납부를 이루는 반송 용기(5D)는 좌측단의 포트(LP3)에 배치되어 있다. 그리고, 「제품 웨이퍼(W)」는, 반도체 장치를 실제로 제조할 때, 디바이스를 형성하기 위해 사용되는 통상의 웨이퍼(W)이다. 한편, 「더미 웨이퍼(W)」는, 제품 웨이퍼(W)를 이용할 필요가 없는 처리를 행하는 경우로서, 후술하는 슬롯(20)을 빈 상태 그대로 하지 않기 위해 사용되는 웨이퍼(W)이다. 따라서, 제품 웨이퍼(W)에 대해서는, 성막 처리가 실시되면, 반송 용기(5P) 내로 되돌려짐과 함께, 다음 처리를 행하기 위해 반송되어 간다. 한편, 더미 웨이퍼(W)는, 제품 웨이퍼(W)와 함께 성막 처리가 실시되면, 반송 용기(5D) 내로 되돌려진 후, 후속 처리에 사용되는 경우가 있다.
계속해서, 프로세스 모듈(1)에 대해 설명한다. 이 프로세스 모듈(1)은 도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 평면 형상이 대략 원형인 처리 용기를 이루는 진공 용기(10)와, 이 진공 용기(10) 내에 설치되고, 당해 진공 용기(10)의 중심에 회전 중심을 갖는 회전 테이블(12)을 구비하고 있다. 진공 용기(10)의 천장판(11)의 상면측에서의 중앙부에는, 진공 용기(10) 내의 중심부 영역(C)에서 서로 다른 처리 가스끼리가 혼합되는 것을 억제하기 위해서, 질소(N2) 가스를 공급하기 위한 분리 가스 공급관(51)이 접속되어 있다. 도 2 중 도면부호 13은 시일 부재, 예를 들어 O링이며, 참조번호 17은 진공 용기(10)의 저면부(14)와 회전 테이블(12) 사이에 설치된 히터 유닛이다. 또한, 도 2 중 도면부호 18은 히터 유닛(17)의 배치 공간을 퍼지하기 위한 퍼지 가스 공급관이다.
회전 테이블(12)은 중심부에서 개략 원통 형상의 코어부(12a)에 고정되어 있으며, 이 코어부(12a)의 하면에 접속됨과 함께 연직 방향으로 신장하는 회전축(12b)에 의해, 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 도 2 중 도면부호 12c는 회전축(12b)을 연직축 주위로 회전시키는 구동부이며, 도면부호 12d는 회전축(12b) 및 구동부(12c)를 수납하는 케이스체이다. 케이스체(12d)에는, 회전 테이블(12)의 하방 영역에 질소 가스를 퍼지 가스로서 공급하기 위한 퍼지 가스 공급관(12e)이 접속되어 있다.
회전 테이블(12)의 표면부에는, 도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 떨어뜨려 보유 지지하기 위해, 원형의 오목부가 슬롯(적재 영역)(20)으로서 설치되어 있으며, 이 슬롯(20)은 당해 회전 테이블(12)의 회전 방향(주위 방향)을 따라 복수 개소, 예를 들어 5개소에 형성되어 있다. 슬롯(20)의 통과 영역과 각각 대향하는 위치에는, 4개의 노즐(31, 32, 41, 42)이 진공 용기(10)의 주위 방향으로 서로 간격을 두고 방사상으로 배치되어 있다. 이들 각 노즐(31, 32, 41, 42)은, 예를 들어 진공 용기(10)의 외주벽으로부터 중심부 영역(C)를 향해 웨이퍼(W)에 대향하여 수평하게 신장하도록 각각 부착되어 있다. 본 예에서는, 후술하는 반송구(19)로부터 봐서 시계 방향(회전 테이블(12)의 회전 방향)으로 제2 처리 가스 노즐(32), 분리 가스 노즐(41), 제1 처리 가스 노즐(31) 및 분리 가스 노즐(42)이 이 순서로 배열되어 있다.
각 노즐(31, 32, 41, 42)은, 유량 조정 밸브를 통해 각각 이하의 각 가스 공급원(도시생략)에 각각 접속되어 있다. 즉, 제1 처리 가스 노즐(31)은 Si계의 원료 가스(예를 들어 BTBAS: 비스터셜부틸아미노실란)의 저류부에 접속되어 있다. 또한, 제2 처리 가스 노즐(32)은, 예를 들어 오존(O3) 가스의 저류부(상세하게는 오조나이저가 설치된 산소(O2) 가스원)에 접속되어 있다. 분리 가스 노즐(41, 42)은, 분리 가스인 질소 가스의 가스 공급원에 각각 접속되어 있다. 이들 가스 노즐(31, 32, 41, 42)의, 예를 들어 하면측에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 가스 토출 구멍(33)이 회전 테이블(12)의 반경 방향을 따라 복수 개소에 형성되어 있다. 또한, 도 5는 회전 테이블(12)의 회전 방향을 따라 진공 용기(10)를 절단하여 전개한 종단면을 나타내고 있다.
분리 가스 노즐(41, 42)이 배치된 영역에서의 진공 용기(10)의 천장판(11)에는, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 개략 부채형의 볼록 형상부(34)가 설치되어 있으며, 따라서 당해 분리 가스 노즐(41, 42)은, 이 볼록 형상부(34) 내에 수용되어 있다. 이와 같이 하여 분리 가스 노즐(41, 42)에서의 회전 테이블(12)의 주위 방향 양측에는, 각 처리 가스끼리의 혼합을 저지하기 위해서, 상기 볼록 형상부(34)의 하면인 낮은 천장면이 배치되고, 이 천장면의 상기 주위 방향 양측에는, 당해 천장면보다도 높은 천장면이 배치되어 있다.
회전 테이블(12)과 진공 용기(10)의 내벽면 사이에서의 저면부(14)에는, 2개의 배기구(61, 62)가 형성되어 있다. 이들 2개의 배기구(61, 62) 중 한쪽 및 다른 쪽을 각각 제1 배기구(61) 및 제2 배기구(62)로 하면, 제1 배기구(61)는 제1 처리 가스 노즐(31)과, 당해 제1 처리 가스 노즐(31)보다도 회전 테이블(12)의 회전 방향 하류측에서의 볼록 형상부(34) 사이에 형성되어 있다. 제2 배기구(62)는 제2 처리 가스 노즐(32)과, 당해 제2 처리 가스 노즐(32)보다도 회전 테이블(12)의 회전 방향 하류측에서의 볼록 형상부(34) 사이에 형성되어 있다. 이들 제1 배기구(61) 및 제2 배기구(62)는 도 2에 도시한 바와 같이, 각각 버터플라이 밸브 등의 압력 조정부(65)가 개재 설치된 배기관(63)에 의해, 진공 배기 기구인 진공 펌프(64)에 접속되어 있다.
진공 용기(10)의 측벽면에서의 어느 일부, 예를 들어 전술한 분리 가스 노즐(42)로부터 봐서 회전 테이블(12)의 회전 방향 하류측이면서 제2 처리 가스 노즐(32)로부터 봐서 회전 테이블(12)의 회전 방향 상류측에는, 웨이퍼(W)의 반송구(19)가 형성되어 있다. 전술한 진공 반송 암(2a)에 의해, 이 반송구(19)를 통해 진공 용기(10)에 대해 웨이퍼(W)의 반출입이 행해진다. 이 반송구(19)를 향하는 위치에서의 회전 테이블(12)의 하방측에는, 회전 테이블(12)의 관통구를 통해 웨이퍼(W)를 이면측으로부터 들어올리기 위한 승강 핀(모두 도시생략)이 설치되어 있다.
여기서, 진공 용기(10) 내에 웨이퍼(W)를 반입할 때의 회전 테이블(12)의 위치 및 동작에 대해 설명한다. 이 프로세스 모듈(1)은 전술한 바와 같이 회전 테이블(12)을 연직축 주위로 회전시키면서 성막 처리를 행하도록 구성되어 있고, 따라서 웨이퍼(W) 간의 처리의 균일성이 높다. 그로 인해, 진공 용기(10) 내에 5매의 웨이퍼(W)를 반입함에 있어서, 5개의 슬롯(20) 중 어느 슬롯(20)으로부터 반입 동작을 시작하여도, 성막 후의 박막의 특성에 대해서는 큰 영향이 없다.
그러나, 성막 처리가 종료하였을 때, 예를 들어 각각의 웨이퍼(W)에서의 박막의 특성과 당해 웨이퍼(W)가 처리된 슬롯(20)의 상관을 조사하기 위해서, 각 웨이퍼(W)에 대해 어느 슬롯(20)에서 처리를 행하였는지 트레이스할 수 있도록 해 놓을 필요가 있다. 또한, 각 로트 간에 있어서, 각 슬롯(20)으로의 반송 순서를 가능한 한 일치시켜 두는 것이 바람직하다. 따라서, 5개의 슬롯(20)에 대해, 가상적으로 순서를 부여해 놓고, 어느 로트에서도 이들 슬롯(20)에 대해 순서대로 웨이퍼(W)가 반송되도록 하고 있다. 다시 말하면, 회전 테이블(12)에 대해, 웨이퍼(W)의 반입을 개시할 때의 초기 위치를 설정하고 있다고 말할 수 있다.
여기서, 5개의 슬롯(20)에 대해, 이후의 설명을 간략화하기 위해서, 가상적으로 번호를 부여해 둔다. 구체적으로는, 후술하는 도 11에 도시한 바와 같이, 회전 테이블(12)이 상기 초기 위치에 설정되었을 때에, 반송구(19)를 향하는 위치에서의 슬롯(20)에 「21」의 부호를 부여한다. 또한, 이 초기 위치로부터 회전 테이블(12)을 시계방향으로 360°÷5만큼 회전시켰을 때에 당해 반송구(19)를 향하는 슬롯(20)에 「22」의 부호를 부여한다. 이와 같이 하여 5개의 슬롯(20)에 순서대로 21 내지 25의 부호를 부여하면, 각 슬롯(20)에는 회전 테이블(12)의 회전 방향과는 역 방향(반시계방향)으로 번호가 매겨진다.
그리고, 이들 슬롯(21 내지 25)에 대해 웨이퍼(W)의 반송을 행함에 있어서, 슬롯(21 내지 25)에 대해 띄엄띄엄 웨이퍼(W)의 반송 동작을 행한 경우에는, 구체적으로는 슬롯(21)에 웨이퍼(W)를 반입한 후, 슬롯(23)에 웨이퍼(W)를 반입하는 경우에는, 회전 테이블(12)이 여분으로 회전하는 분만큼 처리량의 저하로 이어지게 된다. 따라서, 5매의 웨이퍼(W)를 진공 용기(10) 내에 예를 들어 반입할 때에는, 초기 위치에서의 슬롯(21)에 웨이퍼(W)를 반입하고, 계속해서 슬롯(22, 23, 24, 25)의 순서로 웨이퍼(W)의 반입 동작을 행하고 있다. 따라서, 후술하는 「PM 슬롯 선택 모드」에서 성막 처리를 행하는 경우이어도, 이상 설명한 통상의 처리와의 사이에서 가능한 한 웨이퍼(W)의 반송 수순이나 성막 프로세스를 일치시키기 위해서, 당해 처리와 동일한 순서로 웨이퍼(W)의 반송 동작이 행해진다.
이상 설명한 프로세스 모듈(1)을 구비한 전술한 기판 처리 장치에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 장치 전체 동작의 컨트롤을 행하기 위한 컴퓨터로 이루어지는 제어부(71)가 설정되어 있으며, 이 제어부(71)는 CPU(72) 및 작업용 메모리(73)를 구비하고 있다. 또한, 제어부(71)에는, 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리를 행하기 위한 프로그램(74)이 설치되어 있으며, 이 프로그램(74)은 통상 처리 프로그램(74a)과, 슬롯 지정 처리 프로그램(74b)을 구비하고 있다. 통상 처리 프로그램(74a)은, 예를 들어 다수 매의 웨이퍼(W)에 대해 연속하여 성막 처리를 행할 때에 사용되는 프로그램이다. 슬롯 지정 처리 프로그램(74b)은 임의의 슬롯(20)만에 대해, 제품 웨이퍼(W)를 이용하여, 성막되는 박막의 특성을 평가할 때에 사용되는 프로그램이다.
즉, 예를 들어 특정한 슬롯(20)에 대해 성막 처리의 재현성을 확인할 때 등, 당해 특정한 슬롯(20) 이외의 다른 슬롯(20)에 대해서도 제품 웨이퍼(W)를 사용하면, 상기 다른 슬롯(20)에서 처리되는 제품 웨이퍼(W)에 대해서는 소위 헛되이 되어, 비용 상승으로 이어진다. 한편, 상기 다른 슬롯(20)에 웨이퍼(W)를 적재하지 않고 성막 처리를 행하면, 당해 다른 슬롯(20)의, 예를 들어 저면(회전 테이블(12)의 표면)에 박막이 성막되어, 후속 처리에서 다른 웨이퍼(W)의 이면이 오염되거나, 파티클의 원인으로 되어버린다. 따라서, 이 프로그램(74b)은 특정한 슬롯(20)에 대해서는 제품 웨이퍼(W)를 수납하고, 다른 슬롯(20)에 대해서는 더미 웨이퍼(W)를 수납하여 성막 처리를 행하도록 구성되어 있다. 이들 프로그램(74a, 74b)은, 후술하는 장치 동작을 실행하도록 스텝 군이 구성되어 있으며, 하드디스크, 콤팩트디스크, 광자기디스크, 메모리카드, 플렉시블디스크 등의 기억 매체인 기억부(75)로부터 제어부(71) 내에 인스톨된다.
여기서, 이상의 프로그램(74a, 74b)에 있어서 제품 웨이퍼(W)와 더미 웨이퍼(W)를 구분지어 사용함에 있어서, 전술한 제어부(71)에는, 3개의 반송 용기(5) 각각에 대해, 제품 웨이퍼(W)와 더미 웨이퍼(W) 중 어느 하나의 웨이퍼(W)가 수납되어 있는지의 정보가 저장되는 기억 영역(76)이 형성되어 있다. 그리고, 기판 처리 장치에는, 프로그램(74a, 74b)의 전환이나, 기억 영역(76)으로의 상기 정보의 입력을 행하기 위해서, 예를 들어 디스플레이(표시부), 키보드나 마우스(입력 장치)를 구비한 컴퓨터로 이루어지는 입력부(77)가 설치되어 있다. 이 입력부(77)에 대해, 상기 디스플레이에 표시되는 화면을 참조하면서 도 6을 이용하여 이하에 설명한다.
디스플레이의 상단에는, 좌측부터 우측을 향해 「LP1 로트 스타트」 및 다른 각 버튼(80)이 이 순서로 배치되어 있다. 이들 버튼(80)은 디스플레이 상에서 마우스 포인터를 당해 버튼(80)에 맞춰서 마우스의 버튼을 클릭함으로써, 또는 디스플레이를 작업자가 직접 터치함으로써 선택할 수 있게 되어 있다. 이하에 설명하는 다른 버튼 등에 대해서도 마찬가지로 마우스 버튼의 클릭이나 작업자가 터치함으로써 선택할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 이후의 설명에 있어서, 버튼(80)을 「선택한다」는 것에 대해, 버튼(80)을 「누른다」라고 표기하는 경우가 있다.
「LP1 로트 스타트」는, 이 디스플레이에 표시되어 있는 각 항목에 대해 필요한 정보를 입력하거나, 웨이퍼(W)에 대한 레시피 등을 선택한 후, 포트(LP1)에 적재된 반송 용기(5)의 각 웨이퍼(W)에 대해 프로세스 모듈(1)을 이용하여 실제의 처리를 스타트시킬 때에 누르기 위한 버튼이다.
그리고, 각 버튼(80)의 하측에서의 디스플레이의 중간 단에는, 포트(LP1)에 적재되는 반송 용기(5) 내의 각 웨이퍼(W)에 대해 행해지는 처리의 상세가 표시되어 있다. 즉, 상기 중단의 좌측단에는, 반송 용기(5) 내의, 예를 들어 25매의 각 웨이퍼(W)의 수납 위치에 대응하는 번호가 아래에서 위를 향해 부여된 영역(81)이 표시되어 있다. 이 「수납 위치」는, 통상 「슬롯」이라 불리지만, 프로세스 모듈(1)에서의 「슬롯(20)」과 용어의 혼재를 피하기 위해서, 이 명세서에서는 「수납 위치」라 부르기로 한다. 또한, 이 수납 위치에 대해서는, 디스플레이의 상하 방향에서의 표시 영역을 가능한 한 좁게 억제하기 위해서, 홀수 번호에 대해서는 우측에 기재되고, 짝수 번호에 대해서는 좌측에 기재되어 있다.
이들 웨이퍼(W)의 수납 위치의 홀수 번호의 배열(82)과, 짝수 번호의 배열(83) 사이의 영역에는, 각각의 웨이퍼(W)에 대해, 처리를 행하는 로트를 선택하였을 때 부여되는 당해 로트의 번호와, 당해 로트를 선택한 순서로 부여되는 번호가 표시되는 표시 창(84)이 각 웨이퍼(W)(번호)마다 개별로 형성되어 있다. 즉, 이 표시 창(84)에는, 2개의 숫자와 이들 2개의 숫자 사이에서의 하이픈(-)이 표시되어 있으며, 예를 들어 로트 1에서의 1번째의 웨이퍼(W)에 대해서는 「1-1」이 표시되고, 예를 들어 로트 5에서의 3번째의 웨이퍼(W)에 대해서는 「5-3」이 표시되어 있다. 그리고, 로트 지정되어 있지 않은(미입력의) 웨이퍼(W)에 대해서는, 「0-0」이 표시되어 있다.
도 6에서는, 최하단(1매째)의 웨이퍼(W)에 대해서는 로트 1의 1번째의 표시 「1-1」이 이루어져 있으며, 아래서부터 2매째의 웨이퍼(W)에 대해서는 로트 1의 2번째의 표시 「1-2」가 이루어져 있다. 또한, 아래부터 3매째의 웨이퍼(W)에 대해서는 로트 2의 1번째(「2-1」)이며, 아래서부터 4매째의 웨이퍼(W)에 대해서는 로트 2의 2번째(「2-2」)이다. 그리고, 아래서부터 5매째보다도 상단측인 웨이퍼(W)에 대해서는, 로트 지정되어 있지 않으며(「0-0」), 따라서 도 6은 포트(LP1)에서의 로트 설정의 도중 단계를 나타내고 있다. 이 로트 지정 방법에 대해서는, 상세히 후술한다. 또한, 표시 창(84)에서의 후단측의 숫자에 대해서는, 전술한 바와 같이 어느 로트에서 몇 번째에 로트 지정을 행하였는지를 나타내는 번호이며, 후술하는 슬롯(20)의 번호와는 무관하다.
그리고, 상기 영역(81)의 우측에는, 반송 용기(5)의 내부를 모식적으로 옆에서 본 모습을 나타내는 모식도(85)가 표시되어 있으며, 이 모식도(85)에서의 각 웨이퍼(W)는, 당해 모식도(85)의 좌측에서의 영역(81)에서의 각 웨이퍼(W)에 대한 표시(번호 및 표시 창(84))에 대응하도록 배치되어 있다. 그리고, 전술한 로트 지정이 종료한 웨이퍼(W)에 대해서는, 표시 창(84)에 로트 번호가 표시됨과 함께, 이 모식도(85)에 대해서도 웨이퍼(W)의 표시가 나타나도록 구성되어 있다. 따라서, 도 6에서는, 전술한 바와 같이 최하단으로부터 4매의 웨이퍼(W)에 대해서는 로트 지정이 종료하고 있는 점에서, 이들 4매의 웨이퍼(W)에 대응하는 위치에서의 모식도(85)에는, 각각 웨이퍼(W)(가로로 신장하는 막대 형상의 도면)가 표시되어 있다.
모식도(85)의 우측에는, 「슬롯 선택 모드」, 「PM 슬롯 선택 모드」, 「PJID 설정」 및 「로트 설정 클리어」의 4개의 버튼(80)과, 각 로트의 명칭이나 구체적인 처리 내용이 표시된 레시피 표(86)가 각각 상하로 나뉘어 배열되어 있다. 「슬롯 선택 모드」는, 반송 용기(5) 내의 각 웨이퍼(W)에 대해 개별로 로트 지정하기 위한 버튼(80)이다. 「PM 슬롯 선택 모드」는, 후에 상세히 설명하는 바와 같이, 각 웨이퍼(W)에 대해, 로트의 설정에 더하여, 반송처의 슬롯(20)에 대해서도 설정하기 위한 설정부를 이루는 버튼(80)이다. 「PJID 설정」은, 각 로트에 대해 명칭을 부여하기 위한 버튼(80)이다. 「로트 설정 클리어」는, 현재 설정하고 있는 로트에 대해 설정한 내용을 소거하기 위한 버튼(80)이다. 또한, 도 6은 「PM 슬롯 선택 모드」를 오프로 한 상태를 나타내고 있다.
레시피 표(86)의 상단측에는, 좌측부터 우측을 향해 순서대로 「로트 1」, 「로트 2」,,, 「로트 n(n: 자연수)」이 배열되어 있으며, 각 로트의 번호를 선택함(누름)으로써, 당해 로트의 내용이 선택 상태(편집 상태)로 되도록 구성되어 있다. 또한, 각 로트 번호의 하측에는, PJID, 웨이퍼(W)의 반송 경로, 레시피명 및 2개의 프로세스 모듈(1, 1) 중 어느 쪽의 프로세스 모듈(1)로 처리를 행할지 등의 정보가 각각의 로트 번호에 대응하여 표시되어 있다. 「웨이퍼(W)의 반송 경로」는, 예를 들어 3개의 로드 로크실(3) 중 어느 로드 로크실(3)을 사용할 것인지, 또는 2개의 진공 반송 암(2a) 중 어느 쪽을 사용할지 등의 정보로 되어 있다. 「레시피명」은, 프로세스 모듈(1)에서 행해지는 구체적인 처리 내용이며, 예를 들어 처리 가스의 유량, 처리 압력, 회전 테이블(12)의 회전 수, 처리 시간 또는 처리 온도 등이 대응지어져 있다. 레시피 표(86)의 하단에는, 스크롤 버튼(87)이 배치되어 있으며, 이 스크롤 버튼(87)을 누름으로써, 디스플레이에 표시되는 로트 번호가 좌우로 어긋나도록 구성되어 있다.
디스플레이의 하단에는, 「종료」, 「중지」 및 「레시피 설정」의 각 버튼(80)이 횡 배열로 배치되어 있으며, 로트 설정의 종료나 중지, 또는 레시피의 구체적인 편집을 행하도록 구성되어 있다.
그리고, 이 디스플레이에서의, 예를 들어 전술한 「셀렉트 스크린」을 누름으로써, 도 7에 도시한 바와 같이, 각 포트(LP1 내지 LP3)에 적재되는 각 반송 용기(5)에 대해, 제품 웨이퍼(W) 및 더미 웨이퍼(W) 중 어느 쪽의 웨이퍼(W)가 수납되어 있는지를 선택하는 선택 화면(88)이 표시된다. 그리고, 이 선택 화면(88)에서 선택한 정보가 전술한 기억 영역(76)에 기억된다. 또한, 이러한 선택 화면(88)을 형성하지 않고, 예를 들어 포트(LP3)에는 반드시 더미 웨이퍼(W)를 수납한 반송 용기(5)를 적재하는 것으로 하여 기판 처리 장치를 운용하여도 된다.
이상 설명한 제어부(71)로부터 장치의 각 부위에 제어 신호를 출력함에 있어서, 전술한 도 1에 도시한 바와 같이, 당해 장치에는, 당해 제어부(71)와 마찬가지로 장치의 각 부위에 제어 신호를 출력할 수 있도록 구성된, 입력부(77)와는 다른 표시부나 입력 장치를 구비한 호스트 컴퓨터(78)가 설치되어 있다. 즉, 전술한 입력부(77)는 기판 처리 장치의 제조 메이커측이 사용하는 단말기이며, 한편 호스트 컴퓨터(78)는 당해 장치가 납입되는 납입처에서 사용되는 단말기이다. 따라서, 호스트 컴퓨터(78)의 표시부에 대해서도, 이상 설명한 입력부(77)와 마찬가지의 조작 화면이 표시되도록 구성됨과 함께, 후술하는 제1 반송 모드 및 제2 반송 모드를 실행할 수 있도록 구성되어 있다. 다시 말하면, 호스트 컴퓨터(78)는 제어부(71)를 통해 프로그램(74)에 각 항목을 직접 설정할 수 있도록 구성되어 있으며, 상기 납입처에서 보면 입력부(77)가 호스트 컴퓨터(78)를 이루고 있어도 된다.
(장치의 작용: 연속 처리시)
계속해서, 입력부(77)에서의 레시피의 설정 방법과 함께, 전술한 기판 처리 장치에서의 작용에 대해, 도 8 내지 도 12를 참조하여 설명한다. 먼저, 「PM 슬롯 선택 모드」를 오프로 한 상태, 즉 예를 들어 제품 웨이퍼(W)에 대해 연속하여 처리를 행할 때(반도체 장치의 생산시)의 제1 반송 모드에 대해 설명한다. 우선, 전술한 도 7의 선택 화면(88)에 있어서, 예를 들어 포트(LP1, LP2)에 대해서는 제품 웨이퍼(W)가 수납된 반송 용기(5)가 적재되고, 포트(LP3)에 대해서는 더미 웨이퍼(W)가 수납된 반송 용기(5)가 적재되는 것으로 설정한다. 이와 같이 각 포트(LP1 내지 LP3)에 적재되는 웨이퍼(W)의 종별을 설정함에 있어서, 로드 포트(6)에 반송 용기(5)가 실제로 적재되기 전에 설정하여도 되고, 각 반송 용기(5)를 로드 포트(6)에 적재한 후에 설정하여도 된다.
계속해서, 포트(LP1)의 각 제품 웨이퍼(W)에 대해 처리 레시피를 설정한다(스텝 S11). 구체적으로는, 도 6의 레시피 표(86)에서의 「로트 1」을 누름과 함께, 표시 창(84)에서의 최하단의 웨이퍼(W)(웨이퍼 1)를 누르면, 당해 웨이퍼(W)가 로트 1로서 설정된다. 계속해서, 표시 창(84)에서의 하측으로부터 2매째의 웨이퍼(W)에 대해서도 마찬가지로 로트 1에 끼워 넣어진다. 이와 같이 하여 복수매의 웨이퍼(W)에 대해 순차 로트 1에 설정함과 함께, 레시피 표(86)에 있어서 PJID나 구체적인 레시피의 내용을 설정한다. 본 예에서는, 로트 1로서, 9매의 제품 웨이퍼(W)를 설정한 것으로 한다. 계속해서, 마찬가지로 로트 2 이후의 다른 로트에 대해서도 레시피나 처리 대상으로 되는 웨이퍼(W)의 번호를 설정함과 함께, 포트(LP2)의 각 제품 웨이퍼(W)에 대해서도 마찬가지로 레시피를 설정한다. 또한, 입력부(77)에서의 디스플레이에서는, 편집 중인(선택 중인) 로트에서의 레시피 표(86)나 표시 창(84)에 대해, 다른 편집 완료 또는 미편집의 로트와는 다른 표시색으로 되어 있다.
그리고, 도 6에서의 「LP1 로트 스타트」를 누르면, 포트(LP1)에서의 각 제품 웨이퍼(W)에 대해 실제 반송 동작 및 성막 처리가 개시된다. 구체적으로는, 회전 테이블(12)을 초기 위치에 설정한다(스텝 S12). 즉, 5개의 슬롯(20: 21 내지 25) 중 슬롯(21)이 반송구(19)를 향하도록 회전 테이블(12)의 위치를 설정한다. 계속해서, 도 9에 도시한 바와 같이, 대기 반송 암(4a)을 이용하여 로드 포트(6)(상세하게는 포트(LP1))로부터 제품 웨이퍼(W)를 취출하여, 대기 분위기로 설정된 로드 로크실(3)에 반입한다. 계속해서, 로드 로크실(3)을 기밀하게 폐쇄함과 함께, 당해 로드 로크실(3) 내를 진공 흡인한 후, 진공 반송실(2) 측의 게이트 밸브(G)를 개방한다. 그리고, 진공 반송 암(2a)을 이용하여, 도 10에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 2개의 프로세스 모듈(1, 1) 중, 예를 들어 우측의 프로세스 모듈(1)의 회전 테이블(12)에서의 슬롯(21)에 적재한다(스텝 S13).
이와 같이 어느 웨이퍼(W)의 반입이 종료하였을 때, 당해 웨이퍼(W)가 포함되는 로트에 아직 미반송의 웨이퍼(W)가 남아 있는 경우에는, 구체적으로는 로트 1에는 아직 8매의 웨이퍼(W)가 남아 있으므로, 다른 웨이퍼(W)의 반입을 행한다(스텝 S14). 그리고 회전 테이블(12)에 5매의 웨이퍼(W)가 적재될 때까지, 회전 테이블(12)을 간헐적으로 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 반입을 반복한다(스텝 S15, S16).
계속해서, 진공 용기(10)를 기밀하게 폐쇄함과 함께, 진공 용기(10) 내를 성막 압력으로 설정한다. 또한, 회전 테이블(12)을, 예를 들어 2rpm 내지 240rpm으로 시계 주위로 회전시키면서, 히터 유닛(17)에 의해 웨이퍼(W)를 가열한다.
계속해서, 처리 가스 노즐(31, 32)로부터 각각 Si계 가스 및 오존 가스를 토출함께 함께, 분리 가스 노즐(41, 42)로부터 분리 가스를 소정의 유량으로 토출하고, 분리 가스 공급관(51) 및 퍼지 가스 공급관(18)으로부터도 질소 가스를 소정의 유량으로 토출한다. 회전 테이블(12) 상의 웨이퍼(W)가 제1 처리 가스 노즐(31)의 하방측에 도달하면, 웨이퍼(W)의 노출면에는 Si계의 원자층 또는 분자층이 흡착층으로서 형성된다. 또한, 이 흡착층이 형성된 웨이퍼(W)가 제2 처리 가스 노즐(32)의 하방측에 도달하면, 당해 흡착층이 산화되어 반응층이 형성된다. 이와 같이 하여 회전 테이블(12)을 다수회에 걸쳐 회전시킴으로써, 각각의 웨이퍼(W)에 있어서, 반응층이 다층에 걸쳐 적층되어 박막이 형성된다.
처리가 종료한 각 웨이퍼(W)에 대해서는, 반입시와 역 순서로 반송 용기(5)로 되돌려지고, 이와 같이 하여 로트 1에서의 9매의 웨이퍼(W) 중 5매의 처리가 종료한다. 계속해서, 나머지 4매의 제품 웨이퍼(W)에 대해서도 마찬가지로 슬롯(21)으로부터 순서대로 진공 용기(10) 내에 반입하면, 5번째의 슬롯(25)은 빈 상태로 되어 있다(스텝 S16). 이와 같이 웨이퍼(W)를 적재하지 않는 빈 슬롯(25)이 남은 채로 성막 처리를 개시하면, 당해 슬롯(25)의 하면에는, 웨이퍼(W)의 표면과 마찬가지로 박막이 형성되어 버린다. 그 경우에는, 후속의 성막 처리를 행할 때, 다른 웨이퍼(W)의 이면이 박막과 접촉하여, 당해 이면이 오염되거나, 또는 이 박막이 파티클로서 비산될 우려가 있다. 따라서, 도 11에 도시한 바와 같이, 포트(LP3)으로부터 더미 웨이퍼(W)를 취출하여, 도 12에 도시한 바와 같이 슬롯(25)에 적재한다(스텝 S17). 이와 같이 하여 5개의 슬롯(20) 모두에 웨이퍼(W)가 적재되었으므로(스텝 S18), 전술한 예와 마찬가지로 성막 처리를 개시한다. 그 후, 후속의 다른 로트에 대해서도 마찬가지로 성막 처리가 행해진다.
(장치의 작용: PM 슬롯 선택 모드)
이어서, 전술한 「PM 슬롯 선택 모드」를 온으로 한 경우의 제2 반송 모드의 작용에 대해, 도 13 내지 도 22를 참조하여 설명한다. 먼저, 이러한 「PM 슬롯 선택 모드」를 설정한 이유에 대해 설명한다. 전술한 바와 같이, 예를 들어 성막 시험을 행할 때, 5개의 슬롯(20) 중 어느 특정한 슬롯(20)에서 성막 처리의 재현성을 확인하는 경우가 있다. 구체적으로는, 1번째의 슬롯(21) 및 4번째의 슬롯(24)만으로 제품 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리를 행하는 경우가 있다. 이러한 성막 시험을 행함에 있어서, 이들 1번째의 슬롯(21) 및 4번째의 슬롯(24) 이외의 다른 슬롯(20)에 웨이퍼(W)를 적재하지 않고 성막 처리를 행하면, 전술한 바와 같이 후속 처리에서 다른 웨이퍼(W)의 이면의 오염이나 파티클의 발생이 일어날 우려가 있다. 한편, 제품 웨이퍼(W)를 상기 다른 슬롯(20)에 적재하여 성막 처리를 행하면, 이들 3개의 슬롯(20)에 적재되는 웨이퍼(W)의 분만큼 비용 상승으로 이어지게 된다.
그로 인해, 1번째의 슬롯(21) 및 4번째의 슬롯(24) 이외에 대해서는, 더미 웨이퍼(W)를 적재하여 처리를 행하는 것이 바람직하다. 그러나, 전술한 도 8에 나타낸 플로우에서는, 더미 웨이퍼(W)는, 어디까지나 제품 웨이퍼(W)에 대해 연속적으로 처리를 행하는 중에, 진공 용기(10) 내에서 한번에 처리되는 제품 웨이퍼(W)가 5매에 충족되지 않을 때에 사용되는 운용 방법으로 되어 있다. 따라서, 이 플로우에 기초하여 1번째의 슬롯(21) 및 4번째의 슬롯(24)에 제품 웨이퍼(W)를 적재하고, 나머지 슬롯(20)에 대해서는 더미 웨이퍼(W)를 적재하려고 하여도, 1번째로부터 4번째의 슬롯(21 내지 24)에 대해서는 제품 웨이퍼(W)가 적재되고, 5번째의 슬롯(25)에만 더미 웨이퍼(W)가 적재되게 된다. 그로 인해, 더미 웨이퍼(W)를 사용하는 경우이더라도, 통상의 성막 처리용 플로우에서는 슬롯(22, 23)에 적재되는 2매의 웨이퍼(W)의 분만큼 비용 상승으로 이어지게 된다.
또한, 프로세스 모듈(1)에서 실제로 다수매의 제품 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리를 연속적으로 행하는 경우, 웨이퍼(W)의 반송 순서로서, 처리량의 관점에서, 회전 테이블(12)의 둘레 방향을 따라 순서대로 반송하고 있다. 따라서, 어느 특정한 슬롯(20)에만 제품 웨이퍼(W)를 적재하여 성막 시험을 행하는 경우에도, 성막 조건뿐만 아니라, 웨이퍼(W)의 반송 순서에 대해서도, 연속적으로 성막 처리를 행할 때와 일치시킬 필요가 있다. 그로 인해, 상기 특정한 슬롯(20)에 처음에 제품 웨이퍼(W)를 반송하고, 계속해서 나머지 슬롯(20)에 더미 웨이퍼(W)를 반송하는 방법은 채용하기 어렵다.
따라서, 이하에 설명하는 「PM 슬롯 선택 모드」에서는, 회전 테이블(12)의 둘레 방향을 따라 순서대로 웨이퍼(W)를 반송하면서, 1번째의 슬롯(21) 및 4번째의 슬롯(24)에만 제품 웨이퍼(W)를 적재하고, 나머지의 슬롯(20) 모두에 대해서는 더미 웨이퍼(W)를 적재할 수 있도록 구성되어 있다. 다시 말하면, 회전 테이블(12)의 둘레 방향을 따라 순서대로 웨이퍼(W)를 회전 테이블(12)에 적재하는 중에, 당해 웨이퍼(W)를 제품 웨이퍼(W)와 더미 웨이퍼(W)로 순차 전환하고 있다. 즉, 이 「PM 슬롯 선택 모드」에서는, 처음에 각 제품 웨이퍼(W)에 대해, 전술한 예에서 설명한 로트나 처리 레시피를 설정할 때에, 반송처의 슬롯(20)에 대해서도 지정하고 있다(스텝 S21). 구체적으로는, 전술한 도 6에 있어서 「PM 슬롯 선택 모드」를 누르면, 도 14에 도시한 바와 같이, 당해 모드의 유효 및 무효를 전환하기 위한 선택 창(91)이 표시된다. 또한, 도 14에서는 입력부(77)에서의 디스플레이에 대해 간략화하고 있다. 이후의 각 도면에 대해서도 마찬가지이다.
이 선택 창(91)에서 「유효」를 선택하면, 도 15에 도시한 바와 같이, 입력부(77)의 디스플레이에서의 모식도(85)와 각 웨이퍼(W)의 수납 위치의 번호 등을 표시하는 영역(81) 사이에, 슬롯 번호가 표시되는 슬롯 표시부(92)가 나타난다. 계속해서, 표시 창(84)에서의 최하단의 「웨이퍼 1」을 선택하면, 도 16에 도시한 바와 같이, 슬롯(21 내지 25) 중 어느 하나를 선택할 수 있는 슬롯 선택 표시(93)가 나타난다. 이 선택 표시(93)에서, 예를 들어 「슬롯(21)」을 선택하면, 도 17에 도시한 바와 같이, 슬롯 표시부(92)에서의 웨이퍼 1에 대응하는 부위에, 「21」이 표시된다. 즉, 웨이퍼 1과, 당해 웨이퍼 1의 반송처의 슬롯(21)이 대응지어진다. 또한, 도 16에서 선택한 표시 창(84)에 대해서는 해칭으로 표시하고 있다.
계속해서, 도 18에 도시한 바와 같이, 마찬가지로 하여 아래부터 2번째의 「웨이퍼 2」를 선택하면, 슬롯 선택 표시(93)가 나타나지만, 웨이퍼 1에 대해 이미 슬롯(21)을 선택 완료하였기 때문에, 당해 슬롯 선택 표시(93)에는 슬롯(21)은 표시되지 않는다. 그리고, 이 슬롯 선택 표시(93)에서 「슬롯(24)」을 선택하면, 마찬가지로 슬롯 표시부(92)에서의 웨이퍼 2에 대응하는 부위에, 「24」가 표시된다. 또한, 표시 창(84)에서의 웨이퍼(1, 2)에 대응하는 부위에는, 각각 「1-1」 및 「1-2」가 표시됨과 함께, 모식도(85)에는 이들 웨이퍼 1, 2가 나타난다.
이와 같이 하여, 예를 들어 이상 설정한 로트 1에 이어서, 로트 2에 대해서도 마찬가지로 설정한다. 구체적으로는, 도 20에 도시한 바와 같이, 레시피 표(86)에서의 상단측의 「로트 2」를 선택함과 함께, 도 21에 도시한 바와 같이, 아래부터 3번째 및 4번째의 웨이퍼 3, 4에 대해, 마찬가지로 이상 설명한 슬롯(21, 24)의 지정을 행한다. 표시 창(84)에서의 웨이퍼 3, 4에 대응하는 부위에는, 각각 「2-1」 및 「2-2」가 표시되고, 모식도(85)에는 웨이퍼 3, 4가 나타난다.
계속해서, 「LP1 로트 스타트」를 누르면, 전술한 예와 마찬가지로, 회전 테이블(12)이 초기 위치로 되도록, 즉 반송구(19)에 슬롯(21)이 향하도록 당해 회전 테이블(12)의 자세가 설정된다(스텝 S22). 이 시점에서는 회전 테이블(12)에는 아직 웨이퍼(W)가 반입되어 있지 않으며(스텝 S23), 따라서 1번째의 슬롯(21)에 대해, 제품 웨이퍼(W)가 지정되어 있는지 여부가 판단된다(스텝 S24). 전술한 바와 같이, 이 1번째의 슬롯(21)에는 제품 웨이퍼(W)가 지정되어 있으므로(스텝 S25), 즉 슬롯 표시부(92)에서의 웨이퍼 1에 대응하는 부위에는 「21」이 표시되어 있으므로, 전술한 도 9에 도시한 바와 같이, 포트(LP1)로부터 제품 웨이퍼(W)를 취출하여, 당해 슬롯(21)에 웨이퍼(W)(웨이퍼 1)를 반송한다(스텝 S26).
계속해서, 웨이퍼(W)의 반송 매수가 아직 1매이기 때문에(스텝 S24, S25), 다음 슬롯(22)이 반송구(19)를 향하도록, 회전 테이블(12)을 회전시킨다. 이 2번째의 슬롯(22)에는 제품 웨이퍼(W)가 지정되어 있지 않으므로, 이미 설명한 도 11에 도시한 바와 같이, 포트(LP3)으로부터 더미 웨이퍼(W)를 취출하여, 당해 슬롯(22)에 적재한다(스텝 S28). 계속해서, 마찬가지로 슬롯(23)에 대해서도 제품 웨이퍼(W)가 지정되어 있지 않으므로, 더미 웨이퍼(W)가 적재된다. 그리고, 슬롯(24)에는 제품 웨이퍼(W)(웨이퍼 2)가 지정되어 있으므로, 포트(LP1)로부터 웨이퍼 2를 취출하여 슬롯(24)에 적재한다. 그러한 다음, 슬롯(25)에 대해서는 슬롯(22, 23)과 마찬가지로 더미 웨이퍼(W)가 적재된다. 이와 같이 하여 도 22에 도시한 바와 같이, 각 슬롯(21 내지 25)이 반송구(19)를 향하도록 순서대로 위치시키는 중에, 슬롯(21, 24)에는 제품 웨이퍼(W)가 각각 적재되고, 슬롯(22, 23, 25)에는 더미 웨이퍼(W)가 적재된다.
그 후, 로트 1에 대해 성막 처리가 행해진 후, 각각의 5매의 웨이퍼(W)가 원래의 반송 용기(5)로 되돌려지고, 로트 2에 대해 마찬가지로 처리가 행해진다. 또한, 제품 웨이퍼(W)의 반송처의 슬롯(20)을 지정함에 있어서, 반송 용기(5) 내에서 당해 제품 웨이퍼(W)에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)가 수납되어 있지 않은 경우에는, 입력부(77)에서의 디스플레이에는, 웨이퍼(W)의 유무를 판별하는 기구(예를 들어, 도시하지 않은 카메라나 적외선의 발수광부 등)를 통해 에러 표시가 이루어진다.
전술한 실시형태에 의하면, 5개의 슬롯(20) 중 특정한 슬롯(20)만으로 제품 웨이퍼(W)에 성막 처리를 행할 때, 당해 특정한 슬롯(20)에 대해서는 미리 제품 웨이퍼(W)가 반송되도록, 또한 다른 슬롯(20)에 대해서는 더미 웨이퍼(W)가 반송되도록 설정되어 있다. 그리고, 상기 특정한 슬롯(20)에 대해, 반송 용기(5)의 어느 수납 위치에서의 제품 웨이퍼(W)를 반송할지에 대해서도 지정하고 있다. 그로 인해, 슬롯(20)의 하면으로의 성막을 억제하면서, 처리가 필요한 슬롯(20)에만 임의의 제품 웨이퍼(W)를 반송할 수 있으므로, 제품 웨이퍼(W)의 불필요한 소비(비용 상승)를 억제할 수 있다.
따라서, PM 슬롯 선택 모드를 이용함으로써, 이하와 같이 장치를 운용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 다수회에 걸쳐 연속적으로 성막 처리를 행한 후, 장치의 메인터넌스를 행하기 전에, 긴급하게 웨이퍼(W)에 대해 처리를 행할 필요가 발생하였다고 하여도, 당해 웨이퍼(W)에 대해 양호하면서 신속하게 성막 처리를 행할 수 있다. 즉, 메인터넌스를 행하기 전에, 5개의 슬롯(20) 중 어느 하나의 슬롯(20)에서, 예를 들어 막 두께에 이상이 발견되어도, 이 이상이 발견된 슬롯(20)을 피하여 전술한 긴급의 웨이퍼(W)에 대해 처리를 행할 수 있다.
(다른 예)
이하에, 본 발명의 다른 예에 대해 설명한다. 도 23 내지 도 26은, 더미 웨이퍼(W)를 연속 사용하는 예를 나타내고 있다. 즉, 전술한 도 13 등에서 설명한 예에서는, 하나의 성막 처리(로트 1)와, 당해 하나의 성막 처리에 이어서 행해지는 다른 성막 처리(로트 2)에서는, 더미 웨이퍼(W)는 모두 슬롯(22, 23, 25)에 적재되는 설정으로 되어 있다. 이 더미 웨이퍼(W)는, 전술한 바와 같이, 박막이 슬롯(20)의 하면에 부착되지 않도록 하기 위한 것으로, 복수의 성막 처리에서 유용하여도 된다. 그리고, 이들 하나의 성막 처리 및 다른 성막 처리에서는 더미 웨이퍼(W)의 배치 장소(배치 레이아웃)가 일치하기 때문에, 하나의 성막 처리가 종료한 후, 다른 성막 처리를 개시하는 시에는 더미 웨이퍼(W)를 취출할 필요가 없다고 할 수 있다. 그러나, 전술한 예에서는, 하나의 성막 처리가 종료하면, 더미 웨이퍼(W)는, 일단 포트(LP3)의 반송 용기(5)로 되돌려지고, 그 후 다른 성막 처리를 개시할 때, 다시 반송 용기(5)로부터 당해 더미 웨이퍼(W) 또는 다른 더미 웨이퍼(W)가 취출되는 운용으로 되어 있었다. 따라서, 본 예에서는, 더미 웨이퍼(W)를 연속 사용할 수 있도록 하고 있다.
구체적으로는, 입력부(77)에는, 도 23에 도시한 바와 같이, 더미 웨이퍼(W)의 연속 사용 기능의 유효 및 무효를 전환하기 위한 전환부(100)가 설치되어 있다. 처음에, 도 24에 도시한 바와 같이, 이 전환부(100)를 「유효」로 전환한다(스텝 S31). 전술한 예에서는, 하나의 성막 처리에서 더미 웨이퍼(W)가 사용되어 있고(스텝 S32), 계속되는 다른 성막 처리에서도 더미 웨이퍼(W)가 사용된다(스텝 S33). 또한, 이들 하나의 성막 처리 및 다른 성막 처리에서 더미 웨이퍼(W)의 슬롯(20)이 모두 동일하게 되어 있고(스텝 S34), 전환부(100)가 유효하게 되어 있으므로(스텝 S35), 이하의 운용이 이루어진다.
즉, 도 25에 도시한 바와 같이, 하나의 성막 처리가 종료하였을 때, 당해 하나의 성막 처리에서 사용한 더미 웨이퍼(W)에 대해서는 회전 테이블(12)에 남긴 채, 제품 웨이퍼(W)에 대해서는 원래의 반송 용기(5)로 되돌린다. 그리고, 도 26에 도시한 바와 같이, 계속되는 다른 성막 처리의 제품 웨이퍼(W)를 진공 용기(10)에 반입한다. 따라서, 상기 다른 성막 처리에서는, 더미 웨이퍼(W)를 진공 용기(10)에 반입하지 않아도 되므로, 처리량의 향상을 도모할 수 있다. 또한, 하나의 성막 처리 및 다른 성막 처리 중 어느 한쪽에서 더미 웨이퍼(W)가 사용되고 있지 않은 경우, 이들 성막 처리 사이에서 더미 웨이퍼(W)의 배치 레이아웃이 다른 경우, 나아가서는 전환부(100)가 무효로 된 경우에는, 전술한 도 13에서 설명한 운용법이 이루어진다(스텝 S37).
또한, 더미 웨이퍼(W)를 하나의 성막 처리와 다른 성막 처리에서 연속하여 사용하는 기능에 대해, 이들 성막 처리 사이에서 더미 웨이퍼(W)의 배치 레이아웃이 일치하는 경우뿐만 아니라, 더미 웨이퍼(W)의 매수가 일치하는 경우에 적용하여도 된다. 이러한 예에 대해, 도 27 내지 도 29를 참조하여 설명한다. 처음에, 더미 웨이퍼(W)는, 상기 하나의 성막 처리에서는 슬롯(21, 23, 24)에서 사용되며, 상기 다른 성막 처리에서는 슬롯(21, 22, 24)에서 사용되는 것으로 한다. 즉, 이들 성막 처리에서는, 슬롯(21, 24)에서는 더미 웨이퍼(W)의 위치가 공통되지만, 슬롯(22, 23)에 대해서는 더미 웨이퍼(W)의 위치가 어긋나 있다. 또한, 도 27에서는, 전술한 도 24와 동일한 스텝에는 동일한 부호를 부여하여 설명을 생략한다.
전술한 스텝 S34에 있어서, 상기 하나의 성막 처리와 상기 다른 성막 처리에서 더미 웨이퍼(W)의 슬롯(20)이 상이할 때, 더미 웨이퍼(W)의 연속 사용 기능이 유효한 경우(스텝 S40)에는, 이하의 형태가 채용된다. 즉, 이들 성막 처리 사이에서 더미 웨이퍼(W)의 사용 매수가 동일한 경우(스텝 S41)에는, 처음에 바로 전의 성막 처리의 제품 웨이퍼(W)를 반송 용기(5)로 되돌린다(스텝 S42). 계속해서, 더미 웨이퍼(W)에 대해, 상기 다른 성막 처리에서의 슬롯(20)으로 재이동한다.
구체적으로는, 도 28에 도시한 바와 같이, 슬롯(23)에서의 더미 웨이퍼(W)에 대해, 진공 반송 암(2a)을 이용하여 진공 용기(10)로부터 취출하여, 당해 더미 웨이퍼(W)를 진공 반송실(2)에서 대기시킨다. 그리고, 도 29에 도시한 바와 같이, 슬롯(22)이 반송구(19)를 향하도록 회전 테이블(12)을 회전시켜서, 진공 반송 암(2a) 상의 전술한 더미 웨이퍼(W)를 당해 슬롯(22)에 적재한다(스텝 S43). 그 후, 상기 다른 성막 처리에서의 제품 웨이퍼(W)의 반송을 개시한다(스텝 S44). 또한, 더미 웨이퍼(W)를 재이동함에 있어서, 각각의 더미 웨이퍼(W)에 대해, 바로 전의 성막 처리와 배치 위치가 동일한지 또는 다른지가 개별로 판단되고, 배치 위치가 동일한 경우에는 전술한 바와 같이 더미 웨이퍼(W)의 반출입 작업은 행해지지 않는다. 한편, 더미 웨이퍼(W)의 배치 위치가 상이한 경우에는, 예를 들어 당해 더미 웨이퍼(W)가 놓여 있는 슬롯(20)에 가장 가까운 슬롯(20)에 더미 웨이퍼(W)가 이동 탑재된다.
이러한 운용 방법에서는, 더미 웨이퍼(W)를 진공 반송실(2)로부터 반송 용기(5)로 되돌릴 때까지의 시간 및 반송 용기(5)로부터 진공 반송실(2)로 반입할 때까지의 시간이 불필요해지므로, 마찬가지로 처리량의 향상으로 이어진다.
이상의 도 24 및 도 27에 있어서 더미 웨이퍼(W)를 하나의 성막 처리와 다음 성막 처리 사이에서 연속하여 사용함에 있어서, 전환부(100)를 설치하지 않고, 이러한 기능을 자동으로 유효로 하여도 된다.
또한, 이들 도 24 및 도 27에 있어서, 하나의 성막 처리와 당해 하나의 성막 처리에 계속되는 다른 성막 처리 중 어느 하나에 대해서도 더미 웨이퍼(W)를 사용하는 경우에는, 이들 성막 처리 사이에서 더미 웨이퍼(W)의 배치 레이아웃이나 사용 매수가 달라도, 마찬가지의 운용 방법을 채용하여도 된다.
구체적으로는, 하나의 성막 처리에서 2매의 더미 웨이퍼(W)를 사용하고, 다른 성막 처리에서 3매의 더미 웨이퍼(W)를 사용하는 경우를 예로 들 수 있다. 이 경우에는, 하나의 성막 처리의 2매의 더미 웨이퍼(W)에 대해서는 반송 용기(5)로 되돌리지 않고, 회전 테이블(12) 상에 남긴 채, 또는 진공 반송실(2)에서 대기시킴과 함께 다른 성막 처리의 배치 레이아웃으로 되도록 위치를 조정한다. 그리고, 반송 용기(5)로부터 1매의 더미 웨이퍼(W)를 회전 테이블(12)에 적재한다.
또한, 하나의 로트에서 3매의 더미 웨이퍼(W)를 사용하고, 다른 성막 처리에서 2매의 더미 웨이퍼(W)를 사용하는 경우에 대해서는, 하나의 성막 처리의 3매의 더미 웨이퍼(W) 중 1매를 반송 용기(5)로 되돌린다. 그리고, 하나의 성막 처리의 나머지 2매의 더미 웨이퍼(W)에 대해서는, 반송 용기(5)로 되돌리지 않고, 회전 테이블(12) 위에 남긴 채, 또는 다른 성막 처리의 배치 레이아웃으로 되도록 위치를 조정하여도 된다.
이상의 설명에 있어서, 입력부(77)에서 각 제품 웨이퍼(W)의 반송처의 슬롯(20)을 지정함에 있어서, 로드 포트(6)에 반송 용기(5)가 놓이기 전에 행하도록 하였지만, 로드 포트(6)에 반송 용기(5)를 적재한 후 행하여도 된다. 이 경우에는, 도시하지 않은 카메라나 적외선의 조사부 및 수광부 등을 이용한 판별 기구를 사용하여, 반송 용기(5) 내의 웨이퍼(W)의 유무를 판별하였을 때, 웨이퍼(W)가 수납되어 있지 않은 경우에는, 빈 위치에 대해서는 반송처의 슬롯(20)을 지정할 수 없도록 하여도 된다. 도 30에서는, 하측부터 12번째, 15번째 및 21번째에 대해서는 반송 용기(5) 내에 웨이퍼(W)가 수납되어 있지 않으며, 따라서 이들 3개소에 대해서는 반송처의 슬롯(20)을 지정할 수 없도록 한 예를 나타내고 있다.
또한, 이상의 예에서는, 처음에 슬롯(21)에 대해 웨이퍼(W)의 반송을 행하였지만, 예를 들어 슬롯(22)으로부터 웨이퍼(W)의 반송을 개시하고, 그 후 회전 테이블(12)의 둘레 방향을 따라 순서대로 웨이퍼(W)를 반송하여도 된다. 또한, 회전 테이블(12)이 정지하고 있을 때, 반송구(19)를 향하는 위치에서의 슬롯(20)으로부터 웨이퍼(W)의 반송을 개시하여도 된다. 구체적으로는, 어느 로트에 대해 처리가 종료하였을 때, 슬롯(21 내지 25)으로부터 순서대로 웨이퍼(W)를 취출하면, 회전 테이블(12)이 빈 상태로 되었을 때에는 슬롯(25)이 반송구(19) 측을 향하고 있다. 따라서, 이 로트의 다음 로트에 대해서는, 슬롯(25)으로부터 웨이퍼(W)의 반송을 개시하여도 된다.
또한, 웨이퍼(W)의 반송 순서를 랜덤하게 설정하여도 되고, 구체적으로는 예를 들어 슬롯(22)에 웨이퍼(W)를 반송하고, 계속하여 슬롯(24, 21, 25, 23)의 순서로 웨이퍼(W)를 반송하여도 된다. 따라서, 이와 같이 웨이퍼(W)의 반송 순서를 랜덤하게 함으로써, 예를 들어 반송 용기(5) 내에서의, 예를 들어 최하단의 웨이퍼(W)를 처음에 반송하고, 계속해서 당해 최하단의 상측에 배치하고 있는 웨이퍼(W)를 반송하고, 이와 같이 하여 순차 상측의 웨이퍼(W)를 반송하여도 된다.
또한, 이상의 예에 있어서, 제품 웨이퍼(W)를 특정한 슬롯(20)으로 반송함과 함께, 당해 특정한 슬롯(20) 이외의 슬롯(20)에는 더미 웨이퍼(W)를 반송하는 방법에 본 발명을 적용하였지만, 5매의 제품 웨이퍼(W)에 대해 성막 처리를 행하는 경우에 적용하여도 된다. 구체적으로는, 5매의 제품 웨이퍼(W)에 대해 각각 박막을 성막한 후, 예를 들어 슬롯(22, 25)에서의 제품 웨이퍼(W)에는 더욱 두꺼운 막이 되도록 성막 처리를 행하여도 된다. 이 경우에는, 5매의 제품 웨이퍼(W)에 대해 박막을 성막한 후, 계속되는 성막 처리를 행하기 전에, 슬롯(21, 23, 24)에서의 제품 웨이퍼(W)를 반출함과 함께, 이들 슬롯(21, 23, 24)에는 더미 웨이퍼(W)를 반송한다. 이러한 운용 방법에서는, 동일한 프로세스 모듈(1)을 사용하면서, 복수의 웨이퍼(W)에 대해 서로 막 두께가 다른 박막을 성막할 수 있다.
또한, 전술한 예에서는, 프로세스 모듈(1)에서 진공 분위기에서 성막 처리를 행하였지만, 대기 분위기에서 성막 처리를 행하여도 된다. 이 경우에는, 프로세스 모듈(1)은 대기 반송실(4)에 접속된다. 또한, 프로세스 모듈(1)에서 행하는 처리로서, 성막 처리를 예로 들었지만, 플라즈마 처리를 행하여도 된다. 구체적으로는, 각 노즐(31, 32, 41, 42) 대신에, 플라즈마 발생용 가스(예를 들어 아르곤 가스)를 공급하기 위한 노즐과, 당해 노즐로부터 토출되는 가스를 플라즈마화하기 위한 한 쌍의 평행 전극을 배치하여도 된다. 그리고, 예를 들어 박막이 이미 형성된 웨이퍼(W)에 대해 플라즈마를 공급함으로써 당해 박막의 플라즈마 개질 처리를 행하여도 된다. 이 경우에도, 제품 웨이퍼(W)가 적재되지 않는 슬롯(20)에는 더미 웨이퍼(W)를 적재함으로써, 각 슬롯(20)의 하면에 플라즈마 대미지가 가해지는 것을 억제할 수 있다.
W: 제품 웨이퍼, 더미 웨이퍼
1: 프로세스 모듈
2: 진공 반송실
5: 반송 용기
6: 로드 포트
10: 진공 용기
12: 회전 테이블
19: 반송구
20: 슬롯

Claims (6)

  1. 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 설치되고 각각 기판을 적재하는 복수의 적재 영역이 그 둘레 방향을 따라 형성됨과 함께 연직축 주위로 회전 가능한 회전 테이블과, 기판을 처리하기 위해 상기 적재 영역에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 구비한 프로세스 모듈과,
    제품 기판이 수납된 반송 용기를 적재하기 위한 로드 포트와,
    더미 기판이 수납된 더미 기판 수납부와,
    상기 로드 포트 상의 반송 용기 또는 상기 더미 기판 수납부와 상기 회전 테이블 사이에서 제품 기판 또는 더미 기판의 전달을 행하기 위한 반송 기구가 설치된 반송실과,
    상기 반송 용기 내의 적어도 1매의 제품 기판에 대해 상기 복수의 적재 영역 중 어느 적재 영역에 반송할지를 설정하기 위한 설정부와,
    상기 설정부에서 설정된 제품 기판이 반입되는 적재 영역 이외의 다른 적재 영역에는, 더미 기판을 반입하도록 제어 신호를 출력하는 제어부
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    제1 반송 모드와 제2 반송 모드를 선택하기 위한 모드 선택부를 포함하고,
    상기 제1 반송 모드는, 상기 설정부를 이용하지 않고 반송 용기 내의 제품 기판을 순차 상기 적재 영역에 반송하고, 제품 기판의 수가 적재 영역의 수에 총족하지 않을 때에 더미 기판에 의해 적재 영역을 충족하도록 제어 신호를 출력하는 모드이며,
    상기 제2 반송 모드는, 상기 설정부에 상당하는 설정 화면이 표시되고, 상기 설정 화면에 의해 설정된 설정 사항이 유효하게 되는 모드인, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 복수의 상기 적재 영역에 대해 상기 처리 용기의 둘레 방향을 따라 순서대로 제품 기판 또는 더미 기판을 반입하도록 제어 신호를 출력하는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반송실에는, 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 설치되고 각각 기판을 적재하는 복수의 적재 영역이 그 둘레 방향을 따라 형성됨과 함께 연직축 주위로 회전 가능한 회전 테이블과, 기판을 처리하기 위해 상기 적재 영역에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부를 구비한, 상기 프로세스 모듈과는 다른 프로세스 모듈이 접속되고,
    상기 설정부는, 상기 적어도 1매의 제품 기판에 대해, 상기 프로세스 모듈 및 상기 다른 프로세스 모듈의 한쪽 프로세스 모듈에서의 복수의 상기 적재 영역 중 어느 하나의 적재 영역을 대응시켜 설정하는 것인, 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어부는, 프로세스 모듈에서의 하나의 처리가 종료하고 계속되는 다른 처리를 개시할 때, 상기 하나의 처리와 상기 다른 처리에 있어서 상기 회전 테이블 상에서의 더미 기판의 배치 레이아웃이 일치하는 경우에는, 상기 하나의 처리에서의 제품 기판을 상기 처리 용기로부터 반출한 후, 상기 하나의 처리에서의 더미 기판에 대해서는 상기 회전 테이블에 적재한 채, 상기 다른 처리에서의 제품 기판을 상기 처리 용기에 반입하도록 제어 신호를 출력하는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 설정부는, 프로세스 모듈에서의 하나의 처리와 상기 하나의 처리에 계속되는 다른 처리에 있어서 상기 회전 테이블 상에서의 더미 기판의 배치 레이아웃이 일치하는 경우에는, 상기 하나의 처리에서의 제품 기판을 상기 처리 용기로부터 반출한 후, 상기 하나의 처리에서의 더미 기판에 대해서는 상기 회전 테이블에 적재한 채, 상기 다른 처리에서의 제품 기판을 상기 처리 용기에 반입하는 기능의 유효 및 무효를 전환하는 전환부를 포함하는 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5445044B2 (ja) * 2008-11-14 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6494443B2 (ja) * 2015-06-15 2019-04-03 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP6538436B2 (ja) * 2015-06-18 2019-07-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6586440B2 (ja) 2017-07-11 2019-10-02 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6948916B2 (ja) * 2017-11-06 2021-10-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び通知方法
JP7454467B2 (ja) * 2020-08-03 2024-03-22 株式会社荏原製作所 基板処理システム、基板処理システムの制御装置及び基板処理システムの運転方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008124191A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP2009295664A (ja) * 2008-06-03 2009-12-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2010239102A (ja) 2008-06-27 2010-10-21 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2011009295A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Sharp Corp 搬送装置および搬送方法
JP2011222825A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd 被処理体処理装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62132321A (ja) 1985-12-04 1987-06-15 Anelva Corp ドライエツチング装置
US5944940A (en) * 1996-07-09 1999-08-31 Gamma Precision Technology, Inc. Wafer transfer system and method of using the same
US20050247266A1 (en) * 2004-05-04 2005-11-10 Patel Nital S Simultaneous control of deposition time and temperature of multi-zone furnaces
US7738987B2 (en) * 2006-11-28 2010-06-15 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling substrate processing apparatus
JP4816545B2 (ja) * 2007-03-30 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5220447B2 (ja) * 2008-03-17 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムの洗浄方法、記憶媒体及び基板処理システム
US9416448B2 (en) * 2008-08-29 2016-08-16 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium for film deposition method
JP5463066B2 (ja) * 2009-04-30 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 ロット処理開始判定方法及び制御装置
JP5682290B2 (ja) * 2010-12-20 2015-03-11 東京エレクトロン株式会社 炭素含有薄膜のスリミング方法及び酸化装置
JP5947030B2 (ja) * 2010-12-28 2016-07-06 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理方法、基板処理装置
JP5921200B2 (ja) * 2012-01-05 2016-05-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、縮退運用プログラムおよび生産リストの作成プログラム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008124191A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP2009295664A (ja) * 2008-06-03 2009-12-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2010239102A (ja) 2008-06-27 2010-10-21 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2011009295A (ja) * 2009-06-23 2011-01-13 Sharp Corp 搬送装置および搬送方法
JP2011222825A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd 被処理体処理装置

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Publication number Publication date
KR101672577B1 (ko) 2016-11-03
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US10186422B2 (en) 2019-01-22

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