KR101686032B1 - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 Download PDF

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아키라 타카하시
타케시 야스이
히로유키 오가와
카즈야 나베타
나오야 마츠우라
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가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
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Abstract

본 발명은 트위저 상에서 기판이 어긋나도 서셉터 상의 소정 위치에 기판을 재치한다.
기판을 재치하는 제1 및 제2 기판 재치부를 동일 원주 상에 포함하는 기판 재치대와, 상기 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 재치된 기판을 처리하는 처리실; 상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실; 상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기; 상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제1 재치부 기준 위치 정보, 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제2 재치부 기준 위치 정보 및 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 기억하는 기억부; 및 상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보 및 상기 기판 반송기의 이동 속도에 기초하여 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보를 작성하고, 상기 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와 상기 제2 재치부 기준 위치 정보의 차분 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 제어하는 제어부;를 포함한다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}
본 발명은 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.
예컨대 플래시 메모리나 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 등의 반도체 장치를 제조하는 공정의 하나로서 기판 상에 박막을 형성하는 기판 처리 공정이 실시되는 경우가 있다. 이와 같은 공정을 실시하는 기판 처리 장치로서 서셉터 상에 재치된 복수의 기판 상에 동시에 박막을 형성하는 반응 챔버를 구비한 박막 증착 장치가 알려져 있다.
이와 같은 기판 처리 장치에서 자동 제어에 의해 기판 반송기가 제어되고, 기판 반송기의 트위저 상에 지지한 기판을 반송하여 서셉터 상에 재치한다. 이때 트위저 상의 기판을 서셉터 상의 소정의 위치에 정확하게 재치하는 것이 요구된다. 하지만 장기간 사용하면서 트위저가 변형하는 등의 원인에 의해 트위저 상의 소정의 위치부터 기판이 어긋나는 경우가 있다. 이에 따라 기판을 서셉터 상의 소정의 위치에 재치하지 못하여, 기판 상에 형성하는 박막의 면내(面內) 균일성이 악화하거나 또는 기판이 파손되는 등의 문제가 발생할 우려가 있다. 본 발명의 목적은 트위저 상에 지지한 기판이 어긋난 경우에도 서셉터 상의 소정의 위치에 기판을 재치할 수 있는 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체를 제공하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 대표적인 구성은 다음과 같다. 즉 기판을 재치하는 제1 및 제2 기판 재치부를 동일 원주 상에 포함하는 기판 재치대와, 상기 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 재치된 기판을 처리하는 처리실; 상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실; 상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기; 상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제1 재치부 기준 위치 정보, 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제2 재치부 기준 위치 정보 및 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 기억하는 기억부; 및 상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보 및 상기 기판 반송기의 이동 속도에 기초하여 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보를 작성하고, 상기 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와 상기 제2 재치부 기준 위치 정보의 차분 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 제어하는 제어부;를 포함하는 기판 처리 장치.
또한 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법의 대표적인 구성은 다음과 같다. 즉 기판을 재치하는 제1 및 제2 기판 재치부를 동일 원주 상에 포함하는 기판 재치대와, 상기 제1 및 제2 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하는 처리실; 상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실; 및 상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제2 재치부 기준 위치 정보를 취득하는 공정; 상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 취득하는 공정; 상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보 및 상기 기판 반송기의 이동 속도에 기초하여 상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 공정; 상기 기판 위치 검출 공정에서 검출한 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하는 제1 기판 재치 공정; 상기 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와 상기 제2 재치부 기준 위치 정보의 차분 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 제2 기판 재치 공정; 및 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 재치된 기판에 반도체 장치를 형성하는 공정;을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
또한 본 발명에 따른 기록 매체의 대표적인 구성은 다음과 같다. 즉 기판을 재치하는 제1 및 제2 기판 재치부를 동일 원주 상에 포함하는 기판 재치대와, 상기 제1 및 제2 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하는 처리실; 상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실; 및 상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;를 동작시키는 프로그램이 기록된 기록 매체로서, 상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제2 재치부 기준 위치 정보를 취득시키는 단계; 상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 취득시키는 단계; 상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보 및 상기 기판 반송기의 이동 속도에 기초하여 상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 단계; 상기 기판 위치 검출 공정에서 검출한 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치시키는 제1 기판 재치 단계; 상기 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와 상기 제2 재치부 기준 위치 정보의 차분 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치시키는 제2 기판 재치 단계; 및 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 재치된 기판에 반도체 장치를 형성하는 단계;를 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체.
상기의 구성에 의하면, 트위저 상에 지지한 기판이 어긋난 경우에도 서셉터 상의 소정의 위치에 기판을 재치할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 상면(上面) 개략도.
도 2는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 종단면(縱斷面) 개략도.
도 3은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리실의 횡단면(橫斷面) 개략도.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리실의 종단면 개략도.
도 5는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 컨트롤러 구성의 개략도.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 센서의 설명도.
도 7은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 위치 어긋남을 도시하는 도면.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 공정을 설명하는 플로우 차트.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 성막 공정을 설명하는 플로우 차트.
도 10은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 클리닝 공정을 설명하는 플로우 차트.
도 11은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 기판 처리실의 상면 개략도.
<제1 실시 형태>
(1) 기판 처리 장치의 구성
우선, 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 구성에 대하여 도 1과 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은 제1 실시 형태에 따른 다매엽식(多枚葉式)의 기판 처리 장치(10)의 개략 구성도(상면도)다. 도 2는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)의 종단면 개략도다.
도 1 및 도 2를 이용하여 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(10)(이하 단순히 장치라고도 부른다)의 개요를 설명한다. 또한 본 발명이 적용되는 기판 처리 장치(10)에서는 제품으로서의 처리 기판(200)이나 더미 기판(280) 등의 기판을 반송하는 캐리어로서 FOUP(Front Opening Unified Pod, 이하 포드라고 부른다)가 사용된다. 또한 이하의 설명에서 전후좌우는 도 1을 기준으로 한다. 즉 도 1에 도시되는 X1의 방향을 오른쪽, X2의 방향을 왼쪽, Y1의 방향을 앞, Y2의 방향을 뒤로 한다. 또한 본 장치는 처리 기판(200)을 반송 및 처리하고 또한 더미 기판(280)을 반송하는 장치지만, 이하의 설명에서는 처리 기판(200)을 주로 설명한다.
도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이 기판 처리 장치(10)는 진공 상태 등의 대기압 미만의 압력[부압(負壓)]을 견딜 수 있는 로드록 챔버 구조로 구성된 제1 반송실(103)을 구비한다. 제1 반송실(103)의 광체(101)(筐體)는 평면시가 오각형에 상하 양단(兩端)이 폐색(閉塞)된 상자 형상으로 형성된다. 제1 반송실(103)에는 부압 하에서 2매의 기판(200)을 동시에 반송하고 이재할 수 있는 기판 반송기인 제1 기판 이재기(112)가 설치된다. 여기서 제1 기판 이재기(112)는 1매의 기판(200)을 이재할 수 있는 것이어도 좋다. 제1 기판 이재기(112)는 제1 기판 이재기 엘리베이터(115)에 의해 제1 반송실(103)의 기밀성을 유지하면서 승강할 수 있도록 구성된다.
광체(101)의 5매의 측벽 중 전측(前側)에 위치하는 2매의 측벽에는 반입용의 예비실과 반출용의 예비실로 병용 가능한 예비실(122, 123)이 각각 게이트 밸브(126, 127)를 개재하여 연결되고, 각각 부압에 견딜 수 있는 구조로 구성된다. 또한 예비실(122, 123)(로드록 실)에는 기판 지지대(140)에 의해 2매의 기판(200)을 중첩하여 재치하는 것이 가능하다.
예비실(122, 123)에는 기판 사이에 격벽판(141)(隔壁板, 중간 플레이트)이 설치된다. 복수 매의 처리 완료된 기판이 예비실(122 또는 123)에 들어가는 경우, 먼저 들어간 처리 완료된 냉각 도중의 기판이 다음으로 들어간 처리 완료 기판의 열 영향으로 온도의 하강 상태가 늦어질 수 있는 열 간섭을 격벽판(141)에 의해 방지할 수 있다.
여기서 일반적인 냉각 효율을 올리기 위한 기법을 설명한다. 예비실(122 및 123)의 격벽판(141)에 냉각수나 칠러 등을 흘려 벽면 온도를 낮게 억제하면, 어느 슬롯에 들어간 처리 완료된 기판이어도 냉각 효율을 올릴 수 있다. 부압에서는 기판과 격벽판(141)의 거리가 지나치게 멀면 열 교환에 의한 냉각 효율이 저하하기 때문에, 냉각 효율을 향상시키는 기법으로서 기판 지지대(140)(핀)에 둔 후 기판 지지대(140)를 상하시켜 예비실 벽면에 근접시키기 위한 구동(驅動) 기구를 설치하는 경우도 있다.
예비실(122) 및 예비실(123) 전측에는 대략 대기압 하에서 이용되는 제2 반송실(121)이 게이트 밸브(128, 129)를 개재하여 연결된다. 제2 반송실(121)에는 기판(200)을 이재하는 제2 기판 이재기(124)가 설치된다. 제2 기판 이재기(124)는 제2 반송실(121)에 설치된 제2 기판 이재기 엘리베이터(131)에 의해 승강되도록 구성되는 것과 함께 리니어 액츄에이터(132)에 의해 좌우 방향에 왕복 이동되도록 구성된다.
도 1에 도시되는 바와 같이 제2 반송실(121)의 좌측에는 노치(notch) 또는 오리엔테이션 플랫 맞춤 장치(106)도 설치할 수 있다. 또한 도 2에 도시되는 바와 같이 제2 반송실(121)의 상부에는 클린 에어를 공급하는 클린 유닛(118)이 설치된다.
도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이 제2 반송실(121)의 광체(125) 전측에는 기판(200)을 제2 반송실(121)에 대하여 반입 반출하기 위한 기판 반입 반출구(134)와, 포드 오프너(108)가 설치된다. 기판 반입 반출구(134)를 개재하여 포드 오프너(108)와 반대측, 즉 광체(125)의 외측에는 로드 포트(105)(IO스테이지)가 설치된다. 포드 오프너(108)는 포드(100)의 캡(100a)을 개폐하는 것과 함께 기판 반입 반출구(134)를 폐색 가능한 클로저(142)와, 클로저(142)를 구동하는 구동 기구(136)를 구비하고, 로드 포트(105)에 재치된 포드(100)의 캡(100a)을 개폐하는 것에 의해 포드(100)에 대한 기판(200)의 출입을 가능하게 한다. 또한 포드(100)는 도시되지 않는 공정 내 반송 장치(OHT 등)에 의해 로드 포트(105)에 대하여 공급 및 배출되도록 이루어진다.
도 1에 도시되는 바와 같이 제1 반송실(103)의 광체(101)의 5매의 측벽 중 후측[배면측(背面側)]에 위치하는 4매의 측벽에는 기판에 원하는 처리를 수행하는 제1 처리실(202a)과 제2 처리실(202b)과 제3 처리실(202c)과 제4 처리실(202d)이 게이트 밸브(150, 151, 152, 153)를 개재하여 각각 인접하여 연결된다. 즉 제1 반송실(103)은 처리실(202a 내지 202d)에 인접하여 설치된다.
제1 반송 광체(101)의 천정(天井)의 저부(底部)이며 게이트 밸브(150, 151, 152, 153)의 근방에는 기판(200)의 통과 상황을 검출하는 센서(117)가 각각 설치된다. 센서(117)는 후술하는 제어부(300)에 신호 접속된다. 센서(117)는 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기이며, 제어부(300)와 함께 제1 반송실(103) 내에서 반송 중의 기판(200)의 위치를 검출하는 기판 위치 검출부를 구성한다. 센서(117)는 예컨대 2개(個)의 광(光) 투과형 센서(117a, 117b)로 이루어진다(도 3 참조). 투과형 센서(117a, 117b)는 각각 예컨대 상하 방향에 발광부와 수광부를 포함한다(도 2 참조). 기판(200)의 단부가 투과형 센서(117)의 발광부와 수광부 사이에 이동하면, 발광부로부터 사출(射出)된 광이 기판(200)에 의해 반사되어 수광부가 발광부로부터의 사출광을 수광하지 못한다. 이와 같이 하여 기판(200)의 단부의 존재를 검출할 수 있다. 또한 1개의 센서(117)는 센서로서 기능하는 단위를 나타내며, 전술과 같이 예컨대 발광부와 수광부를 포함하는 구성을 나타낸다.
2개의 투과형 센서(117)는 도 6에 도시하는 바와 같이 예컨대 다음 위치 관계로 배치된다. 도 6은 제1 실시 형태에 따른 센서의 설명도다. 투과형 센서(117a, 117b) 사이의 거리는 기판(200)의 지름보다 짧은 거리다. 투과형 센서(117a, 117b)를 이은 선이 게이트 밸브(150, 151, 152, 153)와 평행이 되도록 배치한다. 투과형 센서(117a, 117b)의 수평면(XY면) 내에서의 위치는 제1 반송실(103) 내이며 처리실(202)의 근방이다. 예컨대 도 2에 도시하는 바와 같이 제1 기판 이재기 엘리베이터(115)의 중심축보다 또는 제1 반송실(103)의 중심보다 처리실(202)과의 경계인 게이트 밸브(151)와 가까운 위치에 배치된다. 또한 도 6에 도시하는 바와 같이 2개의 투과형 센서(117a, 117b)는 기판(200)의 이동 경로(117c)를 개재하도록 이동 경로(117c)의 양측에 이동 경로(117c)를 대칭축으로서 선대칭이 되도록 배치하는 것이 바람직하다. 이동 경로(117c)에 대해서는 후술한다.
(2) 처리실의 구성
계속해서 본 실시 형태에 따른 기판 처리실로서의 처리실(202)의 구성에 대하여 주로 도 3과 도 4를 이용하여 설명한다. 도 3은 본 실시 형태에 따른 처리실의 횡단면 개략도다. 도 4는 본 실시 형태에 따른 처리실의 종단면 개략도이며, 도 3에 도시하는 처리실의 A-A'선 단면도다.
〔반응 용기〕
도 3 내지 도 4에 도시하는 바와 같이 처리실(202)은 원통 형상의 기밀 용기인 반응 용기(203)를 구비한다. 반응 용기(203) 내에는 기판(200)의 처리 공간(207)이 형성된다. 반응 용기(203) 내의 처리 공간(207)의 상측에는 중심부로부터 방사상으로 연장하는 4매의 경계판(205)이 설치된다. 4매의 경계판(205)은 처리 공간(207)을 제1 처리 영역(201a), 제1 퍼지 영역(204a), 제2 처리 영역(201b), 제2 퍼지 영역(204b)으로 구분하도록 구성된다. 또한 제1 처리 영역(201a), 제1 퍼지 영역(204a), 제2 처리 영역(201b), 제2 퍼지 영역(204b)은 후술하는 서셉터(217)(기판 재치대)의 회전 방향(도 3의 화살표B의 방향)을 따라 이 순서대로 배열하도록 구성된다.
후술하는 바와 같이 서셉터(217)를 회전시키는 것에 의해, 서셉터(217) 상에 재치된 기판(200)은 제1 처리 영역(201a), 제1 퍼지 영역(204a), 제2 처리 영역(201b), 제2 퍼지 영역(204b)의 순서대로 이동한다. 또한 후술하는 바와 같이 제1 처리 영역(201a) 내에는 제1 가스로서의 제1 처리 가스가 공급되고, 제2 처리 영역(201b) 내에는 제2 가스로서의 제2 처리 가스가 공급되고, 제1 퍼지 영역(204a) 내 및 제2 퍼지 영역(204b) 내에는 불활성 가스가 공급되도록 구성된다. 그렇기 때문에 서셉터(217)를 회전시키는 것에 의해 기판(200) 상에는 제1 처리 가스, 불활성 가스, 제2 처리 가스, 불활성 가스가 이 순서대로 공급된다. 서셉터(217) 및 가스 공급계의 구성에 대해서는 후술한다.
경계판(205)의 단부와 반응 용기(203)의 측벽 사이에는 소정의 폭의 극간(隙間)이 설치되고, 이 극간을 가스가 통과할 수 있도록 구성된다. 이 극간을 개재하여 제1 퍼지 영역(204a) 내 및 제2 퍼지 영역(204b) 내로부터 제1 처리 영역(201a) 내 및 제2 처리 영역(201b) 내를 향하여 불활성 가스를 분출시키는 것에 의해 제1 퍼지 영역(204a) 내 및 제2 퍼지 영역(204b) 내로의 처리 가스의 침입을 억제하고 처리 가스의 반응을 방지할 수 있도록 구성된다.
또한 본 실시 형태에서는 각 경계판(205) 사이의 각도를 각각 90°로 했지만 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉 기판(200)에 대한 각종 가스의 공급 시간 등을 고려하여 예컨대 제2 처리 영역(201b)을 형성하는 2매의 경계판(205) 사이의 각도를 크게 하는 등 적절히 변경해도 좋다.
또한 각 처리 영역을 경계판(205)로 구분했지만 이에 한정되지 않고, 처리 영역(201a, 201b) 각각에 공급되는 가스를 혼합시키지 않는 구성라면 좋다.
〔서셉터〕
도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이 경계판(205)의 하측에는, 즉 반응 용기(203) 내의 저측(底側) 중앙에는, 반응 용기(203)의 중심에 회전축의 중심을 가지고 회전 가능하도록 구성된 기판 재치대로서의 서셉터(217)가 설치된다. 서셉터(217)는 기판(200)의 금속 오염을 저감할 수 있도록 예컨대 질화알루미늄(AlN), 세라믹스, 석영 등의 비금속 재료로 형성된다. 또한 서셉터(217)는 반응 용기(203)와 전기적으로 절연(絶緣)된다.
서셉터(217)는 반응 용기(203) 내에서 복수 매(본 실시 형태에서는 예컨대 5매)의 기판(200)을 동일면 상에 또한 동일 원주 상에 배열하여 지지하도록 구성된다. 여기서 동일면 상이란 완전한 동일면에 한정되지 않고, 서셉터(217)를 상면에서 보았을 때에 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이 복수 매의 기판(200)이 서로 중첩되지 않도록 배열되면 좋다.
또한 서셉터(217) 표면에서의 기판(200)의 지지 위치에는 기판 재치부(217b)[217b(1), 217b(2), …, 217b(n)]가 처리하는 기판(200)의 매수n에 대응하여 동일 원주 상에 설치된다. n은 2 이상의 자연수다. 본 실시예에서는 5매의 기판을 처리하는 것을 상정하기 때문에 5개의 기판 재치부(217b)를 설치한다. 기판 재치부(217b)는 예컨대 상면에서 보았을 때에 원형 형상이며, 측면에서 보았을 때에 요(凹) 형상으로 해도 좋다. 이 경우, 기판 재치부(217b)의 지름은 기판(200)의 지름보다 조금 크게 되도록 구성하는 것이 바람직하다. 이 기판 재치부(217b) 내에 기판(200)을 재치하는 것에 의해 기판(200)의 위치 결정을 용이하게 수행할 수 있고, 또한 서셉터(217)의 회전에 따른 원심력에 의해 기판(200)이 서셉터(217)로부터 돌출하는 경우 등에 발생하는 위치 엇갈림을 방지할 수 있다.
도 4에 도시하는 바와 같이 서셉터(217)에는 서셉터(217)를 승강시키는 승강 기구(268)가 설치된다. 서셉터(217)에는 관통공(217a)이 복수 설치된다. 전술한 반응 용기(203)의 저면에는, 반응 용기(203) 내로의 기판(200)의 반입·반출 시에 기판(200)을 승강시키고 기판(200)의 이면(裏面)을 지지하는 기판 승강핀(266)이 복수 설치된다. 관통공(217a) 및 기판 승강핀(266)은 기판 승강핀(266)이 상승했을 때 또는 승강 기구(268)에 의해 서셉터(217)가 하강했을 때 기판 승강핀(266)이 서셉터(217)와는 접촉하지 않는 상태에서 관통공(217a)을 통과하도록 서로 배치된다.
승강 기구(268)에는 서셉터(217)를 수평 회전시키는 회전 기구(267)가 설치된다. 회전 기구(267)의 도시되지 않는 회전축은 서셉터(217)에 접속되고, 회전 기구(267)를 작동시키는 것에 의해 서셉터(217)를 회전시킬 수 있도록 구성된다. 회전 기구(267)에는 후술하는 제어부(300)가 커플링부(267a)를 개재하여 접속된다. 커플링부(267a)는 회전측과 고정측 사이를 금속 브러쉬 등에 의해 전기적으로 접속하는 슬립링 기구로서 구성된다. 이에 의해 서셉터(217)의 회전이 저해되지 않도록 이루어진다. 제어부(300)는 서셉터(217)를 소정의 속도로 소정 시간 회전시키도록 회전 기구(267)로의 통전 상태를 제어하도록 구성된다. 전술한 바와 같이 서셉터(217)를 회전시키는 것에 의해 서셉터(217) 상에 재치된 기판(200)은 제1 처리 영역(201a), 제1 퍼지 영역(204a), 제2 처리 영역(201b) 및 제2 퍼지 영역(204b)을 이 순서대로 이동한다.
〔가열부〕
서셉터(217)의 내부에는 가열부로서의 히터(218)가 일체적으로 매립되어 기판(200)을 가열할 수 있도록 구성된다. 히터(218)에 전력이 공급되면, 기판(200)의 표면이 소정 온도(예컨대 실온 내지 1,000℃ 정도)까지 가열된다. 또한 히터(218)는 서셉터(217)에 재치된 각각의 기판(200)을 개별로 가열하도록 동일면 상에 복수(예컨대 5개) 설치해도 좋다.
서셉터(217)에는 온도 센서(274)가 설치된다. 히터(218) 및 온도 센서(274)에는 전력 공급선(222)을 개재하여 온도 조정기(223), 전력 조정기(224) 및 히터 전원(225)이 전기적으로 접속된다. 온도 센서(274)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(218)로의 통전 상태가 제어되도록 구성된다.
〔가스 공급부〕
반응 용기(203)의 상측에는 제1 처리 가스 도입부(251), 제2 처리 가스 도입부(252), 불활성 가스 도입부(253) 및 클리닝 가스 도입부(258)를 구비하는 가스 공급부(250)가 설치된다. 가스 공급부(250)는 반응 용기(203)의 상측에 개설(開設)된 개구(開口)에 기밀하게 설치된다. 제1 처리 가스 도입부(251)의 측벽에는 제1 가스 분출구(254)가 설치된다. 제2 처리 가스 도입부(252)의 측벽에는 제2 가스 분출구(255)가 설치된다. 불활성 가스 도입부(253)의 측벽에는 제1 불활성 가스 분출구(256) 및 제2 불활성 가스 분출구(257)가 각각 대향하도록 설치된다. 가스 공급부(250)의 저부에는 클리닝 가스 도입부(258)의 단부인 클리닝 가스 공급공(259)이 설치된다. 즉 클리닝 가스 공급공(259)은 제1 가스 분출구(254), 제2 가스 분출구(255), 불활성 가스 분출구(256, 257)보다 낮은 위치에 설치된다.
가스 공급부(250)는 제1 처리 가스 도입부(251)로부터 제1 처리 영역(201a) 내에 제1 처리 가스를 공급하고, 제2 처리 가스 도입부(252)로부터 제2 처리 영역(201b) 내에 제2 처리 가스를 공급하고, 불활성 가스 도입부(253)로부터 제1 퍼지 영역(204a) 내 및 제2 퍼지 영역(204b) 내에 불활성 가스를 공급하도록 구성된다. 가스 공급부(250)는 각 처리 가스 및 불활성 가스를 혼합시키지 않고 개별로 각 영역에 공급할 수 있고, 또한 각 처리 가스 및 불활성 가스를 병행하여 각 영역에 공급할 수 있도록 구성된다.
〔처리 가스 공급계〕
제1 처리 가스 도입부(251)의 상류측에는 제1 가스 공급관(232a)이 접속된다. 제1 가스 공급관(232a)의 상류측에는 상류 방향부터 순서대로 원료 가스 공급원(232b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(232c) 및 개폐 밸브인 밸브(232d)가 설치된다.
제1 가스 공급관(232a)으로부터는 제1 가스(제1 처리 가스)로서 예컨대 실리콘 함유 가스가 매스 플로우 컨트롤러(232c), 밸브(232d), 제1 처리 가스 도입부(251) 및 제1 가스 분출구(254)를 개재하여 제1 처리 영역(201a) 내에 공급된다. 실리콘 함유 가스로서는 예컨대 프리커서로서 트리실릴아민[(SiH3)3N, 약칭: TSA] 가스를 이용할 수 있다. 또한 제1 처리 가스는 상온 상압에서 고체, 액체 및 기체 중 어느 것이어도 좋지만, 여기서는 기체로서 설명한다. 제1 처리 가스가 상온 상압에서 액체인 경우에는 원료 가스 공급원(232b)과 매스 플로우 컨트롤러(232c) 사이에 도시되지 않는 기화기를 설치하면 좋다.
또한 실리콘 함유 가스로서는 TSA 외에 예컨대 유기 실리콘 재료인 헥사메틸디실라잔(C6H19NSi2, 약칭: HMDS) 등을 이용할 수 있다. 제1 가스는 후술하는 제2 가스보다 점착도가 높은 재료가 이용된다.
제2 처리 가스 도입부(252)의 상류측에는 제2 가스 공급관(233a)이 접속된다. 제2 가스 공급관(233a)의 상류측에는 상류 방향부터 순서대로 원료 가스 공급원(233b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(233c) 및 개폐 밸브인 밸브(233d)가 설치된다.
제2 가스 공급관(233a)으로부터는 제2 가스(제2 처리 가스, 반응 가스)로서 예컨대 산소 함유 가스인 산소(O2) 가스가 매스 플로우 컨트롤러(233c), 밸브(233d), 제2 처리 가스 도입부(252) 및 제2 가스 분출구(255)를 개재하여 제2 처리 영역(201b) 내에 공급된다. 제2 처리 가스인 산소 가스는 플라즈마 생성부(206)에 의해 플라즈마 상태가 되어 기판(200) 상에 노출된다. 또한 제2 처리 가스인 산소 가스는 히터(218)의 온도 및 반응 용기(203) 내의 압력을 소정의 범위로 조정하여 열로 활성화시켜도 좋다. 또한 산소 함유 가스로서는 오존(O3) 가스나 수증기(H2O)를 이용해도 좋다. 이들 제2 가스는 제1 가스보다 점착도가 낮은 재료가 이용된다.
주로 제1 가스 공급관(232a), 매스 플로우 컨트롤러(232c) 및 밸브(232d)에 의해 제1 처리 가스 공급계(232)(실리콘 함유 가스 공급계라고도 부른다)가 구성된다. 또한 원료 가스 공급원(232b), 제1 처리 가스 도입부(251) 및 제1 가스 분출구(254)를 제1 처리 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 또한 주로 제2 가스 공급관(233a), 매스 플로우 컨트롤러(233c) 및 밸브(233d)에 의해 제2 처리 가스 공급계(233)(산소 함유 가스 공급계라고도 부른다)가 구성된다. 또한 원료 가스 공급원(233b), 제2 처리 가스 도입부(252) 및 제2 가스 분출구(255)를 제2 처리 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 그리고 주로 제1 처리 가스 공급계 및 제2 처리 가스 공급계에 의해 처리 가스 공급계가 구성된다.
〔불활성 가스 공급계〕
불활성 가스 도입부(253)의 상류측에는 제1 불활성 가스 공급관(234a)이 접속된다. 제1 불활성 가스 공급관(234a)의 상류측에는 상류 방향부터 순서대로 불활성 가스 공급원(234b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(234c) 및 개폐 밸브인 밸브(234d)가 설치된다.
제1 불활성 가스 공급관(234a)으로부터는 예컨대 질소(N2) 가스로 구성되는 불활성 가스가 매스 플로우 컨트롤러(234c), 밸브(234d), 불활성 가스 도입부(253), 제1 불활성 가스 분출구(256) 및 제2 불활성 가스 분출구(257)를 개재하여 제1 퍼지 영역(204a) 내 및 제2 퍼지 영역(204b) 내에 각각 공급된다. 제1 퍼지 영역(204a) 내 및 제2 퍼지 영역(204b) 내에 공급되는 불활성 가스는 후술하는 성막 공정(S106)에서는 퍼지 가스로서 작용한다. 또한 불활성 가스로서 N2가스 외에 예컨대 헬륨(He) 가스, 네온(Ne) 가스, 아르곤(Ar) 가스 등의 희가스를 이용할 수 있다.
제1 가스 공급관(232a)의 밸브(232d)보다 하류측에는 제2 불활성 가스 공급관(235a)의 하류단이 접속된다. 상류 방향부터 순서대로 불활성 가스 공급원(235b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(235c) 및 개폐 밸브인 밸브(235d)가 설치된다.
제2 불활성 가스 공급관(235a)으로부터는 불활성 가스로서 예컨대 N2가스가 매스 플로우 컨트롤러(235c), 밸브(235d), 제1 가스 공급관(232a), 제1 처리 가스 도입부(251) 및 제1 가스 분출구(254)를 개재하여 제1 처리 영역(201a) 내에 공급된다. 제1 처리 영역(201a) 내에 공급되는 불활성 가스는 성막 공정(S106)에서는 캐리어 가스 또는 희석 가스로서 작용한다.
또한 제2 가스 공급관(233a)의 밸브(233d)보다 하류측에는 제3 불활성 가스 공급관(236a)의 하류단이 접속된다. 상류 방향부터 순서대로 불활성 가스 공급원(236b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(236c) 및 개폐 밸브인 밸브(236d)가 설치된다.
제3 불활성 가스 공급관(236a)으로부터는 불활성 가스로서 예컨대 N2가스가 매스 플로우 컨트롤러(236c), 밸브(236d), 제2 가스 공급관(233a), 제2 처리 가스 도입부(252) 및 제2 가스 분출구(255)를 개재하여 제2 처리 영역(201b) 내에 공급된다. 제2 처리 영역(201b) 내에 공급되는 불활성 가스는 제1 처리 영역(201a) 내에 공급되는 불활성 가스와 마찬가지로 성막 공정(S106)에서는 캐리어 가스 또는 희석 가스로서 작용한다.
주로 제1 불활성 가스 공급관(234a), 매스 플로우 컨트롤러(234c) 및 밸브(234d)에 의해 제1 불활성 가스 공급계(234)가 구성된다. 또한 불활성 가스 공급원(234b), 불활성 가스 도입부(253), 제1 불활성 가스 분출구(256) 및 제2 불활성 가스 분출구(257)를 제1 불활성 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다.
또한 주로 제2 불활성 가스 공급관(235a), 매스 플로우 컨트롤러(235c) 및 밸브(235d)에 의해 제2 불활성 가스 공급계(235)가 구성된다. 또한 불활성 가스 공급원(235b), 제1 가스 공급관(232a), 제1 처리 가스 도입부(251) 및 제1 가스 분출구(254)를 제2 불활성 가스에 포함시켜서 생각해도 좋다.
또한 주로 제3 불활성 가스 공급관(236a), 매스 플로우 컨트롤러(236c) 및 밸브(236d)에 의해 제3 불활성 가스 공급계(236)가 구성된다. 또한 불활성 가스 공급원(236b), 제2 가스 공급관(233a), 제2 처리 가스 도입부(252) 및 제2 가스 분출구(255)를 제3 불활성 가스 공급계에 포함시켜서 생각해도 좋다. 그리고 주로 제1 내지 제3 불활성 가스 공급계에 의해 불활성 가스 공급계가 구성된다.
〔클리닝 가스 공급계〕
클리닝 가스 도입부(258)의 상류측에는 클리닝 가스 공급관(237a)이 접속된다. 클리닝 가스 공급관(237a)의 상류측에는 상류 방향부터 순서대로 클리닝 가스 공급원(237b), 유량 제어기(유량 제어부)인 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(237c) 및 개폐 밸브인 밸브(237d), 플라즈마 생성부로서의 리모트 플라즈마 생성 유닛(237e)이 설치된다.
제1 가스 공급관(232a)으로부터는 클리닝 가스로서 예컨대 3불화질소(NF3) 가스가 공급된다. 클리닝 가스는 매스 플로우 컨트롤러(237c), 밸브(237d), 리모트 플라즈마 생성 유닛(237e), 클리닝 가스 도입부(258), 클리닝 가스 공급공(259)을 개재하여 반응 용기(203)에 공급된다. 클리닝 가스는 리모트 플라즈마 생성 유닛(237e)에 의해 플라즈마 상태가 된다.
클리닝 가스 도입부(258)는 도 3에 도시하는 바와 같이 불활성 가스 도입부(253)의 중앙이며 제1 처리 가스 도입부(251)와 제2 처리 가스 도입부(252) 사이에 배치된다.
〔커버〕
서셉터 중앙이며 클리닝 가스 공급공(259)과 대향하는 위치에 내(耐) 플라즈마성 재질인 커버(도시되지 않음)가 설치된다.
본 장치로 기판(200)을 처리할 때, 서셉터(217)나 처리실 벽 내의 가스가 접촉하는 부분에는 가스가 액화나 고체화된 것에 의한 고착물이나 가스의 반응에 의해 생성되는 부생성물 등이 부착된다.
본 실시예에서의 장치에서 제1 처리 가스는 제1 가스 분출구(254)로부터 기판(200) 상에 공급된다. 따라서 제1 처리 영역 중의 처리실 벽이나 서셉터(217)에 클리닝의 대상이 되는 물질이 부착된다.
또한 제2 처리 가스는 제2 가스 분출구(255)로부터 분출되고, 플라즈마 생성부(206)에 의해 플라즈마 상태가 된 후, 기판(200) 상에 공급된다. 그때 예컨대 서셉터 상에 부착된 제1 가스와 반응한 제2 가스에 의해 기판(200) 이외의 장소에 막이 형성되고, 또한 부생성물이 생성된다.
이들 클리닝 대상물을 제거하기 위해서 소정 횟수 기판 처리 공정을 수행한 후, 클리닝 처리를 수행한다. 클리닝 처리는 클리닝 가스 공급공(259)으로부터 공급되는 클리닝 가스에 의해 수행된다. 클리닝 가스는 리모트 플라즈마 생성 유닛(237e)에 의해 미리 플라즈마 상태가 된다.
클리닝 가스는 가장 부착량이 많은 개소(箇所), 예컨대 제1 처리 영역(201a)에 맞춰서 유량이나 에너지를 조정한다. 따라서 클리닝 대상물이 부착되지 않은 부분에 클리닝 가스가 접하면, 클리닝 가스에 의해 에칭되어 그것이 파티클의 원인이 될 것으로 생각된다.
클리닝 가스 공급공(259)과 대향하는 위치는 도 4에 도시하는 바와 같이 제1 가스나 제2 가스가 공급되지 않는 위치에 있기 때문에 클리닝 대상물은 그다지 부착되지 않는다. 그래서 클리닝 가스 공급공(259)과 대향하는 위치에 내 플라즈마성 재질인 커버를 설치한다. 이와 같은 구성으로 하는 것에 의해 클리닝 가스 공급공(259)과 대향하는 위치에도 과도한 에칭을 방지하는 것이 가능해진다.
커버는 서셉터(217) 중앙에 설치한 카운터보어(counterbore)에 감합(嵌合)하는 것에 의해 고정된다. 이와 같이 하는 것에 의해 서셉터(217)의 회전에 의한 어긋남을 방지하는 것과 함께 커버의 교환을 용이하게 한다.
커버는 클리닝 가스 공급공(259)에서 보았을 때에 원형으로 구성되는 것이 바람직하다. 그 단부는 제1 및 제2 가스가 접하지 않는 개소로서 제1 가스 분출구(254)와 제2 가스 분출구(255)보다 서셉터(217)의 지름 방향 중심 방향으로 설정된다. 이와 같은 구성으로 하는 것에 의해 클리닝 대상물이 부착되지 않는 개소를 내 플라즈마성 재질로 할 수 있다.
〔배기계〕
도 4에 도시하는 바와 같이 반응 용기(203)에는 처리 영역(201a, 201b) 내 및 퍼지 영역(204a, 204b) 내의 분위기를 배기하는 배기관(231)이 설치된다. 배기관(231)에는 가스 유량을 제어하는 유량 제어기(유량 제어부)로서의 유량 제어 밸브(245) 및 압력 조정기(압력 조정부)로서의 APC(Auto Pressure Controller)밸브(243)를 개재하여 진공 배기 장치로서의 진공 펌프(246)가 접속되고, 반응 용기(203) 내의 압력이 소정의 압력(진공도)이 되도록 진공 배기할 수 있도록 구성된다. 또한 APC 밸브(243)는 밸브를 개폐하여 반응 용기(203) 내의 진공 배기나 진공 배기 정지를 할 수 있고, 또한 밸브의 개도(開度)를 조절하여 압력 조정 가능하도록 이루어진 개폐 밸브다. 주로 배기관(231), APC 밸브(243) 및 유량 제어 밸브(245)에 의해 배기계가 구성된다. 또한 배기계에는 진공 펌프(246)를 포함시켜도 좋다.
〔제어부〕
도 5에 도시하는 바와 같이 제어부(컨트롤러, 제어 수단)(300)는 CPU(302)(Central Processing Unit), RAM(303)(Random Access Memory), 기억 장치(301), I/O 포트(304)를 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(303), 기억 장치(301), I/O 포트(304)는 내부 버스(305)를 개재하여 CPU(302)와 데이터 교환 가능하도록 구성된다. 컨트롤러(300)에는 예컨대 터치패널 등으로서 구성된 입출력 장치(306)가 접속된다.
기억 장치(301)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성된다. 기억 장치(301) 내에는 기판 처리 장치의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 후술하는 기판 처리의 순서나 조건 등이 기재된 프로그램 레시피 등이 판독 가능하도록 격납된다. 또한 프로세스 레시피는 후술하는 기판 처리 공정에서의 각 순서를 컨트롤러(300)에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하 이 프로그램 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여 단순히 프로그램이라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 프로그램이하는 단어를 이용한 경우는 프로그램 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우 또는 그 양방(兩方)을 포함하는 경우가 있다. 또한 RAM(303)은 CPU(302)에 의해 판독된 프로그램이나 데이터 등이 일시적으로 보지(保持)되는 메모리 영역(work area)으로서 구성된다.
I/O 포트(304)는 전술한 제1 기판 이재기(112), 제2 기판 이재기(124), 제1 기판 이재기 엘리베이터(115), 제2 기판 이재기 엘리베이터(131), 게이트 밸브(126, 127, 128, 129, 150, 151, 152, 153), 리니어 액츄에이터(132), 클린 유닛(118), 포드 오프너(108), 센서(117)[투과형 센서(117a), 투과형 센서(117b)], 승강 기구(268), 회전 기구(267), 온도 센서(274), 온도 조정기(223), 전력 조정기(224), 히터 전원(225), MFC(232c, 233c, 234c, 235c, 236c, 237c), 밸브(232d, 233d, 234d, 235d, 236d, 237d), 리모트 플라즈마 생성 유닛(237e), APC 밸브(243), 유량 제어 밸브(245) 등에 접속된다.
CPU(302)는 기억 장치(301301터의 제어 프로그램을 판독하여 실행하는 것과 함께 입출력 장치(306)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(301)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성된다. 그리고 CPU(302)는 판독된 프로세스 레시피의 내용을 따르도록 MFC(232c, 233c, 234c, 235c, 236c, 237c)에 의한 가스의 유량 조정 동작, 밸브(232d, 233d, 234d, 235d, 236d, 237d)의 개폐 동작, APC 밸브(243)의 개폐 조정 동작 및 온도 센서(274)에 기초하는 온도 조정기(223)의 동작, 제1 기판 이재기(112), 제2 기판 이재기(124), 제1 기판 이재기 엘리베이터(115), 제2 기판 이재기 엘리베이터(131), 게이트 밸브(126, 127, 128, 129, 150, 151, 152, 153), 기판 지지대(140), 리니어 액츄에이터(132), 센서(117)[투과형 센서(117a), 투과형 센서(117b)]에 의한 기판 반송 동작 등을 제어하도록 구성된다.
또한 컨트롤러(300)는 전용의 컴퓨터로서 구성되는 경우에 한정되지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어도 좋다. 예컨대 전술한 프로그램을 격납한 외부 기억 장치(307)[예컨대 자기(磁氣) 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리]를 준비하고, 이와 같은 외부 기억 장치(307)를 이용하여 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해 본 실시 형태에 따른 컨트롤러(300)를 구성할 수 있다. 또한 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은 외부 기억 장치(307)를 개재하여 공급하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 인터넷이나 전용 회선 등의 통신 수단을 이용하여 외부 기억 장치(307)를 개재하지 않고 프로그램을 공급해도 좋다. 또한 기억 장치(301)이나 외부 기억 장치(307)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 기록 매체하는 단어를 이용한 경우는 기억 장치(301) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(307) 단체만을 포함하는 경우 또는 그 양방을 포함하는 경우가 있다.
다음으로 도 3을 이용하여 서셉터(217)의 주변 구조 및 서셉터(217)의 동작을 설명한다.
반응 용기(203)에는 제1 반송실(103)의 광체(101)가 게이트 밸브(150 내지 153) 중 어느 하나를 개재하여 인접하도록 설치된다. 예컨대 게이트 밸브(151)가 열리는 것에 의해 반응 용기(203) 내와 제1 반송실(103)의 광체(101)가 연통(連通)한다. 제1 기판 이재기(112)는 포드(100)로부터 제2 기판 이재기(124)를 개재하여 서셉터(217)의 기판 재치부(217b) 사이에서 기판(200)을 반송한다.
여기서 서셉터(217)에는 기판(200)을 재치하는 기판 재치부(217b)가 복수 형성된다. 본 실시 형태에서 기판 재치부(217b)는 각각이 순시계 방향에 대하여 등간격(예컨대 72°의 간격)이 되도록 5개 설치되고, 서셉터(217)가 회전하는 것에 의해 5개의 기판 재치부[217b(1) 내지 217b(5)]가 일괄하여 회전된다.
(3) 티칭 공정
계속해서 기판 처리 장치(10)의 초기 설정 중 하나인 티칭(Teaching) 공정에 대하여 도 6을 이용하여 설명한다. 티칭이란 예컨대 제1 기판 이재기(112)의 동작 포지션을 등록하는 것을 말한다. 구체적으로는 예컨대 제1 기판 이재기(112)의 트위저(113)가 기판 재치부(217b)에 기판(200)을 재치할 때의 트위저(113)가 적절한 위치 정보를 취득하고 기억부(301)에 등록하는 것이다. 이 위치 정보는 예컨대 트위저(113)의 진퇴 방향을 포함하는 면(수평면=도 1의 XY면)에서의 X방향과 Y방향의 위치 정보와, XY면에 수직한 방향(수직 방향=Z방향)에서의 위치 정보를 포함한다. Z방향은 제1 기판 이재기 엘리베이터(115)가 승강하는 방향이다. 또한 이 위치 정보는 후술하는 바와 같이 제1 기판 이재기(112)의 암(114)의 모터의 엔코더 값으로서 주어진다.
기판 처리 장치(10)의 초기 설정에서는 이 티칭을 적어도 제1 기판 이재기(112)에 대하여 수행한다. 바람직하게는 제2 기판 이재기(124)에 대해서도 수행한다. 제1 기판 이재기(112)에 대해서는, 각 처리실(202a, 202b, 202c, 202d)에서의 동작 포지션과 각 예비실(122, 123)에서의 동작 포지션을 등록한다. 제2 기판 이재기(124)에 대해서는, 각 포드(100)에서의 동작 포지션과 각 예비실(122, 123)에서의 동작 포지션을 등록한다.
여기서는 제1 기판 이재기(112)가 제2 처리실(202b)에 기판인 웨이퍼를 이동시킬 때의 티칭 공정을 설명한다. 또한 제1 기판 이재기(112)가 제1 처리실(202a), 제3 처리실(202c), 제4 처리실(202d)에 웨이퍼를 이동시킬 때의 티칭 공정은 처리실(202b)과 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
티칭 공정은 펜던트라고 불리는 수동 컨트롤러를 이용하여 조작원에 의해 제어된다. 수동 컨트롤러는 제어부(300)에 접속 및 탈착 가능하도록 이루어진다. 제어부(300)의 기억부(301)에는 수동 컨트롤러에 의한 제어를 수행하기 위한 수동 프로그램이 격납된다. CPU(302)는 수동 컨트롤러로부터의 조작 입력을 접수하고, 수동 프로그램에 기초하여 기판 처리 장치(10)의 각 구성부를 제어한다.
〔제1 티칭 공정〕
장치의 설치나 메인터넌스의 종료 후이며, 제1 반송실(103)과 처리실(202b)을 진공 상태로 하기 전에 대기 상태에서 제1 티칭을 수행한다. 이 상태에서는 제1 반송실(103)이나 처리실(202b)의 상단 덮개를 연 상태로 할 수 있기 때문에 육안에 의한 웨이퍼의 위치 확인이 용이하다. 우선 수동 컨트롤러를 이용하여 기판 재치부[217b(1)]가 게이트 밸브(151)와 인접하도록 회전 기구(267)에 의해 서셉터(217)를 회전시킨 후, 정지시킨다. 반응 용기(203)의 기판 재치부[217b(1) 내지 217b(5)]가 게이트 밸브(151)와 인접하는 위치에는 서셉터(217)의 정지 위치를 결정하는 서셉터 정지 기구가 각각 설치된다. 서셉터 정지 기구는 서셉터(217)의 회전 위치를 검출하는 위치 검출 센서나 정지 위치를 규제하는 정지판 등의 스톱퍼를 포함한다. 서셉터 정지 기구에 의해 기판 재치부[217b(1) 내지 217b(5)]는 각각 같은 위치에서 정지한다.
다음으로 수동 컨트롤러에 의해 제1 기판 이재기(112)의 트위저(113)를 기판 재치부[217b(1)]를 향하여 이동시킨다. 이때 트위저(113) 상에는 예컨대 조작원에 의해 수동으로 소정의 정확한 위치에 웨이퍼가 재치된다. 그리고 도 6에 도시하는 바와 같이 트위저(113) 상에 재치된 웨이퍼의 중심(200a)이 직선(117c)을 따라 2개의 센서(117a), 센서(117b) 사이의 중심을 통과하도록 경로를 조정한다. 즉 직선(117c)은 웨이퍼의 중심(200a)의 이동 경로다.
이 직선(117c)은 제1 기판 이재기(112)의 트위저(113)가 가장 축퇴(縮退)한 위치(도 1 참조)와 기판 재치부[217b(1)]를 연결하는 직선이다. 구체적으로는 트위저(113) 상의 정확한 위치에 웨이퍼가 재치되는 경우에 트위저(113)가 가장 축퇴한 위치에 있을 때의 웨이퍼의 중심과 트위저(113) 상의 웨이퍼가 기판 재치부[217b(1)] 상의 정확한 위치에 재치될 때의 웨이퍼의 중심을 연결하는 직선이다. 또한 트위저(113)가 가장 축퇴한 위치란 도 1에서의 트위저(113)의 위치, 즉 직선(117c) 상에서 트위저(113)가 기판 재치부[217b(1)]로부터 가장 먼 위치다.
트위저(113)가 기판 재치부[217b(1)] 상에 이동하여 트위저(113) 상의 웨이퍼가 정확한 위치에 도달하면, 즉 트위저(113)가 기판 재치부[217b(1)]에서 웨이퍼를 재치해야 할 정확한 위치에 도달하면, 그 위치에서의 트위저(113)의 위치 정보를 수동 컨트롤러에 의해 기억부(301)에 기억시킨다. 트위저(113)의 위치 정보란 예컨대 암(114)의 축[암(114)의 XY면에서의 수평 회전 동작을 가능하게 하는 Z방향 축] 상의 소정의 위치를 기준 위치로 하여 그 기준 위치로부터 어느 정도 암이 움직였는지를 좌표로 파악한 정보다. 구체적으로는 예컨대 암(114)을 움직이는 모터의 엔코더 값이 트위저(113)가 가장 축퇴한 상태[제1 기판 이재기 엘리베이터(115) 상에 있는 상태, 도 1 참조]에서의 값을 기준값으로 하고 트위저(113)가 기판 재치부[217b(1)]에서 웨이퍼를 재치해야 할 정확한 위치에 도달했을 때의 엔코더 값을 기판 재치부[217b(1)]에서의 트위저(113)의 위치 정보로 한다.
이와 같이 하여 기판 재치부[217b(1)]에서의 트위저(113)의 위치 정보를 기억부(301)에 기억시킨 후, 기판 재치부[217b(2)]가 게이트 밸브(151)와 인접하도록 수동 컨트롤러를 이용하여 회전 기구(267)에 의해 서셉터(217)를 회전시킨 후, 정지시킨다. 즉 기판 재치부[217b(2)]는 기존에 기판 재치부[217b(1)]가 존재했던 위치에 이동한다. 이때 기구적 제한이나 이동 정밀도[精度]의 문제로 기판 재치부[217b(1)]가 존재했던 위치와 기판 재치부[217b(2)]의 이동 후의 위치가 정확하게 동일한 위치가 된다는 보장은 없기 때문에 기판 재치부[217b(2)]에서도 티칭을 수행한다.
기판 재치부[217b(1)]의 티칭과 마찬가지로 수동 컨트롤러에 의해 제1 기판 이재기(112)의 트위저(113)를 기판 재치부[217b(2)]를 향하여 이동시킨다. 트위저(113)가 기판 재치부[217b(2)]에서 웨이퍼를 재치해야 할 위치에 도달하면, 그 위치에서의 트위저(113)의 위치 정보를 수동 컨트롤러에 의해 기억부(301)에 기억시킨다.
기판 재치부[217b(3)] 내지 기판 재치부[217b(5)]에 대해서도 마찬가지로 기판 재치부(217b)에서의 트위저(113)의 위치 정보를 수동 컨트롤러에 의해 기억부(301)에 기억시킨다. 이와 같이 하여 제1 기판 이재기(112)의 이동 경로를 설정한다. 이하 기판 재치부(217b)에서 트위저(113)가 웨이퍼를 재치해야 할 위치에서의 트위저(113)의 위치 정보를 티칭 데이터라고 부른다.
〔제2 티칭 공정〕
다음으로 기판 처리 장치(10)를 기판 처리 시에 가까운 상태로 한다. 구체적으로는 제1 반송실(103)을 진공 상태로 하고, 제2 처리실(202b)을 진공 상태로 하고, 또한 히터(218)에 전력을 공급하여 기판을 가열한 상태로 한다. 기판 처리 시의 기판 처리 장치(10)의 상태는 온도나 압력 등이 제1 티칭 공정에서의 상태와 다르기 때문에 기판 처리 시에서의 트위저(113)의 위치는 제1 티칭 공정에서의 그것과 다르다. 그렇기 때문에 제1 티칭 공정에서의 트위저(113)의 위치 정보(제1 티칭 데이터)를 기판 처리 시에 가까운 상태에서 수행되는 제2 티칭 공정에서 수정한다. 제2 티칭 공정의 상태에서는 제1 반송실(103)이나 처리실(202b) 상단 덮개가 닫히기 때문에 육안에 의한 웨이퍼의 위치 확인이 어려워지지만, 제1 티칭 데이터를 이용하기 때문에 육안에 의한 웨이퍼의 위치 확인 범위를 작게 할 수 있다. 제1, 제2 티칭을 병용하는 것에 의해 결과적으로 기판 처리 시의 상태에서의 티칭을 효율적으로 진행시킬 수 있다.
다음으로 거의 기판 처리 시의 조건 하에서 수동 컨트롤러에 의해 제1 기판 이재기(112)의 트위저(113)를 기판 재치부[217b(1)]를 향하여 이동시킨다. 이때 트위저(113) 상에는 예컨대 조작원에 의해 수동으로 소정의 정확한 위치에 웨이퍼가 재치되고, 제1 티칭 데이터에 기초하여 트위저(113)를 이동시킨다. 트위저(113)를 제1 티칭 데이터에 기초하여 이동시킨 후, 수동 컨트롤러를 이용하여 육안에 의해 웨이퍼 위치를 확인하면서 트위저(113)의 위치를 조정하여 기판 재치부[217b(1)]에서 웨이퍼를 재치해야 할 위치에 도달시킨다. 트위저(113)가 기판 재치부[217b(1)] 상에 이동하고, 트위저(113) 상의 웨이퍼가 정확한 위치에 도달한 후, 즉 트위저(113)가 기판 재치부[217b(1)]에서 웨이퍼를 재치해야 할 정확한 위치(재치부 기준 위치)에 도달한 후, 그 위치에서의 트위저(113)의 위치 정보[기판 이재기(112)의 모터의 엔코더 값]를 기판 재치부[217b(1)]에 대한 제2 티칭 데이터T1(제1 재치부 기준 위치 정보s1)로서 수동 컨트롤러에 의해 기억부(301)에 기억시킨다. 이와 같이 재치부 기준 위치는 기판 재치부(217b)에서의 기판 이재기(112)[즉 트위저(113)]의 기준 위치이며, 재치부 기준 위치 정보s1은 재치부 기준 위치를 나타내는 정보다.
이와 같이 하여 기판 재치부[217b(1)]에서의 트위저(113)의 위치 정보(제2 티칭 데이터)를 기억부(301)에 기억시킨 후, 기판 재치부[217b(2)]가 게이트 밸브(151)와 인접하도록 수동 컨트롤러를 이용하여 회전 기구(267)에 의해 서셉터(217)를 회전시킨다. 이때 기구적 제한이나 이동 정밀도의 문제로 기판 재치부[217b(1)]가 존재했던 위치와 기판 재치부[217b(2)]의 이동 후의 위치가 동일한 위치가 된다는 보장은 없기 때문에 제1 티칭과 마찬가지로 기판 재치부[217b(2)]에서도 제2 티칭을 수행한다.
기판 재치부[217b(1)]의 제2 티칭과 마찬가지로 수동 컨트롤러에 의해 제1 기판 이재기(112)의 트위저(113)를 기판 재치부[217b(2)]를 향하여 이동시킨다. 그 후, 수동 컨트롤러를 이용하여 트위저(113)의 위치를 육안 조정하고, 트위저(113)가 기판 재치부[217b(2)]에서 웨이퍼를 재치해야 할 위치에 도달하면, 그 위치에서의 트위저(113)의 위치 정보를 기판 재치부[217b(2)]에 대한 제2 티칭 데이터T2(제2 재치부 기준 위치 정보s1)로서 수동 컨트롤러에 의해 기억부(301)에 기억시킨다.
기판 재치부[217b(3)] 내지 기판 재치부[217b(5)]도 마찬가지로 트위저(113)의 위치 정보(제2 티칭 데이터T3 내지 T5)인 제3 내지 제5 재치부 기준 위치 정보s1을 기억시킨다. 이와 같이 하여 기판 재치부[217b(n)]에 대한 제2 티칭 데이터Tn(제n 재치부 기준 위치 정보s1)을 기억시킨다. 이와 같이 하여 제1 티칭에서 설정된 이동 경로에 비해 보다 기판 처리 시의 환경에 적합한 이동 경로가 설정된다.
기판 재치부[217b(1) 내지 217b(n)]에서 웨이퍼를 재치해야 할 위치(재치부 기준 위치)에서의 트위저(113)의 위치 정보인 재치부 기준 위치 정보s1의 예컨대 XY 좌표값이 각각 제2 티칭 데이터T1 내지 Tn(n은 기판 재치부[217b(n)]의 n에 상당, 엔코더 값)의 정보를 바탕으로 계산되고, 기억부(301)에 기억된다. 재치부 기준 위치 정보s1은 복수의 기판 재치부(217b) 각각에서 웨이퍼를 재치하기 위한 제1 기판 이재기(112)의 기준 위치를 나타낸다. 이와 같이 하여 재치부 기준 위치 정보s1은 기판 재치부[217b(1) 내지 217b(n)]에 대하여 제1 재치부 기준 위치 정보s1 내지 제n 재치부 기준 위치 정보s1로서 설정된다(n은 기판 재치부[217b(n)]의 n에 상당).
다음으로 기판 재치부[217b(2) 내지 217b(n)]에서의 각 재치부 기준 위치 정보s1과, 기판 재치부[217b(1)]에서의 제1 재치부 기준 위치 정보s1의 차이인 차분(差分) 정보를 구하는 방법을 설명한다. 이 차분 정보는 후술하는 기판 위치 기준 정보sk나 기판 재치 위치 정보s3을 구할 때 등에 이용한다. 기판 재치부[217b(1)]에서의 제1 재치부 기준 위치 정보s1과 기판 재치부[217b(2)]에서의 제2 재치부 기준 위치 정보s1의 차분 정보는 제2 티칭 데이터T1과 T2의 차이(엔코더 값)다. 마찬가지로 제1 재치부 기준 위치 정보s1과 기판 재치부[217b(n)]에서의 제n 재치부 기준 위치 정보s1의 차분 정보는 제2 티칭 데이터T1과 Tn의 차이(엔코더 값)다. 또한 이 차분 정보는 반드시 티칭 공정에서 산출할 필요는 없고, 후술하는 기판 위치 기준 정보sk 취득 공정이나 기판 재치 위치 정보s3취득 공정에서 산출해도 좋다. 이 차분 정보를 이용하는 것에 의해 후술하는 기판 위치 기준 정보sk 취득 공정이나 기판 재치 위치 보정 공정에서 회전하는 기판 재치부(217b)에 맞춰서 보다 효율적이고 또한 정확한 위치 보정이 가능해진다.
(4) 웨이퍼 이동 경로에서의 기판 위치 기준 정보sk의 취득 공정
계속해서 티칭 공정 후에 수행하는 장치의 초기 설정 중 하나인 웨이퍼 이동 경로에서의 기판의 기준 위치 정보인 기판 위치 기준 정보sk의 취득 공정에 대하여 설명한다. 이 기판 위치 기준 정보sk의 취득은 다음 목적으로 수행한다. 즉 미리 웨이퍼 이동 경로에서의 트위저(113)의 기준 위치[경로부(經路部) 기준 위치]에서 트위저(113) 상의 정확한 위치에 지지되는, 즉 적절한 위치에 있는 웨이퍼의 위치 정보(기판 위치 기준 정보sk)를 취득한다. 그리고 기판 처리할 때의 기판 반송 시에 상기 경로부 기준 위치에서 웨이퍼의 위치 정보p를 취득하고, 상기 취득한 웨이퍼 위치 정보p와 기판 위치 기준 정보sk를 비교한다. 이와 같이 하여 기판을 처리할 때의 기판 반송 시에서의 웨이퍼 위치의, 기판 위치 기준 정보sk로부터의 위치 어긋남량d를 검출한다. 그리고 웨이퍼의 위치 어긋남량d에 기초하여 기판 재치부(217b)가 적절한 위치에 웨이퍼를 재치한다. 웨이퍼의 위치 어긋남은 통상적으로 수평면(XY면) 내에서 발생하고, Z축 방향에는 발생하지 않기 때문에, 여기서는 수평면(XY면) 내에서의 기판 위치 기준 정보sk의 취득 공정에 대하여 설명한다. 이와 같이 경로부 기준 위치는 웨이퍼 이동 경로에서의 기판 이재기(112)[즉 트위저(113)]의 기준 위치이며, 기판 위치 기준 정보sk는 제1 반송실(103) 내에서 반송 중의 웨이퍼의 기준 위치를 나타내는 정보다.
티칭 공정에서는 수동 컨트롤러에 의해 제1 기판 이재기(112)의 동작을 제어하였지만, 기판 위치 기준 정보sk의 취득 공정에서는 제2 티칭 데이터에 기초하여 제어부(300)가 제1 기판 이재기(112)의 동작을 제어한다.
기판 위치 기준 정보sk의 취득은 기판 처리 장치(10)가 기판 처리 시에 가까운 상태에서 수행된다. 구체적으로는 제1 반송실(103)을 진공 상태로 하고, 처리실(202b)을 진공 상태로 하고, 또한 히터(218)에 전력을 공급하여, 기판을 가열한 상태로 한다. 또한 센서(117)를 가동시킨다.
이하 기판 위치 기준 정보sk를 취득하는 구체적인 방법을 설명한다. 우선 기판 재치부[217b(1)]에 대한 기판 위치 기준 정보sk의 취득 방법을 설명한다.
제어부(300)의 조작부에서의 조작원의 지시에 기초하여 기판 재치부[217b(1)]가 게이트 밸브(151)와 인접하도록 회전 기구(267)가 서셉터(217)를 회전시키고 정지시킨다.
다음으로 제어부(300)가 웨이퍼를 정확한 위치에 지지한 상태의 트위저(113)를 기판 재치부[217b(1)]를 향하여 이동시킨다. 전술한 티칭 작업에 의해 취득한 트위저(113)의 제1 재치부 기준 위치 정보s1(제2 티칭 데이터T1)에 기초하여 상기 제1 재치부 기준 위치 정보s1에 의해 설정된 경로를 따라 도 6에 도시하는 바와 같이 웨이퍼의 중심(200a)이 2개의 센서(117a), 센서(117b) 사이를 통과한다.
센서(117a), 센서(117b) 각각이 웨이퍼의 단부인 웨이퍼 에지를 검지하면, 제어부(300)는 센서(117a)가 검지한 시각t1과 센서(117b)가 검지한 시각t2의 시간 차이t에 기초하여 센서(117a)가 검지한 시각t1에서의 웨이퍼의 중심 위치(A)의 위치 정보(예컨대 XY 좌표값)를 기판 재치부[217b(1)]로의 웨이퍼 이동 경로에서의 기판 위치 기준 정보sk(제1 기판 위치 기준 정보sk)로서 기억부(301)에 기록한다. 이때 센서(117a)가 검지한 시각t1에서의 트위저(113)의 위치 정보(경로부 기준 위치 정보s2=엔코더 값ek)를 기판 위치 기준 정보sk와 대응시켜 기억부(301)에 기록한다. 엔코더 값ek는 XY면 내에서의 X방향과 Y방향의 엔코더 값을 포함한다. 또한 센서(117b)가 검지한 시각t2에서의 트위저(113)의 위치를 경로부 기준 위치로 해도 좋다.
구체적으로는 제어부(300)는 시각t1에서 센서(117a)로 웨이퍼 에지(C)를 검지하고, 시각t2에서 센서(117b)로 웨이퍼 에지(D)를 검지한다. 트위저(113)의 이동 속도는 이동 시작 시와 이동 종료 시에서 지체되지만, 제1 반송실(103)과 처리실(202)의 경계 부근에서는 상시 일정값V가 된다. 또한 웨이퍼의 이동 방향은 이동 경로(117c)와 평행한 방향이다. 센서(117a)와 센서(117b)의 위치, 원형의 웨이퍼의 크기(반지름)는 기지(旣知)다. 시각t1에서의 웨이퍼 에지(C)의 위치는 센서(117a)와 중첩되기 시작하는 위치다.
따라서 트위저(113)의 이동 속도V와, 시각t1과 시각t2의 시간 차이에 기초하여 시각t1에서의 웨이퍼 에지(D)의 위치를 알 수 있다. 그리고 시각t1에서의 웨이퍼 에지(C, D)의 위치와, 원형의 웨이퍼의 크기에 기초하여 시각t1에서의 웨이퍼 중심A의 위치를 알 수 있다. 즉 시각t1과 시각t2의 시간 차이에 기초하여 A의 위치 정보(기판 위치 기준 정보sk)를 취득할 수 있다. A의 위치 정보는 예컨대 도 6에 도시하는 XY 좌표의 좌표값(xk, yk)으로서 나타낼 수 있다.
이와 같이 하여 처리실(202b)의 기판 재치부[217b(1)]에 대한 경로부 기준 위치에서의 기판 위치 기준 정보sk(제1 기판 위치 기준 정보sk)이 취득되어, 경로부 기준 위치에서의 트위저(113)의 위치 정보(경로부 기준 위치 정보s2=엔코더 값ek)과 대응 붙일 수 있어서 기억부(301)에 기억된다.
다음으로 기판 재치부[217b(n)]에 대한 기판 위치 기준 정보sk(제n 기판 위치 기준 정보sk)의 취득 방법을 설명한다. 기판 재치부[217b(1)]에 대해서는 전술과 같이 제1 재치부 기준 위치 정보s1을 이용하여 트위저(113)를 움직이는 것에 의해 제1 기판 위치 기준 정보sk를 취득하였다. 기판 재치부[217b(n)]에 대한 제n 기판 위치 기준 정보sk의 취득에서는 제1 재치부 기준 위치 정보s1과 제n 재치부 기준 위치 정보s1을 이용하여 트위저(113)를 움직이지 않고 제n 기판 위치 기준 정보sk를 취득한다. 즉 제1 재치부 기준 위치 정보s1과 제n 재치부 기준 위치 정보s1의 차분 정보와 제1 재치부 기준 위치 정보s1에 기초하여, 제n 기판 위치 기준 정보sk를 산출한다. 예컨대 제n 기판 위치 기준 정보sk는 제1 재치부 기준 위치 정보s1과 제n 재치부 기준 위치 정보s1의 차분 정보(엔코더 값)를 XY 좌표값으로 변환하고, 이와 제1 재치부 기준 위치 정보s1의 XY 좌표값을 가산하는 것에 의해 산출된다. 이와 같이 하여 기판 재치부[217b(2)] 내지 기판 재치부[217b(5)]에 대한 기판 위치 기준 정보sk(제2 기판 위치 기준 정보sk 내지 제5 기판 위치 기준 정보sk)를 산출하는 것에 의해, 기판 재치부[217b(2)] 내지 기판 재치부[217b(5)]의 기판 위치 기준 정보sk 취득 시에 트위저(113)를 실제로 움직여서 데이터를 취득할 필요가 없어지기 때문에 기판 위치 기준 정보sk의 수집 시간을 단축하는 것이 가능해진다.
다른 처리실(202a, 202c, 202d)에 대해서도 처리실(202b)과 마찬가지로 경로부 기준 위치(엔코더 값ek)에서의 기판 위치 기준 정보sk가 취득되고, 경로부 기준 위치에서의 트위저(113)의 위치 정보인 경로부 기준 위치 정보s2(엔코더 값ek)와 대응시켜 기억부(301)에 기억된다.
그리고 후술하는 기판을 처리할 때의 기판 반송 시에서 트위저(113) 상의 웨이퍼 위치가 정확한 위치로부터 어긋난 경우에 상기 기판 반송 시에 경로부 기준 위치(엔코더 값ek)에서 검출한 트위저(113) 상의 웨이퍼 위치 정보p[예컨대 XY 좌표값(x, y)]과, 기판 위치 기준 정보sk(xk, yk)에 기초하여, 트위저(113) 상의 웨이퍼 위치 어긋남 정보를 취득한다. 또한 상기 웨이퍼 위치 어긋남 정보와 재치부 기준 위치 정보s1에 기초하여 웨이퍼를 재치해야 할 정확한 트위저(113)의 위치 정보(기판 재치 위치 정보s3)를 취득한다. 그리고 기판 재치 위치 정보s3에 기초하여 기판 재치부[217b(1)]에서 웨이퍼를 재치해야 할 정확한 위치에 트위저(113)를 이동시킨다.
여기서 기판을 처리할 때의 기판 반송 시에서 검출한 웨이퍼 위치 정보p와 웨이퍼 위치 어긋남 정보와 기판 위치 기준 정보sk는 예컨대 XY 좌표값으로 나타낼 수 있다. 또한 재치부 기준 위치 정보s1과 경로부 기준 위치 정보s2와 기판 재치 위치 정보s3은 제1 기판 이재기(112)의 모터의 엔코더 값으로 나타낼 수 있다. 여기서 XY 좌표값과 엔코더 값의 대응을 나타내는 환산표를 미리 기억부(301)에 기억해둔다. 제어부(300)는 기판 처리 시에 취득한 웨이퍼 위치 어긋남 정보를 엔코더 값으로 환산하여 기판 재치 위치 정보s3을 취득한다.
(5) 기판 처리 공정
이하 상기 구성을 포함하는 기판 처리 장치(10)를 사용한 처리 공정을 설명한다. 이하의 공정은 도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이 컨트롤러(300)에 의해 제어된다. 컨트롤러(300)는 상기 구성에서 장치 전체를 제어한다.
〔기판 반송 공정〕
기판(200)[200(1), 200(2), …, 200(25)]은 최대 25매가 포드(100)에 수납된 상태에서 처리 공정을 실시하는 기판 처리 장치(10)에 공정 내 반송 장치에 의해 반송된온다. 도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이 반송된 포드(100)는 로드 포트(105) 상에 공정 내 반송 장치로부터 수도(受渡)되어 재치된다. 포드(100)의 캡(100a)이 포드 오프너(108)에 의해 제거되어 포드(100)의 기판 출입구가 개방된다.
포드(100)가 포드 오프너(108)에 의해 개방되면, 제2 반송실(121)에 설치된 제2 기판 이재기(124)는 포드(100)로부터 1매째의 기판(200)(1)을 픽업하여 예비실(122)에 반입하고, 기판(200)(1)을 기판 지지대(140)에 이재한다. 이 이재 작업 중에는 예비실(122)의 제1 반송실(103)측의 게이트 밸브(126)는 닫히고, 제1 반송실(103) 내의 부압은 유지된다. 포드(100)에 수납된 기판(200)(1)을 기판 지지대(140)로 이재 완료하면 게이트 밸브(128)가 닫히고, 예비실(122) 내가 배기 장치(도시되지 않음)에 의해 부압으로 배기된다.
예비실(122) 내가 미리 설정된 압력값이 되면 게이트 밸브(126)가 열리고, 예비실(122)과 제1 반송실(103)이 연통된다. 계속해서 제1 반송실(103)의 제1 기판 이재기(112)는 기판 지지대(140)로부터 기판(200)을 제1 반송실(103)에 반입한다.
게이트 밸브(126)가 닫힌 후, 게이트 밸브(151)가 열려 제1 반송실(103)과 제2 처리실(202b)이 연통된다. 이때 기판 재치부[217b(1)]와 게이트 밸브(151)가 인접하여 대향하는 위치가 되도록 회전 기구(267)가 서셉터(217)의 회전 위치를 조정한다.
제1 기판 이재기(112)는 후술하는 기판 재치 위치 보정 공정에 의해 얻어진 기판 재치 위치 정보s3(1)에 기초하여 제1 기판(200)(1)을 이동시키고, 기판 재치부[217b(1)]에 기판을 재치한다.
게이트 밸브(151)가 닫힌 후, 기판(200)(1)과 마찬가지로 n번째의 기판[200(n)]을 예비실(122)을 개재하여 제1 기판 이재기(112)에 재치한다. 이와 병행하여 기판 재치부[217b(n)]와 게이트 밸브(151)가 인접하는 위치가 되도록 회전 기구(267)가 서셉터(217)의 회전 위치를 조정한다.
제1 기판 이재기(112)는 후술하는 기판 재치 위치 보정 공정에 의해 얻어진 기판 재치 위치 정보s3(n)에 기초하여 제n 기판[200(n)]을 이동시키고, 기판 재치부[217b(n)]에 기판을 재치한다.
각 기판 재치부(217b)에 기판(200)이 재치된 후, 제2 처리실(202) 내에 처리 가스가 공급되어 각 기판(200)에 대하여 가열 처리 등의 원하는 처리가 수행된다.
제2 처리실(202b)에서 기판(200)에 대한 처리가 완료되면, 게이트 밸브(151)가 열리고, 기판(200)은 제1 기판 이재기(112)에 의해 제1 반송실(103)에 반출된다. 반출 후, 게이트 밸브(151)는 닫힌다.
계속해서 게이트 밸브(126)가 열리고, 제1 기판 이재기(112)는 제2 처리실(202b)로부터 반출한 기판(200)을 예비실(123)의 기판 지지대(140)에 반송하고, 처리 완료된 기판(200)은 냉각된다.
예비실(123)에 처리 완료 기판(200)을 반송하고, 미리 설정된 냉각 시간이 경과하면, 예비실(123)이 불활성 가스에 의해 대략 대기압으로 되돌려진다. 예비실(123) 내가 대략 대기압으로 되돌려지면, 게이트 밸브(129)가 열려 로드 포트(105)에 재치된 빈 포드(100)의 캡(100a)이 포드 오프너(108)에 의해 열린다.
계속해서 제2 반송실(121)의 제2 기판 이재기(124)는 기판 지지대(140)로부터 기판(200)을 제2 반송실(121)에 반출하고, 제2 반송실(121)의 기판 반입 반출구(134)를 통해서 포드(100)에 수납한다.
여기서 포드(100)의 캡(100a)은 최대 25매의 기판이 되돌려질 때까지 계속해서 열어도 좋고, 빈 포드(100)에 수납하지 않고 기판을 반출한 포드에 되돌려도 좋다.
이상의 동작이 반복되는 것에 의해 25매의 처리 완료된 기판(200)이 포드(100)로의 수납이 완료되면, 포드(100)의 캡(100a)이 포드 오프너(108)에 의해 닫힌다. 닫힌 포드(100)는 로드 포트(105) 상으로부터 다음 공정으로 공정 내 반송 장치에 의해 반송된다.
이상의 동작은 제2 처리실(202b) 및 예비실(122, 123)이 사용되는 경우를 예로 들어 설명했지만, 제1 처리실(202a) 및 제3 처리실(202c), 제4 처리실(202d)이 사용되는 경우에 대해서도 마찬가지의 동작이 실시된다.
또한 여기서는 4개의 처리실로 설명했지만 이에 한정되지 않고, 대응하는 기판이나 형성하는 막의 종류에 따라 처리실 수를 결정해도 좋다.
또한 전술한 기판 처리 장치에서는 예비실(122)을 반입용, 예비실(123)을 반출용으로 했지만, 예비실(123)을 반입용, 예비실(122)을 반출용으로 해도 좋고, 예비실(122) 또는 예비실(123)을 반입용과 반출용으로서 병용해도 좋다.
또한 예비실(122) 또는 예비실(123)을 반입용과 반출용의 전용으로 하는 것에 의해, 크로스 컨태미네이션(Cross Contamination)을 저감할 수 있고, 병용하는 것에 의해 기판의 반송 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 모든 처리실에서 같은 처리를 수행해도 좋고, 각 처리실에서 다른 처리를 수행해도 좋다. 예컨대 제1 처리실(202a)과 제2 처리실(202b)에서 다른 처리를 수행하는 경우, 제1 처리실(202a)에서 기판(200)에 일정 처리를 수행한 후, 계속해서 제2 처리실(202b)로 다른 처리를 수행해도 좋다. 제1 처리실(202a)에서 기판(200)에 일정 처리를 수행한 후, 제2 처리실(202b)로 다른 처리를 수행하는 경우, 예비실(122) 또는 예비실(123)을 경유해도 좋다.
또한 처리실은 적어도 처리실(202a 내지 202b) 중 어느 1개소의 연결이 이루어지면 좋고, 처리실(202c, 202d)의 2개소 등, 처리실(202a 내지 202d)의 최대 4개소의 범위에서 가능한 조합이라면 여러 개소 연결해도 좋다.
또한 장치로 처리하는 기판의 매수는 1매이어도 좋고, 복수 매이어도 좋다. 마찬가지로 예비실(122 또는 123)에서 쿨링하는 기판에 대해서도 1매이어도 좋고, 복수 매이어도 좋다. 처리 완료된 기판을 병행하여 쿨링할 수 있는 매수는 예비실(122 및 123)의 슬롯에 투입 가능한 최대 4매의 범위 내라면 어떤 조합이어도 좋다.
또한 예비실(122) 내에서 처리 완료된 기판을 반입하여 냉각을 수행하는 도중에 예비실(122)의 게이트 밸브를 개폐하여 처리실에 기판을 반입하고, 기판의 처리를 수행해도 좋다. 마찬가지로 예비실(123) 내에서 처리 완료된 기판을 반입하여 냉각을 수행하는 도중에 예비실(123)의 게이트 밸브를 개폐하여 처리실에 기판을 반입하고, 기판의 처리를 수행해도 좋다.
여기서 충분한 냉각 시간을 두지 않고 대략 대기(大氣)측의 게이트 밸브를 열면, 기판(200)의 복사열에 의해 예비실(122 또는 123) 또는 예비실의 주변에 접속되는 전기 부품을 손상시킬 가능성이 있다. 그렇기 때문에 고온의 기판을 쿨링하는 경우에는 예비실(122) 내에 처리 완료된 큰 복사열을 가지는 기판을 반입하여 냉각을 수행하는 도중에 예비실(123)의 게이트 밸브를 개폐하여 처리실에 기판을 반입하고, 기판의 처리를 수행할 수 있다. 마찬가지로 예비실(123) 내에 처리 완료된 기판을 반입하여 냉각을 수행하는 도중에 예비실(122)의 게이트 밸브를 개폐하여 처리실에 기판을 반입하고, 기판의 처리를 수행하는 것도 가능하다.
〔기판 재치 위치 보정 공정〕
다매의 웨이퍼[기판(200)]를 처리하면, 경시적으로 트위저(113)나 암(114) 등의 부품이 변형되는 경우가 있다. 그와 같은 경우, 예컨대 도 7에 도시하는 바와 같이 수평면(XY면) 내에서 트위저(113) 상의 본래의 위치로부터 웨이퍼가 어긋나는 것에 의해 본래의 웨이퍼 이동 경로(117c)로부터 웨이퍼가 어긋날 것으로 생각된다. 도 7은 제1 실시 형태에 따른 웨이퍼 위치 어긋남을 도시하는 도면이다. 트위저(113) 상의 웨이퍼가 센서(117a), 센서(117b) 사이의 이동 경로(117c)로부터 어긋난 경우, 그 상태로는 웨이퍼를 기판 재치부(217b)가 적절한 위치에 재치할 수 없다.
그래서 트위저(113) 상의 웨이퍼가 본래의 위치로부터 어긋난 경우, 서셉터(217)로의 웨이퍼 반송 중에 다음과 같은 기판 재치 위치 보정 공정을 실시한다. 도 7에서 부호(B)는 기판 처리 시에서의 웨이퍼 반송 중에서 트위저(113)가 전술한 경로부 기준 위치에 있을 때(이때 시각tk로 한다), 즉 제1 기판 이재기(112)의 모터의 엔코더 값이 ek를 나타낼 때의 웨이퍼의 중심 위치를 나타낸다. 부호(A)는 도 6에 도시한 부호(A)의 위치이며, 전술한 기판 위치 기준 정보sk 취득 시에 트위저(113)가 경로부 기준 위치(엔코더 값ek)에 있을 때의 웨이퍼의 중심 위치를 나타낸다. 도 7의 경우, 경로부 기준 위치에서 웨이퍼의 중심(200a)은 본래의 정확한 위치인 부호(A)에서 부호(B)로 위치가 어긋난다. 여기서 도 6의 상태는 트위저(113)나 암(114) 등의 부품이 변형되지 않은 경우이며, 도 7은 트위저(113)나 암(114) 등의 부품이 변형된 경우다. 그렇기 때문에 각각에서 경로부 기준 위치 정보s2를 이용하여 트위저(113)나 암(114)을 이동시켜도 웨이퍼 위치가 어긋난다.
제어부(300)는 센서(117a)와 센서(117b)로 웨이퍼의 유무를 검출, 즉 웨이퍼 에지를 검출할 수 있다. 여기서 제어부(300)는 시각t11에서 센서(117b)로 웨이퍼 에지(D)를 검지하고, 시각t12에서 센서(117a)로 웨이퍼 에지(C)를 검지한다. 전술한 시각tk는 시각t11이나 시각t12와 달라도 좋다. 전술한 바와 같이 트위저(113)의 이동 속도는 제1 반송실(103)과 처리실(202)의 경계 부근에서는 상시 일정값V가 된다. 또한 웨이퍼의 이동 방향은 이동 경로(117c)의 방향이다. C는 센서(117a)가 검지했을 때의 웨이퍼 에지이며, D는 센서(117b)가 검지했을 때의 웨이퍼 에지다. 센서(117a)와 센서(117b)의 위치, 원형의 웨이퍼의 크기(반지름)는 기지다. 시각t11에서의 웨이퍼 에지(D)의 위치는 센서(117b)와 중첩되기 시작하는 위치다.
따라서 트위저(113)의 이동 속도V와, 시각t11과 시각t12의 시간 차이에 기초하여 시각t11에서의 웨이퍼 에지(C)의 위치를 알 수 있다. 그리고 시각t11에서의 웨이퍼 에지(C, D)의 위치와, 원형의 웨이퍼의 크기에 기초하여 시각t11에서의 B의 위치를 알 수 있다. 그리고 트위저(113)가 경로부 기준 위치에 도달했을 때의 시각tk와 시각t11의 시간 차이와, 트위저(113)의 이동 속도V에 기초하여, 트위저(113)가 경로부 기준 위치에 있을 때의 B의 위치를 알 수 있다. 즉 시각t11과 시각t12의 시간 차이와, 시각t11과 시각tk의 시간 차이에 기초하여, 경로부 기준 위치에서의 웨이퍼의 중심 위치(B)의 위치 정보를 취득할 수 있다. 부호(B)의 위치 정보는 센서(117)와 제어부(300)를 포함하여 구성되는 기판 위치 검출부로 검출한 웨이퍼 위치를 나타내는 검출 위치 정보이며, XY 좌표(x, y)로 나타낼 수 있다.
이와 같이 하여 제어부(300)는 경로부 기준 위치에서의 A의 위치 정보(xk, yk)와 B의 위치 정보(x, y)의 차이인 웨이퍼 위치 어긋남량d(dx, dy)를 취득한다. 그리고 웨이퍼 위치 어긋남량d가 소정의 범위 내인 경우, 예컨대 웨이퍼 위치 어긋남량d가 2mm 이내인 경우에는 웨이퍼 위치 어긋남량d와 재치부 기준 위치 정보s1에 기초하여 기판 처리 시에 기판 재치부(217b)에 웨이퍼를 재치해야 할 트위저(113)의 위치 정보인 기판 재치 위치 정보s3을 취득한다. 이때 웨이퍼 위치 어긋남량d는 엔코더 값ed로 환산된다. 예컨대 재치부 기준 위치 정보s1의 엔코더 값이 et이며, 경로부 기준 위치에서의 웨이퍼 위치 어긋남량d의 엔코더 값으로의 환산값이 ed인 경우에는 기판 처리 시에서 웨이퍼를 재치해야 할 기판 재치 위치 정보s3은 (et+ed)이 된다.
또한 위치 어긋남량d의 (dx, dy)는 예컨대 도 7에서 B가 X1방향이나 Y2방향으로 어긋난 경우를 플러스, B가 X2방향이나 Y1방향에 어긋난 경우를 마이너스로 한다. 예컨대 B가 X1방향으로 0.5mm, Y1방향으로 0.1mm 어긋난 경우에는 위치 어긋남량d(dx, dy)는 (+0.5mm, -0.1mm)이 된다.
전술한 바와 같이 기억부(301)에는 웨이퍼 위치 어긋남량d 등의 XY 좌표값을 제1 기판 이재기(112)의 모터의 엔코더 값으로 환산하는 환산표가 기억된다. 제어부(300)는 이 환산표를 이용하여 웨이퍼 위치 어긋남량d의 엔코더 값을 구한다. 그리고 엔코더 값으로 환산한 웨이퍼 위치 어긋남량ed와 재치부 기준 위치 정보s1(엔코더 값et)에 기초하여 기판 재치 위치 정보s3을 취득하고, 기판 재치 위치 정보s3에 기초하여 기판 재치부(217b) 상의 웨이퍼를 재치해야 할 정확한 위치에 트위저(113)를 이동시킨다.
본 실시 형태에서는 원형의 기판 재치부(217b)의 지름은 원형의 웨이퍼의 지름보다 소정의 범위, 구체적으로는 4mm 크게 설정, 즉 기판 재치부(217b)와 웨이퍼의 지름의 차이는 4mm로 설정된다. 따라서 웨이퍼 위치 어긋남량d가 2mm 이내인 경우에는 웨이퍼가 기판 재치부(217b)로부터 어긋나지 않기 때문에 적절한 기판 처리를 수행할 수 있다. 또한 제어부(300)는 웨이퍼 위치 어긋남량d가 소정의 범위가 아닌 경우에는 기판 반송 동작을 정지하고, 제어부(300)의 표시부에 이상 발생을 나타내는 표시를 수행한다.
이상, 설명한 바와 같이 제어부(300)는 기판 처리 시에 센서(117)로 검출한 웨이퍼 유무 정보에 기초하여 제1 반송실(103) 내에서 반송 중의 웨이퍼 위치를 나타내는 검출 위치 정보를 작성한다. 그리고 제어부(300)는 상기 검출 위치 정보와 재치부 기준 위치 정보s1과 기판 위치 기준 정보sk에 기초하여 제1 기판 이재기(112)가 복수의 기판 재치부(217b)에 기판을 재치하는 위치를 제어한다. 그리고 제어부(300)는 검출 위치 정보와 기판 위치 기준 정보sk의 차이가 소정의 범위 내인 경우에 검출 위치 정보와 기판 위치 기준 정보sk의 차이에 기초하여 제1 기판 이재기(112)가 복수의 기판 재치부(217b)에 웨이퍼를 재치하는 위치를 보정하도록 제어한다. 또한 제어부(300)는 검출 위치 정보와 기판 위치 기준 정보sk의 차이가 소정의 범위 내가 아닌 경우에 제1 기판 이재기(112)의 반송 동작을 정지하도록 제어한다.
〔처리실에서의 기판 처리 공정〕
계속해서 본 실시 형태에 따른 반도체 제조 공정의 일 공정으로서 전술한 반응 용기(203)를 구비하는 처리실(202a)을 이용하여 실시되는 기판 처리 공정에 대하여 도 8 내지 도 10을 이용하여 설명한다. 도 8은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 공정을 도시하는 플로우 차트이며, 도 9는 본 실시 형태에 따른 기판 처리 공정에서의 성막 공정에서의 기판에 대한 처리를 도시하는 플로우 차트이며, 도 10은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 공정에서의 클리닝 공정에서의 처리를 도시하는 플로우 차트다. 또한 이하의 설명에서 기판 처리 장치(10)의 처리실(202)의 구성 각(各) 부(部)의 동작은 제어부(300)에 의해 제어된다.
여기서는 제1 가스로서 실리콘 함유 가스인 트리실릴아민(TSA)을 이용하고, 제2 처리 가스로서 산소 함유 가스인 산소 가스를 이용하여, 기판(200) 상에 절연막으로서 실리콘 산화막(SiO막)을 형성하는 예에 대하여 설명한다. 미리 티칭 공정에 의해 기판 재치부(217b)에서의 트위저(113)의 위치 정보인 재치부 기준 위치 정보s1(제2 티칭 데이터)을 취득해둔다. 또한 웨이퍼 이동 경로에서의 기판 위치 기준 정보sk를 취득해둔다.
〔기판 반입·재치 공정(S102)〕
우선 기판(200)의 반송 위치까지 기판 승강핀(266)을 상승시키고, 서셉터(217)의 관통공(217a)에 기판 승강핀(266)을 관통시킨다. 그 결과, 기판 승강핀(266)이 서셉터(217) 표면보다 소정의 높이만큼만 돌출한 상태가 된다. 계속해서 게이트 밸브(151)를 열고 제1 기판 이재기(112)를 이용하여 반응 용기(203) 내에 소정 매수(예컨대 5매)의 기판(200)(처리 기판)을 반입한다. 그리고 서셉터(217)의 도시되지 않는 회전축을 중심으로 하여 각 기판(200)이 중첩되지 않도록 서셉터(217)의 동일면 상에 재치한다. 이에 의해 기판(200)은 서셉터(217)의 표면으로부터 돌출한 기판 승강핀(266) 상에 수평 자세로 지지된다. 이때 전술한 기판 재치 위치 보정 공정에 의해 제1 반송실(103) 내에서 반송 중의 웨이퍼 위치를 나타내는 검출 위치 정보를 작성하고, 상기 검출 위치 정보와 재치부 기준 위치 정보s1과 기판 위치 기준 정보sk에 기초하여 제1 기판 이재기(112)가 복수의 기판 재치부(217b)에 기판을 재치하는 위치를 제어한다.
반응 용기(203) 내에 기판(200)을 반입하면, 제1 기판 이재기(112)를 반응 용기(203) 외에 퇴피시키고, 게이트 밸브(151)를 닫고 반응 용기(203) 내를 밀폐한다. 그 후 기판 승강핀(266)을 하강시켜 제1 처리 영역(201a), 제1 퍼지 영역(204a), 제2 처리 영역(201b), 제2 퍼지 영역(204b)의 각 저면의 서셉터(217)에 설치된 기판 재치부(217b) 상에 기판(200)을 재치한다.
또한 기판(200)을 반응 용기(203) 내에 반입할 때에는 배기부에 의해 반응 용기(203) 내를 배기하면서 불활성 가스 공급계로부터 반응 용기(203) 내에 퍼지 가스로서의 N2가스를 공급하는 것이 바람직하다. 즉 진공 펌프(246)를 작동시켜 APC 밸브(243)를 여는 것에 의해 반응 용기(203) 내를 배기하면서, 적어도 제1 불활성 가스 공급계의 밸브(234d)를 여는 것에 의해 반응 용기(203) 내에 N2가스를 공급하는 것이 바람직하다. 이에 의해 처리 영역(201) 내로의 파티클의 침입이나, 기판(200) 상으로의 파티클의 부착을 억제하는 것이 가능해진다. 여기서 또한 제2 불활성 가스 공급계 및 제3 불활성 가스 공급계로부터 불활성 가스를 공급해도 좋다. 또한 진공 펌프(246)는 적어도 기판 반입·재치 공정(S102) 내지 후술하는 기판 반출 공정(S108)이 종료될 때까지 상시 작동시킨 상태로 한다.
〔승온·압력 조정 공정(S104)〕
계속해서 서셉터(217)의 내부에 매립된 히터(218)에 전력을 공급하여 기판(200)의 표면이 소정의 온도(예컨대 200℃ 이상이며 400℃ 이하)가 되도록 가열한다. 이때 히터(218)의 온도는 온도 센서(274)에 의해 검출된 온도 정보에 기초하여 히터(218)로의 통전 상태를 제어하는 것에 의해 조정된다.
또한 실리콘으로 구성되는 기판(200)의 가열 처리에서는 표면 온도를 750℃ 이상까지 가열하면, 기판(200)의 표면에 형성된 소스 영역이나 드레인 영역 등에 불순물의 확산이 발생하여 회로 특성이 열화하고 반도체 디바이스의 성능이 저하하는 경우가 있다. 기판(200)의 온도를 전술과 같이 제한하는 것에 의해 기판(200)의 표면에 형성된 소스 영역이나 드레인 영역에서의 불순물의 확산, 회로 특성의 열화, 반도체 디바이스의 성능의 저하를 억제할 수 있다.
또한 반응 용기(203) 내가 원하는 압력(예컨대 0.1Pa 내지 300Pa, 바람직하게는 20Pa 내지 40Pa)이 되도록 반응 용기(203) 내를 진공 펌프(246)에 의해 진공 배기한다. 이때 반응 용기(203) 내의 압력은 도시되지 않는 압력 센서로 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 APC 밸브(243)의 개도를 피드백 제어한다.
또한 기판(200)을 가열하면서 회전 기구(267)를 작동하여 서셉터(217)의 회전을 시작한다. 이때 서셉터(217)의 회전 속도는 제어부(300)에 의해 제어된다. 서셉터(217)의 회전 속도는 예컨대 1회전/초다. 서셉터(217)를 회전시키는 것에 의해 기판(200)은 제1 처리 영역(201a), 제1 퍼지 영역(204a), 제2 처리 영역(201b), 제2 퍼지 영역(204b)의 순서로 이동을 시작하고, 각 영역을 기판(200)이 통과한다.
〔성막 공정(S106)〕
다음으로 제1 처리 영역(201a) 내에 제1 처리 가스로서의 TSA가스를 공급하고, 제2 처리 영역(201b) 내에 제2 처리 가스로서의 산소 가스를 공급하여, 기판(200) 상에 SiO막을 성막하는 공정을 예로 들어 성막 공정을 설명한다. 또한 이하의 설명에서는 TSA가스의 공급, 산소 가스의 공급, 불활성 가스를 병행하여 각각의 영역에 공급한다.
기판(200)을 가열하여 원하는 온도에 도달하고, 서셉터(217)가 원하는 회전 속도에 도달하면, 적어도 밸브(232d, 233d 및 234d)를 열고 처리 가스 및 불활성 가스의 처리 영역(201) 및 퍼지 영역(204)으로의 공급을 시작한다. 즉 밸브(232d)를 열고 제1 처리 영역(201a) 내에 TSA가스를 공급하고, 밸브(233d)를 열고 제2 처리 영역(201b) 내에 산소 가스를 공급하고, 또한 밸브(234d)를 열고 제1 퍼지 영역(204a) 및 제2 퍼지 영역(204b) 내에 불활성 가스인 N2가스를 공급한다. 이때 APC 밸브(243)를 적절히 조정하여 반응 용기(203) 내의 압력을 예컨대 10Pa 내지 1,000Pa의 범위 내의 압력으로 한다. 이때 히터(218)의 온도는 기판(200)의 온도가 예컨대 200℃ 내지 400℃의 범위 내의 온도가 될 수 있는 온도로 설정한다.
즉 밸브(232d)를 열고 제1 가스 공급관(232a)으로부터 제1 처리 가스 도입부(251) 및 제1 가스 분출구(254)를 개재하여 제1 처리 영역(201a)에 TSA가스를 공급하면서 배기관(231)으로부터 배기한다. 이때 TSA가스의 유량이 소정의 유량이 되도록 매스 플로우 컨트롤러(232c)를 조정한다. 또한 매스 플로우 컨트롤러(232c)로 제어하는 TSA가스의 공급 유량은 예컨대 100sccm 내지 5,000sccm의 범위 내의 유량으로 한다.
TSA가스를 제1 처리 영역(201a) 내에 공급할 때에는 밸브(235d)를 열고 제2 불활성 가스 공급관(235a)으로부터 캐리어 가스 또는 희석 가스로서의 N2가스를 제1 처리 영역(201a) 내에 공급하는 것이 바람직하다. 이에 의해 제1 처리 영역(201a) 내로의 TSA가스의 공급을 촉진시킬 수 있다.
또한 밸브(232d)를 여는 것과 병행하여 밸브(233d)를 열고 제2 가스 공급관(233a)으로부터 제2 처리 가스 도입부(252) 및 제2 가스 분출구(255)를 개재하여 제2 처리 영역(201b)에 산소 가스를 공급하면서 배기관(231)으로부터 배기한다. 이때 산소 가스의 유량이 소정의 유량이 되도록 매스 플로우 컨트롤러(233c)를 조정한다. 또한 매스 플로우 컨트롤러(233c)로 제어하는 산소 가스의 공급 유량은 예컨대 1,000sccm 내지 10,000sccm의 범위 내의 유량으로 한다.
산소 가스를 제2 처리 영역(201b) 내에 공급할 때에는 밸브(236d)를 열고 제3 불활성 가스 공급관(236a)으로부터 캐리어 가스 또는 희석 가스로서의 N2가스를 제2 처리 영역(201b) 내에 공급하는 것이 바람직하다. 이에 의해 제2 처리 영역(201b) 내로의 산소 가스의 공급을 촉진할 수 있다.
또한 밸브(232d) 및 밸브(233d)를 여는 것과 병행하여 밸브(234d)를 열고 퍼지 가스로서의 불활성 가스인 N2가스를 제1 불활성 가스 공급관(234a)으로부터 불활성 가스 도입부(253), 제1 불활성 가스 분출구(256) 및 제2 불활성 가스 분출구(257)를 개재하여 제1 퍼지 영역(204a) 및 제2 퍼지 영역(204b)에 각각 공급하면서 배기한다. 이때 N2가스의 유량이 소정의 유량이 되도록 매스 플로우 컨트롤러(234c)를 조정한다. 또한 경계판(205)의 단부와 반응 용기(203)의 측벽의 극간을 개재하여 제1 퍼지 영역(204a) 내 및 제2 퍼지 영역(204b) 내에서 제1 처리 영역(201a) 내 및 제2 처리 영역(201b) 내를 향하여 불활성 가스를 분출시키는 것에 의해, 제1 퍼지 영역(204a) 내 및 제2 퍼지 영역(204b) 내로의 처리 가스의 침입을 억제할 수 있다.
가스 공급의 시작과 함께, 제2 처리 영역(201b)의 상방(上方)에 설치된 플라즈마 생성부(206)에 도시되지 않는 고주파 전원으로부터 고주파 전력을 공급한다. 제2 처리 영역(201b) 내에 공급되고 플라즈마 생성부(206)의 하방(下方)을 통과한 산소 가스는 제2 처리 영역(201b) 내에서 플라즈마 상태가 되고, 이에 포함되는 활성종이 기판(200)에 공급된다.
산소 가스는 반응 온도가 높아 전술과 같은 기판(200)의 처리 온도, 반응 용기(203) 내의 압력으로는 반응하기 어렵지만, 본 실시 형태와 같이 산소 가스를 플라즈마 상태로 하고 이에 포함되는 활성종을 공급하면, 예컨대 400℃ 이하의 온도대이어도 성막 처리를 수행할 수 있다. 또한 제1 처리 가스와 제2 처리 가스에서 요구하는 처리 온도가 다른 경우, 처리 온도가 낮은 쪽의 처리 가스의 온도에 맞춰서 히터(218)를 제어하고, 처리 온도를 높일 필요가 있는 타방(他方)의 처리 가스를 플라즈마 상태로서 공급하면 좋다. 이와 같이 플라즈마를 이용하는 것에 의해 기판(200)을 저온으로 처리할 수 있고, 예컨대 알루미늄 등의 열에 약한 배선 등을 포함하는 기판(200)에 대한 열 손상을 억제하는 것이 가능해진다. 또한 처리 가스의 불완전 반응에 의한 생성물 등의 이물의 발생을 억제할 수 있어, 기판(200) 상에 형성하는 박막의 균질성이나 내전압 특성 등을 향상시킬 수 있다. 또한 플라즈마 상태로 한 산소 가스가 높은 산화력에 의해 산화 처리 시간을 단축할 수 있는 등, 기판 처리의 생산성을 향상시킬 수 있다.
전술한 바와 같이 서셉터(217)를 회전시키는 것에 의해 기판(200)은 제1 처리 영역(201a), 제1 퍼지 영역(204a), 제2 처리 영역(201b), 제2 퍼지 영역(204b)의 순서로 이동을 반복한다. 그렇기 때문에 도 9에 도시하는 바와 같이 기판(200)에는 TSA가스의 공급(S202), N2가스의 공급(퍼지)(S204), 플라즈마 상태가 된 산소 가스의 공급(S206), N2가스의 공급(퍼지)(S208)이 교호(交互)적으로 소정 횟수 실시된다. 여기서 성막 처리 시퀀스의 상세에 대하여 도 9를 이용하여 설명한다.
〔제1 처리 가스 영역 통과(S202)〕
우선 제1 처리 영역(201a)을 통과하는 기판(200)의 표면 및 서셉터(217)의 기판이 재치되지 않은 부분에 TSA가스가 공급되어 기판(200) 상에 실리콘 함유층이 형성된다.
〔제1 퍼지 영역 통과(S204)〕
다음으로 실리콘 함유층이 형성된 기판(200)이 제1 퍼지 영역(204a)을 통과한다. 이때 제1 퍼지 영역에 불활성 가스인 N2가스가 공급된다.
〔제2 처리 가스 영역 통과(S206)〕
다음으로 제2 처리 영역(201b)을 통과하는 기판(200) 및 서셉터(217)의 기판이 재치되지 않은 부분에 산소 가스가 공급된다. 기판(200) 상에는 실리콘 산화층(SiO층)이 형성된다. 즉 산소 가스는 제1 처리 영역(201a)에서 기판(200) 상에 형성된 실리콘 함유층의 일부와 반응한다. 이에 의해 실리콘 함유층은 산화되어 실리콘 및 산소를 포함하는 SiO층으로 개질된다.
〔제2 퍼지 영역 통과(S208)〕
그리고 제2 처리 영역(201b)에서 SiO층이 형성된 기판(200)이 제2 퍼지 영역(204b)을 통과한다. 이때 제2 퍼지 영역(204b)에 불활성 가스인 N2가스가 공급된다.
〔사이클 수의 확인(S210)〕
이와 같이 서셉터(217)의 1회전을 1사이클이라 하고, 즉 제1 처리 영역(201a), 제1 퍼지 영역(204a), 제2 처리 영역(201b) 및 제2 퍼지 영역(204b)의 기판(200)의 통과를 1사이클이라 하고, 이 사이클을 적어도 1회 이상 수행하는 것에 의해 기판(200) 상에 소정 막 두께의 SiO막을 성막할 수 있다. 여기서는 전술 사이클을 소정 횟수 실시하였는지에 대한 여부를 확인한다. 사이클을 소정의 횟수 실시한 경우, 원하는 막 두께에 도달하였다고 판단하고, 성막 처리를 종료한다. 사이클을 소정의 횟수 실시하지 않은 경우, 원하는 막 두께에 도달하지 않았다고 판단하고, 공정(S202)으로 돌아가 사이클 처리를 계속한다.
공정(S210)에서 전술 사이클을 소정 횟수 실시하고, 기판(200) 상에 원하는 막 두께의 SiO막이 형성되었다고 판단한 후, 적어도 밸브(232d) 및 밸브(233d)를 닫고 TSA가스 및 산소 가스의 제1 처리 영역(201a) 및 제2 처리 영역(201b)으로의 공급을 정지한다. 이때 플라즈마 생성부(206)로의 전력 공급도 정지한다. 또한 히터(218)의 통전량을 제어하여 온도를 낮추거나 또는 히터(218)로의 통전(通電)을 정지한다. 또한 서셉터(217)의 회전을 정지한다.
〔기판 반출 공정(S108)〕
성막 공정(S106)이 종료되면, 다음과 같이 기판을 반출한다. 우선 기판 승강핀(266)을 상승시키고, 서셉터(217)의 표면으로부터 돌출시킨 기판 승강핀(266) 상에 기판(200)을 지지한다. 그리고 게이트 밸브(151)를 열고 제1 기판 이재기(112)를 이용하여 기판(200)을 반응 용기(203) 외로 반출하고, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 공정을 종료한다. 또한 상기에서 기판(200)의 온도, 반응 용기(203) 내의 압력, 각 가스의 유량, 플라즈마 생성부(206)에 인가하는 전력, 처리 시간 등의 조건 등은 개질 대상의 막의 재료나 막 두께 등에 의해 임의로 조정한다.
〔처리 횟수의 확인(S110)〕
공정(S110)에서는 기판 반입·재치 공정(S102) 내지 기판 반출 공정(S108)의 사이클을 소정 횟수 실시하였는지에 대한 여부를 확인한다. 여기서 소정의 횟수란 성막 처리를 계속한 결과, 클리닝이 필요한 상태가 되는 횟수를 말한다. 이 횟수는 미리 시뮬레이션 등으로 클리닝이 필요한 처리 횟수를 도출하여 설정한다.
〔클리닝 공정(S112)〕
기판 반입·재치 공정(S102) 내지 기판 반출 공정(S108)의 사이클을 소정 횟수 실시한 후, 즉 서셉터(217)에 처리 기판(200)이 재치되지 않은 상태에서 처리실(202)의 클리닝을 수행한다. 구체적으로는 도 10에 도시하는 처리를 수행한다.
〔더미 기판 반입·재치 공정(S302)〕
서셉터(217)의 기판 재치부(217b)에 처리 기판을 재치할 때와 마찬가지의 순서로 더미 기판(280)을 재치한다.
〔승온·압력 조정 공정(S304)〕
계속해서 서셉터(217)의 내부에 매립된 히터(218)에 전력을 공급하고, 더미 기판(280)의 표면이 소정의 온도가 되도록 가열한다.
또한 반응 용기(203) 내가 원하는 압력(예컨대 0.1Pa 내지 300Pa, 바람직하게는 20Pa 내지 40Pa)이 되도록 반응 용기(203) 내를 진공 펌프(246)에 의해 진공 배기한다. 이때 반응 용기(203) 내의 압력은 도시되지 않는 압력 센서로 측정되고, 이 측정된 압력 정보에 기초하여 APC 밸브(243)의 개도를 피드백 제어한다.
또한 더미 기판(280)을 가열하면서 회전 기구(267)를 작동하여 서셉터(217)의 회전을 시작한다. 이때 서셉터(217)의 회전 속도는 제어부(300)에 의해 제어된다. 서셉터(217)의 회전 속도는 예컨대 1회전/초다. 서셉터(217)를 회전시키는 것에 의해 더미 기판(280)은 제1 처리 영역(201a), 제1 퍼지 영역(204a), 제2 처리 영역(201b), 제2 퍼지 영역(204b)의 순서로 이동을 시작하고, 각 영역을 더미 기판(280)이 통과한다.
〔가스 공급 공정(S306)〕
다음으로 반응 용기(203) 내에 클리닝 가스 도입부(258)로부터 클리닝 가스를 공급한다. 이와 병행하여 각 처리 영역에 퍼지 가스를 공급한다.
이상과 같이 반응 용기(203) 내를 클리닝한다.
〔기판 반출 공정(S308)〕
소정 시간 클리닝 처리를 한 후, 더미 기판 반입 공정과는 반대의 순서로 더미 기판을 반출한다.
(6) 제1 실시 형태에 따른 효과
제1 실시 형태에 의하면, 적어도 이하에 나타내는 효과를 갖는다.
(a) 기판 이동 경로에서 기판 반송 중에 기판 어긋남량을 검출하고, 상기 기판 어긋남량에 기초하여 처리실 내의 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 기판 반송 중에 보정했기 때문에, 처리실 내에서 기판 어긋남량을 검출하여 기판을 재치하는 위치를 보정하는 경우에 비해, 기판 재치부로의 기판 재치 위치를 신속하게 보정할 수 있다.
(b) 미리 기판 이동 경로에서의 기판 반송기의 경로부 기준 위치에서 기판 위치 기준 정보sk를 취득해두고, 기판 처리 시에서 기판 반송 중에 경로부 기준 위치에서 기판 위치를 검출하여 검출 위치 정보를 취득했기 때문에 용이하게 기판 어긋남량을 검출할 수 있다.
(c) 처리실에 인접한 반송실 내에 기판 이동 경로에서의 기판 어긋남량을 검출하기 위한 기판 유무 검출 센서를 설치했기 때문에, 처리실 내에 센서를 설치하는 경우에 비해 센서 표면이 성막되는 것을 억제할 수 있어 센서의 교환 주기나 메인터넌스 주기를 길게 할 수 있다. 또한 처리실 내의 복수의 기판 재치부에 각각 센서를 설치하는 경우에 비해 센서의 수를 줄일 수 있다.
(d) 기판 유무 검출 센서를 2개의 기판 유무 검출 센서로 구성하고, 반송실 내를 반송 중의 기판을 2개의 기판 유무 검출 센서가 검출하는 시간 차이에 기초하여 반송 중의 기판의 위치를 검출하도록 했기 때문에, 반송 중의 기판의 검출 위치 정보를 쉽게 취득할 수 있다.
(e) 반송실 내를 반송 중의 기판에 대하여 2개의 기판 유무 검출 센서 중 적어도 1개가 기판을 검출했을 때의 기판 반송기의 위치를 경로부 기준 위치로 했기 때문에 기판 위치 기준 정보sk를 쉽게 취득할 수 있다.
(f) 기판 이동 경로에서의 기판 어긋남량이 소정의 범위 내인 경우에는 상기 기판 어긋남량에 기초하여 기판 재치부로의 재치 위치를 보정하여 기판을 재치하고, 기판 어긋남량이 소정의 범위 내가 아닌 경우에는 기판 반송기의 반송 동작을 정지했기 때문에, 기판 어긋남량이 클 때에 웨이퍼 파손 등의 문제를 회피할 수 있다. 또한 소정의 범위를 적절하게 설정하는 것에 의해 웨이퍼가 기판 재치부로부터 돌출하는 것을 방지할 수 있다.
(g) 기판 유무 검출 센서를 기판 이동 경로에서의 반송실 내의 처리실 근방에 설치했기 때문에 처리실 근방 이외에 설치하는 경우에 비해 보다 정확하게 기판 어긋남량을 검출할 수 있다.
(h) 복수의 기판 재치부(217b)에 대한 재치부 기준 위치 정보s1의 차분 정보를 취득하여 이용하는 것에 의해, 기판 위치 기준 정보sk 취득 공정에서 보다 효율적으로 기판 위치 기준 정보sk를 취득할 수 있다.
<제2 실시 형태>
계속해서 도 11을 이용하여 본 발명의 제2 실시 형태를 설명한다. 도 11은 제2 실시 형태에 따른 기판 처리실의 상면 개략도다.
(장치 구성)
제2 실시 형태는 제1 실시 형태의 장치와 가스 공급부가 다르지만, 그 외의 동일한 부호의 구성에 대해서는 마찬가지의 구성이다. 이하 다른 구성을 설명한다. 부호(311)는 제1 가스 공급 노즐이다. 제1 가스 공급 노즐(311)은 제1 처리 가스 도입부(251)에 접속되고, 서셉터(217)의 지름 방향을 향하여 연장된다. 부호(312)는 제2 가스 공급 노즐이다. 제2 가스 공급 노즐(312)은 제2 처리 가스 도입부(252)에 접속되고, 서셉터(217)의 지름 방향을 향하여 연장된다. 부호(313)는 제1 퍼지 가스 공급 노즐, 부호(314)는 제2 퍼지 가스 공급 노즐이다. 각각 불활성 가스 도입부(253)에 접속되고, 서셉터(217)의 지름 방향을 향하여 연장된다.
각 노즐에는 서셉터(217)의 지름 방향으로 복수의 가스 분출구가 설치된다. 그리고 각 노즐은 기판 재치부(217b)에 재치되는 기판의 지름보다 크게 되도록, 즉 기판 재치부(217b)에 재치되는 기판의 전역에 대하여 가스를 공급할 수 있도록 구성된다. 이와 같은 구성으로 하는 것에 의해 기판(200) 상에 균일하게 가스를 공급하는 것이 가능해진다. 도 11에서는 경계판(205)의 도시를 생략한다. 또한 제2 실시 형태에서 경계판(205)은 있어도 좋고, 없는 구성으로 하는 것도 가능하다.
〔기판 처리 공정〕
기판 처리 공정은 제1 실시 형태와 거의 마찬가지지만, 성막 공정이나 클리닝 공정에서 제1 가스 분출구(254) 대신에 가스 공급 노즐(311)로부터, 제2 가스 분출구(255) 대신에 가스 공급 노즐(312)로부터 처리 가스나 퍼지 가스를 공급한다. 또한 제1 불활성 가스 분출구(256), 제2 불활성 가스 분출구(257) 대신에 퍼지 가스 공급 노즐(313), 퍼지 가스 공급 노즐(314)로부터 퍼지 가스를 공급한다.
<본 발명의 다른 실시 형태>
이상, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 갖가지 변경이 가능하다.
예컨대 전술한 실시 형태에서는 처리 가스로서 실리콘 함유 가스 및 산소 함유 가스를 이용하여 기판(200) 상에 SiO막을 형성했지만 이에 한정되지 않는다. 즉 처리 가스로서 예컨대 하프늄(Hf) 함유 가스 및 산소 함유 가스, 지르코늄(Zr) 함유 가스 및 산소 함유 가스, 티타늄(Ti) 함유 가스 및 산소 함유 가스를 이용하여 산화하프늄 막(HfO막), 산화지르코늄 막(ZrO막), 산화티탄 막(TiO막) 등의 High-k막 등을 기판(200) 상에 형성해도 좋다. 또한 플라즈마화 하는 처리 가스로서 산소 함유 가스 외에 질소(N) 함유 가스인 암모니아(NH3) 가스 등을 이용해도 좋다.
또한 전술한 실시 형태에서는 산소 가스를 처리실에 공급하고, 플라즈마 생성부(206)에서 플라즈마를 생성했지만 이에 한정되지 않고, 처리실 외에서 플라즈마를 생성하는 리모트 플라즈마 방법이나, 에너지 레벨이 높은 오존을 이용해도 좋다.
또한 전술한 실시 형태에서는 가스 공급부(250)의 불활성 가스 도입부(253)를 제1 퍼지 영역(204a)과 제2 퍼지 영역(204b)에서 공통으로 했지만, 불활성 가스 도입부는 개별로 설치해도 좋다.
또한 전술한 실시 형태에서는 기판 승강핀(266)이 승강하는 것에 의해 기판(200)을 처리 위치나 반송 위치에 이동시켰지만, 승강 기구(268)를 이용하여 서셉터(217)를 승강시키는 것에 의해 기판(200)을 처리 위치나 반송 위치에 이동시켜도 좋다.
또한 전술한 실시 형태에서는 기판(200)을 원형의 웨이퍼로 했지만, 직사각형[矩形]의 기판이어도 좋다.
또한 전술한 실시 형태에서는 1개의 서셉터(217)에 기판 재치부(217b)를 복수 설치했지만, 1개의 서셉터(217)에 기판 재치부(217b)를 1개 설치하는 구성으로 해도 좋다. 또한 기판 재치부(217b)를 설치하지 않고, 서셉터(217)에 직접 웨이퍼를 재치하는 구성으로 해도 좋다.
또한 전술한 실시 형태에서는 기판 유무 검출기로서의 투과형 센서를 2개 이용하여 기판 이동 경로에서의 기판 어긋남량을 검출했지만, 투과형 센서를 3개 이상 이용하는 구성으로 해도 좋다. 또한 투과형 센서가 아니라 반사형 센서 등을 이용하는 구성으로 해도 좋다. 또한 광 센서가 아니라 초음파 센서 등을 이용하는 구성으로 해도 좋다. 또한 화상 카메라를 이용하여 기판 이동 경로에서의 기판 어긋남량을 검출하도록 구성해도 좋다.
이하 부기로서 본 발명의 형태를 기재한다.
<부기1>
기판을 재치하는 제1 및 제2 기판 재치부를 동일 원주 상에 포함하는 기판 재치대와, 상기 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 재치된 기판을 처리하는 처리실;
상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실;
상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;
상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 제1 재치부 기준 위치 정보, 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 제2 재치부 기준 위치 정보 및 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 기억하는 기억부; 및
상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보에 기초하여 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보를 작성하고, 상기 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와 상기 제2 재치부 기준 위치 정보의 차분 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 제어하는 제어부;
를 포함하는 기판 처리 장치.
<부기2>
상기 제어부는 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이가 소정의 범위 내인 경우에 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이에 기초하여 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 보정하도록 제어하는 부기1에 기재된 기판 처리 장치
<부기3>
상기 제어부는 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이가 소정의 범위 내가 아닌 경우에 상기 기판 반송기의 반송 동작을 정지하도록 제어하는 부기2에 기재된 기판 처리 장치.
<부기4>
상기 기판 유무 검출기는 적어도 2개의 기판 유무 검출기로 구성되고,
상기 제어부는 상기 반송실 내를 반송 중의 기판을 상기 2개의 기판 유무 검출기가 검출하는 시간 차이에 기초하여 상기 검출 위치 정보를 작성하는 부기1 내지 부기3에 기재된 기판 처리 장치.
<부기5>
상기 제어부는 상기 2개의 기판 유무 검출기 중 적어도 1개이 검출되었을 때의 기판의 위치를 상기 기판 위치 기준 정보로서 작성하는 부기4에 기재된 기판 처리 장치.
<부기6>
기판을 재치하는 제1 및 제2 기판 재치부를 동일 원주 상에 포함하는 기판 재치대와, 상기 제1 및 제2 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하는 처리실; 상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실; 및 상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 제2 재치부 기준 위치 정보를 취득하는 공정;
상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 취득하는 공정;
상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보에 기초하여 상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 공정;
상기 기판 위치 검출 공정에서 검출한 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하는 제1 기판 재치 공정;
상기 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와 상기 제2 재치부 기준 위치 정보의 차분 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 제2 기판 재치 공정; 및
상기 제1 및 제2 기판 재치부에 재치된 기판에 반도체 장치를 형성하는 공정;
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
<부기7>
기판을 재치하는 기판 재치부에서 기판을 재치하기 위한 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 재치부 기준 위치 정보를 취득하는 공정;
상기 기판 재치부에 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 취득하는 공정;
상기 기판 재치부에 기판을 반송 중에 상기 반송 중의 기판의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 공정;
상기 기판 위치 검출 공정에서 검출한 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보와, 상기 재치부 기준 위치 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 재치부에 기판을 재치하는 기판 재치 공정; 및
상기 기판 재치부에 재치된 기판에 반도체 장치를 형성하는 공정;
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
<부기8>
기판을 재치하는 제1 및 제2 기판 재치대를 포함하고, 상기 제1 및 제2 기판 재치대에 재치된 기판을 처리하는 처리실;
상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 제1 및 제2 기판 재치대에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실;
상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;
상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 제1 재치부 기준 위치 정보, 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 제2 재치부 기준 위치 정보 및 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 기억하는 기억부; 및
상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보에 기초하여 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보를 작성하고, 상기 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와 상기 제2 재치부 기준 위치 정보의 차분 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 제어하는 제어부;
를 포함하는 기판 처리 장치.
<부기9>
동일 원주 상에 설치된 기판 재치부(1) 내지 재치부(n)(n은 2 이상의 자연수)를 포함하는 기판 재치대와, 상기 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하고, 상기 기판 재치대에 재치된 기판을 처리하는 처리실;
상기 처리실에 인접하고, 상기 기판 재치부(1) 내지 재치부(n)에 기판을 반송하는 기판 반송기를 포함하는 반송실;
상기 기판 재치부(1) 내지 재치부(n)의 각각에서 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 재치부 기준 위치 정보를 기억하는 기억부; 및
상기 재치부 기준 위치 정보에 기초하여 상기 기판 반송기를 제어하는 제어부;
를 포함하는 기판 처리 장치.
<부기10>
상기 반송실은 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기를 포함하고,
상기 기억부는 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 기억하고,
상기 제어부는 상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보에 기초하여 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보를 작성하고, 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이가 소정의 범위 내인 경우에 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이에 기초하여 상기 기판 반송기가 상기 기판 재치부(1) 내지 재치부(n)에 기판을 재치하는 위치를 보정하도록 제어하는 부기9에 기재된 기판 처리 장치.
<부기11>
상기 제어부는 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이가 소정의 범위를 초과한 경우에 상기 기판 반송기의 반송 동작을 정지하도록 제어하는 부기10에 기재된 기판 처리 장치.
<부기12>
기판을 재치하는 기판 재치부를 동일 원주 상에 복수 포함하는 기판 재치대와, 상기 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하고, 상기 기판 재치부에 재치된 기판을 처리하는 처리실;
상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실;
상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;
상기 복수의 기판 재치부의 각각에서 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 재치부 기준 위치 정보 및 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 기억하는 기억부; 및
상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보에 기초하여 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보를 작성하고, 상기 검출 위치 정보와 상기 재치부 기준 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여 상기 기판 반송기가 상기 복수의 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 제어하는 제어부;
를 포함하는 기판 처리 장치.
<부기13>
기판을 재치하는 기판 재치대를 포함하고, 상기 기판 재치대에 재치된 기판을 처리하는 처리실;
상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 기판 재치대에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실;
상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;
상기 기판 재치대에서 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 재치부 기준 위치 정보 및 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 기억하는 기억부; 및
상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보에 기초하여 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보를 작성하고, 상기 검출 위치 정보와 상기 재치부 기준 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여 상기 기판 반송기가 상기 기판 재치대에 기판을 재치하는 위치를 제어하는 제어부;
를 포함하는 기판 처리 장치.
<부기14>
기판을 재치하는 기판 재치부를 동일 원주 상에 복수 포함하는 기판 재치대와, 상기 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하는 처리실; 상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실; 및 상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
상기 복수의 기판 재치부의 각각에서 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 재치부 기준 위치 정보를 취득하는 공정;
상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 취득하는 공정;
상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보에 기초하여 상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 공정;
상기 기판 위치 검출 공정에서 검출한 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보와, 상기 재치부 기준 위치 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 복수의 기판 재치부에 기판을 재치하는 기판 재치 공정; 및
상기 복수의 기판 재치부에 재치된 기판에 반도체 장치를 형성하는 공정;
을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
<부기15>
본 발명의 또 다른 형태에 의하면,
기판을 재치하는 기판 재치부에서 기판을 재치하기 위한 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 재치부 기준 위치 정보를 취득시키는 순서;
상기 기판 재치부에 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 취득시키는 순서;
상기 기판 재치부에 기판을 반송 중에 상기 반송 중의 기판의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 순서;
상기 기판 위치 검출 순서로 검출한 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보와, 상기 재치부 기준 위치 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 재치부에 기판을 재치시키는 기판 재치 순서; 및
상기 기판 재치부에 재치된 기판에 반도체 장치를 형성하는 순서;
를 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 제공된다.
<부기16>
기판을 재치하는 기판 재치부에서 기판을 재치하기 위한 기판 반송기의 기준 위치를 나타내는 재치부 기준 위치 정보를 취득시키는 순서;
상기 기판 재치부에 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 취득시키는 순서;
상기 기판 재치부에 기판을 반송 중에 상기 반송 중의 기판의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 순서;
상기 기판 위치 검출 순서로 검출한 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보와, 상기 재치부 기준 위치 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 재치부에 기판을 재치시키는 기판 재치 순서; 및
상기 기판 재치부에 재치된 기판에 반도체 장치를 형성하는 순서;
를 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체가 제공된다.
트위저 상에 지지한 기판이 어긋난 경우에도 서셉터 상의 소정의 위치에 기판을 재치할 수 있다.
10: 기판 처리 장치 100: 포드
100a: 캡 101: 제1 반송실 광체
103: 제1 반송실 105: 로드 포트(I/O스테이지)
106: 노치 맞춤 장치 108: 포드 오프너
112: 제1 기판 이재기(기판 반송기) 113: 트위저
114: 암 115: 제1 기판 이재기 엘리베이터
117: 센서(기판 유무 검출기) 118: 클린 유닛
121: 제2 반송실 122, 123: 예비실
124: 제2 기판 이재기 125: 제2 반송실 광체
126, 127: 게이트 밸브 128, 129: 게이트 밸브
131: 제2 기판 이재기 엘리베이터 132: 리니어 액츄에이터
134: 기판 반입 반출구 136: 구동 기구
140: 기판 지지대 141: 격벽판
142: 클로저 150, 151, 152, 153: 게이트 밸브
200: 기판 201a: 제1 처리 영역
201b: 제2 처리 영역 202a: 제1 처리로
202b: 제2 처리로 202c: 제3 처리로
202d: 제4 처리로 203: 반응 용기
203a: 반응 용기 천정 204a: 제1 퍼지 영역
204b: 제2 퍼지 영역 205: 경계판
206: 플라즈마 생성부 207: 처리 공간
217: 서셉터(기판 재치대) 217a: 관통공
217b: 기판 재치부 218: 히터
222: 전력 공급선 223: 온도 조정기
224: 전력 조정기 225: 히터 전원
231: 배기관 232: 제1 처리 가스 공급계
232a: 제1 가스 공급관 232b: 원료 가스 공급원
232c: MFC 232d: 밸브
233: 제2 처리 가스 공급계 233a: 제2 가스 공급관
233b: 원료 가스 공급원 233c: MFC
233d: 밸브 234: 제1 불활성 가스 공급계
234a: 제1 불활성 가스 공급관 234b: 불활성 가스 공급원
234c: MFC 234d: 밸브
235: 제2 불활성 가스 공급계 235a: 제2 불활성 가스 공급관
235b: 불활성 가스 공급원 235c: MFC
235d: 밸브 236: 제3 불활성 가스 공급계
236a: 제3 불활성 가스 공급관 236b: 불활성 가스 공급원
236c: MFC 236d: 밸브
237a: 클리닝 가스 공급관 237b: 클리닝 가스 공급원
237c: MFC 237d: 밸브
237e: 플라즈마 생성 유닛 243: APC 밸브
245: 유량 제어 밸브 246: 진공 펌프
250: 가스 공급부 251: 제1 처리 가스 도입부
252: 제2 처리 가스 도입부 253: 불활성 가스 도입부
254: 제1 가스 분출구 255: 제2 가스 분출구
256: 제1 불활성 가스 분출구 257: 제2 불활성 가스 분출구
258: 클리닝 가스 도입부 259: 클리닝 가스 공급공
266: 기판 승강핀 267: 회전 기구
267a: 커플링부 268: 승강 기구
274: 온도 센서 280: 더미 기판
300: 제어부(컨트롤러) 301: 기억부
302: CPU 311: 제1 가스 공급 노즐
312: 제2 가스 공급 노즐 313: 제1 퍼지 가스 공급 노즐
314: 제2 퍼지 가스 공급 노즐

Claims (15)

  1. 기판을 재치하는 제1 및 제2 기판 재치부를 동일 원주 상에 포함하는 기판 재치대와, 상기 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 재치된 기판을 처리하는 처리실;
    상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실;
    상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;
    상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제1 재치부 기준 위치 정보, 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제2 재치부 기준 위치 정보 및 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 기억하는 기억부; 및
    상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보 및 상기 기판 반송기의 이동 속도에 기초하여 상기 반송실 내에서 반송 중의 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보를 작성하고, 상기 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와 상기 제2 재치부 기준 위치 정보의 차분 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 제어하는 제어부;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이가 소정의 범위 내인 경우에 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이에 기초하여 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 보정하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이가 소정의 범위 내가 아닌 경우에 상기 기판 반송기의 반송 동작을 정지하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판 유무 검출기는 적어도 2개의 기판 유무 검출기로 구성되고,
    상기 제어부는 상기 반송실 내를 반송 중의 기판을 상기 2개의 기판 유무 검출기가 검출하는 시간 차이에 기초하여 상기 검출 위치 정보를 작성하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 2개의 기판 유무 검출기 중 적어도 1개가 기판을 검출했을 때의 기판의 위치를 상기 기판 위치 기준 정보로서 작성하는 기판 처리 장치.
  6. 기판을 재치하는 제1 및 제2 기판 재치부를 동일 원주 상에 포함하는 기판 재치대와, 상기 제1 및 제2 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하는 처리실; 상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실; 및 상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제2 재치부 기준 위치 정보를 취득하는 공정;
    상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 취득하는 공정;
    상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보 및 상기 기판 반송기의 이동 속도에 기초하여 상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 공정;
    상기 기판 위치 검출 공정에서 검출한 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하는 제1 기판 재치 공정;
    상기 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와 상기 제2 재치부 기준 위치 정보의 차분 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 제2 기판 재치 공정; 및
    상기 제1 및 제2 기판 재치부에 재치된 기판에 반도체 장치를 형성하는 공정;
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이가 소정의 범위 내인 경우에 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 정보의 차이에 기초하여 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 보정하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이가 소정의 범위 내가 아닌 경우에 상기 기판 반송기의 반송 동작을 정지하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 기판 유무 검출기는 적어도 2개의 기판 유무 검출기로 구성되고,
    상기 반송실 내를 반송 중의 기판을 상기 2개의 기판 유무 검출기가 검출하는 시간 차이에 기초하여 상기 검출 위치 정보를 작성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 2개의 기판 유무 검출기 중 적어도 1개가 기판을 검출했을 때의 기판의 위치를 상기 기판 위치 기준 정보로서 작성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 기판을 재치하는 제1 및 제2 기판 재치부를 동일 원주 상에 포함하는 기판 재치대와, 상기 제1 및 제2 기판 재치대를 회전시키는 회전 기구를 포함하는 처리실; 상기 처리실에 인접하여 설치되고, 상기 제1 및 제2 기판 재치부에 기판을 반송하여 재치하는 기판 반송기를 포함하는 반송실; 및 상기 반송실 내에서 기판의 유무를 검출하는 기판 유무 검출기;를 동작시키는 프로그램이 기록된 기록 매체로서,
    상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하기 위한 상기 기판 반송기의 상기 처리실 내에서의 기준 위치를 나타내는 제2 재치부 기준 위치 정보를 취득시키는 단계;
    상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 기준 위치를 나타내는 기판 위치 기준 정보를 취득시키는 단계;
    상기 기판 유무 검출기로 검출한 기판 유무 정보 및 상기 기판 반송기의 이동 속도에 기초하여 상기 반송실 내에서 상기 처리실에 반송 중의 기판의 위치를 검출하는 기판 위치 검출 단계;
    상기 기판 위치 검출 공정에서 검출한 기판 위치를 나타내는 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제1 기판 재치부에 기판을 재치시키는 제1 기판 재치 단계;
    상기 검출 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와, 상기 제1 재치부 기준 위치 정보와 상기 제2 재치부 기준 위치 정보의 차분 정보와, 상기 기판 위치 기준 정보에 기초하여, 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치시키는 제2 기판 재치 단계; 및
    상기 제1 및 제2 기판 재치부에 재치된 기판에 반도체 장치를 형성하는 단계;
    를 컴퓨터에 실행시키는 프로그램이 기록된 기록 매체.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이가 소정의 범위 내인 경우에 상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 정보의 차이에 기초하여 상기 기판 반송기가 상기 제2 기판 재치부에 기판을 재치하는 위치를 보정시키는 단계를 포함하는 기록 매체.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 검출 위치 정보와 상기 기판 위치 기준 정보의 차이가 소정의 범위 내가 아닌 경우에 상기 기판 반송기의 반송 동작을 정지시키는 단계를 포함하는 기록 매체.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 기판 유무 검출기는 적어도 2개의 기판 유무 검출기로 구성되고,
    상기 반송실 내를 반송 중의 기판을 상기 2개의 기판 유무 검출기가 검출하는 시간 차이에 기초하여 상기 검출 위치 정보를 작성시키는 단계를 포함하는 기록 매체.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 2개의 기판 유무 검출기 중 적어도 1개가 기판을 검출했을 때의 기판의 위치를 상기 기판 위치 기준 정보로서 작성시키는 단계를 포함하는 기록 매체.
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