JP5518550B2 - 被処理体処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の第1の実施形態に係る被処理体処理装置の一例を概略的に示す平面図である。本例では、被処理体処理装置の一例として、被処理体として半導体ウエハを取り扱うマルチチャンバ(クラスタツール)型の半導体製造装置を例示する。
第2の実施形態は、第1の実施形態のように移載室33にバッファ部60を設けずに、複数のウエハWを、搬送装置34と移載装置237との間で直接に受け渡しするようにしたものである。これ以外は、第1の実施形態と同様である。
第3の実施形態は、移載室33に、ダミーウエハを格納するダミーウエハ格納部を設けた例である。これ以外は、第1、第2の実施形態と同様である。
第4の実施形態は、移載室33の周囲に設けられるゲートバルブの例に関する。
Claims (14)
- 複数の被処理体を搬送する第1の搬送装置が配置された搬送室と、
前記搬送室の周囲に設けられ、前記複数の被処理体に処理を施す処理室と、
前記搬送室と前記処理室との間に設けられ、前記第1の搬送装置が搬送してきた前記複数の被処理体を前記第1の搬送装置から移載して前記処理室に搬送する第2の搬送装置が配置された移載室と、
を備え、
前記第1の搬送装置は、前記複数の被処理体を高さ方向に積層保持するように構成され、
前記処理室は、前記複数の被処理体を平面方向に展開した状態で処理するように構成され、
前記第2の搬送装置は、前記複数の被処理体を高さ方向に積層保持する状態と、前記複数の被処理体を平面方向に展開保持する状態との双方をとるように構成され、
前記第2の搬送装置は、回転、及び上下動可能な二本のトランスファアームを互いに離間させ、かつ、互いに干渉しないように高さを変えて設けられ、前記二本のトランスファアームそれぞれの先端にある被処理体保持部の交点を前記複数の被処理体を高さ方向に積層保持する状態とし、前記二本のトランスファアームを回動させて前記被処理体保持部を左右に拡げることで、前記複数の被処理体を平面方向に展開保持する状態とすることを特徴とする被処理体処理装置。 - 前記移載室に、前記複数の被処理体を高さ方向に積層保持するバッファ部を、さらに備え、
前記複数の被処理体が、前記第1の搬送装置と前記第2の搬送装置との間で前記バッファ部を介して受け渡しされることを特徴とする請求項1に記載の被処理体処理装置。 - 前記第1の搬送装置が前記バッファ部にアクセスしている間、前記第2の搬送装置が前記バッファ部の位置とは異なる位置に退避するように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の被処理体処理装置。
- 前記複数の被処理体が、前記第1の搬送装置と前記第2の搬送装置との間で直接に受け渡しされることを特徴とする請求項1に記載の被処理体処理装置。
- 前記第1の搬送装置の被処理体保持部の形状と、前記第2の搬送装置の被処理体保持部の形状とが、互いに干渉しない形状とされていることを特徴とする請求項4に記載の被処理体処理装置。
- 前記第1の搬送装置の被処理体保持部及び前記第2の搬送装置の被処理体保持部がそれぞれ、複数のピックを備え、
前記第1の搬送装置の被処理体保持部のピックが、前記第2の搬送装置の被処理体保持部のピック間の間隙内に収まり、
前記第2の搬送装置の被処理体保持部のピックが、前記第1の搬送装置の被処理体保持部のピック間の間隙内に収まることを特徴とする請求項5に記載に被処理体処理装置。 - 前記移載室に、ダミー被処理体を格納するダミー被処理体格納部を、さらに備えていることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の被処理体処理装置。
- 前記ダミー被処理体は、前記処理室で処理される被処理体の枚数が、前記処理室で処理可能な被処理体の枚数に足らないとき、前記第2の搬送装置を用いて前記処理室内に搬送されることを特徴とする請求項7に記載の被処理体処理装置。
- 前記移載室と前記搬送室との間、及び前記移載室と前記処理室との間の双方に、ゲートバルブが設けられていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の被処理体処理装置。
- 前記移載室と前記処理室との間のみに、ゲートバルブが設けられていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の被処理体処理装置。
- 前記移載室と前記搬送室との間のみに、ゲートバルブが設けられていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の被処理体処理装置。
- 前記処理室で行われる処理が、CVD処理であることを特徴とする請求項9に記載の被処理体処理装置。
- 前記処理室で行われる処理が、酸化処理、窒化処理、酸窒化処理、改質処理、及びエッチング処理のいずれか一つの処理を含むことを特徴とする請求項10に記載の被処理体処理装置。
- 前記処理室で行われる処理が、PVD処理、又はクリーニング処理であることを特徴とする請求項11に記載の被処理体処理装置。
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